光存储

在国家自然科学基金委、科技部及中科院的资助下，我校化学与材料科学学院光子学聚合物实验室与工程科学学院精密机械与精密仪器系光电信息技术实验室合作，利用偶氮苯聚合物的光响应性，实现了偏振多阶及高密度光信息存储。该项目使用超分子组装的方法制备出了具有良好的光学性能、稳定性、溶解性及可加工性的超分子双偶氮苯作为存储介质，并利用激光直写技术实现了相当于传统DVD存储密度20倍的四维信息存储。该论文发表在英国皇家化学会(RSC)的《J. Mater. Chem.》期刊上并被英国皇家化学会期刊Chemical Technology作为Highlight(热点评论)论文(5月26日)进行了以“Polymers give DVD upgrade”为题的专题报道， 并将在其电子期刊Chemical World 上进行新闻报道。　　 　　A 20-fold increase in information density than that of a conventional DVD was achieved using the azopolymer film　　偶氮苯聚合物作为光学各向异性材料及衍射元件等被广泛的应用于信息存储及光开关中。相比较于传统的偶氮苯染料掺杂聚合物体系而言，偶氮苯聚合物具有高浓度低聚集的优点。但其在实际应中用却受到较差的稳定性及光学性能的限制。双偶氮苯聚合物可以克服一些问题，但其本身却存在溶解性及可加工性差的缺陷。因此，如何制备出具有良好的光学性能、可加工性能和高稳定性的偶氮苯聚合物材料，并拓展其在信息存储中的应用成为研究热点。研究工作成功的解决了这些问题。　　在上述工作基础上，研究工作将进一步设计偶氮苯聚合物的多层次结构，并通过偏振多阶、多元、多维、多层等技术实现超高密度信息存储。

澳大利亚国立大学领导的研究小组研发出了世界上迄今效率最高的激光量子存储技术，使我们朝着研制出超快速的量子计算机和提升通信安全指数的方向又迈进了一步。相关论文发表在6月24日出版的《自然》杂志上。　　该校物理与工程研究院激光物理中心的科学家首次通过阻断和控制激光来操控晶体中的电子。这一系统史无前例的高效率和高精准度可使激光精妙的量子特性被存储、操控和忆起。　　研究主导者摩根贺吉斯说，新技术大大减少了激光穿越过程中光子的损失，使其从单光子水平的微弱相干态调整至500个光子水平的亮态，并能将存储效率提升至69%，而传统的量子存储效率一般为17%，最高不超过45%。　　由于量子力学固有的不确定性，激光在穿越晶体过程中会遗失部分的信息，并能将存储的信息以三维全息图的方式即刻呈现出来。处于量子相干态时，仅能输入30个或更少的光子。而新技术将打破量子不可克隆定理，即单量子或未知量子态不能被克隆的限制，使更多的输入信息可被寻回，而非遗失或损坏，在实际应用中可显著提升通信的安全指数。　　此外，研究人员表示，激光存储还可用于测试和诠释基础物理现象，例如奇异的量子纠缠现象与爱因斯坦相对论存在着怎样的关联。主要研究人员马修塞拉斯介绍说：“我们能够在两种晶体存储器间实现量子纠缠。根据量子力学，无论双方相距多远，它们都保有特别的关联性，读取一个存储器内的信息必将即刻改变另一个存储器中所储存的信息 而根据相对论，存储器的移动方式将影响经过它的时间的长短。使用性能良好的量子存储器将大大降低测量和解释这些基础物理效应的难度，使其变得‘平易近人’。”　　研究小组此前曾成功地将晶体中的光束阻断了1秒多的时间，为当时最好成绩的1000倍。将光束“冻住”的时间大大延长，意味着可能据此找到实用方法，以制造出光子计算机或量子计算机所需的存储设备。下一步研究团队还将再接再厉，在兼顾提升存储效率的同时，使储存时间延长至若干小时。

光纤中的光子损耗阻碍了量子信息在陆地上的长距离传输分布，由此，量子中继器被提出来解决这个问题。但是由于量子中继器的系统复杂性以及有限的通信距离，可行的解决方案包括可移动量子存储器和配备量子存储器的卫星，其中长寿命的光学量子存储器是实现全球量子通信的关键组件。图1. Eu3+:Y2SiO5 晶体的能图。2015年澳大利亚国立大学团队在一阶塞曼效应为零（ZEFOZ）的磁场下，观察到掺铕硅酸钇晶体（Eu3+:Y2SiO5）的核自旋相干寿命长达6小时。迄今为止，在87Rb原子和Pr3+：Y2SiO5晶体中实现的长光存储时间约为1分钟。近期，中国科学技术大学的郭光灿院士团队在光量子存储领域取得重要突破。该团队李传锋、周宗权研究组将相干光的存储时间提升至1小时，刷新了2013年德国团队光存储1分钟的纪录。该成果已发表在国际知名期刊《自然通讯》上[1]。图2：实验装置示意图，包含低温恒温器。中科大课题组结合理论预言次实验测定掺铕硅酸钇晶体在ZEFOZ磁场下的完整能结构。研究组结合了原子频率梳（AFC）量子存储方案以及ZEFOZ技术，成功实现了光信号的长寿命存储。为了在ZEFOZ领域实现光存储，了解基态和激发态的能结构是解决问题的先决条件。课题组使用连续波拉曼外差探测（RHD）获得了ZEFOZ中的基态共振信息。实验确定的能结构如图1a所示。实验装置示意图如图1b所示，样品被放在低温恒温器内（温度1.7K），磁场强度被设定为1.28特斯拉。样品放置于低温倾角台上，低温倾角台的倾角精度达到千分之二度。探测和泵浦光在进入低温恒温器之前通过单模光纤（SMF）和光纤准直器（FC）发出。图3. 回波强度与存储时间关系图。实验中光信号先被AFC吸收成为铕离子系综的光学激发，接着被转移为自旋激发，经历一系列自旋保护脉冲操作后，终被读取为光信号，总存储时间长达1小时（见图3）。通过加载相位编码，实验证实在经历了1个小时存储后，光的相位存储保真度高达96.4 ± 2.5%。结果表明该装置具有强的相干光存储能力以及用于量子态存储的潜力。 文章中，作者使用了德国attocube公司的attoDRY系列低温恒温器来实现样品在低温条件下的光量子存储。该课题组的工作为基于长寿命固态量子存储器的大规模量子通信带来了光明的前景。 图4：低振动无液氦磁体与恒温器—attoDRY系列，超低振动是提供高分辨率与长时间稳定光谱的关键因素。attoDRY2100+CFM I主要技术特点：+ 应用范围广泛: 量子光学，PL/EL/ Raman等光谱测量+ 变温范围：1.8K - 300K+ 空间分辨率： 1 mm+ 无液氦闭环恒温器+ 工作磁场范围：0...9T (12T, 9T-3T，9T-1T-1T矢量磁体可选)+ 低温消色差物镜NA=0.82+ 精细定位范围： 5mm X 5mm X 5mm @ 4K+ 精细扫描范围：30 mm X 30 mm@4K+ 可进行电学测量，配备标准chip carrier+ 可升到AFM/MFM、PFM、ct-AFM、KPFM、SHPM等功能 参考文献：[1]. Zongquan ZHOU et al, One-hour coherent optical storage in an atomic frequency comb memory , Nature Communications,12,2381 (2021)

p style="text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em text-indent: 2em "艾万拓(NYSE：AVTR)是一家全球领先的制造商和分销商，为生命科学、先进技术和应用材料行业的客户提供任务关键产品和服务，其位于德国法兰克福的新的生物存储和样品备份设施，已于2020年11月19日正式投入运营。该设施靠近德国法兰克福国际机场，得益于这一优越的地理位置，研究人员可在24小时内获取样品，用于将来的研究与分析或者研究验证。/pp style="text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em "　　“全球支持疗法研发的临床试验数量与日俱增。我们必须小心保管并处理相关样品和研究材料，才能确保临床试验的有效性。”艾万拓服务部执行副总裁Christophe Couturier说道，“无论是通过测试之前的发现还是创新新的疗法，这种对于速度和灵活性的迫切需求只有在新冠肺炎大流行和对安全有效治疗的竞赛中得到加强。艾万拓可以在临床试验结束时保存样品，而且随着疫苗生产的激增，我们还能为制造商提供原料药存储的支持。/pp style="text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em "　　Couturier补充说：“我们非常自豪，我们拥有四十多年的生物存储的经验，在此期间，艾万拓为客户保存的研发用资产多达1亿余项，而且从未被退货。这也体现了艾万拓一直秉承的理念：集科学之力,筑世界之美。”/pp style="text-align: justify margin-top: 10px margin-bottom: 10px line-height: 1.5em "　　艾万拓在德国的新的生物存储和备份设施 已经荣获国际公认的德国可持续建筑委员会(DGNB)的可持续建筑评估认证金奖，因为该设施降低了成本密集风险，而且注重解决生态、经济和社会文化问题。此外，该新设施也与艾万拓公司位于美国弗吉尼亚州利斯堡的地标园区及其位于法国尼斯附近的另一园区协同互补。/p

