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KRi 霍尔离子源溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400F 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.
电源管理集成电路芯片镀膜时常用的材料, 例如: 铌酸锂 LiNbO3 , 钛酸钡 BaTi03 , 锆钛酸铅 PTZ, 氧化锌 ZnO , 氮化铝 AiN … 膜层与硅片会有脱膜及电性阻抗问题. 美国 KRI 霍尔离子源有最高广角的涵盖面积 >45ﾟ, 及高解离率获得高密度的离子浓度, 在电源管理集成电路芯片 PMIC 的压电材料镀膜前有效的将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.
电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺
设备: 5只靶材复合性溅镀机
基材: 6 存硅片
真空系统: 上海伯东美国 HVA 高真空插板阀 + 伯东 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍尔离子源: EH 400F
预清洁工艺离子源条件: Vd:120V (离子束阳极电压), Id:3.5A (离子束阳极电流), Ar gas: 20sccm (氩气).
腔体中 KRi 霍尔离子源 EH 400 本体, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm
上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸, 工艺条件选择适合型号
型号 | ||||
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC |
离子束阳极电压 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V |
离子束阳极电流 | 5A | 10A | 10A | 20A |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 |
气体流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm |
本体高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直径 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 可选 | 可选 | 是 | 可选 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode;
若您需要进一步的了解 KRi 离子源详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士,分机109
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