光刻胶薄膜

HSQ (Hydrogen Silsesquioxane Polymers) 是⼀ 种半导体级纯度的氢倍半硅氧烷聚合物。作为半导体⾏ 业的⼀ 种重要材料应⽤ 于超⾼ 分辨EUV光刻、电⼦ 束光刻，以及作为旋涂玻璃层（SOG）应⽤ 于半导体⾏ 芯⽚ 表⾯ 平坦化层和介电层以及中间层等。为了满⾜ 各位⽼ 师对⾼ 品质电⼦ 束光刻胶的需求，汇德信与加拿⼤ AQ Materials建⽴ 深度合作关系，旨在为各位⽼ 师提供灵活且易于存储的H-SiOx（HSQ）超⾼ 分辨率电⼦ 束负胶产品。AQM开发了⼀ 种⽅ 便且通⽤ 的⽅ 法来合成电⼦ 级倍半硅氧烷基（由硅和氧核，H-SiOx组成）树脂。这类聚合物/树脂是⼀ 款超⾼ 分辨率的电⼦ 束负胶⽤ 于纳⽶ 电⼦ 器件制造过程。我们的H-SiOx聚合物具有最佳的分⼦ 量，可以在普通有机溶剂（例如甲苯和甲基异丁基酮）中制成均匀的溶液，获得⾼ 质量薄膜。可以获得具有⼩ 于10 nm半周期（视光刻胶厚度）的密集图案。 图1 H-SiOx粉末，便于存储产品特点： 图2 H-SiOx制成的菲涅⽿ 波带⽚ ①成膜性好高分辨率（10 nm特征尺寸）优异的线条边缘粗糙度良好的耐干蚀刻性能粉末形式可灵活配制不同厚度在20°C下具有非常长的保存周期（粉末形式）H-SiOx具有与经典HSQ相同的超⾼ 分辨率和优异的耐⼲ 法刻蚀能⼒ 。但相⽐ 于经典HSQ产品以粉末形式存储，保质期更⻓ ，可根据应⽤ 灵活配置浓度获得不同胶厚的薄膜。可使⽤ 通⽤ TMAH显影液或者盐显影液进⾏ 显影⼯ 艺，分别可获得⾼ 灵敏度（对⽐ 度约为4.8）或低灵敏度⾼ 对⽐ 度（约为8.7）的结果②，可满⾜ 不同应⽤ 场景的需求。为了更好的服务⼴ ⼤ 客户，我们针对H-SiOx产品采取粉末形式交货，延⻓ 产品的使⽤ 寿命，客户可根据⾃ ⼰ 的实际膜厚需求配置，为⽅ 便⼤ 家使⽤ ，我们免费赠送MOS级MIBK溶剂，以及过滤器，⽅ 便客户使⽤ ！关于H-SiOx超⾼ 分辨率电⼦ 束负胶产品，如果您有任何问题或者需要产品资料，请随时联系我们！参考文献：① Application of HSQ electron beam resist for silicon photonic applications, courtesy of Applied Nanotools Inc.② https://doi.org/10.1116/1.5079657

特点：• 用于增强光刻胶和衬底的黏附性• 用于紫外光刻胶、电子束光刻胶、特殊功能用光刻胶等• 采用旋涂的方式进行涂覆，操作简单• 涂覆厚度：15nm @ 4000rpm• 和传统的HMDS相比，毒性更小，使用更安全，更经济实惠• new版本与旧版AR 300-80相比,烘烤温度降低 （60℃ 热板 2min）

Negative PhotoresistsPositive PhotoresistsResist RemoversResist DevelopersEdge Bead RemoversPlanarizing, Protective and Adhesive CoatingsSpin-On Glass CoatingsSpin-On Dopants曝光应用特性对生产量的影响i线曝光用粘度增强负胶系列在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮（Polyioprene-Bisazide）的负胶。在湿刻和电镀应用时超强的粘附力；很容易用去胶液去除。 单次旋涂厚度范围如下：﹤0.1～200 μm可在i、g以及h-line波长曝光避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁单次旋涂即可获得200 μm胶厚厚胶同样可得到优越的分辨率150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间优异的感光度进而增加曝光通量更快的显影，100 μm的光刻胶显影仅需6 ～ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡可将一种显影液同时应用于负胶和正胶不必使用增粘剂如HMDSg和h线曝光用粘度增强负胶系列

