晶体结构

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：碲化镉(CdTe)晶体基片产品简介：碲化镉(CdTe)晶体基片广泛应用于X射线检测；红外光学；外延基片；蒸发源的晶体片等相关领域。技术参数：晶体结构立方 F43m a = 6.483?生长方法：PVT方法熔点(℃) 1047密度(g/cm3)5.851热容(J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0热导率( W /m.kat 300K )6.3透过波长 (μm)0.85 ~ 29.9折射率2.72产品规格：常规晶向：100、001、110、111常规尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1"x0.5mm注：也可提供多晶的，尺寸可按照客户要求加工，请发邮件确定信息。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片产品简介：锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。技术参数： 基本性质晶向100晶体结构立方晶格常数a=10.518?生长方法提拉法熔点1050℃密度7.12g/cm3莫氏硬度5 Mohs透过范围350~5500nm电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03折射率 2.098@ 632.8nm激发光谱 305nm荧光光谱 480~510nm相对光输出 10~14% Nal (Tl)衰减时间 300ns临界能量 10.5Mev能量分辨率(511千电子伏特) 20% 产品规格：可按客户要求定制尺寸标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：砷化铟（InAs）晶体产品简介：技术参数：晶体结构：立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型：N型掺杂类型：不掺杂载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 迁移率：18500cm2/V.S 常规尺寸：常规晶向：100、111；常规尺寸：10x10x0.5mm dia2″x0.5mm 抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注：1000级超净室100级超净袋 Other InAsInSbInP GaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

RTP晶体与电光调制模块RTP晶体有高介电常数和电阻率，高激光损伤阈值，低插入损耗，无潮解，和无振铃效应，很适用于做激光的电光调制，包括:Q开关,普克尔盒Pulse Picker电光快门相位调制器，幅度调制器腔倒空器等RTP是双折射晶体，RTP电光器件通常采用两块几何结构和性能完全一致的晶体，光轴彼此垂直做配对使用。这样的双晶体结构器件可以在-50℃-+70℃环境中稳定工作。同时，由于其低半波调制电压需求，使其更加适用于军用，医疗和工业应用，

产品名称：氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介：氧化锆（ZrO2）由于ZrO2单晶需掺入钇（Y）以稳定其结构， 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好，价格较低因而得以广泛应用。技术参数： 化学分子式 (Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9 晶体结构 立方 晶格常数 a = 5.125 ? 密度 5.8 g / cm3 纯度 99.99% 熔点 2800 oC 热膨胀系数 10.3 x10-6/ oC 介电常数 27 晶体生长方法 弧熔法产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片 技术参数：基本特性 晶体结构 正交 晶格常数 a=5.406 ? b=5.012 ? c=6.379 ? 生长方法 提拉法 密度 4.18 g/cm3 熔点 1600oC 硬度 7.5 颜色和外观 白色到棕色，没有挛晶和包裹物 产品规格：常规晶向：001 、100；常规尺寸：10 x 10 x 0.5 mm；抛光情况：外延抛光基片；单抛或双抛；注：可根据客户需求提供特殊尺寸和晶向标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

产品名称：镓酸钕(NdGaO3)晶体基片产品简介：NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且无结构相变，在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。技术参数： 晶体结构 正交 晶体参数? a=5.43, b=5.50, c=7.71 熔点℃ 1600 密度g/cm3 7.57 介电常数 25 生长方法 提拉法产品规格：001, 110, 100公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x3x0.5mm单抛，Ra5A注：也可根据客户需求定制相应的尺寸和大小标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： LSATLaAlO3MgONdCaAlO4NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4YSZ

