背散射电子衍射装置

电子背散射衍射EBSD在扫描电子显微镜下通过对多种材料物理属性有影响的晶体结构表征用以做微区纳米结构分析，特别是当它与微区能谱和波谱配合形成一体化综合分析时，其渐已成为电子显微实验室中常规的分析手段之一。 一体化作为Thermo Scientific NORAN System 7微区分析系统的卓越部分，Thermo Scientific QuasOr EBSD可使操作者轻而易举地在不影响EBSD采集速率的同时娴熟地采集能谱全谱图像和波谱数据。经由一个界面完成EBSD、能谱、波谱设置、采集、分析的便捷操控，避免了多个应用程序间繁琐的切换。全部分析数据（EBSD、EDS、WDS）连同对应的分析参数存储为一个项目文件中，便于数据管理及脱机分析。高效率QuasOr EBSD以便捷地操控和高速、完备的数据采集大幅提升了实验室工作效率！QuasOr EBSD以Thermo Scientific NORAN System 7微区分析系统为基石，和能谱、波谱在同一个操控界面进行数据采集、分析，便捷地操控方式使得用户省心、省时！采用引导式设计的EBSD校准和采集设置模式，使得用户快捷地经由必要的设定和步骤，节省时间。高速相机在采集EBSD花样时同步采集NORAN System 7能谱的全谱图像，在最短的时间内获得样品的微观结构和成分数据。便捷地一键即可全面、同步进行全谱图像采集，收集每个像素点的形貌和成分信息而无需对元素或线系进行预设。作为NORAN System 7微区分析系统的卓越部分，所有分析数据都可以一键转换为Word文档报告或者直接打印。Thermo Scientific NORAN System 7微区分析平台的用户实验室中可以按照实际需要安装多套完整的分析软件，用以脱机分析处理数据，有效提高电镜的使用效率，切实提高电子显微实验室资源利用效能！

GeminiSEM 系列产品高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镜为对任意样品进行高水准的成像和分析而生蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息，其创新设计的NanoVP可变压力模式，甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉；更强的信号，更丰富的细节GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息，尤其在低的加速电压下，在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像。经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号，助您快速地获取清晰的图像，并使样品损伤降至更低；在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度，二次电子图像分辨率1 kV达0.9nm，500 V达1.0 nm，无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像，为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息；应用样品台减速技术-（Tandem decel），可在1 kV下获得高达0.8nm二次电子图像分辨率；创新设计的可变压力模式-NanoVP技术，让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉。洞察产品背后的科技Gemini电子光学系统Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发展如今，扫描电子显微镜（SEM）在低电压下的高分辨成像能力，已成为其在各项应用领域中的标准配置。低电压下的高分辨率成像能力，在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色：电子束敏感样品不导电样品获取样品极表面的真实形貌信息Gemini的革新电子光学设计，应用高分辨率电子枪模式、Nano-twin lens物镜(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel样品台减速技术（选配），有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度。高分辨率电子枪模式：缩小30%的出射电子束能量展宽，有效地降低像差；获得更小的束斑。Nano-twin lens物镜： 优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率； 提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。Tandem decel样品台减速技术，进一步提高对适用样品在低电压甚至极低电压下的分辨率：Tandem decel减速技术将镜筒内减速和样品台偏压减速技术相结合，有效地实现低着陆电压；使用1 kV及以下更低电压时，镜筒内背散射探测器的检测效率获得更好地增强，低电压下的分辨率得到进一步提高。对适用的样品可以加载高达-5 kV的样品台偏压，在低电压下获得更高质量的图片优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率；提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。技术参数：基本规格蔡司 GeminiSEM 500热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h加速电压0.02 - 30 kV探针电流3 pA - 20 nA（100 nA配置可选）存储分辨率最高达32k × 24k 像素放大倍率50 – 2,000,000标配探测器镜筒内Inlens二次电子探测器样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器可选配的项目NanoVP可变压力模式高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中）局部电荷中和器镜筒内能量选择背散射探测器环形STEM探测器（aSTEM 4）EDS能谱仪EBSD探测器(背散射电子衍射)可订制特殊功能样品台环形背散射电子探测器阴极射线荧光探测器

QUANTAX EBSD 系统加上广受欢迎的 OPTIMUS TKD 探测器，是 SEM分析纳米材料中的理想化解决方案。原因如下：提供 1.5 nm 的空间分辨率在不影响速度和/或数据质量的情况下以低测试电流进行测试在使用浸入式透镜模式的超高分辨 SEM 下工作的仅有的 TKD 解决方案全自动内置 ARGUS 成像系统

QUANTAX ED-XS 是一款为紧凑型电镜设计的EBSD-EDS系统：可搭配在紧凑型SEM和台式扫描电镜用户可自行更换探头经济实惠的服务合同选项可实现EBSD和EDS数据同步采集易于使用的 EBSD：无需校准并且用户可自行更换磷屏安全操作：不使用时，e-Flash XS 与SEM 仓室内的其它仪器发生意外碰撞的可能性为0%

专用扫描透射显微镜HD-2700，配备了与德国CEOS GmbH公司（总经理Max Haider先生）共同开发的球差校正仪，显著提高了扫描透射电子显微镜的性能，更适合高级纳米技术研究。由于球差校正系统校正了限制电子显微镜的性能的球差，使其与标准型号显微镜相比，分辨率提高了1.5倍，同时，探针电流提高了10倍。最近，该显微镜还配备了高分辨率镜头和冷场发射电子枪，进一步提高了图像分辨率和电子束能量分辨率。同时，该型号系列还增加了一款不带球差校正的主机配置，可以以后加配球差校正进行升级。 特点 高分辨率扫描透射电子显微镜成像 HAADF-STEM图像0.136nm，FFT图像0.105nm（高分辨率镜头（*）） HAADF-STEM图像0.144nm（标准镜头） 明场扫描透射电子显微镜图像0.204nm（w/o球差校正仪） 高速，高灵敏度能谱分析：探针电流× 10倍 元素面分布更迅速及时 低浓度元素检测 操作简化 自动图像对中功能 从样品制备到观察分析实现无缝连接 样品杆与日立聚焦离子束系统兼容 配有各种选购件可执行各种评估和分析操作 同时获取和显示SE&BF, SE&DF, BF&DF, DF/EDX面分布（*） 和DF/EELS面分布（*）图像。 低剂量功能（*）（有效降低样品的损伤和污染） 高精度放大校准和测量（*） 实时衍射单元（*）（同时观察暗场-扫描透射电子显微镜图像和衍射图案） 采用三维微型柱旋转样品杆（360度旋转）（*），具有自动倾斜图像获取功能。 ELV-3000即时元素面分布系统（*）（同时获取暗场-扫描透射电子显微镜图像）（*） 选购件技术指标 HD-2700球差校正扫描式透射电子显微镜项目描述图像分辨率w/o球差校正仪保证 0.204nm（当放大倍数为4,000,000时）w球差校正仪保证 0.144 nm（当放大倍数为7,000,000时）（标准镜头）保证 0.136nm（HAADF图像） 保证0.105 nm（通过FFT）（当放大倍数为7,000,000时）（高分辨率镜头（*））放大倍数100倍 至 10,000,000倍加速电压200 kV, 120 kV （*）成像信号明场扫描透射电子显微镜：相衬图像（TE图像） 暗场扫描透射电子显微镜：原子序数衬度图像（Z衬度图像） 二次电子图像（SE图像） 电子衍射（*） 特征X射线分析和面分布（能谱分析）（*） 电子能量损失谱分析和面分布（EV3000）（*）电子光学系统电子源肖特基发射电子源冷场致发射器（*）照明透镜系统2-段聚光镜镜头球差校正仪（*）六极镜头设计扫描线圈2-段式电磁感应线圈原子序数衬度收集角控制投影镜设计电磁图像位移± 1 &mu m试片镜台样品移动X/Y轴 = ± 1 mm, Z轴 = ± 0.4 mm样品倾斜单轴-倾斜样品杆：± 30° （标准镜头）, ± 18° （高分辨率镜头（*））真空系统 3个离子泵，1个TMP极限真空10-8 Pa（电子枪）, 10-5 Pa（样品室）图像显示个人电脑／操作系统PC/AT兼容, Windows® XP监视器19-inch液晶显示器面板图像帧尺寸640 × 480, 1,280 × 960, 2,560 × 1,920 象素扫描速度快扫，慢扫（0.5至320秒／帧）自动数据显示记录序号，加速电压，下标尺，日期，时间 （*） 选购件

