光刻胶薄膜

光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被复制在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是最好的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。 划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在曝光之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未曝光的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未曝光的区域将溶解，而曝光的区域被保留。正性胶的分辨力往往是最好的，因此在IC制造中的应用更为普及，但MEMS系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。　　光刻胶必须满足几个硬性指标要求：高灵敏度，高对比度，好的蚀刻阻抗性，高分辨力，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本和比较高的玻璃化转换温度（Tg）。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。大多数光刻胶是无定向的聚合体。当温度高于玻璃化转换温度，聚合体中相当多的链条片以分子运动形式出现，因此呈粘性流动。当温度低于玻璃化转换温度，链条片段的分子运动停止，聚合体表现为玻璃而不是橡胶。当Tg低于室温，胶视为橡胶。当Tg高于室温，胶被视为玻璃。由于温度高于Tg时，聚合体流动容易，于是加热胶至它的玻璃转化温度一段时间进行退火处理，可达到更稳定的能量状态。在橡胶状态，溶剂可以容易从聚合体中去除，如软烘培胶工艺。但此时胶的工作环境需要格外关注，当软化胶温度大于Tg时，它容易除去溶剂，但也容易混入各种杂质。一般来说，结晶的聚合体不会用来作为胶，因为结晶片的构成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。　　感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在曝光过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统，有一种感光剂的情形下，称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系，它们不计入胶的成分。　　在曝光过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影，负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。微流控芯片刻蚀如何选择光刻胶呢？一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 相对而言，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响针孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。汶颢科技提供AZ、SU_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。注意事项：①若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶；②看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题③负性胶价格成本低，正性胶较贵；④工艺方面：负性胶能很好地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽；⑤健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害。

横向赛曼石墨炉原子吸收光谱法在紫外正型光刻胶中的应用摘 要：随着电子技术的飞速发展，对紫外正型光刻胶的质量提出了极高的要求。因为紫外正型光刻胶中钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的存在将严重影响器件的成品率、可靠性和电化学性。因此建立准确、快速的分析方法有一定的意义。对于光刻胶中金属的检测方法，有电感耦合等离子体-质谱法（ICP-MS）、电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES），但是这两种方法光刻胶都需要经过湿法消解或者干法灰化后才可以进样。湿法消解或者干法灰化容易引起易挥发元素的损失，同时存在容器污染，酸基体或者其他试剂的污染，本底较高等问题。本文提出了用石墨炉原子吸收法（GFAA）直接测定紫外正型光刻胶中十种金属元素的方法，本方法不经任何化学处理和富集，减少了中间过程，避免了样品被污染。详细描述了仪器最佳条件选择、控制空白，建立标准曲线、加标回收、测定检出限的方法。钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的检出限分别为0.07ng/ml、0.03ng/ml、0.15ng/ml、0.15ng/ml、0.01ng/ml、0.03ng/ml、0.05ng/ml、0.36ng/ml、0.14ng/ml、0.02ng/ml。石墨炉原子吸收法（GFAA）需要选择合适的溶剂稀释光刻胶，考虑到试剂对光刻胶的溶解性，试剂本身空白值的大小等因素，我们最终选择丙二醇甲醚醋酸脂（PGMEA）做稀释剂，稀释样品后直接进样。关键字：紫外正型光刻胶、金属、石墨炉原子吸收绪 论：光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。随着集成电路（IC）存储容量的逐渐增大，存储器电池的蓄电量需要尽能的增大，因此氧化膜变得更薄，而紫外正型光刻胶中的碱金属杂质(Na、[/size