产品名称：氟化钙(CaF2)晶体基片产品简介：氟化钙广泛应用于红外窗口，棱镜和透镜技术参数：晶体结构：Cubic晶格常数：5.462熔点(oC)：1418密度(g/cm3)：3.18硬度： 4热膨胀系数(oC-1x 10-6)：18.85折射率：ho 1.43382透过波段 (microns)：0.11 - 12.00透过率： 94% @ 5 m 85% @ 0.2 m色彩离差(hf-hc)： 0.00455温度系数( dh / dt x 10-6 )： -10. 6 @ 0.8 m晶体生长方法： Bridgeman产品规格：常规晶向：100、111；常规尺寸：5x5x0.5mm,10x10x0.5mm,dia1"x0.5mm,dia4"x0.5mm；抛光情况：单抛、双抛；表面粗糙度Ra:5A注：可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： A~Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列 切割机旋转涂层机

产品名称：铝酸锂(LiAlO2)晶体基片产品简介：铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小（1.4%）而成为氮化镓薄膜的优质基片。技术参数： 晶体结构 四方 晶格常数(?) a=5.17 c=6.26 与GaN失配率(001) 1.4% 熔点(℃) 1900 密度(g/cm3) 2.62 硬度(Mohs) 7.5产品规格：常规晶向：100, 001公差：+/-0.5度；常规尺寸：dia2”x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm；抛光情况：细磨、单抛或双抛；注：可按客户需求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： Crystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备

产品名称：钽酸钾(KTaO3)晶体基片技术参数：分子量268.04晶体结构立方,钙钛矿晶格常数a=3.989?生长方法顶部籽晶熔融法熔点～1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6 Mohs热导率0.17 w/m.k @ 300k折射率2.14产品规格：常规晶向：100, 110, 111公差：+/-0.5度常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品： LaAlO3MgOYSZSrLaAlO4切割机RTP快速退火炉基片包装盒系列旋转涂层机

产品名称：钛酸钡(BaTiO3)晶体基片产品简介：钛酸钡(BaTiO3, BTO)是最早发现的钙钛矿型铁电体，然而钛酸钡单晶仍然是当今铁电体和凝聚态物理领域内的研究热点，因为它不仅是基础研究的理想材料，具有适宜基础研究的完整结构和复杂相变过程，而且具有优良的电光与光折变性能，现今又发现能够实现可逆的大场致应变，在高应变驱动器上展现出了强烈的应用前景，同时，通过工程化畴结构的调整，其具有优良的压电性能，这使得钛酸钡单晶同时成为非线性光学器件、压电和高应变领域内的一种优秀的无铅环保型单晶材料。技术参数：晶体结构：四方(4mm): 9oC T 130.5 oCa=3.99 ?, c= 4.04 ? ,生长方法：顶部籽晶溶液法(TSSG)熔点：1600 oC密度：6.02 g/cm3介电常数：ea = 3700, ec = 135 (自由状态)ea = 2400, e c = 60 (夹持状态)折射率： 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681ne 2.4247 2.3630 2.3235透射波长范围：0.45 ~ 6.30 mm电光系数：rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/VrT 42 =1920 ±180 pm/VSPPC 反射率(0度切 )：l = 515 nm, 50 - 70 %(最高达到77%) l = 633 nm, 50 - 80 %(最高达到86.8%)二波混频耦合常数:10 - 40 cm-1吸收损耗: l: 515 nm 633 nm 800 nma: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1产品规格：常规晶向：100、001晶向公差：±0.5度常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列金刚石线切割机旋转图层机

产品名称：铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片产品简介：铝酸锶镧晶体从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变，与高温超导体YBCO具有相同的结构，001面与其它衬底相比与YBCO001具有适中的晶格失配（2.5~3.5%），同时该晶体的热膨胀系数比其它钙钛矿结构的晶体低，可以在较低的温度下沉积薄膜从而改善晶格失配及减少应力。技术参数： 晶体结构 四方 晶胞参数? a=3.756 c=12.636 熔点℃ 1650 密度g/cm3 5.92 介电常数 16.8 生长方法 提拉法产品规格：常规晶向：001, 100 公差：+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室100级超净袋包装 相关产品： Other SrLaAlO4 LaAlO3MgO LSAT基片包装盒系列 NdCaAlO4 NdGaO3 SrTiO3YSZ旋转涂层机