高温BSE背散射电子探测器品质优秀的高温BSE背散射电子探测器。适用于高温环境应用的BSE背散射电子探测器。技术优势可自由转换原子序数灰度图像和Z轴结构灰度图像直观显示样品中不同取向的纹理结构有效区分由于原子序数不同和样品结构不同造成的亮度对比。为更高效分析技术提供有力支持通过信号混合技术提供彩色样品图像选用样品图像重构软件，用户可准确测量样品高度信息技术特征原位前级放大器，实现最小噪音和最高速度同步四通道传输提供样品成分和结构灰度对比技术参数传感器类型：电子吸收探测（EAD）技术传感器规格：外径9或12mm传感器灵敏度：最小加速电压 10eV前级放大器结构：原位4通道前级放大器增益：106 或107 或108 V/A电子连线：10 pin LEMO电子连接器：DSub 9-pin （出厂设置）探测器速度：最小驻留时间16 μs探测器结构：极靴或者插拔式机械系统充分满足用户需求，敬请联络。

半人马座是一种闪烁型BSE或CL探测器，这种创新的产品除了BSE图像，仅仅更换一个可拆卸的探头，它可以转换为CL成像探测器。用很少的成本，便能获得额外的功能。n 闪烁体探测器n 可适用于大多数SEMs的低成本解决方案n 可交换的BSE或阴极发光（CL）n 高速视频速率成像n 手动插入和收缩BSE这种模式提供了图像对比度作为元素组成的函数，以及表面形貌的一个元素。背散射电子是由样品与入射电子束之间的弹性相互作用产生的。这些高能电子可以从比二次电子更深的地方逃逸，因此表面形貌并不像二次电子成像那样精确地分辨出来。Cathodoluminescence (CL)CL成像广泛应用于地质、矿物学、陶瓷材料研究和发光材料开发。半人马座能够产生发光材料的高分辨率的阴极发光（CL）图像。使用用户可交换的金刚石转向反射器尖端单色CL图像可以很容易地收集和反馈到SEM辅助视频输入。该光电倍增管也可以被交换，以选择一个特定的波长范围，灵敏度可从紫外到深红外在185nm~1200nm。应用领域：n 相位对比成像n 样品镀层成像n 与EDX探测器联用n 矿物、金属、半导体成像 背散射成像应用背向散射电子探测器产生的图像与对比度（灰色水平）作为元素组成的函数。这对于识别样品中的不同元素特别有用。它们通常用于半导体行业的成像结和寻找缺陷，在地质学中调查岩石成分，在建筑行业中用于监测混凝土成分。背散射探测器也是那些使用X射线微量分析的一个重要工具，通过帮助确定要分析的样本的特定区域。半人马座探测器将在从钨灯丝到高端场发射的所有类型的扫描电镜上取得良好的结果。阴极发光成像的应用CL阴极荧光可以提供关于矿物中所含的微量元素或晶体中机械诱导缺陷的产生的一般信息。也许更重要的是，对于地质背景，材料中CL的分布为晶体生长、置换、变形和来源等过程提供了基本的见解。这些应用程序包括：n 沉积岩中胶结和发育过程的研究n 沉积岩和中层沉积岩中碎屑物质的产生n 化石内部结构的细节n 火成岩和变质矿物的生长/溶解特征n 变质岩中的变形机理n 由于微量激活剂元素的差异，对同一矿物的不同一代的鉴别

反射高能电子衍射仪（Reflection High-Energy Electron Diffraction）是观察晶体生长最重要的实时监测工具。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。因此反射高能电子衍射仪已成为MBE系统中监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。　　R-DEC公司生产的反射式高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以及拥有高亮度的衍射斑点等特长得到日本国内及海外各研究机构的一致好评和认可。特长 ◆可远程控制调节电压，束流强度，聚焦位置以及光束偏转◆带有安全闭锁装置◆镍铁高导磁合金磁屏蔽罩◆拥有高亮度衍射斑点◆电子枪内表面经特殊处理，能实现极低放气率◆经久耐用，稳定可靠◆符合欧盟RoHS指令 　　低电流反射高能电子衍射仪（Low Emission Reflection High-Energy Electron Diffraction）是利用微通道板技术，大幅减少对样品损伤的同时，并且保证明亮反射电子衍射图像的新一代低电流反射高能电子衍射仪。可以用于有机薄膜材料等结晶结构的分析研究。特长◆大幅度减少电子束对样品的损伤（相当于普通RHEED的1/500-1/2800）◆带有安全闭锁装置◆搭载高亮度微通道板荧光屏◆可搭载差动抽气系统◆kSA400 RHEED分析系统兼容◆符合欧盟RoHS指令

用于透射电镜电子衍射的高性能探测器相机ASI的Chee-tah是一种适合于电子显微镜应用的混合像素探测器。Chee-tah卓越的灵敏度和速度为获得电子衍射、成像及断层扫描提供了可能性。Chee-tah 含有一个硅二极管传感器，硅二极管被分成512x 512或1024 x 1024的像素阵列。每个像素通过bump-bonds与集成在芯片上的读出电子器件相连，芯片位于传感器下方。每个像素的电子器件单独处理来自该像素传感器的信号。每个独立像素对其相应区域中检测到的事件进行计数和处理。闪烁体CCD探测器探测不到噪声量级的微弱信号，而Chee-tah可以获得。与其它类型的直接探测器相机比较，Chee-tah的动态范围很大，电子束灵敏度很高，常用于衍射实验。Chee-tah的高速特点使之成为观察动态过程和捕捉快速衰减信号的理想工具。探测器优点1）ASI的新型超高灵敏探测器提供了一种通过电子衍射研究微米和纳米尺度晶体的解决方案，并可安装在现有的透射电镜底部，或也可侧装。高灵敏度以及高读出速率及宽动态范围使得用户能够收集远超过CCD和CMOS相机所限制的数据。对(4D)STEM应用来说，这意味着能够对大面积进行快速扫描。2）多功能设计使我们的探测器向后兼容几乎所有的电子显微镜，也可进一步调整以满足用户新需求。3）X射线晶体学是测定蛋白质和其它光束敏感材料之原子结构常用的方法。要获得高分辨率的X射线数据，通常需要比较大的晶体。然而，在许多情况下，只生长出微米或纳米尺度的晶体。近期的研究结果表明，微米和纳米尺度晶体可以用TEM电子衍射来研究。应用领域能量分辨X射线计算机断层扫描快速生产线X射线检查电子显微镜质谱Chee-tah120TimepixChee-tah1800Timepix3RXChee-tah(event)Timepix3Pixels(55um)512 x 512 / 1k x 1k512 x 512 / 1k x 1k512 x 512Sensitive Area2.8 x 2.8 / 5.6 x 5.6 cm2.8 x 2.8 / 5.6 x 5.6 cm2.8 x 2.8 cmMax Speed120 Hz1800 / 425 Hz1.6 ns (500 MHz)Counter Depth13.5 bit12/24 bit14bitSensorsSi, GaAsSi, GaAsSi, GaAsConnection1 GB / 4 x 1 GBEthernet10 GB Ethernet10 GB EthernetOperationCounting, TOA, TOTCounting, CSMSimultaneous, TOA, TOT型号及配置荷兰ASI公司(Amsterdam Scientific Instruments B.V.)出品的Chee-tah系列用于TEM ED的光子计数型混合像素探测器相机有多种型号及配置可选：1）可选型号：Chee-tah120（Timepix技术，ToT、ToA等应用，帧频120f/s，阈值数1个）；Chee-tah 1800（Medipix3RX技术，CSM&SPM模式等应用，帧频1800f/s，阈值数1或2个）；Chee-tah(event)（Timepix3技术，ToT、ToA、光子时间戳、速度映射成像和符合成像等应用，可与同步加速器或自由电子激光等配套，时间分辨率1.6纳秒，超高速帧频500 MHz，阈值数1个）等。2）可选传感器材料类型：Si, GaAs, CdTe, ... 常用硅，可选砷化镓（高能量用途），碲化镉（更高能量用途）。3）可选传感器厚度：300um/500um/1000um（标配300um，高能量应用请选较厚的厚度）4）可选像素数：65k、262k、524k、1M、2M等不同活区面积。5）可选底装或侧装。上述总有一款及其配置适合您的TEM ED晶体学分析和结构解析以及X射线检测和成像应用，欢迎选购！

