InGaAs PIN 双波段探测器 MPGD7510Y
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装。
2、特点
快响应时间、低暗电流、宽光谱响应、高可靠性。
3、应用
多光谱光测量、计量仪表，激光预警，跟踪、定位和准直仪器，火焰监控、分光计等。
4、最大额定值
最大额定值 | 单位 | 最大额定值 | 单位 | ||
反向电压 | 15 | V | 功耗 | 10 | mW |
正向电流 | 10 | mA | 工作温度 | -40~120 | ℃ |
焊接条件 | 260℃，10秒 | 存储温度 | -40~120 | ℃ | |
5、参数性能（Ta=23℃）
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | ||
光敏面 | InGaAs | 800 | μm | |||||
Si | 2000 | |||||||
光参数 | 光谱响应范围 | λ | 400～1700 | nm | ||||
响应度 | Re | VR1=15V;λ=0.53μm，Φe=100μW | 0.2 | A/W | ||||
VR1=15V;λ=1.06μm，Φe=100μW | 0.3 | |||||||
VR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW | 0.5 | |||||||
VR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW | 0.6 | |||||||
响应时间 | tr | VR1=15V;RL1=50Ω | 10 | ns | ||||
VR2=5V;RL2=50Ω | 10 | |||||||
电参数 | 反向击穿电压 | VBR | IR1=10μA | 100 | V | |||
IR2=10μA | 50 | |||||||
暗电流 | ID | VR1=15V | 40 | nA | ||||
VR2=5V | 10 | |||||||
电隔离度 | 50 | dB | ||||||
6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm）
1 | Si P极，接15V负极 |
2 | InGaAs P极，接5V负极 |
3 | Si N极，接 15V正极 |
4 | InGaAs N极，接5V正极 |
5 | 悬空或接地 |
7、光谱曲线图
8、使用方法及注意事项
器件在反偏下工作。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。
在使用前请用酒精和脱脂棉将光窗清洗干净。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
获取电话