产品名称：EKSMA光学晶体BBO产品型号：BBO产品介绍β-硼酸钡-BBO是一种非线性光学晶体，具有许多独特的特性：宽透明区、宽相位匹配范围、大非线性系数、高损伤阈值。由于其优良的性能，BBO晶体在不同的应用中具有许多优势，如具有fsec脉冲的NOPA、Nd:YAG和Nd:YLF激光器的谐波产生（高达五分之一）、飞秒钛宝石和染料激光器的倍频或三倍频、Type 1和Type 2相位匹配的OPO、Pockels电池的E/O开关等。性能特点l 宽透明度区域l 宽相位匹配范围l 大非线性系数l 高伤害阈值l 宽的热接收带宽l 高光学均匀性技术参数产地：立陶宛平坦度：λ/8@633 nm平行度：＜20弧秒垂直度：5 arcmin角度公差：30 arcmin孔径公差：±0.1 mm表面质量：根据MIL-O-13830A进行10/5刮擦和挖掘净孔径：全孔径的90%化学式：BaB2O4晶体结构：三角形，3米光学对称性：负单轴（none）空间组：R3c密度：3.85 g/cm3莫氏硬度：5光学均匀性：&PartialD n=10-6 cm-1“0”透射率水平下的透明度区域：189–3500 nm1064 nm处的线性吸收系数：0.1%cm-1

产品名称：铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片产品简介：LSAT(La,Sr)(Al,Ta) O3 是一种新的无孪晶钙钛矿晶体。 LSAT与高温超导体及多种氧化物材料有完好的匹配。LSAT的熔点低，用提拉法生长，成本比较低。因此，它有望取代LaAlO3/SrTiO3作为外延氧化物薄膜单晶基片广泛用于巨磁铁电及超导器件。技术参数：化学式：(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体结构：立方： a = 3.868?生长方法：提拉法密度：6.74 g/cm3熔点：1840℃硬度：6.5 Mohs热膨胀系数：10 ×10-6/K介电常数：~ 22颜色及外观：根据退火状况由无色到浅棕色，无孪晶及可见畴 产品规格：常规尺寸：10x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia2″x0.5mm ；基底常规晶向：100、110、111、晶向公差：+/-0.5度表面粗糙度Ra:5A注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： LSATLaAlO3 MgO NdCaAlO4NdGaO3 SrTiO3SrLaAlO4 SrLaGaO4YSZ

产品名称： 硅酸铋(Bi12SiO20)晶体基片产品简介：硅酸铋(Bi12SiO20)晶体基片简称(BSO)是声表面波器件、体声波器件、全息记忆以及电光器件的极好材料. 技术参数：晶向：100,110晶体结构：立方晶格常数：a=10.146?生长方法：提拉法熔点：930℃密度：9.2g/cm3莫氏硬度：4.5 Mohs介电常数：εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5弹性劲度系数( x1011N/m2)：CE11 1.33、CE44 0.25压电应变常数 (C/m2 )：e14 1.01透过范围 (nm)：470~7500电光系数 (x10-12m/V )： r41 5折射率： 2.45 @ 632.8nm折射率梯度 (x10-5/cm )： ≤5 @ 632.8nm旋光性 (mm-1 )： 左边20° @632.8nm透光性 (%)： 69 @632.8nm 产品规格：常规晶向：001、100晶向公差：±0.5°常规尺寸：10x10x0.5mm；25x25x0.5mm； 30x30x0.5mm 50x50x0.5mm；抛光情况：细磨、双抛 注：可以根据客户要求提供特殊的尺寸及方向。 标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：氧化镁(MgO)晶体基片产品简介：氧化镁（MgO）是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。科晶公司用一种特殊的电弧法生长出高纯度的尺寸约2”x2”x 1”的低成本的MgO单晶，采用化学机械抛光制备出高质量原子级表面的基片。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=4.216?生长方法电弧法熔点2850℃密度3.58g/cm3莫氏硬度5.5 Mohs热膨胀系数12.8×10-6/℃介电常数9.8光学透过 90% @ 200 ~ 400 nm 98 % 500 ~ 1000 nm晶体解理面100产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，（111 Ra15A，100和110 Ra5A）注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： LSAT LaAlO3MgO NdCaAlO4 NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4 YSZ

