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流动耗散单元

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  • 耗散型石英晶体微天平分析仪QSense Initiator是一款继上代产品之后强化了其核心功能的QCM-D仪器。Initiator简化流动模块设计,使得芯片安装,仪器操作更为简便。更加直观简便的软件操作,省略了一些复杂繁琐的软件设置步骤,使得初学者容易上手。实验数据简明扼要,分析结果一目了然,简化了倍频分析,更加突出石英晶体微天平定性分析的重要功能。QSense Initiator是检测吸附在表面上的分子反应机制的分析仪器。当分子层在芯片表面质量或者结构发生改变时,Initiator可以测量其变化。在材料、蛋白质和表面活性剂等领域研究中,QSense Initiator设备起到了关键作用。从快速入门使用到高质量数据分析,QSense Initiator提供了一套完整的解决方案。我们的产品提供包括硬件、软件、技术支持和让您可以快速开始研究所需的介绍、培训以及实验结果分析。QSense Initiator设备基于极其灵敏和快捷的带耗散因子检测技术。该设备的核心是芯片在加载电压的作用下以特定频率振荡。当芯片上质量发生变化时,振荡频率会随之变化(1)。断开电路会导致振荡衰减(2)。衰减速率或耗散因子与传感器上的分子层粘弹性有关。QCM-D可借此分析吸附在传感器表面的分子层状态,包括质量、厚度和结构性质(粘弹性)。产品优势:● 实时追踪分子运动:QSense Initiator可以实时追踪在芯片表面的分子运动。● 测量分子层的质量和厚度:凭借着纳克级的精度,检测芯片表面分子层的形成过程变成了可能。● 自由的表面选择:金属、聚合物、化学改性表面,只要能铺展成薄膜的材料,都可以成为我们的定制芯片涂层。● 整体解决方案: QSense Initiator提供易于上手的整体解决方案。QSense Initiator系统包括仪器、软件和安装教程。QSense Initiator也提供技术培训和应用支持。● 单通道传感器系统:专为液相流动实验设计!单通道试验模块配有精确的温控单元作为辅助。● 无需标记,原位测试:从生物医药科学探索,到工业级的环境监测,再到清洁用品的研发,QSense Initiator 都提供了广泛有效的应用空间。● 超高的精度:凭借着纳克级的检测精度,它可以实时追踪表面分子质量、厚度变化以及分子间的相互作用。它同时可以检测分子结构和溶剂组分的改变。结果精确,重复性高。● 无限的可能:对于液体或气体环境中各种样品,QSense技术提供了广泛有效的应用空间,最大程度满足您的需求。● 高效简便的数据分析:通过整套QSense设备,直观的分析软件和其他配件的联用,可以获得全面的数据分析。技术参数:传感器数量 1个传感器上方体积和最小样品体积 ~40 μL, ~200μL工作温度 20至45°C, 通过软件控制,稳定性±0.02 °C。常规流速 50-200 μL/min,最大可达1000μL/min液相中常规质量精度与最大质量精度 ~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常规耗散因子精度与最大耗散因子精度 ~0.1*10-6,~0.04*10-6
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  • 阻抗测量和耗散QCM-I耗散型石英晶体微天平是一种高灵敏度质量传感器,可测量石英晶体谐振器和任何吸附膜的频率和耗散变化。 QCM可应用于很多方面:蛋白质,高分子薄膜,生物传感器,化学传感器,腐蚀,聚合物薄膜,纳米颗粒薄膜等。频率和耗散的变化提供了与薄膜质量或弹性变化有关的信息。能够分析分子间的相互作用和表面性质。 测量原理是基于石英晶体的阻抗分析。 确定谐振频率和谐振电导曲线的带宽。 半带宽或全宽,半带宽(FWHM)与质量因子(Q)直接相关,质量因子(Q)定义为耗散的倒数(D)。同时捕捉到的两个参数F(频率)和D(耗散因子)将绘制吸附物质在表面上排列的状态,以及排列如何随时间变化;一个QCM 芯片的频率响应反映了它表面上耦合质量的变化,包括被困在分子层间的溶剂的质量。耗散反映了薄膜的软硬度。监测这两个作为时间函数的参数,即可对分子是否平躺在表面(刚性膜和水合程度低);或是伸展构型(软膜和水合程度高);以及如果有重排,例如溶胀(从平躺到延伸)或塌缩(从延伸到平躺)等这些变化进行检测。 QCM-I特点: 测量谐振的频率和质量(最大半带宽或带宽或耗散)可以快速连续地测量不同的谐波(在5MHz晶体上达13次谐波)包括4°C至80°C(±0.02°C)的温度控制EC测量模块可选配ITO-QCM传感器模块化传感器支架,最多4个测量通道带有Windows10的外置PC 通过USB与QCM-I连接 该软件可完全控制QCM-I仪器。 有两种测量模式: 共振:共振曲线的测量和共振频率的计算以及高达70 MHz的FWHMQCM-t:连续测量共振参数和流动池的温度。计算:可以使用标准或定制模型计算各种QCM和广告层参数。 所有这些参数都可以显示在屏幕上,打印,保存或导出以供进一步评估。 包含项目: QCM单元有两个温控通道PC计算机INTEL NUC与Windows10ProQCM传感器支架(流通型)2个生物传感的3.xx软件(一个用户许可证)采用半自动进样阀的进样系统
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  • 阻抗测量和耗散QCM-I耗散型石英晶体微天平是一种高灵敏度质量传感器,可测量石英晶体谐振器和任何吸附膜的频率和耗散变化。 QCM可应用于很多方面:蛋白质,高分子薄膜,生物传感器,化学传感器,腐蚀,聚合物薄膜,纳米颗粒薄膜等。频率和耗散的变化提供了与薄膜质量或弹性变化有关的信息。能够分析分子间的相互作用和表面性质。 测量原理是基于石英晶体的阻抗分析。 确定谐振频率和谐振电导曲线的带宽。 半带宽或全宽,半带宽(FWHM)与质量因子(Q)直接相关,质量因子(Q)定义为耗散的倒数(D)。同时捕捉到的两个参数F(频率)和D(耗散因子)将绘制吸附物质在表面上排列的状态,以及排列如何随时间变化;一个QCM 芯片的频率响应反映了它表面上耦合质量的变化,包括被困在分子层间的溶剂的质量。耗散反映了薄膜的软硬度。监测这两个作为时间函数的参数,即可对分子是否平躺在表面(刚性膜和水合程度低);或是伸展构型(软膜和水合程度高);以及如果有重排,例如溶胀(从平躺到延伸)或塌缩(从延伸到平躺)等这些变化进行检测。 QCM-I特点: 测量谐振的频率和质量(最大半带宽或带宽或耗散)可以快速连续地测量不同的谐波(在5MHz晶体上达13次谐波)包括4°C至80°C(±0.02°C)的温度控制EC测量模块可选配ITO-QCM传感器模块化传感器支架,最多4个测量通道带有Windows10的外置PC 通过USB与QCM-I连接 该软件可完全控制QCM-I仪器。 有两种测量模式: 共振:共振曲线的测量和共振频率的计算以及高达70 MHz的FWHMQCM-t:连续测量共振参数和流动池的温度。计算:可以使用标准或定制模型计算各种QCM和广告层参数。 所有这些参数都可以显示在屏幕上,打印,保存或导出以供进一步评估。 包含项目: QCM单元有两个温控通道PC计算机INTEL NUC与Windows10ProQCM传感器支架(流通型)2个生物传感的3.xx软件(一个用户许可证)采用半自动进样阀的进样系统
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  • QSense Omni 耗散型石英晶体微天平——高效无忧的QCM-D技术 创新引领未来QCM-D技术的开创者瑞典百欧林科技有限公司与查尔姆斯理工大学是QCM-D技术的开创者,QSense为纳米级表界面相互作用跟踪和表征提供全球领先的、高端的耗散型石英晶体微天平。QSense 耗散型石英晶体微天平通量高、易于使用,可以为您提供独特的、可重复的和有深度的数据。这有助于您了解反应的基本原理过程、提前预测真实结果以及优化产品和流程,以适应真实的反应条件。拥有一台QSense耗散型石英晶体微天平,可以使您和您的团队一直处于科学进步和技术创新的最前沿。QSense Omni是我们最新一代QCM-D耗散型石英晶体微天平,现有的技术加上几十年对表界面相互作用的深度理解,QSense Omni可以为您提供更清晰的结果和更顺畅的实验过程。QSense Omni可以更快展示您独到的见解,并基于高度可控的测量结果做出更可靠的结论。QSense Omni 适用场景:您需要简单易用 &bull 开箱即用的解决方案&bull 开启工作所需的一切皆已包含您需要灵活性 &bull 自由构建满足您现在和将来需求的系统您需要自动化 &bull 最大限度地减少操作时间&bull 最大限度地提高可重复性您重视数据质量 &bull 从全新一代高端QCM-D仪器中获取值得信任的结果QSense Omni 技术特点: &bull 自动样品切换&bull 自动运行QC程序 &bull 直接注入液体 &bull 快速液体交换 &bull 芯片自动锁紧 &bull 集成样品加热舱 &bull 各通道流速独立调节 &bull 实时编辑程序三个选用QSense Omni的原因: 数据解析更容易一流的信号处理和快速可重复的液体交换,QSense Omni为您提供清晰、简洁的数据。数据解析和分析更为轻松自信。实验过程更顺畅得益于直观的设计、智能的工作流程和灵巧的自动化,成功进行QCM-D实验并获取可信和可重复的结果变得史无前例地轻松简单。生产力大幅提高,工作更有效率。与研究共同成长设计卓越、功能智能,QSense Omni为科学进步和未来创新量身定制。升级到更多通道或增加QSense Orbit来构建更多元化的实验设置和补充测量,您可以轻松跨越入门级门槛,让QSense Omni与您的研究共同成长。QSense芯片——多种芯片表面可选:QSense芯片是QCM-D测量的核心。芯片涂层的选择对于您的实验至关重要。百欧林科技可提供超过我们提供50种标准芯片涂层和200多种定制芯片,涵盖各种材料,包括金属、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂层和标准化土壤。您可以从种类繁多的芯片中找出哪种芯片材料和涂层最适合您的研究。也可以根据您的需求让百欧林为您量身定制,我们可以让您尽可能接近真实的反应条件。百欧林科技开发和生产的芯片,经过严格的验证。QSense芯片将为您的QSense系统提供稳定、可靠和可重复的数据。芯片建议一次性使用。 QSoft Omni 软件:一同领略 QSoft Omni 软件的风采吧!一个全新的、用户友好的软件,旨在帮助您完成实验设置并成功获得实验数据。当您在准备实验时,QSoft Omni 软件会在后台进行QC程序,确保测量条件最佳。QSoft Omni帮您采集数据,而Dfind使您的数据分析更轻松。图片 2:QSoft Omni 软件QSoft Omni 软件主要特点:&bull 引导式工作流程带领您完成实验设置&bull 后台自动运行QC程序,确保实验结果最佳&bull 拖放界面和实时编辑使程序开发变得更为轻松&bull 事件日志自动记录自动操作和用户注释QSense Omni模块及配件——探索更多:浏览以下可选配模块,扩展您的实验设置和可能性。QSense湿度模块用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。QSense窗口模块该系统可以在芯片表面上同时进行QCM-D测量和显微镜观察。您还可以进行对光或辐射敏感的实验。QSense 电化学模块想在同一表面上同时进行QCM-D和电化学测量?该模块支持多种电化学方法,如循环伏安法和电化学阻抗测量,可探索如聚合物的界面行为、静电相互作用、腐蚀性能等。QSense电化学窗口模块该模块可在芯片表面上同时进行QCM-D测量和光学、电化学测试,该模块通常用于光伏等应用。QSense开放模块开放模块无需管路,样品需求量低。您可以直接移液少量液体确保覆盖芯片即可。该模块可进行样品挥发性、外部触发反应(如光诱导反应和化学触发反应)等研究。QSense湿度模块用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。QSense ALD(原子层沉积)样品架适用于真空或气相环境测量。QSense PTFE流动模块适用于对钛材料敏感的测量体系。类似于标准流动模块(QFM 401),但流路部分的钛被PTFE替换。客户谏言:BASF试用QSense Omni后的第一印象“我观察到QSense Omni减少了交叉污染,这对于获取准确的数据至关重要。我认识到这在我们未来的研究中极具潜力和价值。”- Peter Stengel“从我进行实验的初步经验来看,很明显QSense Omni是为易于使用而设计的,多个用户可同时开展实验。”- Franziska TauberQSense Omni技术参数:让我们深入了解下QSense Omni的技术性能,您还可以将这些参数与其他QSense仪器进行比较。测量范围和能力通道数1 - 4工作温度4 到 70 °C芯片基频5 MHz 频率范围1-72 MHz倍频数量7, 均可用于粘弹性建模样品和流速芯片上方体积~ 20 μl最小样品体积(流动模式)~ 90 μl流速范围1-200 µ l/min测量特性最大时间分辨率每秒300个数据点 (每个数据点一个f 值和D值 )最小噪音a频率: 0.005 Hz耗散因子: 1∙ 10-9温度:0.0005 &ring C质量: 0.08 ng/cm2不同模式下的性能请参阅样本第7页长期稳定性 b C频率: 0.25 Hz/耗散因子: 0.04.10-6 /h温度: 0.003 &ring C/hSoftware软件QSoft OmniDfind分析软件数据输出7个倍频下的频率和耗散因子厚度(或质量)、粘度、剪切模量以及粘度和剪切模量的频率依赖性、动力学、斜率、上升时间等电脑配置USB 2.0或更高版本Type C接口Intel i5处理器(或同等处理器)内存不小于8GB屏幕分辨率不小于1920 x 108064位处理器屏幕分辨率不小于1366×768内存不小于4 GB操作系统Windows 10或更新版本(Windows早期版本可能无法正常运行)数据输入/输出SQLitepdf, rtf, png, svg, gif, csv, xls, ogw电源仪器输入24 V DC, 10 A外部电源输入100-240 V AC, 50-60 Hz, 12.5 A尺寸和重量高(cm)宽(cm)深(cm)重量(kg) d单通道32223614双通道32293622三通道32363629四通道32433637所有规格可能会在未经通知的情况下更改b. 温度稳定性取决于外部环境对样品舱的加热或者制冷。如果由于气流或热源等原因,室温变化超过±1℃,可能无法达到指定的温度稳定性。c. 数据测试条件如下:QSX 303 SiO2芯片在25℃的去离子水中测量,流速为20µ l/min,数据采集速率为每秒1个数据点,测量时长1小时。用于分析的数据间隔为2分钟。等待超过1小时可以获得更好的稳定性。d. 重量不包括外部电源。QSense Omni实际性能:更高的采样速率不可避免地会产生更高的噪音和提高检出限。通过明显降低噪音水平,QSense Omni极大地降低了检出限。下面的图表描述了QSense Omni在三种不同采样间隔下的检测限,可以看出在高采样频率下检出限也可以做到非常低。下面的图表列出了每种采集模式下的采集速度和检出限(LOD)。表1 a:性能特征数据采集设置采集7个倍频数据需要的时间(s)f/n-噪音 (Hz)检测限(ng/cm² )耗散因子D噪音(∙ 10-6) 低噪音9.680.0050.2390.001正常1.060.0090.4960.003快速0.090.0291.5130.011图2a:每种采集模式下的采集速度和检出限(LOD)。不同的采样间隔下的理论检测限(LOD)。检测限设定为频率噪音水平的3倍。a 实验条件如下:QSX 303 SiO2芯片在20°C温度下、流量15μL/min的去离子水中使用一个测量通道进行测量。每种测量模式测量5分钟,根据1分钟时间范围内采集数据点的标准偏差,统计确定噪音数据。
