金属化学刻蚀

SuperHawk2002SS金属化光纤光栅应用传感器封装特点全光型加速度探测现场不需要供电免受雷击损坏和电磁干扰描述 SuperHawk2002SS金属化光纤光栅用来取代无胶封装。镀层附着力强，可焊性好，焊接温度短期可承受300度。主要参数：产品型号SuperHawk 2002SS性能指标波长范围1528～1568nm边摸拟制比≥15dB3dB带宽≤0.25nm反射率≥90%镍管长度定制工作温度范围-40~260℃是否需要加工端面定制封装方式金属封装外形尺寸定制出纤方式双端出纤安装方式激光焊接

NMC 612G 12英寸金属刻蚀机1、可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀 Available for multiple material etching: Al, Si, OX, Mo, ITO, etc. 2、高性能静电卡盘，可用于 Si wafer 及玻璃片稳定吸附 High performance ESC for Si wafer and glass wafer 3、设备提供多种均匀性调节手段 Multiple uniformity tuning features 4、本土化服务及定制化软件配置能力 Localized services and software develop capability for customer′s demand技术参数 1、晶圆尺寸 12英寸2、适用材料 铝、硅、氧化物、钼、氧化铟锡3、适用工艺 铝线、铝垫、硅、介质刻蚀、铝 / 钼 /ITO 等金属刻蚀4、适用领域 新兴应用、集成电路

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

v 应用领域：RCA清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管前清洗等v 晶圆尺寸：100mm~300mmv 设备配置：Ø 支持化学液C.C.S.S.、L.C.S.SØ Marangoni dry 或 spin dryØ 自动换酸，自动补液、配液Ø 加热控制，浓度控制，流量控制，压力控制等Ø 槽体过温保护，各单元配置漏液传感器Ø 支持化学液回收Ø 全面支持SECS/GEM通讯协议v 工艺指标：蚀刻非均匀性 片内：≤4%；片间：≤4%；批次间： ≤4%；v 颗粒控制：增加值30颗@0.09μm（带氧化硅膜测试，来料颗粒50颗）金属离子：5E9 atoms/cm2

