蓝宝石基板

孚光精仪公司联合德国,俄罗斯和立陶宛合作伙伴历时2年研发的新一代飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机成功问世，将大幅度提高智能手机蓝宝石屏的加工效果和效率，据悉，这一新技术将在10月份向全球推广。这种飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机采用全球领先的工业级飞秒激光，突破飞秒激光成本高，效率低的缺点，革命性地提高蓝宝石划片和切割效果，没有毛刺，没有熔融问题产生。经过评估，这种飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机达到了预定研发目标，具有如下优势：不仅适合蓝宝石划片切割，还适合不同玻璃的加工满足不同形状切割需求高速划片切割，划片速度高达800mm/s光滑切片，粗糙度Ra1微米蓝宝石切片上无碎屑不需要化学蚀刻详情浏览： http://www.f-opt.cn/weinajiagong.htmlEmail: info@felles.cn 或 felleschina@outlook.com Web: www.felles.cn （激光光学精密仪器官网） www.f-opt.cn Tel: 021-51300728, 4006-118-227

供稿 | 文军红蓝宝石，与钻石、祖母绿、金绿猫眼石被列为世界五大名贵宝石，其珍贵价值毋庸置疑。很多人认为宝石好不好主要看品质（重量、颜色、切工等），其实宝石产地也很重要。贵重宝石像红蓝宝石、祖母绿，对产地的要求都很高，那代表的是宝石的血统。比如高级的蓝宝石，公认都是克什米尔蓝宝石。克什米尔产的蓝宝石呈微带紫的靛蓝色，著名的矢车菊蓝宝石就产于此。其次是斯里兰卡的皇家蓝价值高，而斯里兰卡还有cat blue以及俗称卡兰的蓝宝石。绝世「克什米尔」蓝宝石传世「皇家蓝」蓝宝石红宝石产地质地好的是缅甸，它的鸽血红就像动脉的血色，很艳，又浓又亮，特别漂亮，但是颗粒小、杂质多，产量比较少，经常只出现在拍卖会上。莫桑比克红宝石颗粒也不是很大，但净度比较好，颜色也比较纯正。稀世「鸽血红」红宝石跨世「莫桑比克」红宝石如何鉴定红蓝宝石的产地？1追根溯源——红蓝宝石产地鉴定在天然红蓝宝石生长过程中，由于外来物种的侵入或者环境条件的变化,宝石内部会形成包裹体。红蓝宝石因外在形成环境地质条件的不同, 它的包裹体也会呈现不同特征。通过这些特征我们就可以判断某一红宝石或蓝宝石的来源，做出产地鉴定啦著名的星光红蓝宝石，就是因为含针状或纤维状金红石包裹体，而产生美丽的六射星光星光红宝石、蓝宝石斯里兰卡蓝宝石包裹体的天鹅绒效应2共焦显微拉曼技术助力红蓝宝石中包裹体鉴别常规宝石鉴别，主要利用显微镜观察其内部细小包裹体、裂隙、色带以及宝石的表面特征等，结果带有主观性，不可靠、信息量少。近年来，人们多用共焦显微拉曼来研究红蓝宝石包裹体。显微拉曼光谱仪把拉曼光谱仪和光学显微镜耦合在一起，利用显微镜观察包裹体中微小特征的同时，还可以测量观察区域（直径约1微米）的拉曼光谱信号，从而对包裹体的内含物物种做出鉴别。此外也可以利用拉曼成像技术，描绘出一定范围内的样品成分分布。Valentina Palanza等人就利用共焦显微拉曼分析了一系列不同产地蓝宝石的包裹体，以下是一些典型案例：1产自变质岩环境的蓝宝石a 是斯里兰卡出产的蓝宝石（P1标记处的圆形区域内部为其包裹体）b 是包裹体局部放大c-5 为包裹体的拉曼光谱，位于157, 335, 450, 667, 795, 1195 cm-1 处的特征峰归属于包裹体中的水铝石矿物而1285, 1387 cm-1处的特征峰归属于包裹体中的二氧化碳气体。其他几条分别是越南锐钛矿、斯里兰卡的金红石和硫、马达加斯加金红石、马达加斯加方解石。2产自岩浆岩和碱性玄武岩环境的蓝宝石其拉曼光谱结果如下图所示，分别是澳大利亚蓝宝石中的赤铁矿包裹体、坦桑尼亚的金红石和石墨、碱性玄武岩锆石。3产自坦桑尼亚的蓝宝石显微镜下可见蓝宝石表面下几个微米深处的红色包裹体，根据拉曼光谱特征峰可以确认包裹体的成分是赤铁矿(hematite, Fe2O3)。实际研究中，由于包裹体大多位于宝石表面之下一定深度，宝石本体的拉曼信号会掩盖包裹体内含物的信号。HORIBA真共焦拉曼技术，引入可以调节的共焦针孔光阑，构建出共轭光学系统，在纵向上限制了样品范围（可以达到微米量级的纵向分辨率），进行拉曼切片，从而大化了包裹体的拉曼信号，抑制了其他干扰信号，为研究宝石包裹体提供了强有力的工具。XploRA PLUS智能型全自动显微拉曼光谱仪研究这些包裹体,不仅可以帮助鉴别天然红蓝宝石的产地，区分天然宝石与人造宝石，同时还能揭示宝石形成时的物理化学条件、介质成分和性质以及后期成矿活动的特征，从而指导宝石矿的寻找及宝石的合成和优化工作。更多信息请参考：Valentina Palanza, et al. J. Raman Spectrosc. 2008 39: 1007.

11月22日，在位于铜陵的安徽江威精密制造公司，首次采用泡生法工艺生产出60公斤级蓝宝石，填补了安徽省用此项工艺技术生产蓝宝石的空白，向打造安徽省光伏及LED基础新材料产业基地迈出了坚实一步。　　在现场看到，两个刚刚出炉的蓝宝石都是圆柱体,晶莹剔透，没有杂质，直径达230毫米至240毫米，高为350毫米，称重显示两个共计120公斤，达到60公斤级标准。60公斤级蓝宝石是国内最新生产技术，目前国内多为30公斤级产品。这两个蓝宝石可出产合格2英寸棒材3600毫米，加上边角料，现市场售价可达12万元。据了解，蓝宝石是生产LED必备的基础新材料，位于产业源头顶端。同时，还是制造导弹关键材料之一，国外对其产品及生产技术封锁十分严厉，我国民用蓝宝石90%以上依赖进口。近年来，蓝宝石还在高档手表、手机，以及精密发动机轴承等方面得到应用。蓝宝石作为人工合成新材料，其透光率好，硬度达到钻石级，而且耐高温，熔点达2050度，应用前景越来越广泛。　　按照合同，俄罗斯专家还要为该公司生产一炉合格产品，才算完成蓝宝石生产设备的安装调试。马永新给记者算了一笔账，按合同要求，每一炉蓝宝石预计出产合格2英寸棒材1800毫米，现市场售价为每毫米3美元，一炉成材可卖近4万元人民币，边角料用途广泛，高档手机、手表均可使用，售价约为2万元人民币，成本控制得好，基本可以做到保本微利。　　江威公司引进俄罗斯泡生法生产蓝宝石项目，计划一期投资600万元，从俄罗斯进口两台设备进行试生产，待全面掌握生产技术后，再添加设备，达到20台，计划总投资5000万元，年生产2英寸棒材蓝宝石20万毫米。

激光线宽测量。图片来源：《自然光子学》美国耶鲁大学一组研究人员开发出首台芯片级掺钛蓝宝石激光器，这项突破的应用范围涵盖从原子钟到量子计算和光谱传感器。研究结果近日发表在《自然光子学》杂志上。掺钛蓝宝石激光器在20世纪80年代问世，可谓激光领域的一大进步。它成功的关键是用作放大激光能量的材料。掺钛蓝宝石被证明十分强大，因为它提供了比传统半导体激光器更宽的激光发射带宽。这一创新引领了物理学、生物学和化学领域的基础性发现和无数应用。台式掺钛蓝宝石激光器是许多学术和工业实验室的必备设备。然而，这种激光器的大带宽是以相对较高的阈值为代价的，也就是它所需的功率较高。因此，这些激光器价格昂贵，占用大量空间，在很大程度上限制了它们在实验室研究中的使用。研究人员表示，如果不克服这一限制，掺钛蓝宝石激光器仍将仅限于小众客户。将掺钛蓝宝石激光器的性能与芯片的小尺寸相结合，可驱动受功耗或空间大小限制的应用，如原子钟、便携式传感器、可见光通信设备，甚至量子计算芯片。耶鲁大学展示了世界上第一台集成了芯片级光子电路的掺钛蓝宝石激光器，它提供了芯片上迄今看到的最宽增益谱，为许多新的应用铺平了道路。新研究的关键在于激光器的低阈值。传统掺钛蓝宝石激光器的阈值超过100毫瓦，而新系统的阈值约为6.5毫瓦，通过进一步调整，研究人员相信可将阈值降低到1毫瓦。此外，新系统还与广泛用于蓝色LED和激光的氮化镓光电子器件兼容。

上海仪迈仪器科技有限公司于2011年五月份向中国市场推出了一款高端产品: IR180专业型台式折光仪。该产品作为中国国产第一台蓝宝石折光仪, 它不仅造型时尚，性能和技术指标均已达到国际先进水平，并且更加符合我们中国用户的使用习惯。新品上市以来，受到了很多用户的关注，刚刚购买的用户开始使用后，更加称赞这款产品广泛的适用性和操作的方便性。 IR180 的与众不同的适用性在于： • 它是目前市场上唯一的一款能同时提供水浴和半导体两种控温方式的折光仪，适用于多种样品在不同使用条件下的测量。 • 坚硬的蓝宝石棱镜，经得起反复擦拭，即便长期使用也不会损坏或变得模糊，特别适合样品分析工作量大的应用。 • 独创的智能化软件系统，自动跟踪内部测量环境的变化，并及时修正偏差，时刻确保测量的精准。 即使环境条件不尽如人意，用户也不必为测量结果的准确性而担忧。 IR180 专为中国用户打造，操作上自然特别方便于国内用户： • 中文彩色触摸屏， 友好的操作界面，特别是中文输入功能，操作IR180，就如同使用自己手中的手机一样方便。 • 内置多种标准测量方法，特别涵盖了中国国标的测量方法，直接调用方法，直接测出最终结果，简单方便；同时用户还可以自己设定方法，储存于仪表中，一劳永逸。 总而言之，IR180诠释和代表着 ‘仪迈人’ 对“本土精品”的理解。作为‘仪迈人’， 我们为它得到了用户的好评感到由衷的欣慰。感谢所有关注“仪迈科技”的朋友们； 有了你们的支持，“仪迈科技”一定会在“本土精品”的探索之路上越走越好。

孚光精仪公司欧洲工厂采用全球专利一次成型技术的高纯度蓝宝石热电偶保护管成功下线，一期工程年产能力达到50万米，并被德国热电偶制造商批量订购，成为替代刚玉和陶瓷的热电偶保护套管新型材料。蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管能够承受2000摄氏度的高温和3000bar的压力，非常适合环境恶劣的应用，比如化工，化学，石油精炼，玻璃工业等。蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管相比于刚玉热电偶保护管和陶瓷热电偶保护管具有更好的材料稳定性，可用于重油燃烧反应器，冶金等诸多高温领域，是替代刚玉热电偶保护管的理想热电偶保护套管。详情浏览：http://www.f-opt.cn/lanbaoshi/lanbaoshiguan.html蓝宝石热电偶保护管已经取代了无法抵御金属扩散的热电偶陶瓷管，比如，铅玻璃的生产中,Pt热电偶套管会融入玻璃，导致重新生产。目前，蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管已经成功用于如下领域：半导体制造：刚玉蓝宝石套管高达99.995%的纯度保证生产过程无污染。腐蚀环境制造：浓缩或沸腾的矿物酸，高温反应性氧化物。玻璃和陶瓷工业：替代Pt探针，保证无污染仪器制造：微波消解仪，高温反应炉，实验室测试仪器等光学应用：紫外灯，汽车灯重油反应器：石化等领域能源领域：去除NOx 等蓝宝石热电偶由外部密封刚玉保护套管和内部热电偶毛细管组成，又称为蓝宝石热电偶。由于蓝宝石套管,蓝宝石保护套管具有良好的光学透明性和单晶材料的非多孔性，这种蓝宝石套管,蓝宝石保护套管热电偶具有良好的耐高温性，并具有屏蔽环境温度对热电偶影响的能力。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管能够承受2000摄氏度的高温和3000bar的压力，非常适合环境恶劣的应用，比如化工，化学，石油精炼，玻璃工业等。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管保护套管相比于刚玉陶瓷管具有更好的材料稳定性，可用于重油燃烧反应器，冶金等诸多高温领域。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管已经取代了无法抵御金属扩散的陶瓷管，比如，铅玻璃的生产中,Pt热电偶套管会融入玻璃，导致重新生产。目前，蓝宝石套管,蓝宝石保护套管已经成功用于如下领域：半导体制造：刚玉蓝宝石套管高达99.995%的纯度保证生产过程无污染。腐蚀环境制造：浓缩或沸腾的矿物酸，高温反应性氧化物。玻璃和陶瓷工业：替代Pt探针，保证无污染仪器制造：微波消解仪，高温反应炉，实验室测试仪器等光学应用：紫外灯，汽车灯重油反应器：石化等领域能源领域：去除NOx 等

德国欧司朗公司(OSRAM)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明质量和效率。目前，该款LED芯片已经进入试点阶段，在实际条件下接受测试。欧司朗公司表示首批硅晶圆LED芯片有望在两年内投放市场。　　硅晶圆基板芯片与传统材料芯片相比具有明显优点。硅在半导体行业应用广泛，可以满足较大的晶圆直径生产要求，同时硅材料具有更好的热特性和较低廉的价格，因此硅晶圆基板芯片将成为未来LED照明市场更具吸引力和价格优势的选择。此外，该款新型高性能蓝白光LED的各项技术指标也可与传统蓝宝石基板相媲美，经测试蓝光UX:3芯片在3.15V电压下，照明亮度可达634毫瓦，相当于58%的转化效率，是1平方毫米芯片350毫安电流下LED照明获得的较为出色的数值。　　欧司朗公司该项研发活动受到了德国联邦教研部(BMBF)《硅晶圆基板上氮化镓 (GaNonSi)》 项目的资助。

2011年11月29日 14:30-15:30，海洋光学在仪器信息网上成功举办了“微型光纤光谱仪在宝石鉴定中的应用”在线语音研讨会，对此次报名关注的近100名观众，海洋光学致以最诚挚的感谢。本次研讨会主要介绍了基于海洋光学光谱仪进行反射测量的全波长光谱分析仪------GEM-3000珠宝检测仪。通过快速有效地检测数百种珠宝的光谱反射特征曲线，对比标准珠宝谱图来判定珠宝样品是否染色及真伪。相对于传统光谱法检测珠宝，GEM-3000具有检测速度快，可对任意形态任意大小样品做无损检测，长波紫外检测稳定性好的特点，特别适用于珠宝质检机构及珠宝商用于金珍珠、黑珍珠、红珊瑚、钻石、蓝宝石、翡翠等珠宝的真伪鉴定。填补了珠宝行业目前无法无损检测金珍珠和黑珍珠的空白视频回放请点击：http://www.instrument.com.cn/webinar/meeting/meetingInfo.asp?infoID=30512月海洋光学还将以开展分别以太阳能模拟器、拉曼光谱仪、膜厚测量、球\平面光学器件测试系统为主题的在线研讨会，了解最新信息请关注：http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20111202/3683816/如果您想进一步了解光纤光谱仪及其应用，如果你有更好的建议和意见希望和我们分享，请关注我们的论坛：http://bbs.instrument.com.cn/forum_653.htm 总部位于达尼丁,佛罗里达的海洋光学是世界领先的光传感和光谱技术解决方案提供商，为您提供测量和研究光与物质相互作用的先进技术。自1989年以来，已有近200,000台海洋光学的光谱仪被应用于各行各业。海洋光学拥有庞大的产品线，包括光谱仪、传感器、光纤、薄膜和光学元件等等。 更多详情，请点击www.oceanopticschina.cn

