介质粉

Fractogel®介质为基于合成甲基丙烯酸酯的聚合物小球，提供优良的压力稳定性，从而能够采用高流率。视您的应用而定，我们可提供中等大小的M型填料（粒度40-90 µm）和较小的S型填料（粒度20-40 µm）。Fractogel®介质的独特组成，是纯化策略的有力工具。触手是长线形的聚合物链，携带功能配位体。全部触手与Fractogel®介质的羟基以共价键连接。该构型提供了高表面积，使生物分子不受空间位阻，与可及的配位体结合。许多配位体可用于各种层析应用（包括离子交换、亲和、疏水性相互作用和分子筛）。优点：- 更佳的产品收率官能团与目标分子之间的空间位阻最小，更易接触。与常规方法相比，触手介质提供了更高的结合力，特别是对于大型蛋白质、抗体、病毒和质粒。由于目标分子的结合更紧密，使用Fractogel®离子交换介质的捕获步骤，常比其他介质更高效，从而有更大的总收率。- 更安全的产品与基于碳水化合物的介质不同，Fractogel®介质不易为微生物降解。因此，内毒素污染风险大大减少。此外，Fractogel®介质可以多次清洁，也延长了其使用寿命。- 更低的运行费用由于Fractogel®介质的优良化学耐受性，循环次数可以很高。介质寿命极长，更换频率降至最低，从而减少了运行费用。分类：- 用于离子交换层析的Fractogel®介质可以实现从各种来源（例如细胞培养上清液、微生物表达系统、血浆等）中分离天然和重组蛋白质；有效地纯化肽和低分子量物质；DNA、内毒素和HCP，获得优良的对数减少值；安全去除病毒；很适合于有效纯化单克隆抗体。E.g., Fractogel® EMD TMAE, Fractogel® EMD TMAE Hicap, Fractogel® EMD DEAE, Fractogel® EMD SO3, Fractogel® EMD SE Hicap, Fractogel® EMD COO-, etc.- 用于金属螯合亲和层析的Fractogel®介质Fractogel® EMD Chelate选择亚氨基二乙酸作为功能亲和配基，非常适合于金属离子配位作用。金属离子的自由配位点，被用来与各种蛋白质和肽结合。适合于分离重组、组氨酸标签蛋白质；可应用于肽的分离、柱内的在位复性。- Fractogel® EMD BioSEC分子筛填料Fractogel® EMD BioSEC是基于交联聚甲基丙烯酸的分子筛层析填料，机械稳定性强，化学稳定性好，适合生产规模，可应用于精致纯化。更多信息，e.g., 详细参数，填料、预装柱货号信息等，可参见本页面核心参数 – 样本下载中的资料手册。

标准配置：高配Q表 一只 试验电极 一只 （c类）电感 一套（9只）电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。注：这个性质不是绝对成立的。对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。但对于两个绝缘体就不一定了。介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。概念：电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。

一、 概述多介质过滤器是利用一种或几种过滤介质，在一定的压力下把浊度较高的水通过一定厚度的粒状或非粒材料，从而有效的除去悬浮杂质使水澄清的过程，常用的滤料有石英砂，无烟煤，锰砂等，主要用于水处理除浊，软化水，纯水的前级预处理等，出水浊度可达3度以下。过滤的含义，在水处理过程中，过滤一般是指以石英砂、无烟煤等滤料层截留水中悬浮杂质，从而使水获得澄清的工艺过程。 用于过滤的多孔材料称为滤料，石英砂是常见的滤料。滤料有粒状，粉状和纤维状多种。常用滤料有石英砂、无烟煤、活性炭、磁铁矿、拓榴石、多孔陶瓷、塑料球等。二、 特点1、应用灵活，可添加多种滤料；2、运行费用低，操作简单；3、滤料使用寿命长。

一、产品概述：介电常数测试仪采用数字液晶显示，是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低值，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果，免去人工计算的繁琐。经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线，北京航天纵横检测仪器是代替进口设备的北京航天纵横仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性：DDS数字合成信号：50KHz-160MHz；信号源频率覆盖比：1600:1；信号源频率精度：6位有效数3×10-5 ±1个字；Q测量范围/Q分辨率：1-1000自动/手动量程；4位有效数,分辨率0.1；Q测量工作误差：5%；电感测量范围/分辨率：1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH；电感测量误差：5%；调谐电容：主电容17-240pF；电容直接测量范围：1pF～25nF；调谐电容误差/分辨率：±1pF或1% / 0.1pF；谐振点搜索：自动扫描；Q合格预置范围：5-1000声光提示；Q量程切换：自动/手动；LCD显示参数：F，L，C，Q，Lt，Ct波段等；新增功能：自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能；新增功能：大电容值直接测量显示功能，测量值可达25nF；消耗功率：约25W；净重：约7kg；外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。二、符合标准：GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法； 三、产品特点：1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京航天纵横检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值，彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能：电感测试时，仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值（特别是小电感值）测量时的精度。此技术只有北京航天纵横仪器生产的Q表有。9、新增功能：大电容值直接测量显示功能，电容值直接测量值可达25nF（配100uH电感时）。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京航天纵横检测仪器生产的Q表有。四、工作环境：1、环境温度：0℃～+40℃；2、相对湿度：80％；3、电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。五、配置清单：主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位：可以用于科研机关，学校，例如一些科研院所，大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试；北京航天纵横检测仪器同时也适用于工厂或单位，例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究，另外在电力、电工、化工等领域，如：电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤：1、按照Q表的操作规程调整仪器，选定测量频率，测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中，并调节电容器C，使电路谐振，达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出，调节C或测试电极的距离，使电路重新谐振，记下C、或测试电极的校正电容值与Q值，北京航天纵横检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作，北京航天纵横检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件：1、试样表面应清洁、平滑，无裂纹、气泡和杂质等，试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时，可按其产品标准规定的进行。九、测试意义：1、介电常数——北京航天纵横检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用，即（1）用于固定电学网络部件，同时让其彼此以及与地面绝缘；（2）用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中，通常要求固定的电容尽可能小，同时具有可接受且一致的机械，化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中，要求电容率具有一个高值，以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力，以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合（作为电学绝缘材料和作为电容器电介质），交流损耗通常必须是比较小的，以减小材料的加热，同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合，特别要求损耗指数具有一个低值，因为对于某一给定的损耗指数，电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中，例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质，通常电导增加可获得损耗增大，这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时，这可能有助于考虑耗散因子，功率因子，相位角或损耗角。3、相关性——北京航天纵横检测仪器当获得适当的相关性数据时，耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征，例如电介质击穿，湿分含量，固化程度和任何原因导致的破坏。然而，由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子，除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的，耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户：沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品：ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机一、介质损耗的基本概念1.介质损耗电介质在电场作用下(加电压后)，要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗；电导过程中，电学性泄漏电流流过绝缘电阻当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量，即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为介质损耗。显然，介质损耗过程随极化过程和电导过程同时进行。介质损耗掉的能量(电能)变成了热能，使电介质温度升高。若介质损耗过大，则电介质温度将升得过高，这将加速电介质的热分解与老化，最终可能导致绝缘性能的完全失去，所以研究介质损耗有十分重要的意义。2.介质损耗的基本形式(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关，故这部分损耗在直流交流下都存在。气体电介质以及绝缘良好的液、固体电介质，电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空间电荷极化引起的损耗。在直流电压作用下，由于极化过程仅在电压施加后很短时间内存在，与电导损耗相比可忽路。而在交流电压作用下，由于电介质随交流电压极性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化，极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时，极化过程反而减弱，损耗减小。极化损耗与温度也有关，在某一温度下极化损耗达最大。(3)游离损耗，游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放电所造成的损耗。这是因为放电时，产生带电粒子需要游离能，放电时出现光、声、热、化学效应也要消耗能量。游离能随电场强度的增大而增大。二、介质损失角正切tanδ由上可见，在直流电压作用下，介质损耗主要为电导损耗，因此，电导率γ或电阻率ρ既表示介质电导的特性，同时也表征了介质损耗的特性。但在交流电压作用下，三种形式的损耗都存在，为此需引入一个新的物理量来表征介质损耗的特性，这个物理量就是tanδ。1.并联等值电路及损耗功率的计算公式电介质两端施加一交流电压时，就有电流流过介质。有三个电流分量组成式中 ——电导过程的电流，为阻性电流，与同相位；——无损极化和有损极化时的电流。对应的等值电路如图2-9(a)所示，此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和Cp相并联的等值电路。此并联等值电路的相量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角θ的余角为δ角。由相量图可见，介质损耗功率越大，IR越大，δ角也越大，因此δ角称为介质损失角。对此并联等值电路，可写出介质损耗功率P的计算公式当然，图2-9(b)的电路也可以简化成由r和Cs相串联的等值电路，可以证明当tanδ 很小时， Cs≈C对于串联等值电路，同样可以推出损耗功率的计算公式2.tanδ值的意义从介质损耗功率P的计算公式看，我们若用P来表征介质损耗的程度是不方便的，因为P值与试验电压U的高低、试验电压的角频率ω(ω=2Πf)、电介质等值电容量Cp (或Cs)以及tanδ值有关。而若在试验电压、频率、电介质尺寸一定的情况下，那么介质损耗功率仅取决于 tanδ，换句话说，也就是tanδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量，它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tanδ是表征介质损耗程度的物理量，与εr、γ相当。这样,我们可以通过试验测量电介质的tanδ值，并以此来判断介质损耗的程度。各种结构固体电介质的tanδ如表2-2所示。表2-2 各种结构固体电介质的tanδ值(1MHz，20℃时)电介质结构名称tanδ分子结构非极性分子石 蜡 聚苯乙烯 聚四氟乙烯小于0.0002极性分子纤维素 有机玻璃0.01~0.015离子结构晶格结构紧密岩 盐 刚 玉小于0.0002 小于0.0002晶格结构不紧密多铝红柱石0.015晶格畸变的晶体锆英石0.02无定形结构硅酸铅玻璃 硅碱玻璃0.001 0.01不均匀结构　绝缘子瓷 浸渍纸绝缘0.01 0.01三、影响 tanδ 的因素影响tanδ 值的因素主要有温度、频率和电压。1.温度对tanδ值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起，故温度对tanδ的影响与温度对电导的影响相似，即tanδ随温度的升高而按指数规律增大，且tanδ较小。极性介质中，极化损耗不能忽略，tanδ值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t1时，由于温度较低，电导损耗与极化损耗都小，电导损耗随温度升高而略有增大，而极化损耗随温度升高也增大(黏滞性减小，偶极子转向容易)，所以tanδ随温度升高而增大。当温度在t1＜t＜t2时，温度已不太低，此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列，极化损耗随温度升高而降低，而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度，因此tanδ随温度升高而减小。当温度在t＞t2时，温度已很高，电导损耗已占主导地位，tanδ又随温度升高而增大。2.频率对tanδ的影响主要体现于频率对极化损耗的影响tanδ与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内，随频率的升高，偶极子往复转向频率加快，极化程度加强，介质损耗增大，tanδ值增大。当频率超过某一数值后，由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用，来不及随电压极性的改变而转向，极化作用减弱，极化损耗下降，tanδ值降低。3.电压对tanδ的影响主要表现为电场强度对tanδ值的影响在电场强度不很高的一定范围内，电场强度增大(由于电压升高)，介质损耗功率变大，但tanδ几乎不变。当电场强度达到某一较高数值时，随着介质内部不可避免存在的弱点或气泡发生局部放电，tanδ随电场强度升高而迅速增大。因此，在较高电压下测tanδ值，可以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。此外，湿度对暴露于空气中电介质的tanδ影响也很大。介质受潮后，电导损耗增大，tanδ也增大，例如绝缘纸中水分含量从4%增加到10%，tanδ值可增大100倍。然而，假如tanδ值的测试是在温度低于0～5℃时进行，含水量增加tanδ反而不会增大，这是因为此时介质中的水分已凝结成冰，导电性又变差，电导损耗变小的缘故。为此，在进行绝缘试验时规定被试品温度不低于+5℃，这对tanδ的测试尤为重要，在工程实际中，通过tanδ以及tanδ=f(u)曲线的测量及判断，对监督绝缘的工作状况以及老化的进程有非常重要的意义。

