硅在常温下性质稳定、红外透明区宽、透明度好, 所形成的的硅薄膜质硬、红外区折射率高, 是一种较为理想的红外光学薄膜材料, 非晶硅作为一种高折射率材料, 因此非晶硅薄膜广泛运用于红外和激光技术中. 而影响非晶薄膜光学的主要工艺因素是沉积速率和基底温度, 其次工作真空度的影响, 当沉积速率和基底温度升高时, 薄膜的折射率先增大后减小, 当工作真空度升高时, 薄膜的折射率增大. KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜 某国内光学薄膜制造商为了加快镀膜沉积速率和获得工作真空度, 并保持沉积速率和稳定真空度, 该制造通过与伯东工程师进行深入讨论, 伯东工程师为其推荐美国 KRI射频离子源 RFICP 380和分子泵 Hipace 700. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others为了获得更好的膜层, 离子源辅助镀膜需要在真空环境下进行, 因此镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-5 Pa, 该光学薄膜制造商采用普发 Pfeiffer 分子泵 Hipace 700 对镀膜腔体进行抽真空. 涡轮分子泵 Hipace 700产品优势:1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵, 用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s2.最佳真空性能, 最低功耗3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 4004.可在任何方向安装5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接7.广泛的配件扩展使用范围 用伯东美国 KRI 离子源用于辅助沉积非晶硅红外光学薄膜, 其光学性能和机械性能均较优异, 增强其耐久性, 完全满足一般红外光学系统的要求, 且可以制备大面积均匀的膜层, 达到共赢生产规模. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

在红外光学系统中, 由于常用的锗硅等材料折射率高, 反射损失大, 因此对红外光学元件表面镀增透膜是一项常规性的工作. 通常使用环境恶劣, 对元件除要求有较高的光学性能外, 还希望具有较好的耐环境的能力, 以适应环境变化, 保持系统的光机性能稳定. 传统蒸发技术的缺陷: 在传统的蒸发技术中, 凝聚粒子的能力低, 热蒸发薄膜的堆积密度较低, 具有明显的柱状结构, 造成膜本身不稳定, 光机性能蜕变、降低. 离子辅助沉积技术, 能够改善薄膜的性能, 高的堆积密度, 改善了膜的光机性能. 通常的离子束源出口半径小, 离子束流有方向性且大小有限,使得达到被轰击表面的离子束流均匀性差, 轰击角不一致, 导致薄膜的均匀性差, 可利用的沉积面积有限, 甚至在有些情形, 沉积的薄膜层仅在沉积过程中受到不连续的辐照, 并非完全的离子辅助沉积薄膜. 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高性能红外增透膜优势: 伯东美国 KRI 离子源克服了通常的离子束辅助镀膜技术的缺陷, 成为一种实用的离子辅助镀膜手段, 已经广泛运用于大型光学镀膜系统上. 为了获得大面积均匀、性能优异的红外光学薄膜, 增强其耐久性, 使膜层的机械性的红外增透膜, 某国内光学薄膜制造商采用伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 用于辅助镀膜.  美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 产品特点：1. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.2. 离子束流: >650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.3. 加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.4. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.5. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计.为了获得更好的膜层, 离子源辅助镀膜需要在真空环境下进行, 因此镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-4 Pa, 该光学薄膜制造商采用普发 Pfeiffer Hipace 80 对镀膜腔体进行抽真空. 涡轮分子泵  HiPace 80 技术参数分子泵型号接口 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 806316675848> 1X1011221.31.752.4 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高性能红外增透膜实际运用结果: 用伯东美国 KRI 离子源辅助沉积的红外增透膜, 其光学性能和机械性能均较优异, 增强其耐久性, 完全满足一般红外光学系统的要求, 且可以制备大面积均匀的膜层, 达到共赢生产规模. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

随着人们对空间应用的望远镜和相机的光学系统中使用的反射镜性能提出了更高的要求, 在满足轻量化要求的同时, 还要求反射镜材料具有可以在恶劣环境下长时间工作的物理特性, 这就提出了低密度 / 高硬度 / 高弹性模量 / 高比刚度 / 低热膨胀吸收 / 均匀线膨胀系数等极高的参数标准. 反射镜的反射率取决于表面的粗糙度, 因此, 为了解决反应烧结碳化硅存在的孔洞和双金属性问题, 普遍采用通过给表面镀制一层厚的硅或者碳化硅的方法, 一达到表面改性的目的. 碳化硅材料凭借其优异的物理性能和良好的加工特性成为当前空间应用的主要新型反射镜材料. 离子源辅助镀膜的薄膜制备工艺已成为一种成熟、高效的方法. 霍尔离子源可以通过电离惰性气体, 输出离子流密度均匀并具有较高能量的等离子体. KRI 霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜 某国内精密光学制造商为了进一步提高碳化硅反射镜基底表面光学质量, 满足高质量空间光学系统的应用需求, 采用电子枪蒸发纯硅, KRI 霍尔离子源喷出的氢离子电离甲烷, 并以离子辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅基底上镀制了表面改性用碳化硅薄膜, 并对改性膜层进行了光学抛光处理. KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列产品特性:1.无栅极2.高电流低能量3.发散光束 >45°4.可快速更换阳极模块5.可选 Cathode / Neutralize 中和器 在离子源工作之前, 镀膜腔体需要将真空度抽至8x10-4 Pa, 该国内精密光学制造商采用普发 Pfeiffer Hipace 80 对镀膜腔体进行抽真空. 涡轮分子泵  HiPace 80 技术参数分子泵型号接口 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强mbar极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 806316675848> 1X1011221.31.752.4 伯东美国 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵 Hipace 80 满足客户的工艺需求. 制造商在该工艺条件下制备的碳化硅薄膜为α相, 通过高分辨光学显微镜对抛光后的反应烧结碳化硅基底进行缺陷观察, 发现改性抛光后基底表面缺陷和孔洞明显减少. 这种镀制碳化硅表面改性的方法在抛光后可以有效降低表面粗糙度, 并且散射值有了明显的降低, 不到改性之前的1/8. 制备的碳化硅薄膜在冷人温度冲击下非常稳定, 无脱膜、龟裂. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

激光是一种很奇妙的 ”物质”, 是人类继原子能、计算机和半导体之后人类的又一伟大发现.人们都知道, 激光亮度极高, 可以达到太阳亮度的10亿倍甚至更高.激光纯净无比, 单色性极好; 激光具有无比的准直性（直线传播）; 而且, 激光的能量强大, 瞬间爆发的能量, 即使最坚硬的物体也能够被穿透、熔化. 因此, 激光在生产、生活和科研中的应用十分广泛.因此激光真空系统具有特殊性, 对使用的真空阀门有特殊要求.HVA真空阀门（真空闸阀）成功用于激光真空系统激光真空系统特殊性, 美国HVA 真空阀门现提供带孔真空插板阀(Gate Valve), 其具体优点如下:1. 激光束可以顺利通过HVA真空阀门的挡板, 从而无须在系统上另外开孔, 降低制造成本;2. 孔径的大小和数量可以根据客户的实际情况进行测算和加工;3. 可根据激光束的方位, 在真空阀板上同时开立多个孔位, 例如: 等边正方形, 或等边三角形等;4. 孔的材料为石英玻璃, 具有高通过性, 无发散或反射干扰;5. 整体真空插板阀Gate Valve 的性能及密封性与标准真空阀门一致.目前, 上海伯东公司已经成功的在大学, 中科院系统等单位推广此类带孔真空插板阀, 客户的使用效果及反映非常良好.HVA 真空阀门主要产品有:11000系列不锈钢闸阀81000系列铝制闸阀21700系列不锈钢三位置闸阀71000系列不锈钢苛刻工艺闸阀88200/28200系列矩形/狭缝阀4000系列角阀21200系列不锈钢百万次循环闸阀2000系列不锈钢球阀13000系列不锈钢层流闸阀16000系列不锈钢屏蔽闸阀  伯东公司代理美国 HVA 系列真空阀门、真空闸阀、真空角阀、真空球阀被广泛应用于半导体、镀膜、激光、科研、工业等领域, 并与众多国际知名的设备制造商和知名单位有合作, 例如：AMAT,  Lam Research, AKT, Sandia, NASA, Los Alamos, AKT离子系统, Veeco, Cree等等. 上海伯东是HVA真空阀门中国区的总代理, 负责HVA 真空阀门在中国地区的销售及相关技术支持. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

