晶格常数

产品简介蔡司晶格光切超高分辨率显微镜Lattice SIM 3利用晶格结构光照明的组织穿透力强的优势，针对组织样品对于分辨率、速度和灵敏度的三重需求进行光学设计，适用于细胞团、类器官、组织切片和小型模式动物等样品的超高分辨率成像，快速获取更精细的组织三维结构全貌，兼顾分辨率、成像速度、成像深度和灵敏度。产品特点&bull 低倍物镜下的大视野超高分辨率成像&bull 近各向同性分辨率的高质量光学切片&bull 以宽场成像的快速和低光毒性实现超高分辨率成像应用领域&bull 类器官发育&bull 组织切片&bull 3D细胞培养模型&bull 胚胎发育应用案例细胞球状体样品，利用25x物镜进行Lattice SIM成像，绿色标记线粒体 (MitoTracker Green)，红色标记细胞核(NucRed Live 647)。果蝇胚胎 Fasciclin II (颜色深度编码) 和HRP (青色) 标记神经系统，样品来自英国约克大学Ines Hahn

[产品简介]蔡司晶格层光显微成像系统Lattice Lightsheet 7采用先进的光束整形技术，产生比标准高斯光片薄得多的晶格状光片，从而以类似光片显微镜的成像速度提供更高的分辨率，能够以亚细胞分辨率进行活细胞成像。该系统允许使用标准样本载具，自动化程度高，简便易用，具有非常低的光毒性，因此您可以通过多维度成像连续数小时、甚至数天观察亚细胞结构和动态变化过程。您可以深入观察活体样本的动态变化 —— 轻松便捷超乎想象！[产品特点]&bull 操作非常便捷直接在标准样本载具上观察活体样本&bull 非常低的光毒性可以连续数小时、甚至数天观察活体样本的亚细胞动态变化&bull 近各向同性分辨率以真实比例显示三维细节&bull 快速多维度成像不错过盖玻片上任何值得关注的变化&bull 自动校准系统让您充分专注于实验[应用领域]&bull 活细胞成像，悬浮细胞及固定细胞多维度成像，高速亚细胞成像&bull 3D细胞培养，细胞团，类器官，囊肿，水凝胶中细胞等活体成像&bull 小型模式动物，斑马鱼，秀丽线虫，果蝇等胚胎细胞和亚细胞快速成像&bull 卵母细胞，3D实时成像&bull 膨胀化样品3D成像等生命科学领域研究人工诱导多能干细胞，其内源性表达mEGFP 标记的核纤层蛋白B1（AICS-0013）。图像来自Allen Institute for Cell Science，使用AICS-0031（LMNB1-mEGFP）成像。LLC-PK1 细胞正在进行有丝分裂。细胞表达为H2B-mCherry（洋红）和α-Tubulin mEGFP（青色）。活小鼠卵母细胞停留在中期II，线粒体（青色）、微管（洋红）和染色体（黄色）染色。样品由德国哥廷根MPI 的C. So 提供。

产品简介蔡司晶格结构光超高分辨率显微镜Lattice SIM 5针对亚细胞结构成像进行优化，实现60nm分辨率高质量活细胞超高分辨率成像。在活细胞超高分辨率成像中不仅实现三维空间分辨率的全面提升，更能快速真实的捕获亚细胞结构的动态变化。产品特点&bull 60 nm的分辨率精确捕获快速动态过程&bull 灵活多样的物镜和成像方式，满足不同样品的需求&bull 高速图像采集模式，提高速度和实验效率应用领域&bull 活细胞快速动态超高分辨率成像&bull 固定样品的超微结构应用案例固定的小鼠睾丸联会复合体，三色荧光标记，蓝色为SYCP3 SeTau647，红色为SYCP1-C Alexa 488，黄色为SYCP1-N Alexa568，两通道间距离60nm，成像物镜：63x/1.4 Oil。样品来自Marie-Christin Spindler, University of Würzburg, Germany.Cos 7活细胞成像，Calreticulin-tdTomato 标记内质网（品红），EMTB-3xGFP标记微管（绿色），右图显示放大区域样品细节分辨率。

晶格码独有的红外在线浓度分析系统是利用红外线光谱经傅立叶变换进而能够分析样品浓度的在线光谱分析仪。该产品的光纤探头将FTIR变成了一个真正的原位测量仪器，让您实现之前无法达成的常规FTIR分析。利用我们独特的光缆设计，可以将FTIR用于一个传统的实验室规模的反应容器，或是自动化的实验室反应器中。产品特点? 多种探头可选：标准探头，耐高温/低温探头，耐高压探头? 全功能光谱软件，包括3D绘图、曲线拟合等常用功能，以及许多其他附加功能? 完整的光谱反应数据分析体系：红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见光、近红外；简单趋势线；复杂趋势线；PCA/ITTR；三维残差分析v 在线浓度、过饱和度测量v 独特的光缆设计，适用于传统规模的反应容器，以及自动化实验室反应器等系统v 多种探头可选，耐高/低温、耐高压v 可视化形象表征和优化化学反应v 适用于多相液体混合体系，胶体等复杂体系v 自动记录数据，提高工作效率v 无需取样、稀释及备样

[产品简介]蔡司晶格层光显微成像系统Lattice Lightsheet 7采用先进的光束整形技术，产生比标准高斯光片薄得多的晶格状光片，从而以类似光片显微镜的成像速度提供更高的分辨率，能够以亚细胞分辨率进行活细胞成像。该系统允许使用标准样本载具，自动化程度高，简便易用，具有非常低的光毒性，因此您可以通过多维度成像连续数小时、甚至数天观察亚细胞结构和动态变化过程。您可以深入观察活体样本的动态变化 —— 轻松便捷超乎想象！[产品特点]&bull 操作非常便捷直接在标准样本载具上观察活体样本&bull 非常低的光毒性可以连续数小时、甚至数天观察活体样本的亚细胞动态变化&bull 近各向同性分辨率以真实比例显示三维细节&bull 快速多维度成像不错过盖玻片上任何值得关注的变化&bull 自动校准系统让您充分专注于实验[应用领域]&bull 活细胞成像，悬浮细胞及固定细胞多维度成像，高速亚细胞成像&bull 3D细胞培养，细胞团，类器官，囊肿，水凝胶中细胞等活体成像&bull 小型模式动物，斑马鱼，秀丽线虫，果蝇等胚胎细胞和亚细胞快速成像&bull 卵母细胞，3D实时成像&bull 膨胀化样品3D成像等生命科学领域研究人工诱导多能干细胞，其内源性表达mEGFP 标记的核纤层蛋白B1（AICS-0013）。图像来自Allen Institute for Cell Science，使用AICS-0031（LMNB1-mEGFP）成像。LLC-PK1 细胞正在进行有丝分裂。细胞表达为H2B-mCherry（洋红）和α-Tubulin mEGFP（青色）。活小鼠卵母细胞停留在中期II，线粒体（青色）、微管（洋红）和染色体（黄色）染色。样品由德国哥廷根MPI 的C. So 提供。