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

费氏粒度仪测定原理及使用说明书 一、仪器简介及应用范围AODE-305系列为第四代透过法粒度测定仪，是测定金属、非金属及其化合物粉末的比表面积和粒度的装置。可广泛应用于粉末冶金、精细化工、硅酸盐工业、食品、制药、核工业、以及表面技术的各种粉末粒度和比表面积的测定。本仪器结构简单，操作方便，仪器有快速计算板，不需要复杂计算，测定一次只需3~5分钟。本仪器运用的方法是测定金属及其化合物粉末比表面积和粒度的国家标准：GB11107-89 /GB 3249-82/GBT 11107-2018/GB3249-2009和国际标准：ISO10070-91的方法。AODE-305型带快速计算板，无须复杂计算，可直接读出粒径值，使用操作非常方便。 二、技术性能1、粒度测量范围：0.2μm(微米)─50μm(微米) 2、孔隙度范围：0.25-0.40、0.40-0.80、0.80-0.95 3、精度：3％ 4、工作环境：相对湿度不大于80％，温度：25±10℃ 5、电源：∽220±22v50-60Hz 6、功率：25w 7、重量：12kg8、外型尺寸：755*400*260 三、工作原理及结构本仪器是基于稳定空气流动下，气体透过粉末压缩床，气体的透过率受粉末的粒度、形状和床的有效孔隙度的影响。当已知粉末形状、孔隙度并测出其透过率时，就可以计算出粉末的粒度和各种比表面积。仪器由空气泵、干燥器、水柱稳压器、垂直压力计、泄气阀、试样管、粉末压缩装置、试样管夹紧装置、U型压力计、精密阀、游标卡尺和仪器计算面板等组成。仪器的气流及测压系统如(图一)。 空气由微型气泵(14)加压送入系统，泄气阀(1)和水柱稳压器(13)将过量的空气排入大气，垂直压力计(12)测量供气系统的压力。调节泄气阀开度和水柱稳压器的液面高度将供气压力稳定在500mm水柱。稳压后的少量的空气经干燥器后进入试样管，由U型压力计测得空气出试样管后、进精密阀前的压力。空气最后经精密阀排入大气。在上述系统中，对于一定量的粉末，按国标GB11107-89即可求得粒度值： 上列式中：m为粉末的质量（克）；ρe为粉末物质的物性密度或有效密度；εp定义为粉末床的孔隙度；α定义为试样的下料系数，是粉末质量与密度的比值；Δp是空气透过粉末床试样的压力降（厘米水柱）；H为U型压力计单根水柱上升高度值（厘米），U型压力计是精密等径管制成，真实的压力值应为2H厘米水柱；L为试样（粉末床）厚度，单位为（厘米）；a为仪器常数5.34，具有量纲（厘米）1.5，计算所得Dk值单位为（微米）。AODE-305型：中间的齿轮齿杆（8）的作用是压缩粉末床和测量压力计中水柱高度。四个腰圆型孔用来观察稳压系统的工作情况：左下孔观察水柱稳压器工作时的气泡冒出情况，以3-8（个/秒）的气泡冒出速率为宜。左上孔观察水柱稳压器的水位。右下孔观察垂直压力计的初始值，右上孔观察开泵后垂直压力计的水柱高度值，二者之差才是供气压力真实值。仪器正面的快速计算板上图形意义如下：横坐标表示的是试样的孔隙度值，纵坐标是公制的长度单位，可度量压力计的水柱高度和粉末床的厚度。中间互不相交的曲线簇是不同孔隙度和不同压力时的等粒度线，图形下部和等粒度线相交的粗黑线是试样（粉末床）厚度线L0，它的横坐标值是α=1时不同厚度粉末床对应的孔隙度值，计算板可左右移动。图二 四、仪器的调试与校准 仪器使用前必须进行调试和校准，两种型号基本相同，主要有三项： 1、U型压力计的校准 调节升降齿杆的旋钮，使齿杆上的指针与计算板的水平坐标基线平齐，此时U型压力计的基准水平面应与齿杆上的指针座平面平齐如（图四）所示。如不平齐，可先调节水位微调阀（图二-13）；如仍调节不到位，则须对U型压力计进行加水（当U型压力计的基准水平面低于指针座平面时）或放水的操作（当U型压力计的基准水平面高于指针座平面时）。加水操作：全部松开微调阀，将水加入加水小漏斗（图一-5），再松开流量计加水阀（图一-4，图二-11），慢慢放水入U型管，当U型管压力计的基准水平面接近指针座平面时，关闭加水阀。放水操作：松开加水阀（图二-11），用注射器吸出小漏斗内多余的水，直至U型压力计的基准水平面略低于齿杆上的指针座平面平面，关闭加水阀。最后调节微调阀，即可使U型压力计的基准水平面与齿杆上的指针座平面平齐。2、气源压力的校准与调节：供气压力应始终保持在500±0.5mm水柱。将水柱稳压器加水至规定高度，记下垂直压力计的初始刻度值（图三-15）。将空试样管接入气流系统如（图二-14）、（图三-14）并夹紧。开气泵，垂直压力计水位上升，调节泄气阀（图二-2），使压力计水柱上升500毫米，即达到（500毫米+初始值），并维持此高度至测试结束。测试过程中，如有变动，随时调节泄气阀，保持气源压力的稳定。 3、精密阀的校准：将标准管代替试样管进行测试，气流稳定后，U型压力计的读数应与标准管上标定的数值一致：若不一致，旋转调节精密阀（图二-10），使U型压力计的读数与标准管上标定的数值一致，稳定三分钟不变即可关泵停止。五、使用与操作步骤 1、仪器的准备：对于经常使用的仪器，在使用前须做前一节中1、2项，即U型压力计水平基准校准和供气压力校准两项。第3项只作定期的检查（一个星期左右一次，或视使用频度而定）。仪器调试好后，停泵侯用。2、试样的制备：在千分之一的天平上称待测干燥粉末m克，用漏斗将其灌入带有一片快速滤纸和一多孔塞的试管中，试管插入橡皮坐上，漏斗及纸上附着的粉末用毛刷扫入试管中，然后盖一片滤纸和多孔塞。称取粉末的数量时，应考虑下料系数α，以求得较高的测试精度。α取值的原则是：使测量时U型压力计的水柱高度落在满量程的1/3~2/3内，粉末越粗，α值应越大；粉末越细，α值应越小。当Dk=1~20微米范围，α可取值为1~2；当Dk=20~120微米范围，α可取值为2~5，此时滤纸应用针钻孔5~6个消除滤纸阻力；当Dk=0.5~1微米范围，α可取值为0.5~1；当Dk小于0.5微米时，α可取值为0.5~0.03。将装有被测粉末的试管一头套在压缩装置底座的圆柱上，另一头在齿杆下紧压，用游标卡尺测出粉末床的厚度L，由此算出试样的孔隙度 3、测量：将粉末试样管从齿杆下取出接入试样夹头处夹紧（图三-14），开气泵，通气3分钟，稳定后，利用游标测量出U型压力计的水柱上升量H。4、计算：将已知的α、εp、H和L值代入公式（5），即可求得Dk；粉末粘性流比表面积为：（微米）-1，或（米2/厘米3）。 停泵开泵重新读一次，测量数据，两数相对误差小于3%，就是本次测试的最终结果。若大于3%，再重新测样，在此孔隙度下或接近此孔隙度值，测出试样的Dk值，最后，三数据平均值为试样结果。 若试样Dk小于0.4微米，通常应计算β值，和δ值。 也可从β值查δ-β曲线（图六）得到δ，则Dv，Sv注意：三次测量应给粉末床加不同压力，以得到三种不同孔隙度下测得的粒度值。三值比较起伏应不超过3%。报告结果时，应指明测量时的孔隙度。Dv是纳米级粉末所须粒度。1、仪器测试：对于经常使用的仪器，在使用前须做前一节中1、2项。第3项只作定期的检查（视使用频度而定）。仪器调试好后，停泵侯用。 2、试样的制备：下料系数α取1，即m=ρe。在千分之一的天平上称待测干燥粉末m克，用漏斗将其灌入带有一片快速滤纸和一多孔塞的试管中，试管插入橡皮坐上，漏斗及纸上附着的粉末用毛刷扫入试管中，然后盖一片滤纸和多孔塞。将装有被测粉末的试管一头套在压缩装置底座的圆柱上，另一头在齿杆下紧压，移动计算板，找到试样高度线L0上与齿杆上的指针针尖等高的点并对准，该点的横坐标值即为粉末床的孔隙度εp。计算板保持不动。3、 测量：将粉末试样管从齿杆下取出接入试样夹头处夹紧打开开气泵，通气三分钟，待U型压力计读数稳定，调节齿杆，使指针座平面与U型压力计水面平齐，此时齿杆指针所指的粒度值即为Dk。4、 α≠1时的测量：当粉末粒度Dk≥20或≤1微米，改变粉末的下料系数（取α≠1）可提高测量的精度。此时，可采用与PSI-4B型相同的计算法测量。α取值的原则亦同。利用升降齿杆测出粉末床的厚度和水柱高度，代入公式（3）、（4）、（5）即可得出Dk。 粉末粘性流比表面积为：（微米）-1，或（米2/厘米3）。六、仪器的维护与保养1、仪器内使用的水必须是蒸馏水。2、经常保持仪器清洁，注意不要让粉末进入系统中。 3、经常检查橡皮管是否有老化、开裂导致的漏气。如有应及时更换。4、精密阀校准后，一般不准再动。如果不小心碰动，应重新校准。5、橡皮和玻璃管道内的水柱中不能夹带气泡。 6、仪器干燥剂的检查与更换：仪器出厂时以装好变色硅胶干燥剂在气路中，正常状态硅胶为兰色，受潮时变为粉红色。硅胶变红后，将其从管道中取出，换上干燥硅胶，管道不得泄漏溢气。原硅胶可在120℃~130℃干燥2~3小时脱去已吸附的水分后，可反复多次使用。 附注：仪器附件箱装有：美式针阀3套(已经安装到主机)，扭力计一套，试样管一只，多孔塞两只，毛刷一把，多孔塞提推杆一条，漏斗一个，橡皮坐一个，快速滤纸一盒，标准管一支，金属勺子一把，注水器一只，软管一根。

