砷化镓（GaAs）窗片

砷化镓（GaAs）窗片

GaAs的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓在远红外光学和透镜系统中具有专门的应用。

产品参数：

传输范围：               1?16μm（1）

折射率：             3.2727 @10.33μm（1）

反射损失：              44％@10.33μm

吸收系数：                0.01cm ^-1

吸收峰：                      n / a

dn / dT：              147 x 10^-6/°C @ 10  μm (4) for derivation

dn /dμ= 0：                  6.3μm

密度：                      5.315g / cc

熔点：                         1511℃

热导率：                 48 W m^-1 K^-1 @ 273K (2)

热膨胀：                5.7 x 10^-6 /°C at 300K (3)

硬度：                        Knoop 750

比热容：                    360 J Kg-1 K-1

介电常数：                在低频下为12.91

杨氏模量（E）：                84.8GPa

剪切模量（G）：                 n / a

体积模量（K）：                75.5GPa

弹性系数：                      n / a

表观弹性极限：                71.9 MPa

泊松比：                         0.31

溶解性：                       不溶于水

分子量：                        144.64

类/结构：              立方ZnS，F43m，（100）裂解

折射率：

No = Ordinary Ray

产品规格：