产品名称：铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片产品简介：铝酸镁（尖晶石）单晶广泛应用于声波和微波器件及快速IC外延基片。同时研究发现它是好的III-V族氮化物器件的衬底。MgAl2O4晶体由于很难维持它的单晶结构而难以生长，经过几年的努力，目前科晶公司能够提供世界上质量最优尺寸的MgAl2O4晶体。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=8.085?生长方法提拉法熔点2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度 8 Mohs热膨胀系数7.45×10-6/℃声速6500m/s ,[100]剪切波传播损耗（9GHz)6.5db/us颜色及外观白色透明产品规格：常规晶向：100、110、111公差：+/-0.5度常规尺寸:dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛；表面粗糙度Ra:5A注：可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品: ZnOSiCGaNMgAl2O4 (spinel)LiGaO2Other Al2O3 AlN template 基片包装盒系列等离子清洗机薄膜制备设备

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地美国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品名称：铝酸镧(LaAlO3)晶体基片产品简介：LaAlO3晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。科晶公司是世界上现有铝酸镧单晶最大的生长厂家，每月能生产10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片，能满足全球市场上的各种需求。技术参数：晶向：100、110、111、晶体结构：赝立方晶格常数：a=3.792?生长方法：提拉法熔点：2080℃密度：6.52g/cm3莫氏硬度：6.5 Mohs热膨胀系数：10×10-6/℃介电常数：25损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K颜色及外观：依退火状况而不同，由棕黄色到褐色，抛光基片有自然孪晶畴。化学稳定性：室温下不溶于矿物酸，温度大于150℃时可溶于H3PO4 产品规格：常规尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常规晶向：100、110、111、晶向公差：+/-0.5度抛光情况：单抛或双抛 （110 Ra15A，100和111 Ra5A）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： LSAT LaAlO3GGGNdCaAlO4 YSZSrTiO3SrLaAlO4 NdGaO3Crystal A-Z基片包装盒系列RTP快速退火炉旋转涂层机

产品名称:碳酸钙(CaCO3)晶体基片 产品简介:碳酸钙(CaCo3)又称方解石是一种非单轴晶体，双折射大，光谱传播范围宽，呈一定大小的菱形状，适用于可见和近红外偏振材料。科晶公司严格挑选自然生长的碳酸钙原材料，提供高质量低价格的碳酸钙晶体。 技术参数：晶体结构：三方 a= 4.989 c= 17.062 熔点： 1339 oC 密度：2.71 g/cm3 透过范围：350nm - 2300nm硬度：3 Mohs热膨胀系数：aa = 24.39 x10-6/K ac = 5.68 x10-6/K非单轴 no=na=nb , ne=nc 折射率：no = 1.6557,ne = 1.4852,Dh = -0.1705, r = 6.20o at 0.63 umno = 1.6629, ne = 1.4885, Dh = -0.1744, r = 6.32o at 1.30 um半方程(波长单位mm)：no2= 2.69705 + 0.0192064/( λ 2 –0.01820) – 0.0151624 λ 2ne2 = 2.18438 + 0.0087309/( λ 2 –0.01018) – 0.0024411 λ 2 产品参数：晶体尺寸:10x10x0.5 mm ； 1"x1"x1.0 mm ；2"x2"x1.2 mm 表面质量：20/10； 尺寸公差：± 0.1 mm； 光束偏离： 3 arc min；光轴方向：+/- 0.5o；平面度： l/4 @ 632.8 nm； 发射波前变： l/2 @ 632.8 nm； 增透镀膜： Reflectance 0.5%.表面粗糙度Ra:5A 标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列切割机旋转涂层机

