ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管（APD），具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点，非常适合激光测距、雷达等应用。
特征：
高速响应、高增益、低结电容、低噪声
正照平面型芯片结构
230μm、500μm光敏面可选
陶瓷贴片封装
内置滤波片（635nm窄带）和白玻窗可选
典型应用：
激光测距
激光告警
激光雷达
参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
工作温度 | TOP | -20 | 85 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -55 | 125 | ℃ |
工作电压 | Vop | 0.9×VBR | V | |
焊接温度 | Stemp | 260 | ℃ | |
耗散功率 | 1 | mW | ||
正向电流 | 1 | mA |
特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
光谱响应范围 | λ | — | 400～1100 | nm | ||
光敏面直径 | φ | — | 200（1）、500（2） | μm | ||
响应度 | Re | λ=800nm，φe=1μW, M=1 | 0.5 | A/W | ||
响应时间 | tS | f=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm | 0.3 | ns | ||
暗电流 | ID | M=100 | 0.02（1） | 0.05（1） | 0.4（1） | nA |
0.05（2） | 0.1（2） | 0.5（2） | ||||
总电容 | Ctot | M=100,f=1MHz | 1.5（1） | pF | ||
3（2） | ||||||
最适宜的放大倍数 | M | 100 | ||||
反向击穿电压 | VBR | IR=10uA | 80 | 200 | V | |
工作电压温度系数 | δ | Tc=-40℃～85℃ | 0.5（1） | V/℃ | ||
0.5（2） | ||||||
注：
（1）为光敏面φ230μm器件之参数
（2）为光敏面φ500μm器件之参数
图3 0V光谱响应曲线
获取电话