堇青石

D-50稀释配液器1. 产品描述稀释配液器基于清时捷精密蠕动定量技术，内置程序可实现样品的批量移液、定容和稀释操作。2. 应用场景适用于实验室日常标准系列的配制及定量移液等操作。3. 功能特点1. 采用精密定容技术，定容准确度极高2. 一键实现清洗、润洗、稀释、定容功能，减少人为操作误差3. 无需手工移液、定容，减少化学试剂的接触风险，保障人身安全4. 技术参数读数分度0.01mL定容体积支持0.1mL到3000mL大范围的精密体积定容精密度≤0.1%准确度±0.5%可设置浓度点个数12个尺寸（长*宽*高）259mm*130mm*69mm重量1.8kg工作环境温度15-35℃，相对湿度35%-85%（不冷凝）

T-AM 便携式多参数水质分析仪1. 产品介绍T-AM 便携式多参数水质分析仪，涵盖水产养殖常规检测项目，严格采用国标测试方法，结合性能稳定的光电比色技术，配合清时捷标准化成品试剂，能满足淡水及海水养殖的检测需求。2. 应用领域满足江河湖泊的养殖检测。3.功能特点1. 水产养殖常规项目高度集成，方便快捷掌握水质状况2. 检测项目完全依据国家标准方法而设计3. 配合精确定量配比的成品试剂盒，保障测试结果的准确可靠4. 无需其他辅助实验器皿，仪器及试剂集中于一台便携式检测箱中5. 检测简单，无需专业化验知识也能快速准确完成测试4. 技术参数测试项目氨、溶解氧、亚硝酸盐、硫化物、pH、盐度精度±3%±0.01尺寸265mm x 121mm x 75mm显示屏3.5寸TFT宽屏彩屏显示，支持中英文菜单操作环境0-50℃；0-90%相对湿度（不冷凝）电源4节AA碱性电池并支持USB电源供电

T-AM 便携式多参数水质分析仪1. 产品介绍T-AM 便携式多参数水质分析仪，涵盖水产养殖常规检测项目，严格采用国标测试方法，结合性能稳定的光电比色技术，配合清时捷标准化成品试剂，能满足淡水及海水养殖的检测需求。2. 应用领域满足海水的养殖检测。3.功能特点1. 水产养殖常规项目高度集成，方便快捷掌握水质状况2. 检测项目完全依据国家标准方法而设计3. 配合精确定量配比的成品试剂盒，保障测试结果的准确可靠4. 无需其他辅助实验器皿，仪器及试剂集中于一台便携式检测箱中5. 检测简单，无需专业化验知识也能快速准确完成测试4. 技术参数测试项目氨、溶解氧、亚硝酸盐、硫化物、pH、盐度精度±3%±0.01尺寸265mm x 121mm x 75mm显示屏3.5寸TFT宽屏彩屏显示，支持中英文菜单操作环境0-50℃；0-90%相对湿度（不冷凝）供电方式4节AA碱性电池并支持USB电源供电

Q-DO 便携式水质分析仪1. 产品介绍 Q-DO 便携式水质分析仪内置清时捷基于标准方法开发的“碘量光度法”，优化原有的检测过程，仪器操作简单快捷，检测结果准确可靠。2. 应用领域适用于饮用水、地表水及地下水等领域溶解氧现场或实验室检测。3. 功能特点1. 采用基于国标法改进的碘量光度法，测试结果准确可靠。2. 仪器只需调零—加试剂—检测，只需5分钟，即可完成溶解氧的检测，相比碘量滴定法，对人员专业技能要求低。3. 配套高精密移液器，无需借助其他器皿，使检测操作更简单！4. 技术参数测试方法碘量光度法测试范围0.0-15.0mg/L分辨率0.1mg/L精度±3%±0.01尺寸160mm x 62mm x 30mm重量0.15kg操作环境0-50℃；0-90%相对湿度（不冷凝）供电方式2节AA碱性电池