松山湖材料实验室研究员梅增霞和博士朱锐联合其他合作者，提出了一种基于光敏介质的全新光电存储器件结构。相关成果近日发表于《自然–通讯》，并被推荐为Feature Article。光电存储器件是将光的信息转换为电信号并进行存储的一类新型器件。相比于传统的闪存器件，额外的控制端——光的加入赋予了光电存储器件新的调控维度，因此会带来一些新的、迷人的器件特性。当前光电存储器件的研究仍处于起步阶段，主要存在着编程电压高（ 20 V）、编程光功率大（ 1mW cm-2）和可移植性差等问题。该研究提出了一种基于光敏介质的全新光电存储器件结构。借鉴闪存的结构，在保留浮栅的同时，研究人员用传统的栅介质层取代了隧穿介质层，将光敏层放到了上面常规介质层的位置——通过光脉冲调控光敏介质层的绝缘特性和光敏特性即可实现数据的擦写和存储；另外，在该结构中只需提供一个小的栅压去明确光生载流子的运动方向即可，因此光生载流子的存储利用率也得到了极大的提高。该设计完全改变了传统闪存结构中载流子注入/离开浮栅的方式和方向，因此巧妙摆脱了器件性能对沟道层的依赖。可以看到，该创新设计可从根本原理上解决器件能耗高和移植性差等问题。光敏介质层的选择和可控制备是实现该设计的核心。研究人员基于多年的氧化物半导体材料及器件研究经验，选择了非晶氧化镓作为光敏介质层制备了最终的光电存储器件。器件的最大操作电压和光功率密度均实现了大幅度的降低（4V和160 mW cm-2），同时也实现了优异的多态存储和疲劳特性等器件性能。该研究创新的器件结构和工作机制可以移植到与光刻工艺兼容的任何晶体管上，如应用到Si基晶体管上，以实现高性能固态存储；应用到有机或二维材料基晶体管上，以实现柔性存储；还可用于同时兼顾传感和存储的多功能传感研究领域。

当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。 　　作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度(写速度)所决定。 　　研究表明，相变存储器的热稳定性越差，结晶速度越快，而单质锑(Sb)是目前已知热稳定性最差的相变材料，可能具有最快的操作速度。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算，发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件，研究发现随着器件尺寸减小，单质锑相变存储器的速度越快。 　　200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1)，当器件尺寸微缩至60 nm时，写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。通过与已报道的相变存储器的速度对比(见图2)，单质Sb器件的速度明显快于传统Sb-Te、Ge-Te以及 Ge-Sb-Te基相变存储器，其~242 ps的操作速度是目前相变存储器速度的极限。此结果表明，通过选择合适的相变材料，相变存储器有望具备替代内存甚至缓存的潜力。 　　该成果于1月31日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上(10.1002/adma.202208065)。该工作得到中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等的支持。

记者从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在高维量子信息存储方面取得重要进展，该实验室史保森教授研究小组在国际上首次实现携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲在冷原子系综中的存储，迈出了基于高维量子中继器实现远距离大信息量量子信息传输的关键一步。该成果近日在线发表在《自然&mdash 通讯》上。　　量子通信系统中作为载体的单光子所携带的信息量的大小与所处编码的空间维数有关。目前光子主要编码在一个二维空间，一个光子携带的信息量是一个比特。如果能将光子编码在一个高维空间，如无限维的轨道角动量空间，则单个光子所能携带的信息量将大幅度增加，极大地提高量子通信的效率，同时还可以提高量子密钥传输的安全性，并在量子力学的一些基本问题研究方面有非常重要的应用。　　远距离量子通信的实现和量子网络的构成必须借助于量子中继器，而量子存储单元是量子中继器的核心，实现光子携带信息在存储单元中的存储是实现中继功能的关键。虽然这方面的研究已取得重大进展，但迄今为止实验存储的单光子均为高斯脉冲，且被编码于二维空间，只能实现一个比特的存储。因此，能否实现编码于高维空间光子的量子存储是提高量子通信效率、构建基于高维中继器的远距离量子通信系统和量子网络的关键。　　史保森教授和博士生丁冬生等一直致力于解决上述问题。最近，他们首次成功实现了携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲的存储，证明高维量子态的存储是完全可行的。该小组通过两个磁光阱制备了两个冷原子团，利用其中一个冷原子团制备标记单光子，并使该光子携带一定的轨道角动量，具有特殊的空间结构。然后利用原子与光的相互作用将它存储于另一个作为存储介质的冷原子团中，结果证明单光子携带的轨道角动量及其叠加态都可以被高保真地存储。

虹科方案Hongke-优秀案例分享助力高性能视频存储解决方案-1 “存储背后的力量！”虹科电子科技有限公司是ATTO技术公司在中国的官方合作伙伴。依附于我们十多年的客户积累和方案提供经验，虹科与 ATTO共同致力于为数据密集型计算环境提供网络和存储连接以及基础架构解决方案，为客户提供更高性能的产品与服务。无论您的工作流程面临何种挑战，都可以信赖HK-ATTO系列产品、驱动程序和软件以提供最高的性能和可靠性。我们的slogan是：“存储背后的力量”！用最优秀的网络和存储连接产品为您的网络和存储业务保驾护航。今天我们来分享虹科产品的一则优秀案例。1Avid NEXIS首先我们先来了解一下什么是Avid NEXIS。Avid NEXIS 是全球首个基于软件的存储 , 借助软件定义的存储平台, 专为实时媒体制作打造的智能型存储。您在存储系统上的投资，除了要考虑当前业务所需，还要考虑其技术架构是否能适应未来业务的扩展。Avid NEXIS 是世界上第一款专为媒体行业设计的软件定义的虚拟化存储平台，能够适用于任何媒体创作软件。这一强大的系统提供无与伦比的媒体性能、可扩展性及可靠性，为要求最严苛的广电、视频后期制作、音频制作、教育及企业用户简化工作流程。该平台允许将不同型号的存储引擎进行混合，形成虚拟化的存储资源池，从而加速工作流程。 这可能是唯一能够伴您的业务一同成长的存储解决方案。2虹科解决方案Avid的NEXIS系列共享存储系统为创意团队提供了实时编辑协作，其性能可加快媒体工作流程。先进的Avid文件管理系统使编辑能够使用Avid、Adobe、Apple、Autodesk、Filmlight、Blackmagic和Grass Valley的一系列工具，从而增强协作并最大限度地提高生产效率。与此同时，我们的虹科高性能专用网络和存储连接产品将增强包括Avid NEXIS在内的任何Avid内容创建解决方案。虹科&ATTO和Avid共同创建协作解决方案。Avid NEXIS共享存储通过HK-ThunderLink适配器和HK-FastFrame 25Gb 智能以太网卡（SmartNIC）连接到客户端，允许用户以高分辨率工作并编辑更多的SD、HD和4K视频流，确保高带宽应用的最佳行业数据传输。 我们的解决方案将为您带来：◾ 经过Avid认证的唯一专门构建的Thunderbolt连接产品，可与Avid NEXIS共享存储系统无缝集成。◾ 该解决方案由可靠的以太网堆栈、数据流专业技能和macOS环境中的丰富经验提供支持。◾ 虹科&ATTO和Avid的协作让用户能够完成手头最苛刻的业务流工作，并达到当今所需的最高性能水平。3为您提供的产品 A. HK-FastFrame 智能以太网卡 ◾ FastFrame&trade 3 N322 - Dual-port Integrated SFP28 10/25GbE Smart Ethernet NIC◾ FastFrame&trade NS12 - Dual-port 10GbE LC SFP+ SR Optical Interface NIC (Two 10Gb SFP+included)HK-FastFrame&trade 是一个易于使用的综合以太网产品组合，旨在提供高性能以太网，同时最大限度地减少电源和 CPU 周期的使用。我们使用最新的技术来加速数据I/O，提供行业领先的性能。HK-FastFrame内置硬件卸载引擎，包括CPU传输层卸载和NVMe over Fabric目标卸载，以加速数据传输并降低服务器消耗；内置端到端服务质量算法，网络拥塞大大降低。FastFrame网卡支持高达100GbE的线路速度和低至1µ s的延迟。 B.ThunderLink适配器 ◾ ThunderLink N3 3102 - Dual 40Gb Thunderbolt to Dual 10GbE Adapter (SFP+s included)HK-ThunderLink 适配器是希望将支持 Thunderbolt 3 和 2 的台式机或移动工作站连接到各种存储协议（包括光纤通道、SAS/SATA 和以太网）的理想解决方案。 产品经过 Intel Thunderbolt&trade 认证，包括任何所需的 SFP、QSFP 和 SFP28。虹科雷电适配器为设计、工程和技术从业者提供高性能、低延迟的Thunderbolt&trade 连接解决方案，适用于性能和吞吐量要求高的应用。它们小巧便携，易于堆叠，也可以使用HK-ThunderRack安装在机架上，不会妨碍用户使用随附的锁定电源。“虹科在工业、制造业、汽车、电子测试、通信领域深耕了长达20年，随着大数据时代的发展为了更好的迎接机遇和挑战，我们与全球领先的企业网络和存储供应商展开合作，提供一系列创新型安全灵活且性能优越的产品和服务来满足市场快速发展的IT需求。虹科网络基础团队不断学习最新的技术和应用、接受专家培训，积累实践经验，致力于为数据密集型计算环境提供高性能以太网、高度可靠的统一存储以及高速数据流的连接方案，并运用灵活的边缘计算系统实现经济高效且易于管理的大规模IT服务基础设施。