ST2742B型 四探针法电动粉末电阻率测试仪产品信息名称：ST2742B型四探针法[四端子法]电动粉末电阻率测试仪品牌：苏州晶格产品特点ST2742B型 电动粉末电阻率测试仪 是运用四端子法 或四探针法 测试粉末“ 电阻率-压强 ” 性能曲线的测量分析仪器。四端子法符合GB/T 24521-2009和YS/T 587.6-2006有关国标和行 业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 四探针法测试台设计符合 符合 ***新GBT 30835 -2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551 - 2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A. S . T .M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“ 电阻率-压强曲线， ” 行业粉末电阻率标准测试方式。产品软件界面二、概述 2.1基本功能和依据标准： ST2742B型 电动粉末电阻率测试仪 是运用四端子法 或四探针法 测试粉末“ 电阻率-压强 ” 性能曲线的测量分析仪 仪器组成：整套仪器有四探针（四端子）主机和电动粉末测试台两大部分组成。 主机：是整个系统电气控制显示核心部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力检测、厚度检测、彩色液晶显示窗口等单元组成。 粉末测试台：是连接测试主机，用来装夹半导体粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行电动自动压力施加（压片），并同步进行电阻率测试的装置（以下简称测试台）。 测试台为粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。 2.2优势特征：1)测试台设计，符合国标和行业规范。有如下两款： 四端子法符合GB/T 24521-2009和YS/T 587.6-2006有关国标和行业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 四探针法测试台设计符合 符合 ***新GBT 30835 -2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551 - 2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A. S . T .M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“ 电阻率-压强曲线， ” 行业粉末电阻率标准测试方式。 2）仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入；具有零位、满度自校功能；电压电流全自动转换量程；测试结果由彩色液晶屏直接显示。 3）压力机构采用电动执行，压力（压强）平稳可调、可保持。电子传感器自动同步检测、显示压力（压强）值和样本高度值。故本测试台可一边加压一边同步测试电阻率，可方便测绘粉末样品 “电阻率-压强”的性能曲线；也可以单独作为粉末压制成片的工具使用。 4）本测试仪配有成套PC软件，故不但可以单独（脱机）操作，还可以连接PC软件，自动保存当前测 试数据、查询并统计分析历史数据、打印测试报告等！ 2.3适用范围：本仪器具有测量精度高，操作简便、稳定性好，重复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特点！本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态和粉态样品质量的一种重要优良工具。 三、技术参数3.1.电阻率测量范围、分辨率电阻率:15.0×10- 6 ～200 . 0×10 3 Ω-cm 分辨率1 . 5×10-6 ～0. 1×103 Ω- cm （1 .0×10-6 ～200. 0×101 Ω- cm 分辨率0 . 1×10-6 ～0 .1×101 Ω- cm） 3.2.电阻率量程划分及误差等级满度显示200.020.002.000200.020.002.000200.020.00量程KΩ-cmΩ-cmmΩ-cm基本误差±2%读数±4字±1.5%读数±4字±0.5%读数±2字±0.5%读数±4字 3.3.数字电压表：⑴量程：10mV ～ 100 mV，自动⑵显示: 4位有效数字，显示999.9，小数点、单位自动显示3.4.数控恒流源电流输出：直流电流0. 1mA～1000mA可调，系统自动步进调整。3.5.粉末测试台部分参数：（1）试样成份：成份不限，但不得含有对测试台和电极有腐蚀作用的成份。 （2）试样粒度：推荐以40目以下～60目以上（标准筛网），一般其他粒度也可！ （3）试样容器：内径：φ11 .28mm（S=1. 0cm 2） 高度：0～20mm可调,带高度传感器监测，测量误差： ±0. 02mm。 （4）测试压强 压强量程：30Mpa, P=0～30 Mpa可调。 （5）压力机构采用电动操作、压力平稳可调。压强可以阶梯式、多点预设，一次性自动完成。 四位有效显示数00 . 00～30 .00MPa，分别率 ±0 . 01 MPa。 3.6.测试仪外形与重量前宽×长×总高=300mm×310 mm×470mm重 量=15Kg3.8.电源：功 耗：50W输入:220V±10% 50Hz3.9.本仪器工作条件为：温 度： 0-40℃相对湿度： ≥60%工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。

表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向，因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子，虽然这种高聚物的极性很强，但只要固化比较完全，它的介质损耗就不高。相反，支化使分子链间作用力减弱，分子链活动能力增强，介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化，因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时，链段上的偶极的极化有时完全被抑制，介电性能可降至低值，同样的道理，非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外，高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

