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RO-105氧化钌温度传感器
基本信息:
价格:面议
供货周期:现货
品牌:ARS
 
参数规格:
具体参数见产品详情
                     
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产品介绍

RO-105氧化钌温度传感器是一种thick-film电阻传感器。它在强磁场环境下性能卓越,在高达2Tesla的强磁场环境下无磁阻,在>2Tesla磁场下有很小可以忽略的负磁阻。传感器的安装方向与磁场无关。特别适合在强磁场环境下使用


温度范围:

2.0 K to 273 K(校准型可到50mK)


标称灵敏度 dR/dT:

17,390 Ohms/ K@ 2.0K

11,060 Ohms/ K@ 4.2K

1,400 Ohms/ K@ 20K

162 Ohms/ K@ 77K

91 Ohms/ K@ 100K

18 Ohms/ K@ 273K


标称电阻:

239k Ohms @ 2.0K

205k Ohms @ 4.2K

139k Ohms @ 20K

112k Ohms @ 77K

109k Ohms @ 100K

101k Ohms @ 室温


传感器精度:

RO-105氧化钌温度传感器分为非校准型、标准型和校准型三类,供客户选择
非校准型:

±0.3K @ 4.2K


标准型:

A

AA

± 0.10K @ 4.2 K

± 0.10K @ 4.2 K

± 0.75K @ 77 K

± 0.50K @ 77 K

± 20.0K @ 273 K

± 15.0K @ 273 K

校准型:

0.050 K to 0.15 K = ± 0.005 K

0.150 K to 1.50 K = ± 0.010 K

1.500 K to 4.20 K = ± 0.025 K

4.200 K to 20.0 K = ± 0.050 K

2 K to 4.2 K = ± 0.050 K

4.2 K to 20 K = ± 0.050 K to 0.1K

20 K to 80 K = ± 0.1 K to 0.2K

80 K to 100 K = ± 0.1 K to 0.41K

100 K to 273 K = ± 0.4 K to 1K


校准范围:


D1:2.0 K to 20 K

G1:2.0 K to 100 K

GG1:2.0 K to 273 K

H:4.2 K to 20 K

L:4.2 K to 100 K

LL1:4.2 K to 273 K



封装形式



典型用户:


中科院物理所

中科院合肥物质科学研究院

北京航空航天大学

中国科学技术大学

中科院合肥物质科学研究院

中国科学院大连化学物理研究所

清华大学

山东大学

华南理工大学

北京大学

北京大学

浙江大学

西安交通大学

香港大学

人民大学

东南大学

香港浸会大学

兰州近物所

山东大学

复旦大学

中国科学技术大学  

中国科学技术大学

浙江大学

西安交通大学

复旦大学

中科院物理所

复旦大学物理系

上海大学

北京大学

复旦大学物理系

北京邮电大学

中国科学院上海应用物理研究所

中科院物理所

中国科学技术大学

中科院合肥物质科学研究院

北京大学

中科院物理所

北京理工大学

云南大学

北京工业大学

福建物质结构研究所

中科院物理所

山西大学物理电子工程学院

厦门大学

北京师范大学

上海交通大学

北京大学

清华大学

中山大学

南京大学

南京大学

清华大学

中科院理化所

复旦大学

香港中文大学

南京大学

复旦大学

北京大学

中科院物理所

扬州大学

中科院理化所

北京工业大学

广东工业大学