介质损耗因数测试仪低频信号源频率覆盖范围 AC频率范围10kHz～60MHz0.1～160MHzCH110～99.9999kHz0.1～0.999999MHzCH2100～999.999kHz1～9.99999MHzCH31～9.99999MHz10～99.9999MHzCH410～60MHz100～160MHz频率指示误差3×10-5±1个字介质损耗因数测试仪低频1. Q合格指示预置功能：预置范围：5～10002. Q表正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。7．其他a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。介质损耗因数测试仪低频A/C 型 Q 表的工作原理框图如图二所示。它以ATM128 单片机作为控制核心，实现对各种功能的控制。DDS 数字直接合成信号源为 Q 值测量提供了一个优质的高频信号。信号源输出一路送到程控衰减器和自动稳幅放大控制单元，该单元根据 CPU 的指令对信号衰减后送往信号激励放大器，同时对信号检波后送出一直流控制信号到压控信号源实现自动稳幅。信号激励部分输出送到一个宽带分压器， 由分压器馈给测试调谐回路一个恒定幅度的信号。当测试回路处于谐振状态时，在调谐电容 CT 两端的信号幅度将是分压器提供的信号幅度 Q 倍。在 CT 两端取得的调谐信号被信号放大单元适当放大后送到检波和数字取样单元，检波后送到控制中心 CPU 去进行数据处理。介质损耗因数测试仪低频特点：优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数，手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点，标频单键设置和锁定，大大提高测试速度作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低，彻底 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。标准配置：高配Q表 一只 试验电极 一只 （c类）电感 一套（9只）电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。注：这个性质不是绝对成立的。对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。但对于两个绝缘体就不一定了。介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。介质损耗因数测试仪低频电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。 [2]3）电离损耗　　电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。4）结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。5）宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。

高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M

高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M功能介绍1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变

产品介绍：DZ5001介质损耗测试仪采用高频谐振法，提供了通用、多用途、多量程的阻抗测量。测试范围：介质损耗和介电常数是各种金属氧化物，板材，瓷器（陶器），云母，玻璃，塑料等物质的一项重要的物理性质。通过测定可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据。应用范围：DZ5001介质损耗测试仪该用于科研机关、学校、工厂等单位对无机金属新材料性能的应用研究。性能特点：大电容值直接测量显示功能：测量值可达25nF介质损耗系数：精度万分之一/LCD直接显示介电常数：精度千分之一/LCD直接显示材料测试厚度：0.1mm-10mm具备的技术：仪器自动扣除残余电感和测试引线电感。大幅提高测量精度。大电容值直接测量显示。数显微测量装置，直接读值。参照国标：GB/T 1693-2007技术参数：信号源范围DDS数字合成信号10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比7000:1信号源频率精度6位有效数3×10-5 ±1个字 采样精度12BIT 高精度的AD采样，保证了Q值的稳定性，以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围1-1000自动/手动量程Q分辨率4位有效数，分辨率0.1Q测量工作误差5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH ：1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差3%调谐电容主电容17-240pF (一体镀银成型，精度高)电容自动搜索是(带步进马达)电容直接测量范围1pF～25nF调谐电容误差 ±1 pF或1%分辨率 0.1pF谐振点搜索自动扫描Q合格预置范围5-1000声光提示Q量程切换自动/手动LCD显示参数F，L，C，Q，Lt，Ct，Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感有产品展示：

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

膜介电常数介质损耗仪下易形成一层电绝缘的氧化膜，这层氧化膜会影响测量结果，此时可使用金箔。烧嬌金属电极烧熔金属电极适用于玻璃、云母和陶瓷等材料，银是普遍使用的，但是在高温或高湿下，最好采 用金。喷镀金属电极锌或铜电极可以喷镀在试样上，它们能直接在粗糙的表面上成膜。这种电极还能喷在布上，因为它 们不穿透非常小的孔眼。阴极蒸发或高真空蒸发金属电极假如处理结果既不改变也不破坏绝缘材料的性能，而且材料承受高真空时也不过度逸出气体，则本 方法是可以采用的。这一类电极的边缘应界限分明，汞电极和其他液体金属电极把试样夹在两块互相配合好的凹模之间，凹模中充有液体金属，该液体金属必须是纯净的。汞电极 不能用于高温，即使在室温下用时，也应采取措施，这是因为它的蒸气是有毒的.伍德合金和其他低熔点合金能代替汞。但是这些合金通常含有镉，镉象汞一样，也是毒性元素.这些 合金只有在良好抽风的房间或在抽风柜中才能用于10。笆以上，且操作人员应知道可能产生的健康危害。导电漆无论是气干或低温烘干的高电导率的银漆都可用作电极材料。因为此种电极是多孔的，可透过湿 气，能使试样的条件处理在涂上电极后进行，对研究湿度的影响时特别有用。此种电极的缺点是试样涂 上银漆后不能马上进行试验，通常要求12 h以上的气干或低温烘干时间，以便去除所有的微量溶剂，否 则，溶剂可使电容率和介质损耗因数增加。同时应注意漆中的溶剂对试样应没有持久的影响.要使用刷漆法做到边缘界限分明的电极较困难，但使用压板或压敏材料遮框喷漆可克服此局限。 但在极高的频率下，因银漆电极的电导率会非常低，此时则不能使用。石墨一般不推荐使用石墨，但是有时候也可采用，特别是在较低的频率下。石墨的电阻会引起损耗的显 著增大，若采用石墨悬浮液制成电极，则石墨还会穿透试样。电极的选择板状试样考虑下面两点很重要：a） 不加电极，测量时快而方便,并可避免由于试样和电极间的不良接触而引起的误差。膜介电常数介质损耗仪管状试样对管状试样而言，最合适的电极系统将取决于它的电容率、管壁厚度、直径和所要求的测量精度。 一般情况下，电极系统应为一个内电极和一个稍为窄一些的外电极和外电极两端的保护电极组成，外电 极和保护电极之间的间隙应比管壁厚度小。对小直径和中等直径的管状试样，外表面可加三条箔带或 沉积金属带，中间一条用作为外电极（测量电极），两端各有一条用作保护电极。内电极可用汞，沉积金 属膜或配合较好的金属芯轴。高电容率的管状试样，其内电极和外电极可以伸展到管状试样的全部长度上，可以不用保护电极，大直径的管状或圆筒形试样，其电极系统可以是圆形或矩形的搭接，并且只对管的部分圆周进行试 验。这种试样可按板状试样对待，金属箔、沉积金属膜或配合较好的金属芯轴内电极与金属箔或沉积金 属膜的外电极和保护电极一起使用。如采用金属箔做内电极，为了保证电极和试样之间的良好接触，需 在管内采用一个弹性的可膨胀的夹具。对于非常准确的测量，在厚度的测量能达到足够的精度时，可采用试样上不加电极的系统。对于相 对电容率％不超过10的管状试样，最方便的电极是用金属箔、汞或沉积金属膜。相对电容率在10以 上的管状试样，应采用沉积金属膜电极；瓷管上可采用烧熔金属电极。电极可像带材一样包覆在管状试 样的全部圆周或部分圆周上。膜介电常数介质损耗仪试验报告试验报告中应给出下列相关内容：绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样日期（并注明试样厚度 和试样在与电极接触的表面进行处理的情况）；试样条件处理的方法和处理时间；电极装置类型，若有加在试样上的电极应注明其类型；测量仪器；试验时的温度和相对湿度以及试样的温度；施加的电压；施加的频率；相对电容率&（平均值）亍介质损耗因数也海（平均值试验日期；相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角，必要时，应给出与温 度和频率的关系°表1真空电容的计算和边缘校正(1)极间法向电容（单位：皮法和厘米）（2）边缘电容的校正（单位；皮法和厘米）（3）1.有保护环的圆盘状电极-stA 4Co = = 0* 088 54 &bull =h hA =于(廿】+ G'G = 0/ i试样2,没有保护环的圆盘状电极a）电极直径=试样直径 p /试样C—=宜69 5驾当时c碧=0. 029 — 0. 058时P = 214dlb）上下电极相等，但比试样小 扩 w% = 0. 01— 0, 058也五 + 0.010P =其中：G是试样相对电容率的近似值，并且t1 z r - 试样 」爲q对于低介质损耗因数的待测液体，电极系统最重要的特点是：容易清洗、再装配（必要时）和灌注液 体时不移动电极的相对位置。此外还应注意：液体需要量少，电极材料不影响液体，液体也不影响电极 材料，温度易于控制，端点和接线能适当地屏蔽；支撑电极的绝缘支架应不浸沉在液体中，还有，试验池 不应含有太短的爬电距离和尖锐的边缘，否则能影响测量精度。满足上述要求的试验池见图2〜 图4。电极是不锈钢的，用硼硅酸盐玻璃或石英玻璃作绝缘.图2 和图3所示的试验池也可用作电阻率的测定，IEC 60247：1978对此已详细叙述。由于有些液体如氯化物，其介质损耗因数与电极材料有明显的关系，不锈钢电极不总是最合适的。 有时，用铝和杜拉铝制成的电极能得到比较稳定的结果。膜介电常数介质损耗仪应用一种或几种合适的溶剂来清洗试验池，或用不含有不稳定化合物的溶剂多次清洗。可以通过 化学试验方法检查其纯度，或通过一个已知的低电容率和介质损耗因数的液体试样测量的结果来确定。 当试验池试验几种类型的绝缘液体时，若单独使用溶剂不能去除污物，可用一种柔和的擦净剂和水来清 洁试验池的表面。若使用一系列溶剂清洗时则最后要用最大沸点低于100笔的分析级的石油醍来再次 清洗，或者用任一种对一个已知低电容率和介质损耗因数的液体测量能给出正确值的溶剂来清洗，并且 这种溶剂在化学性质上与被试液体应是相似的，推荐使用下述方法进行清洗。试验池应全部拆开，彻底地清洗各部件，用溶剂回流的方法或放在未使用溶剂中搅动反复洗涤方法 均可去除各部件上的溶剂并放在清洁的烘箱中，在左右的温度下烘干30 mino待试验池的各部件冷却到室温，再重新装配起来。池内应注入一些待试的液体，停几分钟后，倒出 此液体再重新倒人待试液体，此时绝缘支架不应被液体弄湿。膜介电常数介质损耗仪精度要求在第5章和附录A中所规定的精度是：电容率精度为±1%,介质损耗因数的精度为士(5% 士 0.000 5)。这些精度至少取决于三个因素：即电容和介质损耗因数的实测精度；所用电极装置引起的这 些量的校正精度w极间法向真空电容的计算精度(见表1).在较低频率下，电容的测量精度能达士(0. 1%±0.02 pF),介质损耗因数的测量精度能达±(2%士 0. 000 05) o在较高频率下，其误差增大，电容的测量精度为±(0.5%±0・ 1 pF),介质损耗因数的测量 精度为士(2%±0. 000 2)o对于带有保护电极的试样，其测量精度只考虑极间法向真空电容时有计算误差。但由被保护电极 和保护电极之间的间隙太宽而引起的误差通常大到百分之零点几，而校正只能计算到其本身值的百分 乏几。如果试样厚度的测量能精确到土0.005 mm,则对平均厚度为1. 6 mm的试样，其厚度测量误差 能达到百分之零点几。圆形试样的直径能测定到士 0」％的精度，但它是以平方的形式引入误差的，综 合这些因素，极间法向真空电容的测量误差为±0. 5%。对表面加有电极的试样的电容，若采用测微计电极测量时，只要试样直径比测微计电极足够小，则 只需要进行极间法向电容的修正。采用其他的一些方法来测量两电极试样时，边缘电容和对地电容的 计算将带来一些误差，因为它们的误差都可达到试样电容的2%〜 40%。根据目前有关这些电容资料, 计算边缘电容的误差为10%,计算对地电容的误差为25%。因此带来总的误差是百分之几十到百分之 几。当电极不接地时,对地电容误差可大大减小。