物理学家将量子信息存储到非常冰冷的原子缠结中，并大幅提高了从中检索的时间。虽然提高的时间只有短短几毫秒，但在光学网络中，该时间足够将数据从一个量子中继器传输到另一个，这使科学家朝量子网络的制造迈出了意义重大的一步。该研究成果发表在最新出版的《自然• 物理》杂志上。　　这个新的纪录———铷原子存储到偶极光学陷阱的时间为7毫秒，而以前的存储时间纪录是32微秒。美国佐治亚理工学院的亚历克斯• 库兹米奇说：“这是真正有意义的一步，因为从概念上讲，它为长距离的量子网络服务提供了更长的存储时间。对于具有许多存储元件的多重体系来讲，几毫秒将允许光的运动穿过一千公里。”扩充存储时间的关键包括使用一维的光晶格将原子“圈起来”，并选择一个不受磁效应影响的原子相位。　　量子互联网的目的是分配“缠结”的量子位———两个距离很远、有相互关系的数据位，代表“0”或者“1”。所谓“缠结”是指具有交互作用的粒子之间的神奇连接，即使粒子位于宇宙空间的两边，这种连接都能以极快的速度连接，量子位像光子一样在光纤网络中旅行。　　因为在组成网络的光纤中会失去一部分，所以必须等距离地安装中继器来提高信号，通常是100公里一个。这些中继器需要量子记忆来接收光子信号并简单存储，接着产生一个光子信号，携带信息到下一个节点，最后到达目的地。　　为了达成量子记忆，研究人员使用一个铷87原子系综，并将其冷冻到绝对零度以使原子的活动最小。为了存储信息，该原子系综被暴露于携带信号的激光之下，允许每一个原子作为“集体激发”的一部分参与存储。　　简单来说，每一个原子“看见”了前来的信号———一个快速摆动的电磁场，就会刻下相位信息，该相位信息之后就能被“读”到。尽管非常冰冷，系综原子可在任意方向自由移动。因为每一个原子存储量子信息的一部分，且数据的有用性依赖每个原子参照其他原子的位置，原子大量的运动可能会破坏信息。　　物理学家斯图尔特• 杰肯斯说，达成长时间量子记忆的挑战是尽可能长时间地维持相位。为了扩展系综原子的记忆时间，研究人员采用了两种方法。　　第一种方法是使用一个由激光柱组成的光晶格将原子圈起来，通过选择激光频率，原子就被吸引到晶格内特定的区域，但它们又不会被紧紧地捆绑在一个地方，因为系综原子受磁性等环境条件影响。第二个策略是使用已被推到对磁场不那么敏感的“时钟转移状态”的原子。　　库兹米奇称，尽管这个实验明显地改进了量子记忆，实际的量子网络可能至少还需要10年的时间。

CERTAN毛细管样品存储瓶&mdash &mdash 完美解决贵重标样及易挥发物质打开后难以保存的问题该瓶专为标准液体样品储存而设计，创新性的毛细瓶口和增强型的瓶口螺纹，1.2毫米直径瓶口， 28毫米长毛细管增加了溶剂蒸汽冷凝回流空间，能有效避免液体样品的蒸发和损耗，长时间保证样品浓度的稳定，从而更加有力确保实验结果准确。可使用可使用标准GC进样针进行液体移取；其独特设计使得螺纹帽内的暴露空隙非常小，既保证密闭性又降低样品被管帽或外界污染的可能性。螺口的设计便于使用，带有PTFE的螺纹盖可有效防止污染，替代传统的玻璃安培瓶存储标样。货号描述品牌包装价格促销价VAEQ-DECE01-11.5mL CERTAN毛细管样品存储瓶CNW1支160.00128.00VAEQ-DECE01-101.5mL CERTAN毛细管样品存储瓶CNW10支1400.001120.00VAEQ-DECE05-14.5mL CERTAN毛细管样品存储瓶CNW1支200.00160.00VAEQ-DECE05-54.5mL CERTAN毛细管样品存储瓶CNW5支850.00680.00VAEQ-DECE10-110mL CERTAN毛细管样品存储瓶CNW1支220.00176.00VAEQ-DECE10-510mL CERTAN毛细管样品存储瓶CNW5支950.00760.00促销时间：2012年7月30日-2012年12月31日温馨提示：要从 CERTAN 毛细样品瓶中吸取溶液，请使用针头直径为 0.8mm 或更细且长度最少为 70mm 的注射器。上海安谱科学仪器有限公司地址：上海市斜土路2897弄50号海文商务楼5层 [200030]电话：86-21-54890099传真：86-21-54248311网址：www.anpel.com.cn联系方式：shanpel@anpel.com.cn技术支持：techservice@anpel.com.cn

对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说，高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。对此，泛林集团副总裁兼电介质原子层沉积(ALD)产品总经理Aaron Fellis介绍了StrikerFE增强型ALD平台将如何以其高性能推进技术路线图的发展。沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3D NAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性已开始凸显。泛林集团去年推出的StrikerFE增强版原子层沉积(ALD)平台可解决3D NAND和DRAM领域的半导体制造难题。该平台采用了被称为“ICEFill”的先进电介质填充技术，可用于先进节点下的3D NAND和DRAM架构以及逻辑器件。泛林集团副总裁兼电介质ALD产品总经理Aaron Fellis指出，填充相关技术的需求一直存在，但原有的那些方法已不能满足新的需求，尤其是3D NAND堆栈越来越高。他表示：“除了堆叠层数非常高以外，为了能整合不同步骤，还要通过刻蚀来满足不同的特征需求。最终我们需要用介电材料重新进行填充，这种材料中最常见的则是氧化硅。”Fellis指出，化学气相沉积、扩散/熔炉和旋涂工艺等半导体制造行业一直以来使用的传统填充方法总要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足3D NAND的生产需求，“这些技术往往会收缩并导致构建和设计的实际结构变形”。由于稳定、能耐受各种温度且具备良好的电性能，氧化硅仍然是填隙的首选材料，但其沉积技术已经有了变化。以泛林集团的Striker ICEFill为例，该方案采用泛林独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上的无缝填充，并同时能保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。Fellis表示：“标准ALD技术能大幅提升沉积后的成膜质量，这样就解决了收缩的问题。”采用ICEFill先进电介质填隙技术的StrikerFE增强版原子层沉积平台可用于3D NAND和DRAM架构的填充在Fellis看来，即使能通过高密度材料实现良好的内部机械完整性，标准ALD仍可能导致某些器件中出现间隙，而且其延展性可能出现问题。而采用自下而上填充的ICEFill则能实现非常高质量的内部成膜且不会收缩。“它的可延展性非常高。”他表示，这意味着可用其满足任何步骤的填充需求，包括用于提升机械强度和电性能等，“在所制造的器件内部某一特定间隙中，填充材料都具有统一的特性。”用于存储器件的沉积技术有自己的路线图，而推动其发展的各种存储技术进步也同时决定了现有技术的“保质期”，Fellis表示，“技术将向更高和更小发展”。预料到3D NAND堆栈增高带来的挑战，泛林集团早已开始着手改进其Striker产品。他说：“随着客户按自己的路线图发展，我们看到他们需要提高成膜性能的需求。堆叠依然是创新的推动力。”美国半导体产业调查公司VLSI Research总裁Risto Puhakka表示，作为ALD技术的主导者，泛林集团的技术需求反映了存储行业的普遍需求，即通过提升存储密度来满足人工智能等应用的高存储需求，但同时还要避免成本提升。而3D NAND等存储器件随着堆栈高度不断提升，对填充技术也提出了更高的要求。Puhakka说：“堆栈相关的制造难题越来越多，芯片制造商也会担心花费过高的问题。”在这种情况下，继续使用非常熟悉的材料（例如氧化硅）有助于更好地预测成本。