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  • 耗散型石英晶体微天平分析仪QCM-Disspation-NT开放式设计,便于用户进行集成,各种改造,可实验室使用,也可便携使用作为新一代QCM-Dissipation Next, 该款耗散型石英晶体微天平分析仪增加了多倍频同时测量功能,增加了帕尔贴主动控温功能。可同时测量多倍频频率与耗散。设计的理念是让大多数实验室都能用得起,价格非常便宜,16万人民币以内。请搜索北京伯英科技(boinst)公司官网联系我们!用户可以一次性买一台或多台,进行串联或并联使用。仪器为开放式设计,便于用户根据自己的灵感进行灵活应用,可使用电路板进行各种改造与集成。仪器设计之初用于航空航天,因而体积与重量都小型化轻量化,两个鼠标大小,重量不到300g)。两种使用模式:标准模式与开放模式。开放式可用线缆连接,把电路板可集成到其他电子器件上(如航空航天),便于用于集成以及进行各种改造。 用户可以使用自己的测量池:用户准备好自制的线缆,连接到仪器电极上即可耗散型石英晶体微天平分析仪QCM-Disspation-NT技术参数:测量数据频率与耗散,多倍频同时检测晶片数据直径14mm, 基频5/10 MHz,倍频数达50MHz, 9倍@5MHz晶片灵敏度F:±1Hz, M:4.42x10-9g Hz-1cm-2, D:~ 0.1x10-6最小采样时间~ 125 ms,每个倍频样品池温度15 - 45 °C (帕尔贴温度:5°C-45°C),加热或冷却样品池窗口玻璃,PTFE框架,氟橡胶圈样品池材料顶部镀镍不锈钢,底部镀铬铝主机框架材料铝合金与尼龙连接方式USB,手机数据线即插即用软件Python(耗散型)操作平台Windows, MAC, Linux样品池尺寸2.5 x 2.5 x 0.5 cm产品长宽高/重量20 x 8 x 4 cm,260g仪器输入电压5 VDC(电脑USB电源)帕尔贴电源220VAD转5 VDC仪器260g,两个鼠标大小,可非常灵活使用。QCM是非常灵敏的质量传感器,可在液体与气体中使用。开放式QCM通过USB线连接电脑即可实现数据的采集与分析,简单易用。我们Boinst的耗散型石英晶体微天平分析仪可作为实验室的标准的科研仪器,也可作为便携式传感器,方便携带。通过石英晶体微天平分析仪QCM,您可以获得基本的频率变化、质量、厚度等参数,耗散型QCM还可以测量耗散因子、界面流变、构象变化等。耗散因子可以知道石英晶片表面样品的刚性与柔性,可用于计算表面粘度与弹性模量(界面流变)。可测量的参数:频率、耗散,可进一步计算质量、厚度、界面流变等数据。通过耗散可判断样品构象、刚性与柔性的变化。仪器常用研究方向:分子相互作用、传感器、生物材料、聚合物表面、膜层层组装,表面反应,纳米颗粒,生物相容性,水污染与大气污染,真空镀膜在线厚度监测,空间(航天器)QCM等。仪器常见应用例子:分子相互作用,分子或微量物质在表面的吸附或解吸,表面化学反应, 真空镀膜膜厚在线监测生物分子相互作用,抗体抗原,蛋白分子聚集与纤维化,蛋白构象变化,生物传感器药物筛选释放,药物与蛋白分子相互作用,药物导致的蛋白构象变化,聚合物包覆药物与溶解,定向输送生物材料相容性,细胞、蛋白在表面的吸附生长,膜层层组装,生物膜在表面的生长,抗凝血材料聚合物刷,聚合物智能开关,聚合物构象与界面流变,聚合物电解质,溶胀,分子交联,自组装等。聚合物界面流变,耗散因子测量等气敏、湿敏、盐敏、pH敏感的聚合物,气体传感器,湿度传感器,水处理膜,空气尘埃,气溶胶沉积空间QCM,太空应用,如太空航天器水汽吸附,原子氧腐蚀,腐蚀,尾气,尘埃…耗散型石英晶体微天平分析仪在液体中的应用展示了巨大的潜力。QCM在功能化表面测量绑定事件是非常有效的,比如抗体-抗原绑定,蛋白间反应。仪器在生命科学领域是非常强大的工具,可以检测DAN杂化与特定效果的药物化合物,以上仅仅是部分应用,更多的应用取决于你想在实验室做什么研究。
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  • Gamry 高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I Mini 具备能耗因子表征功能的阻抗型石英晶体微天平,可以通过纳克质量的变化与耗散因子的测量,研究单分子层的吸附与脱附,吸附的机理,吸附的结构变化等规律。其广泛应用与生物、药物、食品、能源电子、石油化工、涂料、材料、生命等领域。例如:研究生物分子相互作用、生物传感器和免疫传感器、分子与细胞吸附与生长扩散的动力学、生物相容性、膜蛋白-脂质双层相互作用、蛋白质-DNA/RNA相互作用、核酸、基因传感器、无标记生物传感器应用、生物纳米技术、药物筛选、锂离子的扩散与嵌入、材料的腐蚀与防护等等。能够测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散,进而分析反应过程中微小的质量变化,吸附层厚度变化等;能够判断膜的刚性或柔性,并且分析膜的粘弹性方面的性质;以及实时追踪分子排列、结构变化等。阻抗型、耗散型石英晶体微天平判断薄膜的刚性与柔性测量耗散,分析膜的粘弹性吸附、成膜等过程中的微小质量变化,分析膜的厚度、质量等实时追踪反应过程中的分子排列、结构变化...... 同时测量共振频率和耗散因子快速测量多个谐波震动频率(对于5MHz晶片,可以测到第13次谐波)温控范围是15°C 到60°C (精度± 0,02 °C)可扩展到2通道和Windows 10等操作系统PC计算机兼容。直接通过USB实现数据通讯液相中标准耗散因子精度为~ 1 x 10-7 Gamry 高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I Mini 适用领域:生物传感器、化学传感器、电池、腐蚀等领域,包括:聚合物膜、纳米粒子薄膜Li+ 嵌入(锂电或电容器)材料表面腐蚀研究电沉积自组装单层 抗原-抗体相互作用 表面活性剂吸附蛋白质吸附离子和溶剂运输Biosense软件可同时控制石英晶体微天平和Gamry恒电位仪的运行及数据获取。BioSense软件:实时跟踪质量与耗散因子的变化测试曲线:测量共振频率及共振电导曲线的半峰宽(FWHM),最高频率可达80 MHz连续进行频率测试的同时,监控温度随时间的变化 数据分析: 用户可以使用标准或自定义模型,计算相关QCM参数及吸附层参数 Gamry高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I Mini 仪器配置:QCM Unit with two channels (one channel is temperature controlled)Microsoft Surface Pro Tablet with Windows 10 {roQSH-104 QCM Sensor Holder (flow through type)BioSense 3.xx Software (one user license)产品优势能够测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散,进而分析反应过程中微小的质量变化,吸附层厚度变化等;能够判断膜的刚性或柔性,并且分析膜的粘弹性方面的性质;以及实时追踪分子排列、结构变化等.判断薄膜的刚性与柔性测量耗散,分析膜的粘弹性吸附、成膜等过程中的微小质量变化,分析膜的厚度、质量等实时追踪反应过程中的分子排列、结构变化......QCM-I Mini 高精度耗散型石英晶体微天平仪器参数:
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  • Gamry高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I 测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散,进而分析反应过程中微小的质量变化,吸附层厚度变化等;判断膜的刚性或柔性,并且分析膜的粘弹性方面的性质;以及实时追踪分子排列、结构变化等。Gamry高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I产品特点:阻抗型、耗散型石英晶体微天平判断薄膜的刚性与柔性,测量耗散,分析膜的粘度、弹性等性质吸附、成膜等过程中的微小质量变化(可低至纳克级),分析其厚度、质量等实时追踪反应过程中的分子排列、结构变化......在QCM测试的同时,可以同步进行电化学扫描液相中标准耗散因子精度: 1 x 10-7(1E-7)液相中的质量灵敏度:1 ng/ cm2双通道,带温度控制,流通型QCM池,可扩展至四通道同时监测频率和耗散频率范围:1-80MHz(对于5MHz可做到13倍频)温度控制范围:4°C - 80°C (± 0.02 °C) 可选配电化学测试模块最多可配置为4通道(标准配置为双通道)USB连接方式兼容直径为1英寸和14mm的两种不同尺寸的石英晶片;提供金、ITO导电玻璃等覆盖多种材料薄膜的石英晶片。 Gamry高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I适用领域:生物传感器、化学传感器、电池、腐蚀等领域,包括:聚合物膜、纳米粒子薄膜Li+ 嵌入(锂电或电容器)材料表面腐蚀研究电沉积自组装单层 抗原-抗体相互作用 表面活性剂吸附蛋白质吸附离子和溶剂运输 控制软件 —— BiosenseBiosense软件可同时控制石英晶体微天平和Gamry恒电位仪的运行及数据获取。BioSense软件:实时跟踪质量与耗散因子的变化 测试曲线:测量共振频率及共振电导曲线的半峰宽(FWHM),最高频率可达80MHz连续进行频率测试的同时,监控温度随时间的变化 数据分析: 用户可以使用标准或自定义模型,计算相关QCM参数及吸附层参数 Gamry高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I 仪器包含:QCM Unit with two temperature controlled channelsPC Computer INTEL NUC with Windows 10 ProQCM Sensor Holder (flow through type) 2 pcBioSense 3.xx Software (one user license)Sample Injection System with Semi-automatic injection valve产品优势Gamry高精度耗散型石英晶体微天平QCM-I是基于对石英晶片进行阻抗分析基础上的高度灵敏的质量传感器,能够测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散,进而分析反应过程中微小的质量变化,吸附层厚度变化等;能够判断膜的刚性或柔性,并且分析膜的粘弹性方面的性质;以及实时追踪分子排列、结构变化等。仪器提供单通道、多通道多种配置;可以单独使用,也可与电化学工作站同步联用。 技术参数
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  • 耗散型石英晶体微天平分析仪开放式设计,便于用户进行集成,各种灵活改造该款耗散型石英晶体微天平分析仪设计的理念是每个实验室都能用得起,价格非常便宜,从几万到10万人民币以内,常规QCM与耗散型QCM(QCM-D)都比市场上QCM便宜很多, 能便宜10倍左右,用户可以一次性买一台或多台,进行串联或并联使用,仪器为开放式设计,便于用户根据自己的新的想法进行灵活应用。如有需要请通过搜索"北京伯英科技有限公司”官网联系我们。耗散型石英晶体微天平分析仪为开放式、可带WIFI,USB数据线即插即用,兼容不同尺寸与频率石英晶片,独立或多台串联使用,应没有价格比这低的进口耗散型QCM, 仪器设计之初用于航空航天,因而体积与重量也找不出再小再轻的(43g)。两种使用模式:标准模式与开放模式。开放式可用线缆连接,把电路板可集成到其他电子器件上(如航空航天),便于用于集成以及进行各种改造。用户可以使用自己的测量池:如下图所示,开放式石英晶体微天平分析仪主机使用标准USB线采集数据,可用于采集用户自制测量池数据,只需把标准USB线剪开,把绿色线与白色线(数据正线与负线)分别连接到用户池正负极即可。耗散型石英晶体微天平分析仪技术参数:长宽高与重量66 x 50 x 26 mm,43g默认基频10 MHz,兼容5~25 MHz耗散灵敏度10-7,倍频可到50MHz常规灵敏度4.42 x 10 -9 g Hz-1 cm-2常规工作温度-40°C to 85° C软件Java数据采集频率zui大10个数据/s操作平台Windows, MAC, Linux连接方式USB内置温度传感器10K Thermistor设备材质Polyamide输入电压5 VDC(电脑USB电源)测试窗口材质PMMA电源58 mA (290 mW) @ 10 MHzO-ring 材质Silicone设备生产方式先进的3D打印工艺石英晶体微天平分析仪是非常灵敏的质量传感器,可在液体与气体中使用。我们Boinst的耗散型石英晶体微天平分析仪通过Micro USB手机数据线与电脑连接即可实现数据的采集与分析,简单易用,可作为实验室的标准的科研仪器,也可作为便携式传感器,方便携带。通过石英晶体微天平分析仪QCM,您可以获得基本的频率变化、质量、厚度等参数,耗散型QCM还可以测量耗散因子、界面流变、构象变化等。耗散因子可以知道石英晶片表面样品的刚性与柔性,可用于计算表面粘度与弹性模量(界面流变)。QCM仪器常用研究方向:分子相互作用等、生物传感器、生物材料、膜层层组装,表面反应,聚合物薄膜组装,纳米颗粒,生物相容性等。我们Boinst的耗散型石英晶体微天平分析仪仅43g,体积如鼠标大小,系统非常灵活。可用于多种条件下的镀膜在线检测,分子层的吸附与解吸附,分子相互作用,分子自组装,薄膜水合作用,同时还可用于分子构象变化检测(比如在表面由于化学反应导致的变化),水处理膜,作为卫星用石英晶体微天平,空间QCM, 用于航空航天,外太空尘埃或原子氧腐蚀,太空污染等方面研究。石英晶体微天平分析仪仪器还可以用于可调谐的气体传感器,检测气体中的特定分子,还用于监测气溶胶在大气环境中的沉积。体积小,可作为便携式传感器应用常见应用:分子相互作用,生物传感器,抗体抗原药物筛选释放,药物与蛋白分子相互作用,药物导致的蛋白构象变化蛋白分子聚集与纤维化,构象变化生物材料相容性,细胞、蛋白在表面的吸附生长,膜层层组装,生物膜在表面的生长,抗凝血材料聚合物刷,聚合物智能开关,聚合物构象与界面流变,聚合物电解质,溶胀,分子交联等。气敏、湿敏、盐敏、pH敏感的聚合物,聚合物界面流变,耗散因子测量等。分子在表面的吸附或解吸,表面化学反应太空应用,如太空航天器水汽吸附,原子氧氧化,腐蚀,尾气,尘埃…环境监测,气溶胶,雾霾,工厂灰尘,河流湖泊污染物...耗散型石英晶体微天平分析仪在液体中的应用展示了巨大的潜力。QCM在功能化表面测量绑定事件是非常有效的,比如抗体-抗原绑定,蛋白间反应。仪器在生命科学领域是非常强大的工具,可以检测DAN杂化与特定效果的药物化合物,以上仅仅是部分应用,更多的应用取决于你想在实验室做什么研究。
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  • Trek的157型充电板监视器提供了比传统设计更好的准确性、稳定性和带宽。它将Trek的专利精密电荷测量能力与降低电离器维护和性能测试成本的功能结合在一起。 改进的功能,例如使操作员能够将数据存储和检索为数据点或图表,并记录操作员的评论以供参考,使型号157非常适合用于材料耗散测试和静电荷监测。监测电压范围:0到±1020 VDC或峰值交流带宽*(-3dB):直流至80赫兹衰减模式阈值:可编程,从1到±1000 V,增加1V(精确到程序电压的±1V)设置自定义测量电容,以确保在制造过程中ESD工艺需求得到满足。使用紧凑和轻量级的设计,在设施内轻松地传输。用于监视敏感的制造过程,如半导体、磁盘驱动器和lcd。 典型应用包括半导体、磁盘驱动器和LCD等敏感制造工艺的ESD监控所有类型电离器的测试,包括房间电离系统,交流和直流鼓风机,核电离器,枪式电离器和脉冲直流电离器高温 应用:去离子水的ESD测量耗散测试应用 特点和好处可定制的测量电容保证在制造中满足ESD工艺的需要,并符合ANSI/ESD-STM3.1和IEC61340-5-1标准测试方法更大的带宽可以通过避免其他供应商的系统可能出现的结果被掩盖来观察“真实”的响应极低的偏移和漂移确保高精度,使其成为需要关键离子平衡的应用,如GMR和TMR制造领域的理想选择小巧轻便,便于在设施内便携 本产品货期较长,大概3-4个月(视下单时货期为准)货期&价格请与客服咨询为准!谢谢!