反射高能电子衍射仪（ReflectionHigh-Energy Electron Diffraction）是观察晶体生长最重要的实时监测工具。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。因此反射高能电子衍射仪已成为MBE系统中监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。　　R-DEC公司生产的反射式高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以及拥有高亮度的衍射斑点等特长得到日本国内及海外各研究机构的一致好评和认可。用于有机薄膜晶体结构检测。世界首创！欢迎来电询问详细技术资料！

电子衍射仪,微电子衍射仪,3D电子衍射仪ELDICO的专用电子衍射仪是一种非常先进的仪器概念，可用于分析纳米级固体化合物。Product & Technology电子衍射（ED）在科学和工业中正在获得发展。 ED在进行纳米晶体学研究中的应用是一项颠覆性的创新，它将打开令人着迷的新视野，尤其是化学，制药和高级材料研究领域所需的有机化合物。The ELDICO Electron Diffractometer 以更高的质量，更快的速度和更低的价格塑造晶体学的未来：电子加速衍射通过进入亚微米范围来消除晶体尺寸问题。ELDICO科学电子衍射仪旨在测量有机和无机化合物纳米范围内的样品，并旨在在大多数情况下实现分辨率高达0.84%，且至少60-70％的完整数据集的Rint20％。 这些数据通常将允许在75％的情况下进行结构求解和细化，使R1值降至10％。 晶胞测定可以精确到千分之一。在一篇有关晶体学和电子衍射的文章中[1]，电子，中子和同步辐射等新型晶体学方法的创新潜力得到了明确认识。 这些技术现在使研究以前无法获得的结晶固体的原子结构成为可能。 除了新型检测器系统的性能外，还得益于更高的计算能力以及包含一百万个晶体结构的剑桥结构数据库（CSD），从而可以以过去无法想象的方式使用数据。 文章强调了电子衍射的作用。作为主要（众所周知）瓶颈之一的足够大的晶体的可用性，作者认为电子衍射和量子晶体学具有巨大的潜力：当前的一项发展是通过电子衍射阐明纳米晶体分子化合物的结构 。 由于混合像素检测器与透射电子显微镜的结合，现在可以确定小到几十纳米的单晶结构。我们认为需要仍然非常昂贵（我们认为不太合适）的microED设备，该设备主要是电子设备。

核心参数：DigiSTAR P2010 数字化旋进电子衍射控制器&bull 适合于任意 200-300kV 透射电镜 &bull 电子束的旋进和扫描不依赖于电镜STEM附件,有无STEM附件均可 安装时可选择工作于 TEM 或 STEM 模式；&bull 电子束旋进角范围：0 ~ 2.5° &bull 电子束旋进频率 : 场发射 TEM 典型值为 100/200Hz；安装Merlin 直接电子探测器后可提高到≥ 300Hz（取决于 TEM）；&bull 最小束斑 ≤ 2nm (FEG-TEM)；平行光模式和纳米束模式；&bull 电子束的旋进和去扫描控制可以单独控制和微调 &bull 电子束旋进过程中可以通过控制器独立实现电子束的微调和对中 &bull 旋进电子衍射控制器关闭后对电镜的所有参数均不产生影响。TopSPIN 旋进电子衍射扫描和数据采集软件平台&bull 使用所支持的光学相机和 / 或直接电子探测器实现虚拟 STEM/ 明场像 / 暗场像；&bull 多种扫描方式，如点、线、面；&bull 基本图像处理功能，如亮度直方图、Gama 调整、自动数据转移和图像输出等；&bull 集成旋进电子衍射工作模式；&bull 电子束旋进控制和自动合轴对中；&bull 相机常数辅助校准，畸变辅助矫正；&bull 电子束漂移矫正；&bull 为 ASTAR 优化的数据采集工作流程。ASTAR 纳米晶体取向和晶相分布分析软件&bull 电子束最小扫描步长：≤ 1 nm (FEG TEM)；&bull 空间分辨率 : ≤ 2 nm (FEG TEM) &bull 晶体取向分辨率 ≤ 1° &bull 使用 Merlin 1R 直接电子探测器 , 衍射花样采集速度可达 150 ~≥ 400 幅 / 秒（取决于 TEM） &bull 电子衍射花样模版生成系统包含所有晶系 &bull 电子衍射花样的识别和指标化全自动完成 &bull 自动完成晶体取向图、晶相分布图；&bull 虚拟明场像、虚拟暗场像 ( 可选一个或多个衍射斑点 )；&bull 孪晶、晶界、晶粒度、非晶化区域分析功能。STRAIN 纳米晶体应变分析软件&bull 空间分辨率≤ 3nm；&bull 应变分析精度≤ ±0.02% &bull 在旋进电子衍射条件下快速实现点、线、面分析。ADT-3D 电子衍射花样三维重构分析软件&bull 对序列旋进电子衍射花样 ( 样品倾斜范围 +/-40°或更大，倾斜步长 1° ) 进行三维倒易空间重构，确定晶体的单胞参数 ( 精度 2~3%)； &bull 对特殊晶体结构 ( 如孪晶和位错 ) 进行分析；&bull 对每个衍射斑点自动指标化并提取出其强度，然后使用标准的晶体学软件 ( 本系统未包含这些软件 ) 进行晶体学分析。产品介绍：旋进电子衍射原理示意图DigiSTAR/MerlinEM-1R 应用实例样品：Ti 合金。从左至右：虚拟明场像，相分布图 ( 红色α 相、蓝色 β 相 )，晶体取向图样品：Al-9nm/TiN-1nm 多层膜结构。上：ASTAR 取向图，红色层为 Al 层，绿色层为1nm TiN 层。下：ASTAR 取向图，1nm TiN 标示为黑色带。Si 基底上纳米 SiGe 层的应变分析

