Avesta TiF-100型飞秒激光器的相关论文

2017-03-24 16:17

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资料摘要：

Van der Waals coupling is emerging as a powerful method to engineer physical properties of atomically thin two-dimensional materials. In coupled graphene–graphene and graphene–boron nitride layers, interesting physical phenomena ranging from Fermi velocity renormalization to Hofstadter’s butterfly pattern have been demonstrated. Atomically thin transition metal dichalcogenides, another family of two-dimensional-layered semiconductors, can show distinct coupling phenomena. Here we demonstrate the evolution of interlayer coupling with twist angles in as-grown molybdenum disulfide bilayers. We find that the indirect bandgap size varies appreciably with the stacking configuration: it shows the largest redshift for AA- and AB-stacked bilayers, and a significantly smaller but constant redshift for all other twist angles.

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