KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积立方氮化硼薄膜

上海伯东

2021/07/19 10:46

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立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 n 型和 p 型半导体等特点, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光学元件表面涂层/ 高温/ 高频/ 大功率/ 抗辐射电子器件/ 电路热沉材料和绝缘涂覆层等方面具有很大的应用潜力.

在对立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金属研究所采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号	RFICP140
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>600 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	14 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	24.6 cm
直径	24.6 cm
中和器	LFN 2000

该实验中, 采用的是射频溅射沉积的方法, 沉积基片为硅片, 热压的 hBN 作为靶材, 溅射气体为 Ar 和N₂的混合气体.

磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保.

实验结果:

采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜时, 具有沉积的膜层颗粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工艺可控性好等特点.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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