一、产品概述：介电常数测试仪采用数字液晶显示，是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器，测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低值，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果，免去人工计算的繁琐。经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线，北京航天纵横检测仪器是代替进口设备的北京航天纵横仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性：DDS数字合成信号：50KHz-160MHz；信号源频率覆盖比：1600:1；信号源频率精度：6位有效数3×10-5 ±1个字；Q测量范围/Q分辨率：1-1000自动/手动量程；4位有效数,分辨率0.1；Q测量工作误差：5%；电感测量范围/分辨率：1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH；电感测量误差：5%；调谐电容：主电容17-240pF；电容直接测量范围：1pF～25nF；调谐电容误差/分辨率：±1pF或1% / 0.1pF；谐振点搜索：自动扫描；Q合格预置范围：5-1000声光提示；Q量程切换：自动/手动；LCD显示参数：F，L，C，Q，Lt，Ct波段等；新增功能：自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能；新增功能：大电容值直接测量显示功能，测量值可达25nF；消耗功率：约25W；净重：约7kg；外型尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280。二、符合标准：GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法； 三、产品特点：1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京航天纵横检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值，彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能：电感测试时，仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值（特别是小电感值）测量时的精度。此技术只有北京航天纵横仪器生产的Q表有。9、新增功能：大电容值直接测量显示功能，电容值直接测量值可达25nF（配100uH电感时）。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京航天纵横检测仪器生产的Q表有。四、工作环境：1、环境温度：0℃～+40℃；2、相对湿度：80％；3、电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。五、配置清单：主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位：可以用于科研机关，学校，例如一些科研院所，大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试；北京航天纵横检测仪器同时也适用于工厂或单位，例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究，另外在电力、电工、化工等领域，如：电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤：1、按照Q表的操作规程调整仪器，选定测量频率，测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中，并调节电容器C，使电路谐振，达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出，调节C或测试电极的距离，使电路重新谐振，记下C、或测试电极的校正电容值与Q值，北京航天纵横检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作，北京航天纵横检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件：1、试样表面应清洁、平滑，无裂纹、气泡和杂质等，试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时，可按其产品标准规定的进行。九、测试意义：1、介电常数——北京航天纵横检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用，即（1）用于固定电学网络部件，同时让其彼此以及与地面绝缘；（2）用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中，通常要求固定的电容尽可能小，同时具有可接受且一致的机械，化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中，要求电容率具有一个高值，以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力，以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合（作为电学绝缘材料和作为电容器电介质），交流损耗通常必须是比较小的，以减小材料的加热，同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合，特别要求损耗指数具有一个低值，因为对于某一给定的损耗指数，电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中，例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质，通常电导增加可获得损耗增大，这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时，这可能有助于考虑耗散因子，功率因子，相位角或损耗角。3、相关性——北京航天纵横检测仪器当获得适当的相关性数据时，耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征，例如电介质击穿，湿分含量，固化程度和任何原因导致的破坏。然而，由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子，除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的，耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户：沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品：ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机一、介质损耗的基本概念1.介质损耗电介质在电场作用下(加电压后)，要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗；电导过程中，电学性泄漏电流流过绝缘电阻当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量，即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为介质损耗。显然，介质损耗过程随极化过程和电导过程同时进行。介质损耗掉的能量(电能)变成了热能，使电介质温度升高。若介质损耗过大，则电介质温度将升得过高，这将加速电介质的热分解与老化，最终可能导致绝缘性能的完全失去，所以研究介质损耗有十分重要的意义。2.介质损耗的基本形式(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关，故这部分损耗在直流交流下都存在。气体电介质以及绝缘良好的液、固体电介质，电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空间电荷极化引起的损耗。在直流电压作用下，由于极化过程仅在电压施加后很短时间内存在，与电导损耗相比可忽路。而在交流电压作用下，由于电介质随交流电压极性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化，极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时，极化过程反而减弱，损耗减小。极化损耗与温度也有关，在某一温度下极化损耗达最大。(3)游离损耗，游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放电所造成的损耗。这是因为放电时，产生带电粒子需要游离能，放电时出现光、声、热、化学效应也要消耗能量。游离能随电场强度的增大而增大。二、介质损失角正切tanδ由上可见，在直流电压作用下，介质损耗主要为电导损耗，因此，电导率γ或电阻率ρ既表示介质电导的特性，同时也表征了介质损耗的特性。但在交流电压作用下，三种形式的损耗都存在，为此需引入一个新的物理量来表征介质损耗的特性，这个物理量就是tanδ。1.并联等值电路及损耗功率的计算公式电介质两端施加一交流电压时，就有电流流过介质。有三个电流分量组成式中 ——电导过程的电流，为阻性电流，与同相位；——无损极化和有损极化时的电流。对应的等值电路如图2-9(a)所示，此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和Cp相并联的等值电路。此并联等值电路的相量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角θ的余角为δ角。由相量图可见，介质损耗功率越大，IR越大，δ角也越大，因此δ角称为介质损失角。对此并联等值电路，可写出介质损耗功率P的计算公式当然，图2-9(b)的电路也可以简化成由r和Cs相串联的等值电路，可以证明当tanδ 很小时， Cs≈C对于串联等值电路，同样可以推出损耗功率的计算公式2.tanδ值的意义从介质损耗功率P的计算公式看，我们若用P来表征介质损耗的程度是不方便的，因为P值与试验电压U的高低、试验电压的角频率ω(ω=2Πf)、电介质等值电容量Cp (或Cs)以及tanδ值有关。而若在试验电压、频率、电介质尺寸一定的情况下，那么介质损耗功率仅取决于 tanδ，换句话说，也就是tanδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量，它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tanδ是表征介质损耗程度的物理量，与εr、γ相当。这样,我们可以通过试验测量电介质的tanδ值，并以此来判断介质损耗的程度。各种结构固体电介质的tanδ如表2-2所示。表2-2 各种结构固体电介质的tanδ值(1MHz，20℃时)电介质结构名称tanδ分子结构非极性分子石 蜡 聚苯乙烯 聚四氟乙烯小于0.0002极性分子纤维素 有机玻璃0.01~0.015离子结构晶格结构紧密岩 盐 刚 玉小于0.0002 小于0.0002晶格结构不紧密多铝红柱石0.015晶格畸变的晶体锆英石0.02无定形结构硅酸铅玻璃 硅碱玻璃0.001 0.01不均匀结构　绝缘子瓷 浸渍纸绝缘0.01 0.01三、影响 tanδ 的因素影响tanδ 值的因素主要有温度、频率和电压。1.温度对tanδ值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起，故温度对tanδ的影响与温度对电导的影响相似，即tanδ随温度的升高而按指数规律增大，且tanδ较小。极性介质中，极化损耗不能忽略，tanδ值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t1时，由于温度较低，电导损耗与极化损耗都小，电导损耗随温度升高而略有增大，而极化损耗随温度升高也增大(黏滞性减小，偶极子转向容易)，所以tanδ随温度升高而增大。当温度在t1＜t＜t2时，温度已不太低，此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列，极化损耗随温度升高而降低，而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度，因此tanδ随温度升高而减小。当温度在t＞t2时，温度已很高，电导损耗已占主导地位，tanδ又随温度升高而增大。2.频率对tanδ的影响主要体现于频率对极化损耗的影响tanδ与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内，随频率的升高，偶极子往复转向频率加快，极化程度加强，介质损耗增大，tanδ值增大。当频率超过某一数值后，由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用，来不及随电压极性的改变而转向，极化作用减弱，极化损耗下降，tanδ值降低。3.电压对tanδ的影响主要表现为电场强度对tanδ值的影响在电场强度不很高的一定范围内，电场强度增大(由于电压升高)，介质损耗功率变大，但tanδ几乎不变。当电场强度达到某一较高数值时，随着介质内部不可避免存在的弱点或气泡发生局部放电，tanδ随电场强度升高而迅速增大。因此，在较高电压下测tanδ值，可以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。此外，湿度对暴露于空气中电介质的tanδ影响也很大。介质受潮后，电导损耗增大，tanδ也增大，例如绝缘纸中水分含量从4%增加到10%，tanδ值可增大100倍。然而，假如tanδ值的测试是在温度低于0～5℃时进行，含水量增加tanδ反而不会增大，这是因为此时介质中的水分已凝结成冰，导电性又变差，电导损耗变小的缘故。为此，在进行绝缘试验时规定被试品温度不低于+5℃，这对tanδ的测试尤为重要，在工程实际中，通过tanδ以及tanδ=f(u)曲线的测量及判断，对监督绝缘的工作状况以及老化的进程有非常重要的意义。

