垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。
应用
原子钟
磁力计
特点:
包装: 裸片
芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器
激光波长: 894.6 nm
辐射剖面: 单模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
最大额定值
Ta = 80°C
参数 | 符号 | 值 | |
操作/焊接温度 DC = 100% | TS | 最小值 最大值 | -20°C 110°C |
储存温度 | Tstg | 最小值 最大值 | -40°C 125°C |
正向电流（保持单模） 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 1.5 mA |
正向电流 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 3 mA |
反向电压 | 不适合反向操作 | ||
ESD 耐电压 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | 最大值 | 250 V |
注意:超出绝对最大额定值范围的应力可能会对设备造成永久性损坏。
特点
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
参数 | 符号 | 值 | |
正向电流 | VF | 典型值 | 1.78 V |
输出功率 | Φ | 典型值 | 0.3 mW |
阈值电流 | Ith | 典型值 | 0.61 mA |
斜率效能 | SE | 典型值 | 0.37 W / A |
单模抑制比 | SMSR | 最小值 | 20 dB |
偏振消光比5) | PER | 最小值 | 15 dB |
峰值波长 | λpeak-v | 最小值 典型值 最大值 | 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm |
光谱线宽度 | Λlinewidth | 最大值 | 100 MHz |
调频调制带宽 | Fm | 最小值 | 4.6 GHz |
波长温度系数 | TCλ | 典型值 | 0.06 nm / K |
半峰全宽处视场(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
1/e2处 视场 | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。
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