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(5)电压表输入阻抗会引入测试误差,硅片几何形状,表面粘污等会影响测试结果,R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.,见式(3).试剂优级纯,纯水,25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃,具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上,试样放置的时间应足够长,到达热平衡时,试样温度为23 ℃±1℃.接通电流,令其任一方向为正向,调节电流大小见表1测量范围电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□电 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径:A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm, 方测试台直接测试方式180mm×180mm, 长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可
本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;
产品货期: 15天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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