电子信息产业的更新换代速度不断加快，新技术、新工艺不断涌现，对光刻胶的需求不论是品种还是数量都大大增多。日本是光刻胶生产和应用最多的国家。根据日本富士经济株式会社的统计1，2011年全球光刻胶市场规模为4,736.40亿日元。电脑、手机、显示器等日常电子产品中都需要用到十几种光刻胶，光刻胶是发展微电子信息产业及光电产业中关键基础工艺材料之一。http://www.whchip.com/upload/201610/1477892797460052.jpg 光刻胶发明后，首先被运用于军事、国防设备中高性能集成电路、光学、传感、通讯器材等的加工制作，因此发达国家以前一直将光刻胶作为战略物资加以控制。1994年巴黎统筹委员会（对社会主义国家实行禁运和贸易限制的国际组织）解散前，光刻胶都被列为禁运产品。目前尽管放松了管制，但最尖端的光刻胶产品依然是发达国家管制对象。　 生产光刻胶的原料光引发剂、光增感剂、光致产酸剂和光刻胶树脂等专用化学品是体现光刻胶性能的最重要原料，和光刻胶一样长期以来被国外公司垄断。 我国对光刻胶及专用化学品的研究起步较晚，国家非常重视，从“六五计划”至今都一直将光刻胶列为国家高新技术计划、国家重大科技项目。尽管取得了一定成果，并有苏州瑞红电子化学品有限公司和北京科华微电子有限公司实现了部分品种半导体光刻胶的国产化，但技术水平仍与国际水平相差较大，作为原料的主要专用化学品仍然需要依赖进口。 目前中国需要的绝大部分光刻胶都依赖进口或由外资企业在中国设立的工厂提供。光刻胶作为印制电路板、LCD显示器、半导体的上游材料不能实现国产化，严重制约了我国微电子产业的发展。 光刻胶专用化学品化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大， 技术需要长期积累。至今光刻胶专用化学品仍主要被光刻胶生产大国日本、欧美的专业性公司所垄断。公司是国内少数从事光刻胶专用化学品研发、生产和销售的企 业之一，主营产品是光刻胶产业链的源头，是光刻胶的基础，属于国家鼓励、重点支持和优先发展的高新技术产品。公司光刻胶专用化学品的发展对于促进光刻胶的 国产化，提升我国微电子产业的自主配套能力具有重要意义。http://www.whchip.com/upload/201610/1477892838134263.jpg

各位老师，同学。文献介绍说金属粉末颗粒分散在photo-resist solution AZ135O中，80℃+5h的加加热条件，然后凝结，光刻胶可以包裹颗粒。用于制备微米级粉末的TEM试样。在网上查了一下，紫外光刻胶，说AZ系列是国外的，所以请问各位，为了实现我的目的，是否有同类型的国产的紫外光刻胶可以代替AZ135O。谢谢

请教 光刻胶中重金属检测方法（国标或者行业标准有没有）

光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

助：那位老师做过光刻胶的UV比？280/350nm下的吸光度比值，我这边配制极稀的溶液，溶剂没有吸收，但浓度稍有变化，平行测试结果就有很大差距，这是咋回事？

[size=6][b][size=5][font=宋体]我要投稿摘[/font][font='Times New Roman','serif'] [/font][font=宋体]要：[/font][font='Times New Roman','serif'][/font][/size][/b][/size][size=4][font=宋体]随着电子技术的飞速发展，对紫外正型光刻胶的质量提出了极高的要求。因为紫外正型光刻胶中钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的存在将严重影响器件的成品率、可靠性和电化学性[/font][/size][sup][size=4][font='Times New Roman','serif'][1][/font][/size][/sup][size=4][font=宋体]。因此建立准确、快速的分析方法有一定的意义。对于光刻胶中金属的检测方法，有电感耦合等离子体[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']-[/font][/size][size=4][font=宋体]质谱法（[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif'][url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url][/font][/size][size=4][font=宋体]）[/font][/size][sup][size=4][font='Times New Roman','serif'][2,3][/font][/size][/sup][size=4][font=宋体]、电感耦合等离子体发射光谱法（[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']ICP-AES[/font][/size][size=4][font=宋体]），但是这两种方法光刻胶都需要经过湿法消解或者干法灰化后才可以进样。湿法消解或者干法灰化容易引起易挥发元素的损失，同时存在容器污染，酸基体或者其他试剂的污染，本底较高等问题。本文提出了用石墨炉[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]法（[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']GFAA[/font][/size][size=4][font=宋体]）直接测定紫外正型光刻胶中十种金属元素的方法，本方法不经任何化学处理和富集，减少了中间过程，避免了样品被污染。详细描述了仪器最佳条件选择、控制空白，建立标准曲线、加标回收、测定检出限的方法。钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的检出限分别为[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.07ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.03ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.15ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.15ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.01ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.03ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.05ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.36ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.14ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]、[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']0.02ng/ml[/font][/size][size=4][font=宋体]。[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif'][/font][/size][size=4][font=宋体]石墨炉[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]法（[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']GFAA[/font][/size][size=4][font=宋体]）需要选择合适的溶剂稀释光刻胶，考虑到试剂对光刻胶的溶解性，试剂本身空白值的大小等因素，我们最终选择丙二醇甲醚醋酸脂（[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif']PGMEA[/font][/size][size=4][font=宋体]）做稀释剂，稀释样品后直接进样。[/font][/size][size=4][font='Times New Roman','serif'][/font][/size]