T-CL501C 便携式多参数水质分析仪产品描述 清时捷研发的T-CL501C 便携式多参数水质分析仪以简单化、快捷化、准确等特点为客户带来全新的体验，适用于成品次氯酸钠溶液和次氯酸钠发生器产生的次氯酸钠溶液中有效氯的含量检测。应用领域 适用于次氯酸钠有效氯的现场测定或实验室标准检测。功能特点1. 仪器只需调零—加试剂—检测三步骤，1min即可完成有效氯的检测。2.仪器内置严格校准的标准曲线，可确保检测结果准确可靠。3. 仪器采用高性能元器件，结合高精密比色瓶，可轻松完成现场检测，无需特殊维护。技术参数测试方法碘量光度法（GB/T5750.11-2023标准检验方法改进法）测试范围低量程：5-500mg/L、中量程：500-10000mg/L、高量程：1.00%～15.00%分辨率0.001A（显示），0.0001A（计算）精度200mg/L有效氯≤10mg/L，7000mg/L有效氯≤200mg/L，5%有效氯≤0.25%尺寸265mm x 121mm x 75mm显示屏幕3.5寸TFT宽屏彩屏显示，支持中英文菜单操作环境0-50℃；0-90%相对湿度（不冷凝）供电方式4节AA碱性电池并支持USB电源供电

T-ET60 便携式多参数水质分析仪 1. 产品介绍 适用于由地震、洪水、台风等自然灾害或其他事件引起的突发水环境污染的水质应急检测工作，便于开展分散式供水、集中式供水、水源水、末梢水及其他应急供水的水质项目现场检测。 2. 订货号 1. T-ET60（标准） 2. T-ET60（扩展）3. 功能特点1. 遵循国标方法，产品检测项目蕴含浊度、游离氯、二氧化氯、pH、色度、氨、高锰酸盐指数等应急检测项目。 2. 根据应急场景，优化检测箱配置，实现常用、储备项目的分体式设计，便于户外携带和检测。 3. 预制试剂、防漏液回收瓶等采用应急专用设计，避免因检测导致的二次污染。 4. 核心仪器采用独特散透射一体化光学结构设计，一机可实现消毒剂余量、浊度、氨等常规项目检测，便于开展应急检测。 5. 仪器内置标准曲线，采用稳定光学系统，检测结果准确可靠。 4. 技术参数水质分析仪光源LED冷光源，多波长自动切换操作模式吸光度、浓度吸光度测量线性≤3%分辨率0.001A数据储存1000组尺寸（长*宽*高）265mm*121mm*75mm重量约535g（不含电池）电源4节AA碱性干电池；USB供电操作环境室温-50℃；0-90%相对湿度（无冷凝）滴定分析仪分辨率0.01mL重复性≤0.1%滴速档位快速、中速、慢速数据储存2000组尺寸（长*宽*高）220mm x 160mm x 130mm重量1.50kg操作环境0-50℃；0-90%相对湿度（不冷凝）电源AC100-240V，50/60Hz便携式恒温培养箱控温范围室温-50℃控温精度±0.5℃适用培养皿尺寸≤9cm工作室尺寸（长*宽*高）110mm x 110 mm x 150mm外壳尺寸（长*宽*高）150mm x 160 mm x 220mm重量2kg 时代在发展，科技在进步。随着现在对检测要求越来越高，清时捷坚持让检验蕴含思想，为客户创造价值的理念，坚持原创，为客户提供更优质便捷的产品。