Symmetry S3 电子背散射衍射（EBSD）探测器是全能型 Symmetry 产品系列中的第三代探测器。S3将高速分析（ 5700 个花样每秒（pps））与百万像素相结合，确保更加优异的性能，满足各领域内科研的需要。 Symmetry S3 是一款各种类型的样品均能得到出色结果的全能型EBSD 探测器。无透镜光纤耦合相机系统，可在所有分析条件下，实现出色的灵敏度，从束流敏感材料的分析到常规样品的高速表征。高像素分辨率与有保证的亚像素花样失真水平相结合，使 S3 成为应变深入分析和高精度 EBSD 工作的理想选择，而软件控制的探测器倾转功能，确保了对每种尺寸和形状的样品，都能在优化的几何位置进行采集。 Symmetry S3探测器外观 直播回顾——答疑篇 牛津仪器于2022年9月8日，已经正式发布了Symmetry S3、C+系列 CMOS 探测器，以及花样匹配标定技术 MapSweeper。对于新品发布期间大家的提问，做出以下解答： 1 牛津CMOS EBSD的主要升级 Symmetry S3：最快速度从4500花样/秒升级到了5700花样/秒，此时花样分辨率可达156x128像素。其最大像素可达1244*1024。 C-Swift+：最快速度翻倍，从1000花样/秒升级到了2000花样/秒，适合大部分常规样品快速测试。 C-Nano+：最快速度从400花样/秒升级到了600花样/秒，适合常规样品及高分辨应用。 2 晶粒度的测量 随着 Symmetry S3 速度的提升，晶粒度的测量速度越来越快，已经可以在1分钟内完成采集。按照国标、国际标准或美标，如果要得到有意义的晶粒度的数值，需要统计至少500个晶粒，且晶粒平均包含至少100个像素。 双相钢样品，EBSD 数据采集36秒，共采集到2352个晶粒，ASTM晶粒度：12.6 3 MapSweeper 功能 MapSweeper 是 AZtecCrystal 数据分析软件中的一个高级功能，可以单独购买升级。它主要利用花样匹配技术，对 EBSD 数据进行更精准的标定分析，能提高数据质量、甚至分析常规方法无法标定的花样。它需要用户在采集 EBSD 数据时，保存花样，然后导出至 AZtecCrystal 进行后处理分析。整个软件界面风格非常直观，采用 AZtec 软件一贯的风格，导航栏式的操作，非常容易掌握。对普通用户来讲，不需要了解花样匹配标定技术背后复杂的算法和数学公式，就可以直接使用花样匹配技术来解决应用问题，非常方便。 AZtecCrystal 软件的 MapSweeper 操作界面 4 MapSweeper 花样匹配的准确度 首先，MapSweeper 可以通过动力学方法模拟晶体的衍射花样，能准确模拟每条衍射带的强度分布，相比传统的花样模拟更真实。其次，通过花样匹配，MapSweeper总能在所有备选晶体结构中找到最佳的匹配花样，从而标定出相和取向。 MapSweeper 的精度很高，特别适合结构相似相的区分。常规基于霍夫变换的标定方法，只考虑了衍射带的强度、宽度、夹角等参数；而 MapSweeper 是全花样匹配，不仅考虑了低指数的衍射带，其他所有位置的衍射强度都会影响整个花样的匹配，因此在区分结构相似相时，考虑的因素更全面，更容易准确区分结构相似相。 利用 MapSweeper，有效改善了铁氧化物相似相的区分 5 MapSweeper 中表征花样匹配程度的R值 R值表示了实验花样和模拟花样之前匹配程度，值越高，代表匹配越好，其取值范围为。一般来讲，花样匹配较好时，R值大于0.25；R值低于0.1，则认为匹配太差而不可接受（零解）。R的定义，与经典的图像处理中，衡量两幅图像之间的相似程度的互相关系数（Cross-Correlation Coefficient）是一致的，只是在MapSweeper 中，将R值归一化到了。 Cu 的实验花样、模拟花样及两者之差，整个花样匹配度R值为0.8094

■技术参数分辨率：20nm(30kv,BSE Image) - 放大倍率:30x ~ 30,000x- 加速电压:5 ~ 30kV (5/10/15/20/30kV - 5 step)■图像背散射电子图像（BSEI），适用于非导体样品■规格 - 样品移动距离: X: 20mm, Y: 20mm,Rotation : 360° - 最大样品尺寸: 直径50mm-最大样品厚度: 20mm■系统结构 - 电子枪: 预对准钨灯丝 背散射电子图像 - 真空泵：旋转式真空泵100L/min涡轮分子泵80L/S抽真空时间2分钟内■设备主要构成 - 笔记本电脑1台- 电子扫描显微镜主体一台- 灯丝5个- 载物台15mmdia (10pcs/set)25mmdia (5pcs/set)15mm45° tilt(5pcs/set)15mm90° tilt(5pcs/set)

反射式高速电子衍射仪RHEED 制造商名称：R-DEC株式会社RDA-005G产品信息随着薄膜晶体生长技术的发展，反射高速电子衍射作为结晶评价的观察方法已成为不可或缺的手段。在RHEED中，大约10至30KeV的电子束通常以几度的浅入射角入射到样品表面，由于电子的波动性，电子束被晶格衍射，投影到对面的屏幕上，这是一种可以让您检查结构的设备。电子枪的特点紧凑的设计实现高亮度（与本公司相比120%）具有联锁安全机构标准配备磁屏蔽高耐用性和可靠性符合RoHS指令电源特点新增光束消隐功能数字控制提高稳定性设定值保存/恢复功能，可保存100种最佳条件设定值采用液晶显示，让您即时查看所有参数支持使用 k-Sapce 图像分析系统 (kSA 400) 进行原位分析绘画规格电子枪模型RDA-005G绝缘电压直流30kV光斑直径最小Φ90μm灯丝钨钢发夹韦纳特可变偏差聚焦镜空芯电磁透镜偏光镜片环形电磁透镜光束偏转X/Y：±8°磁屏蔽标准设备运营压力 1×10 -3 Pa单级差动排气型 1 Pa * )最高烘烤温度200℃安装法兰ICF70-FH尺寸Φ100 mm x 335 mm（455 mm 包括连接器）*选项：RDA-005G-DP电源模型RDA-006P加速电压-3 ~ -30 kV (纹波 15 V pp)发射电流高达 80 μA灯丝电源0 至 +2 V，高达 1.9 A偏置电源0 至 480 V 可变（纹波 5 m V pp）具有记忆功能的遥控器LCD显示：加速电压、发射电流、灯丝电流、　　　偏置电压、光束偏转（X/Y）、焦点（Z）互锁高压互锁装置电缆高压电缆5 m，遥控电缆7 m外部输入/输出模拟数字 I/O，兼容 kSA 400 喷枪控制输入功率交流100V尺寸EIA 4U 高 177 毫米 x 宽 482.5 毫米 x 深 450 毫米其他的符合 RoHS 标准RHEED 分析系统 kSA 400 　除了晶格间距、应变变化、薄膜生长速率、薄膜厚度和相干长度之外，您还可以通过 RHEED 衍射图像轻松监控评估/分析晶体薄膜表面所需的信息。除了分析获取的衍射图像和视频外，还可以对高速基板旋转期间获取的数据进行精确的原位分析。

