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KRI 考夫曼聚焦射频离子源 RFCIP220辅助溅射制备 GdF3光学薄膜

上海伯东

2021/08/06 09:57

阅读:22

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GdF3光学薄膜拥有优异的光学性能在深紫外光学薄膜中有广泛应用193nm投影光刻为例其系统有30~40个光学元件且部分元件口径高达 400mm,为了使系统高质量成像不仅要求制备的薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力而且为了膜厚均匀性控制提出了极高的要求.

 

因此某光学薄膜制造商采用KRI 考夫曼射频离子源 FRICP220 和射频离子源 FRICP140辅助溅射制备GdF3光学薄膜以求获得透过率高且良好抗激光损伤能力的均匀性的GdF3光学薄膜.

 

客户离子束溅射系统装置图如下图:

 

其中用于溅射的离子源为 20cm KRI 射频离子源 RFICP220, 辅助离子源为12cmKRI 射频离子源 RFICP140.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

可选灯丝中和器可变长度的增量

伯东 KRI 射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号

RFICP140

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>600 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

14 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

5-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

24.6 cm

直径

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

工艺简介:

离子源工作气体为Xe, NF3作为辅助气体反应溅射靶材为金属Gd.

KRI 射频离子源 RFICP220 主要是用于产生高能Xe离子束轰击靶材通过动量传递使靶材原子获得足够的动能而脱离靶材表面射向基板在基板的上沉积而形成一层薄膜另一个辅助离子源(KRI 射频离子源 RFICP140)通入NF3, 通过对生长中的薄膜的轰击使得薄膜进一步致密同时改善薄膜的化学性能.

 

运行结果:

KRI 考夫曼射频离子源辅助溅射制备GdF3光学薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力而且膜厚均匀性良好.

 

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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