离子源部分

对于质谱来说，质量分辨率、质量精度，尤其是灵敏度方面的性能与离子化方式紧密相关。没有任何离子源能满足所有应用的需求。无论是极性和非极性的化合物的分析，还是小分子和大分子化合物的分析都需要不同的离子化技术。 目前，布鲁克所开发的多种离子源，尤其是针对于 LC/MS 系统，可以满足不同应用的多样化需求。布鲁克为用户提供多种选择的离子源，每一个都有不同的特点，这些离子源各具特色，其中某些源为布鲁克公司所特有。

VeriSpray PaperSpray离子源是一种高通量直接进样系统，可为众多基于质谱的应用提供复杂色谱分离步骤的替代方案。该产品与最新一代的Thermo Scientific质谱仪兼容，简化了样品制备过程，并为降低每次测试成本提供了更快的结果。通过一次性接口，离子源消除了复杂的离线样品制备和色谱分离。此外，未经处理的样品可以一步完成，两分钟以内即可得到结果。同时该系统易于操作的界面，所有分析人员均可轻松使用，并且VeriPray PaperSpray离子源可减少溶剂的消耗和处置，这能消除液相色谱和气相色谱的维护成本以及衍生化步骤。l 夜以继日：简化样品制备，减少每个样品在制备过程中的无谓损耗、潜在成本、运转时间，解决样品积压问题；l 自动采集：允许对多达240个样品进行无人值守的分析；l 智能定位：允许集成到实验室信息系统中的装载机条形码读取功能，简化了实验室工作流程；l 操作简单：使用Xcalibur™ 软件(版本≥4.3 SP1)和TraceFinder™ 软件(版本≥4.1 SP5)进行数据采集，增强自动化程度；l 灵活百搭：可以自由搭配赛默飞TSQ Altis/ Quantis/ Fortis/ Endura/ Quantiva三重四极杆质谱

Micro-ESI 9030，一种用于LCMS-9030适配微流量分析的离子源接口，该接口兼容Nexera Mikros微流量液相。 在LCMS系统中，相比半微流量分析（100-500 mL/min），微流量分析（1-50 mL/min）对目标化合物的检测具有更高的灵敏度。另外，相比纳流量分析（100-1000 nL/min），微流量分析可以实现更短的分析时间和更好的稳定性。Micro-ESI 9030和Nexera Mikros的组合可以满足多种用户需求，例如减少新药开发时间和开发成本，缩短分析时间，提供更容易的维护性，同时提高了LCMS分析的灵敏度和可操作性。

三重四极杆质谱仪可以用于不同领域，对于复杂基质中痕量分析物进行限定性确证和可重复性定量，如临床研究，法医毒理学，药代动力学，环境分析及食品和饮品检测等广泛领域。岛津LC-MS/MS结合了世界先进的岛津UHPLC系统的色谱分离能力，并应用岛津独有的超快速技术（UFMS技术），其中包括超快速MRM测定，MS/MS采集和超高速正负极切换，使LC-MS/MS能以超快速的性能获得大幅度的分析通量提高。在此基础上，岛津推出原位探针电喷雾离子源——PESI（Probe Electro Spray Ionization）1，可用于岛津LC-MS/MS，无需样品前处理即可实现简便、快捷的质谱分析。 PESI技术特点：1、高性能的样品原位质谱分析。2、无需直接加热，适用于热不稳定化合物分析。3、有效避免复杂基质对质谱仪的污染。 Fig. 1. PESI-MS操作流程 适用于各类样本的测定，如：1、体液，如血和尿液。2、组织切片，例如来自实验动物或食品的切片。3、植物样本，如蔬菜和水果。 应用案例：小鼠肝脏26种代谢产物（氨基酸/有机酸/糖）代谢组学分析2。在该例实验中，代谢产物（26种组分）如氨基酸，有机酸和糖的离子对参数用于小鼠肝脏的代谢组学分析。使用PESI-MS系统测定由四氯化碳诱导急性肝损伤模型组和对照组小鼠组织中的主要成分。基于牛磺酸对PCA载荷图中群组分离的显著贡献，在模型组和对照组之间观察到显著差异（Welch' t检验结果p0.001）。该差异在箱线图中得到了验证。通过本次研究发现，由CCl4诱导急性肝损伤，牛磺酸是模型组和对照组主要差异物质。 参考文献：1，Kenzo Hiraoka，Rapid Commun. Mass Spectrom. 2007 21: 3139–31442，Kei Zaitsu，Anal. Chem. 2016, 88, 3556?3561

