单晶铁与单晶硅

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

FKS3351ND进口单晶硅压力变送器描述 美国FAWKES（福克斯）FKS3351ND单晶硅压力/差压变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度、压力，然后将其转变成4-20mA HART电流信号输出，也可与BST9900、HART375或BST Modem相互通信，通过他们进行参数设定、过程控制FKS3351ND进口单晶硅压力变送器特点： 工业级精度 稳定准确，精度可达0.075级 量程覆盖 双保护膜片 稳定性能优越 阻尼可调，耐过压性强 使用寿命长，是普通扩散硅压力的2倍以上，稳定性强FKS3351ND进口单晶硅压力变送器： 产 品 名 称：FKS3351ND单晶硅压力变送器 测 量 类 型：压力/差压/绝压 测 量 范 围：0~160pa-40MPa准 确 度 等 级：0.1级、0.2级、0.5级 膜 片 材 质：316L/钽膜片/ 蒙乃尔膜片 /哈氏合金膜片 显 示 类 型：LCD显示 输 出 类 型：4-20MA /4-20MA+HART/1-5V/ RS485防 爆 类 型：普通型/隔爆型ExdIⅡICT6 Gb/本安型ExialICT6 Ga接 线 方 式：M20X1.5 1/2NPT G1/2内螺纹 安 装 支 架：管装弯支架/板装弯支架/板装平支架FKS3351ND进口单晶硅压力变送器电路接线

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

北京昆仑海岸自主研发的JYB-810DC系列单晶硅智能差压变送器，高精度抗高温耐低温、防腐蚀、抗高酸高减。隔爆许可：Ex dIICT6；本安许可：Ex iaIICT6；适用于燃气、石油、、石化、LNG、CNG的监测以及长输管道的运输； 差压变送器中心传感单元采用全球名列前茅的高精度硅传感器技术，±0.075%精度，高可达±0.05%的铂金级精度微差压变送器采用全球前列的双过载保护膜片专利技术，高可达±0.075%的高精度。 差压变送器工作压力分为16MPa、25MPa和40MPa 三档，单向过载压力高到40MPa；差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场场静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，静压性能非常好，静压误差非常优；≤±0.05%/10MPa；传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温度性能佳，≤±0.04%/K；全不锈钢316L硅油充灌焊接密封结构；微量程表压/绝压变送器采用全球前列的无传压损耗过载保护膜片专利技术，单向过压高达7MPa，即满量程1166倍；稳定可靠，长期漂移为±0.1%/3年，10年免维护；非常宽的测量范围100Pa～60MPa（高可扩展至60MPa）高100:1的可调节量程比； EMC符合GB/T18268.1-2008标准要求；远传变送器采用先进的高温专利技术，可应用于400℃高温测量场合；覆盖全系列的卫生型设计技术，应用范围非常广。

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。借助用于直径测量的相机系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。提供适合工厂需求的真空泵和除尘器 (SiO) 系统。产品数据概览:最大晶棒直径： 4英寸晶棒长度： 最长300 毫米装料容量： 高达5公斤热场： 10英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

单晶铁石榴石YIG球体和立方体铁石榴石球体和立方体（单晶YIG）具有低衰减和很高的品质因数！单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品描述：昊量光电全新推出的单晶铁石榴石YIG球体和立方体，十多年来，matesy一直在制造具有高Q值的低衰减单晶铁石榴石球体，用于商业微波应用。单晶铁石榴石YIG球体和立方体设计与功能:单晶材料通常由高温溶液（助焊剂熔体）生长而成。将单晶切成薄片，然后切成立方体，以产生直径约为 0.25 毫米的光学抛光球体。然后将它们四舍五入成球体，并进行蕞高质量的蕞终表面抛光。球体的饱和极化（4pMs）取决于抗磁性离子取代的程度。matesy 目前提供 4pMs YIG 立方体和 1600 ± 80 G 的球体，铁磁共振线宽 ΔH 的典型 FWHM 小于 1.5 Oe。单晶铁石榴石YIG球体和立方体技术规格：铁磁共振线宽ΔH的典型FWHM小于1.5 Oe4pMs von 1600 ± 80 G球体直径： 0.25 mm立方体尺寸：0.5 mm 边缘长度单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品亮点：低缺陷单晶确定每个球体的饱和磁化强度单晶铁石榴石YIG球体和立方体优势：低衰减高 Q 值YIG薄膜应用领域：钇铁石榴石 （YIG） 单晶主要用于构建微波振荡器（YIG 振荡器）和滤波器，这些振荡器和滤波器可以通过外部磁场进行频率调谐。YIG球体被用作这些固态谐振器中的频率决定元件。产品详细信息可联系我们或下载数据资料！更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用*广泛,*重要的基片材料之一。目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的**物理性质, 直径为3英寸,上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, *下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上，此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。 技术参数 产品应用 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽,功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。信息存储领域, 可实现高密度信息存储。电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