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。&bull 为实现制程再现性及安定性搭载了星型电及各种调温技能。&bull 拥有简便的维护构造，缩短了downtime，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。&bull 门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。产品应用 / Product application&bull 化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。&bull 金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电加工工艺&bull 强电介质材料或贵金属刻蚀。&bull 磁性体材料加工。产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

NMC 508系列 ICP刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率 Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity 2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS Multiple applications, including Si Power, SiC Power, GaN Power, MEMS 3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、GaN 刻蚀、低损伤 GaN 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀 Variety process, including Poly Etching, GaN Etching, GaN low damage Etching, Metal Etching, Deep silicon Etching 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D, pilot line and mass production 5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC Outstanding mass production stability, longer MTBC技术参数 1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺4、适用领域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研

NMC 508系列 ICP刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率 Unique plasma source design and vertical pump chamber design, fast etch rate and excellent etch uniformity 2、应用领域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS Multiple applications, including Si Power， SiC Power， GaN Power， MEMS 3、工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀Variety process, including Poly Etch、 GaN low damage Etch、Metal Etch、Deep silicon Etch 4、灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用 Flexible system configuration suitable for different applications such as R&D， pilot line and mass production 5、突出的量产稳定性，更高的 MTBC Outstanding mass production stability, longer MTBC技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅 \ 氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等3、适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺4、适用领域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用

GSE C200 多功能刻蚀机1、独特的等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性 Unequal plasma Source Design ensures good Uniformity 2、 适用于滤波、光电、功率等多个应用领域的多种材料刻蚀与失效分析 Applicable for multiple materials etch in the fields of filtering, optoelectronics, Power and failure analysis 3、 刻蚀材料种类覆盖硅、氮化硅、氧化硅、锑化镓、聚酰亚胺、铌、金属、有机物等 Etched materials include Si, SiN, SiO2, GaSb, PI, Nb, Metal, Polymer, etc. 4、提供研发所需的丰富的工艺数据库支持 Provide comprehensive technical database support for R&D技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 8 英寸及以下2、适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、金属、有机物等3、适用工艺 多种材料刻蚀工艺4、适用领域 科研