特点：• 用于高灵敏度电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 290nm~330nm• 化学放大胶，高灵敏度• 良好的耐干法刻蚀能力旋涂曲线：应用实例： 欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm) g-line(436nm)、 e-beam、X-ray、synchrotron• 涂胶厚度从几微米到上百微米不等• 覆盖能力强，分辨率高，图形边缘结构陡直• 化学放大胶，具有非常高的灵敏度• 可得到undercut结构，用于lift-off工艺• 可替代SU8胶 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 耐酸碱保护胶• 不含光敏物质，无需黄光室• 在40% KOH或50% HF酸中可长时间稳定• 通过双层工艺可实现正性(AR-P 3250) 或负性(AR-N 4400-05/10)光刻工艺 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于集成电路加工、lift-off工艺、激光干涉曝光等• 感光波段：i-line(365nm)、g-line(436nm)• 化学放大胶，具有非常高的灵敏度• 高分辨率、高对比度• 可得到undercut结构，用于lift-off工艺旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应• 通过旋涂的方式涂胶，操作简单• 涂胶厚度：40nm @ 4000rpm• 电子束曝光后可溶于水，非常容易去除，且不损伤衬底材料• 对紫外光、电子束不敏感，无需黄光室 5090.02，适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等； 5091.02，适于酚醛树脂基电子束光刻胶，如AR-N 7520导电性：[注]导电胶电阻测量实验结果：胶层越薄，电阻越大，导电性降低。应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于LIGA、X射线掩膜板加工等• 感光波段：e-beam、X-ray、synchrotron• 基于PMMA的厚胶• 涂胶厚度从几微米到上百微米，覆盖能力好旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于亚微米精细结构加工、掩膜板制作、激光干涉曝光等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 高分辨率、高对比度、优异的结构稳定性，可用于亚微米精 细结构的加工旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 紫外正胶，用于单层lift-off工艺等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 在金属和氧化物等衬底表面有很好的粘附性能• 通过普通的单层工艺，即可实现lift-off剥离工艺旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于掩膜板制作、精细结构加工、激光干涉曝光等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 可得到非常薄且均匀的膜• 高灵敏度、高分辨率• 良好的粘附能力，可用于耐干法和湿法刻蚀工艺旋涂曲线：应用实例： 欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于三维电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 290nm~330nm• 化学放大胶，高灵敏度，低对比度( 1)• 良好的耐干法刻蚀能力旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 耐高温紫外正胶• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 具有非常好的耐刻蚀稳定性，热稳定性高达300℃• 应用于高温双层剥离结构以及等离子体刻蚀和离子注入应用• 溶剂为PGMEA旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高分辨电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)、i-line(365 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~365nm• 高分辨率(30nm)，高对比度• 良好的耐干法刻蚀能力旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 紫外负胶（厚胶），适用于 LIGA 及 MEMS应用• 涂胶厚度 10μm@1000rpm， 可提供更高厚度（200μm）• SX AR-N 4600-10 : 结构稳定性好、重复性好，厚度可达几百 微米，适用于永久保留胶体结构的应用• SX AR-N 4650-10 : 容易去胶，适合于电铸工艺旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高分辨率电子束曝光、单层/多层lift-off工艺、 石墨烯/碳纳米管转移、绝缘保护层等 • 感光波段：e-beam、deep UV(248nm)• 高分辨率( 10nm)，高对比度 • 多种分子量：50K、200K、 600K、 950K• 多种溶剂：苯甲醚、乳酸乙酯、氯苯• 多种固含量实现了多种涂胶厚度• 可定制特殊用PMMA胶950K PMMA参考涂胶厚度：（其他型号的涂胶厚度，请联系销售人员）应用实例：双层PMMA lift-off工艺PMMA Bilayer(950K/600K) - - AR-P 679.03 / AR-P 669.04欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高分辨率电子束曝光等• 感光波段：e-beam• 高分辨率( 10 nm)， 高对比度(14)• 高深宽比，高工艺稳定性• 优异的耐干法刻蚀能力• 采用不同的显影液(AR 600-546/ 548/ 549)，可实现 不同程度的灵敏度• 可实现Lift-off工艺，操作简单• 溶剂为苯甲醚(安全溶剂)旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