价格货期电议KRI 考夫曼离子源 KDC 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：型号KDC 100供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径12 cm中和器灯丝 电源控制KSC 1212配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度9.25' - 直径7.6' - 离子束聚焦 平行 散设 -加工材料金属 电介质 半导体 -工艺气体惰性 活性 混合 -安装距离8-36” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域： 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英

离子源，应用于FEI（赛默飞）的聚焦离子束设备。液态镓离子源 寿命大于1000小时 发射电流 2.0uA821 6845 离子源168 821 7150 离子源171 两种离子源适用机型不同需要根据客户使用机器的具体型号来配置，大束科技自主研发离子源发射电流2.0uA，使用寿命大于1000小时。大束科技成立于2018年，是一家以自主技术驱动的电子显微镜核心配件研发制造商及配套服务商。 目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场，此外，还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务，以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源（电子显微镜灯丝）、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。大束科技致力于成为电子显微镜行业上游配件的研发制造供应商；未来将在满足本土市场的同时，进军国际高端电子显微镜市场。

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 40上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数型号KDC 40供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝1 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径4 cm中和器灯丝电源控制KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 - 架构移动或快速法兰 - 高度6.75' - 直径3.5' - 离子束集中平行散设 -加工材料金属电介质半导体 -工艺气体惰性活性混合 -安装距离6-18” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 160上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数型号KDC 160供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径16 cm中和器灯丝电源控制KSC 1212配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度9.92' - 直径9.1' - 离子束聚焦 平行 散设 -加工材料金属 电介质 半导体 -工艺气体惰性 活性 混合 -安装距离8-45” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

上海伯东是美国考夫曼公司 KRI 离子源大中华地区总代理,离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士 1960 年发明离子源并授权 VEECO 生产,1978 年 Dr.Kaufman 博士在美国自行创立考夫曼公司 Kaufman & Robinson.Inc (KRI) 生产离子源.2014年 VEECO 宣布关闭旗下离子源部分生产工厂美国考夫曼公司 KRI 离子源历经 40 年改良及发展,型号包含考夫曼离子源 Gridded Ion Beam Source 霍尔离子源 Griddless Ion Beam Source.美国考夫曼公司 KRI 离子源广泛应用于友厂,如德国普发 Pfeiffer Vacuum Classic 镀膜机,龙翩真空 Lung Pien 镀膜机,4Wave 离子刻蚀机等. 美国考夫曼公司 KRI 离子源主要优点:考夫曼离子源: 高离子能量低离子浓度,离子抨击能量强,蚀刻效率快,可应用多种基材,单次使用长久,耗材成本极低,操作安装简易.霍尔离子源:高离子浓度低离子能量,离子束涵盖面积广,镀膜均匀性佳,模块化设计,增加光学膜后折射率,操作安装简易.美国考夫曼公司 KRI 离子源主要应用于1.光学镀膜 OC（Optical Coating ） 推荐霍尔离子源 eH 200,eH 400,eH 1000,eH 5000F2.离子源助镀 IBAD (Ion Beam Assisted Deposition) 推荐霍尔离子源 eH 1010F,eH 1020F3.离子溅镀 IBSD (Ion Beam Sputter Deposition) 推荐考夫曼离子源 RFICP 40,RFICP 100,RFICP 300 KDC 10,KDC 40,KDC 754.离子刻蚀 IBE (Ion Beam Etching)考夫曼离子源 RFICP 40,RFICP 100,RFICP 140,RFICP 200,RFICP 300上海伯东依据客户实际需要提供完整真空应用解决方案,如真空泵选型销售（德国普发 Pfeiffer 机械泵,分子泵 美国 Polycold 低温泵）,真空系统检漏(德国普发 Pfeiffer 氦质谱检漏仪),真空阀门选配（美国 HVA 超高真空阀门,德国普发 Pfeiffer 真空阀门）,蒸镀源选型（美国考夫曼公司 KRI 离子源）等等. 上海伯东主要经营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵,干式真空泵,罗茨真空泵,旋片真空泵 应用于各种条件下的真空计,真空规管 氦质谱检漏仪,质谱分析仪,四级杆质谱仪 以及美国 HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机,Gamma 离子泵和美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下：上海伯东：罗女士