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  • FLGS-TDP利用Granier热扩散原理测量植物茎干茎流速度,特别适用于茎干较粗的高大乔木。根据树体直径,每棵树安装1~4套传感器即可。该系统还可整合其他类型的传感器,进而测量诸多环境因子:空气温湿度,光合有效辐射、土壤温湿度等。主要特点整机原装进口,出厂时经过严格校正,避免组装系统造成的信号衰减,保证测量精度AVRD节电模式:智能自适应的节电模式契合植物自然生长双探针,Granier设计。探针易插拔,可重复使用恒温加热,采用热扩散方法,而不是准确度较差的热脉冲方法可以连续测量(热脉冲方法不可以,有等待周期)足量数据存储空间:可保存8个月的茎流计算数据应用领域 水分利用效率、区域水分平衡、冠层导度、精准灌溉控制、植物耗水量监测、植被修复工程、森林生产力评估、全球变化、植物病虫害、肥效、城市绿化… … 技术指标数据采集器 标配4M(可扩展到16G microSD闪存卡),每小时读数,可存贮400天数据基本输入 32对差分通道,可连接32个TDP10/30/50探针或16个TDP80或10个TDP100通道扩展 最多可连接128个TDP10/30/50探针精度 ±0.03℃分辨率 0.0083℃AVRD电压调节器 可同时调节4路电压(1.5~10 V),每路5 A充电器 110~60 Hz/220~50Hz V AC可切换,4.5 A传感器电缆 标准配置为3 m,可延长系统尺寸 45×35×16 cm重量 11.5 kg系统组成项目产品描述FLGS-TDP系统主机数采,1个复路器(可扩展至4个复路器,最多可连接128个TDP10/30/50或64个TDP80或40个TDP100),2个AVRD,Micro-B型USB、Ethernet接口、分析软件、电池和充电器、密封箱、安装工具包、太阳能板(可选)。传感器、电缆、计算机需单独选配FL32-GS8Flow32 TDP探针扩展工具包传感器(选配)TDP-10、TDP-30、TDP-50、TDP-80、TDP-100,根据测量植物选择电缆(选配)可延长7.6m、15 m 或22.8 m供电系统(选配)20W、30W或53W太阳能板,带支架和调节器;12V铅酸电池,保障系统电力供应订货指南FLGS-TDP系统主机 FLGS-TDP系统主机 数采,1个复路器(可扩展至4个复路器,最多可连接122个TDP10/30/50或60个TDP80或40个TDP100),2个AVRD,RS-232接口、分析软件、电池和充电器、密封箱、安装工具包、太阳能板(可选)。传感器、电缆、计算机需单独选配 FL32-GS8 Flow32 TDP探针扩展工具包EXTP-25 扩展电缆,7.6 m/5芯EXTP-50 扩展电缆,15 m/5芯EXTP-75 扩展电缆,22.8 m/5芯EXTP-25D 适用TDP-80扩展电缆,7.6 m/6芯EXTP-50D 适用TDP-80扩展电缆,15 m/6芯EXTP-75D 适用TDP-80扩展电缆,22.8 m/6芯EXTP-25T 适用TDP-100扩展电缆,7.6 m/7芯EXTP-50T 适用TDP-100扩展电缆,15 m/7芯,带接头EXTP-75T 适用TDP-100扩展电缆,22.8 m/7芯,带接头MSX53R 53 W太阳能板,带支架和调节器MSX30R 30 W太阳能板,带支架和调节器MSX20R 20 W太阳能板,带支架和调节器 TDP探针型号长度(mm)直径(mm)热电偶数探针间距(mm)功率(W)电缆规格加热电阻(Ω)运行电压(V)信号输出(μV℃-1)TDP-10101.201400.08~0.123 m/5芯262.040TDP-30301.201400.15~0.203 m/5芯503.040TDP-50501.651400.25~0.303 m/5芯775.040TDP-80801.652400.453 m/6芯1227.040TDP-1001001.653400.5~0.63 m/7芯1448.5~940相关产品Agrisensors 植物茎流(液流)监测云服务平台SGDC外皮包裹式植物茎流(液流)传感器SapIP茎流(液流)监测网络EXO-Skin 外皮包裹式茎流(液流)传感器Flow32-1K包裹式植物茎流(液流)计FLGS-TDP插针式热耗散植物茎流(液流)计 产地与厂家:美国Dynamax公司
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  • 斯卡拉的San++系列连续流动分析仪为湿化学的自动化分析提供可信赖的的技术。广泛用于水质、土壤、植物、肥料、烟草、啤酒、食品、啤酒、红酒、粮食和石化等环境和工业领域的分析。 San++系列是可执行24小时全天候自动化操作的久经考验的、卓越的连续流动分析仪。产品由 San++ 、San++Compact、San++Classic和San++Advanced等多个型号组成。采用模块化设计,灵活多样的配置满足不同实验室的需求。分析仪具备许多在线样品处理装置:如在线消化、蒸馏、萃取、透析及离子交换等。仪器每日可分析多达800个样品,将操作者从繁琐的化学分析中解放出来,快速可靠地进行大批量样品的全自动分析。标准化的分析流程消除了操作者主观因素和操作技能的差异,获得准确、可靠的分析结果。 分析仪可提供2000多种现成的应用,如挥发酚、氰化物、阴离子洗涤剂、硫化物、耗氧量、总磷、总氮、氨氮、硝氮、亚硝氮、磷酸盐、钾、硼、淀粉、总糖和二氧化硫等。San++连续流动分析仪 San++是可执行24小时全天候自动化操作的久经考验的、卓越的分析仪。整个分析仪器采用模块化设计,实现1至16通道同时分析。化学反应单元一体化的设计,具有优异的稳定性、便于调整扩展和维护等优点,确保分析的精确性和重现性。采用了新型的高分辨率数字式光度计,检测范围更宽。灵活多样的配置满足不同实验室的需求。 San++的化学反应单元可放置5或3个化学反应模块,一套Skalar系统可同时配置几个反应池达16个化学模块。反应单元上具有可控制多达四个以上反应器的数显温度控制及显示器,同时备有多功能监控接口以备升级和自动化控制的需求。San++Compact连续流动分析仪 San++Compact集成了当前所有新的技术,内置触控屏,用于监控和设置分析仪的基本参数:如泵速、蒸馏器、消解器和反应器的温度,实时监控仪器运行和日常维护提示。主机内置自动系统控制器,实现漏液自动监测、计算机软件泵速和反应器程序控制等功能,确保仪器超高效运行。 主机内置大容量蠕动泵,泵单元内置电子空压机供气,集成了高精度电子气泡注射器提供精确、均匀和稳定的气泡间隔。 采用双桥式泵管,运行成本较常规泵管节省1倍。 分析仪最多可容纳三个分析模块。配置如在线透析、消化、蒸馏和萃取等自动化学处理装置,用于总氰化物、挥发酚和阴离子合成洗涤剂等复杂应用的自动分析,为实验室提供高度自动化、精确可靠、高效和简便的分析工具。 高精度检测器集成于主机独立的腔室中,并将新的多功能软件系统与先进的检测技术完美结合,为复杂的湿化学分析提供了简单易用的全自动分析系统。San++Classic连续流动分析仪San++Classic连续流动分析仪继承了传统San分析仪的可靠性和稳定性,全新的设计理念旨在简化您的实验设计并增强测试结果的可靠性,将实验室效率和生产力提升至更高水平,并获得无与伦比的简便易用性。San++Classic内置触控屏,用于监控和设置分析仪的基本参数:如泵速、蒸馏器、消解器和反应器的温度,实时监控仪器运行和日常维护提示。主机内置自动系统控制器,实现漏液自动监测、计算机软件泵速和反应器程序控制等功能,确保仪器高效运行。主机基于五通道设计,内置32通道大容量蠕动泵,泵单元内置电子空压机供气,集成了12通道高精度电子气泡注射器提供精确、均匀和稳定的气泡间隔。 采用双桥式泵管,运行成本较常规泵管节省1倍。分析仪具备许多在线样品处理装置:如在线消化、蒸馏、萃取、透析及离子交换等,为分析人员提供了高水平的自动化和便捷的操作。搭载程控自动清洗阀,San++Classic可全自动启动和关闭系统,并对系统自动清洗、自动维护,整个过程无需人员干预。提高了分析效率,从而节省了人力资源,同时显著提高实验室通量。San++Advanced连续流动分析仪 San++Advanced 是San++系列连续流动分析仪中容量最大的装置,最强的扩展能力。新型多通道连续流动分析仪可以一台主机上实现多个指标的自动分析,主机可容纳六个分析模块。San++Advanced分析仪融合了斯卡拉所有最新的功能和研发成果,内置触控屏,用于监控和设置分析仪的基本参数:如泵速、蒸馏器、消解器和反应器的温度,实时监控仪器运行和日常维护提示。主机内置自动系统控制器,实现漏液自动监测、计算机软件泵速和反应器程序控制等功能,确保仪器超高效运行。内置两台大容量蠕动泵,泵单元内置电子空压机供气,集成了两套高精度电子气泡注射器提供精确、均匀和稳定的气泡间隔,确保分析的可靠性和稳定性。采用双桥式泵管,运行成本较常规泵管节省1倍。分析仪具备许多在线样品处理装置:如在线消化、蒸馏、萃取、透析及离子交换等,为分析人员提供了高水平的自动化和便捷的操作。高分辨率数字光度检测器集成在分析仪的一个独立的、易于访问的腔室中。先进的光度检测技术与我们新的软件开发相结合,使该系列分析仪成为先进、用户友好的全自动系统。搭载泵盖自动启合装置和程控自动清洗阀,San++Advanced可全自动启动和关闭系统,并对系统自动清洗、自动维护,整个过程无需人员干预。提高了分析效率,从而节省了人力资源,同时显著提高实验室通量。San++系列可搭载一系列的自动取样器。根据样品的测试量,可选择适合每个实验室需要的取样器。 特点:分析速度快,每小时40~140个样品线性范围宽,从ppb级到ppm级多达16个指标同时分析主机内置触控屏,用于系统基本参数的控制和设置、仪器装态监测和维护提示FlowAccess V3多任务软件包实现分析仪全面的控制FlowAccess V3软件程控或触控屏控制蠕动泵多速运行FlowAccess V3软件程控或触控屏控制各加热反应器、蒸馏器和消解器自动启闭完全实现自动化控制,无人监控系统全自动启动和关闭,数据自动采集及QC控制可提供50-800个样品位的取样器对超标样可自动预稀释或事后稀释可自动配制工作标准系列采用EPA、CORESTA、CEN、DIN、ASBC、EBC和ISO等国际和GB标准方法San++系列具有优异的扩展性和强大的自动控制功能,一套数据处理系统可分别控制三台独立的化学反应主机和自动取样器,根据需要在不同时段开启各个主机,实现较大操控的灵活性。搭配无人监控系统全自动启动和关闭,夜间运行或分析结束后自动进入休眠保护,以延长泵管使用寿命。配置自动稀释器对超标样可自动预稀释或事后稀释,并可自动配制工作标准系列。提供多种类型和多功能的取样器选择, 以及更紧凑、更便于维护的四位一体化学反应主机设计,更能满足不同的需求。各种各样的附件和功能使San++分析仪成为各领域自动化学分析的优先选择。常规应用:水质、土壤、植物、烟草、食品/饮料、啤酒/麦芽、红酒、肥料、粮食、洗涤剂、制药和石油化工等所有环境和工业领域的分析。水质:总氰化物,挥发酚,阴离子洗涤剂,碘,总磷,总氮,硫化物,硝氮+亚硝氮,氨氮,磷酸盐,硅酸盐,高锰酸盐指数,DOC等土壤/植物: 铵态氮、全氮、硝氮/亚硝氮、全磷/磷酸盐、钾、硼、硫酸盐等烟草:总糖/还原糖、尼古丁、氯化物、总氮、钾、淀粉、挥发酸、挥发碱、硝酸盐化肥:铵态氮、总氮、硝态氮、有效磷、总磷、酰铵氮、钾、氯化物等食品:总糖/总还原糖、总二氧化硫、碘、挥发酸、硝酸盐/亚硝酸盐、淀粉、直链淀粉、维生素C/B2/B3/B5/B6,碳水化合物,淀粉酶… … .啤酒与麦芽: 双乙酰、苦味值、游离氨基氮、a-淀粉酶、糖化力、B-葡聚糖、多酚等葡萄酒: 总酸、酒精、总糖、二氧化硫、挥发酸、山梨酸、酒石酸、磷酸盐等
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  • 瑞士万通加液单元容量法耗材63032210描述:智能型加液单元,带10毫升玻璃计量管和光照保护,可安装在带ISO/DIN GL45螺纹的试剂瓶上。FEP管连接(tubing connection),防扩散滴定头关于我们:浙江莱伯赛科学仪器有限公司主营实验室设备、分析仪器、实验室耗材等,为客户设计并提供包括生产、检测、科研及教育等方面的可靠的解决方案。公司致力于为生物、医药、物性检测、化工分析、食品、工业生产等相关领域客户,提供国内外高科技的专业设备以及技术咨询,并且拥有完善的销售、技术支持、售后服务网络,为客户提供专业、快捷、全面的服务技术参数:容量(mL): 10其他规格:其他品名序号瑞士万通其他规格货号瑞士万通其他货号规格描述(中文)163032120名称:加液单元全套 / 2毫升263032150名称:加液单元全套 / 5毫升363032220名称:加液单元全套 / 20毫升463032250名称:加液单元全套 / 50毫升
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  • 订货号: 6.3026.110智能型加液单元,配有1毫升的玻璃计量管和光保护。 PCTFE/PTFE平面旋塞阀(stopcock),FEP连接管,防扩散滴定头,及标准琥珀色玻璃试剂瓶
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  • 瑞士万通容量法耗材交换单元63026210现货描述:交换单元内置数据芯片,10毫升玻璃计量管和避光保护壳。 PCTFE/PTFE平面旋塞阀(stopcock),FEP连接管,防扩散滴定头,及标准琥珀色玻璃试剂瓶技术参数:容量(mL): 10其他规格:其他品名序号瑞士万通其他规格货号瑞士万通其他货号规格描述(中文)163026110名称:交换单元1mL263026150名称:交换单元5mL363026220名称:交换单元20mL463026250名称:交换单元50mL
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  • QCM-I Mini 特点: l 测量谐振的频率和质量(最大半带宽或带宽或耗散)l 可以快速连续地测量不同的谐波(5MHz晶体可达到13谐波)l 温度控制在15℃至60℃(±0.02℃)之间,包含在一个通道上l 两个独立测量的通道l 带有Windows10的外部PC通过USB与QCM-I Mini连接 该软件可完全控制QCM-I Mini仪器。有两种测量模式: 共振:共振曲线的测量和共振频率的计算以及半带宽高达80 MHz。QCM-t:连续测量共振参数和流动池的温度。 包含项目: l QCM单元有两个通道(一个通道是温度控制的)l 带有Windows10的MicrosoftSurfacePro平板电脑l QSH-104 QCM传感器支架(流通型)l 生物传感的3.xx软件(一个用户许可证)石英晶体微天平是一种高灵敏度质量传感器,可测量石英晶体谐振器和任何吸附膜的频率和耗散变化。 QCM可应用于很多方面:蛋白质,高分子薄膜,生物传感器,化学传感器,腐蚀,聚合物薄膜,纳米颗粒薄膜等。频率和耗散的变化提供了与薄膜质量或弹性变化有关的信息。能够分析分子间的相互作用和表面性质。 测量原理是基于石英晶体的阻抗分析。 确定谐振频率和谐振电导曲线的带宽。 半带宽或全宽,半带宽(FWHM)与质量因子(Q)直接相关,质量因子(Q)定义为耗散的倒数(D)。同时捕捉到的两个参数F(频率)和D(耗散因子)将绘制吸附物质在表面上排列的状态,以及排列如何随时间变化;一个QCM 芯片的频率响应反映了它表面上耦合质量的变化,包括被困在分子层间的溶剂的质量。耗散反映了薄膜的软硬度。监测这两个作为时间函数的参数,即可对分子是否平躺在表面(刚性膜和水合程度低);或是伸展构型(软膜和水合程度高);以及如果有重排,例如溶胀(从平躺到延伸)或塌缩(从延伸到平躺)等这些变化进行检测。