工频介电常数介质损耗设备大电容值直接测量显示功能() 测量值可达25nF介质损耗系数 精度 万分之一介电常数 精度 千分之一材料测试厚度 0.1mm-10mm工频介电常数介质损耗设备电容直接测量范围 1pF～25nF调谐电容误差分辨率 ±1 pF或0.1pF谐振点搜索 自动扫描Q合格预置范围 5-1000声光提示Q量程切换 自动/手动工频介电常数介质损耗设备GB/T 1693-2007 硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法.GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美标ASTM D150以及电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了绝缘材料的高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)自动测量的解决方案。工频介电常数介质损耗设备电容测量范围:0.1Cn~1000Cn（7位有效数字）外接量程扩展电容量至少测到1100uF　　电容的测量准确度：±1×10-5　　电桥tgδ范围：-110%到+110%　　tgδ测量准确度不大于0.2%rdg±1×10-5　　tgδ测量z小分辨率1×10-6（连接电脑可达1×10-7）　　试验电压：0～1000kV，精度1%（4位有效数字）　　测量频率：35～65Hz，精度1Hz（4位有效数字）　　电容值Cx、介损值tgδ、试验电压Upk/√2 、电感量Lx、 品质因数Q、材料的介电常数ε、测试电源频率 fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q等均为直读　　电桥内有过电压保护措施。工频介电常数介质损耗设备电介质损耗由以下三部分组成：1. 电导损耗。当给电介质施加交流电压时，电介质中 会有电导电流流过，电介质因此而发热产生损耗，通常这 部分电流都很小。2. 游离损耗。电介质中局部电场集中处（如固体电介质中的气泡，气体电介质中电极的尖端等），当电场强度 高于某一值时，介质局部就会产生放电，同时伴随能量损耗。3. 极化损耗。由于介质结构的不均匀，在交流电场作 用下，使不均匀介质边界面上的电荷，时而积聚，时而消失， 电荷积聚和消失都要通过介质内部，这样就造成了一定的 能量损耗。

概述：ZJD-B介质损耗因数测试仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至0低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。 ZJD-B介质损耗因数测试仪是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据。适用领域： ZJD-B介质损耗因数测试仪器可以用于科研机关，学校，例如一些科研院所，大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数测试仪对绝缘材料的介电常数进行测试；同时也适用于工厂或单位，例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究，另外在电力、电工、化工等领域，如：电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。技术参数：信号源频率范围：DDS数字合成 10KHz-70MHzQ测量范围：1-1000自动/手动量程信号源频率覆盖比：6000:1Q分辨率： 4位有效数,分辨率0.1信号源频率精度：3×10-5 ±1个字,6位有效数Q测量工作误差：5%电感测量范围：15nH-8.4H,4位有效数,分辨率0.1nH调谐电容：主电容30-500PF电感测量误差：5%调谐电容误差和分辨率：±1.5P或1%标准测量频点：全波段任意频率下均可测试Q合格预置范围：5-1000声光提示谐振点搜索：自动扫描Q量程切换：自动/手动谐振指针：LCD显示LCD显示参数：F,L,C,Q,波段等夹具工作特性1.平板电容器：极片尺寸：Φ50mm/Φ38mm可选极片间距可调范围：≥15mm2. 夹具插头间距：25mm±0.01mm3. 夹具损耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）4．测微杆分辨率：0.001mm介电常数与耗散因数间的关系 介电常数又称电容率或相对电容率， 是表征电介质或绝缘材料电 性能的一个重要数据，常用 ε 表示。 介质在外加电场时会产生感应 电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介 电常数。其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力， 例如一个电 容板中充入介电常数为 ε 的物质后可使其电容变大 ε 倍。介电常数愈 小绝缘性愈好。如果有高介电常数的材料放在电场中， 场的强度会在 电介质内有可观的下降。介电常数还用来表示介质的极化程度， 宏观 的介电常数的大小， 反应了微观的极化现象的强弱。气体电介质的极 化现象比较弱，各种气体的相对介电常数都接近1 ，液体、固体的介 电常数则各不相同，而且介电常数还与温度、电源频率有关有些物质介电常数具有复数形式， 其实部即为介电常数， 虚数部 分常称为耗散因数。通常将耗散因数与介电常数之比称作耗散角正切， 其可表示材料 与微波的耦合能力， 耗散角正切值越大， 材料与微波的耦合能力就越 强。例如当电磁波穿过电解质时，波的速度被减小，波长也变短了。介质损耗是指置于交流电场中的介质， 以内部发热的形式表现出 来的能量损耗。介质损耗角是指对介质施加交流电压时， 介质内部流 过的电流相量与电压向量之间的夹角的余角。介质损耗角正切是对电 介质施加正弦波电压时， 外施电压与相同频率的电流之间相角的余角 δ 的正切值--tg δ. 其物理意义是：每个周期内介质损耗的能量//每个周期内介质存储的能量。介电损耗角正切常用来表征介质的介电损耗。介电损耗是指电 介质在交变电场中, 由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。 原因是电介质中含有能导电的载流子,在外加电场作用下,产生导电电 流,消耗掉一部分电能,转为热能。任何电介质在电场作用下都有能量损耗，包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。用 tg δ作为综合反应介质损耗特性优劣的指标， 其是一个仅仅取 决于材料本身的损耗特征而与其他因素无关的物理量， tgδ的增大意 味着介质绝缘性能变差， 实践中通常通过测量 tgδ来判断设备绝缘性 能的好坏。由于介电损耗的作用电解质在交变电场作用下将长生热量， 这些 热会使电介质升温并可能引起热击穿， 因此， 在绝缘技术中， 特别是 当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因 数， 即电介质损耗角正切 tgδ较低的材料。但是， 电介质损耗也可用 作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3--300兆赫兹）对介 电常数大的材料（如木材、纸张、陶瓷等） 进行加热。这种加热由于 热量产生在介质内部， 比外部加热速度更快、热效率更高， 而且热均 匀。频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波 炉即据此原理）。在绝缘设计时， 必须注意材料的 tgδ值。若 tgδ过大则会引起严 重发热，使绝缘材料加速老化，甚至导致热击穿。一下例举一些材料的 ε 值：石英-----3.8绝缘陶瓷-----6.0纸------70有机玻璃------2.63 PE-------2.3PVC--------3.8高分子材料的 ε 由主链中的键的性能和排列决定分子结构极性越强， ε 和 tg δ越大。非极性材料的极化程度较小， ε 和 tg δ都较小。当电介质用在不同场合时对介电常数与耗散因素的大小有不同 的要求。做电容介质时 ε 大、 tg δ小；对航空航天材料而言， ε 要小 tg δ要大。另外要注意材料的极性越强受湿度的影响越明显。主要原因是高 湿的作用使水分子扩散到高分子的分子之间， 使其极性增强； 同时潮 湿的空气作用于塑料表面， 几乎在几分钟内就使介质的表面形成一层 水膜， 它具有离子性质， 能增加表面电导， 因此使材料的介电常数和 介质损耗角正切 tgδ都随之增大。故在具体应用时应注意电介质的周 围环境。电介质在现代生活中经常被用到， 而介电常数与耗散因素是电介 质的两个重要参数， 根据不同的要求， 应当选用具有不用介电常数与 耗散因数的材料， 以达到最佳的效果。同时还应当注意外界因素对介 电常数与耗散因数的影响。

介质损耗因数测量仪 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。介质损耗因数测量仪 作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。介质损耗因数测量仪 技术参数：1．Q值测量a．Q值测量范围：2～1023。b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c．标称误差 频率范围（100kHz～10MHz）： 频率范围（10MHz～160MHz）： 固有误差：≤5％±满度值的2% 固有误差：≤6％±满度值的2% 工作误差：≤7％±满度值的2% 工作误差：≤8％±满度值的2%2．电感测量范围：4.5nH~7.9mH3．电容测量：1~205 主电容调节范围：18～220pF 准确度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% 注：大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz, CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,5．Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。6．B-测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。7．其他a．消耗功率：约25W；b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。 测试注意事项 a．本仪器应水平安放； b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟； c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调； d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差； e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫； f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。 影响介电性能的因素 下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。1频率 因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的，且被用作工程电介质材料，然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。 电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生，重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.2温度 损耗指数在一个频率下可以出现一个大值，这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的，这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。3湿度 极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加，其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的. 注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内4电场强度 存在界面极化时，自由离子的数目随电场强度增大而增加，其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下，只要电介质中不出现局部放电，电容率和介质损耗因数与电场强度无关 测量方法的选择： 测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。1 零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法 也就是在接人试样和不接试样两种状态下，调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器电桥(也就是互感藕合比例臂电桥)和并联 T型网络。变压器电桥的优点:采用保护电极不需任何外加附件或过多操作，就可采用保护电极 它没有其他网络的缺点。2 谐振法适用于10 kHz一几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量，常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。 注:典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不全面的，叙述电桥和侧量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。 试验报告 试验报告中应给出下列相关内容: 绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样 日期(并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况) 试样条件处理的方法和处理时间 电极装置类型，若有加在试样上的电极应注明其类型 测量仪器 试验时的温度和相对湿度以及试样的温度 施加的电压 施加的频率 相对电容率ε(平均值) 介质损耗因数 tans(平均值) 试验 日期 相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角，必要时，应给出与温度和频率的关系。 特点： ◎ 本公司创新的自动Q值保持技术，使测Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能对固体绝缘材料在10kHz～120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。 ◎ 调谐回路残余电感值低至8nH，保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。 ◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数：Q值，测试频率，调谐状态等。 ◎ Q值量程自动/手动量程控制。 ◎ DPLL合成发生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz测试信号。独立信号 源输出口，所以本机又是一台合成信号源。 ◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。 介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好 概念：电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，或简称介质损耗（diclectric loss）。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能，而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大，甚至会引起介质的过热而绝缘破坏，所以从这种意义上讲，介质损耗越小越好。 主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。 使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器，为了提高测量精度，除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小，使耦合回路的频响尽可能地好之外，还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1．测试注意事项a．本仪器应水平安放；b．如果你需要较精确地测量，请接通电源后，预热30分钟；c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2．高频线圈的Q值测量（基本测量法） 原始包装：请保留所有的原始包装材料，如果机器必须回厂维修，请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时，请务必将全部的附件一起送回，请注明故障现象和原因。另外，请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。 安全注意事项：开机之前，敬请仔细阅读本 使用指南，以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前，请阅读“安装与设置”，保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前，务必请有操作经验的人员进行指导，防止误操作造成意外事件的发生。电击危险： 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电，防止在带电情况下，对人员或设备造成伤害。 注意事项: 1、该仪器初始的包装材料需小心保存，安装需由本公司的专业技术人员进行操作。2、若仪器由于任何原因必须返修，必须将其装入原纸箱中以防运输途中损坏。3、在开机前，操作者要首先熟悉操作方法。 电性能检测仪器：介电强度测试仪、体积表面电阻率测试仪、介电常数介质损耗测试仪、漏电起痕试验仪、耐电弧试验仪；塑料橡胶性能检测仪器：无转子硫化仪、门尼粘度试验机、热变形维卡温度测定仪、简支梁冲击试验机、毛细管流变仪、橡胶塑料滑动摩擦试验机物理性能检测仪器：氧指数测定仪、水平垂直燃烧试验机、熔体流动速率测定仪、低温脆性测试仪力学性能试验机：试验机北广其他检测海绵仪器：海绵泡沫压陷硬度测试仪、海绵泡沫落球回弹测试仪、海绵泡沫压缩变形试验仪另外我公司有：环境测试仪器、生物制药测试仪器、动物行为测试仪、环境监测试验仪