Light way- 点亮未来 - 光为人类带来无限可能，畅想未来与光相关的黑科技，光擦写技术无疑是具有无限升值空间的潜力股之一。例如光打印技术，无需油墨，重复擦写近100次，绿色环保，可节省纸张；又如新型记忆存储材料，超大密度海量信息记录，并可快速写入及擦除。 光擦写技术涉及到一种特殊的物质，即光致变色化合物，指某些化合物在一定的波长及强度的光作用下分子结构会发生改变，从而导致其对光的吸收峰值即颜色发生相应改变，且这种改变一般是可逆的，意味着这是反复可循环的过程。 光致变色化合物 利用光致变色化合物上述的特点，可将其制成计算机的记忆存储元件，实现信息的记忆与擦除，具有惊人的信息记录密度及良好的抗疲劳性能，能快速进行写入和擦除。这是新型记忆存储材料的一个新的发展方向。 光敏氯合物就属于一种光致变色化合物。从热稳定性的观点来看，光敏氯化合物可分为P型和T型。P型化合物通过光照生成的化合物是热稳定的，可逆变化需要再次光照。而T型化合物通过光照生成的化合物发生热可逆变化。 图1. a：P型光敏氯化物原始样品；b：365nm光照20min后；c：365nm先光照20min ，再使用550nm光照20min 图2. 样品在365nm光照下随时间变化的吸光度曲线 图3. 样品先经365nm光照后，在550nm光照下随时间变化的吸光度曲线 图4. a：T型光敏氯化物原始样品；b：365nm光照20min后；c：365nm先光照20min ，室温放置2h后 图5 样品在365nm光照下随时间变化的吸光度曲线 图6. 样品先经365nm光照后，室温下随时间变化的吸光度曲线 上述P型及T型光敏氯化物的光致变色反应使用岛津新推出的Lightway PQY-01光反应评价系统进行测试，PQY-01配置了快速光电二极管阵列检测器，可以对光致变色过程中的光谱变化进行快速追踪。

据日经亚洲评论报道，长江存储计划今年将产量提高一倍，并开始率先生产192层3DNAND闪存。此前，长江存储总规划产能30万片/月，分三期建成。从产能爬坡进程来看，一期于2019年底达到2万片/月产能；至2020年6月，5万片/月产能对应的设备基本招标完毕；至2021年底，预计一期满产将达到10万片/月。日经此次报道符合预期。长江存储三年来及招标设备中，中国厂商设备数量占比13%。分年度看，2019年长江存储1088台设备招标中，中国厂商设备数量占比9.65%，而2020年长江存储1107台设备招标中，中国厂商设备数量占比达到14.36%，呈现上升趋势。长江存储产线的机台国产化率已经从2019的10%左右提升至2020年的15%左右，对国产设备起到了培育→带动→批量重复订单的作用。以各个公司历史中标份额乘以各类设备均价来计算，预计长江存储每10K产能提升对北方华创的订单拉动约3-5亿元，对中微的订单拉动约3-5亿元，对盛美股份的订单拉动约0.5-1亿元，对上海精测、华海清科、中科飞测等公司同样有带动作用。依此计算，如果长江存储2021年实现了50K至100K设备的60%收入确认，理论上对北方、中微的收入分别有12-15亿左右的拉动，对盛美股份收入有2-3亿的收入拉动，大幅增厚相关设备公司的业绩。此外，2021年长江存储二期项目将开工，预示着产能爬坡有望持续超预期，对应又是10万片/月的新增产能。而除存储器项目外，中芯国际成熟制程、特色工艺项目、华力、华虹先进制程等半导体国产化项目都将拉动设备公司业绩。预计华虹半导体（无锡）产能从2020年末2万片/月扩张至2021年末4万片/月，厂房内后续仍有4万片/月扩产空间；华力集成扩产幅度与华虹无锡接近；预计长鑫存储产能将从2021年初4万片/月扩张至2022~2023年12.5万片/月；根据公司公告，中芯国际在北京即将新建10万片/月新厂房。展望2021年，在当前行业产能紧张持续背景下，晶圆制造、封装测试相关设备订单均有望爆发。建议关注国产半导体设备份额提升带来国产半导体设备行业规模的扩大。部分相关企业：北方华创、中微公司、华峰测控、盛美股份、精测电子、至纯科技等。

近日，合肥高新集团投资企业合肥御微半导体技术有限公司（以下简称“御微半导体”）晶圆检测设备发往长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）。本次发运的晶圆缺陷检测产品，将帮助长鑫存储在晶圆生产前道制程中更加及时、全面、高效地检测出产品缺陷，从而减少缺陷产品处理中的不必要投入。作为一体化存储器制造商，长鑫存储专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成中国大陆第一座12英寸晶圆厂并顺利投产。长鑫存储是御微半导体安徽省内的首家客户，此次产品的成功发运，也为御微半导体进一步拓展安徽市场奠定了坚实基础。御微半导体总部于2021年7月正式落户合肥高新区，2022年1月正式投产，以集成电路检测设备为主营业务，始终致力于保障国家集成电路供应链的安全和自主可控，此前成功发运了合肥首台硅片全景检测产品。

IBM研究中心的科学家成功展示了仅利用12个原子进行计算机信息“0”和“1”的存储，即一个比特位。目前的磁盘驱动器需要动用上百万个原子来存储一个比特位。传统磁盘使用铁磁材料进行数据存储，一个比特位内所有原子的自旋方向相同，用同一磁化方向来表示“0”或“1”。然而，铁磁材料在尺寸方面遇到的最大障碍是，当缩小到原子级别时，相邻比特位之间会产生交互作用，一个比特位的磁化会影响到相邻比特位。　　为克服这一缺陷，IBM的科学家利用扫描隧道显微镜在原子层级对一组12个反铁磁材料原子进行操作，在低温下使其存储了一个比特位的信息，并保持了若干小时。利用这些原子固有的交变自旋方向，科学家展示了排列得比以往紧密得多的磁性比特位。这大大增加了磁性存储的密度。

日前，南京工业大学校长黄维院士领导的科研团队在《自然通讯》杂志发表论文称，已开发出一种全新的信息加解密技术，使以&ldquo 光&rdquo 作为载体的信息传输更为安全。据悉，该技术为国际首创。　　一直以来，使用光学信号作为存储的器件只具备信息记录功能，如何在此基础上实现信息的加解密，成为光学存储研究领域的难题。由南京工业大学和南京邮电大学的科研人员组成的&ldquo 先进材料创新团队&rdquo ，在研究中巧妙地运用磷光金属配合物的长寿命发光优势，结合时间分辨成像技术，使原本只具备信息记录功能的光学信息存储器件增加了信息加解密功能。黄维说：&ldquo 这一技术突破开辟了有机光电子学研究与应用的新方向，像磷光金属配合物这样的多刺激智能响应光电功能材料，今后可以被广泛地应用在智能光电器件和生物传感等领域。&rdquo

p　　华为与华大基因在华为云计算大会2015上，签署《基因大数据存储系统联合开发协议》，双方将针对基因处理工作流特征，联合设计和开发专为基因研究优化的大数据存储系统，消除基因研究工作流中的重复数据，使整体效率提升30%以上。华大基因CEO杨爽、华大基因研究院副院长方林、华为IT产品线总裁郑叶来、华为海量存储领域总经理肖苡共同出席本次签约仪式。/pp style="TEXT-ALIGN: center"img style="WIDTH: 450px HEIGHT: 266px" title="20150928103553769.jpg" border="0" hspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201509/noimg/8013a2fc-f392-45c0-acba-be422df1d8f8.jpg" width="450" height="266"//pp style="TEXT-ALIGN: center"strongHCC2015上华为与华大基因签署《基因大数据存储系统联合开发协议》/strong/pp　　“华大基因一直致力于让基因技术更好地为人类服务，效率是影响基因技术全面普及的重要因素。基因研究是典型的大数据应用，从生物样本的基因测序到遗传疾病的识别、预防与治疗，需要处理海量的数据，而这一过程将消耗大量时间。”华大基因CEO杨爽表示：“大数据、云计算技术是加速基因研究成果输出和应用的重要途径，我们希望与华为的联合创新能够将基因研究效率提升一个新的台阶。”/pp　　华为IT产品线总裁郑叶来表示：“基因技术是生命科学研究的重要基础，华为很高兴能够和全球最领先的基因研究机构一起，探讨大数据、云计算等IT技术如何更好的服务于生命科学研究，共同推动基因技术普惠时代的到来。”/p

