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产品概要：

GaN 晶圆级动态参数分析仪(Device Dynamics Analyzer)，可在组件操作状态下执行 GaN 动态参数特性及可靠度测试的解决方案，可在组件操作(switching)状态下完成动态 Rdson(HSW，ZVS)、动态 VSD、动态 Vth,PulseIV 等五个动态参数测试分析，并进行实时动态参数监控，来解决在元件操作(switching)状态下执行氮化镓(GaN)动态参数分析的困难，有别于市面上只能量测静态特性或无法在元件操作状态下执行动态分析的功率半导体参数分析仪、功率元件分析仪，来提供晶圆和封装元件动态参数及可靠度测试不仅可协助开发者改善组件，并可帮助用户正确评估组件的功率损耗及老化速率，优化系统设计。

基本信息：

技术优势：

· 可测试 Dynamic Rdson(HSW, ZVS)，Dynamic Rsdon(ZVS)，Dynamic Vth，Dynamic Vsd，Dynamic HTOL (SALT) …

· 温度、电压、电流、频率、开关比(Duty)皆可独立测试(5 independent parametersacceleration MTTF)

· 同时量测多个 GaN 元件(Multi-DUT in parallel) 动态参数，例如 Dynamic Rdsondegradation

· 可在 hard-switching 或 soft-switching 下执行动态量测

· 高低温测试功能 (25C~175C)

· 提供 On-Vg : -12- 12V 连续变化，可随着不同 DUT Gate

· Rating 做适当调整

· 提供 10kHz~500kHz 可调操作频率

· 提供 10%~90% 可调操作 Duty

· Pulse I-V 脉冲宽度可达到 1us

主要应用：

在元件操作(switching)状态下执行氮化镓(GaN)动态参数分析。

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