太阳能电池又称为 ”太阳能芯片” 或 ”光电池”, 是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片. 它只要被满足一定照度条件的光照到, 瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流. 在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic, 缩写为PV）, 简称光伏.太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置. 以光伏效应工作的晶硅太阳能电池为主流, 而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段.太阳能电池的种类很多, 但其中硅太阳能电池是发展最成熟的, 在应用中居主导地位. 硅太阳能电池在太阳能电池生产中, 硅片是重要的构成部件, 但硅片非常薄, 现在一般厚度只有200um, 是比较脆的, 所以在太阳能电池的生产过程中, 对震动比较敏感. 所以在硅太阳能电池生产中对真空阀门要求比较高, 且易维护, 可靠性能, 使用寿命长等.HVA真空阀门是全球领先的真空技术创新者, HVA真空阀门广泛运用于太阳能电池行. HVA 真空阀门也是高真空阀和超高真空阀的主要制造商和供应商.HVA真空阀门用于太阳能电池美国HVA真空阀门获得太阳能电池行业某公司订单. 该客户是一家高速发展的光伏设备及绿色能源产业专用设备制造商, 产品涵盖原生多晶硅料生产设备, 硅片加工设备, 晶体硅电池生产设备.该客户参考国外同类设备的真空阀门使用情况, 相中了我们HVA真空阀门. HVA真空阀门具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 这样就减少了维护次数. 外形尺寸小, 采用了专利技术的驱动系统,运行时震动小. 很好的满足了客户的需求.经过于深入沟通了解客户需求, 伯东工程师给客户推荐产品型号HVA 88240, 将HVA铝质矩形真空阀门用在了他们各个真空机台的Load-lock工位,用于2X18英寸规格内的硅片生产线上,起传递硅片的作用.到现在为止, HVA真空阀门完全满足了客户的各种要求. HVA 真空阀门 28200系列说明HVA 真空阀门 28200系列直接驱动矩形阀是真空阀行业中最小的内表面积之一. 在打开位置, 密封板O形圈完全不可见, 防止任何颗粒或介质流积聚在密封表面上. 在关闭位置, 整体式块状设计可防止任何材料堆积在阀机构的背面, 从而大大降低了维修和保养要求. 该阀经过专门设计, 可满足行业对机械接口和真空容器的要求. 为了满足模块化集成处理系统的特定需求, 这些阀门设计为隔离浇口两侧的真空压力. 窄型设计（包括执行器和控制器）允许紧密安装在中央, 负载锁定.HVA 真空阀门 28200系列标准技术规格:1. HVA 真空阀门 28200系列用料:阀体和闸板：304不锈钢波纹管焊接轴封：AM-350传动轴和销：硬化不锈钢阀盖/闸板密封：Viton®弹性体2. HVA 真空阀门 28200系列烘烤温度无电磁阀弹性体密封阀盖：150°C执行器：60°C3. HVA 真空阀门 28200系列安装位置: 任何4. HVA 真空阀门 28200系列服务周期: 1,000,000个周期, 取决于过程5. HVA 真空阀门 28200系列真空压力范围: 1×10 -9 mbar氦气泄漏率: 差压关闭: 任一方向均为1 bar打开前最大值压力: HVA 真空阀门在国外各个真空设备厂商中广泛应用, 如AKT离子系统, Veeco, Cree 等等知名设备商.上海伯东是 HVA 真空阀门中国区的总代理, 负责HVA 真空阀门在中国地区的销售及相关技术支持.伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

随着市场需求, 无论在于太阳眼镜光学镀膜 (AR coating), 智能型手机照相镜头 (Lens coating) 镀膜质量及效率都必须提高.为了提高镀膜质量和生产效率, 镀膜制造商一般会选择离子源进行辅助镀膜, 有利于:1. 填充密度提高: 折射率提高2. 波长漂移减少3. 红外波段的水气吸收减少4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力, 机械强度, 提高表面光洁度5. 控制膜层的应力6. 减少膜层的吸收和散射7. 提高生产效率伯东公司代理的美国考夫曼公司 KRI 霍尔离子源EH5000F 已成功应用于光学镀膜中必须的辅助镀膜应用, 使得大尺寸光学镀膜机生产过程获得高生产良率. KRI 霍尔离子源 EH5000F优点:1. 高离子浓度 (High density), 低能量 (Low energy)2. 离子束涵盖面积广 (high ion beam sharp)               3. 镀膜均匀性佳4. 提高镀膜品质5. 模块化设计,保养快速方便6. 增加光学膜后折射率 (Optical index)      7. 全自动控制设计,超做简易8. 低耗材成本9. 安装简易 伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼公司大中华总代理. 离子源发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 公司并历经30年离子源之改良及研发并取得多项专利, 目前已在光学镀膜 (Optical coating), IBAD (离子源助镀), IBSD (离子溅镀), IBE (离子刻蚀), DD (离子镀膜) 等等应用领域大量使用. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

镀膜技术 IAC 是利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用, 可在常温下合成各种优质薄膜. 其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制.离子源离子源是产生所需离子的关键部件, 它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量. KRI 考夫曼离子源, 它能产生气体元素的大面积离子束, 适合用于离子束溅射镀膜、对膜层进行离子束轰击以及对工件进行离子束表面清洗.伯东为客户提供栅极离子源和无栅离子源, 客户可根据自己的工艺需求, 选择不同的离子源.伯东 KRI 离子源有:KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear靶室靶室是装载工件, 进行离子束表面处理的部件, 它的容积大小、靶的工件夹具机构及其运动方式, 随工件种类的不同, 差异很大.工艺参数控制精确控制工艺参数, 保证工件表面的沉积原子数与轰击原子数达到一定的比例, 对膜层的性能和质量至关重要.KRI 离子源在创新设计, 产品质量和技术专长方面享誉全球. 这些离子源可输出高质量和稳定的离子束, 通过控制器可以实现精确控制, 以提供确定的形状, 电流密度和离子能量.实际应用证明, 离子源用在镀膜技术 IAC可制备出结合力很强的具有各种特殊的膜层, 如ZrN、ZrC、BN、TiO2和类金刚石碳膜等.伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

