金红石

EDX9000B Plus能量色散X荧光光谱仪-金红石分析专家ESI英飞思EDX9000B plus光谱仪主要应用于采矿作业（勘探、开采、品位控制），工业矿物，生产水泥和建筑材料的原材料，耐火材料，陶瓷和玻璃，地球化学学术研究，考古等。EDX9000B plus优异的线性动态范围，可实现在水泥、矿物、采矿、金属、玻璃和陶瓷行业进行超高精度的过程控制和质量控制。具有全新真空光路系统和超高分辨率技术的新一代Fast SDD检测器，对轻、中、重元素和常见氧化物（Na2O、MgO、Al2O₃ 、SiO₂ 、P2O5、SO₃ 、K2O、CaO、TiO₂ 、Cr2O₃ 、MnO、Fe2O₃ 、ZnO和SrO等）都可达到最佳分析效果。产品特点1.小型化、高性能、高速度、易操作，Na11-U92高灵敏度、高精度分析2.可同时分析40种元素3.采用多准直器多滤光片和扣背景专利技术4. Peltier电制冷 FAST SDD硅漂移检测器提供出色的短期重复性和长期再现性以及出色的元素峰分辨率5.超高记数数字多道电路设计，双真空抽速机构，真空度自动稳定系统6.标配基本参数法软件，多任务，多窗口操作7.专利薄膜滤光片技术，有效提高轻元素检出限仪器参数仪器外观尺寸: 565mm*385mm*415mm超大样品腔：465mm*330mm*110mm半封闭样品腔（抽真空时）：Φ150mm×高75mm 仪器重量: 48Kg元素分析范围：Na11-U92钠到铀可分析含量范围：1ppm- 99.99%探测器：AmpTek 超高分辨率电制冷Fast SDD硅漂移检测器探测器分辨率：122 eV FWHM at 5.9 keV处理器类型：全数字化DP-5分析器谱总通道数：4096道X光管：高功率50瓦光管（原装进口管芯），冷却方式：硅脂冷却光管窗口材料：铍窗准直器：多达8种选择，最小0.2mm滤光片：7种滤光片的自由选择和切换高压发生装置：原装美国高压，电压输出：0-50kV；输出电流：0-1mA高压参数：最小5kv可控调节，自带电压过载保护，输出精度：0.01%样品观察系统：500万像素高清CCD摄像头电压：220ACV 50/60HZ环境温度：-10 °C 到35 °C仪器配置标准配置可选配置纯Ag初始化标样磨样机真空泵压片机矿石专用样品杯烘干箱USB数据线ESI-900型XRF专用全自动熔样机电源线电子秤测试薄膜矿石标准物质仪器出厂和标定报告交流净化稳压电源保修卡150目筛子

RESOChron激光原位(U-Th)/He双定年系统已有40年的发展历史，又名高通量原位双测年和微量元素表征仪器，基于具有良好技术传统的RESOlution和Alphachron&trade 的集成复合仪器RESOchron，一个集成的、原位的、计算机控制的微区分析仪器，能够对多个矿物颗粒进行快速的、自动化的U-Th-Pb-He分析。其适用于基础地球科学研究中的应用需求，如构造地质学、地形演化研究、区域盆地分析和地球化学勘查，以及石油盆地分析和矿物勘探中的工业应用， RESOChron可以获得精确定义的、无缺陷的晶体体积，具有已知的表面积，从而克服了传统的单颗粒晶体测量方法的两个不确定性。传统方法： U-Th-Pb-He双测年和三重测年传统分析方法目前涉及单晶（例如锆石，磷灰石，金红石，独居石）的多个手动处理阶段，开始于U-Th-Pb同位素的SHRIMP或LA-ICP-MS单点分析，然后利用Alphachron&trade 技术进行全颗粒样品的同位素分析。RESOchron方法： 通过光学干涉测量、X射线显微层析或扫描电子显微镜测量剥蚀坑体积，锆石（或其它矿物）晶体样品加载在抽真空的样品池中并进行自动激光剥蚀。释放的氦被输送到AlphachronTM以测定(U-Th)/He年龄，RESOchron是一个集成的、原位的、计算机控制的微区分析仪器。 RESOChron是自动化(U-Th)/He热年代学分析系统，可实现矿物剖面的氦含量分析，不需要alpha校正（能够分析测量小的矿物颗粒），通过ICP-MS 测量Pb，U和Th以得到U-Pb年龄，U-Th-Pb-He双测年和三重测年传统分析方法目前涉及单晶（例如锆石，磷灰石，金红石，独居石）的多个手动处理阶段，开始于U-Th-Pb同位素的SHRIMP或LA-ICP-MS单点分析，然后利用Alphachron&trade 技术进行全颗粒样品的同位素分析。 应用领域：1、富铁河流沉积矿床成矿期的古气候条件；2、沉积盆地勘探 — 烃源岩的热演化；3、石油和天然气勘探；4、潜在地热储层的前景预测；5、相对断层位移（勘探断层成因的矿床）；6、潜在核仓库的热流体流动史；7、钻石探矿 — 构造和地形演化历史；8、热液矿床热历史反演所需的参数；9、成矿区的造山抬升/剥蚀速率（地形演化）。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

