四硼酸锂晶体是新型非铁电压晶体材料,它兼具高声表面波有效耦合系数和低延迟温度系数等优点,可作为温度补偿型压电基片材料,并已在高频、高稳定度的SAW器件工业上应用。国内外均使用提拉法生长,其生长缺陷主要是芯区、条纹、开裂和散射颗粒。我所采用独创的坩埚下降法生长大直径(50～80mm)四硼酸锂,得到了无芯区、无条纹、无开裂和无散射的宏观完整晶体。我们的研究显示了潜在的效率，并为由波长为 1064 和 800 nm 的广泛高功率激光器及其谐波泵浦的 LB4 晶体中非线性产生太赫兹辐射提供了必要条件。
主要特性
透光率, μm | 0.16 – 3.5 | |
非线性系数, pm/V | d31 = 2.0; d31 = 0.12 | |
对称度 | 正方晶系, 4mm point group | |
晶胞参数, ? | a=12.818, b=6.404, c=10.596 | |
典型反射系数 | 1064 nm | no=1.5980, ne=1.5432 |
光学损坏阈值, GW/cm2 | 1064 nm | 1 |
离散角, ° (532 nm) | 1.9 | |
莫氏（Mohs）硬度 | 4-5 | |
化学性能 | 不吸湿 | |
光学元件参数
定向精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平面度 | 546 nm | λ/6 |
表面质量, scratch/dig | 20/10 | |
应用
表面声波元件（SAW）的基板
YAG激光器的二次，三次，四次，五次谐波产生
基于SHG和SFG可见辐射的高功率紫外光源。
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