对金属和耐火复合材料表面的清洗, 如果处理得当, 可以去除物理吸附的污染物, 对被清洗表面的不利影响很小. 然而, 对聚合物表面的类似清洗可如增加表面电导率、改善医用植入物的生物相容性或使应用于该表面的薄膜的化学结合成为可能等效果. 与金属或常见难熔化合物相比, 聚合物中的原子键变化更大. 从大多数聚合物有限的温度能力可以看出这些键很弱. 多元素和相对弱键导致的过程比金属和难熔化合物要复杂得多. 暴露出具有不同键合能力的不同元素被称为功能化、激活或产生自由基或悬垂键. 下面我们简单介绍 KRI 离子源用于清洁表面时, 如何选择应用的最佳气体, 使用不同气体对聚合物基质的影响. 氩在一定的离子能量范围内研究了氩离子对聚合物基质的影响. 在不同的能量下, 效果通常是相似的, 但是影响层的厚度和伤害率都随着能量的增加而增加. 这一观察结果是由溅射产物在一定能量范围内的相似性所显示的, 许多产物是小的原子团簇(例如, C2H2). 此外, 在高能条件下有利于形成非晶态石墨层. 为了获得良好的附着力, 主要目标是激活薄的表面层, 使其对层下的大块材料的损害最小, 这意味着离子能量小于100 eV. 然而, 高能量效应的一般相似性表明, 高能量研究可以扩展对范围的理解. 随着 Ar+剂量的增加, x射线光电子能谱最常见的观察结果是 C=O键的减少和表面附近非晶态石墨化碳的增加. 溅射产率往往很高——硝基纤维素在100 eV时可高达 30. 在被激活的聚合物表面沉积的Ti薄膜的界面附近检测 TiC表明了活性炭位点在粘附中的重要性. 表面活化的最佳剂量是足以获得大部分或全部所需特性或结构的剂量. (这与最佳清洗剂量的定义是一致的, 除了所需的特性可以是洁净度以外的. )在时, 还没有优化的实验数据, 但在 500 eV和2kev下的研究都给出了几个优化值, 这些优化值在标准清洗剂量 1015 ions/cm2的两倍范围内. 这些优化是基于表面碳键的可用性或沉积在该表面的膜的实验附着力. 在不知道所需离子剂量的情况下, 可以尝试清洗聚合物. 在这种情况下, 后来的计算有时显示清洗剂量为每平方厘米1015个离子的100倍或更多. 如此大量的清洁剂量可导致低发射率碳的积累, 同时清除通常是气态产物, 如 H、O和n. 活化碳结合位点往往是可取的, 但用石墨层覆盖表面很少有用. 氧气在一定的离子能量范围内, 研究了将氧与聚合物基质结合使用的效果. 溅射的产物一般与氩相似, 乙炔(C2H2)同样重要. 在时, 溅射产率是不可得的, 但在500 eV和1kev时的氧值大约比氩气时大10倍. 含氧溅射产额的大幅增加表明溅射过程中存在大量的活性成分, 该活性成分在时可能仍然存在. 氧在时的高溅射产率反过来表明1015 ions/cm2 的剂量应该是足够的. 与氩相比, 需要更高的离子能量来形成含氧的碳质层. 除了离子束特性外, 碳质层的形成可能还取决于氧的背景压力. 模拟氧蚀刻过程表明, 如果氧足够, 接近统一覆盖的蚀刻表面氧, 这种覆盖在x射线光电子能谱中并不明显, 但是x射线光电子能谱在最上面几层上的平均可以掩盖这种效果. 氮一项使用 60-100 eV氮离子处理聚丙烯表面的研究表明, 最佳剂量接近 1015 ions/cm2. 这种处理使表面氮/碳比约为 0.11. 在 60-100 eV范围内也存在能量变化的影响, 但这种变化的部分原因可能是由于聚合物缺乏均匀性. 现有资料表明, 聚合物的清洁/活化剂量需要保持在 1015 ions/cm2 (1.6×10-4 C/cm2)附近, 可能不超过该值的两倍. 有限的数据和最小化聚合物表面下损伤的合理目标都表明离子能量应该小于 100 eV. 由于活化效应的范围很广, 可能必须通过实验来确定一种新应用的最佳气体. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

KRI 宽束工业离子源的离子束的直径通常为几厘米或更多. 如果要使KRI 宽束工业离子源的离子束保持在接近地面电位的位置, 它必须被中和, 因此在离子束的每个体积中, 电子和正离子的数量必须大致相等. 对于一个介电目标, 电子和离子到达的数量必须相等. 靶可以是溅射靶或基板. KRI 宽束工业离子源的离子束的离子能量为2000 eV或更少. (单个带电离子通过2000 V的电位差 “下落”, 获得2000 eV的能量. )为了使损坏最小化, 能量通常为1000辆或更少. 这里不考虑高能量植入型应用. KRI 宽束工业离子源一般分为两类:网格离子源和无网格离子源. 网格离子源图1给出了 KRI 栅格离子源的示意图, 其中描述了直流放电. 离子是由圆形或细长放电腔中的放电产生的. 可以使用几种类型的电子发射阴极. KRI 宽束工业离子源的热丝类型如图1所示. 离子也可以通过射频放电产生, 这不需要电子发射阴极. 放电室通过束电源保持在正电位. 离子通过荧光屏上的孔和加速器栅格进行加速, 这两者统称为离子光学. 加速器的栅极与周围的真空室(在地面上)是负的, 以防止电子从中和器通过离子光学往回走. 假设单电荷离子, 这是适合这种类型的离子源时, 适当的操作, 离子获得的能量eV(电子伏特)等于束电源电压. KRI 宽束栅格离子源的工作背景压力约为 0.5毫托或更少. 离子束的输出取决于离子光学设计. 随着栅格间距的增大和孔数的增加, 光束电流会增加. 根据栅格的形状和栅格中孔的相对位置, 离子束可以聚焦到覆盖一个小的区域, 平行, 或散聚焦到覆盖一个大的区域. 在较低的束流电压下, 通过增加负加速电压, 似乎可以获得较大的离子束电流. 但是一个大的负电压会导致离子束向外扩散, 以至于到达目标的离子流实际上会减少. 三栅格光学可以减少大负压下的光束扩散, 但效果有限, 并有其他折衷. 无论使用何种离子光学, KRI 宽束网格离子源在低离子能量下都无法接近无网格端离子源的离子电流容量. 离子光学, 给予优越的控制离子轨迹, 也是最昂贵的部分网格离子源和需要最多的维护. KRI 宽束网格离子源可选：KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 Gridless 离子源 无栅离子源的种类很多, 无栅离子源中的离子由放电电源产生, 由阴极中和器的电子通过磁场线产生的加速电位差到达阳极. KRI 霍尔离子源 如下图所示, 它有一个圆形或加长的放电室, 离子的加速发生在准中性等离子体中, 具有近似相等的电子和离子密度.因此, 离子束电流Ib不受限制, 离子束约为放电电流的20-30%, 平均离子能量约为放电电压的60-70%. 端厅离子源的工作背景压力约为一毫托或更少. 与网格离子源相比, 它是可靠的和坚固的. 它可以在200 eV或更少的离子束能量下产生大的离子束电流. 它不能轻易地产生更高的离子束能量, 并且离子束的形状被限制在发散的形状.KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列包括、eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH 200、eH Linear 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪在胎压监测系统 TPMS 中的应用 胎压监测系统 Tire Pressure Monitoring System. 简称 “TPMS” 这种技术可以通过记录轮胎转速或安装在轮胎中的电子传感器, 对轮胎的各种状况进行实时自动监测, 减少爆胎, 毁胎的概率, 从而大大降低车辆事故率. 同时减少油耗和车辆部件的损坏, 为行驶安全提供有效的保障.2017年10月14日, 国家标准化管理委员会正式批准了强制性国家标准 GB 26149-2017《乘用车轮胎气压监测系统的性能要求和试验方法》. 其中胎压监测系统 TPMS 强制性国家标准规定： 自 2019年1月1日起, 中国市场所有新认证乘用车必须安装 TPMS自 2020年1月1日起, 所有在产乘用车开始实施强制安装要求.胎压监测系统 TPMS 中的核心元件 - 传感器需要检漏 胎压监测系统 TPMS 中核心元件就是传感器, 胎压传感器是车用传感器的一种, 安装于汽车轮胎内, 利用无线发射器将胎压信息从轮胎内部发送到中央接收器模块上. 胎压传感器本身就是一个密封的电子元件, 如果漏率不合格, 直接导致监测实效.上海伯东汽车胎压传感器检漏客户案例: 某车用传感器生产商, 经过伯东推荐, 采购德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 用于胎压传感器的泄漏检测.汽车胎压传感器检漏方法:胎压传感器本身是一个密封的电子元件, 既没有充氦气接口, 也没有抽真空的接口. 同时需要进行无损泄漏检测, 上海伯东针对检漏产品特点, 设计和制作了两个腔体, 一个是保压罐, 一个是真空测试罐. 检漏时, 先将胎压传感器放入保压罐, 再充入 0.2Mpa 的氦气, 保压 30min; 然后将胎压传感器取出放入真空测试罐, 连接检漏仪, 如果传感器有漏, 检漏仪可以及时报警并显示漏率值, 完成测试 随着汽车工业的高速发展, 对汽车各个部件的密封性能, 测试效率, 检测可靠性提出越来越高的要求, 氦质谱检漏法, 利用氦气作为示踪气体, 作为一种无损, 高效的全新泄漏检测手段, 广泛应用于汽车制造业!结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 上海伯东德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解汽车胎压传感器检漏, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw上海伯东版权所有, 翻拷必究！