产品名称：单晶靶材 产品简介：我公司是各种靶材的专业生产商。可为光学镀膜、半导体、磁数据存储，玻璃，机械加工等镀膜企业和科研院所提供高品质（高纯度、高致密度、单相性好）的靶材。不仅满足了国内科研院所及相关企业的需求，而且远销至美国、德国、日本、韩国、新加坡等国家和地区，并得到客户的称赞和信赖。欢迎来函来电定购。本公司生产的单晶靶材由单晶棒制作，质量可靠，为广大用户理想选择。 具体信息：材料纯度相对密度最大直径Al2O34N100%4"CaF24N100%2"GaAs5N100%2"GaP5N100%2"LaAlO34N100%3"LiNbO34N100%3"LiTaO34N100%3"MgO4N100%2"SrTiO34N100%1"SiO24N100%4"Si5N100%6"Ge5N100%4"YSZ4N100%2"

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

1. 产品概述凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精细的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。2. 特色参数高效的刻蚀速率低购置成本为腐蚀性的化学成分而设计出色的刻蚀均匀性适用于蓝宝石的静电压盘技术蓝宝石和硅上的GaN高导通抽气系统可与其它PlasmaPro系统集成主动冷却电 - 在刻蚀过程中保持样品温度。高功率ICP源 - 产生高密度等离子体。可靠的硬件且易于维护 - 可保持长时间正常运转。磁场垫环 - 增强离子的控制和均匀性。静电压盘技术 - 适用于蓝宝石，以及蓝宝石和硅基的GaN。加热的腔室内衬 - 优化以减少腔壁沉积。先进的自动匹配单元（AMU） - 提供快速，高效和准确的匹配，确保了工艺的高度精准重复性

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

应用材料范围：● 硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。MDPpro单晶、多晶晶圆和晶锭少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 上限通量: 240 bricks/day或720 wafers/day● 测试速度: 4 minutes，156×156×400 mm 标准晶锭● 寿命测试范围: 20 ns到几十ms● 产量提升: 1mm的切割标准156×156×400mm标准晶锭● 质量控制: 专为单晶或多晶硅等工艺和材料的质量监控而设计● 污染判断: 产生于坩埚和生产设备中的金属污染 (Fe)● 可靠性: 模块化，坚固耐用的工业仪器，具有更高的可靠性和正常运行时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率：电阻率面扫功能，无需频繁校准应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试● 晶圆切割，熔炉监控，材料优化a.具有自动确定切割标准的多晶硅砖的寿命（τ）图b. 空间分辨p / n电导转换的检测c.多晶硅块的电阻率图

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

EVG301 Single Wafer Cleaning SystemEVG301 单晶圆清洗系统 研发型单晶圆清洗系统 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。 EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的R＆D型系统，适用于灵活的清洁程序和300 mm的能力。 EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 特征使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程 选件带有红外检查的预粘接台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米清洁系统：开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：最高3000 rpm（5秒内）超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：30-60 W去离子水流量：最高1.5升/分钟有效清洁区域：?4.0 mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：最大 2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）去离子水流量：最高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石；刷；材质：PVA

单晶炉自动化喷砂房的特点:炉体的仿型喷砂,环保除尘,不锈钢喷砂均匀无人工.单晶炉自动化喷砂房的功能:全自动化喷砂单晶炉自动化喷砂房用途:自动化全覆盖

产品介绍：单晶衍射仪Xtalab Pro系列可以适用于广泛的样品类型，从小分子结构到生物大分子结构。单晶X射线衍射仪主要应用了HPAD探测器。HPAD探测器技术产生了一个近乎完美的探测器，而且就一个单晶衍射来说，它扩大了信息收集速度、增强了收集有效信息的能力。。PILATUS 200K硅阵列（HPAD）探测器是XtaLAB PRO 里的标准探测器，它是基于同步光束在世界范围内被认可的的探测器。。探测器的这些显著特点确保了每一台单晶衍射仪都尽可能的搜集到最有效的数据。 特点：★无快门数据收集★极低噪音★卓越的点扩散函数★范围广泛的X射线源：微焦点密封管X射线光源，标准密封管X射线光源，标准转靶X射线光源， ★多种可供选择的配置