Made in UK, 英国EM Resist Ltd出品的光刻胶（1%-17% PMMA、SML系列电子束曝光阻剂），PMMA是常用的普通正阻剂；SML系列阻剂是高分辨率高深宽比的正阻剂。高档的SML正阻剂特点：无需邻近效应校正，低加速电压下也能使用，可提高EBL设备能力并制作出传统PMMA做不出来的新颖微纳器件，特别适合科研应用；有SML50、SML100、SML300、SML600、SML1000、SML2000等系列型号（数字表示光刻胶涂布厚度）。[资料]PMMA (Polymethyl – Methacrylate；聚甲基丙烯酸甲酯；positive tone, polymer chain scission type for Electron beam, DUV, x-ray and multi-level lithography) is a widely used, versatile resist that is used for many imaging (and non-imaging) micro-electronic applications as well as a protective coating for wafer thinning, a bonding adhesive and as a sacrificial layer, but is commonly used as a high resolution positive resist for direct write with e-beam. EM Resist Ltd specialises in electron beam lithography resists and applications. We develop and manufacture electron beam resists in a purpose built clean-room facility to ensure maximum quality and performance.Our products and expertise are the result of many years research by experienced physicists and material scientists in both academia and industry. EM Resist products are provided in a clean room compatible box, if you need Material Safety Data Sheets, Process Information, Example design files and other useful information, please contact with our Chinese Distributor(www.tansi.com.cn).PMMA Product Options. First,select which solvent(Anisole or Chlorobenzene) best suits your application. Second,select which solid percentage(1%-17%, 20nm-3500nm) of thickness required.Third,choose a volume to suit your usage needs.

特点：• 双层lift-off工艺的底层胶，不含光敏物质• 双层工艺配套用上层胶:AR-P 3500 (正)或AR-N 4340(负)• 在270nm~红外波段，光学透明• 具有良好的高温稳定性旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于IC掩膜板加工等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 良好的耐刻蚀性能，粘附性强，工艺宽容度大• 适合于工业通用的0.26 n的碱性显影工艺• 3500T系列比原3500系列具备更高的分辨率和对比度旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高分辨率电子束曝光、单层/多层lift-off工艺等• 感光波段：e-beam、deep UV(248nm)• 高分辨率( 10nm)，高灵敏度(PMMA灵敏度的3~4倍)旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 涂胶厚度从几微米到上百微米，覆盖能力好，图形边缘陡直• 3220透明度高，100μm胶厚(多层涂胶工艺)也可正常曝光 • 具有良好的耐干法和湿法刻蚀能力 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

目标应用： 半导体薄膜（光刻胶） 玻璃减反膜测量 蓝宝石薄膜（光刻胶） ITO薄膜 太阳能薄膜玻璃 各种衬底上的各种膜厚 卷对卷柔性涂布 颜色测量 车灯镀膜厚度 其他需要测量膜厚的场合 阳极氧化厚度产品型号A3-SR-100 产品尺寸 W270*D217*（H90+H140）测试支架（配手动150X150毫米测量平台和硅片托盘）测试方式可见光,反射 波长范围380-1050纳米光源钨卤素灯(寿命10000小时) 光路和传感器光纤式(FILBER )+进口光谱仪 入射角0 度 (垂直入射) (0 DEGREE) 参考光样品硅片光斑大小LIGHT SPOTAbout 1 mm（标配，可以根据用户要求配置）样品大小SAMPLE SIZE150mm,配150X150毫米行程的工作台和6英寸硅片托盘 膜厚测量性能指标（THICKNESS SPECIFICATION）：产品型号A3-SR-100厚度测量 1Thickness15 nm - 100 um 折射率 1（厚度要求）N 100nm and up准确性 2 Accuracy 2 nm 或0. 5%精度 3precision0.1 nm1表内为典型数值, 实际上材料和待测结构也会影响性能2 使用硅片上的二氧化硅测量，实际上材料和待测结构也会影响性能3 使用硅片上的二氧化硅（500纳米）测量30次得出的1阶标准均方差,每次测量小于1秒.