ELEDE 380系列 芯片刻蚀机1、先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽 Wider RF work window, to achieve the etching process diversity and a variety of material etching 2、多片式托盘，实现高产能，同时确保优异的刻蚀均匀性 tray structure with multi-wafers，high capacity and excel lent etch uniformity 3、全路径全真空，全自动晶圆传输，颗粒控制优 High chamber vacuum, automatic wafer transfer, ad vanced particle control 4、独特工艺套件设计，更长的耗材寿命，更低的 Coo CoOUnique process assemblies design, longer consumable life, lower CoO技术参数 1、晶圆尺寸 4、6 英寸及特殊尺寸2、适用材料 蓝宝石、氮化镓、氧化硅 / 氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氮化硅、钛钨、有机物3、适用工艺 PSS 刻蚀、电极刻蚀、深槽隔离刻蚀、介质反射层（DBR）刻蚀、红黄光刻蚀、钝化层刻蚀、金属阻挡层刻蚀4、适用领域 化合物半导体

桌面式X射线衍射仪在X射线光束通过索拉狭缝、发散狭缝照射在样品上，样品台位于测角仪中心，基于反射几何θs-θd，X射线光束在满足布拉格定律时，在特定的方向上发生衍射现象，经过防散射狭缝、索拉狭缝、接收狭缝到达X射线探测器上，最终经过数据处理系统在分析软件上展现出采集的衍射图谱。FRINGE EV是公司自主研发的一款桌面式X射线衍射仪器，其融合XRD和计算机软件等多项技术，可快速对粉末、块状或薄膜等形态的样品进行主要物相定性、定量分析、晶体结构分析、材料结构分析及结晶度测定，具有精度高、准确度高、稳定性好、应用范围广、操作简便和智能化等特点，为材料研究、大学及研究院所、建筑材料、金属、矿物、塑料制品、医药品和半导体等众多领域提供高精度的分析。使用优势空气弹簧大橱窗升降门空气弹簧大橱窗升降门，节约桌面空间，适合每一台办公桌，有效提高空间利用率。桌面式千瓦级功率FRINGE EV拥有强悍的KW级功率，让他成为桌面式XRD领域无与伦比的收割机。适合所有人的XRDCrystalX在获得衍射数据后，自动进行物相分析，并给出物相各组分百分比，大大降低了使用人员的要求，仅仅需要点击“开始测试”，其它交给CrystalX软件 吧。安全性具有在测试过程中自动切断保护装置、安全联动锁装置，样品舱关闭后属于全封闭性能，操作界面有样品舱关闭提示功能。集成式索拉狭缝集成式索拉狭缝，无任何运动可调部件，增加测角系统的可靠性，从而使得界FRINGE桌面式XRD可安装于车载实验室平台。DPPC探测器DPPC探测器（数字脉冲处理计数探测器），计数吞吐量≥1×10^7CPS，无需使用二级单色仪，DPPC探测器在提供衍射数据的同时提供能量色散光谱数据。规格参数测角仪θ/θ立式测角仪、衍射圆半径 150mm2θ角度范围-3° - +150°2θ角度精度全谱范围内＜±0.02°偏差分辨率0.04°2θ 半峰宽FWHM索拉狭缝集成式索拉狭缝，无任何运动可调部件，增加测角系统的可靠性平台X光管金属陶瓷 X 射线管，焦点：1 x 10 mm，默认配置Cu靶，可选配 Co、Cr、Mo靶高压发生器功率标配1200W，最大支持1600W仪器尺寸580 x 450x 680mm（L×W×H）重量120KG电源220V±10V，50Hz，整机功率 最大值2000W散热方式FRINGE EV使用外置水循环冷却系统，强力冷却澎湃动力探测器DPPC探测器（数字脉冲处理计数探测器）接口紧凑的家用墙插插头提供电源，USB接口连接PC用于控制XRD气源提供2路气源接口，可用于原位分析或气氛保护安全性FRINGE EV具有空气弹簧大橱窗升降门，可无死角观察原位分析过程，并可有效屏蔽X射线，具有在测试过程中自动切断的保护、安全联动锁装置，样品舱关闭后属于全封闭性能，操作界面有样品舱关闭提示功能云端服务功能配套使用可同步的移动端APP服务，用于支持衍射数据卡片化管理，并支持接入知识管理系统CrystalX软件CrystalX在获得衍射数据后，自动进行物相分析，并给出物相各组分百分比，大大降低了使用人员的要求，无需手动检索，无需扣背景，无需平滑，无需手动寻峰，仅仅需要点击“开始测试”，其它交给CrystalX 软件 吧