自1998年以来，LK一直在全球范围内提供最先进的LEED低能电子衍射仪系统。RVL2000低能电子衍射仪(LEED)的精密反向LEED低能电子衍射仪光学元件采用所有UHV结构，无需使用玻璃纤维或聚合物涂层线束。提供完整系列的型号和选件，包括低电流（nA，pA）MCP型号。所有光学器件均采用4网格结构，以实现与俄歇电子能谱AES连用采用4格钨光学元件的精密结构微型1.59厘米直径电子枪103度可用视角0.5％的能量分辨率提供可伸缩光学元件（标准2英寸和最大4英寸缩回）安装法兰具有整体视口和电气穿通装置完全与UHV兼容（不使用聚合物涂层或玻璃纤维绝缘线）低噪音，高性能的俄歇电子设备，带有集成锁定放大器MCP版本的pA和nA电流水平全系列选项包括低调快门，CCD摄像头和软件，6英寸和8英寸外径法兰型号

■技术参数 - 放大倍率:100x ~ 60,000x- 加速电压:5 ~ 30kV (5/10/15/20/30kV - 5 step)■图像二次电子图像（SEI）背散射电子图像（BSEI）■规格 - 样品移动距离: X: 20mm, Y: 20mm,Rotation : 360° - 最大样品尺寸: 直径50mm-最大样品厚度: 20mm■系统结构 - 电子枪: 预对准钨灯丝 - 检测系统: 二次电子探测器- 真空泵：旋转式真空泵100L/min涡轮分子泵80L/S■设备主要构成 - 笔记本电脑1台- 电子扫描显微镜主体一台- 灯丝5个- 载物台15mmdia (10pcs/set)25mmdia (5pcs/set)15mm45° tilt(5pcs/set)15mm90° tilt(5pcs/set)

日本R-DEC株式会社RDA-006P反射式高速电子衍射仪电源产品信息随着薄膜晶体生长技术的发展，反射高速电子衍射作为结晶评价的观察方法已成为不可或缺的手段。在RHEED中，大约10至30KeV的电子束通常以几度的浅入射角入射到样品表面，由于电子的波动性，电子束被晶格衍射，投影到对面的屏幕上，这是一种可以让您检查结构的设备。电子枪的特点紧凑的设计实现高亮度（与本公司相比120%）具有联锁安全机构标准配备磁屏蔽高耐用性和可靠性符合RoHS指令电源特点新增光束消隐功能数字控制提高稳定性设定值保存/恢复功能，可保存100种最佳条件设定值采用液晶显示，让您即时查看所有参数支持使用 k-Sapce 图像分析系统 (kSA 400) 进行原位分析绘画规格电子枪模型RDA-005G绝缘电压直流30kV光斑直径最小Φ90μm灯丝钨钢发夹韦纳特可变偏差聚焦镜空芯电磁透镜偏光镜片环形电磁透镜光束偏转X/Y：±8°磁屏蔽标准设备运营压力 1×10 -3 Pa单级差动排气型 1 Pa * )最高烘烤温度200℃安装法兰ICF70-FH尺寸Φ100 mm x 335 mm（455 mm 包括连接器）*选项：RDA-005G-DP电源模型RDA-006P加速电压-3 ~ -30 kV (纹波 15 V pp)发射电流高达 80 μA灯丝电源0 至 +2 V，高达 1.9 A偏置电源0 至 480 V 可变（纹波 5 m V pp）具有记忆功能的遥控器LCD显示：加速电压、发射电流、灯丝电流、　　　偏置电压、光束偏转（X/Y）、焦点（Z）互锁高压互锁装置电缆高压电缆5 m，遥控电缆7 m外部输入/输出模拟数字 I/O，兼容 kSA 400 喷枪控制输入功率交流100V尺寸EIA 4U 高 177 毫米 x 宽 482.5 毫米 x 深 450 毫米其他的符合 RoHS 标准RHEED 分析系统 kSA 400 　除了晶格间距、应变变化、薄膜生长速率、薄膜厚度和相干长度之外，您还可以通过 RHEED 衍射图像轻松监控评估/分析晶体薄膜表面所需的信息。除了分析获取的衍射图像和视频外，还可以对高速基板旋转期间获取的数据进行精确的原位分析。

LVEM5 台式透射电子显微镜（Bench-top TEM） 详细介绍Delong Instruments 荣誉出品 • 世界唯一的小型台式透射电子显微镜（TEM）• 世界唯一的多用途台式电子显微镜• 透射电镜（TEM）、电子衍射（ED）、扫描电镜（SEM）、扫描透射电镜（STEM）四种成像模式• 分辨率：1.5nm（TEM）；10nm（SEM）• Schottky场发射电子枪：高亮度、高对比度• 观察生物样品无需染色• 体积仅为传统透射电镜1/10，操作维护简单 台式设计：体积小巧，灵活性高，价格低传统透射电子显微镜体积庞大，对放置环境有着严格的要求，并且需要制冷机等外置设备。通常会占据整间实验室。 LVEM5从根本上区别于传统电镜，尺寸较传统电镜缩小了90%，对放置环境无严格要求，无需任何外置冷却设备，可以安装用户所需的任意实验室或办公室桌面，是目前性价比最高的电子显微镜。Schottky场发射电子枪：高亮度/高对比度电子枪类型是决定电镜性能的重要参数。LVEM5采用特殊设计的倒置肖特基（Schottky）场发射电子枪，提供高亮度高相干的电子束。电子枪使用寿命可达2000小时以上。传统TEM多采用100kV以上电子束加速电压，高能电子束不能区分轻材料中相近的密度和原子序数，对于轻元素样品（C、N、O样品，生物样品）难以获得好的对比度，影响图像质量。LVEM5采用5kV低电压设计，低电压电子束对密度和原子序数有很高的灵敏度，对于小到0.005 g/cm3的密度差别仍能得到很好的图像对比度。例如，对20nm碳膜样品，5KV电压下比100KV电压下对比度提高10倍以上。而LVEM5的空间分辨率在低电压下仍能达到1.5nm。 未经染色的老鼠心脏切片在80kV透射电镜下得到的图像，与LVEM5下得到的图像。LVEM5采用5kV低加速电压，图像具有更好的对比度. TEM-STEM-ED-SEM 四种成像模式TEM模式LVEM5是世界上唯一的台式透射电子显微镜，同时也是唯一的低加速电压（5kV）透射电镜。同传统透射电镜（80-200kV）相比，增加了电子束与样品的相互作用，从而提高了图像对比度。 提高了图像对比度。 无需重金属染色即可观察轻元素样品（如生物样品）。 避免染色造成的假象，观察样品真实结构分辨率2nm，放大倍数 5000-202,000x，图像采集：2048 x 2048 添加TEM升级选件，分辨率提升至1.5nm，放大倍数 50万倍 SEM模式扫描电镜（SEM）模式可用于观察任意固体样品。在SEM模式下，LVEM5采用4分割背散射探测器，提供多个观测角度。普通扫描电镜在观察不导电样品时，需要对样品进行喷金、喷碳处理，以增加样品导电性。LVEM5的另一优点在于，无需喷金可直接观测不导电样品。分辨率10nm，放大倍数 640x - 100,000x，图像采集像素：2048 x 2048 STEM模式在扫描透射电子显微（STEM）模式下，电子束被聚焦到很小直径，在样品上进行扫描。可用于观察厚度较厚的样品或染色样品 ED模式电子衍射（ED）可用于确定样品的晶体结构、结晶度、相组成. 操作简单，换样快捷，成本低廉LVEM5直观的用户界面、简便的控制台设计，使用户仅需极少的培训，即可轻松操作。让用户在使用时更加舒适。不同于传统透射电镜每次更换样品后需要几十分钟的抽真空时间，LVEM5更换样品仅需3min，节省大量时间。LVEM5首次购置费用远低于传统电镜，且在一款仪器中集成了透射电镜与扫描电镜功能，真正的物超所值。LVEM5独特的设计优势，在使用中无需冷却水，无需专业实验室，维持成本极低。 应用案例

