禁带宽度

请问各位老师，我用紫外-可见分光光度计测定了薄膜的吸光度之后，接下来想算出它的禁带宽度，具体该怎么推导哈？（用Tauc作图法）？

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=37538]禁带宽度计算[/url]这个是文献里的，它是怎么算得？谢谢！看不懂，[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=37539]禁带宽度怎么算？[/url]

用分光光度计测得了透射光谱怎么才能够从这些数据得出禁带宽度呢

请教：紫外可见分光光度计的一个性能指标谱带宽度，和光谱带宽是同一个概念么？具体定义是什么？选购是选多少nm的？

请问各位高手，如何用紫外可见分光光度法测禁带宽度？能否给个详细过程？本人是初学者，不明白用什么方法把材料推入光路～～等等！请大家指教呀！不胜感激～！

摘要：通过对氧化物半导体样品的特性测试和分析，首先用可见-紫外光分光光度方法测量了掺杂不同杂质的二氧化钛的的透射（或吸收）谱，并利用这些谱确定样品的光学禁带宽度。随后又用热激活方法测量数种不同氧化物半导体的阻-温特性关系，即研究了温度变化对掺杂Nb2O5的二氧化钛电阻性能的影响，并进一步利用这些关系推导出样品的激活能。在实验过程中，我们还进行了二氧化钛镀膜样品的制作和氧化锌压片样品的制备并为其镀上电极。1 引言 纳米材料是20世纪80年代末、90年代初才逐步发展起来的一类新型材料。这一概念形成后，引起世人的密切关注，它所具有的独特性质，使人们充分意识到它的广阔发展前景。随着纳米氧化物材料制备技术的不断发展和成熟，人们已经可以方便地制备出不同粒径、不同组分、不同结构的各种类型的纳米氧化物。这些研究成果为我们进一步研究纳米氧化物材料的微观结构、特殊性质奠定了坚实的基础。2000年美国政府启动了纳米科技发展计划，我国也将纳米材料和纳米技术列为科技发展的优势领域，近年来，纳米材料的开发和应用已成为各国科技工作者的研究热点，纳米材料在涂料中的应用也是研究热点之一。纳米二氧化钛是其中最重要的一类无机功能材料之一。它除了具有一般纳米粒子所特有的特性外，还具有高光催化效应、强紫外线屏蔽能力以及能产生奇特颜色效应等许多特殊性能，广泛应用在生产和生活的各个方面，其制备及应用研究受到世界各国的高度重视。1）氧化钛用于电极基体。一般需将金属氧化物电极附载于某种具有电催化活性的基体表面。由于钛具有良好的导电性和耐蚀性，因此目前大多采用高耐蚀性的钛作为电极的基体。2）抗菌性。在阳光，尤其是紫外光的照射下，在水和空气中，纳米氧化物能自行分解出自由移动的带负电的电子，同时留下带正电的空穴。这种空穴可以激活空气中的氧变为活性氧，具有极强的化学活性，能与多种有机物发生氧化反应（包括细菌内的有机物），从而把大多数病毒和病菌杀死。3）涂料。紫外线能量很高，足以破坏高分子之间的化学键，可直接导致涂料老化。实验研究证明，纳米TiO2对波长在400nm～750nm的可见光具有透过作用，能够屏蔽日光中的紫外线。将经过处理的纳米氧化物用于涂料中，可有效保护涂料中的有机分子免受紫外线的侵害，长久保持良好的性能。2 原理概述 二氧化钛由于具有高活性、安全无毒、化学性质稳定及成本低等优点,被广泛应用于环境保护、太阳能转化、化妆品、纺织、涂料、橡胶等领域。在一些领域二氧化钛大规模的生产应用受到二氧化钛量子效率低和禁带宽度宽对太阳能利用率低的缺陷的限制。 根据定义，半导体具有由价带所构成的带隙，价带由一系列填满电子的轨道所构成，而导带是由一系列未填充电子的轨道所构成。当半导体近表面在受到能量大于其带隙能量的光辐射时，价带中的电子会受到激发跃迁到导带。一个半导体必须要具有合适的禁带宽度和导带电位，首先是禁带宽度必须位于光源的能量范围之内，当受到光照时，才能吸收光能形成禁带激发，导致产生光氧化还原反应所必须的电子空穴对。　　大多数氧化物电极都是半导体材料，因而具有许多半导体的性质。同金属电极相比，氧化物半导体中载流子的密度是较低的常数。因此要提高它们的导电性，首先要提高氧化物半导体中载流子的数目。电催化氧化要求阳极具有良好的导电性，而钛表面的钝化膜导电性极差，由于该膜的成分主要是TiO 2，它属n型半导体，禁带宽度为3.0eV。在众多半导体中，它的禁带宽度是较宽的，也就是说它的载流子难于激发出来，这就是其导电性不好的原因。掺杂离子可降低TiO2的禁带宽度，由于杂质离子半径与Ti不同，所以可造成TiO 2晶体发生扭曲，甚至造成缺陷。这些扭曲和缺陷使TiO2的能级发生分裂，在规整的能级中形成新的缺陷能级，使得价带中电子很容易进入一些缺陷能级中。因而载流子密度升高，导电性提高。同时有些掺杂杂质作为施主加入形成施主能级，这些能级中的电子很容易受激发进入导带，大大提高地载流子密度，使半导体导电性大幅提高。受上述理论分析的启发，人们在制备钛氧化物电极时都要寻找合适的掺杂物去提高TiO 2氧化物的导电性。 我们在上述理论的基础上，在实验中对已经掺杂杂质的TiO2样品进行测试与分析，得到其禁带宽度与不同掺杂浓度，不同掺杂离子的关系，以及其阻温特性。