金属纳米颗粒制备 金纳米材料具有众多易于调控的特性，比如局域表面等离子共振、表面增强拉曼、光致发光、易于表面修饰和生物相容性好。这使得金纳米材料广泛应用于我们生活的多个方面。合成金纳米颗粒常用的制备方法有很多，其中，直接FSP火焰喷雾燃烧法生长法应用广泛。金属纳米颗粒制备采用火焰喷雾热解工艺，受益于极短的工艺链使复杂纳米颗粒的生产只需一步。纳米粉末生产FSP通常生产高结晶氧化纳米颗粒。但合成了磷酸盐、纯金属。根据工艺条件。颗粒的典型尺寸范围 5 ~ 50nm。这些初级粒子形成较大的团聚体。 纳米产品的例子包括简单的金属氧化物TiO2Al2O3 ZrO2以及YSZ CGO 钙 矿或尖晶石复杂氧化物。此外：贵金属纳米颗粒可以制造沉积在火焰中的氧化物支持颗粒上于某些组合物。可以制备表面包覆或基质化的纳米颗粒。 FSP纳米颗粒的应用包括:催化剂电池材料陶瓷牙科 生物医学材料体传感器聚合物纳米复合材料陶瓷.... 原材料FSP的源材料是低成本的金属化合物酸盐、硝酸盐或有机金属。这些所谓的前体是混合或溶解在标准有机溶剂。同心甲氧支持火焰、燃前驱溶剂喷雾，并确保稳定燃烧还可以使用可选的护套体。 NPS-20是一种用于纳米颗粒合成的全集成化桌面式火焰喷雾热解装置。应用于研究早期产品开发阶段。NPS-20设计用于快速筛选FSP合成中可用的材料组成 工艺条件的大量参数加速纳米材料的科学发展。纳米颗粒制备仪主要特点：1产品纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活性，松装密度低，气相法制备，克服了市场上湿化学法制备的颗粒硬团聚、难分散、纯度低等缺点；2表面存在大量的不饱和残键及不同键合状态的羟基，因表面欠氧而偏离了稳定的硅氧结构，所以具有高反应活性，粉体松装密度比较小，容易分散使用；3纳米颗粒晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，可应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧，特别是提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高分子材料产品的耐磨性能尤为。由于颗粒也是性能优异的远红外发射材料，作为远红外发射和保温材料被应用于化纤产品和高压钠灯中。4公司可以进行针对性的表面处理包裹，使得纳米粉体可以稳定地分散在溶剂体系中，形成透明状或半透明状溶胶，应用在涂料、玻璃表面、电子封装等

产品详情 德国Sentech离子刻蚀与沉积机 200 RIE Cost-effectivenessRIE plasma etcher Etchlab 200 combines parallel plate plasma source design with direct load.成本效益：RIE等离子体蚀刻机Etchlab 200将平行板等离子体源设计与直接负载相结合。 可升级性：根据其模块化设计，Etchlab 200可以升级为更大的抽油机、真空负载锁和额外的气体管道。 SENTECH控制软件：用户友好功能强大的软件包括模拟GUI，参数窗口，食谱编辑器，数据日志，用户管理。Etchlab 200 RIE 等离子体蚀刻机是一种将RIE平行板电极设计的优点与直接负载的低成本设计相结合的直接负载等离子体蚀刻机系列。Etchlab 200具有简单快速的样品加载功能，从零件到200a€‰mm或300a€‰mm直径的晶圆片直接加载到电极或载体上。Etchlab 200的设计特点是灵活性、模块化和占用空间小。大型诊断窗口位于顶部电极和反应器可以很容易地容纳森泰克激光干涉仪或OES和RGA系统。椭圆度计端口可用于使用森泰克原位椭圆度计进行过程监测。 Etchlab 200可配置用于处理与晶圆片直接加载兼容的材料，包括但不限于硅和硅化合物、复合半导体、介质和金属。 Etchlab 200由先进的森泰克控制软件操作，使用远程现场总线技术和非常友好的通用用户界面。 Etchlab 200RIE plasma etcherOpen lidFor up to 200?mm wafersDiagnostic windows for laserinterferometer and OESEllipsometer ports optionally availableRIE等离子体刻蚀机打开盖子适用于200毫米晶圆激光干涉仪和OES诊断窗口椭圆偏振计端口可选Etchlab 200 with loadlock带有loadlock的Etchlab 200RIE etcher with loadlockFor 4?inch up to 8?inch wafersCarriers for pieces and smaller wafersChlorine etching chemistryLarger pumping unit带有loadlock的RIE蚀刻器适用于4英寸到8英寸的晶圆片片材和较小晶圆片的载体氯腐蚀化学更大的抽油机 Etchlab 200 ～ 300 RIE plasma etcherOpen lidFor up to 300?mm wafersDiagnostic windows for laser interferometer and OESRIE等离子体刻蚀机打开盖子可用于300毫米晶圆激光干涉仪和光学系统诊断窗口

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX对应LED量产用的干法刻蚀设备｢ NE-950EX｣ 相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科自有的星型电的干法刻蚀设备。产品特性 / Product characteristics&bull 4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。&bull 搭载了在化合物半导体域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。&bull 高生产性（比以提高140%）。※1 爱发科利第3188353号&bull 为防止RF投入窗的污染搭载了爱发科星型电。※2 爱发科利第3429391号&bull 贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。&bull 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。&bull 丰富的可选机能。产品应用 / Product application&bull 对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