产品名称：铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片产品简介：技术参数：晶体结构：四方晶格常数：a=3.685 c=12.12 生长方法：提拉法熔点：1850℃密度：5.56g/cm3莫氏硬度Mohs热膨胀系数12×10-6/℃介电常数19.5 产品规格：常规尺寸：10 x 10 x 0.5 mm、5x5x0.5mm；常规晶向：001晶向公差：+/-0.5度抛光情况：单抛或双抛 表面粗糙度Ra5A注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： LSAT LaAlO3MgO薄膜制备设备NdCaAlO4 NdGaO3 SrTiO3基片包装盒系列 SrLaAlO4SrLaGaO4 YSZ等离子清洗机

产品名称：三氧化二铝(Al2O3)晶体基片 产品简介：Al2O3单晶（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。 技术参数：晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12.992 ?结晶方向(11-20 ) - a plane: 2.379 ? (1-102) - r plane: 1.740 ? (10-10) - m plane: 1.375 ? (0001) - c plane: 2.165 ? 单晶纯度 99.99% 熔点2040 oC 密度3.98 g/cm3 硬度9 ( mohs)热膨胀7.5 (x10-6/ oC) 热容0.10( cal / oC) 热导46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )介电常数~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis 正切损耗 2x10-5 at A axis , 5 x10-5 at C axis产品规格： C, A, M, R 公差：±0.5度dia3"x0.5mm, dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 可点击链接相关产品：ZnOSiCGaNMgAl2O4 (spinel)LiGaO2Other Al2O3 AlN template 基片、镊子、包装盒系列等离子清洗设备薄膜制备设备

产品名称：（日本料）掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片产品简介：掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构，但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.01 ~ 0.001 wt %之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。科晶提供高质量低成本的掺铌钛酸锶基片。产品参数：晶体结构：Cubic, a=3.905 A 生长方法:Vernuil密度：5.175 g/cm3熔点：2080 ℃硬度：6 ( Mohn)热膨胀系数：10.4 (x10-6/ ℃)电阻率：0.007 ohm-cm for 0.7% doped and 0.08 ohm-cm for 0.1% doped损耗角正切at 10 GHz：~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色和表象：黑色，化学稳定性好不溶于水产品规格：表面抛光：单抛或双抛，Ra 5?；标准方向：100 ± 0.5o ；标准尺寸：10x10x0.5mm, 5x5x0.5 mm.；日本料Nb:SrTiO3可按照客户要求加工备注：等离子清洗器专业清洗（详情请点击） 相关产品：SrTiO3LSATLaAlO3MgO薄膜制备仪硅材料综合测试仪 SrLaAlO4NdCaAlO4NdGaO3YSZ晶片盒等离子清洗/臭氧清洗机

HPGe高纯锗晶体High Purity Germanium Single Crystal – P Type9N,10N,11N,12N,13N 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品名称：三氧化二铝(Al2O3)晶体基片产品简介：Al2O3单晶（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。 技术参数： 晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12.992 ?结晶方向(11-20 ) - a plane: 2.379 ? (1-102) - r plane: 1.740 ?(10-10) - m plane: 1.375 ? (0001) - c plane: 2.165 ? 单晶纯度 99.99% 熔点2040 oC 密度3.98 g/cm3 硬度9 ( mohs)热膨胀7.5 (x10-6/ oC) 热容0.10( cal / oC) 热导46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )介电常数~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis正切损耗 2x10-5 at A axis , 5 x10-5 at C axis产品规格：常规晶向：C, A, M, R 公差：+/-0.2度产品尺寸：dia3"x0.5mm, dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： Crystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备