工频介电常数介质损耗试验仪JJG 563--20040.5，1，2，5.介质损耗因数差值测量准确度级别为0.5，1，2，5，10。(QS-37a)型高压电桥是本公司推出的新一代高压电桥，主要用于测量工业绝缘材料的介质损耗(tgδ)及介电常数（ε）。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固体电绝缘材料的交流损耗特性及介电常数的试验方法其采用了西林电桥的经典线路，内附0-2500的数显高压电源及100PF标准电容器，并可按用户要求扩装外接标准电容线路。1-2电桥的特点； l桥体内附电位跟踪器及指零仪，外围接线及少。l电桥采用接触电阻小，机械寿命长的十进开关，保证测量的稳定性l仪器具有双屏蔽，能有效防止外部电磁场的干扰。l仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理，使仪器技术性能稳定可靠。l内附高压电源精度3%l内附标准电容损耗﹤0.00005，名义值100pF3.1.2高压电容电桥通过量程扩展器增加的附加量程，其准确度应当用准确度级别或用公式、图表表示。3.2高压介损仪电桥部分的准确度等级高压介损仪电桥部分的准确度参照高压电容电桥定级。3.3高压电容电桥的基本误差西林型高压电容电桥和自动变换量程的电子式或数字式电桥的基本误差为:△x- =(1+0.003x)△D= ±(D+0.01)电流比较仪型高压电容电桥和手动变换量程的电子式或数字式电桥的基本误差为:()△D= ±jB(D+0.01)各符号的意义为:△X一电容比率示值绝对误差限值 △D一介质损耗因数示值绝对误差限值 A一用百分数表示的电容比率测量准确度级别 B一用百分数表示的介质损耗因数差值测量准确度级别 X一一电容比率测量示值 D一-介质损耗因数测量示值 R,一电容比率量程定标值。它等于该量程最大比率值按一位有效数字化整的数值。3.4稳定性在遵守制造厂规定的使用、运输及贮存条件下，2年内电桥应符合原准确度级别基本误差的规定。在遵守制造厂规定的使用条件下，环境温度每变化10℃所引起的电桥误差值的变化，应不大于电桥基本误差限值的1/3。4通用技术要求4.1屏蔽支路调节器与工频检流计与高压电容电桥配套使用的屏蔽支路调节器，无论是手动调节或自动调节，在调整到电桥规定的平衡状态时，所引起的测量值的变化量应小于电桥允许误差的1/10。与电桥配套使用的工频检流计，其高次谐波抑制比和交叉调制系数两项指标，对介质损耗因数差值测量准确度为0.5级的电桥，应不小于50dB，对1级应不小于40dB，其他情况应不小于30dB。工频检流计的阻尼时间应小于4s。工频检流计的灵敏度应满足如下要求:当参考电流处于电桥规定的最低工作范围时，若电桥测量臂偏调量相当于允许误差的1/10，则检流计的偏转不小于1mm。工频介电常数介质损耗试验仪JJG 563--2004屏蔽支路调节器与工频检流计在通电预热3min后，其零位漂移对测量结果的影响应小于允许误差的1/10。4.2外观及标记高压电容电桥及配套器件外观应完好，各转换开关和接线端钮的标记应齐全清晰，接插件接触良好，开关转动灵活，定位准确。高压电桥上应有型号、名称、原理接线图以及使用频率、量程、准确度级别、参考电流工作范围和出厂编号等标记。4.3绝缘配有交流电源插座的高压电容电桥，插座与电桥外壳可触及的金属部件之间的绝缘电阻应不小于10MΩ，并能耐受50Hz，1.5kV正弦电压1min试验。若电桥具有与高压直接连结的端钮，则该端钮与外壳可触及的金属部件之间的绝缘电阻应大于100MΩ，并能耐受50Hz，15kV正弦电压1min试验。5计量器具控制计量器具控制包括首次检定、后续检定和使用中的检验。5.1检定条件5.1.1环境与电源条件检定场所的布置应使被检电桥与高压引线的距离大于√Um 与电流母线的距离大于VIm。其中:U的单位为kV 1的单位为A。因外界电磁场影响而引起的误差，不应超过电桥允许误差的1/10。或者当改变高压试验电源的极性时，前后两次示值之差，不超过电桥在这一点允许误差的1/5。检定电桥时，应满足表1规定的参考条件。检定前，被检电桥与检定装置在满足表1规定的环境条件下存放时间应超过24h。表1检定参考条件被检电桥介质提耗环境简度相对湿度电源频率电源电压波形畸变因数准确度级别/(%)H系数/{%)0.5.120年535-6550±0.2≤12.5，10:20±1030~7550±0.55.1.2检定用设备5.1.2.1高压电容电桥的电容比率基本误差使用电容量具(或交流电阻量具)整体检定。高压电容电桥的介质损耗因数基本误差使用工频损耗因数量具整体检定。电容量具提供的电容比率不确定度(p=95%)和工频损耗因数量具提供的损耗因数不确定度(p=95%)不得大于被检电桥允许误差的1/3。5.1.2.2绝缘电阻表的测量误差应不大于10%，输出电压为1000V或1500V。5.1.2.3工频耐压试验装置的高压输出容量应不小于500VA，波形失真不大于5%。试验电压的测量误差不大于3%。5.2检定项目工频介电常数介质损耗试验仪JJG 563--2004高压电容电桥的检定项目按表2规定。表2高压电容电桥检定项目检定类别首次检定检定项目后续检定使用中检验外观及标志检查工频耐压试验绝缘电阻试验检流计美敏度及屏蔽支路调节器细度试验(西林型和电流比较仪型电粉)基本误差试验稳定性试验注:“+”表示品检项目。“-”表示可不检项目。5.3检定方法5.3.1外观及标志检查外观及标志的检查，应符合本规程第4.2条要求。西林型和电流比较仪型电桥全部转换开关应做不少于10次的全行程切换。桥体外壳上标明的接地端子，应单独可靠接地。如发现电桥有严重影响计量性能的缺陷，应修复后再检定。5.3.2绝缘试验高压电容电桥工频耐压试验应在仪器的电源开关接通状态下进行。试验时应逐渐地升高电压至规定值，偏差不大于3%，并在此电压下保持1min。试验中应避免试验电源突然接通和分断。测量试验电压时，推荐采用在试验变压器的高压输出端直接测量的方法。试验过程中应无击穿或闪络等破坏性放电现象产生。绝缘电阻试验应在仪器的电源开关接通状态下进行，试验结果应符合4.3条规定。5.3.3检流计灵敏度及屏蔽支路调节器细度试验检流计灵敏度及屏蔽支路调节器细度用两台电容试品在电桥正常测量状态下试验，并在正常参考电流和最大允许参考电流下各进行一次。在调整到电桥规定的平衡状态时，偏调电桥测量臂使测量值偏离该点允许测量误差的1/10，引起检流计的偏转应不小于1mm。在调整到电桥规定的平衡状态时，偏调电桥屏蔽支路一个最小分度，检流计的工频介电常数介质损耗试验仪偏转应不大于1mm。有源电流比较仪电桥的屏蔽支路调节器为反馈式电子放大器，不进行调节细度试验，只在电桥正常参考电流和最大允许参考电流下各进行一次检流计灵敏度试验。5.3.4基本误差试验电桥的电容比率基本误差选用能满足5.1.2.1条要求的电容量具(或交流电阻量工频介电常数介质损耗试验仪JJG 563--2004具)，使用图1的电容比较线路或附录AI图的等功率电桥线路整体检定。电桥的损耗因数基本误差选用能满足5.1.2.1条要求的工频损耗因数量具，使用图2的电容比较线路或附录BI图的低压导纳线路整体检定。检定时的参考电流应不小于电桥规定的最小工作电流。检定时读取有效数字的舍入误差应为允许误差的1/10~1/100。TDCrc-g图1用电容比较线路检定电容比率图中:TD一调压器 T-试验变压器 C，、c,一标准空气电容器:-g一被检电桥TDC-Eg8图2用电容比较线路检定损耗因数图中:TD一调压器:T-试验变压器 C，、C,一标准空气电容器:R-交流电阻:C-g8-被检电桥5.3.4.1电容比率基本误差检定1)检定高压电容电桥电容比率测量准确度时，介质损耗因数盘的置数D应满足D’，其中，A为该量程的电容比率测量准确度等级指数。2)西林型电桥的基本量程应逐盘逐点检定。检定选点推荐按表3系列进行，检定盘位一般是x10000，x1000和x100。检定电流比较仪型电桥的基本量程时，检定选点参照表4系列进行。可以只对第一盘逐点检定。

陶瓷介电常数介质损耗仪可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。仪器遵从标准：GB/T 5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法　第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法。陶瓷介电常数介质损耗仪仪器的技术指标1．Q值测量 a．Q值测量范围：2～1023； b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；c．标称误差频率范围10kHz～10MHz固有误差≤5％±满度值的2%工作误差≤7％±满度值的2%频率范围10MHz～70MHz固有误差≤6％±满度值的2%工作误差≤8％±满度值的2% 2．电感测量范围：1nH～8.4H3．电容测量：直接测量范围1～520p主电容调节范围30～550pF准确度100pF以下±1pF；100pF以上±1% 注：大于直接测量范围的电容测量见使用方法。 4．信号源频率覆盖范围：频率范围10kHz～70MHzCH110～99.9999kHzCH2100～999.999kHzCH31～9.99999MHzCH410～70MHz频率指示误差3×10-5±1个字5．Q合格指示预置功能：预置范围：5～1000 6．Q表正常工作条件 a. 环境温度：0℃～+40℃； b．相对湿度：80％； c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。 7．消耗功率：约25W；陶瓷介电常数介质损耗仪依据国标GB/T 5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法　第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法、GB/T 1693-2007 硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法.GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美标ASTM D150以及国际电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了绝缘材料的高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)自动测量的最佳解决方案。本仪器中测试装置是由平板电容器组成，平板电容器一般用来夹被测样品，配用Q表作为指示仪器。绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。陶瓷介电常数介质损耗仪产品特点：　　1、双扫描技术-测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。　　2、双测试要素输入-测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。　　3、双数码化调谐-数码化频率调谐，数码化电容调谐。　　4、自动化测量技术-对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。　　5、全参数液晶显示–数字显示主调电容、电感、Q 值、信号源频率、谐振指针。数字直接合成的信号源-确保信源的准确，频率的高精度、幅度的高稳定。　　7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路残余电感减至低值，解决了Q读数值在不同频率时要加以修正的困惑。　　8、新增功能：电感测试时，仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能，提高了在电感值测量时的精度。　　9、新增功能：大电容值直接测量显示功能。大电容值测量一个按键搞定。陶瓷介电常数介质损耗仪它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至较低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为准确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。

一、简介：QS37a型绝缘纸介电常数介质损耗测定仪是本公司推出的新一代绝缘纸介电常数介质损耗测试仪,主要用于测量高压工业绝缘介质损耗角的正切值及电容量。其采用了西林电桥的经典线路,主要可以测量各种绝缘材料在工频高压下的介质损耗（tgδ）和电容量（C）及介电常数(ε)。二、符合标准：GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法.GB/T5654-2007液体绝缘材料相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量.三、仪器特点1、桥体内附电位跟踪器及指零仪，外围接线极少。2、电桥采用接触电阻小，机械寿命长的十进开关，保证测量的稳定性。3、仪器具有双屏蔽，能有效防止外部电磁场的干扰。4、仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理，使仪器技术性能稳定可靠。5、仪器内置100pF标准电容器及5000V数字式高压测试电源。四、技术指标：1、测量范围及误差本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30%-80%条件下，应满足下列表中的技术指示要求。在Cn=100 pF、R4=3183.2（Ω）时：测量项目测量范围测量误差电容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF介损损耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001在Cn=100 pF、R4=318.3（Ω）时：测量项目测量范围测量误差电容量Cx4pF—2000pF±0.5% Cx±3pF介损损耗tgδ0-0.1±1.5% tgδx±0.0001 RY2A型固体绝缘材料测试电极一、简介：本电极适用于固体电工绝缘材料如绝缘漆、树脂和胶、浸渍纤制品、层压制品、云母及其制品、塑料、电缆料、薄膜复合制品、陶瓷和玻璃等的相对介电系数（ε）与介质损耗角正切值（tgδ）的测试。本电极主要用于频率在工频50Hz下测量试品的相对介电系数（ε）和介质损耗角正切值（tgδ）。本电极的设计主要是参照国标GB1409。本电极采用的是三电极式结构，能有效的消除表面漏电流的影响，使测量电极下的电场趋于均匀电场。二、主要技术指标：环境温度：20±5℃相对湿度：65±5%高低压电极之间距离：0~5mm可调百分表示值误差：0.01mm测量极直径：50mm（表面积19.6cm2）空极tgδ：≤3×10-5zui高测试电压：2000V体积：Ф210mm H180mm重量：6kgRY2型固体绝缘材料测试电极一、概述RY2型固体绝缘材料测试电极制造成平板型带保护电极的三端式电容器，可以在加压、加温及抽真空条件下，配以高压电容电桥在工频电压下对各类固体绝缘材料（如聚苯乙烯，聚丙烯，电容纸等）的试品作介质损耗因数（tgδ），相对介电常数（ε）的测量。配上高阻计还可测试体积电阻率（Pv）.二、主要性能参数高压电极直径与表面积：￠98mm(75.43cm2)测量电极直径与表面积：￠50 mm(19.6 cm2)电极材料 ：不锈钢1Cr13Ni9Ti电极工作面：精面面磨电极间距：不大于6mm电极加热功率：约2*500瓦电极高温度：200°C(配上FY120B型温控仪，精度0.1°)加热时间： 30分钟电极压力：0~~1.0Mpa连续可调Z大测量电压：2000V，50Hz真空度：电极可抽真空至3*10-2 Mpa尺寸重量： 长*宽*高400 mm*300 mm*400 mm，重量：15Kg测量液体：