KRI 离子源作为一种新的材料加工技术, 用于真空环境中以沉积薄膜, 干法蚀刻纳米结构并改变表面性能. KRI 离子源的应用稳步增长. 随着人们对离子束工艺优点的认识不断提高, 工艺工程师和研究人员已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源的情况下是无法实现的. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中, 在各个行业中都发挥着重要作用: 1.镀膜行业. KRI 离子源精确的薄膜控制, 厚度为几个单层的薄膜. 2. 半导体. 金属涂层可重现的附着力, 可用于高产剥离工艺. 3.辅助刻蚀. KRI 离子源辅助蚀刻均匀性和临界尺寸, 蚀刻后的晶片具有均匀性和临界几何尺寸. 4. 显示器. KRI 离子源辅助显示器镀膜, 可以更好表面修饰和纹理化, 以放大表面功函数. 5. 运用 KRI 离子源辅助精密光学器件镀膜, 具有优化的折射率和低吸收率的致密且稳定的薄膜. 6. 磁性数据存储. 金属和电介质多层堆叠中的纳米特征的各向异性和均匀蚀刻. 7. KRI 离子源用于镜片镀膜. 高通量制造可粘附在塑料镜片上的耐用增透膜. 8. KRI 离子源用于医疗设备, 表现出可设计的生物活性的坚硬且耐腐蚀的有机涂层. 9. KRI 离子源用于光子学和激光, 可得到平滑, 低散射和光学纯净的膜, 具有较高的激光诱导损伤阈值. 除了以上领域, KRI 离子源还运用更广泛的领域. KRI 离子源提供了超过25年商业离子, 等离子和电子源设备的许可协议, 与它的客户, 谁制造和销售的产品. 2002年, KRI 修改了业务模式, 并凭借自己的离子, 等离子体和电子源产品进入了市场. KRI 离子和电子源设计取得了巨大的商业成功, 通过授权客户运送了3500多个离子源. KRI 离子源是领域公认的ling导者, 我们已获得许多专利. 伯东公司为 KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

离子刻蚀是利用众所周知的阴极溅射效应对表面进行选择性的剥离加工. 由于轰击粒子小和离子刻蚀过程的计量极为精确, 因此, 用这种方法加工表面, 使表面溶解深度在单原子层范围内. 离子刻蚀可用来清洗, 抛光或进行薄刻蚀. 简单的说利用离子轰击作用, 对材料表面进行刻蚀的过程. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 系列已广泛被应用于离子刻蚀 (IBE) 工艺. 伯东 KRI 离子源考夫曼离子源具有高离子浓度 (High beam currents) 及低离子能量 (Low beam energies). 此两个特殊条件对于刻蚀效率及刻蚀中避免伤害到工件表面材质可以达到优化. 并且可以依客户之工件尺寸选择所对应之型号: 射频离子源 RFICP 380, 射频离子源 RFICP 220, 射频离子源 RFICP 140, 射频离子源 RFICP 100, 射频离子源 RFICP 40  伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

随着5G技术的快速发展, 陶瓷将凭借它无信号屏蔽以及良好的机械性能成为5G时代最受关注的材料, 未来陶瓷的市场前景将非常广阔. 而陶瓷产品的表面处理就需要到PVD镀膜工艺. 目前, 陶瓷产品的镀膜工艺以蒸镀和溅射镀为主, 在陶瓷产品上镀 Logo 或颜色膜以及AF处理. 案例一: KRI霍尔离子源辅助真空蒸发镀膜, 用于镀件表面清洁 真空蒸发镀膜是在真空条件下, 加热蒸发物质使之气化并沉淀在基片表面形成固体薄膜. 真空蒸发镀膜的基本工艺流程: 镀前准备→抽真空→离子轰击→烘烤→预熔→蒸发→取件→膜层表面处理→成品真空蒸发镀膜的工艺流程图 真空蒸发镀膜的工艺流程中, 就是由KRI霍尔离子源产生的离子轰击进行镀件表面清洁的离子 案例二: KRI  射频离子源辅助磁控溅射镀膜 磁控溅射镀膜原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞, 电离出大量的氩离子和电子, 电子飞向基片. 氩离子在电场的作用下加速轰击靶材, 溅射出大量的靶材原子, 呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜.磁控溅射镀膜工艺流程图 KRI 射频离子源主要是用在磁控溅射镀膜工艺的第五步, 对靶材进行轰击. 使用伯东 KRI离子源用于辅助5G技术-陶瓷手机盖板镀膜, 保证陶瓷手机盖板镀膜的质量, 提高生产率. 通过市场证明, KRI离子源实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的陶瓷手机盖板镀膜无论是环境脱膜测试, 耐刮测试, 膜层应力测试等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (栅极离子源) 系列 RFCIP离子源  (射频电源式考夫曼离子源), KDC 离子源 (直流电源式考夫曼离子源) 已广泛被应用于离子溅射镀膜 (IBSD) 工艺. 离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电, 产生正的气体离子；在阴极（靶）和阳极（试样）间电压的加速作用下, 荷正电的离子轰击阴极表面, 使阴极表面材料原子化；形成的中性原子, 从各个方向溅出, 射落到试样的表面, 于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜. 伯东 KRI考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射 (Sputtering) 时靶材 (Target) 被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射 (Sputtering) 工艺条件选择 RFICP 离子源 (射频电源式考夫曼离子源) 或是 KDC 离子源 (直流电原式考夫曼离子源).规格如下:RFCIP 离子源 (射频式考夫曼离子源) : RFICP 40, RFICP 100, RFICP 140, RFICP 220, RFICP 380 KDC 离子源 (直流式考夫曼离子源): KDC10, KDC40, KDC75, KDC100, KDC160. 伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, Gel-Pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

KRI 离子源作为一种新的材料加工技术, 用于真空环境中以沉积薄膜, 干法蚀刻纳米结构并改变表面性能. KRI 离子源的应用稳步增长. 随着人们对离子束工艺优点的认识不断提高, 工艺工程师和研究人员已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源的情况下是无法实现的. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中, 在各个行业中都发挥着重要作用: 1.镀膜行业. KRI 离子源精确的薄膜控制, 厚度为几个单层的薄膜. 2. 半导体. 金属涂层可重现的附着力, 可用于高产剥离工艺. 3.辅助刻蚀. KRI 离子源辅助蚀刻均匀性和临界尺寸, 蚀刻后的晶片具有均匀性和临界几何尺寸. 4. 显示器. KRI 离子源辅助显示器镀膜, 可以更好表面修饰和纹理化, 以放大表面功函数. 5. 运用 KRI 离子源辅助精密光学器件镀膜, 具有优化的折射率和低吸收率的致密且稳定的薄膜. 6. 磁性数据存储. 金属和电介质多层堆叠中的纳米特征的各向异性和均匀蚀刻. 7. KRI 离子源用于镜片镀膜. 高通量制造可粘附在塑料镜片上的耐用增透膜. 8. KRI 离子源用于医疗设备, 表现出可设计的生物活性的坚硬且耐腐蚀的有机涂层. 9. KRI 离子源用于光子学和激光, 可得到平滑, 低散射和光学纯净的膜, 具有较高的激光诱导损伤阈值. 除了以上领域, KRI 离子源还运用更广泛的领域. KRI 离子源提供了超过25年商业离子, 等离子和电子源设备的许可协议, 与它的客户, 谁制造和销售的产品. 2002年, KRI 修改了业务模式, 并凭借自己的离子, 等离子体和电子源产品进入了市场. KRI 离子和电子源设计取得了巨大的商业成功, 通过授权客户运送了3500多个离子源. KRI 离子源是领域公认的领导zhe, 我们已获得许多专利. 伯东公司为 KRI 离子源大中国区总代理. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

石墨烯（Graphene）是一种由碳原子组成的二维碳纳米材料, 具有优异的光学/ 电学/ 力学性能, 在材料学/ 微纳加工/ 能源/ 生物医学和药物传递等方面被认为是一种未来重要的材料. Gel Pak 胶膜商用 PDMS 材料（PF胶膜）被广泛的应用在干法二维材料转移中. 以下简单介绍一种PF胶膜的应用:1.将 Gel Pak PF胶膜正/ 反面的保护膜撕去, 用镊子固定取下的胶膜.2.用 Gel Pak 胶膜去沾一个石墨烯块, 尝试从石墨烯块上黏在一些单层的石墨烯, 然后将胶膜固定在玻片上.3.将沾着单层石墨烯的 Gel Pak 胶膜与硅衬底的 InSe 薄片重叠.4.稍用力于两个重叠在一起的材料（沾着单层石墨烯的 Gel Pak 胶膜在上面, 硅衬底 InSe 薄片在下面）, 轻轻的将玻片剥去.5.且由于石墨烯层坚硬的特性, 石墨烯将从玻片上被剥离.6.由此就得到了一个 单层石墨烯+InSe+Silicon 的三明治结构, 可用于相关研究.这种方法被广泛应用于石墨烯以及金属硫化物/ 红磷等相关材料的转移, 中国科学技术大学, 清华大学, 复旦大学, 浙江大学, 中科院技术物理研究所, 中科院微系统所, 中科院物理所等学校和科研机构都纷纷采用 Gel Pak 胶膜进行相关的研究工作. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究 !