纳米颗粒制备仪 桌面式喷雾燃烧合成纳米颗粒材料火焰喷雾热解(FSP)是一种多功能经济高效的纳米颗粒生产工艺。它依赖于含金属或过渡金属化合物的液体原料在高达3000度的温度燃烧。产品纳米颗粒在几毫秒内形成在过滤器上以干粉的形式收集。 火焰喷雾热解工艺受益于极短的工艺链使复杂纳米颗粒的生产只需一步。纳米粉末生产FSP通常生产高结晶氧化纳米颗粒。但合成了磷酸盐、纯金属。根据工艺条件。颗粒的典型尺寸范围 5 ~ 50nm。这些初级粒子形成较大的团聚体。 纳米产品的例子包括简单的金属氧化物TiO2Al2O3 ZrO2以及YSZ CGO 钙 矿或尖晶石复杂氧化物。此外：贵金属纳米颗粒可以制造沉积在火焰中的氧化物支持颗粒上于某些组合物。可以制备表面包覆或基质化的纳米颗粒。 FSP纳米颗粒的应用包括:催化剂电池材料陶瓷牙科 生物医学材料体传感器聚合物纳米复合材料陶瓷.... 原材料FSP的源材料是低成本的金属化合物酸盐、硝酸盐或有机金属。这些所谓的前体是混合或溶解在标准有机溶剂。同心甲氧支持火焰、燃前驱溶剂喷雾，并确保稳定燃烧还可以使用可选的护套体。 NPS-20是一种用于纳米颗粒合成的全集成化桌面式火焰喷雾热解装置。应用于研究早期产品开发阶段。NPS-20设计用于快速筛选FSP合成中可用的材料组成 工艺条件的大量参数加速纳米材料的科学发展。主要特点：实验室规格火焰喷雾反应器低脉动注射可精确输送液体前体用于输送工艺前体的质量流量控制器:火焰检测器集成微处理器、电子板。用于过程控制，通信通过rs232玻璃纤维过滤器：干式旋式真空。用于产品粉末的收集压力及温度计以监察过滤器的状态。

美国Nisene 化学/激光开封、湿法去层 Nisene是一家专注从事失效分析开封设备的美国公司，有着30多年自动开封研发制造历史。作为自动塑封开封技术的世界领导者, 可以提供全面的产品,方法和技术支持来满足所有半导体器件的开封要求.Nisene公司承诺提供创新的, 高质量的产品来满足半导体器件失效性分析领域内不断变化的需求.针对OmniEtch其独特的，专利的湿化学刻蚀技术，利用特殊的媒质材料将腐蚀液包含其中，对芯片的各个层面（主要是金属层）进行腐蚀而不相互影响，对集成电路IC（无论是个人芯片或者晶圆级），它能够很快、很精确地刻蚀芯片&mdash &mdash 一个高标准的选择。其优点表现在：1、用户可选的蚀刻化学媒介,湿刻蚀能去除金属层和多晶硅列；2、用户可选的蚀刻时间和蚀刻温度；3、可设定泵的转速（150-600 RPM）来控制蚀刻的效果；4、专有36-6载体媒介通过芯片内部通道去除下一层，蚀刻再循环使用，节省蚀刻化学剂；5、蚀刻目的非常明确到具体层，蚀刻效果非常平坦，没有斜角或圆角 ；6、没有热量或机械摩擦损坏样品，能通过石英窗口观测蚀刻过程和状况；7、设备小巧，只需很小的空间摆放,操作简单，便于清洁和维护；8、微电脑配备彩色触摸屏用户界面 ，方便设定和操作；

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

产品概要：RKD的Elite Etch Cu是一台可为铜线开封的化学开封机，通过集成了先进的特点来实现更高的产能。这台开封机可以通过将精密分配微等分的硝酸、硫酸或混酸到样品器件上，可开封直径为0.8mil铜线的塑封料。基本信息：每一次微等分的酸被输送到刻蚀腔内，由于泵产生的足够大的压力将会创造出非常大的湍流，可以极大的提高封装材料的去除效率。对酸温度的精密控制，并结合更高的分配效率使得对于铜线器件的开封不会产生引线或金属化损伤。特殊设计的酸热交换器能够在高达8ml每分钟的流量内精的确将酸温度控制在10℃到250℃范围内。即使是在低温度时，高的酸脉冲率也能获得合理的刻蚀时间。技术优势：Elite Etch Cu配置了一个酸控制器刻蚀头，它是由优质碳化硅材料制造的，具有很强的耐酸性。刻蚀头设计用于降低在开封工艺结束时残留在刻蚀头上残留酸的烟化现象,对于操作员更加安全，并且对酸的清洁也更方便。器件压制组件(压杆芯头)是气动激活的推杆，压杆芯头正常状态时缩回，当安全罩完全关闭时伸出，当刻蚀罩盖下以后，压头自动从上到下直线移动，沿垂直方向直接将固定样品或治具安全地固定刻蚀头上，可以完全消除被刻蚀器件和治具的移动。 Elite Etch Cu 在瓶子容器和开封器之间的所有流体接口都采用双重密封。瓶子容器组件和刻蚀机内部都配置了流体传感器，如果出现任何酸瓶或内部装置的酸泄漏，都会立即向操作员发出漏酸警 报。瓶子容器采用了通用的旋转互联，使得酸瓶更换非常简单，尽量避免接触残酸。 Elite Etch Cu开封机采用自动高低压气体转换系统和安全盖内部安全气压补充，确保操作员安全，并且更加节省N2气消耗。设备采用光 纤感应传感器检测开封时刻蚀罩盖上后的密合度。废酸收集采用了独特的冷却热交换系统，可将废酸冷却至90℃及以下，用于将废酸收集在一个废酸瓶内，而无需两个废酸瓶以及硝酸硫酸转换阀。单独的手持式键盘控制，可以在通风厨外面 进行控制避免酸对控制面板和电路的腐蚀。 应用方向：这台开封机可以通过将精密分配微等分的硝酸、硫酸或混酸到样品器件上，可开封直径为0.8mil铜线的塑封料。