介电常数介质损耗测量方法1、范围本标准规定了在15Hz?300MHz的频率范围内测量电容率、介质损耗因数的方法，并由此计算某些数值，如损耗指数。本标准中所叙述的某些方法，也能用于其他频率下测量。本标准适用于测量液体、易熔材料以及固体材料。测试结果与某些物理条件有关，例如频率、温度、湿度，在特殊情况下也与电场强度有关。有时在超过1000V的电压下试验，则会引起一些与电容率和介质损耗因数无关的效应，对此不予论述。 2、规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的zui新版本。凡是不注日期的引用文件，其zui新版本适用于本标准。IEC60247:1978 液体绝缘材料相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量 3、术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3.1相对电容率relative permittivityε r电容器的电极之间及电极周围的空间全部充以绝缘材料时，其电容Cx与同样电极构形的真空电容Co之比； ……………………………（1）式中；εr——相对电容率 Cx——充有绝缘材料时电容器的电极电容；Co——真空中电容器的电极电容。在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率ε r等于1.00053，因此，用这种电极构形在空气中的电容Cx来代替Co测量相对电容率εr时，也有足够的度。在一个测量系统中，绝缘材料的电容率是在该系统中绝缘材料的相对电容率εr与真空电气常数εr的乘积。在SI制中，电容率用法/米（F/m）表示。而且，在SI单位中，电气常数εr，为： ……………………………（2）在本标准中，用皮法和厘米来计算电容，真空电气常数为:ε0=0.088 54 pF/cm3.2介质损耗角dielectric loss angleδ由绝缘材料作为介质的电容器上所施加的电压与由此而产生的电流之间的相位差的余角。3.3介质损耗因数1） dielectric dissipation factortanδ损耗角δ的正切。3.4[介质]损耗指数 [dielectric] loss indexε''r该材料的损耗因数tanδ与相对电容率εr的乘积。3.5复相对电容率 complex relative permittivityεr由相对电容率和损耗指数结合而得到的：式中：εr——复相对电容率；ε''r——损耗指数；ε'r、εr——相对电容率；tanδ——介质损耗因数。注：有损耗的电容器在任何给定的频率下能用电容Cs和电阻Rs的串联电路表示，或用电容CP和电阻RP（或电导CP）并联电路表示。 并联等值电路 串联等值电路 式中：Cs——串联电容；Rs——串联电阻； 1）有些国家用“损耗角正切”来表示“介质损耗因数”，因为损耗的测量结果是用损耗角的正切来报告的。CP——并联电容；RP——并联电阻。虽然以并联电路表示一个具有介质损耗的绝缘材料通常是合适的，但在单一频率下，有时也需要以电容Cs和电阻Rs的串联电路来表示。串联元件与并联元件之间，成立下列关系： 式（9）、（10）、（11）中：Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式（7）、（8）。无论串联表示法还是并联表示法，其介质损耗因数tanδ是相等的。假如测量电路依据串联元件来产生结果，且tanδ太大而在式（9）中不能被忽略，则在计算电容率前必须先计算并联电容。本标准中的计算和测量是根据电流（ω=πf）正弦波形作出的。 4、电气绝缘材料的性能和用途4.1电介质的用途电介质一般被用在两个不同的方面：用作电气回路元件的支撑，并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘；用作电容器介质。4.2影响介电性能的因素下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。4.2.1频率因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的εr和tanδ几乎是恒定的，且被用作工程电介质材料，然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生，重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的。4.2.2温度损耗指数在一个频率下可以出现一个大值，这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的，这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。4.2.3湿度极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加，其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的。注：湿度的显著影响常常发生在1MHz以下及微波频率范围内。4.2.4电场强度存在界面极化时，自由离子的数目随电场强度增大而增加，其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。在较高的频率下，只要电介质中不出现局部放电，电容率和介质损耗因数与电场强度无关。 5、试样和电极5.1固体绝缘材料5.1.1试样的几何形状测定材料的电容率和介质损耗因数，zui好采用板状试样，也可采用管状试样。在测定电容率需要较高精度时，大的误差来自试样尺寸的误差，尤其是试样厚度的误差，因此厚度应足够大，以满足测量所需要的度。厚度的选取决定于试样的制备方法和各点间厚度的变化。对1%的度来讲，1.5mm的厚度就足够了，但是对于更高度，zui好是采用较厚的试样，例如6mm?12mm。测量厚度必须使测量点有规则地分布在整个试样表面上，且厚度均匀度在±1%内。如果材料的密度是已知的，则可用称量法测定厚度。选取试样的面积时应能提供满足精度要求的试样电容。测量10pF的电容时，使用有良好屏蔽保护的仪器。由于现有仪器的极限分辨能力约1pF，因此试样应薄些，直径为10cm或更大些。需要测低损耗因数值时，很重要的一点是导线串联电阻引人的损耗要尽可能地小，即被测电容和该电阻的乘积要尽可能小。同样，被测电容对总电容的比值要尽可能地大。点表示导线电阻要尽可能低及试样电容要小,第二点表示接有试样桥臂的总电容要尽可能小，且试样电容要大。因此试样电容zui好取值为20pF，在测量回路中，与试样并联的电容不应大于约5pF，5.1.2电极系统5.1.2.1加到试样上的电极电极可选用5.1.3中任意一种。如果不用保护环，而且试样上下的两个电极难以对齐时，其中一个电极应比另一个电极大些。已经加有电极的试样应放置在两个金属电极之间，这两个金属电极要比试样上的电极稍小些。对于平板形和圆柱形这两种不同电极结构的电容计算公式以及边缘电容近似计算的经验公式由表1给出。对于介质损耗因数的测量，这种类型的电极在高频下不能满足要求，除非试样的表面和金属板都非常平整。图1所示的电极系统也要求试样厚度均匀。.5.1.2.2试样上不加电极表面电导率很低的试样可以不加电极而将试样插入电极系统中测量，在这个电极系统中，试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙。平板电极或圆柱形电极结构的电容计算公式由表3给出。下面两种型式的电极装置特别合适.5.1.2.2.1空气填充测微计电极当试样插入和不插人时，电容都能调节到同一个值，不需进行测量系统的电气校正就能测定电容率。电极系统中可包括保护电极。5.1.2.2.2流体排出法在电容率近似等于试样的电容率，而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量，这种测量与试样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时，试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中消去。试样为与试验池电极直径相同的圆片，或对测微计电极来说，试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计。在测微计电极中，为了忽略边缘效应，试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。5.1.2.3边缘效应为了避免边缘效应引起电容率的测量误差，电极系统可加上保护电极。保护电极的宽度应至少为两倍的试样厚度，保护电极和主电极之间的间隙应比试样厚度小。假如不能用保护环，通常需对边缘电容进行修正，表1给出了近似计算公式。这些公式是经验公式，只适用于规定的几种特定的试样形状。此外，在一个合适的频率和温度下，边缘电容可采用有保护环和无保护环的（比较）测量来获得，用所得到的边缘电容修正其他频率和温度下的电容也可满足精度要求。5.1.3构成电极的材料5.1.3.1金属箔电极用极少量的硅脂或其他合适的低损耗粘合剂将金属箔贴在试样上。金属箔可以是纯锡或铅，也可以是这些金属的合金，其厚度大为100μm，也可使用厚度小于10μm的铝箔。但是，铝箔在较高温度下易形成一层电绝缘的氧化膜，这层氧化膜会影响测量结果，此时可使用金箔。5.1.3.2烧熔金属电极烧熔金属电极适用于玻璃、云母和陶瓷等材料，银是普遍使用的，但是在高温或高湿下，zui好采用金。5.1.3.3喷镀金属电极锌或铜电极可以喷镀在试样上，它们能直接在粗糙的表面上成膜。这种电极还能喷在布上，因为它们不穿透非常小的孔眼。5.1.3.4阴极蒸发或高真空蒸发金属电极假如处理结果既不改变也不破坏绝缘材料的性能，而且材料承受高真空时也不过度逸出气体，则本方法是可以采用的。这一类电极的边缘应界限分明。5.1.3.5汞电极和其他液体金属电极把试样夹在两块互相配合好的凹模之间，凹模中充有液体金属，该液体金属必须是纯净的。汞电极不能用于高温，即使在室温下用时，也应采取措施，这是因为它的蒸气是有毒的。伍德合金和其他低熔点合金能代替汞。但是这些合金通常含有镉，镉象汞一样，也是毒性元素。这些合金只有在良好抽风的房间或在抽风柜中才能用于100℃以上，且操作人员应知道可能产生的健康危害。5.1.3.6导电漆无论是气干或低温烘干的高电导率的银漆都可用作电极材料。因为此种电极是多孔的，可透过湿气，能使试样的条件处理在涂上电极后进行，对研究湿度的影响时特别有用。此种电极的缺点是试样涂上银漆后不能马上进行试验，通常要求12h以上的气干或低温烘干时间，以便去除所有的微量溶剂，否则，溶剂可使电容率和介质损耗因数增加。同时应注意漆中的溶剂对试样应没有持久的影响。要使用刷漆法做到边缘界限分明的电极较困难，但使用压板或压敏材料遮框喷漆可克服此局限。但在极高的频率下，因银漆电极的电导率会非常低，此时则不能使用。5.1.3.7石墨一般不推荐使用石墨，但是有时候也可采用，特别是在较低的频率下。石墨的电阻会引起损耗的显著增大，若采用石墨悬浮液制成电极，则石墨还会穿透试样。5.1.4电极的选择5.1.4.1板状试样考虑下面两点很重要：a）不加电极，测量时快而方便，并可避免由于试样和电极间的不良接触而引起的误差。b）若试样上是加电极的，由测量试样厚度h时的相对误差△h/h所引起的相对电容率的相对误差△εr/εr可由下式得到：……………………………（12）式中：△εr——相对电容率的偏差；εr——相对电容率；h——试样厚度； Ah——试样厚度的偏差。若试样上加电极，且试样放在有固定距离Sh的两个电极之间，这时 ……………………………（13）式中：△εr、εr、h同式（12）。εr——试样浸入所用流体的相对电容率，对于在空气中的测量则εr等于1。对于相对电容率为10以上的无孔材料，可采用沉积金属电极。对于这些材料，电极应覆盖在试样的整个表面上，并且不用保护电极。对于相对电容率在3?10之间的材料，能给出zui高精度的电极是金属箔、汞或沉积金属，选择这些电极时要注意适合材料的性能。若厚度的测量能达到足够精度时，试样上不加电极的方法方便而更可取。假如有一种合适的流体，它的相对电容率已知或者能很准确地测出，则采用流体排出法是zui好的。5.1.4.2管状试样对管状试样而言，合适的电极系统将取决于它的电容率、管壁厚度、直径和所要求的测量精度。一般情况下，电极系统应为一个内电极和一个稍为窄一些的外电极和外电极两端的保护电极组成，外电极和保护电极之间的间隙应比管壁厚度小。对小直径和中等直径的管状试样，外表面可加三条箔带或沉积金属带，中间一条用作为外电极（测量电极），两端各有一条用作保护电极。内电极可用汞，沉积金属膜或配合较好的金属芯轴。高电容率的管状试样，其内电极和外电极可以伸展到管状试样的全部长度上，可以不用保护电极。大直径的管状或圆筒形试样，其电极系统可以是圆形或矩形的搭接，并且只对管的部分圆周进行试验。这种试样可按板状试样对待，金属箔、沉积金属膜或配合较好的金属芯轴内电极与金属箔或沉积金属膜的外电极和保护电极一起使用。如采用金属箔做内电极，为了保证电极和试样之间的良好接触，需在管内采用一个弹性的可膨胀的夹具。对于非常准确的测量，在厚度的测量能达到足够的精度时，可采用试样上不加电极的系统。对于相对电容率εr不超过10的管状试样，方便的电极是用金属箔、汞或沉积金属膜。相对电容率在10以上的管状试样，应采用沉积金属膜电极；瓷管上可采用烧熔金属电极。电极可像带材一样包覆在管状试样的全部圆周或部分圆周上。5.2液体绝缘材料5.2.1试验池的设计对于低介质损耗因数的待测液体，电极系统重要的特点是：容易清洗、再装配（必要时）和灌注液体时不移动电极的相对位置。此外还应注意：液体需要量少，电极材料不影响液体，液体也不影响电极材料，温度易于控制，端点和接线能适当地屏蔽；支撑电极的绝缘支架应不浸沉在液体中，还有，试验池不应含有太短的爬电距离和尖锐的边缘，否则能影响测量精度。满足上述要求的试验池见图2?图4。电极是不锈钢的，用硼硅酸盐玻璃或石英玻璃作绝缘，图2和图3所示的试验池也可用作电阻率的测定，1EC 60247:1978对此已详细叙述。由于有些液体如氯化物，其介质损耗因数与电极材料有明显的关系，不锈钢电极不总是合适的。有时，用铝和杜拉铝制成的电极能得到比较稳定的结果。5.2.2试验池的准备应用一种或几种合适的溶剂来清洗试验池，或用不含有不稳定化合物的溶剂多次清洗。可以通过化学试验方法检查其纯度，或通过一个已知的低电容率和介质损耗因数的液体试样测量的结果来确定。3试验池试验几种类型的绝缘液体时，若单独使用溶剂不能去除污物，可用一种柔和的擦净剂和水来清洁试验池的表面。若使用一系列溶剂清洗时则后要用大沸点低于100°C的分析级的石油醚来再次清洗，或者用任一种对一个已知低电容率和介质损耗因数的液体测量能给出正确值的溶剂来清洗，并且这种溶剂在化学性质上与被试液体应是相似的。推荐使用下述方法进行清洗。试验池应全部拆开，彻底地清洗各部件，用瑢剂回流的方法或放在未使用溶剂中搅动反复洗涤方法均可去除各部件上的溶剂并放在清洁的烘箱中，在110℃左右的温度下烘干30min。待试验池的各部件冷却到室温，再重新装配起来。池内应注人一些待试的液体，停几分钟后，倒出此液体再重新倒人待试液体，此时绝缘支架不应被液体弄湿。在上述各步骤中，各部件可用干净的钩针或钳子巧妙地处理，以使试验池有效的内表面不与手接触。注1:在同种质量油的常规试验中，上面所说的淸洗步骤可以代之为在每一次试验后用没有残留纸屑的干纸简单地擦擦试验池。注2:采用溶剂时，有些溶剂特别是苯、四氧化碳、甲苯、二甲苯是有毒的，所以要注意防火及毒性对人体的影响，此外，氧化物溶剂受光作用会分解。5.2.3试验池的校正当需要高精度测定液体电介质的相对电容率时，应首先用一种已知相对电容率的校正液体（如苯）来测定“电极常数'。“电极常数”C。的确定按式（14）: ……………………………（14）式中：Cc——电极常数；Co——空气中电极装置的电容；Cn——充有校正液体时电极装置的电容；εn——校正液体的相对电容率。从C。和Cc的差值可求得校正电容Cg并按照公式来计算液体未知相对电容率εx。式中：Cg——校正电容；Co——空气中电极装置的电容；Cc——电极常数|Cx——电极装置充有被试液体时的电容；εx——液体的相对电容率。假如Co、Cn和Cx值是在εn是已知的某一相同温度下测定的，则可求得zui高精度的εx值。采用上述方法测定液体电介质的相对电容率时，可保证其测得结果有足够的精度，因为它消除了由于寄生电容或电极间隙数值的不准确测量所引起的误差。 6、测置方法的选择测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种：零点指示法和谐振法。6.1零点指示法适用于频率不超过50MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法；也就是在接入试样和不接试样两种状态下，调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器电桥（也就是互感耦合比例臂电桥）和并联T型网络。变压器电桥的优点：采用保护电极不需任何外加附件或过多操作，就可采用保护电极；它没有其他网络的缺点。6.2谐振法适用于10kHz?几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量，常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。注：典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不全面的，叙述电桥和测量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。 7、试验步骤7.1试样的制备试样应从固体材料上截取，为了满足要求，应按相关的标准方法的要求来制备。应地测量厚度，使偏差在±（0.2%土0.005mm）以内，测量点应均匀地分布在试样表面。必要时，应测其有效面积。7.2条件处理条件处理应按相关规范规定进行。7.3测量电气测量按本标准或所使用的仪器（电桥）制造商推荐的标准及相应的方法进行。在1MHz或更高频率下，必须减小接线的电感对测量结果的影响。此时，可采用同轴接线系统（见图1所示），当用变电抗法测量时，应提供一个固定微调电容器。 8、结果8.1相对电容率εr试样加有保护电极时其相对电容率εr可按公式（1）计算，没有保护电极时试样的被测电容C'x包括了一个微小的边缘电容Ce，其相对电容率为： ……………………………（17）式中：εr——相对电容率；C'x——没有保护电极时试样的电容；Ce——边缘电容 Co——法向极间电容；Co和Ce能从表1计算得来。必要时应对试样的对地电容、开关触头之间的电容及等值串联和并联电容之间的差值进行校正。测微计电极间或不接触电极间被测试样的相对电容率可按表2、表3中相应的公式计算得来。8.2介质损耗因数tanδ介质损耗因数tanδ按照所用的测量装置给定的公式，根据测出的数值来计算。8.3精度要求在第5章和附录A中所规定的精度是：电容率精度为±1%，介质损耗因数的精度为±（5%±0.0005）。这些精度至少取决于三个因素：即电容和介质损耗因数的实测精度；所用电极装置引起的这些量的校正精度；极间法向真空电容的计算精度（见表1）。在较低频率下，电容的测量精度能达±（0.1%土0.02pF），介质损耗因数的测量精度能达±（2%±0.00005）。在较高频率下，其误差增大，电容的测量精度为±（0.5%±0，1PF），介质损耗因数的测量精度为±（2%±0.0002）。对于带有保护电极的试样，其测量精度只考虑极间法向真空电容时有计算误差。但由被保护电极和保护电极之间的间隙太宽而引起的误差通常大到百分之零点几，而校正只能计算到其本身值的百分乏几。如果试样厚度的测量能到±0.005mm，则对平均厚度为1.6mm的试样，其厚度测量误差能达到百分之零点几。圆形试样的直径能测定到±0.1%的精度，但它是以平方的形式引人误差的，综合这些因素，极间法向真空电容的测量误差为±0.5%。对表面加有电极的试样的电容，若采用测微计电极测量时，只要试样直径比测微计电极足够小，则只需要进行极间法向电容的修正。采用其他的一些方法来测量两电极试样时，边缘电容和对地电容的计算将带来一些误差，因为它们的误差都可达到试样电容的2%?40%。根据目前有关这些电容资料，计算边缘电容的误差为10%，计算对地电容的误差为因此带来总的误差是百分之几十到百分之几。当电极不接地时，对地电容误差可大大减小。采用测微计电极时，数量级是0.03的介质损耗因数可测到真值的±0.0003，数量级0.0002的介质损耗因数可测到真值的±0.00005介质损耗因数的范围通常是0.0001?0.1，但也可扩展到0.1以上。频率在10MHz和20MHz之间时，有可能检测出0.00002的介质损耗因数。1?5的相对电容率可测到其真值的±2%，该精度不仅受到计算极间法向真空电容测量精度的限制，也受到测微计电极系统误差的限制。 9、试验报告试验报告中应给出下列相关内容：绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样日期（并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况）；试样条件处理的方法和处理时间；电极装置类型，若有加在试样上的电极应注明其类型；测量仪器；试验时的温度和相对湿度以及试样的温度；施加的电压；施加的频率；相对电容率εr（平均值）；介质损耗因数tanδ（平均值）；试验日期；相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角，必要时，应给出与温度和频率的关系。表1 真空电容的计算和边缘校正（1）极间法向电容（单位：皮法和厘米）（2）边缘电容的校正（单位：皮法和厘米）（3）1.有保护环的圆盘状电极 2.没有保护环的圆盘状电极a）电极直径=试样直径 b）上下电极相等，但比试样小 其中：ε1 是试样相对电容率的近似值，并且a≤h表1（续）（1）极间法向电容（单位：皮法和厘米）（2）边缘电容的校正（单位：皮法和厘米）（3）c）电极直径=试样直径 其中：ε1 是试样相对电容率的近似值，并且a≤h3.有保护环的圆柱形电极 4.没有保护环的圆柱形电极 其中：ε1 是试样相对电容率的近似值试样的相对电容率：其中：C'x——电极之间被测的电容；In——自然对数；Ig——常用对数。表2 试样电容的计算——接触式测微计电极试样电容注符号定义’1.并联一个标准电容器来替代试样电容CP——试样的并联电容△C——取去试样后，为恢复平衡时的标准电容器的电容增量Cr——在距离为r时，测微计电极的标定电容Cs——取去试样后，恢复平衡，测微计电极间距为s时的标定电容Cor，Coh——测微计电极之间试样所占据的，间距分别为r或h的空气电容。可用表1中的公式1来计算r——试样与所加电极的厚度h——试样厚度相对电容率: CP=△C+Cor试样直径至少比测微计电极的直径小2r。在计算电容率时必须采用试样的真实厚度h和面积A。2.取去试样后减少测微计电极间的距离来替代试样电容CP=Cs-Cr+Cor试样直径至少比测微计电极的直径小2r。在计算电容率时必须采用试样的真实厚度h和面积A。3.并联一个标准电容器来替代试样电容当试样与电极的直径同样大小时，仅存在一个微小的误差（因电极边缘电场畸变引起0.2%?0.5%的误差），因而可以避免空气电容的两次计算。CP=△C+Coh试样直径等于测微计电极直径，施于试样上的电极的厚度为零。表3电容率和介质损耗因数的计算——不接触电极相对电容率（1）介质损耗因数（2）符号意义（3）1.测微计电极（在空气中） 若ho 调到一个新值h'o，而△C=0时 tanδx= tanδc +Mεr△tanδ △C——试样插人时电容的改变量（电容增加时为+号）C1——装有试样时的电容C1——仅有流体时的电容，其值为εr&bull CoCo——所考虑的区域上的真空电容，其值为εo&bull A/h0A——试样一个面的面积，用 厘米2表示（试验的面积大于等于电极面积时）ε1——在试验温度下的流体相对电容率（对空气而言εr ＝1. 00)ε0——电气常数用皮法/厘米表示△tanδ——试样插入时，损耗因数的增加量tanδc——装有试样时的损耗因数tanδx试样的损耗因数的计算值d0——内电极的外直径 d1——试样的内直径 d2试样的外直径d3——外电极的内直径 h0——平行平板间距h——试样的平均厚度M——h0 /h—1lg――常用对数注；在二流体法的公式中，脚注1和2分别表示种和第二种流体。2. 平板电极——流体排出法 tanδx= tanδc +Mεr△tanδ 当试样的损耗因数小于1时，可以用下列公式: 3. 圆柱形电极——流体排出法（用于tanδ小于0.1时） 4. 二流体法——平板电极（用于tanδx小于0. 1时） 1——测微计头；6——微调电容器；2——连接可调电极（B)的金属波纹管；7——接检测器；3——放试样的空间（试样电容器M1；8——接到电路上；4——固定电极（A）；9——可调电极（B）。5——测微计头；图1 用于固体介质测量的测微计——电容器装置单位为毫米 1——内电极；1——把柄；2——外电极；5——棚硅酸盐或石英垫圈；3——保护环；6——硼硅酸盐或石英垫圈。图2 液体测量的三电极试验池示例 注满试验池所需的液体量大约15mL1——温度计插孔；2——绝缘子；3——过剩液体溢流的两个出口。图3 测量液体的两电极试验池示例 1——温度计插孔；2——1mm厚的金属板；3——石英玻璃；4——1mm或2mm的间隙；5——温度计插孔图4 液体测量的平板两电极试验池