互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相(orthorhombic phase，简称“o相”)HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技术节点不兼容、擦写次数受限等问题。这一问题是基于o相HfO2基铁电材料的本征特性，难以通过传统的优化工艺加以解决。因此，探寻结构稳定且具有低翻转势垒的HfO2基铁电材料是亟待解决的难题。 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与物理研究所研究员杜世萱团队合作，发现了稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构。这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。研究通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算发现，当Hf(Zr)1+xO2材料中，Hf(Zr)与氧的比例大于1.079:2时，三方相的形成能低于铁电o相和单斜相(m相)的形成能。扫描透射电子显微镜(STEM)实验清晰显现了过量Hf(Zr)原子嵌入在铁电三方相晶格的晶体结构，证实了理论计算的结果。嵌入的Hf(Zr)原子扩展了晶格，增加了其面内和面外应力，起到了稳定Hf(Zr)1+xO2材料结构和降低其铁电翻转势垒的作用。基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电器件展示了超低矫顽场(~0.65MV/cm)、高剩余极化(Pr)值(22μC/cm2的)、小的饱和极化电场(1.25MV/cm)、和大的击穿电场(4.16MV/cm)，并在饱和极化下实现了1012次循环的耐久性。这一研究结果为低功耗、低成本、长寿命的存储器芯片提供了一种有效的解决方案。 　　研究工作得到科学技术部、国家自然科学基金、北京市自然科学基金、中国科学院的支持。近期，相关研究成果发表在《科学家》(Science)上。中国科学院大学的科研人员参与研究。图1. 平面铁电电容器的基本特性及Hf(Zr)1+xO2薄膜的结构表征图2. 富含Hf(Zr)原子的菱面体Hf(Zr)1+xO2薄膜的原子尺度STEM分析图3. 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算图4. 基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电电容器的性能

近日，第七届易贸生物产业大会暨易贸生物产业展览和第十四届中国整合生物样本学大会相继在苏州和天津举办，作为生命科学领域的代表企业，Azenta安升达受邀参加了上述会议。安升达深耕生命科学服务领域，致力于提供出色的样本研究与管理解决方案，服务于全球的制药、科研和医疗机构，涵盖药物开发、临床研究和先进细胞疗法等领域。服务中国市场14年来，拥有诸如Brooks、GENEWIZ金唯智、4titude、FluidX、BioCision等细分领域的著名生命科学品牌。2021年9月，为更好地满足中国市场的需求，上述品牌统一整合为Azenta安升达生命科学。易贸生物产业大会EBC暨易贸生物产业展览是中国领先的生物产业交流合作平台。大会以“会+展”的模式聚焦分子诊断、抗体药物、细胞与基因治疗、mRNA等热门赛道，汇聚了政府、学术、产业、投资等一线领域的科学家、学者、企业家、投资人等多位嘉宾，从政策、技术、临床、市场等多角度出发，以“会展联动”“线上直播”等多样化的形式，为生物产业企业提供一站式采购解决方案。本次易贸展会上，作为一站式服务专家及基因组学完整解决方案的领导者，Azenta安升达通过展台讲座的形式，详尽分享了公司在基因组服务领域的创新性的服务解决方案，助力客户将突破性的成果更快地推向市场。针对分子诊断、抗体药物、细胞与基因治疗、mRNA等行业研究热点，Azenta安升达都有针对性的创新性解决方案。例如，Azenta安升达独创的AAV-ITR测序服务，可以更好地帮助研发人员有效的评估ITR区域的完整性，为CGT的研究探索保驾护航。众多嘉宾驻足聆听安升达展台讲座同期，第十四届中国整合生物样本学大会暨第九届中国生物样本库院长高峰论坛在天津隆重举行，来自医院、高校、科研院所及生物医药企业的专家学者齐聚一堂，就我国生物样本库标准化建设及应用展开交流。安升达提供生物样本库一站式解决方案BioStore™ 深低温样本管理存储系统首次国内亮相“用心呵护每个样本，创新助力成果转化”，安升达在这次展会上推出了重磅新产品——BioStore™ 深低温样本管理存储系统，它是实验室有限空间自动化利用的革新，该产品能够实现高效入库记录，满足了客户对数据审计追踪的需求。同时，展台所呈现出的样本冻存管、全自动撕膜机、样本信息管理软件，以及基因组学检测服务受到了参会嘉宾的热切关注。在题为“从样本自动化存储到基因组学探究”的专题报告中，安升达业务开发经理姜渊哲从生物样本在实验室流转的角度，为与会嘉宾介绍了安升达从样本采集、处理、登记、转运、存储，到实验检测的一站式解决方案。讲座现场座无虚席，受到在场观众的一致好评，会后在展台也进行了热烈的交流。Azenta安升达中国区商务运营副总裁Rex Wu表示，“快速增长的中国市场对安升达来说非常重要！在剥离了半导体业务后，Azenta安升达业务全面聚焦在生命科学领域。今年6月份，安升达全球最大的一个投资项目-中国区基因组学中心正式投入运营使用，显著提升了我们在基因组服务领域的全球交付能力。样本管理和存储方面，安升达完成了对可控速率解冻设备的领先供应商Barkey的收购，更好地为快速增长的CGT市场服务。近期，Azenta安升达和B Medical Systems公司达成了收购协议，能够为温度敏感标本的温度安全和可追踪运输增加差异化的解决方案。我们希望，基于安升达在样本研究和管理领域的独特能力帮助中国生命科学客户更快地把突破性的成果推向市场，携手生命科学同行，共建健康中国！”安升达中国区基因组学中心已投入运营

p　　中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。/pp　　以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。刘明团队在RRAM方向具有长达10年的研究积累，于2015年开始联合中芯国际、国网智芯等单位，以产学研合作方式共同推进RRAM的实用化。经过两年多的努力，在中芯国际28nm平台上完成了工艺流程的开发与验证，并在此基础上设计实现了规模为1Mb的测试芯片。/pp　　垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。/pp　　相关研究成果分别以 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 和 8-Layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 为题在2017年国际电子器件大会上进行了汇报发言。/pp style="text-align: center "img title="001.png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/10c005fa-4af7-4604-a95e-bb344b43bed0.jpg"//pp style="text-align: center "strong(a)28nm RRAM 1Mb芯片版图 (b)28nm RRAM单元TEM界面图/strong/pp style="text-align: center "img title="002.png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/6df25f82-957f-4a8a-814d-0bad67c4979d.jpg"//pp style="text-align: center "strong8层堆叠RRAM截面图/strong/pp/p