泰思曼TXF1060悬浮高压电源系列高压电源是X光机专用电源，输出电压达到70kV功率300W和600W。TXF1060是整合了宽范围输入、小外形尺寸和多选择数字通讯接口的X射线系统。典型应用：塑料分选；晶格检验；薄膜测厚；矿物分析；X射线发生器；X射线衍射产品规格输入90～264VAC，47~63Hz。输出-20kV、-30kV、-40kV、-50kV、-60kV、-70kV六种最高电压输出可选。电压控制 本地控制电源可配置控制面板，在当地利用电位器调节输出。电压控制 远程控制电源配置有多种数字通讯接口，用户可选择使用所需数字接口，在上位机完成对电源的操作。发射电流控制 电源内部0~10V控制电压对应10%~100%输出电流。发射电流控制 外部遥控0~10V控制电压对应10%~100%输出电流。直流灯丝电源最大输出电流为5A可调，最高输出电压为10V。电压调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电压调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化为±10%）。电流调整率 相对负载0.01%（空载到额定负载）。电流调整率 相对输入±0.01%（输入电压变化±10%）。纹波电压≤0.5%（20kHz）；≤0.1%（20kHz）。环境温度工作时0到+40℃。储存时-40℃到+80℃。工作温度20%~85%RH。稳定度≤25ppm/hour（预热2小时后）。外形尺寸长304.8mm，宽152.4mm，高120.65mm。高压输出连接器Claymount CA11（Mini75）。输入输出连接器DB9 RS232串口通讯、DB15本地控制面板接口、USB数字通讯接口、以太网数字通讯接口。

ZJD-87工频介电常数试验仪一、符合标准：GB/T1409测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长存内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 GB/T 5654-2007液体绝缘材料相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量 二、产品概述：ZJD-87型工频介电常数试验仪是一款专为实验室研制的高精度高压电桥，突破了传统的电桥测量方式，采用变频电源技术，利用单片机和现代化电子技术进行自动频率变换、模/数转换和数据运算；达到抗干扰能力强、测试速度快、精度高、全自动数字化、操作简便；工频介电常数试验仪广泛适用于电力行业中变压器、互感器、套管、电容器、避雷器等设备及相关绝缘材料的介损和介电常数的测量。三、技术指标：准确度：Cx:±（读数×0.5%+0.5pF）；tgδ:±（读数×0.5%+0.00005）；ε：0.5%；抗干扰指标：变频抗干扰（40-70Hz），最大输入电流5A； 内置最高10KV测试电压输出，可调分辨率1V；电容量范围：内施高压：3pF～60000pF/10kV；60pF～1μF/0.5kV；外施高压：3pF～1.5μF/10kV；60pF～30μF/0.5kV；外接量程扩展器时可以测试几千安培下高压电器的介损值；分辨率：最高0.001pF，4位有效数字；计算机接口：标准RS232接口；外形尺寸：8U标准机箱；仪器重量：25kg；离子位移极化—— Ionic Polarization电介质中的正负离子在电场作用下发生可逆的弹性位移。 正离子沿电场方向 移动，负离子沿反电场方向移动。由此形成的极化称为 离子位移极化。离子在电场作用下偏移平衡位置的移动相当于形成一个感生偶极矩。离子位移极化所需时间大约为10-12～10-13秒 。不以热的形式耗散能量，不导致介电损耗。介质损耗&bull 损耗的形式&bull 介质损耗的表示方法&bull 介质损耗和频率、温度的关系&bull 无机介质的损耗介质损耗定义：电介质在单位时间内消耗的能量称为电介质损耗功率，简称电介质损耗。或：电场作用下的能量损耗，由电能转变为其它形式的能，如热能、光能等，统称为介质损耗。它是导致电介质发生热击穿的根源。损耗的形式：电导损耗：在电场作用下，介质中会有泄漏电流流过，引起电导损耗。 实质是相当于交流、直流电流流过电阻做功，故在这两种 条件下都有电导损耗。绝缘好时，液、固电介质在工作电 压下的电导损耗是很小的， 极化损耗：只有缓慢极化过程才会引起能量损耗，如偶极子 的极化损耗。 游离损耗：气体间隙中的电晕损耗和液、固绝缘体中局部放 电引起的功率损耗称为游离损耗。介质损耗的表示：当容量为C0=?0S/d的平板电容器上 加一交变电压U=U0eiwt。则：1、电容器极板间为真空介质时， 电容上的电流为：2、电容器极板间为非极性绝缘材料时，电容上的电流为：3、电容器极板间为弱导电性或极性，电容上的电流为：G是由自由电荷产生的纯电导，G=?S/d， C=?S/d如果电荷的运动是自由的， 则G实际上与外电压额率无关；如果这些电荷是被 符号相反的电荷所束缚， 如振动偶极子的情况，G 为频率的函数。介质弛豫和德拜方程：1）介质弛豫：在外电场施加或移去后，系统逐渐达到平衡状 态的过程叫介质弛豫。 介质在交变电场中通常发生弛豫现象，极化的弛豫。在介质上加一电场，由于极化过程不是瞬时的，极化包括两项：P(t) = P0 + P1(t)P0代表瞬时建立的极化(位移极化)， P1代表松弛极化P1(t)渐渐达到一稳定值。这一滞后 通常是由偶极子极化和空间电荷极 化所致。 当时间足够长时， P1(t)→ P 1 ∞ ， 而总极化P(t) → P∞ 。2）德拜(Debye)方程：频率对在电介质中不同的驰豫现象有关键性的影响。 设低频或静态时的相对介电常数为ε(0)，称为静态相对介电常数；当频率ω→∞时，相对介电常数εr’ →ε∞（ ε∞代表光频 相对介电常数）。则复介电常数为：影响介质损耗的因素：1、频率的影响ω→0时，此时不存在极化损 耗,主要由电导损耗引起。 tgδ=δ/ωε，则当ω→0时， tgδ→∞。随着ω升高，tgδ↓。随ω↑，松弛极化在某一频率开始跟不上外电场的变化， 松弛极化对介电常数的贡献 逐渐减小，因而εr随ω↑而↓。 在这一频率范围内，由于ωτ 1，故tgδ随ω↑而↑。当ω很高时，εr→ε∞，介电常数仅 由位移极化决定，εr趋于最小值。 由于ωτ 1，此时tgδ随ω↑而↓。 ω→∞时，tgδ→0。tgδ达最大值时ωm的值由下式求出:tgδ的最大值主要由松弛过程决定。如果介质电导显著变大，则tgδ的最大值变得平坦， 最后在很大的电导下，tgδ无最大值，主要表现为电导损耗特征：tgδ与ω成反。2、温度的影响当温度很低时,τ较大，由德拜关系式可知，εr较小，tgδ也较小。此时，由于ω2τ21,由德拜可得：随温度↑，τ↓，所以εr、tgδ↑当温度较高时，τ较小，此时ω2τ21随温度↑，τ↓，所以tgδ ↓。这时电导上升并不明显，主要决定于极化过程：当温度继续升高，达到很大值时， 离子热运动能量很大，离子在电场作用下的定向迁移受到热运动的阻碍，因而极化减弱，εr↓。此时电导损耗剧烈↑，tgδ也随温度 ↑而急剧上升↑。3.湿度的影响 &bull 介质吸潮后，介电常数会增加，但比电导的增加要慢，由于电导损耗增大以及松驰极化损耗增加，而使tgδ增大。 &bull 对于极性电介质或多孔材料来说，这种影响特别突出，如，纸内水分含量从4％增加到10％时，其tgδ可增加100倍。降低材料的介质损耗的方法（1）选择合适的主晶相：尽量选择结构紧密的晶体作为主晶相。（2）改善主晶相性能时，尽量避免产生缺位固溶体或填隙固溶体，最好形成连续固溶体。这样弱联系离子少，可避免损耗显著增大。 (3)尽量减少玻璃相。有较多玻璃相时，应采用“中和效应"和“压抑效应"，以降低玻璃相的损耗。 (4）防止产生多晶转变，多晶转变时晶格缺陷多，电性能下降，损耗增加。 (5）注意焙烧气氛。含钛陶瓷不宜在还原气氛中焙烧。烧成过程中升温速度要合适，防止产品急冷急热。 (6)控制好最终烧结温度，使产品“正烧"，防止“生烧"和“过烧"以减少气孔率。此外，在工艺过程中应防止杂质的混入，坯体要致密。

