单晶硅片

生长方法：直拉CZ 

型号/掺杂剂： P型/硼 N型/磷、砷、锑

晶向： <100> / <111>

电阻率 (ΩNaN)： 0.001-50

径向电阻率变化： (%) P< 6  N型 < 25

氧含量与公差：  5.0-7.8 × ± 0.5

径向氧含量变化 (%) ：< 5

碳含量 (at )： ≤ 2.0×

金属铁含量 (at ) ：≤ 1.0×

表面金属 (at)：铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0×   铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 2.0×

厚度 (微米)：按SEMI标准或用户要求

厚度公差 (微米) ：±15或用户要求

总厚度变化 TTV (微米)： < 2.5

平整度 TIR (微米)： < 1.2

局部平整度： STIRmax (微米) < 0.3

翘曲度 (微米)： < 30

颗粒 (# per wafer)： < 30 (for size > 0.2 微米)