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  • 新一代的连续流动分析仪--SanCompact Skalar新推出的高效、紧凑的SANCOMPACT连续流动分析仪,采用了模块化和便携的设计概念。优异的性能和高度集成的化学分析单元易于灵活、快速操作,无论应用于实验室、车载或船载等目的,均可实现高效、精确、可靠的湿化学分析。 SANCOMPACT体现了新一代连续流动湿化学分析的出色技术,高效的运行实现了超高性能的分析。仪器应用于广泛的领域中,并可简易扩展,满足不同实验室和样品的测定要求。为用户的自动湿化学分析提供了前所未有的灵活性。 化学反应单元集成了蠕动泵单元,可同时用于1-3通道的化学模块分析。泵单元包含了一个内置的电子空压机供气,集成式的高精度电子空气注射器和电子阀,提供了精确、均匀和稳定的气泡间隔。 该系统配置各种类型的自动取样器,根据测试样品的数量选择适合每个实验室需求的取样器。化学反应单元可容纳1-3个分析模块。根据不同的分析指标配置各种化学处理装置,如在线透析、在线消解、萃取、蒸馏和加热等复杂的化学应用,提供完整的湿化学解决方案,助您的实验室获得高效的运行效率。 SANCOMPACT分析仪可由软件全程控制,系统全自动启动和关闭,包括可编程控制系统的清洗周期,全过程无人值守运行,有效地延长了分析仪的运行时间,从而实现了高通量的样品分析。 高精度的数字检测器集成于化学反应单元独立的专用隔间中,分析仪将先进的检测技术与新的软件完美地结合于一体,使之成为现有高端、易于使用的全自动CFA分析系统。 特点:紧凑和模块化的系统,并可将多个反应单 元互联运行,易于扩展几分钟内即可快速启动分析自动高精度稀释可前稀释和超程后稀释,用于各种基质样品 的分析自动制备工作标准系列高分辨率、高精密的数字式检测器可搭载无人值守系统自动启动和关闭仪器, 实现夜间无人运行通过FlowAccess V3多功能软件包对分析仪 实施全面的控制Skalar的应用方法符合GB,ISO,EPA, EBC, Standard Methods等标准方法的规定应用领域:水、土壤、植物和肥料、啤酒和麦芽、烟草和食品等。
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  • 片型材料介电常数介质损耗测量仪(自动介损测试仪)-ZJD-C一、产品概述:片型材料介电常数介质损耗测量仪(自动介损测试仪)-ZJD-C采用数字液晶显示,是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器,测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低值,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果,免去人工计算的繁琐。片型材料介电常数介质损耗测量仪(自动介损测试仪)-ZJD-C经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线,北京中航时代检测仪器是代替进口设备的北京中航时代仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性:DDS数字合成信号:50KHz-160MHz;信号源频率覆盖比:1600:1;信号源频率精度:6位有效数3×10-5 ±1个字;Q测量范围/Q分辨率:1-1000自动/手动量程;4位有效数,分辨率0.1;Q测量工作误差:5%;电感测量范围/分辨率:1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH;电感测量误差:5%;调谐电容:主电容17-240pF;电容直接测量范围:1pF~25nF;调谐电容误差/分辨率:±1pF或1% / 0.1pF;谐振点搜索:自动扫描;Q合格预置范围:5-1000声光提示;Q量程切换:自动/手动;LCD显示参数:F,L,C,Q,Lt,Ct波段等;新增功能:自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能;新增功能:大电容值直接测量显示功能,测量值可达25nF;消耗功率:约25W;净重:约7kg;外型尺寸:(宽×高×深)mm:380×132×280。二、符合标准:GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法;GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法;ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法;GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法; 三、产品特点:1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京中航时代检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值,彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能:电感测试时,仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值(特别是小电感值)测量时的精度。此技术只有北京中航时代仪器生产的Q表有。9、新增功能:大电容值直接测量显示功能,电容值直接测量值可达25nF(配100uH电感时)。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京中航时代检测仪器生产的Q表有。四、工作环境:1、环境温度:0℃~+40℃;2、相对湿度:80%;3、电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。五、配置清单:主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位:可以用于科研机关,学校,例如一些科研院所,大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试;北京中航时代检测仪器同时也适用于工厂或单位,例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究,另外在电力、电工、化工等领域,如:电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤:1、按照Q表的操作规程调整仪器,选定测量频率,测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中,并调节电容器C,使电路谐振,达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出,调节C或测试电极的距离,使电路重新谐振,记下C、或测试电极的校正电容值与Q值,北京中航时代检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作,北京中航时代检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件:1、试样表面应清洁、平滑,无裂纹、气泡和杂质等,试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时,可按其产品标准规定的进行。九、测试意义:1、介电常数——北京中航时代检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用,即(1)用于固定电学网络部件,同时让其彼此以及与地面绝缘;(2)用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中,通常要求固定的电容尽可能小,同时具有可接受且一致的机械,化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中,要求电容率具有一个高值,以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力,以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合(作为电学绝缘材料和作为电容器电介质),交流损耗通常必须是比较小的,以减小材料的加热,同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合,特别要求损耗指数具有一个低值,因为对于某一给定的损耗指数,电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中,例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质,通常电导增加可获得损耗增大,这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时,这可能有助于考虑耗散因子,功率因子,相位角或损耗角。3、相关性——北京中航时代检测仪器当获得适当的相关性数据时,耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征,例如电介质击穿,湿分含量,固化程度和任何原因导致的破坏。然而,由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子,除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的,耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户:沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品:ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机
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  • 确定谐振频率和谐振电导曲线的带宽。 半带宽或全宽,半带宽(FWHM)与品质因子(Q)直接相关,质量因子(Q)定义为著名的耗散(D)的倒数。 eQCM-I Mini特点: 测量谐振的频率和质量(最大半带宽或带宽或耗散)可以快速连续地测量不同的谐波(在5MHz晶体上可达到13次谐波)包括4°C至80°C(±0.02°C)的温度控制EC测量模块可选配ITO-QCM传感器模块化传感器支架,最多4个测量通道带有Windows10的外置计算机 通过USB与QCM-I连接 该软件可完全控制eQCM-I迷你乐器。有两种测量模式: 共振:共振曲线的测量和共振频率的计算以及最大半带宽高达70 MHzQCM-t:连续测量共振参数和流动池的温度。计算:可以使用标准或定制模型计算各种eQCM和广告层参数。所有这些参数都可以显示在屏幕上,打印,保存或导出以供进一步评估。 包含项目: eQCM单元有两个通道(一个通道是温度控制的)带有Windows10Pro的MicrosoftSurfacePro平板电脑QSH-104 QCM传感器支架(流通型)QSHE-104 QCM传感器支架(流通型)带有“无泄漏”Ag / AgCl参比电极BioSense EC 3.xx软件(一个用户许可证)*不包括恒电位仪
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  • 检测单元 400-860-5168转4679
    常规LC-1OOHPLc分析型高效液相色谱系统检测器单元检测器单元分为:紫外/紫外可见光/紫外双波长检测器、荧光、检测器、二极管阵列检测器、示差检测器、蒸发光散射检测器.UV/Uv-VIS 190-700nm/190-900nm 8μL DAD 200-800nm 1024Arrays 常规LC-1OOHPLc分析型高效液相色谱系统特点全新LC-100分为分析型系统、半制备型系统、制备型系统,可选择手动进样或自动进样系统。数据工作站分析软件,可根据客户需求提供二个版本的选择,符合各种认证需求,包括GMP,FDA、3Q 等。一:可靠稳定的整体系统,看得见摸得着的高质感,处处体现精湛国际**工业设计团队打造的全新LC-100, 所有的部件经过苛刻选择,从外在每个零件的闪亮就开始体现超越同侪的实力,严格的生产标准和程序更使得 LC-100 一直是“众口所碑、值得信赖”的中国智造**产品。 二:新增功能,丰富配置全新可选配的溶剂管理器,可实现在二元梯度系统基础上轻松切换至4-8 种溶剂,并可选配脱气单元及柱温箱,**提升用户体验。配置多种检测器,满足各类行业应用需求。 三:部件和结构优化根据经验积累和实际应用需求,对内部结构和控制程序全部进行了优化;部件升级,全新采用一体式单向阀,输液更平稳,维修保养更便捷;升级流动相压缩补偿功能,检测结果更**。分析型产品主要参数型号P100输液单元液体输送系统双柱塞往复式并联泵,配二元高压混合器流量范围0.001~10mL/min最大输出压力42MPa流量准确度≤±0.3%流量精密度RSD0.06%(1mL流量10Mpa压力)脉 动0.1MPa电 源220V/110V
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  • **********仪器简介**********耗散型石英晶体微天平(QCM-D)技术的核心是石英晶体传感器,它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压,在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动,当交流电压关闭后,耗散型石英晶体微天平(QCM-D)振动呈指数衰减,这个衰减被记录下来,得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。 耗散型石英晶体微天平(QCM-D)对于薄层硬质薄膜,可以使用Sauerbrey关系和公式,根据耗散型石英晶体微天平(QCM-D)传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时,能量通过薄膜上的摩擦被消耗,耗散型石英晶体微天平(QCM-D)传感器的振动发生衰减,耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过使用耗散型石英晶体微天平(QCM-D)多个频率和耗散因子数据,使用粘弹性模型而非Sauerbrey关系,我们可以计算得到质量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和弹性(elasticity)。耗散型石英晶体微天平(QCM-D)QSense Analyzer作为具有耗散因子检测功能的第二代石英晶体微量天平,可以对多种不同类型表面的分子相互作用和分子吸附进行研究,耗散型石英晶体微天平(QCM-D)应用范围包括蛋白质、脂质、聚电解质、高分子和细胞/细菌等与表面或与已吸附分子层之间的相互作用。 耗散型石英晶体微天平(QCM-D)QSense Analyzer可以测定非常薄的吸附层的质量,并同步提供如粘弹性等吸附层结构信息。它基于耗散型石英晶体微天平(QCM-D)专利技术,非常灵敏和快速,可提供多个频率和耗散因子数据,用于充分了解在传感器表面吸附的分子的状态。 **********耗散型石英晶体微天平(QCM-D)的产品优势**********●实时追踪分子运动QSense Analyzer可以实时追踪在芯片表面上发生的分子运动。●测量分子层的质量和厚度凭借着纳克级的精度,检测芯片表面分子层的形成过程变成了可能。 ●分析分子层的结构性质检测分子层的刚性和柔性变化。量化表面吸附薄层的粘弹性,剪切模量,粘度和密度。 ●自由的表面选择金属,聚合物,化学改性表面,只要是能在表面铺展成薄膜的材料,都可以成为我们的定制表面。 ●QCM-D联用测试QCM-D仪器提供标准流动池来进行液相实验。此外电化学样品池、光学样品池、湿度样品池、开放样品池、椭偏样品池、高温样品池、ALD样品架等用来进行不同的实验。这些不同的样品池同样可以和其他分析仪器联用,用以提供更丰富、有效的数据。 ●四通道传感器系统专为液相流动实验设计!四通道联装平行试验模块并配有精确温控单元作为辅助。 ●整体的解决方案, 更易使用完整的系统包括硬件,软件,动手培训和技术支持。我们还提供数据分析指导的网络讲座、研讨会。 ●无须标记,原位测试从生物医药科学探索,到工业级环境监测,再到清洁用品研发, QCM-D都提供了广泛有效的应用空间。**********耗散型石英晶体微天平(QCM-D)的仪器原理**********耗散型石英晶体微天平(QCM-D)QSense Analyzer是一种检测吸附在表面上的分子反应机制的实时分析仪器。当分子层在传感器表面质量发生变化或者结构发生改变时, Analyzer可以测量分子层的变化。在材料、蛋白质和表面活性剂等领域的研究中,QSense Analyzer设备起到了关键作用。 从快速仪器入门使用,到高质量数据分析,QSense Analyzer提供了一套完整的解决方案。仪器有四个流动模块,每一个模块都配备一个传感器,可以进行四个平行测试。多种可选模块,例如电化学QCM-D,可以进行联用测试。我们的产品提供包括硬件、软件、技术支持和让您可以快速开始研究所需的介绍、培训以及实验结果解析。 耗散型石英晶体微天平(QCM-D)QSense Analyzer设备基于极其灵敏和快捷的技术,带耗散因子检测的石英晶体微天平(QCM-D)。该设备的核心是传感器在加载电压的作用下以特定频率下振荡。当传感器上的质量发生变化时,其振荡频率会随之变化(1)。断开电路会导致振荡衰减。衰减速率或者耗散因子与传感器上的分子层粘弹性有关(2)。通过测定频率和耗散,QCM-D可以分析吸附在传感器表面的分子层状态,包括质量、厚度和结构性质(粘弹性)。**********耗散型石英晶体微天平(QCM-D)的使用方法********************耗散型石英晶体微天平(QCM-D)QSense Analyzer的技术参数**********传感器数量4个传感器上方体积~40 μL最小样品体积~300 μL工作温度15-65 °C,由软件控制,精确度±0.02 °C,可提供高温模块,量程4~150°C常规流速50-200 μL/min (Analyzer);清洗所有与液体接触元件均可拆卸,并可在超声波浴中清洗传感器晶体5 MHz,直径14 mm,抛光,AT切割,金电极频率范围1-70 MHz (对于5 MHz晶片,从7个频率到13个泛频,最高至65 MHz)最大时间分辨率,1个频率最高达每秒200个数据点液相中常规质量精度与最大质量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常规耗散因子精度与最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰间噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)**********耗散型石英晶体微天平(QCM-D)具体应用领域如下********** ● 生物材料表面分析 ● 生物传感器的研究 ● 蛋白质的相互作用 ● 膜表面的吸附/解析 ● 生物膜表面DNA的杂交 ● 酶的降解 ● 聚电解质单/多层膜的研究 ● 细胞在不同表面的吸附 ● 靶向药物的研究 ● 催化、腐蚀等研究 ● 高分子溶涨、结构改变、等特性的研究 ● 高分子材料的生物相容性等
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  • 输液单元 400-860-5168转4679
    常规LC-1OOHPLc分析型高效液相色谱系统输液单元输液单元分为:分析型、常压半制备型、高压半制备型、高压制备型,采用往复式并联泵设计,具有流量精度高、压力脉动小的特点。流量范围0.001-10mL/min最大输出压力 42MPa常规LC-1OOHPLc分析型高效液相色谱系统特点全新LC-100分为分析型系统、半制备型系统、制备型系统,可选择手动进样或自动进样系统。数据工作站分析软件,可根据客户需求提供二个版本的选择,符合各种认证需求,包括GMP,FDA、3Q 等。一:可靠稳定的整体系统,看得见摸得着的高质感,处处体现精湛国际**工业设计团队打造的全新LC-100, 所有的部件经过苛刻选择,从外在每个零件的闪亮就开始体现超越同侪的实力,严格的生产标准和程序更使得 LC-100 一直是“众口所碑、值得信赖”的中国智造**产品。 二:新增功能,丰富配置全新可选配的溶剂管理器,可实现在二元梯度系统基础上轻松切换至4-8 种溶剂,并可选配脱气单元及柱温箱,**提升用户体验。配置多种检测器,满足各类行业应用需求。 三:部件和结构优化根据经验积累和实际应用需求,对内部结构和控制程序全部进行了优化;部件升级,全新采用一体式单向阀,输液更平稳,维修保养更便捷;升级流动相压缩补偿功能,检测结果更**。分析型产品主要参数型号P100输液单元液体输送系统双柱塞往复式并联泵,配二元高压混合器流量范围0.001~10mL/min最大输出压力42MPa流量准确度≤±0.3%流量精密度RSD0.06%(1mL流量10Mpa压力)脉 动0.1MPa电 源220V/110V
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  • 一、产品概述:介电常数测试仪采用数字液晶显示,是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器,测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低值,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果,免去人工计算的繁琐。经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线,北京航天纵横检测仪器是代替进口设备的北京航天纵横仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性:DDS数字合成信号:50KHz-160MHz;信号源频率覆盖比:1600:1;信号源频率精度:6位有效数3×10-5 ±1个字;Q测量范围/Q分辨率:1-1000自动/手动量程;4位有效数,分辨率0.1;Q测量工作误差:5%;电感测量范围/分辨率:1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH;电感测量误差:5%;调谐电容:主电容17-240pF;电容直接测量范围:1pF~25nF;调谐电容误差/分辨率:±1pF或1% / 0.1pF;谐振点搜索:自动扫描;Q合格预置范围:5-1000声光提示;Q量程切换:自动/手动;LCD显示参数:F,L,C,Q,Lt,Ct波段等;新增功能:自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能;新增功能:大电容值直接测量显示功能,测量值可达25nF;消耗功率:约25W;净重:约7kg;外型尺寸:(宽×高×深)mm:380×132×280。二、符合标准:GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法;GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法;ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法;GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法; 三、产品特点:1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京航天纵横检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值,彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能:电感测试时,仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值(特别是小电感值)测量时的精度。此技术只有北京航天纵横仪器生产的Q表有。9、新增功能:大电容值直接测量显示功能,电容值直接测量值可达25nF(配100uH电感时)。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京航天纵横检测仪器生产的Q表有。四、工作环境:1、环境温度:0℃~+40℃;2、相对湿度:80%;3、电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。五、配置清单:主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位:可以用于科研机关,学校,例如一些科研院所,大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试;北京航天纵横检测仪器同时也适用于工厂或单位,例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究,另外在电力、电工、化工等领域,如:电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤:1、按照Q表的操作规程调整仪器,选定测量频率,测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中,并调节电容器C,使电路谐振,达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出,调节C或测试电极的距离,使电路重新谐振,记下C、或测试电极的校正电容值与Q值,北京航天纵横检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作,北京航天纵横检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件:1、试样表面应清洁、平滑,无裂纹、气泡和杂质等,试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时,可按其产品标准规定的进行。九、测试意义:1、介电常数——北京航天纵横检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用,即(1)用于固定电学网络部件,同时让其彼此以及与地面绝缘;(2)用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中,通常要求固定的电容尽可能小,同时具有可接受且一致的机械,化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中,要求电容率具有一个高值,以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力,以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合(作为电学绝缘材料和作为电容器电介质),交流损耗通常必须是比较小的,以减小材料的加热,同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合,特别要求损耗指数具有一个低值,因为对于某一给定的损耗指数,电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中,例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质,通常电导增加可获得损耗增大,这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时,这可能有助于考虑耗散因子,功率因子,相位角或损耗角。3、相关性——北京航天纵横检测仪器当获得适当的相关性数据时,耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征,例如电介质击穿,湿分含量,固化程度和任何原因导致的破坏。然而,由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子,除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的,耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户:沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品:ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机一、介质损耗的基本概念1.介质损耗电介质在电场作用下(加电压后),要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗;电导过程中,电学性泄漏电流流过绝缘电阻当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量,即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为介质损耗。显然,介质损耗过程随极化过程和电导过程同时进行。介质损耗掉的能量(电能)变成了热能,使电介质温度升高。若介质损耗过大,则电介质温度将升得过高,这将加速电介质的热分解与老化,最终可能导致绝缘性能的完全失去,所以研究介质损耗有十分重要的意义。2.介质损耗的基本形式(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关,故这部分损耗在直流交流下都存在。气体电介质以及绝缘良好的液、固体电介质,电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空间电荷极化引起的损耗。在直流电压作用下,由于极化过程仅在电压施加后很短时间内存在,与电导损耗相比可忽路。而在交流电压作用下,由于电介质随交流电压极性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化,极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时,极化过程反而减弱,损耗减小。极化损耗与温度也有关,在某一温度下极化损耗达最大。(3)游离损耗,游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放电所造成的损耗。这是因为放电时,产生带电粒子需要游离能,放电时出现光、声、热、化学效应也要消耗能量。游离能随电场强度的增大而增大。二、介质损失角正切tanδ由上可见,在直流电压作用下,介质损耗主要为电导损耗,因此,电导率γ或电阻率ρ既表示介质电导的特性,同时也表征了介质损耗的特性。但在交流电压作用下,三种形式的损耗都存在,为此需引入一个新的物理量来表征介质损耗的特性,这个物理量就是tanδ。1.并联等值电路及损耗功率的计算公式电介质两端施加一交流电压时,就有电流流过介质。有三个电流分量组成式中 ——电导过程的电流,为阻性电流,与同相位;——无损极化和有损极化时的电流。对应的等值电路如图2-9(a)所示,此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和Cp相并联的等值电路。此并联等值电路的相量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角θ的余角为δ角。由相量图可见,介质损耗功率越大,IR越大,δ角也越大,因此δ角称为介质损失角。对此并联等值电路,可写出介质损耗功率P的计算公式当然,图2-9(b)的电路也可以简化成由r和Cs相串联的等值电路,可以证明当tanδ 很小时, Cs≈C对于串联等值电路,同样可以推出损耗功率的计算公式2.tanδ值的意义从介质损耗功率P的计算公式看,我们若用P来表征介质损耗的程度是不方便的,因为P值与试验电压U的高低、试验电压的角频率ω(ω=2Πf)、电介质等值电容量Cp (或Cs)以及tanδ值有关。