聚合物薄膜测厚仪配件用于测量聚合物薄膜、有机薄膜、高分子薄膜和 光致抗蚀剂薄膜, 光刻胶膜,光刻薄膜,光阻膜在加热或制冷情况下薄膜厚度和光学常量（n, k)的变化。为了这种特色的测量，孚光精仪公司特意研发了专业的软件和算法，使得该聚合物薄膜测厚仪能够给出薄膜的物理化学指标：例如玻璃化转变温度 glass transition temperature (Tg)，热分解温度，薄膜的厚度测量范围也高达10nm--100微米。聚合物薄膜测厚仪配件在传统薄膜测厚仪的基础上添加了加热/制冷的温度控制单元，使用白光反射光谱技术（WLRS)，实时测量薄膜厚度和折射率，并通过专业软件记录下这些数据，能够快速实时给出薄膜厚度和薄膜光学常量等物理化学性能数据，并且能够控制薄膜加热和制冷的速度，是聚合物薄膜特性深入研究的理想工具。干膜测厚仪所使用的软件也适合薄膜的其他热性能研究，例如：薄膜的热消融/热剥蚀thermal ablation研究，薄膜光学性质随温度的变化，薄膜预烘烤Post Apply Bake，光刻过程后烘烤 Post Exposure Bake对薄膜厚度的损失等诸多研究。对于薄膜的厚度测量，这款聚合物薄膜测厚仪,薄膜热特性测厚仪要求薄膜衬底是透明的，背面是不反射的。它能够处理最高4层薄膜的膜堆layer stacks，给出两个参数：例如两个薄膜的厚度或一个薄膜的厚度和光学常量。这套聚合物薄膜测厚仪,薄膜热特性测厚仪已经成功应用于测量不同聚合物薄膜的热性能，光刻薄膜的热处理影响分析，Si晶圆wafer上的光致抗蚀剂薄膜分析等。聚合物薄膜测厚仪配件参数 可测膜厚： 5nm-150微米；波长范围：200-1100nm 精度：0.5%分辨率：0.02nm 测量点光斑大小：0.5mm可测样品大小：10-100mm计算机要求：Windows XP, vista, Win7均可，USB接口；尺寸：360x400x180mm重量：13.5kg 电力要求：110/230VAC聚合物薄膜测厚仪配件应用聚合物薄膜测量光致抗蚀剂薄膜测量化学和生物薄膜测量，传感测量光电子薄膜结构测量半导体薄膜厚度测量在线测量光学镀膜测量聚合物薄膜厚度测量polymer films测量测量有机薄膜厚度测量光致抗蚀剂薄膜测光刻胶膜测厚测量光刻薄膜厚度测量光阻薄膜测厚测量光阻膜厚度