产品描述美国Sepor MIH（13）111-5实验室高强度感应辊式磁选机/电磁分离机Model MIH(13) 111(5) High Intensity Dry Magnetic Separator 实验室高强度感应辊式磁选机/电磁分离机 说明： MIH（13）111-5型是一种顶部进料的实验室或中试设备，干高强度磁选机，设计用于分离中等或弱磁性（对磁）材料。该小型磁选机所得结果可扩展，可用于预测大型高强度磁选机的性能。在该分离器中分离的进料粒度应在1 mm（18目）到0.034 mm（400目）之间。对于体积密度为1600千克立方米（100磅立方英尺）的材料，该分离器的容量为100千克小时（220磅小时）。也可对10 gm或以上的批量样品进行处理。 磁场控制 一种特殊设计的电路，利用电流激励磁铁的磁场。该场连续变化，从0到16000高斯，有5毫米的间隙。数字安培计用于向线圈提供精确的电流和相应的磁场强度。 设计 该分离器的内置设计特点和控制非常适合于小样本的矿物学分析和研究工作，也可用于生产控制和开发。整个分离装置安装在一个环氧树脂涂层的橙色钢柜中。所需的磁场模式已通过使用铝、不锈钢、黄铜和特殊钢合金部件（如有需要）得到了仔细维护。振动给料机以恒定的进料速度将物料引入分离器。标准进料漏斗的容积为62 Ci，但可选择276 Ci进料漏斗。 操作 顶部送料感应辊式分离器将所有材料置于最陡磁梯度区域的最高磁场中，并利用磁力和重力捕获弱磁粒子。用于通过有源区域输送材料的转动感应磁辊提供相反的离心力，来分离磁性和非磁性材料。这项技术能够有效地去除非磁性产品中作为污染物的弱磁性材料。该装置能承受高达150摄氏度的进料温度。 应用 玻璃砂方解石独居石稀土硅灰石云母锆石重晶石石榴石钽铌矿长石金红石钛铁矿锡石白钨矿中的黑钨矿应用实例 –亚铬铁矿中的钛铁矿–辉石等中的独居石和其他稀土矿物–铁锰矿形成的钽铁矿，钴锌矿，钠锌辉石–磁性砂矿矿物的分离–超级合金粉末–钛铁矿-次二甲苯-金红石分馏–不锈钢粉末–石榴石的天然钻石–合成钻石的分离–磁化率差异小或大的其他材料分离器采用110-120伏、50/60周期、单相交流电供电，最大电流为7安培。分离器运行所需的直流电源来自硅整流器，硅整流器是该设备的组成部分。分离器也可用于230伏单相交流电50/60周期的运行。 转子驱动 转子由直流、柔性安装四分之一马力的TEFC电机驱动。转子转速从0到300转/分连续变化。转子有全封闭的自润滑滚珠轴承。 差距调整通过自由前端件朝向或远离分离转子的运动可以容易地调节分离间隙。 提升式分离 通过提升式作用（用于交叉带、环形和圆盘式磁选机）分离磁场中的矿物由感应辊机器进行。当矿物的磁化率差异较小时，有时首选提升式分离。在某些情况下，已经发现提升式感应辊分离器比标准的底部送料提升式磁铁能够处理更粗的材料。 应用经验 对于一般的研究工作和矿物分析，分离器已经被证明是非常有用的。许多矿物可以通过它们的磁性来鉴别。在化学分析之前，矿物样品可以分成磁性和非磁性成分。以这种方式，化学值可归因于特定的组分，磁性或非磁性。通过预先确定磁性组分的化学分析，可以更容易地对磁性或非磁性组分进行提取和加工分析。这种生产控制方法在鉴别杂质和杂质原因方面比单独进行化学分析所能得到的信息要多。高强度磁选机在流程图设计的准备中也非常有用，因为它能够处理高达100千克/小时（220磅/小时）的重量，并且所得结果可扩展到更大的生产机器。 对于矿物分离研究，可以通过试验不同的磁力强度来去除材料，从0开始并增加磁场强度。当根据其各自的磁化率分级时，磁性部分在确定矿石中各种矿物的数量方面非常有用。而且，实验室分离器可用于培训工厂规模生产分离器的操作员，因为不同操作条件下获得的结果不同。将在工厂大小的感应辊磁选机上产生类似的结果。

