国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140  作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 Nb3Sn 超导薄膜样品的实验研究是在 Al2O3(Sapphire) 上进行的, 采用铌溅射源和锡溅射源交替对样品进行溅射沉积,其中铌溅射源在上部, 锡溅射源在下部, 因为锡的熔点低. 退火采用电炉丝. 溅射沉积的过程是, 首先在基片上溅射沉积一层铌附着膜, 然后以固定速度旋转样品固定板,使得样品交替面对铌溅射源和锡溅射源, 形成多层膜结构, 最后再溅射沉积一层铌覆盖膜. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  在柔性基材 PET 上沉积 AgCu 合金制备的 NSN 系列隔热膜, 继承了单 Ag 隔热膜良好的光谱选择性, 同时能有效的解决 Ag 易硫化的难题, 还具有抗氧化功能, 以防止隔热膜长期放置透射率指标变化过大. NSN70 隔热膜是沉积 AgCu 合金的金属膜系结构产品, 它生产效率高、隔热性好. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景. 河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 在磁控溅射沉积薄膜的实验中, 工艺参数（如沉积压力、沉积温度、溅射功率等）对 WS2 薄膜的结构和性能影响很大. 为制备摩擦磨损性能优良的 WS2 薄膜, 需要系统研究磁控溅射沉积 WS2 薄膜的工艺方法.磁控溅射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄气体在低压真空环境中发生辉光放电, 如果薄膜沉积时工作气压过低（10 Pa）, 真空室内等离子体密度高, 溅射粒子向基体运动中发生碰撞多, 平均自由程减小, 以致无法到达基体表面进行沉积.因此, 合适的沉积压力是磁控溅射沉积 WS2 薄膜的一个重要工艺参数. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

钇铁石榴石铁氧体 (YIG) 是一种在室温中广泛应用的亚铁磁性材料, 由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较高的法拉第旋光效率和较低的传播损耗, 是一种具有潜在应用价值的磁性材料, 不仅应用于现代电子工业及信息产业的微波器件中,如环形器、隔离器等,而且在非互易波导器件、集成光学器件和磁光记忆领域都拥有巨大的应用前景, 因此被广泛研究. 陕西某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  射频磁控溅射沉积方法在 SrTiO3基片上制备 YIG 薄膜, 研究不同溅射参数对薄膜表面形貌、微观结构和磁性能的影响. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通气Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量射频磁控溅射法是制备磁性薄膜最为常用的方法之一, 其优点是沉积温度低,可以获得均匀致密、大面积的薄膜,沉积过程中通过调节溅射功率、溅射气压、氧氩比和溅射时间等参数,从而改变薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到高性能的薄膜材料. 结果表明:在其他溅射参数不变的情况下, 薄膜的厚度随溅射时间成正比增长; 在衬底温度为500℃、溅射气压为1 Pa时, YIG 薄膜表面较致密, 晶粒大小均匀; 沉积薄膜的化学组分受氧分压的影响较大, 与靶材成分相比有一定偏差. 溅射气体为纯氩气时, YIG 薄膜的化学组分与靶材化学计量比接近, 制备的YIG薄膜中存在一定量的 Fe2+ 和氧空位; 当退火温度为 750℃ 时, 在氧气中热处理 40 min, 形成纯的 YIG 相,饱和磁化强度为134emu/cm3. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,   翻拷必究!

华北某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助磁控溅射沉积的方法在钕铁硼磁体表面制备了耐腐蚀性良好的铝锰合金薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保.在钕铁硼(NdFeB)磁体表面利用磁控溅射沉积不同锰含量的铝锰合金薄膜. 磁控溅射制备的铝锰合金薄膜表面光滑致密. 薄膜结构受到锰含量的影响, 当薄膜锰含量从6.80at%上升到25.78at%时, 薄膜结构由晶态逐渐转变为非晶态, 达到 35.67%时, 薄膜中析出金属间化合物Al8Mn5. 铝锰合金薄膜的耐腐蚀性能受薄膜成分变化的影响很大, 当薄膜中锰含量达到25.78% 时, 此时薄膜呈非晶态结构, 薄膜的自腐蚀电流密度达到 1.198×10-7A/cm2, 比钕铁硼基体降低了 2 个数量级,耐腐蚀性能最好. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

电子系统在快速发展, 但是磁性器件二维化而引发与三维块材迥异的特性和制备工艺与半导体技术难以兼容的问题仍未能很好的解决. 因此 MnZn铁氧体作为一种优良磁性器件用磁性材料, 对其进行薄膜化并研究其特性, 乃至最终制作成平面化、小型化的磁性器件显得尤为重要. 四川某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉积 MnZn 铁氧体薄膜, 用以研究 MnZn 铁氧体薄膜的低温晶化、取向生长等问题. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通气Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 MnZn 铁氧体薄膜, 沉积过程中通过调节参数, 从而改变薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到多种规格的高性能的 MnZn 铁氧体薄膜材料, 满足各种试验需求.  KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,   翻拷必究!