自ChatGPT发布以来，人工智能AI迅速席卷全球，引发了新一轮的科技革命。与此同时，随着HBM市场需求持续火爆，以SK海力士、三星、美光等为代表的半导体存储芯片厂商亦抓住机会转变赛道，开启了新一轮的市场争夺战。投资约748亿美元，存储芯片厂商SK海力士押注AI近日，据彭博社及路透社等外媒报道，半导体存储芯片厂商SK海力士计划投资103万亿韩元（约748亿美元）发展芯片业务，重点关注人工智能和半导体领域。报道称，韩国SK集团上周日在一份申明中表示，旗下存储芯片厂商SK海力士计划在2028年前投资103万亿韩元发展芯片业务。声明进一步指出，SK海力士计划到2026年确保80万亿韩元（约600亿美元）的资金，将用于投资高带宽内存芯片（HBM），以及为股东回报提供资金，并对超过175家的子公司进行精简。经过优化，SK海力士的HBM芯片可与英伟达的人工智能加速器配合使用。而作为押注人工智能的一部分，SK电讯公司（SK Telecom）和SK宽带公司（SK Broadband）将投资3.4万亿韩元用于数据中心业务。此外，为推动人工智能和芯片业务的发展，SK集团从周一开始成立一个专门负责半导体的委员会，以增强与行业相关附属公司之间的协同作用。该委员会将隶属于该集团的最高决策机构SK Supex委员会，并且已任命SK海力士首席执行官郭鲁正为集团负责人。SK集团表示，将通过专注HBM芯片、AI数据中心及个性化AI助手等AI价值链服务提高竞争力。顺应AI潮流，HBM“霸榜”DRAM在AI服务器出货带动下，HBM占DRAM比重也在快速提升。受惠于HBM销售单价较传统型DRAM高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。根据集邦咨询此前的数据，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别为2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾30%。经过多轮技术迭代，目前HBM已进阶到HBM3e赛道，而随着NVIDIA及AMD AI发展加速，HBM3e也将逐渐成为市场主流。集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷此前在集邦咨询半导体产业高层论坛上表示，NVIDIA的Blackwell与AMD MI350/MI375全采用HBM3e，特别集中12hi产品，最高容量上达288GB，将有助于延续单一位元均价的持续上升，且于2025年成为市场主流。整体来看，目前由于HBM3平均销售单价远高于HBM2e与HBM2，也因此将助力原厂HBM领域营收进一步增长。集邦咨询此前预计，2024年全球HBM位元供给有望年增105%，同时实现营收2024年达89亿美元，同比增长127%；原厂产能被提前锁定，明年HBM价格初步调涨5~10%由于HBM占DRAM比重增加，加上通用型服务器需求复苏，推升供应商延续涨价态势。吴雅婷5月初表示，厂商今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。在强大的市场需求推动下，各大厂商2024年的HBM产能已被提前订购一空。此外，美光近日还表示，内存芯片供不应求，其2024-2025年的HBM内存芯片已经售罄。事实上，不止美光，SK海力士等厂商2025年订单也已接近满载。据存储芯片供应链近日透露，上游原厂HBM的订单能见度可达2026年一季度。2022年HBM市场份额中，SK海力士一家独大，独占50%，三星约40%，美光10%。为应对AI人工智能带来的巨大前景，SK海力士、美光、三星都在通过增加投资额、兴建工厂等一系列举措全力提升HBM产能。例如美光为提升HBM市场份额，此前已经宣布了多起建厂计划扩建HBM产能。美光的目标是，计划在2025年将HBM市占率提高两倍以上，达到20%左右。至于三星，该公司副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong今年3月曾表示，预计今年HBM产量将增至去年的2.9倍，2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍，到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年的23.1倍。

处理化学品后一定要清洗双手方可进食不要在存放化学品的地方进食尽量使用恰当工具以防止倾斜外泄不要在存储化学品的地方吸烟保持地面清洁以避免搬运危险品时摔倒要注意不同的危险品是否可以混放不要超额存放，避免阳光暴晒不要大力摇动危险品，剧烈震动可能导致容器内压力过量而发生泄漏搬运时不要跑步，以免碰撞导致颠倒危化品进入身体的途径使用恰当的个人防护，可避免危险品危害发生意外时的应变行动天津阿尔塔科技有限公司天津阿尔塔科技有限公司提供质量稳定的高纯度分析检测用有机化学标准参照物纯品，纯品溶液，和各种混标溶液，涵盖食品检测、环境监测、医药研发标准品参照物，兽残、农残标准品参照物等。所有产品都可提供完整的质量检测报告（CoA）、MSDS、储存记录，可溯源。我们致力于以优质的产品、可靠的质量、合理的价格、负责的态度、互相尊敬的关系与广大客户合作共赢。

近日，南昌大学化学化工学院、高分子及能源化学研究院陈义旺教授团队在能源转化和存储领域取得重要研究进展。在能源转化领域，通过调节铅基/非铅基钙钛矿吸光层结晶行为，实现高效、稳定钙钛矿光伏器件。在能源存储领域，通过构造和调控多级纳米结构与电极界面，实现高效氧还原电催化剂和锌金属电池的制备。得益于简易的溶液加工方式、优异的半导体性能以及对柔性可穿戴设备的兼容性，钙钛矿太阳电池已成为光伏商业化应用中极具潜力的候选者之一。然而，相比于传统光伏技术长达20年的使用寿命，钙钛矿太阳电池的稳定性仍是制约其商业化应用的关键因素。作为制备钙钛矿太阳电池的初始材料，前驱体溶液中的高活性组分极易发生副反应，从而引发钙钛矿太阳电池的效率批次性以及稳定性问题。此外，由于对溶液表征手段的局限性，前驱体溶液中胶粒的组装行为对后续晶体的生长影响仍未可知。鉴于此，陈义旺团队利用先进的液体飞行时间二次离子质谱仪作为“分子眼”评估前驱体物种差异，刨析前驱体溶液接触空气后的化学演变，直观揭示钙钛矿前驱体溶液老化本质。同时，结合氢键强度变化与离子团簇含量差异，可视化低维钙钛矿前驱体溶液中胶粒组装与量子阱演化之间的内在联系，实现低维钙钛矿模组可印刷性的突破。为进一步论证氢键作用在形核结晶过程的普适性，在无铅钙钛矿体系中揭示了以盐析结晶为主导的反溶剂机制和以氢键强弱为依据的挑选反溶剂的通用规则，发展了以乙酸为代表的一类多功能绿色新型反溶剂。此外，针对两步法中碘化铅的残留问题，引入“多功能胶囊”概念构筑多孔通道，促进固液界面反应，并通过下转换效应提高光利用率，实现高效、稳定的钙钛矿太阳电池的制备。团队进一步总结了钙钛矿太阳电池中离子迁移的起源和抑制离子迁移的有效策略，并创新性地从整体器件的角度提出了抑制离子迁移的前瞻性方法，为开发高效、稳定的钙钛矿太阳电池提供了新思路。针对当前商业化的锂离子电池面临的性能、安全和成本等瓶颈，研发下一代环境友好型储能技术以提高器件功率密度、能量密度、安全性，降低制造成本显得尤为重要。得益于资源丰度高及绿色无污染等特性，水系锌基电化学储能器件极具发展前景。为提高水系锌空气电池的功率密度及稳定性，陈义旺团队通过在邻苯二甲腈功能化石墨烯表面经微波聚合原位生长铁酞菁聚合物，通过液相原位电荷剥离策略，制备得到铁酞菁聚合物纳米片纵向接枝于石墨烯的多级次纳米片，作为高效氧还原电催化剂用于液态和柔性准固态锌空气电池。此外，为克服锌金属负极面临的枝晶生长、腐蚀、钝化等问题，团队采用聚阳离子电解质－聚二烯丙基二甲基氯化铵（PDD）作为添加剂双向调控电解液和锌/电解液界面电场，改善Zn2+迁移行为，诱导Zn(002）优势沉积，成功构筑高可逆和高稳定性的锌金属电池。团队长期围绕能量转换与存储器件关键材料与技术等方面开展研究，发展了一套可全自动化印刷制备工艺，实现大面积柔性固态能量转换与存储器件（太阳电池、超级电容器、金属－空气电池）的制备、集成及应用，在专利技术和工艺优化中取得连续突破，为进一步的产业化提供了支撑。团队最新研究成果近期连续在化学和材料顶级期刊Angewandte Chemie International Edition，Advanced Materials和Energy & Environmental Science上发表（Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 62, e2022157 Angew. Chem. Int. Ed.,2023, e202303177 Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 62, e2023016 Angew. Chem. Int. Ed., 2023, e202302701 Adver. Mater., 2023, 2301852 Adver. Mater.,2023, 2302552 Energy Environ. Sci.,2023, 10.1039/D3EE00202K），南昌大学为论文第一及通讯作者单位。

