PHI 硬X射线光电子能谱仪

PHIGENESIS

Model 900 for HAXPES

无需溅射刻蚀的深度探索

下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。

XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。

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深层界面的分析

在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。

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内核电子的探测

Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子，通常有多个额外的跃迁可用于分析。

应用领域

主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。

用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI，Inc.提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪，具有卓越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能 分析平台在各种研究领域的应用

电池        AES/Transfer Vessel

“LiPON/LiCoO 2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”

Li 基材料例如 LiPON，对电子束辐照敏感。 

PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取 AES 化学成像。

有机器件     UPS/LEIPS/GCIB

使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 测量能带结构

(1)C₆₀薄膜表面

(2)C₆₀薄膜表面清洁后

(3)C₆₀薄膜 /Au 界面

(4)Au 表面

通过 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。

半导体    XPS/HAXPES

半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。

微电子     HAXPES 

微小焊锡点分析HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于 XPS 分析数据，这是由于Sn 球表面被氧化，随着深度的加深，金属态Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特点。