随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyoda Gosei)。　　另外台积电透露，公司旗下的LED照明研发中心在2010年底竣工，2011年就将正式进入量产阶段。另外在基板制程方面台积电将采用硅为基础，同时充分利用量产带来的成本优势，而放弃其它LED厂商普遍采用的蓝宝石基板制程，以此生产自有品牌LED光源、光引擎产品。　　尽管业内大多数对明年液晶电视背光的需求普遍看好，但是台积电方面却认为较高的价格将使得2011年该机型的市场份额低于今年，除非LED背光电视价格有大幅的下降，否则其份额将不会达到40%。　　背光液晶电视需求的上涨为LED业界带来了新希望，为了赶上这一班顺风车很多厂商开始积极增加MOCVD设备数量，据悉在大陆MOCVD设备的总量有望达到300台，台湾地区的数量预计也能达到100台。不过厂商们并不寄希望于通过某些设计的改变来降低背光板中使用的LED数量，毕竟这种想法直接导致在LED背光电视出货增长的情况下LED芯片供应量出现吃紧。

韩国SK集团旗下的半导体材料大厂SKC近日宣布，其美国子公司Absolics在佐治亚州投资约2.22亿美元建设的工厂已经竣工，开始批量生产玻璃基板原型产品。业界分析，这标志着全球玻璃基板市场进入关键时刻。目前全球玻璃基板生产企业包括英特尔、SKC、三星电机以及LG Innotek等。与传统树脂复合材料基板相比，玻璃基板不易形变、平整度高、互联密度更大、可提升能效，在高性能计算芯片面积加大的背景下，玻璃基板能够满足未来先进芯片的需求，因此被巨头看好。研究机构The Insight Partners预测，尽管玻璃基板技术尚处于起步阶段，但预计全球市场规模将从今年的2300万美元增长至2034年的42亿美元。SKC玻璃基板原型演示英特尔是最早宣布进军玻璃基板的厂商之一，此前曾表示计划于2026年推出方案，在2028年应用，并已经为此投资约10亿美元，在美国亚利桑那州工厂建立玻璃基板研发线和供应链。AMD也在加快该领域步伐，计划于2025~2026年推出玻璃基板，并与全球元件公司合作，保持领先地位。此外，三星电机将于2025年完成原型试产，并计划于2026年开始量产。与此同时，LG Innotek今年正在组建团队，为进军该市场作准备。

5月12日，御微首台掩模基板缺陷检测产品Halo-100在御微合肥成功发运，并顺利交付国内先进掩模厂。御微半导体官方消息显示，其Halo-100设备是御微“掩模全生命周期质量控制”产品线的第二款产品，以高精度光学系统、高稳定性运动台系统以及高洁净度环控与传输系统为基础，结合御微半导体专有的算法和软件系统，实现了针对掩模基板（blank）缺陷检测的需求，并将掩模检测的应用领域拓展至掩模厂来料检和掩模基板厂全制程控制检。据介绍，在掩模基板厂中，Halo-100设备可以运用在玻璃基板来料检、多层镀膜过程检和成品出货检等环节，助力客户在每个制程节点监测洁净度情况。

近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展。 与采用波长193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，极紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式设计，其结构由大约由40层Mo和Si组成的多层膜构成。在浸没式光刻技术的技术节点上，基板制造和掩模制造已足够成熟，掩模缺陷的密度和尺寸都在可接受的水平。但是在EUV光刻系统中，由于反射率及掩模阴影效应的限制，掩模基板缺陷是影响光刻成像质量、进而导致良率损失的重要因素之一。 基于以上问题，微电子所韦亚一研究员课题组与北京理工大学马旭教授课题组合作，提出了一种基于遗传算法的改进型掩模吸收层图形的优化算法。该算法采用基于光刻图像归一化对数斜率和图形边缘误差为基础的评价函数，采用自适应编码和逐次逼近的修正策略，获得了更高的修正效率和补偿精度。算法的有效应性通过对比不同掩模基板缺陷的矩形接触孔修正前后的光刻空间像进行了测试和评估，结果表明，该方法能有效地抑制掩模基板缺陷的影响，提高光刻成像结果的保真度，并且具有较高的收敛效率和掩模可制造性。 基于本研究成果的论文Compensation of EUV lithography mask blank defect based on an advanced genetic algorithm近期发表在《光学快报》期刊上[Optics Express, Vol. 29, Issue 18, pp. 28872-28885 (2021)，DOI: 10.1364/OE.434787]，微电子所博士生吴睿轩为该文第一作者。微电子所韦亚一研究员为该文通讯作者。此项研究得到国家自然科学基金、国家重点研究开发计划、北京市自然科学基金、中科院的项目资助。图1 (a)优化算法流程 (b)自适应分段策略样例 (c) 自适应分段的合并与分裂 图2 (a)对不同大小的基板缺陷的补偿仿真结果 (b) 对不同位置的基板缺陷的补偿仿真结果 (c) 对复杂图形的基板缺陷的补偿仿真结果 (d) 对不同位置的基板缺陷的补偿、使用不同优化算法，目标函数收敛速度的比较

封装解决方案的玻璃基板逐渐取代传统有机材料，因玻璃比有机材料薄，有更高强度，更耐用可靠及更高连结密度，能将更多的晶体管整合至单一封装。市场消息，英特尔与三星相继推出玻璃基板解决方案后，AMD也要2025~2026年推出玻璃基板芯片。据Wccftech报导，因市场潜在需求，包括英特尔、AMD、三星、LG Innotek等公司均表示有意进行玻璃基板的大量生产。英特尔是最早开发出玻璃基板解决方案的公司，因宣布整合至未来封装。英特尔也计划玻璃基板应用增加小芯片量产，减少碳足迹，还确保更快、更有效率的芯片性能。现阶段，英特尔计划在2026年开始大规模生产玻璃基板。英特尔在美国亚利桑那州建立了一个研究设施。而英特尔之后，下一个大型「潜在」玻璃基板供应商则可能会是韩国三星。目前，三星已经委托旗下的三星电机部门启动玻璃基板，及其在人工智能和其他新兴领域的潜在应用研究。另外，三星还预计将利用旗下显示部门进行相关研究发展，以确保未来在玻璃基板方面能透过协同合作的方式来生产。三星预计2026年开始大规模生产玻璃基板，而首先将于2024年9月先进行一条试产线测试。而就在多家企业准备进入玻璃基板的大量生产阶段情况下，市场消息指出，AMD将会整合市场上的玻璃基板供应商，进一步开始对各玻璃基板样品进行评估测试，以便能在2025~2026年开始进行采用玻璃基板的芯片生产。过去，曾经领先其他公司采用小芯片(Chiplet)设计，并且获得不错成绩的AMD，如今在采用这种先进半导体材料上，似乎走在了其他公司的前面。这对于AMD未来产品发展将会带来什么样的突破性优势，以及将在市场上掀起什么样的风潮，值得持续关注。