热熔胶和高温液体的粘度测量的难度主要体现在高温控制要求比较高的精确度，这样才能确保得到的数据是有意义，样品之间的测试结果是一致的。Brookfieldde加热器可以解决这个问题，为客户提供稳定的、准确的样品温度测量环境。加上其配合使用的Brookfield粘度计本身具有的高精确性，这样测量得到的结果不仅准确，而且重现性十分好。 以下几个因素对测量环境的稳定有贡献： 温度控制波动性很小样品用量小，以及样品室是隔热的，减少了样品热量的损失转动的转子，起到了搅拌桨的作用 ThermoselTM加热器特点和优点 可控制样品的温度到高达+300° C 可编程控制器：可以设置单个温度点到10个温度设置点，设置点之间的温度梯度可以用Rheocalc软件(DV-III+)来设置注意：此时要用可选电缆HT-106可与Brookfield标准粘度计和DV-III+流变仪一起使用标准配置提供可以重复使用的不锈钢盛样器和5个一次性铝制的盛样器 应用领域热熔胶沥青石蜡高聚物

一、 产品概述本装置是一款可在微正压下进行多种气体组分浓度模拟的催化反应及吸附脱附反应平台。主要是一款针对催化燃烧催化剂活性评价的实验室装置。采用开放式框架结构及模块化流量温度控制采集系统，为实验拓展及方案变更提供更多可能；本装置可将液态VOC有机溶液通过汽化器转化成稳定可调的VOC气体，其他多组分标气通过气体质量流量计控制，通过质量流量计调节气体流量，通过与VOC气体混合后进入反应器，对催化剂性能进行模拟评价。本装置采用进口/国内一线品牌配件，温度、流量、压力等实验参数完全可以精准可调可控。 二、产品参数l 气体路数：2～10路；l 气体控制：MFC控制，精度1% F.S；l 常见VOC物质：甲醛、乙酸乙酯、丙酮、甲苯、乙苯等苯系列物l VOC浓度控制：恒流泵精确进液，汽化器稳定汽化而成，精度1%；l 反应温度：室温～1200℃l 温度控制：三段式电炉，30段程序升温，控温精度±1℃；l 反应压力：≤3barl 反应空速：10000 h-1～50000 h-1l 催化剂：粉末/颗粒物/堇青石涂覆载体l 反应管：石英/310S不锈钢l 系统控制：数显仪表/触摸屏/计算机。l 使用环境：使用环境：室温&＜80%RH 三、产品优点l 气体流量采用高精度MFC控制，精度高，烟配比准确； l VOC浓度发生精确稳定，重复性高；l 反应30段程序升温，温度控制稳定；l 系统全自动化PID控制，操作方便；l 所有管件阀门采用SUS316L材质，内外洁净，防腐蚀；l 反应气体进入检测仪器前经过冷凝器，确保气液分离,防止损坏分析仪；l 采样出口设置旁路，确保合适流量检测气体进入分析仪l 设备外观精美；根据客户要求非标定制。

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

环境可靠性测试、禁用物质检测、电学性能测试、功能测试、EMC测试、材料测试、功能耐久性测试、绿色环保测试及化学法规符合性服务项目 常规性能检测：硬度、拉伸性能、冲击性能、回弹力、雾度、撕裂强度、撕裂强度、脆性温度、低温回缩、拉伸应力松驰（蠕变）、液压试验、脉冲试验等等； 常规项目：硬度、拉伸性能、冲击性能、回弹力、雾度、撕裂强度、撕裂强度、脆性温度、低温回缩、拉伸应力松驰（蠕变）、液压试验、脉冲试验等； 禁用物质检测： 石棉：（a）温石棉 （b）铁石棉 （c）青石棉 （d）直闪石 （e）透闪石 （f）阳起石 铅及其化合物、镉及其化合物、汞及其化合物、六价铬化合物、多溴联苯（PBBs）、多溴二苯醚(PBDEs)、邻苯二甲酸丁苄酯（BBP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二(2-乙基)己酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)； 可靠性试验：弯折疲劳、高温试验、低温试验、热空气老化、耐臭氧老化、高低温冲击、紫外老化、氙灯老化、碳弧灯老化、盐雾试验、温湿度试验、振动试验、加速寿命试验、疲劳试验、光老化试验等； 电学性能：电阻率、表面静电电压、热电性、介电性能、介电损耗、击穿电压、抗电强度等； 热性能测试：玻璃化转变温度、熔融指数、维卡温度软化点、低温脆化温度、熔点、热膨胀系数、热传导系数等； 燃烧性能：防火阻燃、垂直燃烧、烟密度、燃烧速率、有效燃烧热值、总烟释放量等； 环保测试：重金属含量、VOC指令、RoHS指令、REACH、ELV、多环芳烃及其它有毒有害物质等； 汽车节油产品：底盘测功机实验、汽车等速燃料消耗量对比实验、汽油车排气污染物对比试验、驱动轮输出功率对比试验、发动机台架试验、汽油发动机负荷特性对比试验、汽油发动机总功率对比试验、汽油发动机排气污染物对比试验、GB/T 14951 、GB/T 18276 。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