秒激光直写光刻系统配件是专业为微纳结构的激光蚀刻而设计的激光直写光刻机，基于多光子聚合技术，适合市场上的各种光刻胶，能够以纳米精度和分辨率微纳加工各种三维结构。秒激光直写光刻系统配件特点激光光刻机3D模型制备直写光刻机直接激光刻划 激光光刻机整套系统到货即可使用激光光刻机提供100nm-10um的分辨率直写光刻机超小尺寸 激光光刻机3D模型的制备 这套三维光刻机由激光微加工系统软件控制，简单的3D模型通过这种软件即可生成，对于比较复杂的3D模型，用户可以通过Autodesk, AutoCAD等软件制作，然后导入到三维光刻机的软件中，这个软件支持.stl, dxf等格式的文件用于3D结构的制造。 激光光刻机激光直接读写 这套激光光刻机由飞秒激光光源，精密的3轴定位台和扫描镜组成。首先，待刻录的图形通过激光光刻机精密的激光聚焦系统直接从CAD设计中导入到光刻胶上。聚合物的双光子或多光子吸收用于形成高质量表面的3D结构。，这套激光蚀刻机提供纳米尺度分辨率和对聚合物的广泛选择，从而可以适合微纳光学,微流体,MEMS,功能表面制作等各种应用. 与CAD设计等同的3D结构形成后，未固化的光刻胶剩余物由有机溶剂洗掉,这样只留下蚀刻的微纳结构呈现在基板上。 激光光刻机后续工序： 在所需的微纳结构形成后，它被浸入到几种不同的溶剂中，以除去蚀刻过程中留下的液态聚合物。激光光刻机全部过程都是自动化的，重要参数可以根据要求而设定：浸入时间,温度等.对于特殊的样品或加工对象，可以使用紫外光或干燥机处理。秒激光直写光刻系统配件应用 ?激光光刻机用于纳米光子器件（三维光子晶体） ? 三维光刻机用于微流控芯片 ? 三维光刻机用于微光学（光学端面微结构制作） ? 激光光刻机制作机微机械 ?激光蚀刻机制作微型光机电系统 ? 激光光刻机,三维光刻机用于生物医学

无掩模光刻机配件具有无掩模技术的便利，大大提高影印和新产品研发的效率，节省时间，是全球领先的无掩模光刻系统。无掩模光刻机配件特色尺寸：925x925x1600mm直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上内置计算机控制接口激光光源：375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置无掩模光刻机配件参数线性写取速度：500mm/s重复精度： 100nm晶圆写取面积：1—6英寸衬底厚度：250微米-10毫米激光点大小：1-100微米准直精度：500nm

超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

微流控芯片光刻机系统配件专业为微流控芯片制作而设计，用于刻画制作微结构表面。微流控芯片光刻机采用多功能一体化设计理念，一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能，而且不需要无尘环境，用户安装使用不再需要单独建设超净间，从而大大提高用户的使用经济性和方便性。微流控芯片光刻机全自动化和可编程操作，适合几乎所有常用材料，可以根据用户的芯片衬底基片尺寸，形状和厚度进行调节。微流控芯片光刻机是一种无掩模光刻系统，具有两个易操作的软件，用户可以创建个人微结构图案，从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。微流控芯片光刻机具有技术突破性设计和灵活性优势，非常适合加工微纳结构用于MEMS，BioMEMS，微流控系统，传感器，光学元件，MicroPatterning微图案化，实验室单芯片，CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。这款无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构，从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管（波长405纳米- 50毫瓦），光学扫描器和F-θ透镜（405纳米）。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用，较好的再现性和较高的质量，焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用，修改或其他用户使用。编号名称MSUP基于无掩模光刻系统和湿法刻蚀技术的微结构化表面的单位生产。

产品特点采用数字微镜 (DMD) 的无掩模扫描式光刻机，365nm波长直接从数字图形生成光刻图案，免去制作掩模板的中间过程，支持直接读取GDSII和BMP文件全自动化的对焦和套刻，易于使用晶圆连续运动配合DMD动态曝光，无拼接问题。全幅面绝对定位精度0.1um套刻精度： 0.2um500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm最大幅面（4~6寸晶圆），满幅面曝光时间5~30分钟500um最小线宽可灰度曝光（128阶）尺寸小巧，可配合专用循环装置产生内部洁净空间通用参数应用微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工带有2.5D图案的微光学元件，衍射光器件制作 教学、科研 参数MCML-110AMCML-120AWavelength 波长365nm365nmMax. frame 最大帧100mm x 100mm100mm x 100mmResolution 分辨率1.0um500nmGrayscale lithography灰度光刻64 levels128 levelsMax exposure最大曝光量500mJ/cm22000mJ/cm2Alignment accuracy对准精度200nm100nmfield curvature场曲率 1 um 1 umSpeed速度5mm2 /sec2.5mm2 /secInput file输入文件BMP, GDSIIBMP, GDSIIZ level accuracyZ级精度1 um1 umEnvironment环境20~25℃20~25℃ 样品