光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面，简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

UV紫外线光固化导电胶、光固化导电胶简介和应用一、UV紫外线光固化导电胶简介 Uninwell国际的UV紫外线光固化导电胶是是由光敏高分子聚合物、反应性稀释单体、导电粒子、光和热引发剂、抗氧剂经混合、研磨制成。其中光敏高分子聚合物为环氧丙烯酸树脂或／和聚氨酯丙烯酸酯；反应性稀释单体为丙烯酸的单、双、多关能团单体；导电粒子为银粉、铜粉或镀银铜粉；光引发剂为α－胺烷基丙酮、安息香（或取代安息香）醚或酰基膦化物；热引发基为偶氮化合物或过氧化合物；抗氧基为对苯二酚、对羟基苯甲醚、２、６－二叔丁基－４－甲基酚等。可以广泛用于触摸屏、CSP、FPC、FPC/ITO glass、PET/ITOglass、PET/PET、倒装芯片(Flipchip)、液晶显示（LCD）、TP、射频识别（RFID）、薄膜开关、EL backlight terminals等领域的快速粘结导电。也可以满足聚酯、薄膜电路、ＰＣＢ电路板等微电子封装技术的需要。由于UV紫外线光固化导电胶具有光化学敏感性， 可以极大提高生产效率；施工安全：没有溶剂参与，有利环境；产品固化温度低，尤以对热敏材料使用为优，且能解决深层固化；固化能耗低，节省成本；固化后有良好的粘着性、耐溶剂性；粘接强度高、电阻率低；并且适于自动化流水线大规模生产。Uninwell国际的光敏导电胶、FPD感光银浆、FPD光刻浆料、LCD导电银浆、PDP导电银浆、触摸屏导电胶、TP银胶在LCM模组、PFD（平板显示器）、液晶显示（LCD）、等离子显示（PDP）、电致发光显示（ELD）、有机电致发光显示（OLED）、场发射显示（FED）、投影显示等领域都有成功的案例。二、在平面显示领域中的应用 在平板显示器(FPD)技术中的应用近几年FPD技术发展迅猛，尤其是液晶显示器(LCD)具有低电压、低功耗的优点，应用几乎覆盖所有显示应用领域，已开始取代阴极射线管，成为FPD中的主导产品。 LCD由8大类材料组成，即透明电极玻璃、液晶、取向剂、光刻胶、偏振片、导电胶、粘合剂及清洗剂。其中，光刻胶在FPD加工技术中主要用于制作显示器像素、电极、障壁、荧光粉点阵等。早先，制作FPD的液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵等都采用厚膜印刷工艺，即将印有液晶滤色器或像素、电极、障壁、荧光粉点阵的图形先复印在丝网漏模上，然后将所需浆料丝网印刷至玻璃基板上，无论是制液晶滤色器、像素、电极，还是障壁、荧光粉点阵，都需要重复丝印十多次才能达到几十微米至一百微米以上的厚度。由于丝网漏模是由金属细丝网状编织而成，其尺寸愈大，则愈易弯曲或扭曲，精度误差大，制成的液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵表面粗糙、边缘不整，图形精度和定位精度差。因此，为了制做大屏幕、高分辨率平板显示器，必须通过采用光刻加工技术来实现。近年来，业界针对平面显示器的快速发展需求，已经研制并规模生产出TN／STN LCD专用正型光刻胶。 在平板显示器中，除LCD之外，近年了PDP(等离子显示器)和EL(电致发光)也发展很快。业界专家预测，在15吋以下的FPD中，液晶技术将受到有机EL、FED(场致发光显示)等技术的严重挑战，但仍可望继续占据主导地位；而在60吋以上大屏幕显示领域，目前仍以PDP优势明显。　　随着FPD行业的迅速发展，大屏幕显示屏制作要求越来越高。由于在显示大幅面细腻的彩色图像时，需要具备高达数十万的像素，因而要求FPD的加工过程必须运用光刻技术来完成液晶滤色器、像素、电极、障壁、荧光粉点阵等具有高、精、细线条的图形制作，专用光刻胶(或光刻浆料)的研制开发已经迫在眉睫，如用于TFT-LCD加工技术的彩色液晶三色感光剂，用于彩色PDP加工技术的彩色PDP专用光刻浆料(制作电极的黑色光刻银浆和光刻导电银浆、制作障壁的耐喷砂光致抗蚀剂、制作荧光粉点阵的三基色荧光粉光刻浆料）等等。 [em0808]