RESOChron激光原位(U-Th)/He双定年系统距离现在已经有40年的发展历史，在这40年中也是经历了很多的艰辛，经过不懈的努力才有了今天的市场前景，RESOchron定年系统一种独特的仪器，能够进行矿物的U-Th-Pb-He三重测年和微量元素表征。该仪器适用于基础地球科学研究中的应用需求，如构造地质学和地形演化研究，以及石油盆地分析和矿物勘探中的工业应用，双测年和三重测年传统分析方法目前涉及单晶（例如锆石，磷灰石，金红石，独居石）的多个手动处理阶段，开始于U-Th-Pb同位素的SHRIMP或LA-ICP-MS单点分析，然后利用Alphachron?技术进行全颗粒样品的同位素分析。应用领域：1、富铁河流沉积矿床成矿期的古气候条件；2、沉积盆地勘探 — 烃源岩的热演化；3、石油和天然气勘探；4、潜在地热储层的前景预测；5、相对断层位移（勘探断层成因的矿床）；6、潜在核仓库的热流体流动史；7、钻石探矿 — 构造和地形演化历史；8、热液矿床热历史反演所需的参数；9、成矿区的造山抬升/剥蚀速率（地形演化）。RESOChron激光原位(U-Th)/He双定年系统RESOlution193nm准分子激光剥蚀系统，包括Laurin Technic样品池和UHV样品池，提供单颗粒的地质年代学年龄、热年代学年龄和微量元素分析，不需要alpha校正（能够分析测量小的矿物颗粒），RESOchron是一个集成的、原位的、计算机控制的微区分析仪器，能够对多个矿物颗粒进行快速的、自动化的U-Th-Pb-He分析，造地质学和地形演化研究，以及石油盆地分析和矿物勘探中的工业应用。

RESOChron激光原位(U-Th)/He双定年系统可实现矿物剖面的氦含量分析， 另外该技术提供的时间和温度的输出数据主要应用市场包括石油和矿产勘探领域，相对于传统方法，提高了精确度和准确度，不需要进行危险和耗时的矿物溶解（HF），技术的紧凑仪器RESOchron ，可以快速且低成本地获得双测年结果，RESOchron定年系统一种独特的仪器，能够进行矿物的U-Th-Pb-He三重测年和微量元素表征。设备优势和应用范围：1、应用于富铁河流沉积矿床成矿期的古气候条件；2、应用于石油和天然气勘探；3、应用于成矿区的造山抬升/剥蚀速率（地形演化）；4、在分析过程中避免矿物或气体包裹体；5、不需要alpha校正（能够分析测量小的矿物颗粒）；6、提供单颗粒的地质年代学年龄、热年代学年龄和微量元素分析；7、可实现矿物剖面的氦含量分析；8、大量矿物颗粒的快速测年。基本参数：1、型号：ASI RESOChron；2、产地：美国；3、激光波长：193nm准分子激光器；4、背景4He水平：0.02 ncc；5、氦测量重现性：0.35％ （1σ）；6、样品数量：通常为25个样品/样品托盘。RESOChron激光原位(U-Th)/He双定年系统适用于基础地球科学研究中的应用需求，如构造地质学和地形演化研究，以及石油盆地分析和矿物勘探中的工业应用，例如锆石，磷灰石，金红石，独居石）的多个手动处理阶段，能够对多个矿物颗粒进行快速的、自动化的U-Th-Pb-He分析，允许在工业和学术研究中更快、更便宜和常规地应用双测年，通过ICP-MS 测量Pb，U和Th以得到U-Pb年龄。

形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。2）极化损耗在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。