狭缝宽度和光谱带宽的关系 看好多书上写着这两个名词，知道是什么意思，但不知道两者之间有没有必然的联系？？？重新提出这个问题，因为又出现了新的问题？看书上说：狭缝：单色器的入射狭缝起着光学系统虚光源的作用。光源发出的光照射并通过狭缝，经色散元件分解成不同波长的单色平行光束，经物镜聚焦后，在焦面上行成一系列狭缝的像，即所谓的光谱。 但是现在很多书和论文上混淆了这两个概念，不知道为什么，其实我现在也不是很明白。希望和大家再讨论讨论？？？有人这么回答：狭缝宽度是毫米级的，光谱带宽是nm级的，通俗的讲光谱带宽就是通过狭缝的光所包含的谱带宽度，以nm表示。所以狭缝越窄，光谱带宽越小，但不是指只要将狭缝变窄就能达到光谱带宽小，必须同时其他硬件条件（包括光源/光栅/检测器以及机械系统等）达到这个级别。 那光谱带宽和谱带宽度是不是两个概念呢？

光谱带宽和狭缝宽度的关系是什么？

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求有关各种半导体材料禁带宽度、光吸收系数、折射率等数据的表格，材料种类、数量要全，包括元素半导体、氧化物半导体、化合物半导体等。 非常感谢

哪位大侠知道半导体材料二硫化钴（CoS2）的禁带宽度谢谢！

[table=100%][tr][td=1,1,150][b]波长范围:[/b][/td][td]200-850nm[/td][/tr][tr][td=1,1,150][b]波长准确度:[/b][/td][td]±0.5nm[/td][/tr][tr][td=1,1,150][b]波长重复性:[/b][/td][td]0.25nm[/td][/tr][tr][td=1,1,150][b]焦距:[/b][/td][td]100mm[/td][/tr][tr][td=1,1,150][b]半宽度:[/b][/td][td]1、2.5、5nm(狭缝宽度为1mm时)[/td][/tr][tr][td=1,1,150][b]分度:[/b][/td][td]25nm/周[/td][/tr][/table]我想请问，以上参数，是何参数与带宽有关？

在分光光度计中，光谱带宽与狭缝宽度有什么区别？

"仪器的狭缝波带宽度应小于供试品吸收带的半宽度，否则测得的吸收度会偏低；狭缝宽度的选择，应以减小狭缝宽度时供试品的吸收度不再增加为准，"这句话不怎么理解,高人能否解释一下

AA370MC中F2-1页下 SBW（光谱带宽或者狭缝宽度）如何设置？依据什么设置？比如我要测定Cu 该如何设置？谢谢了！

对于用户来讲，最有用的是光谱带宽，既代表分辨率，也说明光通量大小。线色散系数和狭缝宽度决定分辨率，也是光谱带宽；焦距和光栅刻线以及光谱仪设计模式决定线色散系数；光谱带宽和分辨率之间也有区别：因为分辨率是能够测试得到的最小的半高宽峰，于是，还要引入一个参数，就是最小扫描步进。要获得一个峰，至少需要5个点（有些说3个点，有些牵强），那么我们的分辨率还有一个限制项---3倍步进！从这个意义讲：光谱带宽不等于分辨率。

催化剂是黑色的，需要测量其导带和价带的具体位置，价带位置准备测SPX来确定其准确位置，导带位置就不知能否通过测量其能带宽度来确定？或者还有什么办法测其具体的导带位置么？？？

专家你好！我有一个问题：在中国药典的附录中，关于紫外分光光度法的测定中，说“仪器的狭缝波带宽度应小于供试品吸收带的半宽度，否则测得的吸收度会偏低”。我们的样品的吸收波长在228、270纳米。请问：我们的狭缝该调为多少？

其实是一个有关于狭缝宽度的问题假设紫外的 狭缝宽度 选项设定为2nm，如果扫描波长为254nm，那么我们是否可以理解为从单色器中能得到的单色光波长范围为254±2nm？如果是这样的话，此时我们在图谱上得到得254nm的吸光度A实际上是波长为254±2nm范围内的光的吸光度？