安捷伦科技推出专为小型色谱实验室量身打造的中央数据存储和操作管理的安全解决方案 2013 年 1 月 7 日，加利福尼亚州圣克拉拉市&mdash &mdash 安捷伦科技公司（纽约证交所：A）今日发布了 OpenLAB 数据存储及实验室应用，这是一种针对小型实验室设计的容易安装的解决方案，确保安捷伦 OpenLAB 色谱数据系统产生的数据可获得安全的中央存储。该软件还能简化对实验室操作、资产和法规认证的管理。 此外，还推出了其他用于大型实验室的商用解决方案，融合了企业级电子实验室记录本、实验室信息管理系统和科学数据管理系统。OpenLAB 数据存储及实验室应用通过对一些重要工作的处理，使小型实验室能够快捷安装软件并轻松完成工作。 安捷伦软件和信息业务部副总裁兼总经理 Bruce von Herrmann 说道：&ldquo 对于小型色谱实验室而言，他们需要的是配置简单、持续 IT 维护投入最低的网络化解决方案。由于 OpenLAB 数据存储及实验室应用采用非定制化设计，因此只需短短两天便可在实验室开始正常运行，比其它解决方案足足快 10 倍。&rdquo 与大型实验室一样，小型实验室也面临着信息管理的一大难题：管理色谱系统产生的大量数据并要确保其安全储备纷繁复杂。同时，还要在管理实验室工作流程、资产和法规要求方面不断提高生产率，这也十分困难。然而，与大型实验室的不同之处在于，小型色谱实验室无法承担多个企业级解决方案所需的成本。 对于管理最多 15 台安捷伦色谱仪和安捷伦单四级杆液质联用系统的实验室主任而言，使用 OpenLAB 数据存储及实验室应用具有下列优势：集中进行色谱和液质联用系统的数据存储和检索自动化工作负荷调度和工作流程管理高效的实验室事件和资产跟踪全面的数据安全、审计跟踪和电子签名授权简化了美国 FDA 21 CFR Part 11 和 EU 附录 11 法规认证经济实惠的部署、管理和维护 OpenLAB 数据存储及实验室应用是业界领先的软件产品套装的组成部分，用于在整个生命周期内、在实验室和企业范围内集成和管理科学信息。它与安捷伦 OpenLAB ECM（企业内容管理）软件互补，有效提供多供应商、多仪器数据的管理。OpenLAB ECM 可全面升级为全球配置。 要了解有关 OpenLAB 数据存储及实验室应用的更多信息，请访问 www.agilent.com/chem/openlabdatastore。 关于安捷伦科技公司 安捷伦科技 (NYSE: A）是全球领先的测试测量公司，同时也是化学分析、生命科学、诊断、电子和通信领域的技术领导者。 公司拥有 20,500 名员工，遍及全球 100 多个国家，为客户提供卓越服务。 在 2012 财年，安捷伦的净收入达到 69 亿美元。如欲了解关于安捷伦的详细信息，请访问：www.agilent.com.cn。 编者注： 更多有关安捷伦科技公司的技术、企业社会责任和行政新闻，请访问安捷伦新闻网站：www.agilent.com.cn/go/news 。

5月10日，长江存储在官网发布声明称，发现“日经亚洲评论”等多家网络媒体援引不可靠信源，对长江存储供应链管理政策进行了肆意杜撰，发布不实报道。对此，长江存储郑重声明如下：1. 长江存储是一家全球化运作的商业公司，致力于融入全球半导体产业链，与世界优秀的企业共同成长，并始终遵循公平公正的供应链审核制度；2. 长江存储始终以提供高品质闪存解决方案产品满足全球客户需求为目标，不以任何非法律和非市场化竞争的因素排除特定区域的合作伙伴；3. 目前长江存储与各国合作伙伴均保持着友好互信的商业往来，合作共赢仍是我们共同的追求，也诚挚欢迎各国优秀企业与长江存储合作，继续支持长江存储发展，共同推动产业不断创新、不断进步。长江存储声明 图源长江存储官网据了解，事情起源自日媒不可靠报道。相关报道称长江存储为了减少对美的依赖，开始进行了大规模审查，不管是螺钉、螺母和轴承还说是那些生产设备和化学药品等等，都是力求是本土供应商，甚至是非美供应商就行！其中某知情人表示，现在的长江存储不仅仅是在排查自己的生产线，还在排查供应商以及供应商的供货链，用“掘地三尺”来形容似乎也不足为过！比如螺母的来源、交货时间、是否存在替代品等等方面，长江存储都要严格审查！长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。日媒援引不可靠信源报道，可能对长江存储的海外设备采购造成不利影响。

我校郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器。该成果12月28日发表在国际知名期刊《物理评论快报》上。量子存储器是构建大尺度量子网络的核心器件。基于量子存储器的量子中继或量子U盘可以有效地克服信道损耗，拓展量子网络的工作距离。李传锋、周宗权研究组长期致力于基于稀土掺杂晶体的固态量子存储器的实验研究。为了提升量子存储器的存储容量，满足规模化应用的需求，研究组近年来发展了激光直写技术，在稀土掺杂晶体上制备可集成量子存储器。所谓按需式读取是指光子写入存储器以后再根据需求决定读出的时间，它对实现量子网络中的同步操作等功能至关重要。然而目前国际上已有的可集成固态量子存储器都是基于简单的原子频率梳方案，其读出时间是在光子写入之前预先设定的，无法按需读取。为了实现按需式读取，研究组采用了一种改进的量子存储方案，即电场调制的原子频率梳方案。它通过引入两个电脉冲，利用斯塔克效应实时操控稀土离子的演化从而控制存储器的读出时间。研究组首先使用飞秒激光在掺铕硅酸钇晶体表面制备出面上光波导，然后在面上光波导的两侧加工两个面上电极，从而能以TTL兼容的5V电压实时操控存储过程，实现按需式读取。实验中光波导的插入损耗达到1 dB以下，这是目前可集成固态量子存储器的最优水平。最终，基于该自制器件研究组在国际上首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器，存储保真度达到99.3%±0.2%。该结果接近研究组2012年在块状晶体中创下的量子存储保真度的最高纪录（99.9%，PRL108, 190505），表明这种可集成量子存储器具有极高的可靠性。实验光路图和显微镜下集成量子存储器照片（右侧插图）该成果对大容量量子存储和构建量子网络均有重要意义。审稿人对该工作给予了高度评价：“The present experiment is a remarkable achievement as, in previous experiments with rare earth doped crystals with integrated design, only predetermined or delayed retrieval had been shown. (这个实验很重要，因为之前可集成固态量子存储的实验都局限于演示提前确定的读取时间。) ” “The work demonstrates a significant advancement in the field and is of broad interest to the scientific community.（这项工作是量子存储领域的一个重要进展，并将引起科学界的广泛兴趣。）”。文章的共同第一作者是中科院量子信息重点实验室的研究生刘超和朱天翔。该工作得到了科技部、国家自然科学基金委、安徽省以及中国科学院青年创新促进会的资助。论文链接：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.125.260504

磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）利用磁隧道结自由层磁矩取向不同引起的磁阻不同作为存储单位0和1，同时结合传统的磁存储（PMR）非易失性及静/动态随机存储器（SRAM/DRAM）读写速度快的双重优点，在科研及工业界广受欢迎，并被认为是替代传统随机存储器的下一代存储技术的潮流和趋势。随着自旋转移矩效应（Spin Transfer Torque， STT）的发现及迅速应用，长期制约MRAM由科研阶段向工业量产阶段转变的技术难点“写入困难”被成功解决，同时为了进一步提高磁随机存储器的存储密度，近年来垂直取向的磁随机存储单元-隧道结（MTJs）取代了水平取向的磁随机存储单元，与STT技术一道成为了新的磁随机存储技术-垂直型STT-MRAM。图1 MRAM晶圆及MTJs存储单元 MRAM器件化和产业化的关键是对晶圆的磁性薄膜及磁性存储单元的生长和性能实现控制，特别是存储单元中的核心部件磁隧道结（MTJs），磁隧道结一般由磁性各异的多层膜构成，而隧道结终的性能又由多层膜中各层薄膜的性能所综合决定，然而MTJs的多层膜中每一层的厚度一般在几纳米至几十纳米之间，每一层的磁矩信号都非常弱(5*10-6emu），因此需要高精度的磁性检测设备来对晶圆薄膜及磁性存储单元的磁学性能进行测试，并反过来监控和改进晶圆的生长工艺。 图2 PKMRAM_300设备 美国Microsense公司的垂直磁随机存储器晶圆专用的PKMRAM_300型MOKE系统为目前少数可实现大尺寸晶圆（直径300mm）的高精度磁性检测设备，具有检测灵敏度高，测量精度高，测样速度快，设备操作高度智能化和自动化的特点，可实现无人值守式工作，因此在全球磁随机存储器研发生产单位中广受欢迎。 图3 PKMRAM_300典型测试结果图 日前，国内套PKMRAM_300正式落户杭州，将在新型磁随机存储器技术的研发及实现量产化的进程中发挥作用。祝愿此次PKMRAM_300 磁随机存储器磁检测系统的落户，能够帮助科学研究人员在磁随机存储技术领域内取得更多突破，在范围内占据技术点。相关产品链接：磁电阻随机存储器向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202460.htm面内磁存储纵向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202463.htm充磁系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C203306.htmDiskMapper H7 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202452.htm