LJD型工频介电常数及介质损耗测试仪仪器介绍 本产品是依据版本国家标准GB/T 1409-2006《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的试验方法》（等效采用IEC 60250）和GB/T 5654-85《液体绝缘材料工频相对介电常数、介质损耗因数和体积电阻率的测量》设计制造的，并符合EN14598-2：2005增强热固性模塑料SMC和DMC模塑料规范 第2部分：试验方法的要求。主要用于绝缘材料介质损耗tgδ和介电常数εr的测试。 主要型号LJD-50（50Hz）和LJD-100（100Hz）技术参数1 电桥工作电压： （测试电压） ×0.1档：在（0～200）V之间连续可调 ×1档： 在（0～2000）V之间连续可调2 量程范围 tgδ量程：1×10-5～1 Cχ量程：9pF～10000pF准确度：在20℃±5℃；RH≤80% ；50Hz和100Hz条件下 tgδ=±0.5% ±2×10-5（只适应于20pF～5000pF） Cχ=±0.5% （只适应于20pF～5000pF） 4 灵敏度：Cχ=100 pF u=1000V Δtgδ=1×10-5 Cχ=1000 pF u=100V Δtgδ=1×10-55 电源：220 V±10% 50Hz6 环境温度：(10～35)℃7 环境湿度：RH80 %尺寸：540mm×800mm×400mm重量：62kg