全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100, 蚀刻速率 10(nm/min), 均匀性 ≤±5%, 全自动化系统减少人工操作, 保证产品高稳定性和高质量. 有效减少因人工操作带来的损失！全自动离子刻蚀机 MEL 3100 特性 全自动化系统 清洁: 钛用于经常暴露于离子束的零件, 以产生低粒子. 晶圆输送盒采用高效空气过滤器.占地面积小, 方便维护10.4英寸触摸屏 配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术规格.型号MEL 3100样品数量尺寸3”φ-6”φ,1片晶圆输送盒1个, 25 片晶圆极限真空8x10-5 Pa均匀性≤±5%蚀刻速率10(nm/min) @SiO2Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士

一、产品简介CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：(1) 介电材料（SiO2、SiNx等）(2) 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）(3) III-V材料（GaAs、InP、GaN等）(4) 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等(5) 类金刚石（DLC）二、产品特点1. 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。2. PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。4. 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。5. 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。6. HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。8. 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。9. 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。10. 有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。11. 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。三、技术参数型号RIE200RIE200plus舱体内尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm舱体容积2L2L射频电源40KHz13.56MHz电极不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm匹配器自动匹配自动匹配刻蚀方式RIERIE射频功率10-300W可调（可选10-1000W）10-300W可调（可选10-600W）气体控制质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）最大处理尺寸≤Φ200mm时间设定1-99分59秒真空泵抽速约8m3/h气体稳定时间1分钟极限真空≤1Pa电 源AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

产品简介：PERI-RIE是韩国ULtech公司生产的一款基于反应离子刻蚀（RIE）技术的干法刻蚀系统。RIE是一项应用于精密加工的刻蚀技术，相比湿法刻蚀具有不同的优势。 主要参数：应用金属及介电材料刻蚀刻蚀材料SiO2, Si3N4, Si, Al, GaN, HfO2, Al2O3,石墨烯,…基底尺寸最大12英寸产能1 wafer/次源注入类型双离子束供电射频功率最大值2Kw@13.56MHz(带射频匹配网络)极限压力 5.0E-3 Torr压力控制自动压力控制(节流阀，气压计)气体输送SF6, CHF3, CF4, C4F8, BCl3,Cl2O2, Ar, He,…真空泵干泵或旋转泵控制器PC控制(UPRO软件)选项TMP,前置样品传送腔体（Loadlock chamber）系统尺寸(宽*深*高)800mm × 880mm × 1200mm 应用案例：Si3N4,Si,SiO2 etching Process data(RIE)

v 离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果v 应用方向：Ø 磁阻式随机存取存储器（MRAM）Ø 介电薄膜Ø III-V族光电子材料刻蚀Ø 自旋电子学Ø 金属电极和轨道Ø 超导体Ø 激光端面镀膜Ø 高反射（HR）膜Ø 防反射（AR）膜Ø 环形激光陀螺反射镜Ø X射线光学系统Ø 红外（IR）传感器Ø II-VI族材料 通信滤波器

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC SENTECH高级等离子设备操作软件特性: 全自动/手动过程控制 Recipe控制刻蚀过程 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 多用户权限设置 数据资料记录 LAN网络接口 Windows NT 操作软件选项: 增加气路 PE电极 外部反应腔加热 下电极温度控制(+20oC ... +80oC) 循环冷却器(5oC ... 40oC) CS化学尾气净化 Cassette到cassette操作方式 穿墙式安装 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 在线椭偏测量(SE 401, SE 801)

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800 量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。 产品特性 / Product characteristics 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。拥有简便的维护构造，实现downtime最短化，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。 产品应用 / Product application化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电极加工工艺强电介质材料或贵金属刻蚀。磁性体材料加工。