摘要：为了减少环境污染、打造绿色经济，高效地利用电力变得越来越重要。电力电子设备是实现这一目标的关键技术，已被广泛用于风力发电、混合动力汽车、LED 照明等领域。这也对电子器件中的散热基板提出了更高的要求，传统的陶瓷基板如 AlN、Al2O3、BeO 等的缺点也日益突出，如较低的理论热导率和较差的力学性能等，严重阻碍了其发展。相比于传统陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于其优异的理论热导率和良好的力学性能而逐渐成为电子器件的主要散热材料。关键词：半导体 陶瓷基板 氮化硅 热导率然而，目前氮化硅陶瓷实际热导率还远远低于理论热导率的值，而且一些高热导率氮化硅陶瓷(＞150 W/(mK))还处于实验室阶段。影响氮化硅陶瓷热导率的因素有晶格氧、晶相、晶界相等，其中氧原子因为在晶格中会发生固溶反应生成硅空位和造成晶格畸变，从而引起声子散射，降低氮化硅陶瓷热导率而成为主要因素。此外，晶型转变和晶轴取向也能在一定程度上影响氮化硅的热导率。如何实现氮化硅陶瓷基板的大规模生产也是一个不小的难题。现阶段，随着制备工艺的不断优化，氮化硅陶瓷实际热导率也在不断提高。为了降低晶格氧含量，首先在原料的选择上降低氧含量，一方面可选用含氧量比较少的 Si 粉作为起始原料，但是要避免在球磨的过程中引入氧杂质 另一方面，选用高纯度的 α-Si3N4 或者 β-Si3N4作为起始原料也能减少氧含量。其次选用适当的烧结助剂也能通过减少氧含量的方式提高热导率。目前使用较多的烧结助剂是 Y2O3-MgO，但是仍不可避免地引入了氧杂质，因此可以选用非氧化物烧结助剂来替换氧化物烧结助剂，如 YF3-MgO、MgF2-Y2O3、Y2Si4N6C-MgO、MgSiN2-YbF3 等在提高热导率方面也取得了非常不错的效果。研究发现通过加入碳来降低氧含量也能达到很好的效果，通过在原料粉体中掺杂一部分碳，使原料粉体在氮化、烧结时处于还原性较强的环境中，从而促进了氧的消除。此外，通过加入晶种和提高烧结温度等方式来促进晶型转变及通过外加磁场等方法使晶粒定向生长，都能在一定程度上提高热导率。为了满足电子器件的尺寸要求，流延成型成为大规模制备氮化硅陶瓷基板的关键技术。本文从影响热导率的主要因素入手，重点介绍了降低晶格氧含量、促进晶型转变及实现晶轴定向生长三种提高实际热导率的方法 然后，指出了流延成型是大规模制备高导热氮化硅陶瓷的关键，并分别从流延浆料的流动性、流延片和浆料的润湿性及稳定性等三方面进行了叙述 概述了目前常用的制备高导热氮化硅陶瓷的烧结工艺现状 最后，对未来氮化硅高导热陶瓷的研究方向进行了展望。关键词：半导体 陶瓷基板 氮化硅 热导率00引言随着集成电路工业的发展，电力电子器件技术正朝着高电压、大电流、大功率密度、小尺寸的方向发展。因此，高效的散热系统是高集成电路必不可少的一部分。这就使得基板材料既需要良好的机械可靠性，又需要较高的热导率。图 1 为电力电子模块基板及其开裂方式。研究人员对高导热系数陶瓷进行了大量的研究，其中具有高热导率的氮化铝(AlN)陶瓷(本征热导率约为320 W/(mK))被广泛用作电子器件的主要陶瓷基材。图 1 电力电子模块基板及其开裂方式但是，AlN 陶瓷的力学性能较差，如弯曲强度为 300～400 MPa，断裂韧性为 3～4 MPam1/2，导致氮化铝基板的使用寿命较短，使得它作为结构基板材料使用受到了限制。另外，Al2O3 陶瓷的理论热导率与实际热导率都很低，不适合应用于大规模集成电路。电子工业迫切希望找到具有良好力学性能的高导热基片材料，图 2 是几种陶瓷基板的强度与热导率的比较，因此，Si3N4 陶瓷成为人们关注的焦点。图 2 几种陶瓷基板的强度与热导率的比较与 AlN 和 Al2O3 陶瓷基板材料相比，Si3N4 具有一系列独特的优势。Si3N4 属于六方晶系，有 α、β 和 γ 三种晶相。Lightfoot 和 Haggerty 根据 Si3N4 结构提出氮化硅的理论热导率在200～300 W/(mK)。Hirosaki 等通过分子动力学的方法计算出 α-Si3N4 和 β-Si3N4 的理论热导率，发现Si3N4 的热导率沿 a 轴和 c 轴具有取向性，其中 α-Si3N4 单晶体沿 a轴和 c轴的理论热导率分别为105 W/(mK)、225W/(mK)；β-Si3N4 单晶体沿a轴和c轴方向的理论热导率分别是 170 W/(mK)、450 W/(mK)。Xiang 等结合密度泛函理论和修正的 Debye-Callaway 模型预测了 γ-Si3N4 陶瓷也具有较高的热导率。同时 Si3N4 具有高强度、高硬度、高电阻率、良好的抗热震性、低介电损耗和低膨胀系数等特点，是一种理想的散热和封装材料。现阶段，将高热导率氮化硅陶瓷用于电子器件的基板材料仍是一大难题。目前，国外只有东芝、京瓷等少数公司能将氮化硅陶瓷基板商用化(如东芝的氮化硅基片(TSN-90)的热导率为 90 W/(mK))。近年来国内的一些研究机构和高校相继有了成果，北京中材人工晶体研究院成功研制出热导率为 80 W/(mK)、抗弯强度为 750 MPa、断裂韧性为 7.5MPam1/2 的 Si3N4 陶瓷基片材料，其已与东芝公司的商用氮化硅产品性能相近。中科院上硅所曾宇平研究员团队成功研制出平均热导率为 95 W/(mK)，最高可达 120 W/(mK)且稳定性良好的氮化硅陶瓷。其尺寸为 120 mm×120 mm，厚度为 0.32 mm，而且外形尺寸能根据实际要求调整。目前我国的商用高导热 Si3N4 陶瓷基片与国外还是存在差距。因此，研发高导热的 Si3N4 陶瓷基片必将促进我国 IGBT(Insula-ted gate bipolar transistor)技术的大跨步发展，为步入新能源等高端领域实现点的突破。近年来氮化硅陶瓷基板材料的实际热导率不断提高，但与理论热导率仍有较大差距。目前，文献报道了提高氮化硅陶瓷热导率的方法，如降低晶格氧含量、促进晶型转变、实现晶粒定向生长等。本文阐述了如何提高氮化硅陶瓷的热导率和实现大规模生产的成型技术，重点概述了国内外高导热氮化硅陶瓷的研究进展。01晶格氧的影响氮化硅的主要传热机制是晶格振动，通过声子来传导热量。晶格振动并非是线性的，晶格间有着一定的耦合作用，声子间会发生碰撞，使声子的平均自由程减小。另外，Si3N4 晶体中的各种缺陷、杂质以及晶粒界面都会引起声子的散射，也等效于声子平均自由程减小，从而降低热导率。图 3 为氮化硅的微观结构。图 3 氮化硅烧结体的典型微观结构研究表明，在诸多晶格缺陷中，晶格氧是影响氮化硅陶瓷热导率的主要缺陷之一。氧原子在烧结的过程中会发生如下的固溶反应:2SiO2→ 2SiSi +4ON+VSi (1)反应中生成了硅空位，并且原子取代会使晶体产生一定的畸变，这些都会引起声子的散射，从而降低 Si3N4 晶体的热导率。Kitayama 等在晶格氧和晶界相两个方面对影响 Si3N4晶体热导率的因素进行了系统的研究，发现 Si3N4晶粒的尺寸会改变上述因素的影响程度，当晶粒尺寸小于 1μm时，晶格氧和晶界相的厚度都会成为影响热导率的主要因素 当晶粒尺寸大于 1μm 时，晶格氧是影响热导率的主要因素。而制备具有高热导率的氮化硅陶瓷，需要其具有大尺寸的晶粒，因此通过降低晶格氧含量来制得高热导率的氮化硅显得尤为关键。下面从原料的选择、烧结助剂的选择和制备过程中碳的还原等方面阐述降低晶格氧含量的有效方法。1.1 原料粉体选择为了降低氮化硅晶格中的氧含量，要先得从原料粉体上降低杂质氧的含量。目前有两种方法:一种是使用低含氧量的 Si 粉为原料，经过 Si 粉的氮化和重烧结两步工艺获得高致密、高导热的 Si3N4 陶瓷。将由 Si 粉和烧结助剂组成的 Si的致密体在氮气气氛中加热到 Si熔点(1414℃)附近的温度，使 Si 氮化后转变为多孔的 Si3N4 烧结体，再将氮化硅烧结体进一步加热到较高温度，使多孔的 Si3N4 烧结成致密的 Si3N4 陶瓷。另外一种是使用氧含量更低的高纯 α-Si3N4 粉进行烧结，或者直接用 β-Si3N4 进行烧结。日本的 Zhou、Zhu等以 Si 粉为原料，经过 SRBSN 工艺制备了一系列热导率超过 150W/(mK)的氮化硅陶瓷。高热导率的主要原因是相比于普通商用 α-Si3N4 粉末，Si 粉经氮化后具有较少的氧含量和杂质。Park 等研究了原料Si 粉的颗粒尺寸对氮化硅陶瓷热导率的影响，发现 Si 颗粒尺寸的减小能使氮化硅孔道变窄，有利于烧结过程中气孔的消除，进而得到致密度高的氮化硅陶瓷。研究表明，当 Si 粉减小到 1μm 后，氮化硅陶瓷的相对密度能达到 98%以上。但是在 SRBSN 这一工艺减小原料颗粒尺寸的过程中容易使原料表面发生氧化，增加了原料中晶格氧的含量。Guo等分别用 Si 粉和 α-Si3N4 为原料进行了对比试验。研究发现，以 Si 粉为原料经过氮化后能得到含氧量较低(0.36%,质量分数)的 Si3N4 粉末，通过无压烧结制得热导率为 66.5W/(mK)的氮化硅陶瓷。而在同样的条件下，以 α-Si3N4 为原料制备的氮化硅陶瓷，其热导率只有 56.8 W/(mK)。用高纯度的 α-Si3N4 粉末为原料，也能制得高热导率的氮化硅陶瓷。Duan 等以 α-Si3N4 为原料，制备了密度、导热系数、抗弯强度、断裂韧性和维氏硬度分别为 3.20 gcm-3 、60 W/(mK)、668 MPa、5.13 MPam1/2 和 15.06 GPa的Si3N4 陶瓷。Kim 等以 α-Si3N4为原料制备了热导率为78.8 W/(mK)的氮化硅陶瓷。刘幸丽等以不同配比的 β-Si3N4/α-Si3N4 粉末为起始原料，制备了热导率为108 W/(mK)、抗弯强度为 626 MPa的氮化硅陶瓷。结果表明:随着 β-Si3N4 粉末含量的增加，β-Si3N4柱状晶粒平均长径比的减小使得晶粒堆积密度减小，柱状晶体积分数相应增加，晶间相含量减少，热导率提高。彭萌萌等研究了粉体种类(β-Si3N4或 α-Si3N4)及 SPS 保温时间对氮化硅陶瓷热导率的影响。研究发现，采用 β-Si3N4粉体制备的氮化硅陶瓷的热导率比采用相同工艺以 α-Si3N4为粉体制备的氮化硅陶瓷高 15% 以上，达到了 105W/(mK)。不同原料制备的Si3N4材料的热导率比较见表1。表 1 不同原料制备的 Si3N4材料的热导率比较综合以上研究可发现，采用 Si 粉为原料制得的样品能达到很高的热导率，但是在研磨的过程中容易发生氧化，而且实验过程繁琐，耗时较长，不利于工业化生产 使用高纯度、低含氧量的 α-Si3N4粉末为原料时，由于原料本身纯度高，能制备出性能优异的氮化硅陶瓷，但是这样会导致成本增加，不利于大规模生产 虽然可以用 β-Si3N4 取代 α-Si3N4为原料，得到高热导率的氮化硅陶瓷，但是 β-Si3N4的棒状晶粒会阻碍晶粒重排，导致烧结物难以致密。1.2 烧结助剂选择Si3N4属于共价化合物，有着很小的自扩散系数，在烧结过程中依靠自身扩散很难形成致密化的晶体结构，因此添加合适的烧结助剂和优化烧结助剂配比能得到高热导率的氮化硅陶瓷。在高温时烧结助剂与Si3N4表面的 SiO2反应形成液相，最后形成晶界相。然而晶界相的热导率只有 0.7～1 W/(mK)，这些晶界相极大地降低了氮化硅的热导率，而且一些氧化物烧结添加剂的引入会导致 Si3N4晶格氧含量增加，也会导致热导率降低。目前氮化硅陶瓷的烧结助剂种类繁多，包括各种稀土氧化物、镁化物、氟化物和它们所组成的复合烧结助剂。稀土元素由于具有很高的氧亲和力而常被用于从 Si3N4晶格中吸附氧。目前比较常用的是镁的氧化物和稀土元素的氧化物组成的混合烧结助剂。Jia 等在氮化硅陶瓷的烧结过程中添加复合烧结助剂 Y2O3-MgO，制备了热导率达到 64.4W/(mK)的氮化硅陶瓷。Go 等同样采用 Y2O3-MgO为烧结助剂，研究了烧结助剂 MgO 的粒度对氮化硅微观结构和热导率的影响。研究发现，加入较粗的 MgO 颗粒会导致烧结过程中液相成分分布不均匀，使富 MgO 区周围的 Si3N4晶粒优先长大，从而导致最终的 Si3N4陶瓷中大颗粒的 Si3N4晶粒的比例增大，热导率提高。然而，加入氧化物烧结助剂会不可避免地引入氧原子，因此为了降低晶格中的氧杂质，可以采用氧化物 + 非氧化物作为烧结助剂。Yang 等以 MgF2-Y2O3为烧结添加剂制备出性能良好的高导热氮化硅陶瓷，发现用 MgF2可以降低烧结过程中液相的粘度，加速颗粒重排，使粉料混合物能够在较低温度(1600℃)和较短时间(3 min)内实现致密化，而且低的液相粘度与高的 Si、N 原子比例有助于 Si3N4 的 α→β 相变和晶粒生长，从而提高 Si3N4 陶瓷的热导率。Hu 等分别以 MgF2-Y2O3和 MgO-Y2O3为烧结助剂进行了对比试验，并探究了烧结助剂的配比对热导率的影响。相比于 MgO-Y2O3，用 MgF2-Y2O3作为烧结助剂时 Si3N4陶瓷热导率提高了 19%，当添加量为 4%MgF2 -5%Y2O3时，能达到最高的热导率。Li 等以 Y2Si4N6C-MgO 代替 Y2O3 -MgO 作为烧结添加剂，通过引入氮和促进二氧化硅的消除，在第二相中形成了较高的氮氧比，导致在致密化的 Si3N4 试样中颗粒增大，晶格氧含量降低，Si3N4 -Si3N4 的连续性增加，使Si3N4 陶瓷的热导率由 92 W/(mK)提高到 120 W/(mK)，提高了 30.4%。为了进一步提高液相中的氮氧比，降低晶格氧含量，通常还采用非氧化物作为烧结助剂。Lee 等研究了氧化物和非氧化物烧结添加剂对 Si3N4 的微观结构、导热系数和力学性能的影响。以 MgSiN2 -YbF3 为烧结添加剂，制备出导热系数为 101.5 W/(mK)、弯曲强度为822～916 MPa 的 Si3N4 陶瓷材料。经研究发现，相比于氧化物烧结添加剂，非氧化物 MgSiN2 和氟化物作为烧结添加剂能降低氮化硅的二次相和晶格氧含量，其中稀土氟化物能与 SiO2 反应生成 SiF4，而SiF4 的蒸发导致晶界相减少，同时也会导致晶界相 SiO2 还原，降低晶格氧含量，进而达到提高热导率的目的。不同烧结助剂制备的氮化硅陶瓷热导率比较见表 2，显微结构如图 4所示。表 2 不同烧结助剂制备的 Si3N4材料的热导率比较图 4 氧化物添加剂(a)MgO-Y2O3 和(d)MgO-Yb2O3、混合添加剂(b)MgSiN2 -Y2O3 和(e)MgSiN3 -Yb2O3 、非氧化物添加剂(c)MgSiN2 -YF3 和(f)Mg-SiN2 -YbF3 的微观结构目前主流的烧结助剂中稀土元素为 Y 和 Yb 的化合物，但是有些稀土元素并不能起到提高致密度的作用。Guo等分别用 ZrO2 -MgO-Y2O3和 Eu2O3 -MgO-Y2O3作为烧结助剂，制得了氮化硅陶瓷，经研究发现 Eu2O3 -MgO-Y2O3的加入反而抑制了氮化硅陶瓷的致密化。综合以上研究发现，相比于氧化物烧结助剂，非氧化物烧结助剂能额外提供氮原子，提高氮氧比，促进晶型转变，还能还原 SiO2 起到降低晶格氧含量、减少晶界相的作用。1.3 碳的还原前面提到的一些能高效降低晶格氧含量的烧结助剂，如Y2Si4N6C和 MgSiN2 等，无法从商业的渠道获得，这就给大规模生产造成了困扰，而且高温热处理也会导致高成本。因此，从工业应用的角度来看，开发简便、廉价的高导热 Si3N4 陶瓷的制备方法具有重要的意义。研究发现，在烧结过程中掺杂一定量的碳能起到还原氧杂质的作用，是一种降低晶格氧含量的有效方法。碳被广泛用作非氧化物陶瓷的烧结添加剂，其主要作用是去除非氧化物粉末表面的氧化物杂质。在此基础上，研究者发现少量碳的加入可以有效地降低 AlN 陶瓷的晶格氧含量，从而提高 AlN 陶瓷的热导率。同样地，在 Si3N4 陶瓷中引入碳也可以降低氧含量，主要是由于在氮化和后烧结过程中，适量的碳会起到非常明显的还原作用，能极大降低 SiO 的分压，增加晶间二次相的 N/O 原子比，从而形成双峰状显微结构，得到晶粒尺寸大、细长的氮化硅颗粒，提高氮化硅陶瓷的热导率。Li 等用 BN/石墨代替 BN 作为粉料底板后，氮化硅陶瓷的热导率提升了 40.7%。研究发现，即使 Si 粉经球磨后含氧量达到了 4.22%，氮化硅陶瓷的热导率依然能到达 121 W/(mK)。其原因主要是石墨具有较强的还原能力，在氮化的过程中通过促进 SiO2 的去除，改变二次相的化学成分，在烧结过程中进一步促进 SiO2 和 Y2Si3O3N4 二次相的消除，从而使产物生成较大的棒状晶粒，降低晶格氧含量，提高 Si3N4 -Si3N4 的连续性。研究表明，虽然掺杂了一部分碳，但是氮化硅的电阻率依然不变，然而最终的产物有很高的质量损失比(25.8%)，增加了原料损失的成本。Li 等发现过量的石墨会与表面的 Si3N4 发生反应，这是导致氮化硅陶瓷具有较高质量损失比的关键因素。于是他们改进了制备工艺，采用两步气压烧结法，用 5%(摩尔分数) 碳掺杂 93%α-Si3N4 -2%Yb2O3 -5%MgO 的粉末混合物作为原料进行烧结实验。结果表明，碳的加入使 Si3N4 陶瓷的热导率从 102 W/(mK)提高到 128 W/(mK)，提高了 25.5%。在第一步烧结过程中，碳热还原过程显著降低了氧含量，增加了晶间二次相的N/O比，在半成品 Si3N4样品中，有Y2Si4O7N2第二相出现，β-Si3N4 含量较高，棒状 β-Si3N4 晶粒较大。在第二步烧结过程中，第二相Y2Si4O7N2与碳反应生成了 YbSi3N5，极大降低了晶格氧含量，得到了较粗的棒状晶粒和更紧密的 Si3N4 -Si3N4 界面，使得 Si3N4 陶瓷的热导率有了显著的提升，所制备的Si3N4 的 SEM 图如图 5 所示。图 5 最后的Si3N4陶瓷样品抛光表面和等离子刻蚀表面的 SEM 显微照片:(a)SN 和(b)SNC 的低倍图像 (c)SN 和(d)SNC 的高倍图像在制备高导热氮化硅陶瓷中加入碳是降低晶格氧含量的有效方法，该方法对原料含氧量和烧结助剂的要求不高，降低了高导热氮化硅陶瓷的制备成本，随着技术的不断改进，有望在工业化生产中得到应用。02晶型转变、晶轴取向的影响2.1 晶型转变对热导率的影响及改进方法β-Si3N4因为结构上更加对称，其热导率要高于 α-Si3N4。在高温烧结氮化硅陶瓷的过程中，原料低温相 α-Si3N4会经过溶解-沉淀机制转变为高温相 β-Si3N4，但是在烧结过程中晶型转变并不完全，未转变的 α-Si3N4会极大地影响氮化硅陶瓷的热导率。为了促进晶型转变，得到更高的 β/(α + β)相比，目前比较常用的方法是:(1)在烧结制度上进行改变，如提高烧结温度和延长烧结时间及后续的热处理等 (2)在α-Si3N4中加入适量的 β-Si3N4棒状晶粒作为晶种。图6为加入晶种后氮化硅陶瓷的双模式组织分布。图 6 加入晶种后 β-Si3N4陶瓷的双模式组织分布Zhou 等探究了不同的烧结时间对氮化硅陶瓷热导率、弯曲强度、断裂韧性的影响。由表 3 可见，随着烧结时间的延长，氮化硅陶瓷的热导率逐渐升高。这主要是由于随着溶解沉淀过程的进行，晶粒不断长大，β-Si3N4含量不断增加，晶格氧含量降低。童文欣等研究了烧结温度对 Si3N4热导率的影响，发现经 1600℃烧结后的样品既含有 α 相又含有 β 相。在烧结温度升至 1700℃及 1800℃后，试样中只存在 β 相。随着烧结温度的升高，样品热导率呈现增加的趋势，可能是晶粒尺寸增大、液相含量降低以及液相在多晶界边缘处形成独立的“玻璃囊”现象所致。表 3 不同烧结时间下Si3N4的性能比较Zhu 等发现在烧结过程中加入 β-Si3N4作为晶种，能得到致密化程度和热导率更高的氮化硅陶瓷。为了进一步促进晶型转变，得到大尺寸的氮化硅晶粒，可以采用 β-Si3N4代替α-Si3N4为起始粉末制备高导热氮化硅陶瓷。梁振华等在原料中加入了 1%(质量分数)的棒状 β-Si3N4颗粒作为晶种，氮化硅陶瓷的热导率达到了 158 W/(mK)。刘幸丽等探究了不同配比的 β-Si3N4/α-Si3N4对氮化硅陶瓷热导率和力学性能的影响，结果表明，当原料中全是 β-Si3N4时氮化硅陶瓷有最高的热导率，达到了108 W/(mK)，但是抗弯强度也降低。综合以上研究发现，适当提高烧结温度和延长烧结时间都能在一定程度上促进晶型转变 加入适量的 β-Si3N4晶种用来促进晶型转变可以在较短的时间内提高 β/(α+β)相比，使晶粒生长更加充分，得到高热导率的氮化硅陶瓷。2.2 晶轴取向对热导率的影响及改进方法由于 c 轴的生长速率大于 a 轴，各向异性生长导致了 β-Si3N4呈棒状，也导致了其物理性质的各向异性。前面叙述了氮化硅晶粒热导率具有各向异性的特征，β-Si3N4单晶体沿a 轴和c 轴的理论热导率分别为170 W/(mK)、450 W/(mK)，因此在成型工艺中采取合适的方法可以实现氮化硅晶粒的定向排列，促进晶粒定向生长。目前能使晶粒定向生长的成型方法有流延成型、热压成型、注浆成型等。在外加强磁场的作用下，氮化硅晶体沿各晶轴具有比较明显的生长差异。这主要是由于氮化硅晶体沿各晶轴方向的磁化率差异，在外加强磁场的作用下，氮化硅晶体会受到力矩的作用，通过旋转一定的角度以便具有最小的磁化能，氮化硅晶粒旋转驱动能量表达式如下:Δχ = χc -χa,b (2) (3)式中:V 是粒子的体积，B 是外加磁场，μ0 是真空中的磁导率，χc 和 χa，b 分别表示氮化硅晶体沿 c 轴和 a，b 轴的磁化率，|Δχ |是晶体沿各晶轴方向的磁化率差值的绝对值。而粒子的热运动能量 U 的表达式为:U=3nN0kB (4)式中:n 是物质粒子的摩尔数，N0 是阿伏伽德罗常数，kB 是玻尔兹曼常数，T 是温度。当 ΔE 大于 U 时，粒子可以被磁场旋转。由图 7 可知，若 c 轴具有较高的磁化率，棒状粒子将与磁场平行排列 若 c 轴的磁化率较低，棒状粒子将垂直于磁场排列。图 7 磁场对晶格中六边形棒状粒子排列的影响示意图:(a)χc ＞ χa,b (b) χc＜χa,b 在弱磁性陶瓷成型过程中引入强磁场，可以制备出具有取向微结构的样品。由于氮化硅晶粒沿各轴的磁化率 χc＜χa,b可以在旋转的水平磁场中通过注浆成型等技术制备具有 c 轴取向的氮化硅陶瓷，制备原理如图 8 所示。图 8 磁场中制备具有晶轴取向的陶瓷杨治刚等用凝胶注模成型取代了传统的注浆成型，在6T 纵向磁场中制备出具有沿 a 轴或 b 轴取向的织构化氮化硅陶瓷，并研究了烧结温度和保温时间对氮化硅陶瓷织构化的影响规律。结果表明，升高烧结温度促进了氮化硅陶瓷织构化，而延长烧结时间对织构化几乎没有影响。Liang 等在使用热压烧结制备氮化硅陶瓷时，发现氮化硅晶粒{0001}有沿 z 轴生长的迹象，有较强的取向性。这有利于制备高导热的氮化硅陶瓷。Zhu 等在 12T 的水平磁场中进行注浆成型，得到热导率为 170 W/(mK)的高导热氮化硅陶瓷。研究发现，在注浆成型的过程中模具以 5 r/min 的转速旋转形成一个旋转磁场，从而导致 β-Si3N4在凝结过程中具有与磁场垂直的 c 轴取向，c 轴取向系数为0.98。图9 为磁场和模具旋转对棒状氮化硅晶粒取向的影响。图 9 磁场和模具旋转对棒状氮化硅晶粒取向的影响现阶段，在大规模生产中很难实现氮化硅晶粒的取向生长，目前文献报道的定向生长的氮化硅陶瓷仅限于实验室阶段，需要通过合适的方法，在工业化生产中实现氮化硅晶粒的取向生长，这对制备高导热氮化硅陶瓷是极具应用前景的。03陶瓷基片制备工艺3.1 成型工艺由于电力电子器件的小型化，对氮化硅陶瓷基板材料的尺寸和厚度有了更加精细的要求，商业用途的氮化硅陶瓷基板的厚度范围是 0.3～0.6 mm。为了实现大规模生产氮化硅陶瓷基板材料，选择一种合适的成型方法显得尤为重要。目前制备氮化硅陶瓷的成型方法很多，如流延成型、热压成型、注浆成型、冷等静压成型等。但是为了同时满足小型化、精细化的尺寸要求和实现氮化硅晶粒的定向生长，流延成型无疑是实现这一目标的关键。图 10 是流延成型工艺的流程图，下面对流延成型制备氮化硅陶瓷基板材料进行叙述。图 10 流延成型工艺流程图流延成型的浆料是决定素坯性能最关键的因素，浆料包括粉体、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和其他添加剂，每一种成分对浆料的性能都有重要影响，并且浆料中的各个组分也会互相产生影响。虽然流延成型相比于其他成型工艺有着独特的优势，但是在实际操作中由于应力的释放机制不同，容易使流延片干燥时出现弯曲、开裂、起皱、厚薄不均匀等现象。为了制备出均匀稳定的流延浆料和干燥后光滑平整的流延片，在保持配方不变的情况下，需要注意浆料的润湿性、稳定性和坯片的厚度等因素。通过流延成型制备氮化硅流延片时，Otsuka 等和Chou 等分别提出了理论液体的流动模型，流延成型过程中流延片厚度 D 与各流延参数的关系如式(5)所示：(5)式中:α 表示湿坯干燥时厚度的收缩系数，浆料的粘度和均匀性对其影响较大 h 和 L 分别表示刮刀刀刃间隙的高度和长度 η 表示浆料的粘度 ΔF 表示料斗内压力，一般由浆料高度决定 v0 表示流延装置和支撑载体的相对速度。为了制备超薄的陶瓷基片，需要在保持浆料的粘度适中和均匀性良好的情况下，适当地调整刮刀间隙和保持浆料的液面高度不变。在有机流延成型中，一般使用共沸混合物作为溶剂，溶解效果更佳，这样就需要保证溶剂对粉体颗粒有很好的润湿性，这与溶剂的表面张力有关，可以用式(6)解释： (6)式中:θ 为润湿角 γsv、γsl、γlv 分别表示固-气、固-液、液-气的表面张力。由式(6)可知，γlv 越小，则 θ 越小，表明润湿性越好。润湿作用如图 11 所示。图 11 润湿作用示意图为了保证流延浆料均匀稳定，需要加入分散剂，其主要作用是使粉体颗粒表面易于润湿，降低粉体颗粒表面势能使之更易分散，并且使颗粒之间的势垒升高，从而使浆料稳定均匀。浆料的稳定性可以通过 DLVO 理论来描述:UT=UA+UR (7)式中:UA 为范德华引力势能 UR 为斥力势能。当 UR大于 UA时，浆料稳定。为了保证浆料的均匀稳定，分散剂的用量也要把控。若用量过多，则产生的粒子很容易粘结，不利于获得珠状颗粒 若用量过少，容易被分散成小液滴，单体不稳定，随着反应的进行，分散的液滴也可能凝结成块。Duan 等先采用流延成型工艺制备了微观结构均匀、相对密度达 56.08%的流延片，然后经过气压烧结得到了相对密度达 99%、热导率为 58 W/(mK)的氮化硅陶瓷。Zhang等采用流延成型工艺和气压烧结工艺制备了热导率为 81W/(mK)的致密氮化硅陶瓷。研究发现分散剂(PE)、粘结剂(PVB)、增塑剂/粘结剂的配比和固载量分别为 1.8%(质量分数)、8%(质量分数)、1.2、33%(体积分数)时能得到最高的热导率。张景贤等先通过流延成型制备 Si 的流延片，然后通过脱脂、氮化、烧结制备出热导率为 76 W/(mK)的氮化硅陶瓷。目前关于流延成型制备的氮化硅陶瓷热导率还不高，远低于文献报道的水平(＞150 W/(mK))，通过改善工艺、优化各组分的配比，制备出均匀稳定、粘度适中、润湿性良好的浆料，是大规模制备高导热氮化硅陶瓷的关键。3.2 烧结工艺目前，制备氮化硅陶瓷的主要烧结方法有气压烧结、反应烧结重烧结、放电等离子烧结、热压烧结等，每种方法各有优劣，下面对一些常用的烧结方法进行简要概述。气压烧结(GPS)能在氮气的氛围中通过加压、加热使氮化硅迅速致密，促进 α→β 晶型的快速转变，有助于提高氮化硅陶瓷的热导率。Li 等以 α-Si3N4为原料，通过两步气压烧结法，制备了高导热的氮化硅陶瓷。先将混合粉末在1 MPa的氮气压力下加热到 1500℃ 烧结 8h，然后在 1900℃下烧结 12h，通过两步气压烧结的反应，极大促进了 α→β-Si3N4的晶型转变，氮化硅陶瓷的热导率达到了128 W/(mK)。Kim 等采用气压烧结的方法在 0.9 MPa 的氮气氛围中加热到 1900 ℃，保温 6h，最后得到的氮化硅陶瓷的热导率为 78.8 W/(mK)。Li 等用 Y2Si4N6C-MgO 为烧结助剂，采用气压烧结方法制备了热导率为 120 W/(mK)的氮化硅陶瓷。放电等离子烧结(SPS)工艺是一种实现压力场、温度场、电场共同作用的试样烧结方式，具有升温速率快、烧结温度低、烧结时间短等优点。Yang 等以 MgF2-Y2O3为烧结添加剂，采用 SPS 工艺制备了热导率为 76 W/(mK)、抗弯强度为 857.6 MPa、硬度为 14.9 GPa、断裂韧性为 7.7 MPam 1/2的Si3N4陶瓷。实验表明，由于外加电场的作用，颗粒之间容易滑动，有利于颗粒间的重排，从而得到大晶粒颗粒，使Si3N4在较低温度下达到较高的致密化。Hu 等通过 SPS工艺，以 MgF2-Y2O3和 MgO-Y2O3为烧结添加剂，制备了热导率为 82.5 W/(mK)、弯曲强度为(911±47) MPa、断裂韧性为(8.47±0.31) MPam1/2的Si3N4陶瓷材料。SPS 工艺还可以解决上文提到的以 β-Si3N4为原料制备氮化硅陶瓷难烧结致密的问题。彭萌萌等采用 SPS 工艺在 1600℃ 下烧结5 min，然后在 1900℃ 下保温 3h，获得了致密的氮化硅陶瓷，其热导率高达 105 W/(mK)。Liu 等以不同配比的β-Si3N4 /α-Si3N4粉末为起始原料，采用 SPS 和热处理工艺成功制得致密度高达 99%的高导热氮化硅陶瓷。烧结反应重烧结(SRBSN)由于是以 Si 粉为原料经过氮化得到多孔的 Si3N4 烧结体，进而再烧结形成致密的氮化硅陶瓷，比一般以商用 α-Si3N4为原料制备的氮化硅陶瓷具有更低的氧含量而受到研究者的青睐。Zhou 等采用 SRBSN工艺制备了热导率高达 177 W/(mK)的 Si3N4 陶瓷。结果表明，通过延长烧结时间，进一步降低晶格氧含量，可以获得更高的导热系数。此外，他们还研究了高导热性 Si3N4陶瓷的断裂行为，发现其具有较高的断裂韧性(11.2 MPam1/2 )。Zhou 等采用 SRBSN 工艺，以Y2O3和 MgO 为添加剂制备了Si3N4陶瓷。研究发现Y2O3 -MgO 添加剂的含量和烧结时间都会影响Si3N4的热导率。当添加剂的含量为 2%Y2O3 -4%MgO 时，在烧结 24 h 后，得到热导率为 156 W/(mK)的Si3N4陶瓷，相比于烧结时间 6h 得到的Si3N4陶瓷(128 W/(mK))，热导率提升了21%。Li 等采用 SRBSN 工艺，以Y2O3-MgO 为烧结助剂制备了热导率高达 121 W/(mK)的 Si3N4 陶瓷。采用其他烧结方式也能制备出高导热的氮化硅陶瓷。Jia 等采用超高压烧结制备出热导率为 64.6 W/(mK)的氮化硅陶瓷。Duan 等以 10%的 TiO2 -MgO 为烧结添加剂，在1780℃下低温无压烧结，制备了热导率为60 W/(mK)的氮化硅陶瓷。Lee 等采用热压烧结工艺制备出热导率为 101.5 W/(mK)的氮化硅陶瓷。综合上述研究可发现，虽然烧结方式不一样，但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时，需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素，因此找到一种快速、简便、低成本的烧结工艺是关键。04结语Si3N4 陶瓷由于其潜在的高导热性能和优异的力学性能，在大功率半导体器件领域越来越受欢迎，有望成为电子器件首选的陶瓷基板材料。但是有诸多限制其热导率的因素，如晶格缺陷、杂质元素、晶格氧含量、晶粒尺寸等，导致氮化硅陶瓷的实际热导率并不高。目前，就如何提高氮化硅的实际热导率从而实现大规模生产还存在一些待解决的问题:(1)原料粉体的颗粒尺寸对制备性能优异的氮化硅陶瓷有着重要影响，但是在减小粉末粒度的同时也会使颗粒表面发生氧化，引入额外的氧杂质，因此需要在减小粒度的同时避免氧杂质的渗入。(2)目前，烧结助剂的非氧化、多功能化成为研究的热点，选用合适的烧结助剂不仅能促进烧结，减少晶界相，还能降低晶格氧含量，促进晶型转变。因此，高效的、多功能的烧结助剂也是重要的研究方向。(3)为了降低晶格氧含量，在制备过程中加入具有还原性的碳能起到不错的效果。故在氮化或烧结中制造还原性的气氛或添加具有还原性的物质是将来研究的热点。(4)实现氮化硅基板的大规模生产，流延成型是一个不错的选择。可是由于有机物的影响，氮化硅基体的致密度不高，而且流延成型的氮化硅晶粒定向生长不明显，如何实现流延片中的氮化硅颗粒定向生长和提升其致密度必将成为研究热点。

