加热方式: 其它
应用领域: 半导体
产地类别: 国产
沉积速率: 暂无
沉积薄膜种类: 通用
控制气体: 1-4路
背底真空: 暂无
工作气压: 常压
内部尺寸: 暂无
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装置概述
本装置是CVD反应装置,拥有四个气路,两套独立的气路控制单元,加热炉安装在装置的侧面上下安装,精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量,具有可靠性高,操作简便,结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程。
技术参数
- 气路:1-4(任选);
- 加热炉:1-2(任选),加热炉温度Max:1000 ℃
- 气体质量流量器:0 - 500 mL/min(任选);
- 工作压力:常压;
- 温度控制:± 0.5 ℃;
- 计算机控制(任选)。
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 1-2次
免费仪器保养: 定期上门回访
保内维修承诺: 非客户人为操作原因的备件故障,提供免费更换服务
报修承诺: 热线7*24小时开通,接到报障 2 小时内给予处理方案
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