一家生产高精度、高价值工业喷墨头的业内领先企业寻求一种解决方案, 以在运输和加工过程中保护其喷墨头组件, 这家公司需要一个载具来放置和运输它的三种内含喷墨头的组件. 因为喷墨头组件的平均价值高达 6000 美金, 因此运输的安全性是第一位要考虑的. 挑战点:客户的产品不允许沾染上污染物, 客户会对运输的所用载具进行安全可靠性认证, 杜严防载具在运输过程中污染产品. 因为这个产品是经历了从研发到量产的过程, 因此, 运输和操作加工过程中的各种影响因素都要考虑到, 运输的载体是重点关注的对象. 客户试用过如华夫盒这类产品, 但无法满足客户的严格要求. Gel Pak 芯片包装盒解决方案Gel Pak 芯片包装盒 提供了 VR真空释放盒和 Vertec 释放盒（VTX）, 客户对这两种产品进行了残留、安全性等一系列的测试. 最后, 客户选择了 Gel Pak VR真空释放盒来保护他们的产品. 成果客户使用 Gel Pak VR 真空释放盒运输了数以千计的喷墨头组件, 没有发生任何质量投诉. 随着客户产量的增加, 客户将继续扩大在运输和加工过程中使用 VR 真空释放盒产品. 客户对 Gel Pak 芯片包装盒的产品充满信心, 认为是针对他们需求的完美解决方案.伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

OSA 是 Optical Sub-Assembly 的缩写, 中文意思是光次模块, 光次模块是光信号收发器（Optical Transceiver）的重要组成部分, 成本占比高达70%25G 光模块 光收发器组成1. OSA2. IC3. PCB板4. 壳体25G光模块内部结构 OSA基本制程Assembly 组装Laser Welding 激光点焊PD Alignment PD校准Testing 检测  Gel Pak 芯片包装盒可以用在OSA制程之间的流转工序. 难点需要提供足够的粘度, 在运输和检测过程中牢牢固定住OSA组件, 客户曾经使用过华夫盒（坑盒）, 但在内部流转过程中, 发生了因为刮擦、碰撞造成的器件不良.盒子必须是防静电客户需要在盒子上印刷生产日期以保证产品可追溯性, 方便品控的管理. Gel Pak 芯片包装盒解决方案 Gel Pak 芯片包装盒提供了内部涂布防静电胶的 AD 产品, 既保证了足够的粘结力, 又满足了客户防静电要求 Gel Pak 芯片包装盒为客户定制了生产日期条码, 以保证产品的可追溯性. 结论通过使用 Gel Pak 芯片包装盒, 客户的良率提高了20% 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

化合物半导体主要指砷化镓（GaAs）/ 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二/ 第三代半导体. 其中的砷化镓具有高频/ 抗辐射/ 耐高温的特性, 大规模应用于无线通讯领域, 目前已经成为PA 和Switch 的主流材料；氮化镓则应用于通讯基站/ 功率器件等领域, 功放效率高/ 功率密度大, 因而能节省大量电能, 同时减少基站体积和质量. 相比于第一代半导体, 高频性能/ 高温性能优异很多, 制造成本高昂, 是半导体行业的新贵. Gel Pak 芯片包装盒的产品已经在砷化镓和氮化镓的生产中有了广泛的应用, 大尺寸的真空释放盒子可以装载最大至8英寸的化合物半导体晶圆, 2英寸的 VR盒子和芯片包装盒 BD 被广泛用来存放和转运划片裂片后的小芯片.  以下通过一个具体案例来介绍具体的应用. 背景某亚洲砷化镓工厂, 主要生产MMIC（单晶微波芯片）和 RFIC（射频芯片）, 他们需要一种运输载体, 将易碎的砷化镓裸片运输到位于另一大洲的客户. 难点1. 砷化镓芯片在运输中不能发生位置移动（撒片）. 为避免客户验证发生问题, 运输载体绝对不能发生释气或带来影响测试的颗粒物或残余物.2. 砷化镓芯片不能与载体的顶部和侧边发生碰触.3. 生产厂家希望用到标准的2英寸x2英寸托盘. Gel Pak 解决方案Gel Pak 提供了芯片包装盒 BD 系列的产品, 这是客户问题的最好解决方案, 芯片包装盒 BD的盒子是一种内置 2 英寸见方托盘（tray）塑料盒, 托盘上涂布 Gel Pak 专利的 Gel 胶膜, 胶膜提供了足够的黏着力, 固定住砷化镓芯片, 使其在运输中不会出现洒落现象, 最终生产厂家的芯片完好无所的运送到客户手中. 这家砷化镓厂家也成为了客户的合格供应商. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

石墨烯（Graphene）是一种由碳原子组成的二维碳纳米材料, 具有优异的光学/ 电学/ 力学性能, 在材料学/ 微纳加工/ 能源/ 生物医学和药物传递等方面被认为是一种未来革命性的材料. Gel Pak 胶膜商用 PDMS 材料（PF胶膜）被广泛的应用在干法二维材料转移中. 以下简单介绍一种PF胶膜的应用:1.将 Gel Pak PF胶膜正/ 反面的保护膜撕去, 用镊子固定取下的胶膜.2.用 Gel Pak 胶膜去沾一个石墨烯块, 尝试从石墨烯块上黏在一些单层的石墨烯, 然后将胶膜固定在玻片上.3.将沾着单层石墨烯的 Gel Pak 胶膜与硅衬底的 InSe 薄片重叠.4.稍用力于两个重叠在一起的材料（沾着单层石墨烯的 Gel Pak 胶膜在上面, 硅衬底 InSe 薄片在下面）, 轻轻的将玻片剥去.5.且由于石墨烯层坚硬的特性, 石墨烯将从玻片上被剥离.6.由此就得到了一个 单层石墨烯+InSe+Silicon 的三明治结构, 可用于相关研究.这种方法被广泛应用于石墨烯以及金属硫化物/ 红磷等相关材料的转移, 中国科学技术大学, 清华大学, 复旦大学, 浙江大学, 中科院技术物理研究所, 中科院微系统所, 中科院物理所等学校和科研机构都纷纷采用 Gel Pak 胶膜进行相关的研究工作. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究 !

PLC（Planar Lightwave Circuit）平面光波导是一种技术分类的总称, 随着 FTTH 的蓬勃发展, 平面光波导已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一. 基于PLC技术解决方案的器件包括: 分路器（Splitter）, 星型耦合器（Star Coupler）, 光开关（Optical Switch）, Interleaver（光梳）等. 平面光波导器件（PLC）因为本体脆弱以及拥有高度抛光面, 生产和运输过程中要防止碰伤和刮擦. Gel Pak提供的真空释放（VR）系列产品, 可以完美的解决这一系列的问题. Gel Pak 芯片包装盒在平面光波导 （PLC） 器件时生产和运输过程中的应用 案例概述:    一家知名的光通讯产品生产企业需要寻找一种解决方案, 在操作和运输过程中能安全保护其生产的平面光波导器件（PLC Device）, 这个硅基的平面波导器件是 100G 光收发器的一部分. 客户的操作过程包括从划片环上取下 PLC 器件来进行一个侧光检测, 通过检测的 PLC 器件装到一个载具上, 在运输到客户的外包商处做最后的封装. 技术难点:华夫盒和卷带包装无法解决这个问题, 测试中都发现发生了运输损耗. 运输载体需要在整个运输过程中牢固的固定住PLC器件, 防止撞伤和刮伤. 当PLC器件运抵客户的外包服务商后, 又需要方便的用 Pick&Place 设备把PLC器件取下来. 客户希望包装运输载具能提供可追溯性数据. Gel Pak 解决方案:Gel Pak 根据客户的情况, 提供了较大尺寸的 VR（真空释放）盒来解决这个问题, VR 的凝胶可以牢牢的在运输过程中固定住PLC器件, 而当需要拾取器件的时候, 通过施加一个辅助的真空, PLC 器件又可以很方便的取下来. 另外 Gel Pak 通过在凝胶盒表面印刷定制的记录格, 从而方便的实现了每格中的 PLC 器件都可追溯. 成果:客户现在使用了 Gel Pak 的方案来安全的运输和操作其生产的 PLC 器件, 从而使他们的 100G 产品的成本控制更优化.  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