主要简介： WPA系列可测量相位差高达3500nm，适合PC等高分子材料，是Photonic lattic公司以其光子晶体制造技术开发的产品，独特的测量技术，高速而又精确的测量能力使其成为不可多得的光学测量产品。 该产品在测量过程中可以对视野范围内样品一次测量，全面掌握应力分布。可测数千nm高相位差分布的机器，最适合用来测量光学薄膜或透明树脂。量化测量结果，二维图表可以更直观的读取数据。 主要特点:操作简单，测量速度可以快到3秒。采用ＣＣＤ Camera，视野范围内可一次测量，测量范围广。测量数据是二维分布图像，可以更直观的读取数据。具有多种分析功能和测量结果的比较。维护简单，不含旋转光学滤片的机构。可测样品尺寸更大。主要应用： 光学零件（镜片、薄膜、导光板） 透明成型品（车载透明零件、食用品容器） 透明树脂材料（PET PVA COP ACRYL PC PMMA APEL COC） 透明基板（玻璃、石英、蓝宝石、单结晶钻石） 有机材料（球晶、FishEve） 技术参数：项次项目具体参数1输出项目相位差【nm】，轴方向【°】，相位差与应力换算（选配）【MPa】2测量波长520nm、543nm、575nm3双折射测量范围0-3500nm4测量最小分辨率0.001nm5测量重复精度1nm（西格玛）6视野尺寸33x40mm-240×320mm（标准）7选配镜头视野3×4-12.9×17.2mm8选配功能实时解析软件，镜片解析软件，数据处理软件，实现外部控制测量案例： 创新点：操作简单，测量速度可以快到3秒。采用ＣＣＤ Camera，视野范围内可一次测量，测量范围广。测量数据是二维分布图像，可以更直观的读取数据。具有多种分析功能和测量结果的比较。维护简单，不含旋转光学滤片的机构。可测样品尺寸更大。PHL残余应力测量仪

国知局消息显示，TCL华星光电技术有限公司“光刻机及电路基板的制备方法”专利公布，申请公布日为6月15日，申请公布号为CN116243564A。图片来源：国知局专利摘要显示，本申请实施例公开了一种光刻机，本申请实施例的光刻机采用在掩模板设置位(第二设置位)的出光侧设置投影透镜组，投影透镜组包括第一透镜单元和第二透镜单元，所述第一透镜单元对入射光线的收敛角度大于所述第二透镜单元对所述入射光线的收敛角度。采用投影透镜组对掩模板上的图案进行光线收敛，进而在基板上形成比掩模板上的图案更小的图案，进而达到采用常规掩模板实现精密制程的效果。另外，本实施例采用第一透镜单元用于形成集成电路，第二透镜单元用于形成非集成电路，提高了制程的工作效率以及制程的适应性。据悉，本申请实施例提供一种光刻机，可以减低掩模板的制作难度，同时可以实现更精密的集成电路制作。