世界上先进的单晶定向设备典型样品的定向时间可以达到最快1秒样品三轴转角转角分辨率高转换台步长精度高样品尺寸大如有需求，需要更详细的信息，还请随时联系我司。

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

高精度光学浮区法单晶炉Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......应用领域：✔ 高温超导体✔ 介电和磁性材料✔ 金属间化合物✔ 半导体/光学晶体/宝石产品特点：✔ 占地空间小，操作简单，易于上手，立支撑设计✔ 镀金双面高效反射镜，加热效率更高✔ 可实现温度达2150°C✔ 稳定的电源✔ 内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置✔ 采用商业化标准卤素灯 光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。 浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。镜面系统 部分生长晶体Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.发表文章1. Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds, Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388.2. Enhanced stability of floating-zone by modifying its liquid wetting ability and fluidity for YBa2Cu3O7-δ crystal growth, Ceramics International，Volume 47, Issue 4, 15 February 2021, Pages 5495-5501.3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).4. 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能, 硅酸盐学报 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.5. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.国内合作用户，排名不分先后北京大学武汉大学中科院物理所吉林大学中科院硅酸盐所哈尔滨工业大学上海大学浙江师范大学南京大学浙江大学东南大学南方科技大学中科院宁波材料所曲靖师范学院西北工业大学

产品名称：?KH2PO4单晶 产品简介： Monopotassium Phosphate crystal is noted for its non-linearoptical properties. Used in optical modulators andfor non-linear optics such as second-harmonic generation (SHG)产品规格：100 10x10x0.9mm ；单抛标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装

产品名称：ALN单晶（进口） 技术参数：晶向：0001±1°尺寸：9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数：Absorption coefficient 80 cm-1Etch pit density(EPD)： 1E5 cm-2可用面积Usable area： 80 %边缘排除edge exclusion：1.0 mm表面粗糙度：Al 面: CMP polish (RMS 0.8 nm), N 面: optical polish (RMS 3 nm)位错密度dislocation density： 1E5 cm-2XRD摇摆曲线图(spot size 10 x 1 mm2)：FWHM (002): 0.3°，FWHM (102) 0.5° 产品规格：9.9x9.9x0.5±0.05mm 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装盒

ScIDre高温高压光学浮区法单晶炉-HKZ德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。SciDre高温高压光学浮区法单晶炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区法单晶炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）部分用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.

TD-5000型单晶X射线衍射仪产品介绍国内独家—填补国内空白仪器功能： TD-5000 X射线单晶衍射仪主要用于测定无机物、有机物和金属配合物等结晶物质的三维空间结构和电子云密度，分析孪晶、无公度晶体、准晶等特殊材料结构。测定新化合物(晶态)分子的准确三维空间(包括键长、键角、构型、构象乃至成键电子密度)及分子在晶格中的实际排列状况 可以提供晶体的晶胞参数、所属空间群、晶体分子结构、分子间氢键和弱作用的信息以及分子的构型及构象等结构信息。它广泛用于化学晶体学、分子生物学、药物学、矿物学和材料科学等方面的分析研究。X射线单晶衍射仪是以丹东通达科技有限公司为牵头单位，承担的国家科技部-【国家重大科学仪器设备开发专项】立项的高新技术产品，填补国内没有单晶衍射仪研制和生产的空白。仪器特点：整机采用可编程序控制器PLC控制技术； 操作方便，一键式采集系统；模块化设计，配件即插即用，无需校准；触摸屏实时在线监测，显示仪器状态；高功率X射线发生器，性能稳定可靠；电子铅门联锁装置，双重防护。仪器精度：2θ角重复精度：0.0001°；最小步进角度：0.0001°； 温度控制范围：100K—300K控制精度：±0.3K测角仪：采用四圆同心技术来保证无论发生怎么样的转动均可使测角仪中心保持不变,实现获得最精准的数据的目的,得到更高的完整率，四圆同心是常规单晶扫描的必要条件。PILATUS混合像素探测器：采用PILATUS混合像素探测器能够实现最好的数据质量的同时保证低功耗和低冷却的特点,该探测器将单光子计数和混合像素这两项关键技术相结合，应用于同步辐射和常规实验室光源等各个领域，有效排除读出噪声和暗电流的干扰，混合像素技术可以直接探测X射线，更易分辨信号，并且PILATUS探测器可以高效提供优质数据。 高速二维面探测器特点（可选配）： 敏感区域 [mm2]：83.8 × 70.0像素尺寸 [µ m2]：172 × 172像素间距： 0.03%最大帧速率[Hz]：20读出时间[ms]:7能量范围[keV]:3.5 - 18低温设备：通过低温设备采集的数据结果更加理想，在低温设备的作用下可提供更多的优势条件可以使不理想的晶体获得理想的结果，也可使理想的晶体获得更理想的结果。温度控制范围:100K~300K； 控制精度:±0.3K 液氮消耗量:1.1~2升/小时；完美的控制软件及测试结果：可选附件：多层膜聚焦透镜：X射线管功率：30W或50W；发散度：0.5~1 mrad；X射线管靶材：Mo /Cu 靶；焦斑：0.5~2 mm销售业绩：

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像