在200mm晶圆时代, 介质、多晶以及金属刻蚀是刻蚀设备的三大块. 进入300mm时代以后, 随着铜互连的发展, 金属刻蚀逐渐萎缩, 介质刻蚀份额逐渐加大. 介质刻蚀设备的份额已经超过50%以上. 而且随着器件互连层数增多, 介质刻蚀设备使用量就越大. 为了适应工艺发展需求, 各家设备厂商都推出了一系列的关键技术来满足工艺需求. 主要有以下几类:1:双区进气+additional Gas: Additional Gas的目的是通过调节内外区敏感气体的量提高整个刻蚀均一性, 结果比较明显.2:等离子体技术: 等离子体密度和能量单独控制3:等离子体约束: 减少Particle, 提高结果重复性4:工艺组件: 适应不同工艺需求, 对应不同的工艺组件, 比如不同的工艺使用不同的Focus Ring5: Narrow Gap: 窄的Gap设计可以使得电子穿过壳层, 中和晶圆上多余的离子, 有利于提高刻蚀剖面陡直度.6:反应室结构设计；由200mm时的侧抽, 改为下抽或者侧下抽. 有利于提高气流均一性. 随着工艺的发展需求, 离子源被逐渐用于刻蚀设备，上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE. 霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.样品尺寸: 2英寸硅芯片.刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内离子源 EH400HC 自动控制单元霍尔离子源 EH400HC 通氩气对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 ?/Sec霍尔离子源 EH400HC 特性:1. 高离子浓度, 低离子能量2. 离子束涵盖面积广3. 镀膜均匀性佳4. 提高镀膜品质5. 模块化设计, 保养快速方便6. 增加光学膜后折射率 (Optical index)      7. 全自动控制设计, 操作简易8. 低耗材成本, 安装简易 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

天文望远镜(Astronomical Telescope)是观测天体的重要工具, 可以毫不夸张地说, 没有望远镜的诞生和发展, 就没有现代天文学. 随着望远镜在各方面性能的改进和提高, 天文学也正经历着巨大的飞跃, 迅速推进着人类对宇宙的认识. 天文望远镜上一般有两只镜筒, 大的是主镜, 是观测目标所用的；小的叫寻星镜, 是寻找目标所用的, 也叫瞄准镜. 目镜是单独的个体, 是决定放大倍率的物品, 目镜上都会有F值, 这是目镜的焦距, 用主镜的F值除以当前使用的目镜的F值, 就是当前的放大倍率, 记住, 放大倍率是标准, 6厘米口径的望远镜的极限放大倍率是120倍左右, 8厘米的倍率最大160倍左右. 望远镜的集光能力随着口径的增大而增强, 望远镜的集光能力越强, 就能够看到更暗更远的天体, 这其实就是能够看到了更早期的宇宙. 天体物理的发展需要更大口径的望远镜. 但是, 随着望远镜口径的增大, 一系列的技术问题接踵而来. 一方面, 望远镜的自重过大会使镜头变形相当明显, 另一方面, 镜体温度不均也令镜面产生畸变, 进而影响成像质量. 所以为了特殊的天文望远镜镜片需求，往往对镜片进行的镀膜处理，以得到特殊需求的镜片，而为了保证镀膜质量，需要用到离子源进行辅助镀膜，以保障镜片镀膜的品质。上海伯东代理美国 KRI 大尺寸霍尔离子源 EH 3000 HC, 离子束具有业界中最高广角的涵盖面积及最高密度的离子浓度, 在离子辅助镀膜工艺中 Ion Beam Assisted Deposition, IBAD 可以获得高均匀性及高致密性的膜层. EH 3000 HC 近日成功应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片. 通过使用上海伯东 KRI 离子源镀全反射膜, 高均匀性及高致密性的膜层可以保障光源有效反射, 尽可能减少吸收. 直径 2.2m 镀膜腔, 仅需安装1台 EH 3000 HC 霍尔离子源, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本!上海伯东离子源蒸镀典型案例: 根据客户 2.2m 镀膜腔体尺寸, 基材尺寸和工艺条件, 推荐选用霍尔离子源 EH 3000 HC, 配置中空阴极, 中和器, 自动控制器1. 设备: 2.2m 蒸镀镀膜机.2. 基材: 1.5m 天文望远镜镜片镀铝 Al, 最外层镀一层二氧化硅 SiO2, 做为保护膜3. 离子源条件: Vb:120V ( 离子束阳极电压 ), Ib:14A ( 离子束阳极电流 ), O2 gas:45sccm( 氧气 ).4. 离子源应用: 天文望远镜镜片镀全反射膜, 约3个小时; 保障光源有效反射, 尽可能减少吸收.霍尔离子源 EH 3000 HC 主要技术参数 类似应用: 汽车头灯模块镀全反射膜, 使发光源的光全部反射出去照亮 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 3000 特性：1.水冷 - 加速冷却2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便5.高效的等离子转换和稳定的功率控制美国 KRi 霍尔离子源凭借高密度的离子浓度, 广角度涵盖面积的离子束, 可控制离子的强度及浓度, 已广泛应用于离子辅助镀膜 IBAD , 获得高质量的膜层. 上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸及工艺条件选择对应型号: EH 400, EH 1000, EH 2000, EH 3000. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

随着科学技术的发展, 光学镀膜被广泛应用, 例如玻璃镀膜, 镜片镀膜, 显微镜镜片镀膜, 装饰灯罩镀膜, 但镀膜制程中, 比较容易出现膜层不均匀, 或是产品膜层脱落的现象, 因此离子辅助镀膜 IBAD应运而生. IBAD, 也叫离子束辅助沉积(lon Beam Assisted Depositon 或Ion Beam Enhanced Deposition, 是把离子束注入与气相沉积镀膜技术相结合的复合表面离子处理技术, 也是离子束表面处理优化的新技术. 这种复合沉积技术是在离子注入材料表面改性过程中, 使膜与基体在界面上由注入离子引发的级联碰撞造成混合, 产生过渡层而牢固结合. 因此在沉积薄膜的同时, 进行离子束轰击便应运而生. 因此它是离子束改性技术的重要发展, 也是离子注入与镀膜技术相结合的表面复合离子处理新技术. 在材料的腐蚀防护/ 装饰等方面获得工业应用. 伯东美国 KRI考夫曼离子源可以辅助可以有效镀膜 IBAD用于预清洁 PC, 可以有效防止出现膜层不均匀, 从而防止产品膜层脱落的现象, 因此美国 KRI 考夫曼霍尔型离子源广泛加装在各类蒸发镀膜机中. 离子源辅助镀膜客户案例一: 厦门某光学镀膜企业, 该企业使用日本 Shincron 真空镀膜机, 镀膜腔体约 2 m3, 镀膜机加装 KRI 霍尔离子源 EH 4200 起到预清洁 PC及辅助镀膜 IBAD 的作用.离子源辅助镀膜具体操作, 霍尔离子源预清洁 PC +辅助镀膜 IBAD: 由于膜层表面很光滑,在镀膜时会产生膜层脱落现象, 预清洁就是将膜层表面用大的离子如 Ar 打击表面, 使得制程物能有效的吸附在表面上. 加装KRI霍尔离子源起到预清洁作用, 在预清洁后开启离子源辅助镀膜 IBAD, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.工作示意图如下, KRI离子源覆盖面使用专业测膜记号笔, 可以明显看出加装 KRI 离子源前后有很大的不同 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列主要应用1.辅助镀膜 IBAD2.溅镀&蒸镀 PC3.表面改性/ 激活 SM4.沉积 (DD)5.离子蚀刻 LIBE6.光学镀膜7.Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)8.Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