PA系列是日本Photonic lattice公司倾力打造的双折射/应力测量仪，PA系列测量双折射测量范围达0-130nm，可以测量的样品范围从几个毫米到近500毫米。PA系列双折射测量仪以其技术的光子晶体偏光阵列片，独有的双折射算法设计制造，得到每片样品仅需几秒钟的测量能力，使其成为业内，特别是工业界双折射测量/应力测量的选择。 PA-300 主要特点：操作简单，测量速度可以快到3秒。视野范围内可一次测量，测量范围广。更直观的全面读取数据，无遗漏数据点。具有多种分析功能和测量结果的比较。维护简单，不含旋转光学滤片的机构。高达2056x2464像素的偏振相机。 应用领域：光学镜片智能手机玻璃基板碳化硅，蓝宝石等 技术参数：项次项目 具体参数1输出项目相位差【nm】，轴方向【°】，相位差与应力换算（选配）【MPa】2测量波长520nm3双折射测量范围0-130nm4测量最小分辨率0.001nm5测量重复精度1nm（西格玛）6视野尺寸27x36mm到99x132mm（标准）7选配镜头视野低至7x8.4（扩束镜头）8选配功能实时解析软件，镜片解析软件，数据处理软件，实现外部控制 测量案例：创新点：操作简单，测量速度可以快到3秒。视野范围内可一次测量，测量范围广。更直观的全面读取数据，无遗漏数据点。具有多种分析功能和测量结果的比较。维护简单，不含旋转光学滤片的机构。高达2056x2464像素的偏振相机。PA系列双折射测量仪

质谱分析是通过对待测样品进行电子束、激光等方法照射，使待测样品的原子、分子发生离子化，通过测定质荷比，对待测样品中包含原子、分子的种类、数量、分子结构等进行精密分析的方法。 回顾质谱分析技术的发展历史，不难看到，新的离子化法不断创造着质谱发展的新趋势，让横跨100多年的质谱技术研究，一直充满着活力。具有跨时代意义的离子化方法的诞生，也与质谱分析飞跃性的进步，甚至是业界的繁荣息息相关。 例如基质辅助激光解吸电离法（Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization，即MALDI）自上世界80年代末问世以来，将质谱应用提升了一个新台阶，成为目前生物质谱领域研究必不可少的工具，也是当下的一个热门关注点。质谱分析结构示意MALDI法是将能吸收激光能量的低分子有机化合物（下称Matrix）与待测样品混合，通过激光照射，对待测样品进行离子化的方法。在质量分析的同时，可实现对待测样品的成分、分布状态进行图像化的质谱成像。 不过想利用MALDI法进行质谱成像，在与Matrix（有机化合物）的调和、涂布、干燥的前处理的阶段，大概要耗时30分钟，且需要将Matrix在待测样品上均匀涂布。前处理显得十分费时费力。 滨松在5月推出了新研的离子化辅助基板DIUTHAME（Desorption Ionization Using Through Hole Alumina Membrane，是的它的名字hin长̷叫它“丢森”好了~）。这个小东西是利用200nm左右多孔氧化铝（贯穿的、细小的孔呈规则状打开的氧化铝）开发的，面向质谱成像分析的离子化辅助基板。其最大的特点，就是能够大幅缩减质谱成像分析时，待测样品进行离子化所需的前处理时间（仅需3分钟左右），且操作简单。 将待测样品加载到DIUTHAME上，利用毛细血管现象（在细管内侧，液体从管子中上升的现象），使待测样品的分子上升到表面，通过激光照射使其离子化而不破坏分子结构，实现在不使用Matrix的情况下，进行质谱成像分析。MALDI法使用DIUTHAME进行离子化 DIUTHAME是由滨松与日本光产业创成大学院大学的内藤康秀副教授共同研制的。一经面世，就收到了较大关注，并常常被用于和MALDI以及SALDI法的比较。那到底是出于什么样的原因开发了这个产品？除了大大缩短前处理时间外， 相对于MALDI法DIUTHAME在质谱成像分析中还有哪些优势？为何说DIUTHAME是质谱成像分析离子化的新方法？内藤副教授从开发者的角度，为我们进行了解读。 内藤康秀副教授问：DIUTHAME在质谱成像分析中还有哪些优势？解决了MALDI法中的什么问题？ 在开发DIUTHAME前，我一直致力于质谱成像分析分辨率的提高。虽然希望通过提高设备分辨率来实现高分辨率的目标，但这个方法也是有极限的。 为什么这么说呢？因为在质谱成像分析中，以往普遍采用的离子化方法为“基质辅助激光解吸电离法（Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization，即MALDI）”。而无论怎么提高设备的空间分辨率，分辨率都无法超过Matrix结晶的尺寸。若要实现质谱成像分析的高分辨率，必须要摆脱对使用Matirx的离子化方法的依赖。而DIUTHAME的诞生，就打破了这一点的限制。 DIUTHAME的开发一开始就是以质谱成像分析为目标应用，它并不需要与Matrix的调和、涂布、干燥的前处理。在提高操作便利性（3分钟左右可完成前处理）的同时，其高质量的数据，有望取得良好的重现性。 另外，使用MALDI法进行离子化时，也会出现因待测样品成分的性质原因，而难以与Matrix共同结晶的情况；以及待测样品中包含盐、添加剂等杂质的浓度过高时，阻碍Matrix结晶的情况。在这样的情况中，使用DIUTHAME则不会有这样的困扰，能够获得很好的效果。 DIUTHAME还可对工业材料、兴奋剂禁药等MALDI法无法测定的小分子进行高精度的测量。 问：明明和SALDI的原理类似， 为何说DIUTHAME是一种新的方法？ 目前有一种叫表面辅助激光解吸电离（SALDI）的离子化方法，它与DIUTHAME作用原理相同，市场上也有多类SALDI基板的商品。但是，目前市场上的SALDI基板并没有通孔的结构，在质谱成像分析中并不适用。在此意义上，使用DIUTHAME可以说是不同于SALDI的新型离子化办法。 将在DIUTHAME的哪些性能上进行继续开发？ 多数的生物分子是通过质子化来生成离子的，针对这些待测样品，DIUTHAME的灵敏度并不如MALDI法。这是因为，MALDI中的Matrix可以给样品分子提供质子，而DIUTHAME却没有该项作用。 想拥有更广泛的应用，这个小家伙就必须具备更高的灵敏度。因此，我们也会对它的性能进行持续的开发。此外，DIUTHAME的工作原理之谜仍未完全解开，而在继续研究摸索的同时，我们也希望能够不断地提高它的灵敏度。滨松致力于光电技术探索60余年，在质谱探测器的研究也已有40余年的历史，可为质谱应提供MCP、EM、离子化光源等产品。除了DIUTHAME，2018年滨松还推出了一系列应用于质谱的新品，并在2018年ASMS中有所展示（包括在研品），如可解决小质谱低真空问题的三级结构的GEN3 MCP、适用于TOF-MS的MCP+AD、适用于Q-MS\IT-MS的管道型EM等等。滨松希望通过探测技术的原始创新，从最底层技术出发，稳定而坚实地推动最终质谱应用的发展。

&ldquo 平板显示玻璃技术和装备国家工程实验室&rdquo 近日正式成立。作为我国第一家玻璃基板国家级工程实验室，其总估算投资1.75亿元，承担单位为东旭集团有限公司，合作单位为北京工业大学、石家庄旭新光电科技有限公司。　　据介绍，这是东旭集团迈出打造光电显示旗舰的重要一步，将进一步完善企业的工艺技术研究、产品开发、工业性模拟试验、应用技术以及产品试验等创新手段。其背后更重要的意义在于国家牵头布局，打造我国先进的基础研究、设计、开发、生产、应用及检测等技术平台，以打破国外垄断，促进国内信息产业的可持续发展。　　我国目前正处于信息化高度发展的时代，作为国家重点培育和支持发展的战略性新兴产业，平板显示产业快速壮大，带动了上游产品玻璃基板需求的高速增长。但值得注意的是，我国实际从事玻璃基板生产的企业比较少，玻璃基板多依赖进口，技术和设备制造完全被美国康宁等国外四家公司垄断，他们限制技术外流、设置专利壁垒，独享高额利润。　　&ldquo 近些年东旭集团坚持自主创新，在平板显示玻璃技术和装备重大项目研发方面取得了诸多突破，填补了国内液晶玻璃产业空白，走出了一条从技术研发到产业化，再到规模化的不断创新发展之路。&rdquo 东旭集团总裁李青说。

近日，研究人员在Nature Communications发表相关论文，提出了一种方法来实现AFM大面积高分辨率的成像。在显微镜中，分辨率和视野通常是互相矛盾的。以原子力显微镜（AFM）为例，悬臂探针在扫描基板时，在局部力的影响下会发生偏转，因此高分辨率成像很大程度上会局限于小区域。尽管原子力显微镜在材料科学、生物学和表面科学等领域产生了巨大的影响，但成像领域的局限性仍然是研究复杂层次结构样品的关键障碍。针对于此，研究人员通过结合无悬臂梁探针结构和用于检测探针-样品接触的可伸缩光学方法，证明了具有1000个探针的大规模平行AFM是可能的。具体而言，发现相对柔顺薄膜上的光学反射锥形探针包含分布式光学杠杆，该杠杆将探针运动转换为提供低于10 nm垂直精度的光信号。这种方法的可扩展性使得它非常适合需要大面积高分辨率的成像应用。原子力显微镜（AFM）自1986年发明以来，已成为获取微纳米尺度表面形貌和功能特性信息的主要方法。为了检测尖端和基底之间的微小力，AFM通常使用在局部力的影响下偏转的微悬臂，产生可以使用光学杠杆检测到的运动。然而，由于基于探针的成像的串行性，只能以较小的视场为代价来获得更高的空间分辨率。目前正在努力解决这一挑战，包括设计具有更高带宽的探测器，以及采用诸如IBM千足虫之类的探测器阵列。然而，现代成像阵列只有30个探头，突出了有效并行悬臂梁传感的困难。虽然AFM界对探针阵列的采用受到限制，但是探针阵列被广泛用于扫描探针光刻（SPL），或者通过机械变形、阳极氧化和直接材料沉积等多种方式使用纳米级物理探针来定义图案的过程。为了解决串行图形固有的有限吞吐量，研究人员探索了一种无悬臂梁结构，其中探针阵列位于刚性表面上的顺应膜上。虽然这种结构赋予了探针所需的柔顺性探针-样品接触和可扩展性提供多达数百万探头，但悬臂梁提供的力感应能力丧失。如果这种无悬臂梁的探针阵列能够被修改以实现探针-样品接触的并行检测，那么它们就可以提供一种大规模并行化AFM的方法，并且可以革命性地增加这种有影响力的成像工具系列的吞吐量。a.实验装置侧视图，探针-样品接触导致弹性体薄膜变形。b.通过蓝宝石晶圆观察弹性薄膜变形时的光学对比度图示。反射光强度I随位置变化x而变化。探针运动的光学特征称为分布光学杠杆。c.用于实现用于成像的探针阵列的微加工工艺，涉及蓝宝石晶片、聚二甲基硅氧烷（PDMS）背衬层、刚性聚合物探针和铝反射涂层。探针阵列的扫描电子显微镜（SEM）图像和比例尺分别为60µm和3µm的阵列d和单个探针e的图像。科研人员在成果中展示了由无悬臂结构中的探针阵列实现的大规模并行原子力显微镜，这些探针通过被称之为分布式光学杠杆的可伸缩光学机制提供局部形貌信息。通过建立分布式光学杠杆的模型，利用配位力和光学显微镜对其进行系统的研究，研究人员发现光学对比度在力和变形方面呈线性关系，能够提供低于10 nm的垂直精度。基于这种结构和成像机制的探针阵列，研究人员同时在阵列中使用1088个探针成像，并以100纳米横向分辨率和9纳米垂直精度在0.5毫米范围内绘制样本高度。该系统的高通量特性使其在高分辨率大面积的领域具有重要的应用前景，如集成电路计量、光学亚表面表征和生物组织的多尺度研究。通过设计分布式光学杠杆来测量每个探针的变形，科研人员证明了扫描探针可以并行化，从而提高AFM成像的吞吐量。在最初的演示中，1088个探针被并行使用，以纳米级分辨率成像5毫米宽的表面。由于其结构简单且与现有的光刻系统兼容，这些探针阵列可以作为独立的成像工具或作为大规模并行光刻系统的补充，以实现纳米组合实验中的同时光刻和成像。并行化在增加成像带宽的同时，也加强了这种方法的主要局限性，即探头无法独立移动以调节探头-样本力或容纳非常高的特征。在这里讨论的探针阵列中，这将对样品平面度和垂直范围施加限制。然而，值得强调的是，显示无悬臂梁阵列不必是被动的，因为扫描探针光刻实验表明，这种阵列可以使用光、热或气动系统进行独立调制，这可能为克服并行化带来的挑战提供了一条途径。有趣的是，亚波长光阑阵列与无悬臂梁结构相结合，实现了无衍射光刻。如果目前的CF-AFM方法可以与这种孔径阵列结合使用，它就有可能实现大规模并行扫描近场光学显微镜（SNOM）。因此，这种成像方法为从组织工程到光学超表面和集成电路的检测等多种应用的表面形貌的快速和高分辨率查询打开了大门。原文链接：https://www.nature.com/articles/s41467-020-20612-3