一般我们常见的键盘都是薄膜键盘，所谓薄膜，就是我们把键盘拆开以后，有一层电路薄膜，而这层薄膜就是用来当作开关来控制电源的。 同理，所谓机械键盘，被用作键盘接触的开关是金属，其稳定性是薄膜键盘不能比的。随着近年来电子竞技的高速发展，游戏玩家对游戏要求越来越高，机械结构=的键盘等高端产品开始进入人们的视线，其实大多数机械键盘并不是专为游戏而设计，但是机械结构本身的特性决定了它可以在游戏中有上佳的表现。更多的游戏玩家开始关注机械键盘，但是市场上机械键盘品牌较少，昂贵的价格让人们难以接受这样的产品。另外，很多人并没有真正感受过机械键盘的手感，甚至对机械键盘产生一种神秘感，例如单键寿命高达几千万次、弹簧结构、黄金触点、黑、茶、青、白四种轴、二色成型键帽、激光刻蚀等等这些名词让更多朋友产生迷惑。 其实，机械键盘并不陌生，只是接触过的人相对较少而已，早在十几年年之前就已经被应用在行业用户和特殊环境当中，比如一些大型服务器配的键盘，在国内最常见的就是学校早年间的机房内的电脑和银行等窗口行业使用的电脑配备的键盘。可能有些朋友见过实达给银行系统生产的机械键盘，至今在某些地方仍然能见到。

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时，可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀，底层材料（甚至整个器件或晶圆）就会遭受损坏，从而极大影响良率[1]，因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺（如刻蚀终点探测）进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺，可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤，加强工艺流程控制（如自动工艺控制）的灵活性[2]。为模拟控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像计算机编程）设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中，可使用 "Until Loop"，因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中，用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外，SEMulator3D 能进行“虚拟测量”，帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引，用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中，我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区（见图1）。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层（红色）、30nm 的氧化物（浅蓝色）和 10nm 的光刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a41bec0f-535e-420a-8a19-ed4282cd5c66.jpg[/img]图1：模型边界区域（蓝色），其中包含四个鳍片（红色）和用于测量隔离区（黄色）和沟槽区（绿色）薄膜厚度的两个测量区域[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/630f2367-a619-4bc9-8608-09c532bef68f.jpg[/img]图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色）SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度，并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中，每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀，并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外，我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数（图3）。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/5041079a-7da3-459f-907c-f62f1b6ac8c1.jpg[/img]图3：SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀，直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果，以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/b5d9d13c-68e2-4389-80d1-b974c07afe99.jpg[/img]图4：隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程，及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后，观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0，并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度（当隔离区被完全刻蚀时，密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm）。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除，也可测量刻蚀后剩下的材料（取决于刻蚀类型）。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法，也可以进行其他类型的自动工艺控制，例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料：[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.[来源：大半导体产业网][align=right][/align]