在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中，介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能，往往在配方中引人此易熔物质（如黏土），形成玻璃相，这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大，介质损耗也增大。因面一般高频瓷，如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大，主要的原因是：主晶相结构松散，生成了缺固济体、多品型转变等。高分子材料的损耗高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地，偶极矩在0~0.5D（德拜）范围内的是非极性高聚物；偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗，其介电常数约为2，介质损耗小于10-4；极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗，并且极性愈大，这两个值愈高。

薄膜塑料介电常数测试仪Q合格指示预置功能: 预置范围：5～1000。测试仪正常工作条件a. 环境温度：0℃～+40℃；b．相对湿度：80％；c．电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。薄膜塑料介电常数测试仪1．a．消耗功率：约25W；b．净重：约7kg；c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。1 测量范围及误差 本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30％－80％条件下，应满足下列表中的技术指示要求。 在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF 介质损耗tgd 0～1 ±1.5％tgdx±0.0001 在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）时 测量项目 测量范围 测量误差 电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF 介质损耗tgd 0～0.1 ±1.5％tgdx±0.0001薄膜塑料介电常数测试仪　一些介质在电场极化时也会产生损耗，这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短（约为10-16～10-12s），这在无线电频率（5×1012Hz 以下）范围均可认为是极短的，因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化（例如松弛极化、空间电荷极化等）在外电场作用下，需经过较长时间（10-10s或更长）才达到稳定状态，因此会引起能量的损耗。若外加频率较低，介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化，则不产生极化损耗。若外加频率较高时，介质中的极化跟不上外电场变化，于是产生极化损耗。 [2]3）电离损耗　　电离损耗（又称游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗，这种损耗称为电离损耗。4）结构损耗在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。薄膜塑料介电常数测试仪在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。 薄膜塑料介电常数测试仪紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。整个显示屏共分为四行第一行：左边 信号源频率指示，共6位；右边 信号源虚拟频段指示（1-4）。第二行：左边 调谐电容指示值，4位；右边 电感指示值，4位。第三行：左边 Q值指示值；右边 Q值合格比较状态 。第四行：左边 Q值量程，手动/自动切换指示/调谐点自动搜索指示； 右边上部 Q值量程范围指示；右边下部 Q值调谐光带指示。

产品名称：Cd1-xZnxTe晶体基片产品简介：CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体，改变Zn的组分，其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调，能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的最佳HgCdTe衬底。 产品特点：良好的导电性能；广发可调和直接带隙较高的吸收系数；与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好；温和的热膨胀性； 技术参数：晶体名称Cd 1-x ZnxTe 生长方法Bridgeman结构 立方晶格常数(A)a=6.486密度 ( g/cm3)5.851熔点 (oC)1045热容 (J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0类型P-型组成y=4±0.5%红外透过率60% (2um-25um)腐蚀坑密度1e5X射线摇摆曲线半峰宽30弧秒 产品规格：常规晶向：111 或者211,B面，±0.5度尺寸：15x15mm 15x20mm 20x20mm 20x25mm 25x30mm 30x30mm 厚度1mm。注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