价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士,分机109

RBD 仪器提供各种溅射离子枪，用于样品清洁和深度剖析。无论何种应用，RBD 都能以最低的价格提供最高的性能。溅射速率标准也可从RBD获得。IG2 2kV backfill 离子源RBD的低成本溅射离子源封装IG2是在UHV条件下溅射清洗样品的理想解决方案。IG2离子源套件由 04-165 型 2 kV 回填离子源和 32-165 型离子源控制组成。这些装置可分别与 PHI 04-161 和 04-162 离子源以及 PHI 20-045 对照互换。 3kV离子源RBD提供3 kV离子源溅射，包括电子放电源、电源和电缆。3 kV 离子源设计工作电压低至 100 eV，提供 10 mm 的大光斑尺寸，与所有惰性气体兼容，不需要差分泵抽气。该套件包括离子源、电子控制单元、采样电流计、电缆、操作手册和备用灯丝组件。 高性能离子源和控制器1401 型离子枪非常适合用于表面化学实验，例如使用俄歇和 XPS 进行样品制备和深度剖析。它可以与大多数惰性气体一起使用。1402 型离子枪在非常低的光束能量下具有高光束电流。 它也可以在远光灯能量（高达 3 keV）下运行，以提供额外的深度剖析和样品清洁能力1407 型离子枪在电子冲击电离离子枪中具有双等离子体性能。通过光学柱中的可变孔径，可以获得广泛的光束电流和光斑尺寸。在5 keV的光束能量下，光束电流可以从2 uA调节到直径为20 um的光斑，从20 uA调节到直径为100 um的光斑。

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

伯东公司是美国考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc（KRI) 中国总代理. KRI 考夫曼公司是由离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美国创立. KRI 考夫曼离子源历经 40 年改良及发展, 受到各领域的肯定. KRI 离子源离子枪系列产品融合一系列等离子技术,提供了独一无二的操作与运行方式。KRI 离子源主要分为以下几类：无栅式端部霍尔离子源 eh eH 系列离子源离子枪可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICP RFICP 系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极离子源 KDC KDC 系列离子源离子枪是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源离子枪中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM 离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。KRI 考夫曼离子源 EH1010F , EH1020F …系列广泛用于镀膜之前处理 (ISSP) 及离子辅助镀膜 (IBAD)且有助于提高光学成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼离子源 整体设计低耗材, 安装简易, 维护简单广泛应用在生产企业和科研单位KRI 考夫曼离子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被广泛应用于 AR, IR, 分光镜, 光学蒸镀镀膜制程, 多层膜光学镀膜制程, 低温度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼离子源 EH1020F 蒸镀制程设备应用 伯东公司主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 10上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 10: 考夫曼型离子源 Gridded 系列最小型号的离子源. 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻. 在 1000eV 低能量, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高.KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本等优点广泛应用在显微镜领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA. KRI 考夫曼离子源 KDC 10 技术参数型号KDC 10供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝1 - 阳极电压0-100V DC - 栅极直径1cm中和器灯丝电源控制KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 - 架构移动或快速法兰 - 高度4.5' - 直径1.52' - 离子束集中平行散设 -加工材料金属电介质半导体 -工艺气体惰性活性混合 -安装距离2-12” - 自动控制控制4种气体KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域离子清洗, 显微镜抛光 IBP溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜) IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解上海伯东考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属 电介质 半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究！

