参数:
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
Parameter:
Sheet Resistance: <600Ω/sq
Custom Order: <300Ω/sq
Transparency: >95%
Preparation Method:
1) Copper based graphene is prepared by CVD method.
2) Graphene is transferred from copper to silicon substrate.
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