存储器作为所有电子信息系统的核心与基石，其在现代信息技术中的重要作用不仅是大国竞争的焦点，更是制约国家安全的关键和核心技术。但是，我国存储器市场基本被美日韩企业所垄断，虽然市场规模约占全球的35%，但自给率不足5%。特别是随着人工智能、物联网和大数据等新信息技术的快速发展与普及，全球数据量呈现爆发式的增长，而市场主流存储器产品因存在物理极限、存储鸿沟和功耗高的问题，无法满足未来海量数据处理的要求。因此，发展新型非易失性存储器正成为世界强国竞争的制高点。铁电存储器是一种采用铁电材料的双稳态极化来存储信息的新型非易失性存储器，因具有极优异的抗辐照性能和长久的数据保存能力，近30年来备受国内外高度关注。然而，锆钛酸铅等传统铁电材料作为存储介质的最小薄膜厚度约为70 nm，不能突破物理极限，翻转速度约为100 ns，不能解决存储鸿沟，且面临组成元素污染集成电路工艺线的巨大难题。2011年意外发现具有铁电性的氧化铪，有望引领存储器同时突破物理极限、存储鸿沟和集成电路工艺兼容性问题。唤醒效应、疲劳失效、性能不均一是阻碍氧化铪基铁电存储器走向应用的瓶颈问题，根本原因在于对氧化铪的5d电子结构、畴结构、铁电相等反常铁电性科学本质认识不足。针对以上需求及挑战，西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院周益春教授团队开展5d电子材料铁电性物理本质与存储器设计新理论研究，以构建电子、声子以及跨尺度畴变模型，揭示5d电子材料铁电性的物理本质及其介观响应规律，建立畴与场效应协同的复杂系统器件设计新理论，从而实现铁电相、薄膜、存储器的全链条研制。(1) 提出了场效应与畴结构耦合的器件设计理论，建立了源漏电流（存储窗口）与栅电压、极化、应变、应变梯度之间的关联，实现了铁电存储器的电路设计与仿真，首次研制出64 kbit 氧化铪基铁电存储器。图1. 64 kbit铁电存储器及其功能演示照片(2) 基于与主流集成电路工艺线兼容的原子层沉积工艺，提出硅衬底上制备氧化铪基铁电薄膜的化-力-电多场调控原理和晶态high-k层降低铁电相形成能的策略，实现了杂相（化）、界面（力）、畴（电、力）的协同调控，在国际上首次实现了氧化铪基铁电存储器的后栅极制备工艺和后端集成工艺，并通过了标准工艺线的验证。图2 (a)8英寸氧化铪基铁电薄膜照片 (b) 后栅极工艺制备的铁电存储单元照片(3) 基于贝利相位和能带理论，揭示出氧化铪的铁电相是极不稳定的亚稳相，并阐明掺杂离子-氧空位复合缺陷、应变和电场的协同作用能有效稳定亚稳相；构建了氧化铪基铁电薄膜带电畴壁-内建电场相场模型，从理论上预测了氧化铪尾对尾90°电畴结构的存在及其对氧化铪基铁电薄膜“唤醒”效应与疲劳失效的影响规律，并通过像差校正扫描透射电子显微镜(Cs-STEM)证实90°电畴结构是导致氧化铪基铁电薄膜出现“唤醒”效应的重要原因。图3 氧化铪薄膜在(a)唤醒前和(b)唤醒后的晶相、电畴结构

p style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "近年来，随着国内芯片制造行业的兴起，中国大陆半导体设备需求市场快速增加。由于美国对中国半导体企业的进一步封锁，国内企业如中芯国际、长江存储等在今年加大了对半导体设备（尤其是海外厂商）的采购，亚化咨询预计，2020年中国大陆半导体设备市场将突破160亿美元，刻蚀设备市场将达到25亿美元。/pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "在中国大陆刻蚀设备市场不断扩大的同时，另外一个数字也在悄悄地提升——那就是刻蚀机的国产化率。/pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "以长江存储设备招中标情况，截至2020年12月16日，长江存储共累计招标348台刻蚀设备，其中美国厂商Lam Research占据超过一半的采购量，达187台。而国内厂商中微半导体、北方华创、屹唐半导体分别中标50台、18台、13台，国产化率高达23.85%。/pp class="f_center" style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 0px padding: 0px text-align: center line-height: 20px color: rgb(102, 102, 102) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif white-space: normal "　　img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2020%2F1217%2F5237abc5p00qlgx1c000nd200fg00ctg00fd00cq.png&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg" style="box-sizing: inherit border: 0px max-width: 100% margin-bottom: 10px "/br style="box-sizing: inherit "//pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "以华虹六厂设备招中标情况为例，截至2020年12月16日，华虹六厂共累计招标81台刻蚀设备，其中Lam Research依旧占据超过一半的采购量，达45台。国内厂商中微半导体、北方华创分别中标15台、1台，国产化率约为19.75%/pp class="f_center" style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 0px padding: 0px text-align: center line-height: 20px color: rgb(102, 102, 102) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif white-space: normal "　　img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2020%2F1217%2Fef06efdap00qlgx1d000kd200fg00ctg00fd00cq.png&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg" style="box-sizing: inherit border: 0px max-width: 100% margin-bottom: 10px "/br style="box-sizing: inherit "//pp style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 34px padding: 0px text-align: justify color: rgb(64, 64, 64) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif font-size: 18px white-space: normal text-indent: 2em "由于存储芯片的生产需求的设备量较大，亚化咨询还研究了长江存储单年的国产刻蚀机采购占比变化趋势。亚化咨询研究数据显示，2018、2019年长江存储采购的国产刻蚀机占比迅速提升，预计2020年约为30%左右，2023年将突破40%。/pp class="f_center" style="box-sizing: inherit margin-top: 34px margin-bottom: 0px padding: 0px text-align: center line-height: 20px color: rgb(102, 102, 102) font-family: Arial, " Hiragino Sans GB" , STHeiti, " Helvetica Neue" , Helvetica, " Microsoft Yahei" , " WenQuanYi Micro Hei" , sans-serif white-space: normal "　　img src="https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2020%2F1217%2Fa04f0f4ep00qlgx1d000hd200fg009hg00fd009f.png&thumbnail=650x2147483647&quality=80&type=jpg" style="box-sizing: inherit border: 0px max-width: 100% margin-bottom: 10px "//p

升温，碲变液态，开关闭合；降温，碲回归固态，开关断开… … 更奇妙的是，这样的“温控”开关小到纳米级，一开一闭的时间只有15纳秒，可以使用超过1亿次！　　记者从中科院上海微系统所获悉，该所研究员宋志棠团队研制出由碲元素制成的全新开关器件，这种开关具有高驱动电流、低漏导和长寿命性能，有望让相变存储器这一新型三维海量存储器的性能进一步升级。该成果近日发表于《科学》杂志。　　作为电子产品必备的元器件，存储器广泛应用于人们的工作生活，电脑里的内存条和硬盘就是其中最常见的两类。与此同时，在业界对存储器更高性能的不懈追求下，速度快、功耗低、微缩性能好、可三维集成的相变存储器受到热捧，被视为最有潜力的新型海量存储器。　　“相变存储器由相变存储单元和开关单元构成，用一个相变存储单元加一个开关单元记录一个比特，但由于当前商用领域的开关组分复杂，制约了相变存储器在寿命和存储密度上进一步提升。”宋志棠说。　　据文章通讯作者朱敏介绍，团队制备出60纳米至200纳米大小的碲开关器件以验证其性能。当碲处于液态时表现出金属性，可提供强大的驱动电流，当碲处于固态时，实现低漏导关断。另外，得益于单质碲组分均一，开关器件的一致性与稳定性进一步得到提升。　　《科学》杂志同期发表评论文章称：“该成果是前所未有的，为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法，此单质开关为三维相变存储器架构提供了新的视角。”