对结晶过程的深入了解和产品的优化需要对结晶过程的一些最关键（最基本）参数做在线测量，数据需要集成进行关联分析。本平台集成了结晶过程优化需要测量的基本的参数包括浓度（过饱和度）、粒度分布、形状（晶习）、晶型、浊度、温度和pH等。系统是开放式的，可集成其它PAT仪器。结晶条件可自动控制（温度和过饱和度的精密自动控制）。结晶器可选择不同尺寸。是产品研发和工艺放大的最佳助手。智能结晶实验平台配置编号产品名称产品简介(a1)2D Vision Probe探头式在线粒形粒度仪l 实时在线测量晶体粒形和粒度分布随时间的变化l 实时观察晶体的出现、晶形转换、无定形的形成、on-set、聚团、破碎等重要现象。对于结晶优化，例如决定加晶种的最佳时间等有帮助。l 可实时在线定量计算粒形和粒度分布(a2)NanoSonic探头式超声粒度仪l 实时在线测量颗粒的粒度分布，5纳米到3毫米。基本上可测到成核粒度，每5秒给出一个粒度分布。还没有其他仪器能够实时在线测量到纳米级l 给出的是真实粒度，不是由弦长推演出来的(a3)TurbidityProbe探头式浊度仪l 实时在线测量浊度，对于判断析晶点等有用(a4)JGM-FTIR探头式在线红外光谱仪l 浓度和过饱和度测量l 可视化形象表征和优化化学反应(a5)JGM-RM探头式在线拉曼光谱仪l 对结构相似的水合物、同分异构体、多晶型和转晶等的原位在线快速检定，及化合物组分的定量分析(a6)Crystal MPB软件l 自主开发的结晶过程模拟软件，模拟晶体粒形和粒度分布随时间和操作条件的变化。可用在线数据验证(a7)注结晶器带冷却装置温度计、pH计l 2升结晶器及配套温控、温度计及pH计(a8)SHAPE图像处理软件l 具有丰富的图像处理功能。可和(a2)在线应用，实时计算粒度分布等，也可离线应用。价格已经包含在(a2)中注：结晶器、冷却装置、温度计、pH计，您可直接购买，也可通过我们购买。可 选 配(b1)3D StereovisionNIl 三维成像

产品名称：SrLaGaO4晶体基片产品简介：具有良好的钙钛矿结构超导体晶格匹配，钛酸锶稳定的结构使其适合低介电常数微波或高频应用技术参数：晶体名称 SrLaGaO4晶体基片成长方法 CZ介电常数 16-20M.P.oC 1600密度g/cm3 4.88粗糙度 5 A晶格失配 YBCO 5.7%结构晶格常数(A)tetragonal a=3.843,c=12.680产品规格：100 001 公差：+/-0.5度 单抛 双抛 10x10x0.5mm 5x5x0.5mm 可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

本系统能够实现对颗粒的形貌和尺寸大小做实时的准确测量，进而加深对过程的了解和实现过程的优化控制及放大。除了固体结晶以外，对其他非固体的领域，例如气泡、泡沫、乳状液、液滴、聚合物、流场等刻画也具有极其广泛的应用前景。它适用于生产中对过程的研究，产品开发及其改进。特别适用于监测、优化和控制高颗粒浓度过程及非透明颗粒的生产过程。技术指标：v 测量范围：几微米到几毫米(与镜头放大倍数、相机等相关)v 测量方式：在线测量晶体形态、平均尺寸、颗粒大小分布v 测量浓度：可高达50%固体颗粒浓度(与颗粒形状相关)v 探头尺寸：长度0.2m、0.3m、2m、2.5m等，直径12mm或20mm，尺寸大小可定制，适用于实验研究和生产过程实时监测。v 工作温度：-20oC ~ 120oC产品特点：v 特殊设计的探头（相机/镜头/光源）可广泛适用于许多困难物系（尤其是非透明颗粒物系及高固体浓度）v 独特的光源设计，可有效防止颗粒沉积/粘结于探头上v 根据不同物系及客户要求，可设计不同方案（包括气体清理系统）v 强大的图像处理功能可实现颗粒多尺度分割，计算颗粒形状参数（主元素分析和傅立叶变换），聚类分析和定量产品/过程控制v 探头具有耐腐蚀性，能够对pH值1~12范围内的样品进行测量

MAG*I*CAL透射电镜校准标样这个独特的MAG*I*CAL透射电镜校准标样直接溯源于硅晶体的晶格常数，它能用来对所有透射电镜进行三项专业的标定和校正： &bull 放大倍率（全范围） &bull 相机常数 &bull 像与衍射花样之间的磁转角 放大倍率校准是电镜中很普遍的校准，因为确定电镜本身显示的或图像上的放大倍率数值是否准确，以及如果不准该如何修正，这是很重要的工作。有了独特的MAG*I*CAL校准标样，你就可以在大约1000x至1,000,000x全范围内对一台透射电镜的放大倍率进行校准。由于样品本身是一个单晶体，它也能用来对相机常数以及像/衍射花样的磁转角进行校准。尽管MAG*I*CAL校准标样是为TEM在材料科学领域应用而研发的，但在生命科学领域也同样有用。 MAG*I*CAL校准的参考标准是一个离子减薄过的硅基半导体多层截面TEM样品。它含有4组由5层10nm厚SiGe合金层和13nm厚纯硅层相间隔组成的结构。分子束外延（MBE）法生长的高质量外延层作为单晶硅001衬底上的应变层。这样的4组交替相间的结构层（超晶格）为TEM成像提供明暗对比，并且是以硅111面晶格间距作为单晶硅衬底上的测量依据通过高分辨透射电镜（HREM）直接校准的，标样上的校准标记直接引用一个自然常数，即硅的晶格常数，这样MAG*I*CAL透射电镜校准标样就可完整追溯到一个自然的基本常数。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。