滨松公司新开发了使用多孔氧化铝制作的辅助离子化基板DIUTHAME（Desorption Ionization Using Through Hole Alumina MEmbrane），大幅缩减质谱成像分析时待测样品进行离子化所需的前期处理的时间。只要将本产品放置在待测样品上，就能完成质量分析的前期处理，与目前主要的离子化方法之一基质辅助激光解析电离（Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization、下面简称MALDI）方法相比，它将前期处理时间缩短到十分之一。因此可以用在市场上已有的MALDI-TOF-MS设备，主要面向目前正在使用MALDI-TOF-MS设备的制药、工业领域的国内外企业以及大学研究人员。该产品将于2018年5月11日（星期五）面世。本产品由滨松公司和光产业创成大学院大学的内藤康秀副教授共同研发，将于5月15日（星期二）到5月18日（星期五）为止为期4天，在阪急酒店（大阪府吹田市）举办“日本质量分析学会暨日本蛋白质组学会2018年联合大会”上展出。※多孔氧化铝：细小的规则排布的氧化铝通孔。※TOF-MS：飞行时间质谱。按照离子的飞行时间来测定质量的质量分析方法。 关于质量分析质量分析是通过对待测样品进行电子束、激光等照射方法，使待测样品的原子、分子发生离子化，通过对质量的测定，对待测样品中包含原子、分子的种类、数量、分子结构等进行精密分析的方法。质谱仪由将待测样品离子化的离子化部分、分离离子的离子分离部分、分离后的离子探测部分等组成，针对待测样品结合各种离子化方法、离子分离法，广泛应用于环境、食品、化学、法医学、生命科学等领域。质量分析结构研发背景MALDI是将能吸收激光能量的低分子有机化合物（下面称matrix）与待测样品混合，通过激光照射，对待测样品进行离子化的方法。并且，因为它不破坏蛋白质等大分子结构就可以进行离子化，通过同时得到的离子质量和位置信息，实现对待测样品的成分、分布状态进行质谱成像分析，尤其是在生命科学领域和制药领域，应用预计会不断扩大。但是，利用MALDI进行的质谱成像，与Matrix的混和、涂抹、到干燥的前期处理的过程大概需要30分钟，而且它需要在待测样品上均匀的涂抹Matrix，所以想要寻找不需要采用Matrix的离子化方法。 产品概要本产品采用的是利用单独孔径直径为200nm左右（纳米，10亿分之1）的多孔氧化铝，是面向质谱成像的离子化辅助基板。将本产品放置到待测样品上，利用毛细管现象，将待测样品的分子上升到表面，通过激光照射分子使之离子化，不会破坏分子结构，在不使用Matrix的情况下，实现质谱成像。另外，除了提供有效直径为17mm的产品外，还研发了不需要获得位置信息的有效直径为2mm的产品，该产品面向一般的质量分析。多孔氧化铝具有铝着色等用途，所以采用它作为离子化的辅助基板的部分材料，而成功研发了本产品。※毛细管现象：在细管内侧，液体从管子中上升的现象。MALDI采用DIUTHAME的激光离子化法 MALDI是对混合了基质的待测样品进行激光照射使之离子化的方法。采用DIUTHAME的激光离子化方法是利用多孔氧化铝的毛细管现象，对基板表面上升的待测样品的分子进行激光照射，使之离子化。本产品只要放在待测样品上，就能完成前期处理，在无需处理待测样品的情况下，待测的液体样品的分子会自动上升到产品表面，所以不需要向MALDI一样将基质均匀的涂在待测样品表面的过程。放置后3分钟左右就可以完成质谱成像分析的前期处理，不需要熟练的基质涂抹技术，且能得到重现性高的测定结果。此外，在对小分子样品进行质谱分析时，与待测样品一起离子化的Matrix是不能使用的，因此，MALDI中所不能测定的小分子，在使用本产品是也能进行准确的测量。本产品可以用在既有的MALDI-TOF-MS设备上，可以提高目前正在使用MALDI-TOF-MS的制药领域和工业领域的研发效率。今后，我们仍会在产品的结构设计上继续钻研，开发离子化效率更高用途更广泛的产品。本产品的特点１、将质谱成像分析的前期处理时间缩短为十分之一因只要将本产品放在待测样品上就可以完成质谱成像分析的前期处理工程，将原本MALDI需要30分钟处理时间缩短为3分钟左右。２、实现高质量的质谱成像分析只要将本产品放在待测样品上就可以完成质谱成像分析的前期处理，不需要像MALDI中需要熟练地将基质均匀涂抹。因此，不会出现前期处理中随机误差，以及获得比MALDI的质谱成像更高的重现性。３、高精度测量低分子本产品不使用像MALDI与待测样品一起离子化的小分子基质，因此，它可对工业材料、兴奋剂禁药等的MALDI无法测定低分子进行高精度的测量。主要规格离子化辅助基板DIUTHAME系列

滨松多孔氧化铝制作的辅助离子化基板DIUTHAME（Desorption Ionization Using Through Hole Alumina MEmbrane），可大幅缩减质谱成像分析时待测样品进行离子化所需的前期处理的时间。只要将本产品放置在待测样品上，就能完成质量分析的前期处理，与目前主要的离子化方法之一基质辅助激光解析电离（Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization、下面简称MALDI）方法相比，它将前期处理时间缩短到十分之一。因此可以用在市场上已有的MALDI-TOF-MS设备，主要面向目前正在使用MALDI-TOF-MS设备的制药、工业领域的国内外企业以及大学研究人员。特点１、将质谱成像分析的前期处理时间缩短为十分之一因只要将本产品放在待测样品上就可以完成质谱成像分析的前期处理工程，将原本MALDI需要30分钟处理时间缩短为3分钟左右。２、实现高质量的质谱成像分析只要将本产品放在待测样品上就可以完成质谱成像分析的前期处理，不需要像MALDI中需要熟练地将基质均匀涂抹。因此，不会出现前期处理中随机误差，以及获得比MALDI的质谱成像更高的重现性。３、高精度测量低分子本产品不使用像MALDI与待测样品一起离子化的小分子基质，因此，它可对工业材料、兴奋剂禁药等的MALDI无法测定低分子进行高精度的测量。主要规格创新点：滨松多孔氧化铝制作的辅助离子化基板DIUTHAME（Desorption Ionization Using Through Hole Alumina MEmbrane），可大幅缩减质谱成像分析时待测样品进行离子化所需的前期处理的时间。只要将本产品放置在待测样品上，就能完成质量分析的前期处理，与目前主要的离子化方法之一基质辅助激光解析电离方法相比，它将前期处理时间缩短到十分之一。因此可以用在市场上已有的MALDI-TOF-MS设备，主要面向目前正在使用MALDI-TOF-MS设备的制药、工业领域的国内外企业以及大学研究人员。滨松辅助离子化基板DIUTHAME

“2017中国（深圳）国际触摸屏与显示展览会”于2017年11月26日下午3点圆满结束。本次展会，量拓科技针对触摸屏&平板显示领域，包括镀膜、线性偏光膜、相位膜以及圆偏光膜的检测与监控，为客户提供了更加专业的质量监控解决方案与服务。展会聚焦触控技术，结合TFT，LTPS，OLED，AMOLED等多种光电显示技术，涵盖蓝宝石、高功能材料、金属手机外壳等周边产业生态圈。展会期间推出的偏光膜检测仪受到众多新老客户的青睐，为观众介绍产品，以及工作原理，让观众能够更了解与应用椭偏技术，更好的了解我们的产品。量拓科技即将迎来十周年庆，为此量拓科技为广大观众提供免费测样的服务，获得了新老客户的一致好评。量拓科技期待与您共同开创美好的明天！

中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会(第二轮通知)　　主办单位：甘肃省化学会色谱专业委员会　　中国科学院兰州资源环境科学大型仪器区域中心　　青海省化学与材料学会　　承办单位：中国科学院西北高原生物研究所公共技术中心　　青海省青藏高原特色生物资源研究重点实验室　　甘肃省分析测试技术与仪器学会　　一、会议日期　　中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会定于2022年9月24日-26日在青海省西宁市举行。　　二、会议介绍　　会议内容包括：大会报告、大会特邀报告、专题报告与讨论。会议期间还将组织相关仪器及其配件展示。　　本次会议将是我国中西部色谱工作者的又一盛会，预计与会代表 200人左右，并将邀请部分国内著名学者与会作大会特邀报告。本次盛会将为广大色谱工作者以及从事色谱仪器设计与制造的厂商提供相互交流和展示的平台。欢迎广大科技工作者积极参加，踊跃投稿。欢迎相关公司、企业利用此次契机，扩大影响，参与会展。　　三、会议重要日期　　2022年 7月29日 第二轮通知 (会议详细安排)　　2022年 8月31日 提前注册缴费及论文摘要投稿截止　　2022年 9月10日 第三轮通知(会议详细日程)　　2022年 9月24日-26日 会期　　四、征文范围　　本次会议将集中交流液相色谱、气相色谱、逆流色谱、毛细管电泳等色谱及其相关技术分离分析领域的研究、开发成就，包括多维色谱技术、色谱质谱联用技术等相关的基础、仪器、方法等：　　1、色谱基础 包括新固定相 新检测方法 样品制备 联用技术 多维分离 芯片实验室 分离机制 制备色谱 快速和超快分离 手性分离 电驱动分离 小型化、微型化色谱 痕量分析 自动化 化学计量学。　　2、色谱应用 包括基因组学/蛋白组学 代谢组学 药物代谢 生命科学、生物分析 生物技术工业中的分离科学 HPLC 柱表征 环境和有毒物分析 生物医学和药物应用 天然产物和食品分析 石油和工业应用 单细胞分析中的应用。　　凡在上述领域的基础研究、新方法新技术发展、分析应用、仪器及其部件研制等方面水平较高的论文均可应征。　　五、论文格式要求及投稿邮箱　　论文要求：内容简明扼要，能反映工作特色，含图表和参考文献不超过两页的论文详细摘要。　　论文具体格式如下：　　页面：A4 标准(宽：21厘米，长：29.7 厘米)。　　页面设置：左右上下各留空白 2.5 厘米。　　论文题目：三号黑体，居中。作者名：小四号仿宋，居中。单位名、市名、邮编、E-mail　　地址：五号宋体，加圆括号，居中，下空一行。关键词(五号宋体，自版芯左起顶格)，正文(小标题 小四号黑体 内容 五号宋体，行距固定值 16 磅)、主要参考文献(小五号宋体，自版芯左起顶格)。　　论文电子版请按格式要求排版后发送至E-mail邮箱(tanliang0206117@163.com)，并请在邮件主题上写明“色谱会议投稿”字样，同时在邮件中写明投稿者联系方式(电话，传真，e-mail及详细邮寄地址等)，方便接收后续通知。　　论文征集截稿日期：2022年8 月31日。　　六、墙报格式要求　　请需要墙报展示的参会者自行设计制作、彩色打印并携带墙报参会。　　墙报规格为竖版，90cm(宽)*120cm(高)。　　七、会议地点　　西宁蓝宝石大酒店，青海省西宁市城西区胜利路21号。　　八、会议日程　　九、会议注册、会务费标准及缴纳　　1、会议注册：　　请通过以下会议二维码和网址注册。　　https://d.eqxiu.com/s/olBJxIsY?share_level=1&from_user=20220728f9252e3d&from_id=da56d797-4&share_time=1658976423496　　2、会务费标准：　　3、会务费缴纳：　　本次会议委托青海省专利服务中心有限公司代收会务费并出具发票，汇款时请注明“会务费”。汇款信息如下：　　单位名称：青海省专利服务中心有限公司　　纳税人识别号：916300004400011034　　地址电话：青海省西宁市城西区胜利路5号10号楼0971-6132509　　开户银行账号：中国银行西宁市新宁路支行 105042705789　　十、会议住宿、用餐和交通　　1、会务组统一安排住宿，费用自理。　　(1)西宁蓝宝石大酒店，青海省西宁市城西区胜利路21号。标准间和大床房均为520元/间(含早餐)。　　(2)维也纳酒店(胜利路店)，青海省西宁市城西区胜利路22号。标准间和大床房均为280元/间(含早餐)。　　2、会议期间午、晚餐为自助餐，用餐地点：西宁蓝宝石大酒店，青海省西宁市城西区胜利路21号。　　3、本次会议不安排接送站,请代表自行选乘交通工具到达。　　十一、会议赞助事宜　　本着以会养会、促进产学研合作的原则，，会务组诚挚欢迎广大优秀色谱及相关企业为大会提供赞助，合作共赢!借此机会提升公司品牌与知名度度，推广推荐公司产品。　　具体“赞助方案”联系：李玉林 13519719519(微信同号)　　赞助费汇款请注明“色谱会议赞助费”。汇款信息如下：　　户 名：西宁启帆企业管理咨询服务有限公司　　开户行：中国银行西宁市大什字支行　　账 号：105048846645　　十二、联系方式　　会议总负责人：　　师彦平研究员，张耀南研究员，王敏研究员　　会务负责人：　　李玉林研究员，中国科学院西北高原生物研究所，13519719519，　　liyulin@nwipb.cas.cn　　邱洪灯研究员，中国科学院兰州化学物理研究所，13919143703，　　hdqiu@licp.cas.cn　　会务秘书组联络方式：　　摘要投稿及墙报：谭亮 18297117286(微信同号)，tanliang0206117@163.com　　王环15202580197，赵静13897646902，王婷13897213312　　财务相关：贺明珠15297116435，王婷13897213312　　参会回执.docx　　中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会组织委员会　　中国科学院西北高原生物研究所公共技术中心(代章)　　2022年7月29日