[color=#000000]国产电子束光刻机实现自主可控，是实现我国集成电路产业链自主可控的重要一环。近日，松山湖材料实验室精密仪器联合工程中心产业化项目研发再获新突破：项目团队成功研制出[b]电子束光刻系统[/b]，在全自主电子束光刻机整机的开发与产业化过程中取得阶段性进展，初步实现了电子束光刻机整机的自主可控，标志着[b]国产电子束光刻机研发与产业化迈出关键一步。[/b][/color][color=#000000]电子束光刻是利用聚焦电子束对某些高分子聚合物（电子束光刻胶）进行曝光并通过显影获得图形的过程，而产生聚焦电子束并让聚焦电子束按照设定的图形扫描的仪器就叫做电子束光刻机。它是推动我们当前新材料、前沿物理研究、半导体、微电子、光子、量子研究领域的重要手段之一。此前，全球电子束光刻机市场高度集中，主要由美日企业垄断，我国尚未掌握该领域核心技术，装备长期依赖进口。[/color][color=#000000]松山湖材料实验室精密仪器研发团队作为首批入驻实验室的团队之一，专注于材料和半导体领域的精密加工、表征和测量设备研发。团队负责人许智已从事相关研究近20年，参与承担多项国家重点研发计划专项工作及国家重大科研装备研制项目，近5年带领产业化团队研发的精密仪器成果转化填补多项国产空白，产值超亿元，产品出口美国、英国、德国、澳大利亚。[/color][color=#000000]为了研制具有自主知识产权的电子束光刻机整机，精密仪器研发团队在松山湖材料实验室完成一期项目研发并成立产业化公司后，带资回到实验室进入“滚动发展”模式：产业化公司东莞泽攸精密仪器有限公司与实验室共同投资2400万元进行第二阶段研发，目标是打造集科研与产业化为一体的电子束装备技术创新基地。通过深入开展电子束与新材料交叉领域的前沿技术研发，实现关键装备和共性技术的自主可控，切实提升我国在电子束加工与制备领域的整体创新能力和产业竞争力。[/color][color=#000000]目前，东莞泽攸精密仪器有限公司已基于自主研制的扫描电镜主机，完成电子束光刻机工程样机研制，并开展功能验证工作。通过对测试样片的曝光生产，可以绘制出高分辨率的复杂图形，朝着行业先进水平稳步前进。该成果标志着泽攸科技在电子束光刻机关键技术和整机方面的自主创新能力获得重大提升。下一步，团队及产业化公司将持续完善电子束光刻机的性能指标，使其达到批量应用及产业化的要求。[/color][来源：松山湖材料实验室][align=right][/align]

[em08] 现有一份凝胶，想要把它制成薄膜，以测不同厚度的这种凝胶薄膜对紫外的反射情况，请问如何才能把凝胶制成合乎测定需要的薄膜呢？还有测反射率的时候可以用什么仪器呢？谢谢大家了

[color=#222222]光刻掩膜设计与加工制造服务，请问可以加工二元光学器件吗？相位型光栅那种.[/color]

请教大家:哪种银导电胶使塑料薄膜导电的效果比较好,哪里有得买

我的薄膜基底是单晶硅的，膜层是GeSbTe，之前在普通的xrd上做出来的上想去清华做xrd掠射，打电话问那边的老师说需要自己确定一个掠射角，说是和膜层成分还有厚度有关我在网上查，有人说掠射角是越小越好，想问一下大家做薄膜试样掠射角一般是如何确定的呢？谢谢！

从开始学电镜，一直做得是薄膜对粘样品，偶尔做粉末，陶瓷块体的，但是对粘样品到现在也没做出来几个满意的样品，先说下我的过程，对粘后两面磨到30um以下，以前钉薄过，但是总是不小心钉碎，就直接磨薄上PIPS了，PIPS先是4kev 6°打一段时间，后来改成4°，出洞后低能清损伤。我的经验是：（1）薄膜对粘时，涂的G2胶尽量少且均匀，最后电镜下看到中间胶的厚度为500nm左右，否则胶太多，PIPS时胶都把薄膜粘掉了。（2）样品对粘后磨第二面一定要小心，不能出现大的划痕，否则PIPS很容易碎掉。（3）用内孔径小一点的铜环或钼环支撑时不容易磨碎。（4）PIPS时有的样品加液氮会好一些目前想起来也就这些，大家能不能分享下各自的经验啥的，PIPS时用的能量大小，角度大小啥的，这个对粘样品太纠结了，总是出现各种状况，我做的样品，磨得时候还好，PIPS后，要么碎掉一块，就没有薄区，要么洞周围薄区很少，完美的样品没有几块。

求标准 ASTM D3351 塑料薄膜胶凝数值的试验方法 (不知道最新的是哪年的)

各位大侠帮忙解答:1. 我看文献上有的说xrd掠入射看薄膜物象鉴定，常规的θ/2θ扫瞄看薄膜的择优取向。薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗？2. 我做常规的θ/2θ扫瞄时只有衬底峰没有薄膜信息，所以只能做掠入射，我是在单晶SiC片子上磁控溅射AlN薄膜（约500nm厚），但是我要对比不同参数下薄膜的择优取向，我该怎么测呢？3. 我用的设备是日本理学D/MAX 2500PC X射线粉末衍射仪，做掠入射时加了薄膜附件，采用2θ扫瞄模式，θ角固定（2.5、3、5、8、15、30度），不管θ角多大都没出现衬底峰只有薄膜峰，但是随着θ角的增大，AlN （0002）峰强也增大，而.（10-13）峰强则减小直到消失，这是为什么？另外，掠入射时θ角越小x线在薄膜中的光程应该越大，反应的薄膜信息应该越丰富对吗？为什么我做θ角0.5度和1度时什么峰都没有呢？

我用溶胶凝胶法制的SiO2薄膜在700波数附近有一个向上凸起的峰,请问是怎么回事?