HAS-EF是一款拥有1英寸CMOS传感器和2560x2048有效像素的高速相机，在全分辨率下可以以250帧/秒的速度拍摄，在全高清下可以以500帧/秒的速度拍摄，在VGA下可以以1400帧/秒的速度拍摄，通过限制像素区域可以达到14000帧/秒的速度。非常适合在一个紧凑的解决方案中使用6GB嵌入式内存的多个高速摄像机成像适用于行为，流体，运动科学，生物力学，机器人，机器视觉，碰撞测试，微滴，显微镜，故障排除等各种研究/生产工程。帧速率和像素大小 连接图 详细信息 ●可以用电池供电运行 ●6GB的嵌入式内存允许您在全高清时记录3000帧，在VGA时记录20000帧 ●在高分辨率和高帧率之间取得了很好的平衡 ●只用一台笔记本电脑就可以完全同步的多个高速摄像头， ●内部/外部同步 ●12位A / D

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

ATR6500是奥谱天成公司蕞新推出的超薄型、小尺寸手持式拉曼光谱系统，整机不到0.6kg，更小的体积和更轻的重量，使得ATR6500的使用和携带非常方便，使您无论在实验室、车间、仓库、码头或者户外都能够轻松完成原辅料的鉴别和验证。　　ATR6500内置优\秀的拉曼光谱识别算法，可以轻松识别物质，同时可以添加自己的谱图数据。　　直观友好的用户界面使得技术人员和非技术人员均可轻松完成操作 优质的硬件配置和耐用的多变量算法确保了在实验结果的准确性、一致性和可靠性。 ATR6500内置拉曼光谱识别算法，并内置高达20000余种物质的标准谱图库，可对物质进行无差别检测，轻松识别物质，同时可以添加用户自己的谱图数据。 奥谱天成将提供全面的技术支持和服务，如谱图库的建立、方法和验证、IQ/OQ/PQ认证支等。公共安全、食品安全、制药安全，快速无损检测，一切尽在您的“掌控之间。1.2产品主要性能：　　1.采用自由空间设计，快速检测　　2.无损、快速检测和识别，一键操作 　　3.精密的算法，对混合物进行检测 　　4.高清5.5寸电容触摸屏，操控感优越 　　5.1300+800万高清摄像头，支持条码扫描 　　6.拥有3000种物质谱图 　　7.精确的GPS定位 　　8.GSM云端上传功能　　9.有4G、GPS、GPRS、Bluetooth、WI-FI等多种通讯方式　　10.检测结果可以生成 PDF 报告，并可导出查看。　　11.检测结果三级颜色标识，易于分辨管控等级　　12.内置锂电池续航时间： 4小时　　13.重量超轻(0.6kg)，便于携带 　　15.IP-67级防尘防水淋工业防护三、应用领域　　ATR6500手持拉曼光谱仪主要用于物质识别，并可结合其他处理分析方法对物质进行定量分析。　　1. 广泛用于海关、公安、安检等现场对易制毒、易制爆、爆炸物等危险物品及其他物质进行快速识别取证。　　2. 制药、化妆品检测，用于药品合成所需原辅料的快速检验及过程管控检测等。　　3. 食品安全检测，用于测试蔬菜、水果、肉类、奶制品、食用油等是否添加有管控的药物、色素、农药残留、抗生素等违规添加剂。　　4. 珠宝矿物检测，用于鉴别钻石、玛瑙、翡翠、祖母绿、红宝石、和田玉、堇青石等珠宝矿物的真假和产地。　　5. 用于新材料的研发检测，如石墨烯生长、半导体和聚合物的晶格结构等情况。

宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

一、产品介绍1、产品原理：透明度大小取决于水的浑浊度（指水中混有各种浮游生物和悬浮物所造成的浑浊程度）和色度（悬浮生物和溶解有机物造成的颜色）。在使用时将塞氏盘下沉到刚好看不清的深度，称为塞氏盘深度，以此来标定水质透明度。 2、产品用途：用于测定水质透明度。 二、产品参数1、材质：亚克力板（铝塑板），304不锈钢重锤，螺扣型。2、尺寸颜色：直径20cm，黑白色相间。3、型号区别：JCT-8（淡水推荐）标配普通3米卷尺。JCT-8S（海水推荐）标配手摇刻度卷尺20m（选配30m） 三：使用方法：将重锤拧开，接入塞氏盘黑白盘中间，小心拧紧，然后将卷尺和绳子系在重坠的圆环上。手握卷尺把手，绳子缓慢释放，将塞氏盘慢慢下沉，放入水中。当盘中的黑白色分不清时，标尺的读数就是透明度值。用完后拆开、清洗、擦干后妥善保存即可。 四、产品实拍（版权图片）

一、产品介绍1、产品原理：透明度大小取决于水的浑浊度（指水中混有各种浮游生物和悬浮物所造成的浑浊程度）和色度（悬浮生物和溶解有机物造成的颜色）。在使用时将塞氏盘下沉到刚好看不清的深度，称为塞氏盘深度，以此来标定水质透明度。 2、产品用途：用于测定水质透明度。 二、产品参数1、材质：亚克力板（铝塑板），304不锈钢重锤，螺扣型。2、尺寸颜色：直径20cm，黑白色相间。3、型号区别：JCT-8（淡水推荐）标配普通3米卷尺。JCT-8S（海水推荐）标配手摇刻度卷尺20m（选配30m） 三：使用方法：将重锤拧开，接入塞氏盘黑白盘中间，小心拧紧，然后将卷尺和绳子系在重坠的圆环上。手握卷尺把手，绳子缓慢释放，将塞氏盘慢慢下沉，放入水中。当盘中的黑白色分不清时，标尺的读数就是透明度值。用完后拆开、清洗、擦干后妥善保存即可。

仪器简介：本实验仪采用静态拉伸法测量杨氏模量，当铅垂的金属丝被质量为M的砝码拉伸，其长度标记随钢丝的伸长而下降，我们可以通过最小分度值为0.05mm的读数显微镜观测到钢丝的变化。本实验仪采CCD代替人的眼睛观测，便于观测且减轻视疲劳。CCD摄象机的镜头将显微镜的光学图像会聚到CCD上，在经视频电缆将摄像机上的图像传输到监视器上。 特点：采用CCD成像系统调节使用方便，立柱为可增厂式且配备相关计算软件，为大中专院校提供普通物理实验使用的教学仪器。技术参数：不锈钢钢丝：长约90cm，直径0.25mm 钼 丝：长约90cm，直径0.125mm 读数显微镜；放大倍数为25倍，分度值0.05mm CCD摄象机：420线/mm黑白摄象机 立柱：立柱高约100cm 视频监视器：黑白14寸 工作温度：-5℃-40℃ 工作环境湿度：10-80% 杨氏模量相对不确定度：5%　 WYM-2型杨氏模量测量仪技术指标与WYM-1同，不同处为直接从显微镜下读取数值主要特点：本实验仪采用静态拉伸法测量杨氏模量，当铅垂的金属丝被质量为M的砝码拉伸，其长度标记随钢丝的伸长而下降，我们可以通过最小分度值为0.05mm的读数显微镜观测到钢丝的变化。本实验仪采CCD代替人的眼睛观测，便于观测且减轻视疲劳。CCD摄象机的镜头将显微镜的光学图像会聚到CCD上，在经视频电缆将摄像机上的图像传输到监视器上。 特点：采用CCD成像系统调节使用方便，立柱为可增厂式且配备相关计算软件，为大中专院校提供普通物理实验使用的教学仪器。