而若在试验电压、频率、电介质尺寸一定的情况下,那么介质损耗功率仅取决于 tanδ,换句话说,也就是tanδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量,它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tanδ是表征介质损耗程度的物理量,与εr、γ相当。这样,我们可以通过试验测量电介质的tanδ值,并以此来判断介质损耗的程度。各种结构固体电介质的tanδ如表2-2所示。表2-2 各种结构固体电介质的tanδ值(1MHz,20℃时)电介质结构名称tanδ分子结构非极性分子石 蜡 聚苯乙烯 聚四氟乙烯小于0.0002极性分子纤维素 有机玻璃0.01~0.015离子结构晶格结构紧密岩 盐 刚 玉小于0.0002 小于0.0002晶格结构不紧密多铝红柱石0.015晶格畸变的晶体锆英石0.02无定形结构硅酸铅玻璃 硅碱玻璃0.001 0.01不均匀结构 绝缘子瓷 浸渍纸绝缘0.01 0.01三、影响 tanδ 的因素影响tanδ 值的因素主要有温度、频率和电压。1.温度对tanδ值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起,故温度对tanδ的影响与温度对电导的影响相似,即tanδ随温度的升高而按指数规律增大,且tanδ较小。极性介质中,极化损耗不能忽略,tanδ值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t1时,由于温度较低,电导损耗与极化损耗都小,电导损耗随温度升高而略有增大,而极化损耗随温度升高也增大(黏滞性减小,偶极子转向容易),所以tanδ随温度升高而增大。当温度在t1<t<t2时,温度已不太低,此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列,极化损耗随温度升高而降低,而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度,因此tanδ随温度升高而减小。当温度在t>t2时,温度已很高,电导损耗已占主导地位,tanδ又随温度升高而增大。2.频率对tanδ的影响主要体现于频率对极化损耗的影响tanδ与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内,随频率的升高,偶极子往复转向频率加快,极化程度加强,介质损耗增大,tanδ值增大。当频率超过某一数值后,由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用,来不及随电压极性的改变而转向,极化作用减弱,极化损耗下降,tanδ值降低。3.电压对tanδ的影响主要表现为电场强度对tanδ值的影响在电场强度不很高的一定范围内,电场强度增大(由于电压升高),介质损耗功率变大,但tanδ几乎不变。当电场强度达到某一较高数值时,随着介质内部不可避免存在的弱点或气泡发生局部放电,tanδ随电场强度升高而迅速增大。因此,在较高电压下测tanδ值,可以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。此外,湿度对暴露于空气中电介质的tanδ影响也很大。介质受潮后,电导损耗增大,tanδ也增大,例如绝缘纸中水分含量从4%增加到10%,tanδ值可增大100倍。然而,假如tanδ值的测试是在温度低于0~5℃时进行,含水量增加tanδ反而不会增大,这是因为此时介质中的水分已凝结成冰,导电性又变差,电导损耗变小的缘故。为此,在进行绝缘试验时规定被试品温度不低于+5℃,这对tanδ的测试尤为重要,在工程实际中,通过tanδ以及tanδ=f(u)曲线的测量及判断,对监督绝缘的工作状况以及老化的进程有非常重要的意义。
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  • 介电常数及介质损耗测定仪以下内容为介质损耗、介电常数测试仪的部分资料及标准,详情及配置请致电咨询特点:LJD-B/LJD-C介电常数及介质损耗测定仪双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。介电常数及介质损耗测定仪自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的准确、幅度的高稳定。介电常数及介质损耗测定仪计算机自动修正技术和测试回路化 —使测试回路 残余电感减至低,彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。电感测试时,设备自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能,提高了电感值(特别是小电感值)测量的精度。此功能为北京中航鼎力公司生产的Q表D创。大电容值直接测量显示功能,电容值直接测量值可达2.5uF/25nF(配100uH电感时)。此功能为北京中航鼎力公司生产的Q表D创。主要技术特征:Q 值测量范围: 2 ~ 1023,量程分档:30、100﹑300﹑1000,自动换档或手动换档固有误差:≤ 5 % ± 满度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ),≤6% ± 满度值的2%(10MHz~160MHz)工作误差:≤ 7 % ± 满度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ),≤8% ± 满度值的2%(10MHz~160MHz)电感测量范围:4.5nH ~ 140mH电容直接测量范围: 1 ~ 200pF主电容调节范围:18 ~ 220pF主电容调节准确度:100pF 以下 ± 1pF 100pF 以上 ± 1 %信号源频率覆盖范围:100kHz ~ 160MHz频率分段( 虚拟 ):100 ~ 999.999kHz, 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz,100 ~ 160MHz频率指示误差:3 × 10 -5 ± 1 个字ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法1本标准是以固定代号D150发布的。其后的数字表示原文本正式通过的年号;在有修订的情况下,为上一次的修订年号;圆括号中数字为上一次重新确认的年号。上标符号(ε)表示对上次修改或重新确定的版本有编辑上的修改。 本标准经批准用于国防部所有机构。1.范围1.1 本试验方法包含当所用标准为集成阻抗时,实心电绝缘材料样本的相对电容率,耗散因子,损耗指数,功率因子,相位角和损耗角的测定。列出的频率范围从小于1Hz到几百兆赫兹。注1:在普遍的用法,“相对”一词经常是指下降值。1.2 这些试验方法提供了各种电极,装置和测量技术的通用信息。读者如对某一特定材料相关的议题感兴趣的话,必须查阅ASTM标准或直接适用于被测试材料的其它文件。2,31.3 本标准并没有完全列举所有的安全声明,如果有必要,根据实际使用情况进行斟酌。使用本规范前,使用者有责任制定符合安全和健康要求的条例和规范,并明确该规范的使用范围。特殊危险说明见7.2.6.1和10.2.1。1 本规范归属于电学和电子绝缘材料ASTM D09委员会管辖,并由电学试验D09.12附属委员分会直接管理。当前版本核准于2011年8月1日。2011年8月发行。原版本在1922年批准。前一版本于2004年批准,即为 D150-98R04。DOI:10.1520/D0150-11。2 R. Bartnikas, 第2章, “交流电损耗和电容率测量,” 工程电介质, Vol. IIB, 实心绝缘材料的电学性能, 测量技术, R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.3 R. Bartnikas, 第1章, “固体电介质损耗,” 工程电介质,Vol IIA, 实心绝缘材料的电学性能: 分子结构和电学行为, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.2.引用文件2.1 ASTM标准:4D374 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法D618 试验用塑料调节规程D1082 云母耗散因子和电容率(介电常数)试验方法D1531 用液体位移法测定相对电容率(介电常数)与耗散因子的试验方法D1711 电绝缘相关术语D5032 用饱和甘油溶液方式维持恒定相对湿度的规程E104 用水溶液保持相对恒定湿度的标准实施规程E197 室温之上和之下试验用罩壳和服役元件规程(1981年取消)53.术语3.1 定义:3.1.1 这些试验方法所用术语定义以及电绝缘材料相关术语定义见术语标准D1711。3.2 本标准专用术语定义:3.2.1 电容,C,名词——当导体之间存在电势差时,导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。3.2.1.1 讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位,电位采用伏特为单位时,电容单位为法拉,即:C=q/V (1)3.2.2 耗散因子(D),(损耗角正切),(tanδ),名词——是指损耗指数(K'')与相对电容率(K')之间的比值,它还等于其损耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(见图1和图2)。D=K''/K' (2)4 相关ASTM标准,可浏览ASTM网站,www.astm.org或与ASTM客服service@astm.org联系。ASTM标准手册卷次信息,可参见ASTM网站标准文件汇总。5 该历史标准的批准版本参考网站www.astm.org。3.2.2.1 讨论——a:D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)式中:G=等效交流电导,Xp=并联电抗,Rp=等效交流并联电阻,Cp=并联电容,ω=2πf(假设为正弦波形状)耗散因子的倒数为品质因子Q,有时成为储能因子。对于串联和并联模型,电容器耗散因子D都是相同的,按如下表示为:D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)串联和并联部分之间的关系满足以下要求:Cp=Cs/(1+D2) (5)Rp/Rs=(1+D2)/D2=1+(1/D2)=1+Q2 (6) 图1 并联电路的矢量图 图2 串联电路的矢量图3.2.2.2 讨论——b:串联模型——对于某种具有电介质损耗(图3)的绝缘材料,其并联模型通常是适当的模型,其总是能和偶尔要求模拟在单频率下电容Cs与电阻Rs串联(图4和图2)的某个电容器。 图3 并联电路 图4 串联电路3.2.3 损耗角(缺相角),(δ),名词——该角度的正切值为耗散因子或反正切值K''/K'或者其余切值为相位角。3.2.3.1 讨论——相位角和损耗角的关系见图1和图2所示。损耗角有时成为缺相角。3.2.4 损耗指数,K''(ε''),名词——相对复数电容率虚数部分的大小;其等于相对电容率和耗散因子的乘积。3.2.4.1 讨论——a——它可以表示为:K''=K' D=功率损耗/(E2×f×体积×常数) (7) 当功率损耗采用瓦特为单位,施加电压采用伏特/厘米为单位,频率采用赫兹为单位,体积(是指施加了电压的体积)采用立方厘米为单位,此时的常数值为5.556×10-13。3.2.4.2 讨论——b——损耗指数是国际上协定使用的术语。在美国,K''以前成为损耗因子。3.2.5 相位角,θ,名词——该角度的余切值为耗散因子,反余切值K''/K',同时也是施加到某一电介质的正弦交流电压与其形成的具有相同频率的电流分量之间的相位角度差值。3.2.5.1 讨论——相位角和损耗角之间的关系见图1和图2所示。损耗角有时也称为缺相角。3.2.6 功率因子,PF,名词——某一材料消耗的功率W(单位为瓦特)与有效正弦电压V和电流I之间乘积(单位为伏特-安)的比值。3.2.6.1 讨论——功率因子可以采用相位角θ的余弦值(或损耗角的正弦值δ)来表示: (8) 当耗散因子小于0.1时,功率因子与耗散因子之间的差值小于0.5%。可从下式找到它们的准确关系: (9)3.2.7 相对电容率(相对介电常数)(SIC)K'(εr),名词——相对复数电容率的实数部分。它也是采用某一材料作为电介质的某一给定形状电极等效并联电容Cp与采用真空(或空气,适用于多数实际用途)作为电介质的相同形状电极电容Cv之间的比值。K'=Cp/Cv (10)3.2.7.1讨论——a——在普遍的用法,“相对”一词经常是指下降值。3.2.7.2 讨论——b——从经验来看,真空在各处必须采用材料来替代,因为其能显著改变电容。电介质等效电路假设包含一个电容Cp,该电容与电导并联。3.2.7.3 讨论——c——Cx视为图3所示的等效并联电容Cp。3.2.7.4 讨论——d——当耗散因子为0.1时,串联电容大于并联电容,但是两者差值小于1%,而当耗散因子为0.03时,两者差值小于0.1%。如果测量电路获得串联部分的结果,在计算修正值和电容率之前,并联电容必须由公式5计算得出。3.2.7.5 讨论——e——干燥空气在23℃和101.3kPa标准压力下的电容率为1.000536(1)。6其从整体的背离值K'-1与温度成反比,同时直接与大气压力成正比。当空间在23℃下达到水蒸气饱和时,电容率增加至为0.00025(2,3),同时随着温度(单位为℃)从10到27℃近似发生线性变化。对于局部饱和,增加值与相对湿度成正比。4.试验方法摘要4.1 电容和交流电阻测量在一个样本上进行。相对电容率等于样本电容除以(具有相同电极形状)真空电容计算值,同时很大程度上取决于误差源分辨率。耗散因子通常与样本几何形状无关,同时也可以依据测量值计算得出。4.2 本方法提供了(1)电极,装置和测量方法选择指南;和(2)如何避免或修正电容误差的指导。4.2.1 一般的测量考虑:边缘现象和杂散电容 受保护电极样本几何形状 真空电容计算边缘,接地和间隙修正4.2.2 电极系统—接触式电极电极材料 金属箔片导电涂料 烧银喷镀金属 蒸发金属液态金属 刚性金属水4.2.3 电极系统—非接触式电极固定电极 测微计电极液体置换法6 括号里的粗体字参阅这些试验方法附属的参考文献清单。4.2.4 电容和交流损耗测量装置和方法选择频率 直接和替代方法两终端测量 三终端测量液体置换法 精度考虑5.意义和用途5.1 电容率——绝缘材料通常以两种不同方式来使用,即(1)用于固定电学网络部件,同时让其彼此以及与地面绝缘;(2)用于起到某一电容器的电介质作用。在种应用中,通常要求固定的电容尽可能小,同时具有可接受且一致的机械,化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中,要求电容率具有一个高值,以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力,以将交流电晕降至小。影响电容率的因子讨论见附录X3。5.2 交流损耗——对于这两种场合(作为电学绝缘材料和作为电容器电介质),交流损耗通常必须是比较小的,以减小材料的加热,同时将其对网络剩余部分的影响降至小。在高频率应用场合,特别要求损耗指数具有一个低值,因为对于某一给定的损耗指数,电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中,例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质,通常电导增加可获得损耗增大,这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时,这可能有助于考虑耗散因子,功率因子,相位角或损耗角。影响交流损耗的因子讨论见附录X3。5.4 相关性——当获得适当的相关性数据时,耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征,例如电介质击穿,湿分含量,固化程度和任何原因导致的破坏。