请教大家:哪种银导电胶使塑料薄膜导电的效果比较好,哪里有得买(主要用途是做电镜)

求纳米薄膜接触角测量方法

电子工业用试剂 chemicals for electronic industry 　　用于半导体工业、微电子工业的化学试剂。电子工业范围广，所用材料品种繁多。特别是半导体工业、微电子工业的发展，所用化学试剂也随之迅速发展。自从硅平面工艺建立后，半导体工业获得飞速进展，其中一个重要的原因就是不断开发先进技术和相应的各种新型试剂。电子工业用试剂主要有以下几种： 　　①　光刻胶　又称光致抗蚀剂，随着半导体电路向超高频、高可靠、高集成方向发展。利用光刻工艺刻蚀各种精密的线条一般为 12～1μm，正在研究 0.5μm，越来越细。用作抗蚀涂层的光刻胶是光刻工艺中的关键材料，要求光刻胶的性能、质量也越来越高。因此，在微电子工业中光刻胶是研究、竞争相当活跃的领域。在美国，1982～1986年间光刻胶的销售额年平均增长约14％。 　　近年来，不断研究感光性树脂、感光剂的结构和曝光光源的改进，以提高分辨精度和耐腐蚀等性能，适应微电子工业向超大规模集成电路的发展。 　　②　高纯试剂　又称高纯化学品,它的应用,贯穿于整个电路生产的工艺过程中。它的质量对控制沾污，提高集成电路成品率,起着重要作用。主要包括两类:第一类在制半导体器件和集成电路生产中，除高纯单晶和超纯气体外,并要有控制地掺入适量的杂质元素,以使之具有所需要的电性能。这种掺入的杂质称为掺入剂，主要是砷、磷、硼的化合物，如三氧化二砷、三氯化磷、三氯氧磷、三溴化硼、砷烷、磷烷、硼烷等。这类试剂纯度很高，一般金属元素杂质要控制在0.1～0.001ppm,非金属元素杂质控制在0.1ppm以下。第二类在蚀刻过程中用于清洗、显影、腐蚀、去膜等工序。这类试剂包括硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸、过氧化氢等无机物和丙酮、甲醇等10多种有机溶剂。随着 MOS（金属-氧化物-半导体）电路的出现，特别是大规模及超大规模集成电路的发展，对高纯试剂的纯度和净度要求也越来越高，除在纯度上要求金属元素的杂质控制在ppb级,非金属元素达到0.1ppm的水平外，对尘埃粒度也有一定的要求，目前最高要求为: 100ml的液体中,2μm以上的颗粒不超过100个或300个。根据集成电路的集成度不同,有不同的质量标准。 　　为了适应高纯和超净的质量要求，生产这些试剂的某些工序,要在100级的超净环境下进行。所用的高纯水，产品容器的清洗、分装、包装以及产品的贮存等工序都有一套相应的超净技术，以防止尘埃侵入产品。80年代这类试剂在中国的生产规模为数百吨，电子工业发达的国家已达万吨规模。 　　③　液晶　是电子工业中另一种新型材料。液晶的应用已有十多年的历史，现在主要应用于电子工业。