QSensors——在芯片上实现你的梦想优质且种类繁多的QSensors系列芯片是瑞典百欧林引以为傲的产品，专为QSense耗散型石英晶体微天平（QCM-D）系统配置。除现有的一百多种标准芯片外，瑞典百欧林科技有限公司近期推出27款全新定制QCM-D涂层芯片，这些芯片可以被广泛地使用在科研领域，用以解决各种各样的技术难题。也许其中的一款就是您急切需要的，快来一探究竟吧！芯片表面应用方向环烯烃类聚合物（COP） 医用光学部件、食品药品包装材料醋酸乙烯酯（EVA）薄膜、电线电缆、LDPE改性剂、胶黏剂氟化乙烯丙烯共聚物 (FEP)航空线缆、电子设备传输线、聚四氟乙烯替代品聚碳酸酯（PC）医疗器材、电子电器、光学照明、奶瓶餐具等包装材料低密度聚乙烯（LDPE）食品和药品包装材料聚丙烯（PP）包装材料、医疗器械、纤维制品聚氨酯（PUR）涂料、粘合剂、合成皮革、弹性纤维、泡沫塑料聚醚砜树脂（PES）水处理膜、医疗器具、食品加工器件、涂料聚氯乙烯（PVC）工程塑料、电线电缆、包装膜、人造革、纤维氧化铈（CeO2）尾气吸附、催化剂、选矿药剂研究硅锗合金（SiGe）太阳能电池Cr22型双相不锈钢金属表界面吸附研究钛合金（Ti-6 Al-4 V）医疗器械、航太工业钛铁矿（Ilmenite）选矿药剂研究蒙脱石（Montmorillonite）选矿药剂研究碳化钨（WC）选矿药剂研究氧化锡（SnO2）选矿药剂研究叶蜡石（Pyrophyllite）选矿药剂研究水镁石（Mg(OH)2）选矿药剂研究勃姆石（AlO(OH)）选矿药剂研究硫化铜（CuS）选矿药剂研究硫化铁（FeS）选矿药剂研究炭黑（Carbon Soot）选矿药剂研究辉锑矿(Sb2S3)选矿药剂研究天青石（SrSO4）选矿药剂研究黏土矿（Clay）选矿药剂研究您所购买的每一个QSensor芯片都经过严格的质量检验。凭借它，您可以确保QCM-D实验的正常运行，并获得可靠的结果。我们竭尽所能确保您得到优质的产品，从而提高您在科研和实验中的产出效率。 想在下一步科研实验中采用哪种表面？来探索我们的客户定制芯片，激发您科研上的灵感吧！ 一百多种常规芯片列表以及更多芯片详情请点击链接查看，或者直接致电百欧林的工程师。

薄膜塑料介电常数测试仪Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。薄膜塑料介电常数测试仪1．a．消耗功率：约25W；b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。1 测量范围及误差 本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30％－80％条件下，应满足下列表中的技术指示要求。 在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF 介质损耗tgd 0～1 ±1.5％tgdx±0.0001 在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF 介质损耗tgd 0～0.1 ±1.5％tgdx±0.0001薄膜塑料介电常数测试仪　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。 [2]3）电离损耗　　电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。4）结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。薄膜塑料介电常数测试仪在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。 薄膜塑料介电常数测试仪紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。整个显示屏共分为四行第一行：左边 信号源频率指示，共6位；右边 信号源虚拟频段指示（1-4）。第二行：左边 调谐电容指示值，4位；右边 电感指示值，4位。第三行：左边 Q值指示值；右边 Q值合格比较状态 。第四行：左边 Q值量程，手动/自动切换指示/调谐点自动搜索指示； 右边上部 Q值量程范围指示；右边下部 Q值调谐光带指示。