散射探测原理就是利用康普顿散射理论，X射线遇到不同物质会发生不同的散射，X射线遇到低原子序数物时，散射较强；遇到高原子序数物质时，散射相对较弱。手持背散射成像仪可用于包裹，汽车夹层、邮件等物品的安全检测，对有机物特别是低原子序数的样品比较敏感，比如dupin和爆炸物成像效果显著。手持背散射可用在海关缉私缉毒、边检缉毒、禁毒局缉毒、边检缉毒和查验走私夹带、反恐等领域。手持背散射成像仪特点1. 便携性：体积小巧可以携带至现场对样品进行检测 2. 对低原子数的样品比较敏感：dupin、爆炸物等 3. 同侧测试：测试方便，可以从不同角度对可疑物品进行检测 4. 辐射剂量小：对测试人员安全性有保障

Delong America Inc. 荣誉出品 LVEM5 低电压台式透射电子显微镜（Bench-top TEM） &bull 小型台式透射电子显微镜（TEM）&bull 多用途台式电子显微镜&bull 透射电镜（TEM）、电子衍射（ED）、扫描电镜（SEM）、扫描透射电镜（STEM）四种成像模式&bull 分辨率：1.5nm（TEM）；10nm（SEM）&bull Schottky场发射电子枪：高亮度、高对比度&bull 观察生物样品无需染色&bull 体积仅为传统透射电镜1/10，操作维护简单台式设计：体积小巧，灵活性高，价格低传统透射电子显微镜体积庞大，对放置环境有着严格的要求，并且需要制冷机等外置设备，通常会占据整间实验室。LVEM5从根本上区别于传统电镜，尺寸较传统电镜缩小了90%，对放置环境无严格要求，无需任何外置冷却设备，可以安装用户所需的任意实验室或办公室桌面，是目前性价比较高的电子显微镜。Schottky场发射电子枪：高亮度/高对比度电子枪类型是决定电镜性能的重要参数。LVEM5采用特殊设计的倒置肖特基（Schottky）场发射电子枪，提供高亮度高相干的电子束。电子枪使用寿命可达2000小时以上。传统TEM多采用100kV以上电子束加速电压，高能电子束不能区分轻材料中相近的密度和原子序数，对于轻元素样品（C、N、O样品，生物样品）难以获得好的对比度，影响图像质量。LVEM5采用5kV低电压设计，低电压电子束对密度和原子序数有很高的灵敏度，对于小到0.005 g/cm3的密度差别仍能得到很好的图像对比度。例如，对20nm碳膜样品，5KV电压下比100KV电压下对比度提高10倍以上。而LVEM5的空间分辨率在低电压下仍能达到2nm。 未经染色的老鼠心脏切片在80kV透射电镜下得到的图像，与LVEM5下得到的图像。 LVEM5采用5kV低加速电压，图像具有更好的对比度TEM-STEM-ED-SEM 四种成像模式TEM模式LVEM5是一款台式透射电子显微镜，同时也是一款低加速电压（5kV）透射电镜。同传统透射电镜（80-200kV）相比，增加了电子束与样品的相互作用，从而：+ 提高了图像对比度+ 无需重金属染色即可观察轻元素样品（如生物样品）+ 避免染色造成的假象，观察样品真实结构分辨率2nm，放大倍数 5000-202,000x，图像采集：2048 x 2048添加TEM升选件，分辨率提升至1.5nm，放大倍数 50万倍SEM模式扫描电镜（SEM）模式可用于观察任意固体样品。在SEM模式下，LVEM5采用4分割背散射探测器，提供多个观测角度。普通扫描电镜在观察不导电样品时，需要对样品进行喷金、喷碳处理，以增加样品导电性。LVEM5的另一优点在于，无需喷金可直接观测不导电样品。分辨率3nm，放大倍数 640x - 1,000,000x，图像采集：2048 x 2048STEM模式在扫描透射电子显微（STEM）模式下，电子束被聚焦到很小直径，在样品上进行扫描。可用于观察厚度较厚的样品或染色样品ED模式电子衍射（ED）可用于确定样品的晶体结构、结晶度、相组成操作简单，换样快捷，成本低廉LVEM5直观的用户界面、简便的控制台设计，使用户仅需很少的培训，即可轻松操作。让用户在使用时更加舒适。不同于传统透射电镜每次更换样品后需要几十分钟的抽真空时间，LVEM5更换样品仅需3min，节省大量时间。LVEM5次购置费用仅为传统电镜的1/3左右，且在一款仪器中集成了透射电镜与扫描电镜功能，真正的物超所值。LVEM5特的设计优势，在使用中无需冷却水，无需专业实验室，维持成本低。部分测试数据 TEM：碳纳米管 ED：ZnO单晶 STEM：聚乙烯单晶 SEM：水凝胶 应用案例材料领域 生物领域用户列表LVEM5在全球范围已拥有麻省理工、加州大学、乔治亚理工、慕尼黑大学、曼彻斯特大学等50多个用户。优异的性能为LVEM5赢得了用户的一片赞誉。

原位高温背散射探测器——原位高温背散射成像解决方案原位高温背散射探测器作为提升先进高温原位电镜成像的潜力的专业解决方案，通过集成四分割背散射检测器结合定制的电子、机械和软件，为原位高温成像提供优质的背散射成像效果。探测器结构图：定量原位实验解决方案: 在高温、有环境气体存在的情况下成像和精确表面测量。主要技术特色1）四分割探测器:・ 4个镀碳金属电极・ 每个电极都有各自的原位前置放大器・ 可调节的偏置电压适用于所有・ 适用于几乎所有SEM机型四分割背散射探测器结构示意图 2）专门针对高温成像优化：l采用对热样品不敏感电极设计；・ 热电子通过探测器偏压进行过滤；・ 最高温度仅受辐射加热的限制；・ 与激光加热实验兼容3）可定量测量:・ 出厂精准矫正增益、偏置等参数；・ 信号放大不受温度影响；・ 结合SEM ( DISS6 )和COMPO校准样品的扫描控制器，精准测量收集到的电流信号不同加速电压下获取不同元素精确信号值 4）易于清洁：・ 探测器前端采用易拆卸设计・ 电极可根据需要进行清洗和重新镀膜・ 易拆卸螺钉固定方式・ 可提供各种电极涂层选择5）强大表征分析能力： ・ TOPO和COMPO的混合在检测器硬件中完成；・ 4分割信号设计可实现样品表面形貌重构；・ 结合SEM扫描控制器( DISS6 )和TOPO校准样品测量表面高度/形貌基于4分割背散射探测器对样品表面形貌进行精准分析