介质击穿试验机LJC-50KV控制方式：微机控制一、满足标准： GB1408-2006 绝缘材料电气强度试验方法 GB/T1695-2005 硫化橡胶工频电压击穿强度和耐电压强度试验 GB/T3333 电缆纸工频电压击穿试验方法 HG/T 3330绝缘漆漆膜击穿强度测定法 GB12656 电容器纸工频电压击穿试验方法 ASTM D149 固体电绝缘材料在工业电源频率下的介电击穿电压和介电强度的试验方法.二、适用范围及功能： 主要适用于固体绝缘材料（如：塑料、橡胶、薄膜、树脂、云母、陶瓷、玻璃、绝缘漆等介质）在工频电压或直流电压下击穿强度和耐电压的测试。由电脑控制，通过我公司自主研发的全新智能数字集成电路系统与软件控制系统两部分来完成，使升压速率真正做到匀速、准确，并能够准确测出漏电电流的数据。可实时动态绘制试验曲线，显示试验数据，判断准确，并可保存，分析，修改，打印试验数据。 1、本仪器在试验过程中可对升压击穿过程绘制实时曲线，每次试验的升压曲线都由不同颜色构成，试验结束后可叠加对比材料的试验数据重复性。 2、可以随时调取当前及历史试验数据进行查看，编辑及修改实验结果。 3、试验过程中可以随时修改试验条件及存储路径及自动存储试验结果。 4、试验过程中，可随时通过软件决定本次试验是否有效，方便筛选试验结果。 5、可对软件设置密码，生成密码保护，做到专机专人操作，避免无关人员误操作。 6、 可对试验结果编辑修改后打印，方便操作 更加人性化。 7、可对一组试验中曲线数据的试验结果是否进行人为选定 。 8、本仪器采用先进的无触点原件匀速调压方式，淘汰同类产品中机械传动升压方式。三、技术要求：01、输入电压： 交流 220 V02、输出电压： 交流 0--50 KV 直流 0—50 KV03、电器容量： 3KVA04、高压分级： 0-10KV，0--50KV，05、升压速率： 100V/S 200V/S 500 V/S 1000 V/S 2000V/S 5000V/S 等 （备注：满足标准要求并可以根据用户需求设定不同的升压速率）06、试验方式： 直流试验：1、匀速升压 2、梯度升压 3、耐压试验 交流试验：1、匀速升压 2、梯度升压 3、耐压试验07、试验介质：空气，试验油08、安装灵敏度较高的过电流保护装置保证试样击穿时在0.05S内切断电源。09、采用智能集成电路进行匀速升压。10、支持短时间内短路试验要求。11、电压试验精度： ≤ 1％。12、试验电压连续可调： 0--50KV。13、电流可采集到mA级。14、出具国家一级计量单位校准检定证书或出具客户指定计量单位的证书。15、电源：220V±10%的单相交流电压和50Hz±1%的频率。16、电流电压稳定度: 外界电源电压波动10%时四、 安全保护电路保护控制：（1）超压保护 （2）过流保护 （3）短路保护（4）漏电保护 （5）软件误操作保护高压输入回路断电保护控制： (1)总电源开关 (2)调压器复位开关 (3)高压断电开关 (4)试验箱门安全开关 (5)高压回路开关(6)漏电保护开关五、标准配置01 试验主机 一台 02 控制装置 一套 03 试验电极 二套(国标1408.1) 04 试验油箱 二只 05 放电系统 一套 06 控制系统 一套 07 数据采集系统 一套 08 试验软件 一套 光盘 09 计算机 一套 品牌 10 喷墨打印机 一台 品牌 11 产品使用说明书 一份 12 计量证书 一份 13 产品合格证 一份 六、设备安全说明：1、设备要安装单独的保护地线。接保护地线，主要是减少试样击穿时对周围产生的较强的电磁干扰。也可避免控制计算机失控。2、该试验设备的电路设有多项保护措施，主要有：过流保护、失压保护、漏电保护、短路保护、直流试验放电报警等。3、接地要求： 仪器需要单独接地，接地附合国家标准要求，金属棒深埋地下至少要1.5米以下。4、该试验设备的电路设有多项保护措施，主要有：过流保护、失压保护、漏电保护、短路保护、直流试验放电报警等。七、常规型号为： LJC-10KV LJC-20KV LJC-30KV LJC-50KV LJC-100KV鼎力公司所有仪器质保三年终身维修，请放心购买。

橡胶介质损耗因数测试仪先进的高频感应加热方式，加热均匀、速度快、控制方便. 采用全数字技术,智能自动化测量 大屏幕液晶显示,全中文菜单 ,测量结果可以打印输出.1.信号源: DDS数字合成信号 100KHZ-160MHZ2.信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数3．Q值测量范围：1～10234．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；5．电感测量范围：1nH～140mH 自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能6．电容直接测量范围：1pF～25nF 7．主电容调节范围： 17～240pF 8．准确度 150pF以下±1pF；150pF以上±1% 9．信号源频率覆盖范围100kHz～160MHz10．合格指示预置功能范围：5～1000极片尺寸： 38mm极片间距可调范围：≥15mm夹具插头间距：25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10－4 （1MHz）测微杆分辨率：0.001mm介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。仪器遵从标准：GB/T 5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法　第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法。

ZJD系列高频介电常数及介质损耗测试系统产品介绍一、符合标准：ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法；二、主机及夹具参数：项目/型号ZJD-BZJD-AZJD-C信号源DDS数字合成信号频率范围10KHZ-70MHZ10KHZ-110MHZ100KHZ-160MHZ信号源频率覆盖比7000:111000:116000:1采样精度11BIT12BIT信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数Q值测量范围1～1000自动/手动量程Q值量程分档30、100、300、1000、自动换档或手动换档Q分辨率4位有效数，分辨率0.1Q测量工作误差＜5%电感测量范围1nH～8.4H,；分辨率0.11nH～140mH；分辨率0.1电感测量误差＜3%电容直接测量范围1pF～2.5uF1pF～25uF调谐电容误差分辨率±1pF或＜1%主电容调节范围30～540pF17～240pF谐振点搜索自动扫描自身残余电感扣除功能有大电容值直接显示功能有介质损耗系数精度万分之一介电常数精度千分之一LCD显示参数F,L,C,Q,LT,CT,波段等准确度150pF以下±1pF；150pF以上±1%Q合格预置范围5～1000声光提示环境温度0℃～+40℃消耗功率约25W电源220V±22V，50Hz±2.5Hz极片尺寸38mm/50mm(二选一)极片间距可调范围≥15mm材料测试厚度0.1-10mm夹具插头间距25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10－4 （1MHz）测微杆分辨率0.001mm测试极片材料测量直径Φ38mm/50mm，厚度可调 ≥ 15mm三、配置：序号标准配置单位/数量1主机一台2S916夹具一套3电感组九只4电源线一根选配：USB模块、液体杯（测量极片直径 Φ38mm； 液体杯内径Φ48mm 、深7mm）

陶瓷介质损耗测定仪HRJD电感测量：a．测量范围：14.5nH~8.14H。b．分 档：分七个量程。 0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH， 0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。陶瓷介质损耗测定仪HRJD主要配置：a.测试主机一台；b.电感9只；c.夹具一 套高频Q表是多用途的阻抗测量仪器，为了提高测量精度，除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小，使耦合回路的频响尽可能地好之外，还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。陶瓷介质损耗测定仪HRJD测试注意事项a．本仪器应水平安放；b．如果你需要较地测量，请接通电源后，预热30分钟；c．调节主调电容或主调电容数码开关时，当接近谐振点时请缓调；d．被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短，足够粗，并应接触良好、可靠，以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差；e．被测件不要直接搁在面板顶部，离顶部一公分以上，必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫；f．手不得靠近试件，以免人体感应影响造成测量误差，有屏蔽的试件，屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。陶瓷介质损耗测定仪HRJD技术指标：☆电感测量：a．测量范围：14.5nH~8.14H。b．分 档：分七个量程。 0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH， 0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。☆Q值测量：a．Q值测量范围：2～1023。 b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c．标称误差 频率范围：20kHz～10MHz； 固有误差：≤5％±满度值的2％；工作误差：≤7％±满度值的2％； 频率范围：10MHz～60MHz； 固有误差：≤6％±满度值的2％；工作误差：≤8％±满度值的2％。☆振荡频率：a．振荡频率范围：10kHz～50MHz；b．频率分段（虚拟）10～99.9999kHz、100～999.999kHz、1～9.99999MHz、10～60MHzc．频率误差：3×10-5±1个字。☆仪器正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃； b. 相对湿度：80％； c. 电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。 ☆其他a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg； c．外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。☆电容测量：a．测量范围：1～460pF(460pF以上的电容测量见使用规则)；b．电容量调节范围 主调电容器：30～500pF； 准 确 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％； 注：大于直接测量范围的电容测量见使用规则☆ Q合格指示预置功能高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较*，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时*被抑制，介电性能可降至 低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。该仪器广泛地用于科研机关、学校、工厂等单位。陶瓷介质损耗测定仪HRJDGBT 1409-2006 测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法平板电容极片Φ50mm/Φ38mm可选频率范围20KHz-60MHz/200KHz-160MHz间距可调范围≥15mm频率指示误差3×10-5±1个字夹具插头间距25mm±0.01mm主电容调节范围30-500/18-220pF测微杆分辨率0.001mm主调电容误差1%或1pF夹具损耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)Q测试范围2～1023

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

特点：优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数，手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点，标频单键设置和锁定，大大提高测试速度作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低，彻底 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。标准配置：高配Q表 一只 试验电极 一只 （c类）电感 一套（9只）电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。注：这个性质不是绝对成立的。对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。但对于两个绝缘体就不一定了。介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。