价格货期电议美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列 上海伯东美国原装进口考夫曼离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 特性： 通过加热灯丝产生电子 低电流高能量宽束型离子源美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 应用： 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性, 激活 SM沉积 DD离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160Discharge 阳极DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流离子束流10 mA100 mA 250 mA400 mA650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRi 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列上海伯东美国原装进口考夫曼离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 磁控溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 特性：通过加热灯丝产生电子低电流高能量宽束型离子源美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 应用：辅助镀膜(光学镀膜) IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性, 激活 SM沉积 DD离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数： 型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160Discharge 阳极DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流离子束流10 mA100 mA250 mA400 mA650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式上海伯东版权所有, 翻拷必究！

价格货期电议KRI 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 IBF Optical coating 及晶体硅片离子束抛光机 IBF Clrystalline )工艺.考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.KRI 离子源离子束抛光实际案例一:1. 基材: 100 mm 光学镜片2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图KRI 离子源离子束抛光实际案例二:1. 基材: 300 mm 晶体硅片2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机KRI 离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160电压DC magnetic confinement - 阴极灯丝11222- 阳极电压0-100V DC电子束电子束- 栅极专用,自对准- 栅极直径1 cm4 cm7.5 cm12 cm16 cm 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

价格货期电议美国 KRI 离子源应用于蒸镀直径 1.5m 天文望远镜镜片全反射膜 上海伯东代理美国 KRI 大尺寸霍尔离子源 EH 3000 HC, 离子束具有业界中最高广角的涵盖面积及最高密度的离子浓度, 在离子辅助镀膜工艺中 Ion Beam Assisted Deposition, IBAD 可以获得高均匀性及高致密性的膜层. EH 3000 HC 近日成功应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片. 通过使用上海伯东 KRI 离子源镀全反射膜, 高均匀性及高致密性的膜层可以保障光源有效反射, 尽可能减少吸收. 直径 2.2m 镀膜腔, 仅需安装1台 EH 3000 HC 霍尔离子源, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本!上海伯东离子源蒸镀典型案例: 根据客户 2.2m 镀膜腔体尺寸, 基材尺寸和工艺条件, 推荐选用霍尔离子源 eh3000 HC, 配置中空阴极, 中和器, 自动控制器1. 设备: 2.2m 蒸镀镀膜机.2. 基材: 1.5m 天文望远镜镜片镀铝 Al, 最外层镀一层二氧化硅 SiO2, 做为保护膜3. 离子源条件: Vb:120V ( 离子束阳极电压 ), Ib:14A ( 离子束阳极电流 ), O2 gas:45sccm( 氧气 ).4. 离子源应用: 天文望远镜镜片镀全反射膜, 约3个小时 保障光源有效反射, 尽可能减少吸收.霍尔离子源 EH 3000 HC 主要技术参数尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A可通气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2,离子束发散角度： 45° (hwhm)水冷 类似应用: 汽车头灯模块镀全反射膜, 使发光源的光全部反射出去照亮 美国 KRi 霍尔离子源凭借高密度的离子浓度, 广角度涵盖面积的离子束, 可控制离子的强度及浓度, 已广泛应用于离子辅助镀膜 IBAD , 获得高质量的膜层. 上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸及工艺条件选择对应型号: EH 400, EH 1000, EH 2000, EH 3000. 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解离子源镀膜案例, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 75上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA. KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数型号KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径7.5 cm中和器灯丝电源控制KSC 1212 或 KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度7.9' - 直径5.5' - 离子束聚焦 平行 散设 -加工材料金属 电介质 半导体 -工艺气体惰性 活性 混合 -安装距离6-24” - 自动控制控制4种气体* 可选: 一个阴极灯丝 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 3000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源.尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性&bull 水冷 - 加速冷却&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时,限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数型号eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE供电DC magnetic confinement - 电压50-250V VDC - 离子源直径~ 7 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-25020A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属 电介质 半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD表面改性, 激活 SM直接沉积 DD若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 T: +86-21-5046-3511 ext 107 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