手持式背散射成像仪-中国总代理新一代手持式背散射成像仪PX1PX1手持式背散射成像仪是新一代手持式背散射扫描产品拥有创新通讯技术，具备先进的检测软件， 能够透过任何表面和材料扫描识别金属和有机化合物。PX1 手持式背散射成像仪为手持式一体化设计，安装电池，打开电源即可使用，扫描过程无需背景板、PDA等其他设备，可扫描常规设备难以检测的地方，尤其适用于检测墙壁、车辆、船舶、飞机、包裹等；PX1 穿透能力强，可透过 4.5+mm厚的 钢、 铝、混凝土等表面发现隐藏的dupin、zhayao、 走私品等违禁品，图像清晰直观。PX1 可以拓宽工作人员的视野，实时成像，有效发现藏匿的违禁品，广泛用于公共安全、海关、边界管制、安保工作及文物考古等领域。应用场景适用领域公安 / 边防缉毒：快速扫描车辆轮胎、保险杆、车体外板和内饰，发现藏匿的dupin、qiangzhi等违禁品 , 手机实时互联让现场查缉更方便。 省界交汇 / 边防检查站：快速扫描嫌疑车辆、保险杆、车体外板、内饰和行李包裹，查看有无违禁品。 反恐应急安保：快速扫描可疑包裹、行包、汽车等，发现可能存在的危险品和违禁品。 海事缉查：快速扫描搜查船只隔板、舱壁、外壳藏匿的dupin、现金等。 贵宾和重大活动安保：快速扫描房间墙壁、家具、夹层、车辆，搜查可能隐藏的管制刀具、qiangzhi、有机爆炸物和监听装置等。 交通枢纽（机场 / 火车站）应急检查：快速扫描可疑包裹，突击检查，预防公共场所中潜在的恐怖威胁。 通用航空客机、轮船检查：扫描定位内饰、舱壁、支撑结构件里可能藏匿的违禁品。

反射式高速电子衍射仪RHEED 制造商名称：R-DEC株式会社RDA-005G、RDA-005G-DP反射式高速电子衍射仪RHEED日本R-DEC株式会社RDA-005G产品信息随着薄膜晶体生长技术的发展，反射高速电子衍射作为结晶评价的观察方法已成为不可或缺的手段。在RHEED中，大约10至30KeV的电子束通常以几度的浅入射角入射到样品表面，由于电子的波动性，电子束被晶格衍射，投影到对面的屏幕上，这是一种可以让您检查结构的设备。电子枪的特点紧凑的设计实现高亮度（与本公司相比120%）具有联锁安全机构标准配备磁屏蔽高耐用性和可靠性符合RoHS指令电源特点新增光束消隐功能数字控制提高稳定性设定值保存/恢复功能，可保存100种最佳条件设定值采用液晶显示，让您即时查看所有参数支持使用 k-Sapce 图像分析系统 (kSA 400) 进行原位分析绘画规格电子枪模型RDA-005G绝缘电压直流30kV光斑直径最小Φ90μm灯丝钨钢发夹韦纳特可变偏差聚焦镜空芯电磁透镜偏光镜片环形电磁透镜光束偏转X/Y：±8°磁屏蔽标准设备运营压力 1×10 -3 Pa单级差动排气型 1 Pa * )最高烘烤温度200℃安装法兰ICF70-FH尺寸Φ100 mm x 335 mm（455 mm 包括连接器）*选项：RDA-005G-DP电源模型RDA-006P加速电压-3 ~ -30 kV (纹波 15 V pp)发射电流高达 80 μA灯丝电源0 至 +2 V，高达 1.9 A偏置电源0 至 480 V 可变（纹波 5 m V pp）具有记忆功能的遥控器LCD显示：加速电压、发射电流、灯丝电流、　　　偏置电压、光束偏转（X/Y）、焦点（Z）互锁高压互锁装置电缆高压电缆5 m，遥控电缆7 m外部输入/输出模拟数字 I/O，兼容 kSA 400 喷枪控制输入功率交流100V尺寸EIA 4U 高 177 毫米 x 宽 482.5 毫米 x 深 450 毫米其他的符合 RoHS 标准RHEED 分析系统 kSA 400 　除了晶格间距、应变变化、薄膜生长速率、薄膜厚度和相干长度之外，您还可以通过 RHEED 衍射图像轻松监控评估/分析晶体薄膜表面所需的信息。除了分析获取的衍射图像和视频外，还可以对高速基板旋转期间获取的数据进行精确的原位分析。

手持式背散射检测仪是国内第一款高端的手持式X射线检测设备，产品采用X射线背散射成像技术并融合独特的X射线透射成像技术，一机两用、一键切换，可更高效满足安检、搜爆、安防、保密等多种任务查验需求。产品优势： 【智能识别 一机双能】采用背散射成像技术 + X射线透射成像技术，模式可选、一机两用，智能识别低原子序数有机物，有效突显爆炸物、危化品图像。黑白图像可升级双能彩色图像，查验更清晰。【手持设计 独家应用】国内独有的手持式集成设备，小巧轻便，可完成传统安检手段无法完成的查验任务，如查验汽车、墙体等，不只局限于单一应用场景。【超强穿透 无处可藏】24毫米超强穿透力，可穿透大多数查验目标物，高效发现藏匿的爆炸物、违禁品等，大大扩展了产品的应用范围；客户群覆盖特警、治安、反恐、特勤、边防、缉毒、保密、安全等单位。【无损检测 开机即扫】无损检测，避免损坏赔偿责任，操作简单，开机即扫，无需提前部署。【高清图像 多维算法】全新一代光学系统，超高清分辨率，更满足防爆执法需求；3种图像处理算法，提升查验效果。【安全使用 贴心防护】安全设计，有效隔绝辐射；4种安全措施（指示灯、提示标识、射线触发停止按键、以及其他产品没有的安全联锁保险设置），避免误发射线，确保使用人员安全；

手持式背散射检测仪中国总经销：工作原理：采用X射线背散射成像技术，同侧发射射线和接收信号实时成像，无需独立成像板。结构与设计：设备由X光源（140kV）、探测器、彩色触控显示屏、摄像头、闪光灯、辅助定位光源(激光)和内置电源（电池）一体式集成化，使用状态下无须其他任何外置组件。主机重量：3.7-4.7kg 操作系统与界面：安卓系统，中文菜单界面。穿透力：大于等于3.5-7.5毫米等效钢板。加装选配件后可穿透22毫米钢板。扫描速度：15cm/s-30cm/s；过慢或过快图像会变形。扫描时长：最长可单次连续扫描60秒，且15秒、30秒、60秒可选；便于针对不同长度的被检物体灵活选择。状态切换：通过按键可快速切换休眠状态与工作状态，休眠状态下设备处于待机状态，节省电量。电池工作时长：单块电池可持续工作4-6h。电池电量显示：可在显示屏和电池上显示电池电量信息。保护功能：具有操作权限管理功能，具有系统工作和射线发射指示灯，具有射线发射按键。激光定位扫描区域：两侧具有内置激光发射装置。被检物拍摄功能：设备前端内置摄像头，支持在检测过程中拍摄被检物图像；补光功能：设备前端内置补光灯，支持在检测过程中对被检物补光；辐射防护：距离检测仪正后方表面5cm处周围剂量当量率≤0.4μSv/h。辐射安全：设备具有多重安全保护措施：1）安全联锁控制系统：开机登录后，屏幕上会出现锁屏保险条，向右滑动保险条解锁后按下射线发射键才可发 射X 射线，松开射线发射键后，可快速停止发射X 射线；2）出束警示灯：在设备上方、左右方明显处均设置有警示灯，出束时红灯亮起；数据存储： 10,000扫描图像；软件功能：具备扫描、查看图像、直方图拉伸（亮度调节）、黑白色转换、图像比较、图像着色、可疑图像标记、图像存储、图像回放、图像放大、图像缩小、图像导入、图像导出等功能；具有拍照、闪光灯照明、休眠、图像分组管理、设备数据备份/还原、用户管理、语言切换等功能。先进图像处理功能：具有多种图像处理算法，更有助于查验人员高效判图：1）常规处理算法—对被检物体不做区分；2）高穿透处理算法—扫描高密度物质后突出显示其后藏匿的违禁品，如扫描车辆多部位；3）高分辨率算法—更清晰看到图像细节；联接能力：USB、无线WIFI、蓝牙、数据线；校准：设备每次开机扫描前无需校准。运行环境：-20摄氏度至60摄氏度；大气条件为不凝结。外壳防护等级：IP54,防尘、防溅水。 升级能力：1.设备可加装高清动态透射成像配件，可穿透22毫米钢板，图像清晰度接近便携式X光机，可查验的物品更多，大大提高查缉战果几率；2.设备可升级具备识别金属物质铅并可在屏幕上文字弹窗报警功能。犯罪分子经常用铅屏蔽违禁品，造成查缉遗漏。该功能可有效解决此问题。