话说这个压电薄膜传感器是具有一种很独特的特性的，它是一种动态模式的应变性传感器，一般通过在人体的皮肤表层进行植入或者植入到人体内部，用来监测人体的一些生命迹象以及特征。其中压电薄膜传感器里面的一些薄膜元件是非常灵敏的，可以隔着外套探测出人体的脉搏。OFweek Mall传感器商城网说一下压电薄膜传感器在医疗行业的应用。1、压电薄膜传感器工作原理当你拉伸或弯曲一片压电聚偏氟乙烯PVDF高分子膜（压电薄膜），薄膜上下电极表面之间就会产生一个电信号（电荷或电压），并且同拉伸或弯曲的形变成比例。一般的压电材料都对压力敏感，但对于压电薄膜传感器来说，在纵向施加一个很小的力时，横向上会产生很大的应力，而如果对薄膜大面积施加同样的力时，产生的应力会小很多。因此，压电薄膜传感器对动态应力非常敏感，28μm厚的PVDF的灵敏度典型值为10~15mV/微应变（长度的百万分率变化）。使用'动态应力'这个术语是因为形变产生的电荷会从与薄膜连接的电路流失，所以压电薄膜传感器并不能探测静态应力。当需要探测不同水平的预应力时，这反而成为压电薄膜传感器的优势所在。薄膜只感受到应力的变化量，最低响应频率可达0.1Hz。2、压电薄膜传感器特点压电薄膜很薄，质轻，非常柔软，可以无源工作，因此可以广泛应用于医用传感器，尤其是需要探测细微的信号时。显然，该材料的特点在供电受限的情况下尤为突出（在某些结构中，甚至还可以产生少量的能量）。而且压电薄膜传感器极其耐用，可以经受数百万次的弯曲和振动。3、压电薄膜传感器医疗应用利用压电薄膜传感器的动态应变片特性，可以轻松的将压电薄膜直接固定在人体皮肤上（例如手腕内侧）。精量电子—美国MEAS传感器的产品型号1001777是一款通用传感器，传感器的一侧涂有压力敏感胶。但这款胶未经生物兼容性认证，在短期试验中可以将3M9842（聚亚安酯胶带）固定在皮肤上，再将压电薄膜传感器粘贴在3M胶带上。压电薄膜之所以即能探测非常微小的物理信号又能感受到大幅度的活动，是因为PVDF膜的压电响应在相当大的动态范围内都是线性的（大约14个数量级）。多数情况下，只要能明显区分目标信号和噪声的带宽，细小的目标信号都可以通过过滤器采集到。类似的压电薄膜传感器已在睡眠紊乱研究中用于探测胸部，腿部，眼部肌肉和皮肤的运动。另外，传感器可以通过探测肌肉（例如拇指和食指之间的肌肉）对电击的反应作为检验麻醉效果的指示器（神经肌肉传导）。压电薄膜传感器包含范围：[color=#333333]气体流量传感器丨微型压力传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨[/color][color=#333333]数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨煤气检测传感器丨气压感应器丨一氧化碳传感器丨h2传感器丨压阻式压力变送器丨硫化氢传感器丨co2气体传感器丨光离子传感器丨ph3传感器丨百分氧传感器丨bm传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]风速传感器丨voc传感器丨[/color][color=#333333]光纤应变传感器[/color][color=#333333]丨位置传感器丨[/color][color=#333333]meas压力[/color][color=#333333]传感器丨[/color][color=#333333]称重传感[/color][color=#333333]器丨甲烷传感器丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨称重传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨[url=http://mall.ofweek.com/1877.html]压电薄膜传感器[/url]丨一氧化氮传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

请教诸位：透明塑料薄膜（比如PPS，厚度2微米）上涂敷一层胶水，胶水固化后厚度约1微米，透明，采用什么仪器能准确测量胶水厚度？先谢谢了。

[b]微流控芯片光刻机[/b]专业为[b]微流控芯片制作[/b]而设计，用于[b]刻画制作微结构[/b]表面，全自动化和可编程操作，适合几乎所有常用材料。[b]微流控芯片光刻机[/b]采用多功能一体化设计理念，一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能，而且不需要无尘环境，用户安装使用不再需要单独建设超净间，从而大大提高用户的使用经济性和方便性。[b][url=http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html]微流控芯片光刻机[/url]特色[/b]可以根据用户的芯片衬底基片尺寸，形状和厚度进行调节。是一种无掩模光刻系统，具有两个易操作的软件，用户可以创建个人微结构图案，从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。具有技术突破性设计和灵活性优势，非常适合加工微纳结构用于MEMS，BioMEMS，微流控系统，传感器，光学元件，MicroPatterning微图案化，实验室单芯片，CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/photolithography-MS10.JPG[/img]无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构，从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管（波长405纳米- 50毫瓦），光学扫描器和F-θ透镜（405纳米）。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用，较好的再现性和较高的质量，焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用，修改或其他用户使用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/microcontact-printing.JPG[/img]微流控芯片光刻机：[url]http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html[/url]