为了研究 Ag 元素对 TiSiN 薄膜结构及性能的影响, 江苏某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射法制备了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 纳米压痕仪, UMT-2 摩擦磨损仪和 BRUKER 三维形貌仪对薄膜的成分/ 微结构/ 力学性能和摩擦磨损性能进行了研究 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 Ti N 薄膜是金属氮化物的代表性材料,具有硬度高/ 耐摩擦/ 化学稳定性强等优点, 作为工模具耐磨涂层已得到了广泛的应用, 但其硬度和抗氧化性能有待进一步加强. 向 Ti N 中添加 Si 元素, 形成的 Ti-Si N 薄膜硬度是 Ti N 薄膜的 2 倍, 当 Si 含量为 21.28% 时 Ti Si N 薄膜的氧化温度为800℃, 高于 Ti N 薄膜的 300℃, 但其摩擦系数在 0.65 左右, 摩擦性能需要进一步提高.  Ag和Au等贵金属在室温和中温范围内具有良好的润滑性, Ag 掺入耐磨涂层中可以改善其摩擦磨损性能.   KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

铱 (Ir) 是一种很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波长范围内, Ir 膜反射率比此波长范围内常用材料 Au、Pt 都高, 虽比 Os 膜反射率稍低, 但后者时效效应严重. 相比之下, 空气中的时效对 Ir 膜反射率几乎没有影响, 考虑综合性能, Ir 膜在真空紫外波段 50100nm 范围内最佳. 安徽某大学课题租采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 , 在石英、K9 玻璃和 Si 基片上溅射沉积不同厚度的 Ir 膜各种不同厚度的 Ir 膜, 研究基片、表面厚度、离子束能量对 Ir 膜反射率的影响. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通气Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 Ir 膜, 沉积过程中通过调节参数, 沉积时间等从而得到不同厚度的 Ir 薄膜材料, 满足各种试验需求. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,   翻拷必究!

在常见的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 几种元素可以形成多种共价键材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 这些物质具有优异的物理和化学特性, 一直是材料学研究的热点.  研究发现, 对成分和结构的调控可实现薄膜材料的性能转变, 进而获得能满足不同性能需求的薄膜. 在 对 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大学科研课题租采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉积条件及热处理条件对其组织结构和力学性能的影响. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保. 该实验项目采用 Ti/ B4C 复合靶作为靶材, 通过磁控溅射方法沉积了成分、结构可调的 Ti-B-C薄膜. 在沉积试验之前, 背底气压低于510-3Pa, 再采用 Ar 离子溅射清洗30min, 工作气压为0.5Pa. 利用 X 射线光电子能谱 (XPS) 和 X 射线衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和结构, 利用纳米压痕法测量了 Ti-B-C 薄膜的力学性能. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究! 

合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。 北京某大学实验室在对硬韧  ZrAlN 薄膜及薄膜力学性能研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法在钛合金和单晶 Si 上沉积不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通气Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 ZrAlN 薄膜, 更好的对 ZrAlN 薄膜进行研究. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,   翻拷必究!

硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点. 采用磁控溅射沉积硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒气体及相应的尾气处理装置, 有利于降低设备成本, 且工艺参数容易控制, 因此经过伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  试验结果:在实验中, 通过伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积的方法, 可以在玻璃衬底上制备出结晶良好的微晶硅薄膜. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 n 型和 p 型半导体等特点, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光学元件表面涂层/ 高温/ 高频/ 大功率/ 抗辐射电子器件/ 电路热沉材料和绝缘涂覆层等方面具有很大的应用潜力. 在对立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金属研究所采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000  该实验中, 采用的是射频溅射沉积的方法, 沉积基片为硅片, 热压的 hBN 作为靶材, 溅射气体为 Ar 和N2 的混合气体. 磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保. 实验结果:采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜时, 具有沉积的膜层颗粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工艺可控性好等特点. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE , 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀 , 即使对磁性材料 , 金铜镍银铂等金属及复合半导体材料 , 这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀 .伯东离子刻蚀机 IBE 组成主要包含真空刻蚀腔体 , 样品台 , 离子源等 . 其配置如下 ：一. 真空腔体伯东离子刻蚀机 IBE 的真空刻蚀腔体配置的是德国 Pfeiffer 分子泵 .Pfeiffer 分子泵抽速范围 10 至 2700 L/S , 转速高 90,000 rpm , 极限真空 1E-11 mbar , 能满足各种各样真空度要求 . 伯东是 Pfeiffer Vacuum 德国普发真空产品授权代理商 , 销售维修普发 Pfeiffer 真空产品已超过 20 年 . 二. 离子源伯东离子刻蚀机 IBE 配置的美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼 离子源 .可选的离子源包括 ：射频离子源 : RFICP380 , RFICP220 , RFICP140 , RFICP100 , RFICP40考夫曼离子源 : KDC160 , KDC100 , KDC75 , KDC40 , KDC10霍尔离子源 : eH3000 , eH2000 , eH1000 , eH400 , 线性霍尔离子源 eH Linear 伯东公司是美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源亚洲总代理 . 三. 样品台伯东离子刻蚀机 IBE 的样品台可选直接冷却 / 间接冷却 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋转 .其中基片尺寸大小支持 Φ3 inch , Φ4 inch , Φ5 inch , Φ6 inch , Φ8 inch 等各种尺寸 . 伯东离子刻蚀机 IBE 优势 :伯东离子刻蚀机集全球好设备于一身 , 其性能也是优越于市面上绝大部分离子刻蚀机 .1. 刻蚀材料范围广, 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀, 即使对黄金 Au , 铂 Pt , 合金等金属及半导体材料也能提供优质蚀刻2. 均匀性高 , 高达 ≤±5%3. 硅片刻蚀率可达 20 nm/min4. 样品台冷却方式多 , 可选直接冷却 , 间接冷却5. 样品台可 0-90 度旋转 伯东离子蚀刻机 IBE 包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造 , 已应用于半导体器件 , 集成电路制造 , 薄膜电路 , 印刷电路 , 手机背板镀膜 , 手机广角镜头镀膜等 . 伯东离子刻蚀机 IBE 可选型号有 : 20IBE-J , 20IBE-C , 10IBE , 7.5IBE 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有 , 翻拷必究 ！

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀. Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. 运用结果：1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率2. 晶圆的均匀度得到良好提高3. 晶圆的加工质量得到明显提高 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度 该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持刻蚀室的真空度.其产品优势:1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s2.最佳真空性能，最低功耗3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 4004.可在任何方向安装5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接7.广泛的配件扩展使用范围 运行结果:1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.  若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,离子源ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架 试验结果:Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某薄膜磁盘制造采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 用于刻蚀薄膜磁盘, 去除溅射镀制磁盘薄膜的污染物和提高薄膜的均匀性.Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Main bodyWafer size3"～6"PowerSupplyAC200V 3ph 40AWafer per batch1 wafer*two linesCassetteNo.25 wafersCoolingWater15 (l/min)Q'ty1pc.℃Throughput10 (wafer/hr) *1CDA0.5 (MPa)PressureUltimate8×10-5 (Pa) *2>10 (l/min)Process2×10-2 (Pa) *2N20.2 (MPa)EtchingRate>10 (nm/min)@SiO2 *3>40 (l/min)Uniformity±5%@132mm (6") *3Ar0.2 (MPa)Wafer surface temp.℃ *320 (sccm)Stage rotating1～20 (rpm) ±5%He0.2 (MPa)Stage tilting±90°±0.5°20 (sccm)DimensionW×D×H (mm)Main body1,600×2,175×1,900*need additional utilities  for Dry pumpController640×610×1,900Chiller555×515×1,025Weight (kg)Main body1,700Controller200Chiller100*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on process Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 该 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP 380 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 运行结果:1. 有效去除溅射沉积时带来的污染物2. 提高了薄膜磁盘的均匀度3. 获得具有高矫顽力、高剩磁、高稳定性的连续薄膜型的记录介质 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度. GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度. 某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现 GMR 磁头均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高 GMR 磁头的加工质量. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某 AI 芯片公司研发部采用伯东 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片, 去除制造过程中产生的污染物, 提高 AI 芯片的表面均匀度. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸片片片样品台样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转离子源20cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 8”Ф硅片蚀刻率20 nm/min温度 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图： Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700. 伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 技术参数:2707-Operating voltage: V DC48 (± 5 %) V DCAr 的压缩比> 1 · 1011Ar 的抽速665 l/sAr 的最终转速时的气体流量3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/sH2 的压缩比4 · 105H2 的抽速555 l/sH2 的最终转速时的气体流量> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/sHe 的压缩比3 · 107He 的抽速655 l/sHe 的最终转速时的气体流量10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/sI/O 接口RS-485, 远程, ProfibusN2 的压缩比> 1 · 1011N2 的抽速685 l/sN2 的最da预真空11 百帕N2 的最终转速时的气体流量6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s不带气镇的最终压力1 · 10-7 百帕允许冷却水的温度15 – 35 °C 摄氏度冷却水消耗最小值100 l/h冷却水耗量100 l/h冷却类型，可选项空气冷却类型，标准水声压水平≤50 dB(A) 分贝 (A)安装方向任何排气连接G 1/8"接口，扩展Profibus方位混合动力最da允许磁场6 mT根据 PNEUROP 的最终压力百帕电子驱动单元带有 TC 400电流最da值8,75 A耗电量 max.420 瓦转速 Â± 2 %49,200 rpm | 49,200 min-1转速可变化60 – 100 %运行时间2 分连接法兰（入口）DN 160 ISO-F连接法兰（出口）DN 25 ISO-KF/G ¼"重量12.1 千克防护等级IP54 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某高端半导体制造公司, 采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.℃ *3Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on processHakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度  Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某印刷电路板制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于刻蚀印刷电路板局部表面去除污染物. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 搭配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 有效针对所需区域进行蚀刻, 并避免印刷电路板全面性蚀刻产生的导线暴露于空气中发生的短路异常现象. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究! 