然而,由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子,除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的,耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。6.一般测量考虑6.1 边缘现象和杂散电容——这些试验方法是以电极之间的样本电容测量,以及相同电极系统的真空电容(或空气电容,适用于多数实际用途)测量或计算为基础。对于无保护的两电极测量,要求采用两个测定值来计算电容率,而当存在不期望的边缘现象和杂散电容时(它们将包含在测量读数中),变得相当复杂。对于测量用所放置样本之间的两个无保护平行板电极场合,边缘现象和杂散电容见图5和图6所述。除了要求的直接电极之间电容Cv之外,在终端a-a'看到的系统包括以下内容: 图5 杂散电容,无保护电极图6 无保护电极之间的通量线 Ce=边缘现象或边缘电容,Cg=每个电极外表面的接地电容,CL=连接导线之间的电容,CLg=接地导线的电容,CLc=导线和电极之间的电容。只有要求的电容Cv是与外部环境无关,所有其它电容都在一定程度上取决于其它目标的接近度。有必要在两个可能的测量条件之间进行区分,以确定不期望电容的影响。当一个测量电极接地时,情况经常是这样的,所述的所有电容与要求的Cv并联,除了接地电极的接地电容及其导线之外。如果Cv放入一个试验箱之内,同时试验箱墙壁具有保护定位,连接到试验箱的导线也受到保护,则接地电容可以不再出现,此时在a-a'处的电容看起来只包括Cv和Ce。对于某一给定电极布置,当电介质为空气时,可以计算得出边缘电容Ce,同时该计算值具有适当的精度。当某一样本放置在电极之间时,边缘电容值可能发生变化,此时要求使用一个边缘电容修正值,该修正值可见表1给出的信息。在许多条件下,已经获得了经验性修正值,这些修正值见表1所示(表1适用于薄电极场合,例如箔片)。在日常工作中,当精度不作要求时,很方便使用无屏蔽的两电极系统,同时进行适当的修正。因为面积(同时因此Cv)以直径平方级增大时,然而周长(同时因此Ce)随着直径线性增大时,由于忽略边缘修正导致的电容率百分比误差随着样本直径增大而减小。然而,为进行精确得测量,有必要使用受保护的电极。6.2 受保护电极——在受保护电极边缘的边缘现象和杂散电容实际上可通过增加一个按图7和图8所示的保护电极来消除。如果试验样本和保护电极越过受保护电极的延伸距离至少为2倍的样本厚度,同时保护间隙非常小,受保护区域的电场分布将与当真空为电介质时存在的分布相同,同时这两个静电容的比值为电容率。而且,激活电极之间的电场可以进行定义,真空电容也可以计算得出,其精度只受到尺寸已知的精度的限制。由于这个原因,受保护电极(三终端)方法将用于作为仲裁方法,除非另有协定。图8显示了一种完整受保护和屏蔽电极系统的图解。尽管保护通常被接地,所示布置允许接地或测量电极,或者没有电极能容纳被使用的特殊三终端测量系统。如果保护接地,或者连接到测量电路中的一个保护终端上,测量的电容为两个测量电极之间的静电容,无保护电极和导线的接地电容与要求的静电容进行并联连接。为消除该误差源,采用一个屏障连接到保护上来包围无保护电极,如图8所示。除了那些总是不方便或不实际的,且限制频率小于几兆赫兹的保护方法之外,已经设计出使用特殊电池和程序的技术,采用两终端测量,精度相当于受保护测量所获得的精度。此处所述方法包括屏蔽测微计电极(7.3.2)和液体置换方法(7.3.3)。6.3 样本几何形状——为测定某一材料的电容率和耗散因子,薄板样本。圆柱形样本也可以使用,但是通常具有较低的精度。电容率不确定度来源是样本尺寸测定,特别是样本厚度测定。因此,厚度应足够大以允许其测量值具有要求的精度。选择的厚度将取决于样本生产的方法和可能的点到点变化。对于1%精度,厚度为1.5mm(0.06in)通常是足够的,尽管对于较大的精度,要求使用一个较厚的样本。当使用箔片或刚性电极时,另一误差源是电极和样本之间的不可以避免的间隙。对于薄样本,电容率误差可大至25%。类似误差在耗散因子中也会产生,尽管当箔片电极涂覆了一种油脂时,两种误差不可能具有相同的大小。为在薄样本上获得精确的测量值,使用液体置换方法(6.3.3)。该方法降低了或完全消除了样本的电极需求。厚度必须进行测定,测量时,在电学测量所用的样本区域上进行系统性地分布测量,厚度测量值均匀性应在±1%的平均厚度之内。如果样本整个区域将被电极覆盖,同时如果已知材料密度,可通过称量法来测定平均厚度。样本直径选择应使得能提供一个具有要求精度的样本电容测量值。采用受到良好保护和遮蔽的装置,将没有困难测量电容为10pF,分辨率为1/1000的样本。如果将要测试一个低电容率的厚样本,则可能将需要直径大于等于100mm,以获得要求的电容精度。在测量较小值的耗散因子时,关键点是电极的串联电阻应不会有助于产生相当大的扩散因子,同时测量网络没有大电容的电阻应与样本进行并联连接。这些观点的点是偏好厚样本;第二点建议大区域的薄样本。测微计电极方法(6.3.2)可用于消除串联电阻的影响。使用一个受保护样本固定架(图8)来将外部电容降至低。6.4 真空电容计算——可以精确计算电容所用的实际形状为平坦平行板和同轴圆筒,电容计算用公式见表1所示。这些公式以测量电极之间的均匀电场,同时在边缘没有边缘现象为基础。以此为基础计算的电容也就是熟知的电极之间静电容。北京中航鼎力仪器设备有限公司相关产品:LJC-50KV电压击穿试验仪LST-121体积表面电阻率测试仪LJD-C介电常数介质损耗测试仪JF-3氧指数测试仪CZF-5水平垂直燃烧试验仪
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  • 概述:ZJD-B介质损耗因数测试仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机控制仪器,测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至0低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量时更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。 ZJD-B介质损耗因数测试仪是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。适用领域: ZJD-B介质损耗因数测试仪器可以用于科研机关,学校,例如一些科研院所,大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数测试仪对绝缘材料的介电常数进行测试;同时也适用于工厂或单位,例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究,另外在电力、电工、化工等领域,如:电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。技术参数:信号源频率范围:DDS数字合成 10KHz-70MHzQ测量范围:1-1000自动/手动量程信号源频率覆盖比:6000:1Q分辨率: 4位有效数,分辨率0.1信号源频率精度:3×10-5 ±1个字,6位有效数Q测量工作误差:5%电感测量范围:15nH-8.4H,4位有效数,分辨率0.1nH调谐电容:主电容30-500PF电感测量误差:5%调谐电容误差和分辨率:±1.5P或1%标准测量频点:全波段任意频率下均可测试Q合格预置范围:5-1000声光提示谐振点搜索:自动扫描Q量程切换:自动/手动谐振指针:LCD显示LCD显示参数:F,L,C,Q,波段等夹具工作特性1.平板电容器:极片尺寸:Φ50mm/Φ38mm可选极片间距可调范围:≥15mm2. 夹具插头间距:25mm±0.01mm3. 夹具损耗正切值:≤4×10-4 (1MHz)4.测微杆分辨率:0.001mm介电常数与耗散因数间的关系 介电常数又称电容率或相对电容率, 是表征电介质或绝缘材料电 性能的一个重要数据,常用 ε 表示。 介质在外加电场时会产生感应 电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介 电常数。其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力, 例如一个电 容板中充入介电常数为 ε 的物质后可使其电容变大 ε 倍。介电常数愈 小绝缘性愈好。如果有高介电常数的材料放在电场中, 场的强度会在 电介质内有可观的下降。介电常数还用来表示介质的极化程度, 宏观 的介电常数的大小, 反应了微观的极化现象的强弱。气体电介质的极 化现象比较弱,各种气体的相对介电常数都接近1 ,液体、固体的介 电常数则各不相同,而且介电常数还与温度、电源频率有关有些物质介电常数具有复数形式, 其实部即为介电常数, 虚数部 分常称为耗散因数。通常将耗散因数与介电常数之比称作耗散角正切, 其可表示材料 与微波的耦合能力, 耗散角正切值越大, 材料与微波的耦合能力就越 强。例如当电磁波穿过电解质时,波的速度被减小,波长也变短了。介质损耗是指置于交流电场中的介质, 以内部发热的形式表现出 来的能量损耗。介质损耗角是指对介质施加交流电压时, 介质内部流 过的电流相量与电压向量之间的夹角的余角。介质损耗角正切是对电 介质施加正弦波电压时, 外施电压与相同频率的电流之间相角的余角 δ 的正切值--tg δ. 其物理意义是:每个周期内介质损耗的能量//每个周期内介质存储的能量。介电损耗角正切常用来表征介质的介电损耗。介电损耗是指电 介质在交变电场中, 由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。 原因是电介质中含有能导电的载流子,在外加电场作用下,产生导电电 流,消耗掉一部分电能,转为热能。任何电介质在电场作用下都有能量损耗,包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。用 tg δ作为综合反应介质损耗特性优劣的指标, 其是一个仅仅取 决于材料本身的损耗特征而与其他因素无关的物理量, tgδ的增大意 味着介质绝缘性能变差, 实践中通常通过测量 tgδ来判断设备绝缘性 能的好坏。由于介电损耗的作用电解质在交变电场作用下将长生热量, 这些 热会使电介质升温并可能引起热击穿, 因此, 在绝缘技术中, 特别是 当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合,应尽量采用介质损耗因 数, 即电介质损耗角正切 tgδ较低的材料。但是, 电介质损耗也可用 作一种电加热手段,即利用高频电场(一般为0.3--300兆赫兹)对介 电常数大的材料(如木材、纸张、陶瓷等) 进行加热。这种加热由于 热量产生在介质内部, 比外部加热速度更快、热效率更高, 而且热均 匀。频率高于300兆赫时,达到微波波段,即为微波加热(家用微波 炉即据此原理)。在绝缘设计时, 必须注意材料的 tgδ值。若 tgδ过大则会引起严 重发热,使绝缘材料加速老化,甚至导致热击穿。一下例举一些材料的 ε 值:石英-----3.8绝缘陶瓷-----6.0纸------70有机玻璃------2.63 PE-------2.3PVC--------3.8高分子材料的 ε 由主链中的键的性能和排列决定分子结构极性越强, ε 和 tg δ越大。非极性材料的极化程度较小, ε 和 tg δ都较小。当电介质用在不同场合时对介电常数与耗散因素的大小有不同 的要求。做电容介质时 ε 大、 tg δ小;对航空航天材料而言, ε 要小 tg δ要大。另外要注意材料的极性越强受湿度的影响越明显。主要原因是高 湿的作用使水分子扩散到高分子的分子之间, 使其极性增强; 同时潮 湿的空气作用于塑料表面, 几乎在几分钟内就使介质的表面形成一层 水膜, 它具有离子性质, 能增加表面电导, 因此使材料的介电常数和 介质损耗角正切 tgδ都随之增大。故在具体应用时应注意电介质的周 围环境。电介质在现代生活中经常被用到, 而介电常数与耗散因素是电介 质的两个重要参数, 根据不同的要求, 应当选用具有不用介电常数与 耗散因数的材料, 以达到最佳的效果。同时还应当注意外界因素对介 电常数与耗散因数的影响。
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  • 薄膜介电常数介质损耗因数测试仪液体置换方法——当浸泡介质为一种液体,同时没有使用保护时,应平行板系统结构,以使得绝缘高电位板可以在两个平行低电位或接地板之间平行和等距离进行固定,其中接地板用试验池的相对内壁设计成容纳液体。该结构使得电极系统基本为自我屏蔽,但是通常要求双份试验样本。液体的精确温度测量必须作出规定(9,10)。试验池应为镀黄铜和金结构。高电位电极应可以移动来进行清洗。面必须接近为光学平面,同时尽可能平行。在≤1MHz频率下测量用合适液体池见试验方法D1531的图4所示。该试验池的尺寸变化是有必要的,以提供用于不同厚度或尺寸的薄板样本测试,但是这种变化应不能让充满标准液体的试验池电容降低到小于100pF.。在1~约50MHz频率下进行测量时,试验池尺寸必须大大地减小,同时导线必须尽可能短且直。当在50MHz频率下进行测量时,带液体的试验池电容应不超过30或40pF。受保护平行板电极优点是单个样本可以进行*准确地测量。另外液体电容率的先前知识不作要求,因此其可以直接测量得出(11)。如果试验池结构带一个测微计电极,厚度差异很大的样本可以进行*准确地测量,因为电极可以调节至某一只比样本厚度稍微大一点的间距。如果液体电容率接近样本电容率,样本厚度测定误差影响可以降至小。在测量极其薄的膜层时,使用一种接近匹配液体和一种微米试验池,则将允许获得很高的准确度 如果在两种已知电容率的液体上进行足够的测量,则排除了样本厚度和电极间距测定的必要性(12,13,18)。本方法对任何频率范围都不作限制;然而,限制液体浸泡方法用于液体耗散因子小于0.01(对于低损耗样本,小于0.0001)的频率场合。当使用两种液体方法时,在样本相同样本进行测量是非常重要的,因为厚度将不总是在所有点都是相同的。为确保相同区域被测试两次,同时帮助薄膜的搬运,样本固定架是非常方便的。固定架可为一个V形件,其将能滑入电极池中的沟槽中。同时也有必要控制温度小为0.1℃。这可以通过配备带冷却线圈的试验池来达到效果(13)。装置选择和电容和交流损耗测量方法 频率范围——电容和交流损耗测量方法可分成三种:零值法,共振法和偏转法。任何特殊场合的某一方法选择将主要取决于工作频率。当频率范围为从小于1Hz直到几兆赫兹时,可以使用许多形式的电阻或电感比值臂电容桥。当频率低于1Hz时,要求采用特殊的方法和仪器。在500kHz~30MHz的较高频率下,可使用平行T形网络,因为它们采用了共振电路的一些特征。而当频率从500kHz到几百兆赫兹时,可使用共振法。偏转法只能在从25到60Hz的电源线频率下使用,使用时采用商用指示仪表,此时可以很容易获得要求的较高电压。 直接和替代方法——在任何直接法中,电容和交流损耗值采用该方法所用所有电路元件形式来表示,因此受到所有误差的影响。通过替代方法可以获得更加大的精度,在此方法中可采用连接和断开的未知电容器进行读数。在这些不能改变的电路元件中的误差通常可以排除;然而,仍然保留了连接误差(注4)。两终端和三终端测量——两终端和三终端测量选择通常是在精度和便利性之间作出一个选择。在电介质样本上使用一个保护电极时,则几乎可排除边缘和接地电容的影响,如6.2的解释。规定采用一个保护终端,则可排除电路元件引入的一些误差。在另一方面,补充的电流元件和护罩通常要求提供相当多的保护终端到测量设备上,这可能增加好几倍的调节次数来获得要求的后结果。电阻比值臂电容桥用保护电路很少被用于1MHz以上的频率。电导比值臂桥提供了一个保护终端,而不要求额外的电路或调节。平行T形网络和共振电路不提供保护电路。在偏转方法中,可以仅仅通过额外护罩来提供一个保护。一个两终端测微计电极系统的使用提供了许多三终端测量的优点,即几乎排除了边缘和接地电容的影响,但是可能增加观测或平衡调节的次数。其使用也可以排除在较高频率下连接导线的串联电感和电阻导致的误差,其可以在整个频率范围内使用,直至几百兆赫兹。当使用一个保护时,存在耗散因子测量值将小于真实值的可能性。这可能是由于在测量电路保护点和保护电极之间的任何点位置的保护电路的电阻导致的。