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硅元素

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硅元素相关的方案

  • 解决方案|ICP法测定工业硅中的金属元素
    ICP法是一种常用的元素分析方法，具有高灵敏度、高分辨率和高精度等优点，广泛应用于各种元素的定量分析。在测定工业硅中的金属元素方面，ICP法同样展现出其独特的优势。本文建立了电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)法测定工业硅中的金属元素的方法，可供相关人员参考。
  • X射线荧光光谱法测定工业硅中杂质元素
    本文参考GB/T 14849.5-2014《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》，利用岛津XRF-1800波长色散型X射线荧光光谱仪，采用粉末压片制样方法，测定工业硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线，各杂质元素标准曲线线性良好，平行测定10次，各组分精度良好。方法适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定，满足工业硅生产对杂质成分的检测需求。
  • 谱育科技EXPEC 6000测定硅材料中多种元素
    采用EXPEC 6000测定硅材料中Al、B、Ca、Fe、P、Ni、Mn、Ti8种元素含量，通过对杂质含量不同的2种硅材料样品的测量，并计算检出限和方法精密度，考察EXPEC 6000在硅材料样品中的实际分析性能。结果表明：每种样品平行2次消解并测量的相对相差均小于6%，EXPEC 6000可用于硅材料样品中难电离元素B、P及金属元素的分析检测。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Ti
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ti等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中元素P
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中P等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中B元素
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中B等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素 Al
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Al等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Ca
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ca等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Ni
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ni等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中多种金属元素
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Al、B、Ca、Fe、Ni、Mn、P、Ti 8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • 使用 ICP-OES 测定金属样品中的硅元素
    本文介绍了一种使用 ICP-OES 测定金属样品基体中，氢氟酸介质下硅元素的方法，采用了安捷伦无硅涂层的耐氢氟酸进样系统，克服了常规 ICP-OES 分析氢氟酸介质空白值高的缺点，获得了较低的空白值，适合于测定多种金属基体中不同含量范围的硅元素。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Fe
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Fe等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Mn
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Mn等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪测定硅合金中的痕量元素
    硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。
  • X射线荧光粉末压片法测定多晶硅中杂质元素
    本文参考GB/T 14849.5-2014《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》，利用岛津XRF-1800波长色散型X射线荧光光谱仪，采用粉末压片制样方法，测定多晶硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线，各杂质元素标准曲线线性良好，平行测定10次，各杂质组分分析精度良好。方法适用于多晶硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定，满足多晶硅生产对杂质成分的检测需求。
  • 微波消解和ICP-AES法测定石油样品中硅元素
    石油石化样品由于其成分复杂，硅元素测定的前处理一直是难点，传统方法中马弗炉灰化又会导致某些挥发元素的损失。微波消解法解决了消解困难和挥发元素损失的问题
    厂商： 安东帕
  • ICP-OES测定工业硅中杂质元素的含量
    本文参考GB/T 14849.4-2014《工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》，采用湿法消解工业硅粉样品，利用岛津电感耦合等离子体发射光谱仪ICPE-9820测定了样品中杂质元素的含量。分析结果表明，各元素的方法检出限为0.004 mg/kg ~ 6 mg/kg；仪器精密度优良，RSD值小于1.30%（n=6）；样品加标回收率为96.0%~110%。该方法灵敏度高，精密度优良，适用于工业硅粉中杂质元素含量的测定。
  • ICP-AES法检测工业硅中杂质元素钙
    本方法采用HF和HNO3(6:2) 微波消解工业硅样品，用ICP-AES 法同时测定工业硅中的铁等八种杂质元素。该方法快速简便、准确率高、精密度好，对产品质量控制及检验杂质元素含量，具有可操作性和很好地应用价值。
    厂商： 岛津
  • ICP-AES法检测工业硅中杂质元素铁
    本方法采用HF和HNO3(6:2) 微波消解工业硅样品，用ICP-AES 法同时测定工业硅中的铁等八种杂质元素。该方法快速简便、准确率高、精密度好，对产品质量控制及检验杂质元素含量，具有可操作性和很好地应用价值。
    厂商： 岛津
  • ICP-AES法检测工业硅中杂质元素钠
    本方法采用HF和HNO3(6:2) 微波消解工业硅样品，用ICP-AES 法同时测定工业硅中的钠等八种杂质元素。该方法快速简便、准确率高、精密度好，对产品质量控制及检验杂质元素含量，具有可操作性和很好地应用价值。
    厂商： 岛津
  • ICP-AES法检测工业硅八种杂质元素
    本方法采用HF和HNO3(6:2) 微波消解工业硅样品，用ICP-AES 法同时测定工业硅中的Cu、Mn、Fe、Ni、Ti、Al、P和B等八种杂质元素。该方法快速简便、准确率高、精密度好，对产品质量控制及检验杂质元素含量，具有可操作性和很好地应用价值。
    厂商： 岛津
  • 赛默飞元素分析：硅中铁检测(能散型XRF)
    铁合金产品中工业硅的用途很广，既可用于特钢的脱氧剂，也可用于铝合金的添加剂。根据产品用途各异，可以采用不同的分析方法，而通过X荧光能谱法分析工业硅尚未见报导。本文在对分析过程中样品制备﹑采谱条件﹑谱处理方式﹑分析技术等各个环节做了大量试验的基础上，通过X荧光粉末压片方式分析工业硅中Fe﹑Al﹑Ca等元素。结果表明，Thermo Scientific的ARL Quant'XX荧光能谱法具有快速准确高效的特点，完全可以得到满意的分析结果。
  • 超声消解 ICP-AES 测定铝合金中硅元素含量
    建立了超声密闭消解-电感耦合等离子体发射光谱法测定铝合金中硅元素含量的分析方法。通过优化样品前处理条件，对超声强度、密闭条件、超声温度、超声时间及酸的浓度进行筛选，选择合适的分析谱线，测定了铝合金中等含量硅。
  • 利曼中国：Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪测定硅合金中的痕量元素Co
    硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。
  • 利曼中国：Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪测定硅合金中的痕量元素Cr
    硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。
  • 利曼中国：Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪测定硅合金中的痕量元素Cd
    硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。
  • 利曼中国：Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪测定硅合金中的痕量元素Ca
    硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。
  • 利曼中国：Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪测定硅合金中的痕量元素Bi
    硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。
  • iCAP PRO系列 ICPOES测定汽油中硅元素含量
    本文在赛默飞iCAP PRO系列电感耦合等离子体发射光谱仪针对汽油中硅元素的检测建立了快速测定的检测方法。
  • 高分辨率ICP-OES测试锂电池行业硅碳产品中的10种元素含量
    样品为锂电行业使用的硅炭样品，参照GB/T 38823-2020硅炭标准中的消解方法消解过滤后，用 PlasmaQuant 9100测试其元素含量：Fe、Co、Cu、Ni、Al、Cr、Zn、Na、Mg、Ca。样品中大部分元素含量很低，对仪器检出能力要求高。从实验结果看，10种元素标准曲线拟合系数R为0.9994~0.999991；根据样品浓度加标，回收率达到94~107%，说明实验结果准确可靠。Ni、Co、Fe、Mg、Ca、Cu使用不同波长测试，测试结果接近，说明仪器光学分辨率高，可选谱线多；大部分金属元素达到0.x~0.0Xppb的检出水平，说明仪器灵敏度高； PlasmaQuant 9100完全可以满足测试硅炭产品中的10种杂质元素测定。
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