Gamry 电化学-Raman是Gamry三大电化学光谱测试系统之一。每个系统都都采用Gamry 电化学工作站, 微型CCD分光仪、USB 3.0通信以及温度补偿组成。电化学工作站和Raman系统实现真正同步,实现电化学和Raman对电极表面发生反应的同步跟踪.该电化学Raman系统有两个波长光源可选，分别是532nm和785nm。应用范围 生物电化学 氧化还原聚合物化学 过渡金属化学 多价态复合物 有机金属复合物 薄层电化学 腐蚀 能源材料 标准特性 实现光谱和电化学信号同时采集和综合分析 分析软件轻松绘制给定波长下吸收强度对电位作图 无缝集成PHE200物理电化学技术 开放源码脚本运行光谱，轻松集成其他电化学测试技术 基于光纤的光谱仪 超低温漂移温度补偿 主要参数 拉曼分光仪有两个波长的激光可以选择，分别是532nm和785nm 总覆盖范围175-80000px-1，中心分辨为912nm波长下112.5px-1 可置于溶液中的拉曼探针材质为特殊不锈钢，直径9.6mm 焦距5.0mm 电解池材质为暗色石英玻璃 激光束斑大小为85-90mm

一 应用领域 适用于材料科学、光学、光电子学、生命科学、电子学、生物医学、半导体、高分子科学、微观流体学等领域.二 主要实验应用 1.表面清洁 2.表面活化 3.键合 4.去胶 5.金属还原 6.简单刻蚀 7.去除表面有机物 8.疏水实验 9.沉积实验 10.形成新的基团 11.镀膜前处理等三 技术特点 ※1.实时检测和显示真空度,使得设备在智能控制下有了可靠的依据.※2.真空值可自由设定,(范围:10—60帕)为外加气体提供了可靠的辉光启动环境,为辉光纯度提供了有利的保障,保证了实验效果的准确性和可靠性.3.真空腔体采用铰链侧开门结构，带有观察窗，材料为6061材质.4.腔体、管路、阀体全部为不锈钢材料.※5.电容式（CCP）激发,实验效果稳定,均匀可靠,电极板置于样品仓内顶部悬挂.6.采用触摸屏显示控制，手动，自动两种模式任意切换.7.程序化设计，预先编辑好程序，仪器自动完成实验.8.利用气体电离后产生的等离子体的反应活性与材料表面发生的物理或者化学反应，使材料表面成分、组成和结构发生变化，并能得到某些特定的基团。9.无需耗材,使用成本低,无需特殊进行维护,在日常使用中保持仪器清洁即可。四 技术规格 1.样品腔体尺寸：255(深度)X110（直径）mm ，不锈钢材质.2.放置样品托盘尺寸:105(宽)X230（长）mm，材质：6061铝氧化本色※3.射频频率：40KHz .※4.射频功率:200W，0到200W可调，精度：1瓦.※5.最低辉光放电功率：10W.6.辉光放电时间设定：1秒到99分59秒.7.气路设置:3气路（2路进气，一路放空）.※8.工作气体稳定时间:可调，可设定，范围：0--180秒.※9.进气控制：两路浮子流量计控制10.工作气体:空气\氮气\氩气\氮氢混合气\氩氦混合气等均可 也可接入无腐蚀性、无毒的工作液体溶液，例如:六甲基二硅氧烷(HMDSO)，接入工作液体需要选配接枝仪来配套使用。11.进气压力：通入空气时常压，接入钢瓶时，钢瓶进气压力调整到0.1-0.2Mpa12.供电电源：~220V／50Hz13.外形尺寸（宽*深*高）mm:440ⅹ490ⅹ48514.整机重量（约）：20Kg五 真空泵 标准配置为机械油泵：1）抽速:2升/秒 2）极限压强：6*10-2帕 3）噪音 ≤66db 4）抽气KF16法兰接口，排气口KF25接口 5）电源线为阴插线六 基本配置 主机+真空系统（双极机械真空油泵、油雾过滤器、真空管、KF16法兰）、外加气体软管、样品托盘、说明书、电源线、合格证七选配件（一）机械油泵 型号：VRD-8 1.抽速:2.2升/秒 2.极限压强：≤5*10-2帕 3.噪音 ≤56db 4.工作环境温度：5—45（二）干泵（1） 型号：GWSP150 1.抽速:2升/秒 2.极限压强：≤6帕 3.噪音 ≤57db 4.工作环境温度：5--45℃ 干泵（2）型号： SPH10 1.抽速:2.8升/秒 2.极限压强：≤2帕 3.噪音 ≤55db 4.工作环境温度：5--45℃

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述： NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。 NANO-MASTER技术已经展示了可以把基片文库保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。 不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC 直流离子源1cm-16cm 6”基片的刻蚀均匀度±1.2% 能够控制基片温度在50°C以内 26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百级超净间 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动 LabVIEW友好用户界面 EMO和安全互锁NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品选配：光谱终点监测系统背氦冷却21”立方的电抛光不锈钢腔体自动上下片1200L/Sec涡轮分子泵冷泵配置增加MFC用于反应气体实现RIBE栅格式RFICP离子源中空阴极或灯丝中和器溅射源用于钝化层沉积NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品应用：III-V族光学元件激光光栅高深宽比的光子晶体刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