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KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

2023/03/28 13:40

阅读:60

分享:
应用领域:
半导体
发布时间:
2023/03/28
检测样品:
光电器件
检测项目:
表面预清洁 Pre-clean
浏览次数:
60
下载次数:
参考标准:
/

方案摘要:

上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等!

产品配置单:

前处理设备

上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 100

型号: KDC 100

产地: 美国

品牌: 考夫曼

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方案详情:

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上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等!

KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100&angst;
 

考夫曼离子源

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s
污染物清除: 有机物,吸附气体
数据来源: 俄歇电子能谱 Auger spectra, 美国 KRi 原厂资料

KRi 离子源预清洁


KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通氩气
污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe)
数据来源:  美国 KRi 原厂资料

考夫曼离子源,离子清洗


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利.
 

上海伯东美国 KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 
考夫曼离子源, 请联络上海伯东叶女士

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