GeminiSEM 系列产品高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镜为对任意样品进行高水准的成像和分析而生蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息，其创新设计的NanoVP可变压力模式，甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉；更强的信号，更丰富的细节GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息，尤其在低的加速电压下，在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像。经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号，助您快速地获取清晰的图像，并使样品损伤降至更低；在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度，二次电子图像分辨率1 kV达0.9nm，500 V达1.0 nm，无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像，为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息；应用样品台减速技术-（Tandem decel），可在1 kV下获得高达0.8nm二次电子图像分辨率；创新设计的可变压力模式-NanoVP技术，让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉。洞察产品背后的科技Gemini电子光学系统Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发展如今，扫描电子显微镜（SEM）在低电压下的高分辨成像能力，已成为其在各项应用领域中的标准配置。低电压下的高分辨率成像能力，在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色：电子束敏感样品不导电样品获取样品极表面的真实形貌信息Gemini的革新电子光学设计，应用高分辨率电子枪模式、Nano-twin lens物镜(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel样品台减速技术（选配），有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度。高分辨率电子枪模式：缩小30%的出射电子束能量展宽，有效地降低像差；获得更小的束斑。Nano-twin lens物镜： 优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率； 提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。Tandem decel样品台减速技术，进一步提高对适用样品在低电压甚至极低电压下的分辨率：Tandem decel减速技术将镜筒内减速和样品台偏压减速技术相结合，有效地实现低着陆电压；使用1 kV及以下更低电压时，镜筒内背散射探测器的检测效率获得更好地增强，低电压下的分辨率得到进一步提高。对适用的样品可以加载高达-5 kV的样品台偏压，在低电压下获得更高质量的图片优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率；提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。技术参数：基本规格蔡司 GeminiSEM 500热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h加速电压0.02 - 30 kV探针电流3 pA - 20 nA（100 nA配置可选）存储分辨率最高达32k × 24k 像素放大倍率50 – 2,000,000标配探测器镜筒内Inlens二次电子探测器样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器可选配的项目NanoVP可变压力模式高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中）局部电荷中和器镜筒内能量选择背散射探测器环形STEM探测器（aSTEM 4）EDS能谱仪EBSD探测器(背散射电子衍射)可订制特殊功能样品台环形背散射电子探测器阴极射线荧光探测器

一、产品概述：透射电镜（Transmission Electron Microscope, TEM）是一种高分辨率的显微镜，利用电子束穿透样品以获取其内部结构和微观特性的信息。TEM能够提供纳米级的分辨率，广泛应用于材料科学、纳米技术、生物学和化学等领域。二、设备用途/原理：设备用途TEM主要用于研究材料的晶体结构、缺陷、相变及其他微观特性。它在金属、陶瓷、半导体及生物样品的分析中发挥着重要作用，常用于材料的成分分析、晶体取向测定以及纳米结构的形貌观察。工作原理TEM的工作原理是通过加速电子束穿透极薄的样品。电子束在样品中与原子相互作用，产生衍射和散射现象。透过样品的电子被收集并形成图像。TEM通常配备多种成像模式，如明场、暗场和电子衍射，以提供样品的不同信息。由于其高分辨率，TEM能够揭示样品的细微结构和化学成分，为科学研究和材料开发提供关键数据。三、主要技术指标：1. 配备了高灵敏度sCMOS相机、超广视野的蒙太奇系统以及光学显微镜图像的联动功能，是一款新型的高通量、高分辨率 的120kV透射电子显微镜2. TEM分辨率 (nm)：0.143. 加速电压：10 ～ 120kV4. 倍率 （TEM）：×10～1,500,0005. 样品倾斜角：Tilt-X ±70°(高倾斜样品杆)6. 多样品装填数：4

Phenom Pharos 台式场发射扫描电镜因其多功能性和卓越的成像性能赢得了良好的口碑 —— 即使是在传统较难观测的样品中也表现优异。直观的用户界面有助于将高分辨率图像呈现给用户， FEG 场发射电子源在 1-20kV 的加速电压范围内都提供了高分辨率。Phenom Pharos-STEM 扫描透射电子显微镜，配备了 STEM 样品杯，从另一个维度提高了其成像能力和应用的多样性。作为全球唯一台式 Phenom Pharos-STEM 扫描透射电子显微镜，在较低的加速电压下，减少了电子束对样品的损伤，显著提高了图像的衬度。在台式扫描电镜下即可快速获得高分辨的 BF 像、DF 像、HAADF 像，且支持用户自定义成像。Pharos STEM 样品杯为材料领域的研究提供了高效、全面的表征方式。BF 像：主要是样品正下方同轴的探测器接收透射电子和部分散射电子。影响明场像衬度（Contrast）的主要因素是样品的厚度和成分。样品越厚，原子序数（Z）越大，穿透样品的电子越少，图像就越暗，因此 BF 像对轻元素（Z 较小）比较敏感。DF 像：主要是样品下方非同轴位置的探测器接收散射电子信号。HAADF 像：主要是接收高角度的非相干散射电子信号。原子序数（Z）越大，散射角也越大，原子核对入射电子的散射作用越强，图像上更亮。因此又被称为 Z 衬度像。三种成像模式各有特点，具有不同的成像优势，可以根据样品情况搭配使用，成像结果进行互相验证。烟草花叶病毒的BSE 像、BF 像、 DF 像和 HAADF 像对比扫描电镜的背散射电子图像（BSE），杆状的烟草花叶病毒在 BF 模式下更加直观。BF 模式更适合观察轻元素（Z 较小），轻元素散射作用较弱，因此在 HAADF 模式下较难清晰观测细节。而杆状烟草花叶病毒周围较厚的脂质球，电子较难穿透，BF 像上相对较暗。在 DF 模式下，密度较大的脂质球表现出较强的衍射，因此在 DF 像上相对较亮。规格参数：系统兼容：Phenom Pharos G2 台式场发射扫描电镜样品兼容：ø 3mm TEM 载网（夹具固定）成像时间： 40 s*成像模式：BF、DF、HAADF、 自定义**成像工作流程：固定的 WD，设置最优的探测器 ，完全集成的 UI真空度：0.1, 10 & 60 Pa分辨率：优于 1 nm* 加载样品到呈现图像的时间** STEM 具有 11 分割探测器，用户可以对其进行自定义选择具体详情以Phenom Pharos-STEM 扫描透射电子显微镜产品资料为准

手持式背散射成像仪-中国总代理新一代手持式背散射成像仪PX Ultra 160keV新一代实时查验技术更高能量，更强穿透 穿透160 keV和专利光学系统，允许穿透更多材料，看到更大的深度。减少不确定性通过手持式设备发现潜在风险，保证人员安全。即时高效便于携带，图像高清，提高检查效率。完成使命通过科技创新，保护社会免受威胁。