某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,离子源ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝 无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究! 

某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器LFN 2000 采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某高端半导体制造公司, 采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.℃ *3Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on processHakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 产品优势：1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 盒式房间采用高效微粒过滤器3. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率4. 占用空间小5. 传输系统采用了 SCARA 型机器人6. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上7. 高冷却效果8. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机9. 容易维护这个系统设计重点是容易维护和用户友好10. 关键部件服务伯东的经销商是系统中的关键部件涡轮泵系统、离子源提供客户快速响应时间和本地服务能力,减少停机时间的工具 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片刻蚀率20 nm/min温度  Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器灯丝 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 良好的保持真空腔的真空度. 试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某印刷电路板制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于刻蚀印刷电路板局部表面去除污染物. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 搭配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 有效针对所需区域进行蚀刻, 并避免印刷电路板全面性蚀刻产生的导线暴露于空气中发生的短路异常现象. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层. Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:真空腔1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,离子源ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75离子束入射角0 Degree～± 90 Degree极限真空≦1x10-4 Pa刻蚀性能一致性: ≤±5% across 4” 该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 75 DischargeDC 热离子离子束流>250 mA离子动能100-1200 V栅极直径7.5 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-15 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度20.1 cm直径14 cm中和器灯丝 无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力中和器LFN 2000 采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某印制板线路板生产工厂采用伯东 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉, 将需要保留的铜保留下来. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"～6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput10 (wafer/hr) *1Pressure Ultimate8×10-5 (Pa) *2Pressure Process2×10-2 (Pa) *2Etching Rate>10 (nm/min)@SiO2 *3Etching Uniformity±5%@132mm (6") *3Wafer surface temp.Stage rotating1～20 (rpm) ±5%Stage tilting±90°±0.5°*1: Estimated process time 5min*2: No wafer on stege / process chamber*3: Depending on process 该工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 的主要原因:1. 所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量2. 采用高质量的蚀刻考夫曼离子源, 保证良好的均匀性和高蚀刻率3. 占用空间小4. 控制单元系统提供操作通过触摸屏/ 10.4英寸, 数据记录可以显示在屏幕上5. 高冷却效果6. 良好的重复性和再现性的旋转和倾斜阶段具有良好的可重复性利用脉冲电动机7. 快速响应时间和本地服务能力, 减少停机时间的工具 工厂采用 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 运行结果：1. 提高蚀刻过程的均匀性2. 提高精密程度, 提高产线的生产工艺能力3. 提高产线的生产率, 降低劳动强度, 保证生产的连续性 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!