该仪器通过重建晶体群的3D形状来产生晶体晶面生长动力学，用于结晶过程建模和优化控制，或利用形态学和多维群体粒数衡算模型放大。本产品适用于医药、化工、蛋白质、农药、材料、食品以及石化等领域，运用冷却、抗溶剂、pH值摆幅以及蒸发等技术进行结晶过程中，可实现精准的在线监测、优化、控制和结晶过程放大。它可以用于研究、产品开发和制造中的持续性生产过程的性能改进。技术数据测量范围2μm ~ 1000μm(与镜头放大倍数、相机等相关)测量浓度可高达50%固体颗粒浓度(与颗粒形状相关)测量方式在线测量晶体形态、平均尺寸、颗粒大小分布工作温度范围无特别限制 产品特点 ● 非浸入式设计，对样品毫无损伤● 自动处理多台摄像机得到的二维图像● 生成三维立体图像● 适用于小型反应釜、烧杯及管路等系统● 适用于固体颗粒、液滴及气泡等复杂体系● 能自由设定视频捕捉时间● 自动记录数据，提高工作效率● 实时在线分析图形并给出颗粒粒径分布● 无需取样、稀释及备样● 可针对客户需求特殊设计：粘稠物系、高/低温物系、高压物系等● 强大的图像处理功能：自主知识产权的图像处理软件，具有实用便捷的功能和高级的算法，对于各种像素低、质量差以及在线采集的图片，具有高效的处理方式，可以满足不同的分析要求

本系统可连接浸入或非浸入式光纤探头，对于低频振动检测优势明显。根据比尔定律，可做到化合物的定量分析，对结构相似的水合物或同分异构体等物质快速检定，在结晶过程中，可以鉴别多晶型，实时观察多晶型间转变、无定型向晶型转变。无需制样、直接原位在线测量。主要应用领域：生物科学、制药工程、法医分析、生化分析、农业与食品安全、环境科学等。

产品名称：铝酸锂(LiAlO2)晶体基片产品简介：铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。技术参数： 晶体结构 四方 晶格常数(?) a=5.17 c=6.26 与GaN失配率(001) 1.4% 熔点(℃) 1900 密度(g/cm3) 2.62 硬度(Mohs) 7.5产品规格：常规晶向：100, 001公差：+/-0.5度；常规尺寸：dia2”x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm；抛光情况：细磨、单抛或双抛；注：可按客户需求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： Crystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

NanoSonic超声粒度分布仪，拥有专利技术，是国内先进的粒度分布的测量系统。其软硬件都经过专家独特设计，可以测量在不同悬浮液中颗粒的粒径分布及分散相的体积分数。它适用于在线无损测量，无需对样品进行取样或稀释处理。针对不同的应用，有多种独特设计的探头来满足客户的需求。其主要特点是快速准确、测量范围广。可应用于5nm至3000mm的颗粒粒度的测量。它对于颗粒无特殊要求，透明和不透明的都可以测量。它对溶液也没有特殊要求：水，油和其他有机溶剂都可以测量（对于腐蚀性溶剂，超声探头需特殊设计）。另外，NanoSonic还具有抗噪性好的特点，适用于生产车间等特殊环境。技术指标：v 测量范围：5 nm ~ 3000 mmv 测量方式：在线/离线测量悬浮液颗粒v 测量浓度：≤50% vol/volv 重复性误差：≤±0.5%（标准粒子D50偏差）v 准确性误差：≤±0.5%（标准粒子D50偏差）v 超声频率：35 MHz 和50 MHz 两种产品v 反射式探头：小巧、结构简单v 透射式探头：信号识别强v 流动样品槽设计，仅增加8cm不到的流程v 探管长度在5~70cm，直径15mm或22mm，可根据客户需求个性定制v 探头具有耐腐蚀性，能够对pH值1~12范围内的样品进行测量

在线便携式设备，可连接ATR衰减全反射探头，直接插入高浓度含固体颗粒的浑浊液，结合化学计量学模型，实现有机化合物的在线浓度、过饱和度测量和分子结构测定。可实现常规紫外分光光度计无法到达的效果。主要应用领域：生物科学、制药工程、生化分析、农业与食品安全、环境科学等。技术数据光谱范围200nm ~ 400nm探头工作温度-20℃ ~ 300oC工作压力范围≤69MPa探头材质316不锈钢（也可选用哈氏合金、钛、蒙乃尔合金）探头长度标准长度：305mm各种长度均可定制，适用于实验室和生产探头直径12mm（可定制）产品特点 ● 深度紫外光，可用于吸光度测量● 原位在线浓度和过饱和度测量● 快速、无损，连接ATR光纤探头，无需稀释实现即插即用，原位在线测量● 采用高信噪比光谱仪，准确反应吸收峰的位置和吸收强度● 高性能光学平台，具有较低的电子噪声，紧凑的平台设计，灵敏度高，高性能薄型背照式面阵CCD● 拥有先进的化学计量学建模软件可组合不同预处理及变量选择，形成可定性、定量分析的完整的系统工程的方法

一、结构特征 M3手持式四探针测试仪主机 配ST2253-F01钨针探头测试硅片 配ST2558B-F01薄膜探头测试ITO膜 二、概述2.1基本功能和依据标准： M3手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、高性价比测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等国标并参考美国 A.S.T.M 标准。 2.2配套组成：标准配置由M-3型主机、选配的四探针探头等二部分组成，也可加配测试台当台式机使用。2.3优势特征：1美观适用：彩色流线型手持式面板、带防滑垫，符合人体工程学设计。适合手持式变动场合操作使用，也可以定制小型旅行手提箱包装，便于野外或旅行使用。2高精度：带完善厚度、形状修正功能，测试准确。同行中手持式多为简易程序，没有完整修正功能，无法修正误差。3宽量程：超宽五个档位，相当于中档台式机的量程，同行中手持式多为两到三个档位，测试范围有限，适应性不广。4操作简便、性能稳定：轻触数字化键盘实现参数设定、功能转换，简便而且免除模拟定位器的不稳定易受干扰。5手动/自动一体化：6显示方式美观清晰：由高亮绿色数码和ＬＥＤ数字表头显示，不怕环境背景暗或野外强光；7待机和工作时间长（不小于两天），有大容量可充电锂电池电池供电，环保耐用。2.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》1配高耐磨的碳化钨探针探头，如ST2253-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如ST2558B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜，如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。3配专用箔上涂层探头，如ST2558B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。2.5测试台选配：根据不同材料特性需要，测试台可有多款选配。详情见《四探针测试台型号规格特征选型参照表》四探针法测试固体或薄膜材料选配SZT-A型或SZT-B型（电动）或SZT-C型（快速恒压）测试台。二探针法测试细长棒类材料选配SZT-K型测试台.平行四刀法测试橡塑材料选配SZT-G型测试台。2.6适用范围：手持式使用，仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。 。三、基本技术参数1.测量范围、分辨率电 阻： 0.010Ω～ 50.00kΩ, 分辨率0.001Ω～ 10 Ω电 阻 率： 0.010Ω-cm～ 20.00kΩ-cm， 分辨率0.001Ω～ 10 Ω-cm方块电阻： 0.050Ω/□ ～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001Ω～ 10 Ω/□2.可测材料尺寸手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：直 径：SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm。SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm。.测量方位: 轴向、径向均可. 3.量程划分及误差等级（括号内为拓展量程）量程（Ω-cm/□）2.000（200.0ｍ）20.00（2.000ｍ）200.0（20.00）2.000k（200.0）20.00k（2.000k）电阻测试范围0.010～2.2002.000～22.0020.00～220.00.200～2.200k2.000～50.00k电阻率/方阻0.010/0.050～2.2002.000～22.0020.00～220.00.200～2.200k2.000～20.00k/100.0k基本误差±1%FSB±2LSB±2%FSB±2LSB4)充电器工作电源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或电池供电DC3.7V.5)外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm净 重：≤0.3kg