KRI 考夫曼离子源 eH 200,系列离子源结合是圆柱式及线性配置的离子枪 (ion source), 这些配置可以整合至多种真空工艺平台, 包含镀膜机, 传送腔体, 卷绕式镀膜机, 磁控溅射机, 连续式镀膜机, 我们提供一套完整的方案包含离子源 (ion source), 电子中和器, 电源供应器（Compact Power Supply）, 流量控制器 (MFC), 等等KRI Ion Source eH 系列离子源 应用eH 系列离子源是应用在标准或新型材料工艺, eH 系列产品科技可以在指定能量, 化学反应, 电流密度及投射轨道来产生及控制离子, 由于提供原子等级的细微加工能力, eH 离子源可以有效地以奈米精度来处理薄膜 (thin films) 及表面, 无论是本身密度的浓缩, 应力控制, 光学传输（photonics）, 纯净度, 阻抗, 平滑介面, 附着力改善等等,KRI 霍尔离子源主要应用?离子辅助镀(IBAD)?In-Situ Substrate Preclean (PC)?Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)?Direct Deposition (DD)?离子刻蚀 (IBE).光学镀膜一般应用如下:1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜6. 离子刻蚀 (ion etching)7. 偏压离子束磁控溅射镀膜KRI Ion Source eH 系列离子源技术参数:ModeleH 200, eH 200 LEHOCathode / NeutralizerYesAnode moduleYesProcess gases Inert, reactive, organicPower controllereH Plasma Power Pack 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。伯东版权所有, 翻拷必究!

新一代高精度低温铯离子源FIB系统运用曾获诺贝尔奖的激光冷却技术，zeroK Nanotech公司于2020年推出了基于低温铯离子源（Cs+ LoTIS）的新一代高性能聚焦离子束系统——FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）和相应的离子源升配件——FIB：RETRO。zeroK Nanotech公司采用的低温技术可以减少离子束中的随机运动，从而使FIB：ZERO中的离子束斑与传统离子源产生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸和更低的能量散失。同时，还可以产生更多的二次离子，获得更清晰的成像。一系列测试表明，新一代的FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统的液态金属镓离子源(Ga+ LMIS) FIB 系统相比拥有更高的微纳加工精度，更清晰的成像对比度和景深。其加工速度与传统FIB基本一致，在低离子束流能量条件下有着更优异的表现。与氦（He+），氖（Ne+）离子源FIB相比，FIB: ZERO拥有高一个数量的加工速度和对样品更少的加工损伤。应用领域◎ 纳米精细加工◎ 芯片线路修改和失效分析◎ 微纳机电器件制备◎ 材料微损伤磨削加工◎ 微损伤透射电镜制样设备特点更高的亮度：低温Cs+离子使FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统FIB (Ga+ LMIS)相比具有更高的亮度，配合其全新的高对比度大景深成像系统，对样品的观察范围更大、更清晰。更小的离子束斑尺寸：FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）系统小分辨率可达2 nm，提供了比传统的FIB (Ga+ LMIS)更高的加工精度。更小的能量散失：可达10 nA以上的离子束电流，保证了低能量离子束条件下的优 秀表现。设备型号FIB:ZERO聚焦离子束采用Cs+低温离子源（LoTIS）的聚焦离子束 FIB：ZERO系统以较低的束能量提供较小的聚焦点尺寸，并提供多种束电流。它是当今基于Ga+，He+或Ne+的FIB的下一代替代产品。FIB:ZERO是采用新型高性能Cs+离子源的聚焦离子束系统。与 Ga+系统相比，即使在较低的光束能量下，它也可以提供更好的分辨率。与He+或Ne+系统相比，它的铣削速率高一个数量，并且减少了样品损伤。FIB:ZERO还可提供可更高的对比和更高的二次离子产率。FIB:ZERO应用领域：◎ 高分辨率溅射◎ 二次电子或离子成像◎ 气体驱动的沉积和去除◎ 电路编辑 FIB:ZERO主要参数◎ Cs+离子束在10 keV下具有2 nm分辨率◎ 1 pA至10+ nA束电流◎ 2 keV至18 keV的束能量◎ 兼容大多数附件动态SIMS与同类产品相比，采用Cs+低温离子源（LoTIS） 的SIMS：ZERO聚焦电子束SIMS平台，可向同一个点提供100倍的电流，从而能够以更高的分辨率分析更大的样本。 SIMS：ZERO产品特点：◎ 具有纳米分辨率的Cs +离子束◎ 10+ nA束电流（Cs +）◎ 功能齐全的FIB系统◎ 高分辨率的SIMS SIMS：ZERO技术优势：◎ 无需薄片即可获得类似EDX的光谱◎ 收集SIMS数据的速度提高100倍◎ 控制SIMS的纳米加工过程测试数据微纳加工对比加工均匀性对比左图为用FIB (Ga+ LMIS)系统从硅基底上去除150nm厚金膜的结果，右侧为ZeroK nanotech的FIB: ZERO （Cs+ LoTIS）在相同时间内去除金膜的结果。 加工精度对比左侧图为Ga+离子源FIB加工结果, 右侧图为ZeroK Nanotech FIB: ZERO在相同时间内加工的结果。加工速度对比在10 kV下 Cs+离子束磨削速度比30kV下的Ga+离子束慢15%，比10kV下的Ne+离子束的磨削速度高90%。 加工损伤范围对比SRIM（The Stop and Range of Ions in Matter）模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围，图从左至右分别为Ne+10KV, Ga+30KV, Cs+10KV。从图可以看出，Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。成像效果对比景深成像对比左图为Ga+离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像对比度比较左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像清晰度比较左图为Ga+离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一截面的成像结果。发表文章1. Steele, A. V., A. Schwarzkopf, J. J. McClelland and B. Knuffman (2017). "High-brightness Cs focused ion beam from a cold-atomic-beam ion source." Nano Futures 1: 015005.2. Knuffman, B., A. V. Steele and J. J. Mcclelland (2013). "Cold atomic beam ion source for focused ion beam applications." Journal of Applied Physics 114(4): 191.用户单位TU Kaiserslautern