央视蛇年春晚已过去近一个月了,但春晚舞台上美轮美奂的LED显示屏,却还让很多人记忆犹新。而显示屏背后璀璨的数千万颗灯珠,均有一个响亮的名字——“四联造”。　　据了解,这已经是重庆四联光电连续第二年成为央视春晚显示屏器件的独家供应商。近日,四联光电的LED道路照明系列、LED商业照明系列还获2011-2012重庆市优秀新产品一等奖。四联光电的LED产业链,正在一步步深化。与此同时,四联光电以其世界领先的技术和实力,在人造蓝宝石及其晶片等业务领域不断拓展,成为行业标杆。　　集团发展历程　　仪表龙头进军LED行业　　2012年,我国照明用电约占全国用电量的13%左右。在能源日益匮乏的今天,使用一种高效绿色的照明灯具成为必然选择。据相关专家测算,若将我国全部在用白炽灯替换成节能灯,每年可节电480亿千瓦时,相当于减排二氧化碳近4800万吨,若进一步更换为LED照明产品,将带来更大的节能效果。　　在LED灯具即将迎来照明市场的又一次革命时,拥有聪明“大脑”的“四联造”LED路灯,节能率高达75%,寿命长达8年以上,已然站在了行业的前端。实际上,自高起点切入蓝宝石及LED行业以来,四联集团不断刷新行业纪录。但作为仪表行业老大哥的四联集团为何会挺进LED照明行业?　　在进军蓝宝石及LED产业之前,四联集团已经连续8年稳居国内仪器仪表行业龙头地位,但行业规模成为企业发展的天花板,如何依托固有资源进行相关多元化,给四联集团提出了发展的新命题。　　蓝宝石促多元化发展　　2008年,全球金融危机爆发,世界500强美国霍尼韦尔公司出于自身发展需要,有意出售加拿大蓝宝石工厂,橄榄枝首先抛向中国的友好城市——重庆。　　四联集团相关负责人介绍,集团在宝石元件生长、加工方面的经验技术以及与霍尼韦尔自控技术之间的合作渊源,成为接受橄榄枝的最佳人选。集团充分“理解”此次收购的意义将非常深远,因为彼时国内没有一家企业能完整地生产出蓝宝石衬底。即使是最小的2英寸衬底,也大量依赖进口,而霍尼韦尔已经具备生产4英寸衬底的技术。如果收购成功,势必将掌握世界顶尖的蓝宝石制备技术,为四联集团实施相关多元化发展战略提供原动力。　　通过数次谈判及重庆市政府的斡旋,2008年4月,四联集团成功收购美国霍尼韦尔蓝宝石业务,8月,成立四联加拿大蓝宝石工厂,同年底,组建重庆四联光电科技有限公司,自此,四联集团的业务版图上添上了新成员——蓝宝石及LED。　　产业发展现状　　高端技术助蓝宝石生长　　这次收购开启了重庆国企海外收购的先河,也给四联集团带来空前的压力,如何消化好顶尖技术,不至造成“蛇吞象”的局面?四联集团用复制再创新解答了这道难题。　　2008年12月,四联集团LED产业基地在两江新区蔡家同兴工业园起航,成功复制加拿大蓝宝石工厂。集团相关负责人介绍,在复制工厂的同时,集团加快高端人才的聚集,相继从美国、日本等海外和国内引进数名高端光电产业专业人才,在四联光电成立技术研发中心。仅一年多时间,通过攻克技术壁垒,成功消化蓝宝石晶体提法拉和泡生法两项蓝宝石生长技术,高端核心技术实现从“无”到“有”的跨越。　　“在‘有’的同时,四联光电也加快‘创’的步伐。”四联集团相关负责人介绍,研发中心现已具备生长、加工和研发世界顶级品质大尺寸蓝宝石的能力,拥有85公斤级以上大尺寸高品质蓝宝石晶体的批量生产能力,成功实现30kg和60kg级蓝宝石生长设备的国产化,在极大节约生产成本的同时为快速扩充产能未雨绸缪。目前,公司大尺寸晶片制备技术世界领先,是国际半导体行业协会制订大尺寸蓝宝石衬底国际标准的重要成员,其6英寸、4英寸晶片畅销国际市场,是osram、philips等世界顶级照明制造商的首选合作伙伴和核心供应商 以蓝宝石晶片为衬底的封装产品技术已经达到国内先进水平,成功与天马微、信利、金立翔、利亚德、州明科技、史福特、阳光照明等LED应用行业龙头企业建立战略合作伙伴关系。　　依托实力突破技术瓶颈　　解决了产业链顶端技术的瓶颈,四联集团开始布局全产业链战略,依托蓝宝石生长加工和芯片封装技术,延伸出LED照明业务,高端技术逐渐从“幕后”走到“台前”,照亮产业发展前景。“四联造”LED智能路灯一经推出,犹如在市场上投入一颗重磅炸弹。　　集团相关负责人介绍,多年来,国内LED路灯照明实际应用效果不尽如人意,“光衰”、“亮度”以及“雷雨天气罢工”等都是困扰行业的技术难题。做仪表出身的四联集团凭借拥有工业智能化和可靠性技术的深厚底蕴,磨砺出对细节、技术的要求更专业、准确而富有前瞻性,创新性地解答了这一难题。多年军品生产的经验以及材料、结构、热传导理论的完美结合,形成了独特的专利技术,一举攻克“散热”难关,大大延长使用寿命。　　为达到精益求精的照明效果,四联光电突破同行“仅重视照度均匀度”的局限,采用专利二次光学技术,使照度与亮度比值更低,相同的光通量可获得更高的亮度,提高经济性,设计眩光值不超过5,不仅远低于18的行业普遍水平,更低于10的国家标准。并根据具体路面反射特性、环境及交通状况,结合光源光学与应用光学设计,综合考虑环境比,使光学诱导性实现最佳。“同时,看似平常的流线型外观,经过精心设计不仅美观,而且风阻小。”该负责人介绍说。　　打造完善城市监控平台　　“而在研发之初,四联集团还推出另一个更具创新性的举措,把主导产业自动化控制的优势应用到LED灯具上,智能化成果再次引起业界瞩目——城市智能LED道路照明系统。”集团相关负责人介绍,该系统既能通过接收指令完成统一或分组开关、周期性管理、智能调光等,又能将故障等“疼痛”信息通过“神经”(无线上传系统)传送到“大脑”(中央控制系统),同时,通过对终端控制器进行自动化升级,还可以实现对城市各个节点的能耗、污染、噪音、气象……进行实时采集,进而打造成一套完善的城市监控平台,与以前照明系统相比,节约能耗可达75%以上。“四联造”系列创新成果在业界树立了行业标杆。　　创新营销模式激活市场　　在国家大力倡导节能减排,构建环境友好型和资源节约型社会的背景下,节能环保、高效智能的“四联造”LED灯具迅速批量生产,相继推出道路照明、工矿照明、通用照明、景观亮化、特种应用等领域系列产品,顺利通过国际、国内认证,性能均优于国内同行。相关负责人介绍,为更好地服务民生,四联光电创新引入合同能源管理,该模式是一种基于市场的、全新的节能新机制,以减少的能源费用来支付节能项目全部成本的节能投资方式。高端的产品、低价的合同模式,迅速激活市场的一池春水,订单纷至沓来。2011年来,四联LED智能照明系统相继在重庆主城及区县、贵州六盘水、吉林蛟河、安徽黄山等地推广应用:全球最大城市智能LED道路照明系统重庆渝武高速北碚段 亚洲第二长高速公路隧道——甘肃麦积山隧道 总计1亿多颗LED灯珠装配的显示屏以“零失误”闪耀2012、2013年央视春晚舞台……　　新型工业化带动产业集群发展　　产业的快速发展,带来战略布局的新问题,四联集团通过合资合作,投资建厂,以新型工业化集约优势资源,带动蓝宝石及LED产业集群发展。2012年7月,四联集团与重庆高速集团共同出资组建重庆四联交通科技有限公司,强强联合将本地市场需求演变为优势产业,打造我国交通领域领先的专业化智能交通节能照明、智能交通设备开发企业。2012年6月,四联集团总投资10亿元的高新技术西北产业基地落户兰州新区,LED照明装备等四大产业的生产线建成后销售收入可达26.6亿元。2011年,斥资21亿元在重庆武隆白马工业园建立蓝宝石及LED、芯片封装、照明应用等绿色环保产业链,建立LED生产基地,在保留该县得天独厚自然生态的基础上创造新的经济增长极。　　发展目标规划　　打造全球化LED产品供应基地　　技术赢得尊重,市场赢得发展。短短5年间,四联光电已建成重庆市企业技术中心,拥有专利66项,蓝宝石2、3、4英寸衬底晶片被评为重庆市名牌(知名)产品,LED道路、商业照明系列获评重庆市2011-2012年度优秀新产品一等奖,参与国家863项目及相关行业标准的制订,在最新的国内LED行业排名榜上,四联光电已跃居第二位。　　伴随四联光电的成长,国内半导体照明市场在激烈的竞争中正迎来一个黄金期。到2015年,国内60W以上普通照明用白炽灯将全部淘汰,市场占有率将降到10%以下。据统计,到2020年全球照明市场规模将超过1500亿美元,LED照明市场有望达到750亿美元,占全球照明市场份额50%。　　面对市场的黄金期,四联集团蓄势待发。集团相关负责人介绍,到2015年,四联光电将形成年产1800万片折合2英寸蓝宝石衬底、200亿颗LED封装器件、10万千瓦LED照明灯具的生产能力,并积极吸引、整合上下游优势资源,最大限度地发挥辐射带动作用,打造绿色产业集群,集聚形成百亿级产业规模,建成面向国内及亚太市场全球化LED产品的供应基地,中国西部产业链条最完整、经营规模最大的半导体照明产业基地,为创建节能、环保社会添上浓墨重彩的一笔。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

在刚刚结束的北京珠宝玉石首饰展览会上，李女士花13200元购买了8颗带有鉴定证书的&ldquo 天然宝石&rdquo 。可是，让她没想到的是，8颗&ldquo 天然宝石&rdquo 的复检结果竟然是合成石，&ldquo 天然宝石与合成石的价格相差很大，我是出于对展会和鉴定证书的信任才掏钱购买的，谁知竟然是这个结果!&rdquo 李女士愤怒地说。其实，李女士的遭遇并非个案，从前年开始就有很多市民反映，在各类珠宝展上买到的珠宝有真有假，这究竟是怎么回事?记者对此进行深入采访。　　疑问：两张鉴定证书不知该信谁　　昨天，李女士带着8颗宝石来到中国国际科技会展中心，准备向珠宝展主办方讨个说法。据李女士介绍，18日那天她在珠宝展上购买了8颗宝石，4块坦桑石、4块托帕石，8颗宝石都有中工商联珠宝检测中心出具的鉴定证书。购买这8颗宝石后，李女士又将这些宝石送到北大宝石鉴定中心复检。没想到，复检的结果让她傻了眼：复检鉴定书显示，8个&ldquo 宝贝&rdquo 并非天然宝石，而是合成宝石。　　李女士曾经学过珠宝鉴定，昨天她特意带来了折射仪。经测量发现，这些宝石的折射率与合成宝石相符。一位宝石鉴定专家认为，虽然在宝石鉴定上测折射率只是手段之一，有些宝石折射率相近，可能得不到准确答案，但就此事而言，真品性质为非均质体，合成石则是均质体，在折射仪上数据特征非常明显。　　虽然通过民警协调，李女士最终圆满解决了问题。然而，学过珠宝鉴定的李女士都打了眼，对于那些仅凭信任购物的消费者，恐怕更难以分辨其中的真伪。　　昨天，李女士在与珠宝展主办方协商时，工作人员就指出，展会内到处都有消费提示，先鉴定后购买。可是，记者在展会鉴定处得知，鉴定处的鉴定能力十分有限，而李女士所购买的坦桑石、托帕石则不在鉴定范围内。　　当记者与一位工作人员提起此事时，工作人员说，这个鉴定处无法出具鉴定证书，之所以设立这么个鉴定处，无非就是对参展商有个震慑作用，同时为消费者提出些建议，让老百姓心里有点儿底，真说要权威检测，还是得找专业机构。　　追问：为何珠宝展上会买到假货？　　近年来，抱怨在各类珠宝展上买到假货的消费者越来越多。很多人说，之所以要来珠宝展上消费，首先是出于一种信任，毕竟珠宝展的主办方应该把好第一道关。记者在深入采访中发现，消费者屡屡被骗的确与监管不力和监管难有关。　　1、监管难　　李女士在得知8颗宝石为合成石后，曾来找过一次，但当时卖宝石的商家已经不在现场，一问才知其摊位是转租的。其实，珠宝展一般都会明确禁止转租摊位，但作为主办方很难将这条规定落到实处。一位工作人员说：&ldquo 有时候摊位上有生面孔，上去一问，人家说是来帮忙的朋友，我们也没有办法核实。&rdquo 　　2、鉴定难　　虽然珠宝展一般都设有鉴定处，为消费者免费鉴定，但鉴定师能力参差不齐，带到现场的鉴定设备也十分有限。比如像光谱仪这样最准确的鉴定仪器，是无法带到珠宝展现场的。一位多次参展的老鉴定师告诉记者：&ldquo 在现场多项测量无法实现，我们看了东西，只能说它从某项数据来看可能是什么，谁也不敢定性，买不买还得顾客自己决定。商户很难应付，你说人家东西假了，人家找来打架，非常犯难，有时候也只能给顾客一些暗示，但不见得人人听得懂。&rdquo 这位老鉴定师还提到，现在宝石鉴定证书的管理也存在监管问题，做假证的情况时有发生，有些假证在网上还能查到，&ldquo 真不知是哪个环节出了问题，相关部门应该查一查。&rdquo 　　3、定性难　　李女士遇到的这种情况究竟算不算造假，业内人士也有不同看法。有的鉴定师认为，这只能说是以次充好，毕竟合成石在珠宝展上是允许销售的，但合成石一旦与天然石有类似性状，就有可能出现冒充的情况。　　&ldquo 其实，说到真正造假，有一个问题必须注意。&rdquo 一位珠宝鉴定师说，有些人工合成珠宝的方法其本意并非造假，有可能是实验室的一些研究成果，为的是替代天然宝石以节约生产成本，这些成果一旦流出，就有可能成为珠宝市场新的造假手段，实验成果的保密和监管工作也必须得到相关部门的重视。