EDX9000B Plus能量色散X荧光光谱仪-金红石分析专家ESI英飞思EDX9000B plus光谱仪主要应用于采矿作业（勘探、开采、品位控制），工业矿物，生产水泥和建筑材料的原材料，耐火材料，陶瓷和玻璃，地球化学学术研究，考古等。EDX9000B plus优异的线性动态范围，可实现在水泥、矿物、采矿、金属、玻璃和陶瓷行业进行超高精度的过程控制和质量控制。具有全新真空光路系统和超高分辨率技术的新一代Fast SDD检测器，对轻、中、重元素和常见氧化物（Na2O、MgO、Al2O₃ 、SiO₂ 、P2O5、SO₃ 、K2O、CaO、TiO₂ 、Cr2O₃ 、MnO、Fe2O₃ 、ZnO和SrO等）都可达到最佳分析效果。产品特点1.小型化、高性能、高速度、易操作，Na11-U92高灵敏度、高精度分析2.可同时分析40种元素3.采用多准直器多滤光片和扣背景专利技术4. Peltier电制冷 FAST SDD硅漂移检测器提供出色的短期重复性和长期再现性以及出色的元素峰分辨率5.超高记数数字多道电路设计，双真空抽速机构，真空度自动稳定系统6.标配基本参数法软件，多任务，多窗口操作7.专利薄膜滤光片技术，有效提高轻元素检出限仪器参数仪器外观尺寸: 565mm*385mm*415mm超大样品腔：465mm*330mm*110mm半封闭样品腔（抽真空时）：Φ150mm×高75mm 仪器重量: 48Kg元素分析范围：Na11-U92钠到铀可分析含量范围：1ppm- 99.99%探测器：AmpTek 超高分辨率电制冷Fast SDD硅漂移检测器探测器分辨率：122 eV FWHM at 5.9 keV处理器类型：全数字化DP-5分析器谱总通道数：4096道X光管：高功率50瓦光管（原装进口管芯），冷却方式：硅脂冷却光管窗口材料：铍窗准直器：多达8种选择，最小0.2mm滤光片：7种滤光片的自由选择和切换高压发生装置：原装美国高压，电压输出：0-50kV；输出电流：0-1mA高压参数：最小5kv可控调节，自带电压过载保护，输出精度：0.01%样品观察系统：500万像素高清CCD摄像头电压：220ACV 50/60HZ环境温度：-10 °C 到35 °C仪器配置标准配置可选配置纯Ag初始化标样磨样机真空泵压片机矿石专用样品杯烘干箱USB数据线ESI-900型XRF专用全自动熔样机电源线电子秤测试薄膜矿石标准物质仪器出厂和标定报告交流净化稳压电源保修卡150目筛子

A-Z系列晶体列表A-F系列G-H系列 L-N系列 P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGa2O3-?LiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2GaSbLaF3SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通；热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si( 超薄Si片)Bi2Te3GGG (Gd3Ga5O12)LGT钽酸镓镧SiC (4H,6H,3C)Bi2Se3GeMgAl2O4 SBNBi2Se2TeHg(1-x)Cd(x)TeMgF2SiO2Bi2Te2SeInPMgOSi-GeBP 黑磷InAsMoSe2TiO2(锐钛矿型,金红石型)CdSInSbMoS2TbScO3CsI (TI)KH2PO4MoTe2TGGCaCO3KTaO3MgO:LiNbO3TeO2Cu（单晶，双晶）KTa 1-X NbXO3NdCaAlO4WTe2CdSeKClNaClWS2Ce:Lu2SiO5KTN Nb:SrTiO3 （国产，进口）WSe2CdWO4HOPGNdGaO3YAGCdZnTeNaClYSZCdTeNiYAlO3CeF2YVO4CaF2ZnTeDyScO3ZnSeFe:SrTiO3ZnOFe3O4ZnSFe2O3Zero diffraction plate (Si 和SiO2) 相关产品A-Z系列陶瓷基片A-Z系列金属单金，多金，箔片A-Z系列纳米粉A-Z系列溅射靶材 A-Z系列薄膜