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：型号KDC 100供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径12 cm中和器灯丝电源控制KSC 1212配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度9.25' - 直径7.6' - 离子束聚焦平行散设 -加工材料金属电介质半导体 -工艺气体惰性活性混合 -安装距离8-36” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域：溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！

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液态镓离子源，应用于FEI（赛默飞）的聚焦离子束设备，液态镓离子源是将液态金属镓灌入尖端的漏斗状结构，在拉出极高压的作用下形成镓离子束。

价格货期电议上海伯东美国 KRI 射频离子源成功应用于 LED-DBR 离子辅助镀膜市场. 随着对镀膜品质要求的不断提升, 使用霍尔离子源辅助镀膜已经无法满足高端镀膜应用市场, 国内某知名 LED 制造商经过我司推荐采用射频离子源 RFICP 325 安装在 DBR 生产设备 1650 mm 蒸镀机中. 成功实现高端光学镜头镀膜并通过脱膜测试!上海伯东射频离子源客户案例: 国内某知名 LED 制造商1. 离子源应用: LED-DBR 镀膜生产2. 系统功能: 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.3. 离子源: 采用美国 KRI 射频离子源 RFICP 325. 离子源 RFICP 325 提供的离子束 (不论是离子能量还是离子密度) 均是目前业界较高等级, 离子源 RFICP 325 特殊的栅极设计 E22 Grided 可以涵盖 1650 mm 尺寸的蒸镀机中大范围的载具 substrate holder, 无论是生产良率或是均匀性都可达到最高生产效能.4. 离子源功能: 通过射频离子源 RFICP 325 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean 功能后, 所生产出的 LED-DBR 无论是亮度测试, 脱膜测试, 顶针测试, 光学特性等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源.上海伯东射频离子源安装案例: KRI RFICP 325 射频离子源安装于 1650 mm 尺寸电子枪蒸镀镀膜机.KRI 射频离子源测试案例: LED-DBR 脱膜测试.1. 在高倍显微镜下检视脱膜测试2. 测试结果--------- 使用其他品牌离子源--- ---- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题 使用上海伯东美国考夫曼离子源, 样品无崩边 上海伯东美国射频离子源 KRI RFICP 325 优点:高离子浓度, 高离子能量, 离子束涵盖面积广 镀膜均匀性佳, 提高镀膜品质 模块化设计, 保养快速方便 增加薄膜附着性, 增加光学膜后折射率 全自动控制设计, 操作简易 低耗材成本, 安装简易 上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼离子源或是 KDC 直流电原式考夫曼离子源.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请查看官网或咨询叶女士