最近对紫外-可见分光光度计查了一下，大部分普带宽度为2nm，请版友们帮忙分析一下，2nm与1nm究竟有多大区别？另外比例双光束到底怎么理解，谢谢了。

根据透射电镜 剖面图 能看出位错深度？ 缺陷带宽度 数值么？怎么能看出那个地方是Fe离子注入的区域呢？http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/08/201108151834_310367_2253534_3.gif

分光光度计的光谱带宽【Spectal Bandpass】是以“纳米”为单位。带宽实际上就是仪器光谱（波长）的分辨率，表示单色光的纯度。仪器内的狭缝【Slit】宽度和带宽有一定的关系，但不是决定因素，决定仪器带宽的是光栅的色散率（单位长度光栅的刻划条数）和单色器的尺寸（光栅到狭缝的距离）。当光栅的色散率和单色器的尺寸固定时，狭缝越小，仪器的带宽越小。当然这种小不是无限的，有一个极限值。这个极限值受到光栅的色散率和单色器的尺寸限制。所以说狭缝宽度和带宽是两个不同的概念。仪器的狭缝宽度范围一般是零点零几个毫米到几个毫米。而仪器的光谱带宽都是以nm为单位。至于狭缝的宽度，则是制造商的事，和使用者无关。使用者只需关心带宽指标即可，因为这项指标将关系到此仪器能否适用于某些样品的测试。在狭缝档位可调整的光谱仪器里许多仪器厂商将【Spectal Bandpass】光谱带宽这一项功能标称为【Slit】，即狭缝，而且单位也是nm，这从严格的意义上讲是不准确的。但按照通俗的讲法此种称谓也可以，【Slit】称谓实质上是省略了“不同的狭缝档位所对应的光谱带宽是多少nm”这样一个概念。因此、【Slit】的称谓的目的是告诉使用者某某挡位狭缝对应什么样的光谱带宽，而不是要告诉用户狭缝本身的宽度是多少（这对用户来说是没有意义的）。有人问、仪器的带宽与单色器的带宽是一个概念吗？其实仪器的带宽就是由单色器的设计水平来决定的，因此一般没有单色器带宽这一说法。仪器的带宽是由光栅的色散率和单色器的尺寸来决定的，这决定了这种仪器的最高分辨率（我们撇开能量是否满足等等其他问题）。当高分辨率决定（达到）以后，我们也可以不需要一直使用最高分辨率。对于可变狭缝档位的仪器而言，对应于最小狭缝挡位的带宽一般接近于（考虑到加工及装配误差）单色器的设计分辨率。使用什么样的带宽，由使用者的样品性质决定。使用小带宽时，优点是读数准确，分辨率高。缺点是噪声大，动态范围测量小。打个比方500W象素的照相机拍摄，最大可以产生几兆大小的文件。也可以产生几十K的文件。当我只需拍个方盒子，我更本没有必要使用500W象素，那么大的文件传输有麻烦，但是我要看清盒子的边角上的细节时，就必须要最求清晰了。简单的说也就是：单色器设计所决定了最小带宽，狭缝宽度的改变只能将带宽在最小基础上放宽。从仪器的角度说带宽越小的仪器档次越高，价格越贵，制造商的仪器附加值越高。但在绝大多数用户的应用中并不是特别追求小带宽。带宽过小的仪器反而会造成噪声大，养护费用高的缺陷。

最近在做GFAAS，结果开机调整光路的时候用0.1、0.2、0.5nm的带宽都说是在该谱线下寻找能量失败…… 只能用0.1nm的，不知为何会如此杯具？

最近在研究光度计，有个问题一直不明白，光度计都可以设置光谱带宽，我看uvwinlab v6的说明书中说了这个是和狭缝宽度关联的，但是没有说到底是和哪一个狭缝宽度关联的，如果设置了光谱带宽，那么是不是光度计中的所有狭缝都是固定不变了呢？但是如果一直固定不变，有些波段光弱有可能检测结果不准确。如果认为光谱带宽只与出射狭缝有关，入射狭缝负责调节光强，但有文章讲到入射狭缝和出射狭缝都会影响光谱的带宽，http://wenku.baidu.com/link?url=6t-opapXa9LJytjXund_YxlFwF4CoeAH0NzUZTnHEa2yXkkDAfgOxNS8oYsom4Vpu90i9dk1lXkyMqneLDXFKDkc1XIWYbeq4ugJAlVd2hu，大家知道光度计在基线扫描和测试扫描狭缝是怎么控制的吗？

对于起皱的产品条样法测试强力时有效宽度是拉伸之后的宽度还是自然放平的宽度啊？

各位同仁，是怎么理解发射线宽度与吸收线宽度的？