光学镀膜是指在光学零件表面上镀上一层(或多层)金属(或介质)薄膜的工艺过程. 在光学零件表面镀膜的目的是为了达到减少或增加光的反射/ 分束/ 分色/ 滤光/ 偏振等要求. 常用的镀膜法有真空镀膜(物理镀膜的一种)和化学镀膜. 光学薄膜技术的普遍方法是借助真空溅射的方式在玻璃基板上涂镀薄膜, 一般用来控制基板对入射光束的反射率和透过率, 以满足不同的需要. 为了消除光学零件表面的反射损失, 提高成像质量, 涂镀一层或多层透明介质膜, 称为增透膜或减反射膜. 随着激光技术的发展, 对膜层的反射率和透过率有不同的要求, 促进了多层高反射膜和宽带增透膜的发展. 为各种应用需要, 利用高反射膜制造偏振反光膜/ 彩色分光膜/ 冷光膜和干涉滤光片等.  光学薄膜是改变光学零件表面特征而镀在光学零件表面上的一层或多层膜. 可以是金属膜/ 介质膜或这两类膜的组合. 光学薄膜是各种先进光电技术中不可缺少的一部分, 它不仅能改善系统性能, 而且是满足设计目标的必要手段, 光学薄膜的应用领域设及光学系统的各个方面.它们在国民经济和国防建设中得到了广泛的应用, 获得了科学技术工作者的日益重视.  光学镀膜机适合镀制多种光学膜. 如望远镜/ 眼镜片/ 光学镜头/ 冷光杯等, 配置不同的蒸发源及膜厚仪, 可镀制多种膜系, 对金属/ 氧化物/ 化合物及其他高熔点膜材皆可蒸镀, 并可在玻璃表面镀超硬膜.  KRI 考夫曼霍尔离子源辅助光学镀膜 在光学镀膜中, 为了提高折射率（填充密度）/ 减少波长漂移/ 减少红外波段的水气吸收/ 增强了膜层的结合力/ 耐摩擦能力/ 机械强度/ 提高表面光洁度/ 控制膜层的应力/ 减少膜层的吸收和散射/ 提高生产效率, 镀膜厂商会把离子源用于光学镀膜机上辅助光学镀膜. 离子源类型虽多, 目的却无非在线清洗, 改善被镀表面能量分布和调制增加反应气体能量. 离子源可以大大改善膜与基体的结合强度, 同时膜本身的硬度与耐磨耐蚀特性也会改善.  某厂商为了提供镀膜的质量和提高生产效率, 需要在镀膜机上搭配离子源, 通过沟通了解到客户的要求及使用环境, 伯东工程师为客户推荐KRI考夫曼霍尔离子源 EH1020 F, 并帮忙客户把离子源安装在1400 mm 蒸镀镀膜机, 应用于塑料光学镀膜. 伯东公司 KRI 考夫曼霍尔离子源光学蒸镀镀膜机应用 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等. 美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性: 1.无栅极 2.高电流低能量 3.发散光束 >45 4.可快速更换阳极模块 5.可选 Cathode / Neutralize 中和器 常见蒸镀机台与对应 KRI 霍尔离子源型号：蒸镀机台尺寸KRI 离子源~1100mmeH10101100~1400mmeH1010, eH10201400~1900mmeH1020, eH3000 KRI 考夫曼霍尔离子源controller 自动化控制及联机自动化设计, 提供使用者在操作上更是便利. KRI 考夫曼霍尔离子源 Gun body 模块化之设计/ 提供使用者在于基本保养中能够降低成本及便利性. 伯东公司客户 1400 mm 蒸镀镀膜机安装 KRI考夫曼霍尔离子源 EH1020 F, 应用于塑料光学镀膜. KRI 考夫曼霍尔离子源 EH1020 主要参数:Filament ControllerDischarge controllerGas controller17.2A/ 22V150V/ 4.85AAr/ 32sccm 利用 KRI 考夫曼霍尔离子源辅助镀膜及无离子源辅助镀膜对镀膜质量之比较：KRI EH1020 辅助镀膜无   Ion Source 辅助镀膜盐水煮沸脱膜测试优劣破坏性百格脱膜测试优劣光学折射设率高低膜层致密性优劣膜层光学吸收率无有制程腔体加热温度低高生产成本低高  KRI 考夫曼霍尔离子源系列主要型号包含：离子源 eH200离子源 eH400离子源 eH1010离子源 eH1020离子源 eH3000CathodeFilament or Hollow cathodeFilament or Hollow cathodeFilament or Hollow cathodeFilament or Hollow cathodeHollow cathodeWater Cooled AnodenononoyesnoDischarge Currentmax2 A3.5 (7) A10 (7) A10 (20) A20 (10) ADischarge  Voltagemax300 V300 (150) V300 (150 ) V300 (150) V250 (300) VDischarge  Voltagemin40* V40* V40* V40* V40* VDivergence (hmhw)45°45°45°45°45°Height (nominal)2.0”3.0”4.0”4.0”6.0”Diameter (nominal)2.5”3.7”5.7”5.7”9.7” KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列主要应用1.辅助镀膜 IBAD2.溅镀&蒸镀 PC3.表面改性、激活 SM4.沉积 (DD)5.离子蚀刻 LIBE6.光学镀膜7.Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)8.Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士 T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！ 

随着科技水平的快速发展, 科技美容这一行业做为新型产业新生而出. 时尚IT品牌随着市场的多元化发展. 针对手机品牌和功能的增加而呈多样化, 将手机保护壳按质地分有PC壳, 皮革, 硅胶, 布料, 硬塑, 皮套, 金属钢化玻璃壳, 软塑料, 绒制, 绸制等品类. 手机保护壳不仅作为装饰品让您的手机成为一道风景, 更能保护手机, 防摔/ 防刮/ 防水和防震!随着手机的普及, 人们对手机壳美学要求的越来越高, 现有的单一颜色的手机壳难以满足人们日益提高的美学要求, 为了使手机壳更加美观, 颜色更加丰富, 会对手机壳做镀膜工艺处理. 手机壳镀膜的原理, 镀膜是当光线进入不同传递物质时(如由空气进入玻璃)，大约有5％会被反射掉，在光学瞄准镜中有许多透镜和折射镜，整个加起来可以让入射光线损失达30％至40％。现代光学透镜通常都镀有单层或多层氟化镁的增透膜，单层增透膜可使反射减少至1.5％，多层增透膜则可让反射降低至0.25％，所以整个瞄准镜如果加以适当镀膜，光线透穿率可达95％。镀了单层增透膜的镜片通常是蓝紫色或是红色，镀多层增透膜的镜片则呈淡绿色或暗紫色。 但是, 目前市面上在对手机壳镀膜处理前对手机壳进行预处理的方式并不完善, 导致手机壳在镀膜后容易出现镀膜不均匀的情况, 镀膜较薄处容易在手机壳的使用途中产生划痕, 而且碰撞时, 镀膜较薄处更容易变形.  因此, 某知名手机镀膜制造商希望通过采用离子源辅助镀膜机来改善手机壳镀膜的质量, 提高生产率. 经过我司推荐采用大尺寸KRI 考夫曼离子源 EH 5500 安装于生产设备 2050 mm 蒸镀机中, 实现 LED-DBR 离子辅助镀膜, 大大提高了镀膜质量和提高生产率. KRI 考夫曼离子源客户案例: 国内某知名手机镀膜制造商 1. 离子源应用: 手机壳颜色镀膜. 2. 系统功能: 2050 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机. 3. 离子源: 采用美国KRI 考夫曼离子源 KRi EH 5500. 离子源 EH 5500 提供的离子束 (不论是离子能量还是离子密度) 均是目前业界最高等级, 离子源 EH 5500 大尺寸的离子枪本体设计所产生超广角的离子束涵盖面积及高均匀度的离子浓度分布可以涵盖 2050 mm 尺寸的蒸镀机中大范围的载具 (substrate holder), 无论是生产良率或是均匀性都可达到最高生产效能. 4. 离子源功能: 通过 KRI EH 5500 霍尔源实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的手机壳颜色镀膜及 3D 玻璃镀膜无论是环境脱膜测试, 耐刮测试, 膜层应力测试等等? 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源. 上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 EH 5500 优点: 1.离子浓度, 高离子能量, 离子束涵盖面积广 2.气体分子离子转化率高, 离子束工作稳定 3.镀膜均匀性佳, 提高镀膜品质 4.模块化设计, 保养快速方便 5.增加薄膜附着性, 增加光学膜后折射率 6.全自动控制设计, 操作简易 7.低耗材成本, 安装简易                   EH 5500 离子源本体               EH 5500 离子源控制器 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士 T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