A-Z系列晶体列表A-F系列G-H系列 L-N系列 P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGa2O3-?LiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2GaSbLaF3SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通；热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si( 超薄Si片)Bi2Te3GGG (Gd3Ga5O12)LGT钽酸镓镧SiC (4H,6H,3C)Bi2Se3GeMgAl2O4 SBNBi2Se2TeHg(1-x)Cd(x)TeMgF2SiO2Bi2Te2SeInPMgOSi-GeBP 黑磷InAsMoSe2TiO2(锐钛矿型,金红石型)CdSInSbMoS2TbScO3CsI (TI)KH2PO4MoTe2TGGCaCO3KTaO3MgO:LiNbO3TeO2Cu（单晶，双晶）KTa 1-X NbXO3NdCaAlO4WTe2CdSeKClNaClWS2Ce:Lu2SiO5KTN Nb:SrTiO3 （国产，进口）WSe2CdWO4HOPGNdGaO3YAGCdZnTeNaClYSZCdTeNiYAlO3CeF2YVO4CaF2ZnTeDyScO3ZnSeFe:SrTiO3ZnOFe3O4ZnSFe2O3Zero diffraction plate (Si 和SiO2) 相关产品A-Z系列陶瓷基片A-Z系列金属单金，多金，箔片A-Z系列纳米粉A-Z系列溅射靶材 A-Z系列薄膜

A-Z系列纳米粉 我司提供A-Z系列纳米粉料，纯度3N-4N不等，欢迎您的垂询！名 称规 格名 称规 格ZnO3N 50nmNd2O33N5 20-30nmγ相 Al2O34N 40nmZrC40nm 97%α相Al2O34N 40nmTiN40nm 97%SiO215-20nmTiC20nm 99%SiO250-60nmAlN40nm 99.9%ZrO4N 40nmSi3N420nm 99%CuO3N 30nmBN40nm 99% 六方结构TiO2(锐钛矿）4N 10nmB4C50nm 99%TiO2(金红石）4N 20nmFe3O499.5% 20nmMgO3N 40nmα-Fe2O399.5% 30nm 氧化铁Ho2O33N 30-50nmγ-Fe2O399.5% 20nm 磁性氧化铁CeO24N 20-30nmZnFe2O499.5% 30nm 铁酸锌La2O320-30nmNiFe2O499.5% 30nm 铁酸镍Tm2O35NCoFe2O499.5% 40nm 铁酸钴Dy2O34NZnO.5NiO.5Fe2O499.5% 30nm 复合铁酸锌镍Dy2O33N5ZnO.5CoO.5Fe2O499.5% 40nm 复合铁酸锌钴Er2O34N5-8微米NiO.5CoO.5Fe2O499.5% 40nm 复合铁酸镍钴Lu2O34N5Sm2O399.5% 40nm 氧化銏Sm2O33NPr6O1199.9% 50nmSm2O35NNiO99.5% 30nmSc2O3高纯粉 4NSi3N430nmGd2O3高纯粉 4NSiC30nmAl99.99% 1～50nmC30nmZn99.99% 1～50nmIn2O399.99% 20～100nm 化学湿法Ag99.9% 50nmBaCO399.9% 50nmW99.9% 80nmCu99.99% 1～50nmTi99% 80nmFe99.9% 1～50nm

电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等形式各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的，所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式：1）漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。2）极化损耗在介质发生缓慢极化时（松弛极化、空间电荷极化等），带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。　　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。

补充：电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各种金属氧化物。有些液体和气体可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质，并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质，其相对介电常数约为80。对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。介电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响，而同一种介质的影响是相同的，介质不同，介电常数不同介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因数角Φ）的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切，是交流电被转化为热能的介电损耗（耗散的能量）的量度，一般情况下都期望耗损因子低些好。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。功能介绍1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变5.自动程制：根据试验要求，用户可方便的建立自己的试验模板（方法、，便于二次调用，可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制6.自动保存：试验结束，试验数据和曲线计算机自动保存，杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失7.测试过程：试验过程及测量、显示、分析等均由微机完成8.批量试验：对相同参数的试样，一次设定后可顺次完成一批试验9.试验软件：中文Windows用户界面，操作简便10.显示方式：数据与曲线随试验过程动态显示11.曲线遍历：试验完成后，可对曲线进行放大再分析，用鼠标查到试验曲线上各点对应的数据12.试验报告：可根据用户要求进行编辑打印13.限位保护：具有程控和机械两级限位保护14.过载保护：当负荷超过额定值3～5%时，自动停机15.报告显示：自动和人工两种模式求取各种试验结果，自动形成报表，使数据分析过程变的简单，便于用户16.添加试验方法：用户可跟据试验要求，添加试验方法

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。