过滤介质测试装置优点• 从10 nm开始的粒径测量 • 符合DIN EN 1822-3和ISO 29463-3标准而且在国际范围内可比较的测量结果 • 简单使用不同的测试气溶胶，例如NaCl / KCl或DEHS（其他可根据要求提供） • 易于移动的稀释级联，系数分别为10、100、1,000和10,000，用于盐或DEHS测量 • 方便地测量馏分分离效率并确定MPPS范围 • 测试方法的高重复性 • 灵活的过滤器测试软件FTControl • 易于操作，即使未经培训的人员也可以快速使用设备 • 客户可以自主进行清洁 • 设置时间短，吞吐时间快 • 移动设置，易于在脚轮上移动 • 在交付前验收测试期间以及交付时验证单个组件和整个系统的功能 • 运行可靠 • 低维护 • 设备将减少您的运营成本说明在实际的开发和质量控制应用中，Palas的MFP过滤器测试台已经在世界各地经过多次验证。MFP Nanoplus专门设计用于根据DIN EN 1822-3和ISO 29463-3标准准确测定HEPA和ULPA过滤介质的分离效率而计。U-SMPS形式、现代且功能强大的纳米颗粒测量设备可将用于5 nm到1 μm范围粒度测量和量化分析。借助通用气溶胶发生器UGF 2000，可以用DEHS或盐（NaCl / KCl）生产与MMPS范围相匹配的准确气溶胶分布。由于采用可移动稀释液级联，因此可以在非常短的时间内将测试设备从使用盐雾剂转换为DEHS雾剂，而无需清洗。测试序列的高度自动化设置以及清晰定义的单个组件和滤波器测试软件FTControl的可单独调整程序相结合，共同提供高度可靠的测量结果。MFP过滤器测试台是用于扁平过滤器介质和小微型过滤器的模块化过滤器测试系统。可以在很短的时间内确定压力损失曲线、馏分分离效率或负荷，既可靠又具有成本效益。我们的质量细节 1.使用UGF 2000产生多种气溶胶，例如使用KCl/NaCl或DEHS。集成的硅胶干燥长管。通过质量流量控制器单独调节产生的气雾体积流量。2.气溶胶中和：Kr 85-370电源或软X射线充电器XRC 370电晕放电（可选）：可调节离子流以适应不同质量流量。可调混合空气，流入速度为1.5至40厘米/秒。通过质量流量控制器实现监视和控制。3.可移动的气动过滤器支架，用于快速拆卸和装载测试装置。4.可移动的稀释液级联：稀释液级联可以按规定的10、100、1,000和10,000因子对所施加的测试气雾剂进行规定的稀释。由于它们是可移动的，因此可以在很短时间内将测试设备从使用盐雾剂转换为DEHS雾剂。无需长时间或复杂地清洁系统。5.用于纳米颗粒测量的U-SMPSPalas过滤器测试软件FTControl控制U-SMPS并评估数据。将气溶胶分布调整到MPPS范围通过适当调整溶液浓度，可以将生成的粒度分布与MFP Nano plus中的相关MPPS范围匹配。图1：使用DEHS调整所需MPPS范围的粒径图2：比较140 nm粒径MPPS范围内的馏分分离效率• 清晰展示整个测量范围内过滤介质的分离效率• 准确测定MPPS范围• 较高的测量重现性和可重复性突出显示分离效率的微小差异• 优化的应用程序将每次分离效率测量的测量时间缩短到6分钟左右• 分离效率曲线的简单比较，也可以计算平均值自动化：MFP Nano +集成有质量流量控制器，可用于控制体积流量；可以通过FTControl过滤器测试软件自动监视和控制这些流量。在过滤器测试期间，还会自动记录传感器数据，例如过滤器流量和压差。在没有稀释系数与分离效率（10、100、1,000或10,000）相匹配的过滤介质情况下进行原始气体测量。然后，在不稀释并插入过滤介质的情况下进行清洁气体测量。稀释系数的改变是自动执行的。稀释系数的验证：集成在MFP Nanoplus中的稀释系统的工作原理与采用喷射原理的成熟的VKL系列相同。 这种稀释级联的优点是传输过程清晰、污染程度低而且容易清洗。图3：将原始气体/清洁气体与10倍NaCl颗粒进行比较来验证稀释系统数• 使用MFP Nanoplus，可以在MPPS范围内以及整个测量范围内进行馏分分离效率测量。 另外，在相关的流入速度下，清楚地确定介质相关压力损失。应用领域• 用于过滤介质和小型过滤器组件 • 产品开发/生产控制 • 根据EN 1882-3（HEPA / ULPA）和ISO 29463-3标准进行测试 • 分离效率测量范围约为 20 nm至1 μm规格参数测量范围 （尺寸）U-SMPS 2050: 10 – 800 nm体积流量0.54 – 16立方米/小时（加压模式）电源115/230 V, 50/60 Hz外型尺寸approx. 600 • 1,800 • 900 毫米（宽• 高• 深）流入速度1.5 – 40厘米/秒（其他可根据要求提供）压差测量0 – 2,500 Pa（其他可根据要求提供）介质测试区100平方厘米气溶胶灰尘（例如SAE灰尘），盐（例如NaCl，KCl），液体气溶胶（例如DEHS）压缩空气供应6 – 8 bar

陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。

介质损耗因数测量仪哪些因素会影响电容器的介质损耗角正切值在电力电容器中，电导损耗、电介质损耗以及介质的极化损耗等参数，都和电力电容器tanδ有很大关系。②电介质损耗包括固体介质损耗以及液体浸渍剂的损耗；①电导损耗主要取决于电容器内部的金属导体，如连接片、内熔丝和放电电阻等，以及相互连接锡焊处的接触电阻；③介质的极化损耗主要包括介质内部杂质离子的极化损耗。综上所述，电力电容器的介质损耗基本上是由原材料决定的；电导损耗与设计参数选择有一定关系；电容器制造过程的质量控制，会直接影响电力电容器的tanδ。技术参数：1．Q值测量a．Q值测量范围：2～1023。b．Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c．标称误差 频率范围（100kHz～10MHz）： 频率范围（10MHz～160MHz）： 固有误差：≤5％±满度值的2% 固有误差：≤6％±满度值的2% 工作误差：≤7％±满度值的2% 工作误差：≤8％±满度值的2%2．电感测量范围：4.5nH~7.9mH3．电容测量：1~205 主电容调节范围：18～220pF 准确度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% 注：大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz, CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,5．Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。6．B-测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。介质损耗因数测量仪影响介电性能的因素 下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。1频率 因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的，且被用作工程电介质材料，然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。 电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生，重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.2温度 损耗指数在一个频率下可以出现一个大值，这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的，这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。3湿度 极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加，其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的. 注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内4电场强度 存在界面极化时，自由离子的数目随电场强度增大而增加，其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下，只要电介质中不出现局部放电，电容率和介质损耗因数与电场强度无关介质损耗因数测量仪 介质损耗因数测量仪 主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。介质损耗因数测量仪安全注意事项：开机之前，敬请仔细阅读本 使用指南，以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前，请阅读“安装与设置”，保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前，务必请有操作经验的人员进行指导，防止误操作造成意外事件的发生。电击危险： 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电，防止在带电情况下，对人员或设备造成伤害。影响的介质损耗的以下四点主要因数（1）频率的影响：温度不变时，在低频范围内，总损耗几乎与频率无关；在高频区，介损值很大，所以在高频条件下应采用介损很小的介质。（2）温度的影响：温度对介损的影响较大，在低温区介损随温度升高而增大，在某温度处达到峰值，温度继续升高时介损值反而减小，温度继续升高，介损减小至一定值后会出现拐点急剧增大，易导致介质击穿。（3）湿度的影响：电介质吸湿后，漏电阻减小，泄漏电流增加，介损值明显增大。（4）电场强度的影响：如果介质内部有气泡或气隙，当外加电压升高到一定值时，气泡或气隙中会出现游离放电，介质损耗值会显著升高。

介电常数介质损耗（介质损耗角）测试仪 型号：GDAT-c一.介质损耗角正切测试仪主要特点：空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板，薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低,。二.介质损耗角正切测试仪主要技术特性：介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tan&delta 及介电常数(&epsilon )，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至最低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。 四.介质损耗角正切测试仪仪器特点：☆接线简单（正接法两根线，反接可使用一根线），所有电缆线均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，测量电压缓升、缓降，全自动测量，结果直读，无须换算。☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路，将矢量运算法与移相法结合，有效地消除强电场干扰对测量的影响，适用于500kV及其以下电站的现场试验。☆CVT测量 独特自激法测量CVT功能，不需外加任何设备，可完成不可拆头CVT的测量。一次接线（三根电缆，不用倒线），一个测量过程（大约1分钟），两个最终测量结果（C1和C2的介损及电容值）。测量过程中文显示，能实时监测自激电流值和试验电压（高压）值。能消除引线对测试的影响，测量结果准确可靠。☆ 安全措施（1）高压保护：试品短路、击穿或高压电流波动，能迅速切断高压输出。（2）CVT保护：设定自激电压的过流点，一旦超出设置的电流值，仪器自动退出测量，不会损坏设备。（3）接地检测：仪器有接地检测功能，未接地时不能升压测量。（4）防误操作：具备防误操作设计，能判别常见接线错误，安全报警。（5）防&ldquo 容升&rdquo ：测量大容量试品时会出现电压抬高的&ldquo 容升&rdquo 效应，仪器能自动跟踪输出电压，保持试验电压恒定。☆ VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器，在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单，操作提示各种警告信息，直观明了，不需查阅说明书即可操作。☆打印 仪器附有微型打印机，以中文方式打印输出测量结果及状态。☆RS232 仪器具有RS232接口，与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。☆可选购与计算机通信应用程序。 三.介质损耗角正切测试仪仪器技术指标：☆Q值测量：a．Q值测量范围：5～999。 b．Q值量程分档：30、100、300、999、自动换档。c．标称误差 频率范围：25kHz～10MHz； 固有误差：&le 5％± 满度值的2％；工作误差：&le 7％± 满度值的2％； 频率范围：10MHz～50MHz； 固有误差：&le 7％± 满度值的2％；工作误差：&le 10％± 满度值的2％。☆电感测量：a．测量范围：0.1&mu H～1H。b．分 档：分七个量程。 0.1～1&mu H， 1～10&mu H， 10～100&mu H， 0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。☆电容测量：a．测量范围：1～460pF(460pF以上的电容测量见使用规则)；b．电容量调节范围 主调电容器：40～500pF； 准 确 度：150pF以下± 1.5pF；150pF以上± 1％； 微调电容量：－3pF～0～＋3pF； 准 确 度：± 0.2pF。☆振荡频率：a．振荡频率范围：25kHz～50MHz；b．频率分档25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。c．频率误差：2× 10-4± 1个字。☆Q合格指示预置功能，预置范围：5～999。☆仪器正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃； b．相对湿度：80％； c．电源：220V± 22V，50Hz± 2.5Hz。 ☆试样尺寸圆片形：厚度2+0.5mm，直径为&Phi 30~40mm（&epsilon 12时），&Phi 25~35mm（&epsilon =12~30时），&Phi 15~20mm（&epsilon 30时）☆其他a．消耗功率：约25W； b．净重：约7kg； c. 外型尺寸：（l× b× h）mm：380× 132× 280。☆ Q合格指示预置功能预置范围：5～1000。 为什么选择我们的介电常数介质损耗角正切值测试仪仪器？价格、价格、还是价格！1.受产品成本限制，我们的仪器价格不一定是最低！但是绝对优惠！绝不卖低价格低质量的设备给客户！服务、服务、还是服务！1.我们的仪器备货足，客户付款后，第一时间发货，时间就是金钱；2.沟通及时，设备发送之前任何变故及时沟通，第一位保护客户利益！3.服务专业，发票、送货单、相应文件，客服会及时跟您沟通，安排到位！4.每天9小时以上在线客服，无论是技术问题还是其他，只要跟设备相关，我们都尽力为您排忧解难；我们每个工作日都为数家合作商与直接用户提供质优价廉的仪器设备！欢迎您成为北广仪器的用户！

特点：优化的测试电路设计使残值更小◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术◆ LED 数字读出品质因数，手动/自动量程切换◆ 自动扫描被测件谐振点，标频单键设置和锁定，大大提高测试速度作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前国内高的160MHz。1 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3 双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5 全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6 DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7 计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低，彻底 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。标准配置：高配Q表 一只 试验电极 一只 （c类）电感 一套（9只）电源线 一条说明书 一份合格证 一份保修卡 一份为什么介电常数越大，绝缘能力越强？因为物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说，介电常数越大，绝缘性能就越好。注：这个性质不是绝对成立的。对于绝缘性不太好的材料(就是说不击穿的情况下,也可以有一定的导电性)和绝缘性很好的材料比较,这个结论是成立的。但对于两个绝缘体就不一定了。介电常数反映的是材料中电子的局域(local)特性,导电性是电子的全局(global)特征.不是一回事情的。补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同

陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M功能介绍1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变5.自动程制：根据试验要求，用户可方便的建立自己的试验模板（方法、，便于二次调用，可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制6.自动保存：试验结束，试验数据和曲线计算机自动保存，杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失