离子束抛光是一种超精密的光学加工技术. 与传统抛光工艺不同的是, 离子束抛光一种原子量级上的无应力/ 非接触式抛光. 离子束抛光可用于制作超光滑表面, 目前, 离子束抛光的光学元件均方根RMS精度最高可达0. 1~0. 2纳米. 由于它具备高精度/ 无损伤 和超光滑等优点, 离子束抛光技术被广泛应用于精密光学元件加工和制造, 特别是高端光 学元件加工.  其基本原理是, 在真空状态下利用具有一定能量的惰性气体（比如氩气）离子轰击工件表面, 通过物理溅射效应去除表面材料. 这种加工方式避免了传统工艺中因预压力所产生的表面或亚表面损伤, 同时由于真空环境洁净度很高, 加工过程中不会引入杂质污染.  在现有的离子束抛光设备中, 离子束轰击在光学元件上的方式有两种. 第一种是离子源发出的离子束直接轰击在光学元件上, 第二种是离子源发出的离子束经由一具有固 定形状通孔的挡板后, 成为具有一定横截面形状且强度比较均匀的离子束, 而后轰击在光 学元件上. 相比于第一种方式, 第二种方式可控性强, 抛光效果好, 已经成为离子束抛光普 遍采用的设备.  美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (考夫曼栅极离子源), KDC (直流电源式考夫曼离子源) 已成功被应用于光学镀膜离子束抛光机 (IBF Optical coating) 及晶体硅片离子束抛光机 (IBF Clrystalline)工艺. 考夫曼公司离子源可变离子的强度及浓度, 控制抛光刻蚀速率更准确使在抛光后的基材上获得更平坦均匀性高的薄膜表面. 内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 实际案例一: 基材: 100mm 光学镜片.离子源条件: Vb:800V(离子束电压), Ib:84mA(离子束电流), Va:-160V(离子束加速电压), Ar gas(氩气).             实际案例二:基材: 300mm晶体硅片离子源条件: Vb:1000V(离子束电压), Ib:69mA(离子束电流), Va:-200V(离子束加速电压) Ar gas(氩气).实际安装案例一:KDC10 使用于光学镀膜离子束抛光机    实际安装案例二:KDC40 使用于晶体硅片离子束抛光机  伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) 大中国区总代理. 上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士 T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw上海伯东版权所有, 翻拷必究！

光学镀膜在我们生活中无处不在, 从精密及光学设备/ 显示器设备到日常生活中的光学薄膜应用; 比如说, 平时戴的眼镜/ 数码相机/ 各式家电用品, 或者是钞票上的防伪技术, 皆能被称之为光学薄膜技术应用之延伸. 倘若没有光学薄膜技术作为发展基础, 近代光电/ 通讯或是镭射技术将无法有所进展, 这也显示出光学薄膜技术研究发展的重要性.为了提高薄膜的品质，镀膜制造商一般会采用离子源进行辅助镀膜, 如下图随着对镀膜品质要求的不断提升, 使用霍尔离子源辅助镀膜已经无法满足高端镀膜应用市场, 国内某知名 LED 制造商经过我司推荐采用射频离子源 RFICP 325 安装在 DBR 生产设备 1650 mm 蒸镀机中. 成功实现高端光学镜头镀膜并通过脱膜测试!上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325客户案例: 国内某知名 LED 制造商1. 离子源应用: LED-DBR 镀膜生产.2. 系统功能: 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.3. 离子源: 采用美国 KRI 射频离子源 RFICP 325. 离子源 RFICP 325 提供的离子束 (不论是离子能量还是离子密度) 均是目前业界较高等级, 离子源 RFICP 325 特殊的栅极设计 E22 Grided 可以涵盖 1650 mm 尺寸的蒸镀机中大范围的载具 substrate holder, 无论是生产良率或是均匀性都可达到zui高生产效能.4. 离子源功能: 通过射频离子源 RFICP 325 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的 LED-DBR 无论是亮度测试, 脱膜测试, 顶针测试, 光学特性等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源.上海伯东射频离子源安装案例: KRI RFICP 325 射频离子源安装于 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.KRI 射频离子源测试案例: LED-DBR 脱膜测试.1. 在高倍显微镜下检视脱膜测试2. 测试结果--------- 使用其他品牌离子源---     --------------------- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国考夫曼离子源, 样品无崩边伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Thermal plate solution (Room temperature to +250℃）半导体功率模块需要在各种苛刻和极端的环境条件下使用, 例如: 火车、汽车、发电机等. 在这些应用中, 可靠和安全的稳健设计至关重要.  因此功率器件最初的关键设计必须考虑最高工作温度, 一旦知道这一点, 就可以明确不同的应用要求, 使之在预期的工作温度和条件下运行.  IGBT模块的温度测试应用inTEST Thermal Platform（热板）测试方案, 非常适用于大型功率器件, 例如IGBT模块, 其测试治具有平整接触面, 测试方法既快速又简单, 能够非常方便的搭配功率器件分析仪（如Keysight B1506A）支持自动温度测试(可测室温至+250°C).  inTEST高低温测试机应用于功率器件的测试过程: 使用inTEST高低温测试机搭配功率器件分析仪, 整个测试过程使用非常简单, 具体测试步骤如下: 1.将待测功率器件固定在Thermal Plate测试治具上.2.选择 IGBT 测试模板, 按照测试要求设置测试条件; 3.设置测试曲线的显示范围; 4.选择需要测试的参数; 5.点击执行测试.  上海伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式: 上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士 T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn                      www.hakuto-vacuum.com.tw上海伯东版权所有, 翻拷必究！

上海伯东高低温测试机ATS-545在超低功率模拟芯片上的应用基于22nm、40nm、55nm成功开发了NB-IoT/IoT模拟IP平台, 包含了全套nA级的超低功耗模拟IP, 包括50nA的超低功耗LDO, 80nA Bandgap, 零静态功耗POR, 25uA的超低功耗DCDC, 0.8uW SAR-ADC, 0.5uW PLL及支持低功耗模式的多功能IO库. 在55nm、110nm、130nm、180nm等CMOS和Embedded-flash工艺制程上, 成功开发了MCU模拟IP平台, 本文主要介绍上海伯东inTEST ATS-545在超低功率模拟芯片上的应用.上海伯东高低温测试机ATS-545在超低功率模拟芯片上的应用的原因:目前的低功耗设计主要从芯片设计和系统设计两个方面考虑. 随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高, 芯片的功耗迅速增加, 而功耗增加又将导致芯片发热量的增大和可靠性的下降. 因此, 功耗已经成为深亚微米集成电路设计中的一个重要考虑因素. 为了使产品更具竞争力, 需要在不同温度环境下对模拟芯片进行性能测试, 以确保能在综合复杂的环境中正常使用, 客户最终选择了ATS-545高低温冲击机进行测试.超低功率模拟芯片测试方法：具体做法如下. 1.将芯片放置于已做好的工装中；2.将sensor一端连接热流罩上对应接口, 一端与芯片表面接触；3.将ATS-545热流罩转到工装平台并下压固定；4.启动ATS-545高低温冲击机加热至需要测试的温度点；5.启动芯片测试设备对芯片在-55度及125度下进行性能测试并记录数据；ATS-545高低温冲击机在通信芯片方面的客户案例：成都锐成芯微电子, 通过伯东购买ATS-545高低温冲击机inTEST ThermoStream高低温测试机 ATS-545 功能特点：与友厂对比, inTEST ThermoStream 独有的专利自动复叠式制冷系统 (auto cascade refrigeration) 保证低温, 内置 AC 交流压缩机, 冷冻机 Chiller 特殊设计, 制冷剂不含氟利昂, 安全无毒, 不易燃, 有1.效保护环境; 专利 ESD 防静电保护设计2.旋钮式控制面板, 支持测试数据存储3.过热温度保护: 出厂设置温度 +230°C4.加热模式下, 冷冻机可切换成待机模式, 以减少电力消耗5.干燥气流持续吹扫测试表面, 防止水气凝结inTEST 高低温测试方法：提供两种检测模式 Air Mode 和 DUT Mode通过热流罩或测试腔将被测 IC 与周边环境隔离, 然后对 IC 循环喷射冷热气流, 使IC 温度短时间发生急剧变化, 从而完成温度循环和温度冲击的测试.上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.我们真诚期待与您的合作！若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                     T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-vacuum.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw上海伯东版权所有, 翻拷必究！