漆膜介电常数介质损耗因数测试仪δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等漆膜介电常数介质损耗因数测试仪结构松散的离子晶体，如莫来石（3Al2O32SiO2）、董青石（2MgO2Al2O35SiO2）等，其内部有较大的空隙或晶格畸变，含有缺陷和较多的杂质，离子的活动范围扩大。在外电场作用下，晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动，产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子松弛，出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大，由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下，电导损耗占优势：在高频下，主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗：在高频和低温下，主要是结构损耗，其损耗机理目前还不清楚，可能与结构的紧密程度有关。般来说，简单玻璃的损耗是很小的，这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列，结构紧密，没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加，并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后，使离子所在处点阵受到破坏，结构变得松散，离子活动性增大，造成电导损耗和松弛损耗增加。陶瓷材料的损耗漆膜介电常数介质损耗因数测试仪介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。【依据标准】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M功能介绍1.自动停机：试样破坏后，移动横梁自动停止移动（或自动返回初始位置、2.自动换档：根据试验力大小自动切换到适当的量程，以确保测量数据的准确性3.条件模块：试验条件和试样原始数据可以建立自己的标准模块的形式存储；方便用户的调用和查看，节省试验时间4.自动变速：试验过程的位移速度或加载速度可按预先编制、设定的程序自动完成也可手动改变5.自动程制：根据试验要求，用户可方便的建立自己的试验模板（方法、，便于二次调用，可实现试验加载速度、应力、应变的闭环试验控制6.自动保存：试验结束，试验数据和曲线计算机自动保存，杜绝因忘记存盘而引起的数据丢失漆膜介电常数介质损耗因数测试仪若取不同C1进行多次测量后取一个平均值，则测试结果将较为准确。B．自然频率法（此法可获得较准确的结果） a．将被测线圈接在“Lx”接线柱上；b．将微调电容器度盘调至零，调谐电容器度盘调到最大电容值C1； c．调讯号源频率，使回路谐振，该频率为f1；d．取下被测线圈，换上一个能在调谐电容器调节范围内和十倍于f1频率谐振的电感； e．讯号源调到10 f1位置，调节调谐电容器到谐振点；f. 将被测线圈接在“Cx”两端，调节调谐电容器达谐振，此时视电容读数是增加还是减小。若增加，则应将振荡器频率调高些，若减小，则频率调低些；g. 再取下被测线圈，调节主调电容达到谐振；漆膜介电常数介质损耗因数测试仪a．选择要求的测试频率；b. 用一只合格元件或一只辅助线圈调谐主调电容，使Q值读数指示在所需预置Q值位置上；例150，按一下Q值设置键，使显示屏第三行显示“COMP OK”，同时仪器发出鸣叫声，Q值大于150值，液晶屏第三行显示“COMP 150”；再调谐主调电容，使Q值读数指示在所需预置Q值位置上；例170，再按一下Q值设置键，液晶屏第三行显示“COMP 170150”，此时Q合格范围预置功能的设置就结束了；产品的交收检验1. 检验环境要求a．环境温度：20℃±2℃，相对湿度50％； b．供电电源：220V±10V，50Hz±1Hz； c．被检设备要预热30分钟以上。2. 检验设备要求a. 设备应在计量后的有效使用期内；b. 检验设备应按仪器规定预热。3. Q值指示检验a. 检验设备：BQG-2标准线圈一套；b. 把标准Q值线圈接入A/C表电感接线柱上； c．选择标准Q值线圈所规定的检定频率；d．A/C Q表的Q值读数的相对误差应符合二.1.C条中的固有误差之规定。4．调谐电容器准确度检验a. 测试时如发现干扰，应断开内部信号源；b. 设备连接如图六所示，连接线应尽量短，尽可能减小分布电容；1. 谐振点频率自动搜索功能的使用如果你对电感元件无法确定它的数值时，你就可用该功能来帮你寻找出它的谐振频率点。步骤如下：a. 把元件接以接线柱上；b. 主调电容调到约中间位上；c. 按一下频率搜索按键，显示屏左下部显示“SWEEP””，仪器就进入搜索状态。仪器从最低工作频率一直搜索到最高工作频率，如果你的元件谐振点在频率覆盖区间内，搜索结束后，将会自动停在元件的谐振频率点附近。如果临时要退出搜索状态，可再按一次搜索键，仪器会退出搜索操作。 8．谐振点电容自动搜索功能的使用如果你想在已知的频率找出被测量器件的谐振频率点时，你就可用该功能来帮你寻找出它的谐振 点。步骤如下：a．把元件接以接线柱上； b．频率设置为所需的频率；c．按一下电容搜索按键，仪器就进入电容搜索状态，仪器从最小电容一直搜索到最大电容，如果你的元件谐振点在电容覆盖区间内，搜索结束后，主电容将会自动停在元件的谐振频率点附近。如果临时要退出搜索状态，可再按一次搜索键，仪器会退出搜索操作。a. 频率计数器技术要求测量范围：10Hz-1000MHz； 测量误差：1×10-6；测量灵敏度：30mV。d. 测试线要求：高频电缆SYV-50-3；9．频率调谐开关的使用。A/C的频率调谐采用了数码开关，它能辨别使用者的要求，来调节频率变化的速率(频率变化值／ 档)。在你快速调节该开关时，频率变化速率也加快，当你缓慢调节开关时，频率变化速率也慢下来。 因此在调谐时接近所需的频率时，应放缓调节速度，当你调节的频率超出工作频段的频率时，仪器会自动选择低一个或高一个频段工作。