K600 水质在线分析系统1.产品描述 K600 水质在线分析系统是专为饮用水水质监测设计的监测仪器，监测指标覆盖浊度、pH、游离氯、二氧化氯、色度、氨、电导率等10余个制水工艺相关指标，满足供水全流程水质监测需求，保障从“源头”到“龙头”的水质安全。2. 应用领域适用于原水、过程水、出厂水、管网水的过程水质监测。3. 功能特点1. 所有参数符合国标，检测数据更可靠2. 主动进样方式，大幅降低检测耗水量3. 结合微量比色技术，检测试剂量更少，废液量更低，更环保4. 自动化程度高，预定周期免人工维护5. 模块化设计，参数配置灵活多变，现场工程量少4. 技术参数产品选型K600水质在线分析系统（多参数）/K600水质在线分析系统（单参数）样品温度4～50℃样品压力、流量0～0.6MPa、100～600mL/min进样方式主动进样，支持零压力进样数据储存一年检测数据通讯方式支持MODBUS/RS485，MODBUS/RS232单模块尺寸（长*宽*高）544*464*264mm单模块重量约10kg（不带试剂）供电方式100～240VAC，50/60Hz功率pH、游离氯/二氧化氯、浊度、色度四参数共100W工作环境0～60℃，0～85％相对湿度、无冷凝

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深圳清时捷TB-2000便携式浊度仪是一款用于测量悬浮于水中的不溶性颗粒物质所产生的光的散射程度以及悬浮颗粒物质的含量浊度的仪器。既可用于野外测试，又可用于实验室的水质分析，1分钟内完成检测，简便快速。技术参数检测原理：90°散射光检查范围：0--1000NTU数据储存：1000组检测器：硅光电二极管光源：LED灯数据存储：支持PC（数据管理软件）及USB数据输出杂散光：0.02NTU防水等级：IP54供电：4节AA电池或持USB供电功能特点1、独创的散、透射综合算法，不仅低浊度测量更加稳定，也使仪器能够适应高、中、低各种浊 度的检测2、不需要前处理，直接取样检测，操作简单，使用方便。3、数据信号稳定，高分辨率，高精度 4、高集成度电路设计，仪器光学性能好，稳定性和灵敏度高5、全新设计的精密光学系统与前置信号方法技术，确保高灵敏度下的数据稳定应用范围 可广泛用于自来水厂、生活污水处理厂、纯净水厂、饮料厂、食品厂、环保部门、工业用水、防疫部门、城市供水、环境、医疗、化学、制药、养殖、生物工程、发酵工艺、纺织印染、石油化工、水处理等领域的水质现场快速检测或实验室标准检测医院等行业的水质检测。

Q-AO 便携式水质分析仪1. 产品介绍Q-AO 便携式水质分析仪基于DPD光度法设计，测试方法稳定可靠，适用于单过硫酸氢钾消毒后的活性氧残留量的测定。2. 应用领域 适用于饮用水、地表水、地下水、生活污水及工业污水等领域水质现场或实验室检测。3. 功能特点1. 三步即可完成活性氧的检测，仅需1分钟。2. 内置严格校准的标准曲线，确保检测结果稳定可靠。3. 仪器采用高性能元器件，结合高精密比色瓶，即可轻松完成现场测试，无需特殊维护。4. 技术参数测试方法DPD光度法测试范围0.005-1.000mg/L（以O计）分辨率0.001mg/L精度±3%±0.01尺寸160mm x 62mm x 30mm重量0.15kg操作环境0-50℃；0-90%相对湿度（不冷凝）供电方式2节AA碱性电池