*以下应用说明基于 ACS Nano publication, 2021 15, 6, 9482–9494. 出版日期: May 27, 2021. 介绍 在传统的平面硅场效应晶体管（FET）中，当其横向尺寸小于晶体管厚度时，栅极可控性变弱，从而导致不利的短沟道效应，包括漏电流、沟道中载流子迁移率饱和、 沟道热载流子退化和 介质层时变击穿。因此，需要减小晶体管主体厚度以确保有效的栅极静电控制。理论研究表明，由于二维 (2D) 材料的原子厚度和表面懸鍵，特别是二维过渡金属二硫属化物 (TMD) 作为沟道材料的性能优于硅，能够实现原子级尺度，优异的静电门控，降低断电功耗，进一步扩展摩尔定律。[1-6] 表征沉积态二维材料的内在物理和电学特性的适当技术是沉积态二维材料的质量与基于二维材料的电子设备性能之间的关键联系。此联系可以帮助我们更好地了解、控制和改进基于二维材料的设备的性能。然而，在没有任何转移和图案化过程的情况下，在纳米尺度上分析沉积态二维材料的固有电学特性的技术是有限的。 在本应用说明中，扫描探针显微镜 (SPM) 用于研究沉积态二维TMD 的固有电学特性。 导电原子力显微镜 (C-AFM) 无需任何图案化，直接在生长态二维材料表面进行扫描。 C-AFM 能够将生长态二维材料的电导率与其形貌相关联，从而将二维材料的电特性与其物理特性（如层厚度等）联系起来。所有这些，C-AFM为我们提供了沉积态2D材料的全面信息，并帮助我们评估这些固有特性对基于二维材料的纳电子学的影响。实验细节 Park NX-Hivac 在高真空（~10-5Torr）下，用 C-AFM 在 Park NX-Hivac AFM 上使用 Pt/Ir 涂层的硅探针（弹簧常数 k~3N/m，共振频率 f0~75kHz，PPP-EFM）评估蓝宝石上生长态 MoS2和WS2层的固有电学特性。高真空环境有助于减少样品上始终存在的水层。[4,6] 将C-AFM测量的偏压施加到样品卡盘上，并通过线性电流放大器测量产生的电流。收集所有 C-AFM 电流图所施加的偏压均为1 V。在样品的顶部和侧面涂上银漆，以确保电接触。结果与讨论 在 C-AFM 电流图（图 1b）中，同轴切割蓝宝石上沉积的 MoS2 层在整个表面上显示出非均匀导电性，尽管图 1a 中的形貌显示了完全聚结的单层 MoS2 ，其顶部约有~37%的表面晶体（命名为1.3 ML）。通过引入离轴 1º 切割蓝宝石作为衬底，MoS2 层的电导率变得更加均匀， 与它们更均匀的表面结构一致（图 1c 和 d）。 总体而言，离轴 1º 切割蓝宝石上约~83% 的单层 MoS2 具有更高的电导率，而使用同轴上切割蓝宝石仅占 51%。 [7] 电导率较低的区域在图 1b、d 中用粉红色标记，阈值电流约为 ~0.3 μA。 因此，通过引入离轴 1º 切割蓝宝石（图 1b、d 中的 49% 到 17%） 可降低较弱导电区域的密度。图1.（a，c）分别在同轴和离轴1º切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的C-AFM形貌图(b、 d）同时与（a，c）一起获得的 C-AFM 电流图。通过电流阈值（~0.3μA），第一单层MoS2中的非均匀和导电性较弱区域以粉红色突出显示。经许可复制图像。[7] Copyright 2021, American Chemical Society.通过跳过蓝宝石晶片的预外延处理过程，该密度可以进一步降低到约~6.5%（图 2a-b）。具有较低电导率的 MoS2 区域的形状不是随机的，而是对应于特定的下层蓝宝石阶地。离轴 1º 切割蓝宝石上具有较低 MoS2 电导率的区域对应于聚集在一起的阶地。在预外延处理和 MOCVD 过程中，台阶会分解和凝聚。台阶（变形）成型主要由预外延处理和 MOCVD 工艺中使用的高温驱动。正如对离轴 1º 切割蓝宝石所预期的那样，随着 Wterrace 变窄，阶梯聚束变得更可能发生。当单层 MoS2 沉积在离轴 1º 切割蓝宝石上而不进行任何预外延处理时，高导电区域的密度从 83%（图 1d）进一步增加到 93.5%（图 2b）。可以观察到成束台阶（具有更高的 Hterrace，图 2a 中的 5.8%）和导电性较弱的区域（图 2b 中的暗区为 6.5%）之间存在明显的相关性。从图 2c 中的地形和电流图提取的横截面轮廓进一步支持了这一观察结果。然而，在图 2b 中没有完全去除导电性较弱的区域。这应该与生长温度（在我们的工作中为 1000 °C）有关，该温度足以在沉积过程中在蓝宝石表面引入阶梯聚束。[8-10]图2. 蓝宝石上生长的MoS2的不均匀导电性. (a-b）C-AFM 形貌图，同时获得离轴1º切割蓝宝石上1.3 ML MoS2 的电流图. (c）（a-b）位置处的相应横截面高度（红色）和电流（蓝色）剖面. (d- e）形貌图，同时获得同轴切割蓝宝石上3.5 ML MoS2的电流图。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.关于观察到的 MoS2 电导率分布的不均匀性，我们发现非封闭顶层中 MoS2 晶体的存在不会影响电导率。 事实上，具有较低电导率的 MoS2 区域与 MoS2 层厚度几乎保持不变，因为它们也存在于 3.5 ML MoS2 中（图 2d-e）：形貌和当前图像中黄色虚线区域的比较表明，MoS2 晶体具有非封闭顶层中方向错误的基面不会影响该区域的导电性。 此外，值得注意的是，不同电导区域的存在不仅出现在 MoS2 外延层中，也出现在蓝宝石上生长的 MOCVD WS2 层中，如图 3 所示。图3.（a-b）同轴切割蓝宝石的形貌图和同时获得的1.7 ML WS2电流图。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.因此，较低的导电性主要与完全闭合的第一MoS2单层有关，而不是与非闭合的顶层有关。图4a-b显示了两个第二层MoS2晶体，其中一些区域具有较高的导电性，而另一些区域具有较低的导电性，从而进一步支持了这一点。图4.（a-b）在同轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2上第2-3层MoS2岛的导电性。(a）在同轴切割蓝宝石上生长的MoS2的形貌及其相应的（b）电流图。白色的晶体轮廓显示部分区域具有较高的导电性，部分区域具有较低的导电性，表明表面晶体对蓝宝石上MoS2的不均匀导电性贡献不大。(c-f）轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的降解。(c-d）MOCVD生长后立即收集的1.3 ML MoS2的1 V下的形貌图及其相应的电流图。(e-f）在氮气柜中储存6个月后，同一样品在1 V下的形貌图和电流图。在（c）中没有氧化区，但在（e）中MoS2被部分氧化，这总是与（f）中的较弱导电区相关。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.结果表明，蓝宝石起始表面的状态是决定第一层MoS2单层物理和电学性能的关键参数之一。结论通过 C-AFM 评估二维 TMD的固有电学特性，并将其与样品形貌联系起来。我们在沉积的二维 TMD 单层中发现了非均匀导电性，这可能源于：（i）TMD 层厚度变化导致的TMD 表面粗糙度； (ii）蓝宝石表面形貌引起的 TMD 应变；(iii）由于每个蓝宝石阶地的 TMD 形核率的依赖性，TMD 晶粒内缺陷率；（iv）蓝宝石表面结构和终端引起的 TMD 界面缺陷，可能导致不同的局部掺杂效应。进一步的研究正在进行中，将 C-AFM 与先进的光谱技术（如拉曼、PL和TOFSIM）相结合，以进一步探索外延二维材料的固有特性。参考文献 (1) Liu, Y. Duan, X. Shin H.-J. Park, S. Huang, Y. Duan, X. Promises and Prospects of Two-Dimensional Transistors. Nature 2021, 591, 43–53.(2) Su, S.-K. Chuu, C.-P. Li, M.-Y. Cheng, C.-C. Wong, H.-S. P. Li, L.-J. Layered Semiconducting 2D Materials for Future Transistor Applications. Small Struct. 2021, 2, 2000103.(3) Akinwande, D. Huyghebaert, C. Wang, C.-H. Serna, M. I. Goossens, S. Li, L.-J. Wong, H.-S. P. Koppens, F. H. L. Graphene and Two-Dimensional Materials for Silicon Technology. Nature 2019, 573, 507–518.(4) Agarwal, T. Szabo, A. Bardon, M. G. Soree, B. Radu, I. Raghavan, P. Luisier, M. Dehaene, W. Heyns, M. Benchmarking of Monolithic 3D Integrated MX2 FETs with Si FinFETs. In 2017IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2017 p 5.7.1–5.7.4.(5) Smets, Q. Arutchelvan, G. Jussot, J. Verreck, D. Asselberghs, I. Nalin Mehta, A. Gaur, A. Lin, D. Kazzi, S. E. Groven, B. Caymax, M. Radu, I. Ultra-Scaled MOCVD MoS2 MOSFETs with42nm Contact Pitch and 250μA/Mm Drain Current. In 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019 p 23.2.1–23.2.4.(6) Smets, Q. Verreck, D. Shi, Y. Arutchelvan, G. Groven, B. Wu, X. Sutar, S. Banerjee, S. Nalin Mehta, A. Lin, D. Asselberghs, I. Radu, I. Sources of variability in scaled MoS2 FETs. In 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020 p 3.1.1–3.1.4.(7) Shi, Y. Groven, B. Serron, J. Wu, X. Nalin Mehta, A. Minj, A. Sergeant, S. Han, H. Asselberghs, I. Lin, D. Brems, S. Huyghebaert, C. Morin, P. Radu, I. Caymax, M. Engineering Wafer-Scale Epitaxial Two-Dimensional Materials through Sapphire Template Screening for Advanced High- Performance Nanoelectronics. ACS Nano 2020, DOI: 10.1021/ acsnano.0c07761.(8) Cuccureddu, F. Murphy, S. Shvets, I. V. Porcu, M. Zandbergen, H. W. Sidorov, N. S. Bozhko, S. I. Surface Morphology of C-Plane Sapphire (α-Alumina) Produced by High Temperature Anneal. Surf. Sci. 2010, 604, 12941299.(9) Curiotto, S. Chatain, D. Surface Morphology and Composition of C-, a- and m-Sapphire Surfaces in O2 and H2 Environments. Surf. Sci. 2009, 603, 2688–2697.(10) Ribič, P. R. Bratina, G. Behavior of the (0001) Surface of Sapphire upon High-Temperature Annealing. Surf. Sci. 2007, 601, 44–49.想要了解更多内容，请关注微信公众号：Park原子力显微镜，或拨打400-878-6829联系我们Park北京分公司 北京市海淀区彩和坊路8号天创科技大厦518室 Park上海实验室 上海市申长路518号虹桥绿谷C座305号 Park广州实验室 广州市天河区五山路200号天河北文创苑B座211

提高鉴定机构准入标准　　据华东理工大学宝石检测中心有关工作人员透露，自去年9月至今，已经遇到近20起因对“天价”鉴定机构出具的报告不信任而前来申请鉴定的情况。这类鉴定机构的鉴定报告制作得相当精美，但缺乏国内权威机构一般都有的计量认证资质。　　而且，市场上这类鉴定机构五花八门，收费标准不尽相同，从几千到数万不等。这类机构往往声称珠宝里面有不同的元素，只有检测出来这些元素，才能证明是真的珠宝。而按照检测的元素收费，一种元素至少收几千元，检测多种元素，最高的总价可以高达10余万。　　为何没有资质又漫天要价的“天价”鉴定机构层出不穷?　　“在代理陈先生的案子中，我们了解到，诸如文物、珠宝鉴定公司的成立门槛非常低，不需要什么资质，审批手续也很简单，而且对这类机构目前的监管也较为宽松。要整治珠宝鉴定行业的乱象，首先应加强对鉴定公司设立资质的审查和监管，提高鉴定机构的准入门槛，建立规范的市场准入机制。”原告陈先生的代理律师、上海市百良律师事务所胡嘉沁建议道。　　建立鉴定行业强制标准　　外高桥法庭副庭长、此案主审法官陆罡表示，虽然此案的双方当事人最终在法庭主持下达成调解协议，由被告赔偿原告两次鉴定费及交通损失，并且当场执行完毕，但该案件反映出的珠宝检测行业所存在的问题值得关注。特别是珠宝鉴定行业监管混乱，缺乏统一标准，给案件处理带来一定的困难，具体体现在四个方面：　　首先，不同检测机构检测方法不一。华东理工大学检测中心和国家金银制品质量监督检验中心通过检验折射率等特征，得出该宝石是海蓝宝石的结论，而文物研究院通过测试对比宝石元素含量，作出该宝石非天然海蓝宝石的结论。　　其次，不同检测机构的检测项目不同。就采用折射率的方法而言，同样是具有“CMA”认证资质的两家机构的检测项目也不尽相同。两份检测报告除常规的报告编号、样本名称、重量等常规定性检测外，其他项目的检测，如光性特征、相对密度等的有关结果均有所不同。　　再次，不同检测机构结论表述不同。文物研究院的检测报告结论表述为“非天然海蓝宝石”，但另两个机构的鉴定结果为“海蓝宝石”。对此，天然海蓝宝石与海蓝宝石是否为同一概念，非专业人士难以作出判断，尤其现今宝石优化技术运用普遍，天然与非天然的界线因人工因素变得更为模糊。　　最后，不同检测机构收费差距甚大。鉴于检测方法与项目不同，该行业又缺乏统一的收费标准，针对同样的样品，检测费用会相差15倍之多。　　一个令人担忧的现象是，目前珠宝鉴定行业普遍适用的只有较为宽松的GB类国家标准，而这一标准并非强制性标准，对鉴定机构没有约束效力。　　对此，陆罡建议，应尽快完善黄金珠宝行业相关标准规范，特别是对鉴定行业的收费、项目名称、技术手段等项目应设立全国统一的行业鉴定标准，最大限度地保障检测结果的客观公正。

―为功率器件的低成本化和新一代EV的节能化做出贡献― 　　在NEDO的“战略性节能技术革新计划”中，Novel Crystal Technology,Inc.(以下略称Novel)与大阳日酸(株)及(大)东京农工大学共同开发了作为新一代半导体材料而备受瞩目的氧化镓(β-Ga2O3)的卤化物气相外延（HVPE）。 　　该成果使能够制造大口径且多片外延晶片的β-Ga2O3批量生产成膜装置的开发取得了很大进展，有助于实现成膜成本成为课题的β-Ga2O3外延晶片的大口径低成本化。如果β-Ga2O3功率器件广泛普及，则有望实现产机用电机控制的逆变器、住宅用太阳能发电系统的逆变器、新一代EV等的节能化。图1在6英寸测试晶片上成膜的β-Ga2O3薄膜 　　1 .概述 　　氧化镓(β-Ga2O3)※1与碳化硅(SiC)※2和氮化镓(GaN)※3相比具有更大的带隙※4，因此基于β-Ga2O3的晶体管和二极管具有高耐压、高输出、高效率的特性，β-Ga2O3功率器件※5的开发，日本处于世界领先地位，2021年本公司成功开发了使用卤化物气相外延(HVPE)法※6的小口径4英寸β-Ga2O3外延晶片※7，并进行了制造销售※8。作为该外延成膜的基础的β-Ga2O3晶片与SiC和GaN不同，Bulk结晶的育成迅速的熔体生长来制造，因此容易得到大口径、低价格的β-Ga2O3晶片，有利于功率器件的低价格化。 　　但是，β-Ga2O3的成膜所采用的HVPE法能够实现低廉的原料成本和高纯度成膜，另一方面存在基于HVPE法的成膜装置只有小口径(2英寸或4英寸)且单片式的装置被实用化的课题。因此，为了降低成膜成本，通过HVPE法实现大口径(6英寸或8英寸)的批量式批量生产装置是不可缺少的。 　　在这样的背景下，Novel公司在NEDO (国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构)的“战略性节能技术革新计划※9/面向新一代功率器件的氧化镓用的大口径批量生产型外延成膜装置的研究开发”项目中，制作了β-Ga2O3在本程序的培育研究开发阶段(2019年度)进行了作为HVPE法原料的金属氯化物※10的外部供给技术※11开发，在实用化开发阶段(2020年度~2021年度)为了确立批量生产装置的基础技术，进行了6英寸叶片式HVPE法的外部供给技术※11开发，而且，这是世界上首次成功地在6英寸晶片上成膜了β-Ga2O3。 　　2 .本次成果 　　Novel公司、大阳日酸及东京农工大学开发了6英寸叶片式HVPE装置(图2)，在世界上首次成功地在6英寸测试晶片(使用蓝宝石基板)上进行了β-Ga2O3成膜(图1)。 　　另外，通过成膜条件的优化和采用独自的原料喷嘴结构，证实了在6英寸测试晶片上的β-Ga2O3成膜，以及确认了能够实现β-Ga2O3膜厚分布±10%以下等在面内均匀的成膜(图3)。通过本成果确立的大口径基板上的成膜技术和硬件设计技术，可以构筑β-Ga2O3成膜装置的平台，因此大口径批量生产装置的开发可以取得很大进展。这样，通过β-Ga2O3成膜工艺和应用设备带来的功耗降低，预计在2030年将达到21万kL/年左右的节能量。图2用于β-Ga2O3成膜的6英寸单片式HVPE装置的外观照片图3 β-Ga2O3在6英寸测试晶片上膜厚分布 　　3 .今后的安排 　　Novel公司、大阳日酸及东京农工大学在NEDO事业中继续开发用于β-Ga2O3成膜批量生产装置，今后使用6英寸β-Ga2O3晶片的外延成膜，通过β-Ga2O3薄膜的电特性评价和膜中存在的缺陷评价，得到高品质的β-Ga2O3薄膜，另外，确立β-Ga2O3外延晶片的量产技术后，目标是2024年度量产装置的产品化。用HVPE法制造的β-Ga2O3外延晶片主要用于SBD※12和FET※13，因此预计2030年度将成长为约590亿日元规模的市场(根据株式会社富士经济“2020年版新一代功率器件&功率电瓷相关设备市场的现状和未来展望”) 今后将实现批量生产装置，通过进入β-Ga2O3成膜装置市场和普及Ga2O3功率器件，为促进新一代EV等的节能化做出贡献。 　　【注释】 　　※1氧化镓(β-Ga2O3) 　　氧化镓是继碳化硅和氮化镓之后的“第三功率器件用宽带隙半导体”，是受到广泛关注的化合物半导体，是作为功率器件的理论性能压倒性地高于硅，也超过碳化硅和氮化镓的优异材料。 　　※2碳化硅(SiC) 　　SiC是碳和硅的化合物，是主要用于高耐压大电流用途的宽带隙半导体材料。 　　※3氮化镓(GaN) 　　GaN是镓和氮的化合物，具有比SiC更稳定的结合结构，是绝缘破坏强度更高的宽带隙半导体。主要用于开关电源等小型高频用途。 　　※4带隙 　　电子和空穴从价带迁移到导带所需的能量。将该值大的半导体定位为宽带隙半导体，带隙越大，绝缘破坏强度越高。β-Ga2O3的带隙约为4.5 eV，比Si(1.1 eV)，4H-SiC(3.3 eV)及GaN(3.4 eV)的值大。 　　※5功率器件 　　用于电力转换的半导体元件，用于逆变器和转换器等电力转换器。 　　※6卤化物气相沉积(HVPE)法 　　指以金属氯化物气体为原料的结晶生长方法。其优点是可以高速生长和高纯度成膜。 　　※7β-Ga2O3外延晶片 　　是指在晶片上形成β-Ga2O3的薄膜形成晶片。在成为晶片的晶体上进行晶体生长，在基底晶片的晶面上对齐原子排列的生长称为外延生长(外延生长)。 　　※8成功开发4英寸β-Ga2O3外延晶片，制造销售 　　(参考) 2021年6月16日新闻发布 　　" https://www.novel crystal.co.jp/2021/2595/" 　　※9战略性节能技术创新计划 　　摘要:“https://www.nedo.go.jp/activities/zzjp _ 100039.html” 　　※10金属氯化物 　　是作为HVPE法金属原料的化合物，代表性的金属氯化物有GaCl，GaCl3，AlCl，AlCl3，InCl，InCl3等。 　　※11外部供应技术 　　在HVPE法中，将金属氯化物生成部和成膜部独立分离，从反应炉外部使用配管等供给金属氯化物的技术。 　　※12SBD 　　肖特基势垒二极管(SBD:Schottky Barrier Diode)。不是PN结，而是使用某种金属和n型半导体的结的二极管。其优点是与其他二极管相比效率高、开关速度快。 　　※13FET 　　场效应晶体管( FET:Field Effect Transistor )。闸门电极二电压通过添加通道在区域产生电界根据电子或正孔的密度，控制源漏电极之间的电流晶体管是指。