这还可能来自高接触电阻,导线电阻,或者来自保护电极自身的高电阻。在场合,耗散因子将显示为负值。当没有保护的耗散因子高于由于表面泄漏导致的标准值时,该情况可能存在。电容耦合到测量电极以及电阻耦合连接到保护点的任何点可成为困难的来源。常见保护电阻产生一个与ChClRg成比例的等效负值耗散因子,其中Ch和Cl为电极保护电容,Rg为保护电阻(14)。液体置换方法——液体置换方法使用时可以采用三终端或自屏蔽两终端试验池。采用三终端试验池,可能直接测定所用液体的电容率。自屏蔽两终端试验池提供了三终端试验池的许多优点,即几乎排除了边缘和接地电容的影响,同时还可以与没有规定一个保护的测量电路一起使用。如果其配有一个完整的测微计电极,在较高频率下连接导线的串联电导电容的影响将可以排除。 精度——8.1所列方法精密考虑了电容率测定精度为±1%,而耗散因子测定精度为±(5%+0.0005)。这些精度取决于至少三个因素:电容和耗散因子观测的精度,所用电极布置导致的这些参量的修正值的精度以及电极之间真空静电容计算的精度。在好的条件以及较低频率下,电容测量可具有±(0.1%+0.02pF)的精度,而耗散因子可具有±(2%+0.00005)的精度。在较高频率下,当电容达到±(0.5%+0.1pF),耗散因子达到±(2%+0.0002)时,这些极限值可能增大。配有一个保护电极的电介质样本测量只具有电容误差和电极之间真空静电容计算的误差。受保护电极和保护电极之间间隙太宽导致的误差将通常为几十个百分比,同时修正值可以计算为几个百分比。当平均厚度为2mm时,样本厚度测量误差可为几十个百分比,此时假设可以测量至±0.005mm。圆形样本直径可以测量至具有±0.1%的精度,但是输入作为平方值。将这些误差合并,电极之间真空静电容可以测量至具有±0.5%的精度。与电极之间静电容不同的是,采用测微计电极进行测量的带接触式电极的样本不需要进行修正,假如样本直径足够小于测微计电极直径的话。当两终端样本以任何其它方式进行测量时,边缘电容计算和接地电容测定将涉及相当大的误差,因为每一种误差都可能为2~40%的样本电容。采用目前的这些电容知识,在计算边缘电容时,可能的误差为10%,而在评估接地电容时,其可能的误差为25%。因此涉及的总误差范围可为几十分之一的1%到10%或者更大。然而,当没有电极接地时,接地电容误差降至小(6.1)。采用测微计电极,0.03阶的耗散因子可以测量精确到±0.0003的真实值,而0.0002阶的耗散因子可以测量精确到±0.00005的真实值。耗散因子范围通常为0.0001到0.1,但是其也可以超过0.1。在10~20MHz的频率下,可以推测0.0002阶的耗散因子。从2到5的电容率值可以测定精确到±2%。该精度受到电极之间真空静电容计算要求测量精度以及测微计电极系统误差的限制。抽样抽样说明见材料规范。薄膜介电常数介质损耗因数测试仪程序样本制备概述——裁剪或模压试验样本至一个合适的形状和厚度,以能按照材料规范进行测试或者按照要求的测量精度,试验方法,和将执行的测量频率来进行测试。按照被测材料要求的标准方法来测量厚度。如果某一特殊材料没有标准,然后按照试验方法D374测量厚度。实际测量点应在材料电极覆盖区域上均匀分布。然后合适的测量电极应用到样本上(第7章)(除非将使用液体置换方法),尺寸和数量选择主要取决于是否将执行三终端或两终端测量,如果执行后者的两终端测量,是否将使用一个测微计电极系统(7.3)。样本电极材料选择将取决于应用的便利性和是否样本必须在高温和高相对湿度下进行调节(第7章)。通过一个移动显微镜来获得电极尺寸(如果电极不等效,则是指较小的电极),或者通过刻度为0.25mm的钢尺和一个允许放大至读数精确到0.05mm的放大镜来进行测量。在几个点上测量圆形电极的直径,或者矩形电极的尺寸,以获得一个平均值。测微计电极——样本面积等于或小于电极面积是可以接受的,但是样本的任何部分应不能延伸越过电极边缘。样本边缘应是光滑的,且垂直于薄板平面,同时也应具有清晰的边界,以使得薄板平面尺寸能够测量精确到0.025mm。厚度≤0.025直到≥6mm的厚度值都是可以接受的,这取决于平行板电极系统的大可用板间距。样本应是扁平的,同时厚度尽可能均匀,且无空隙,外来物质夹杂物,皱纹或任何其它缺陷。已经发现采用一个几个厚度或很多厚度的组合,能更方便和准确得测试极其薄样本。每个样本的平均厚度应尽可能测量精确到±0.0025mm之内。在一些场合,特别是对于薄膜等材料,但通常不包括多孔材料,将通过由已知或测量的材料密度,样本面的面积以及在分析天平上通过精确测量获得的样本(或者组合样本,当在多个厚度薄板上进行测试时)质量来计算得出平均厚度。液体置换——当浸泡介质为一种液体时,如果标准液体电容率在样本电容率的大约1%之内(见试验方法D1531),样本大于电极是可以接受的。另外,对于7.3.3所示类型的试验池,将通常要求双份样本,尽管可以在这类试验池中每次测试单个样本。在任何场合,样本厚度应不小于大约80%的电极间距,当被测材料耗散因子小于大约0.001时,这变得特别重要。 清洗——因为已经发现在某些材料场合,当不带电极进行测试时,样本表面上存在的导电污染物可对结果产生无规律的影响,因此需要采用一种合适的溶剂或其它方式(按照材料规范所述)来清洗试验样本,同时允许在试验之前*干燥样本(15)。当将在空气中在低频率(60~10000Hz)下进行测试时,清洗变得特别重要,但是如在无线电频率下进行测量时,清洗变得不那么重要。在采用一种液体介质进行试验的场合,样本清洗也将降低污染浸泡介质的趋势。被测材料适用的清洗方法参阅ASTM标准或其它规定本试验的文件。在清洗之后,只用镊子转移样本,然后储存在单独的信封套中,以防止在试验之前被进一步污染测量——将带附着电极的试验样本放入一个合适的测量试验池中,然后采用具有要求灵敏度和精度的方法来测量样本的电容和直流损耗。对于日常工作,当高精度不作要求时,或当样本终端都不用接地时,则没有必要将固体样本放入一个试验池中。 警告——本试验执行期间,致命电压是一种潜在的危险。所有试验装置及电连接到其上的所有相关设备需进行适当的设计和安装以便能安全运行,这是非常重要的。试验期间个人可能接触的所有导电连接进行牢固接地。在执行任何试验时,提供方式来对试验期间处于高电压的所有零件进行接地,或者对试验期间获得一个感应电荷而具有电位的所有零件进行接地,或者对甚至在电压源断开之后还保持带电荷而具有电位的所有零件进行接地。认真指导所有操作者,以使得其能采用正确的程序来安全执行试验。当执行高电压试验时,特别是在压缩气体或在油中测试时,在击穿时释放的能量可能足够导致试验箱发生火灾,爆炸,或者破裂。设计试验设备,试验箱和试验样本,以使得这类情况的发生可能性降至小,同时排除人身伤害的可能性。如果存在火灾风险,则需配置灭火设备。注2:将样本连接到测量电路所用的方法是非常重要的,特别是对于两终端测量。对于平行替代测量,试验方法D150先前*的临界间距连接方法可导致0.5pF的负误差。当两终端样本作为一个保护在一个试验池中进行测量时,可产生一个类似的误差。因为目前已知没有方法能用于评估该误差,当必须避免该数值的误差时,必须使用一种替代方法,也就是说,使用测微计电极,液体浸泡池,或者带受保护导线的三终端样本。注3:为获得电容和耗散因子而执行的测量细节说明以及由于测量电路而执行的任何必要的修正细节说明见商用设备提供的说明书所述。以下章节拟用于提供所需的补充说明。固定电极——精确地调节板间距至一个适合被测样本的值。特别对于低损耗材料,板间距和样本厚度应使得样本将占据不少于大约80%的电极间隙。对于在空气中的试验,不建议板间距小于大约0.1mm。当电极间距没有调节到一个合适值时,必须制备具有合适厚度的样本。测量试验池的电容和耗散因子,然后嵌入样本,同时使得样本位于测微计电极的电极或试验池之间的中心位置。重复测量。为获得大的精度,如果可以使用测量设备,直接测定△C和△D。记录试验温度。测微计电极——测微计电极常与那些接触样本或其附着电极的电极一起使用。为执行一次测量,首先将样本夹紧在测微计电极之间,然后平衡或调整测量用网络。接着取出样本,重新设置电极,通过移动测微计电极使得更近地靠在一起,使得电路或桥臂中的总电容重新恢复至其原始值。 液体置换方法——当使用单种液体时,充满试验池中,然后测量电容和耗散因子。小心插入样本(或组合样本,如果使用了两个样本池),然后将其置于中心位置。重复测量。为获得大的精度,如果可以使用测量设备,直接测定△C和△D。从液体中迅速地取出样本,以防止发生膨胀,然后在继续测试另一样本之前重新充满试验池至适当的液位。结果计算公式见表2给出。试验方法D1531详细描述了采用了本方法测量聚乙烯的应用。当受保护试验池为耐震结构时,按照精确温度控制条款,例如试验方法D1531中方法B的建议,则可通过在两种液体中测量样本来获得更大的精度。本方法也排除了已知样本尺寸的需要。该程序与以前的程序相同,除了使用两种不同电容率的流体之外(12,13,18)。使用空气作为*种流体是很方便的,因为这能避免测量期间清洗样本的必要性。受保护试验池的使用能允许测定所用液体或流体电容率测定。当采用一种或两种流体方法时,可能获得大的精度,此时一种液体的电容率较接近匹配样本的电容率。注4:当采用两种流体方法时,可由任一组读数获得耗散因子(其中采用具有较高Kf'的那组数据可获得较精确的耗散因子)。薄膜介电常数介质损耗因数测试仪电容率,耗散因子和损耗指数的计算——对于在某一给定频率下测量的样本,所用测量电路将给出电容值,交流损耗值(用Q表示),耗散因子,或串联或并联电阻。当由观测电容值计算得出电容率时,这些值必须转换为并联电容,如果不是如此来表示,则使用公式5。当使用测微计电极时,表3给出的公式可用于计算样本的电容。对于不同的电极系统,表2给出的公式可用于计算电容率和耗散因子。当使用平行替代方法时,耗散因子读数必须乘以总电路电容与样本或试验池电容的比值。Q和串联或并联电阻也要求由观测值计算得出。电容率为:Kx'=Cp/Cv (11) 平坦平行板和共轴圆柱的真空电容表达(6.4)见表1给出。当交流损耗采用串联电阻或并联电阻或电导来表示时,使用公式3和4给出的关系式来计算耗散因子(见3.1.2.1)。损耗指数等于耗散因子和电容率的乘积(见3.4)。10.4 修正——将样本连接到测量电路所用的导线具有电导和电阻,在高频率下,它们能大测量的电容和耗散因子。当测量中已包括额外电容时,例如边缘电容和接地电容,这些电容在两终端测量时可产生电位,此时观测并联电容将增大,同时观测耗散因子将减小。这些影响的修正值在附录X1和表1中给出。薄膜介电常数介质损耗因数测试仪报告11.1 报告以下信息:11.1.1 描述被测试的材料,也就是指名称,等级,颜色,制造商和其它相关数据,11.1.2 试验样本形状和尺寸,11.1.3 电极和测量池的类型和尺寸,11.1.4 样本调节,和试验条件,11.1.5 测量方法和测量电路,11.1.6 施加电压,有效电压梯度和频率,11.1.7 并联电容值,耗散因子值或功率因子值,电容率值,损耗指数值以及评估的精度值。精度和偏差精度——本规范提出的任一种试验方法的精度相关说明都不可能制定,因为精度受到被测材料和测量所用装置选择的影响。对于特定材料,鼓励这些试验方法用户探寻适用于特定材料的标准精度说明(也可见第8章)。 偏差——任一种或所有这些试验方法未能制定偏差相关的说明。关键字 直流损耗;电容;并联,串联,边缘现象,杂散;电导;接触式电极;电介质;介电常数;耗散因子;电绝缘材料;电极;液体置换;频率;边缘现象电容;受保护电极;Hz;损耗角;损耗因子;损耗正切值;非接触式电极;电容率;相位角;缺相角;功率因子;Q;品质因子;电抗;并联,串联;相对电容率;电阻;平行,串联;tan(Δ);厚度表3 电容计算—测微计电极并联电容符号定义Cp=C'-Cr+CvrC'=在电极重置间距处的测微计电极的校准电容,Cv=由表2计算得出的,在测微计电极之间被样本占据区域的真空电容,Cr=在间距r处的测微计电极的校准电容,r=样本和附着电极的厚度。样本真实厚度和面积必须用于计算电容率。当样本具有与电极相同的直径,通过使用以下程序和公式,可以避免边缘真空电容的双重计算,计算只具有小误差(由于在电极边缘的边缘现象导致的误差,值为0.2~0.5%)。Cp=C'-Cv+CvtCv=在间距t处的测微计电极的校准电容,Cvt=在样本区域的真空电容,t=样本厚度。 附录(非强制性信息)X1.串联电感和电阻和杂散电容的计算X1.1 由于导线电感导致的电容增加和由于导线电阻导致的耗散因子增加按下式计算:式中:Cp=被测量电容器的真实电容,Ls=导线的串联电感,Rs=导线的串联电阻,ω=2π×频率,Hz。注X1.1:对于所用导线,可以由物理尺寸非常小的电容器测量值来计算得出L和R,电容器在测量设备终端和导线很远的末端上进行测量。C是指终端处测量的电容,△C是指两个电容读数的差值,而R为由测量值C和D计算得出的数值。X1.2 当要求这些导线尽可能短时,则难于在1MHz下将其电感和电阻降低到0.1μH和0.05Ω以下。高频率电阻随着频率的平方根而增大。因此当频率大于1MHz时,这些修正变得越来越重要。当测量中已包括额外电容时,例如边缘电容Ce和接地电容Cg,这可能在两终端测量中产生,观测的并联电容将增大,同时观测的耗散因子也将减小。这些观测参量的下标为m,则按下式可计算得出修正值:X1.3 耗散因子表达式假设额外电容没有损耗。这对于接地电容来说是基本真实的,除非在低频率下,同时当电极延伸到样本边缘时,边缘电容也基本无损耗,因为几乎所有的通量线都是在空气中。电容率和损耗指数按下式进行计算:4 当有一个或两个电极小于电极时,边缘电容具有两部分。穿过环境电介质的通量线相关的的电容具有一个耗散因子,对于各项同性材料,该耗散因子与电介质主体的耗散因子相同。穿过空气的、通量线相关的电容没有损耗,因此不可能分隔电容,通常惯例是将测量的耗散因子视为真实的耗散因子。保护电极的有效面积受保护电极在测量电极和保护电极之间具有一个间隙。该间隙具有明确的尺寸来定义间隙面积。受保护电极有效面积大于其实际面积。在多数受保护电极系统中,增加值大约为50%的保护间隙面积。为获得某一采用受保护电极的电极系统的有效面积,通过空气间隙宽度来增大以下每一个尺寸,同时在公式中使用这些增大后的尺寸来计算面积:(a)圆形测量电极的直径,(b)矩形测量电极的每个尺寸,(c)圆柱形测量电极的长度。 在那些间隙宽度g与电极间隔距离t(大约为该样本的厚度)的比值适当的场合,受保护电极尺寸的增大值小于间隙宽度,该数量值识别为保护间隙修正值。保护间隙修正值符号为:2δ。 保护间隙修正值符号受到保护间隙宽度g;电极间隔距离t(该值大约为该样本的厚度);受保护测量电极厚度a;高电压和低电压电极之间介质电容率1/K';和间隙中介质电容率Kg'的影响。有效因子为:X2.1.4.1 比值g/tX2.1.4.2 比值a/gX2.1.4.3 比值K'/Kg'X2.2 对于某些K'/Kg'和a/g比值,2δ/g计算的完整公式见公式X2.1-X2.3所示。X2.3 在计算有效电极面积之前,保护间隙分数加上整体电极尺寸则得B=1-2δ/g。考虑X2.1.2(16)中的(b)和(c),B可以依据公式X2.4的经验公式计算得出。A为比值a/g的函数。当a/g=0(薄电极)时,A=1。当a/g为1或大于1(厚电极)时,A接近极限值0.8106(准确为8/π2)。从图X2.1可得出的A的中间值。X2.4 当g/t≤10时,从公式X2.2得出的lnB与从公式X2.1得出的lnB的比值非常接近1.23。因此,通过写入公式X2.4,可以排除评估公式X2.2的必要性,如公式X2.5所示。X2.5 由公式X2.5计算的B值将不同于准确值,两者差值大为0.01。对于0.25mm保护间隙,该大误差将产生一个0.0025mm的电极直径或电极尺寸误差。而对于25mm电极,这将产生一个0.02%的面积误差。式中.电容率和损耗特征的影响因素频率绝缘材料能在整个电磁波频谱上使用,这些频谱包括从直流电到至少3×1010Hz的无线电频率。仅存在非常少数的材料,如聚苯乙烯,聚乙烯,熔融二氧化硅,它们的电容率和损耗指数在该频率范围内是近似恒定的。有必要在材料将采用的频率下测量电容率和损耗指数,同时有必要在放置时的几个合适频率下测量电容率和损耗指数,如果该材料将在某个频率范围使用的话 当材料存在电介质极化时,则可导致电容率和损耗指数随着频率的变化。两种重要的极化是由于极性分子导致的偶极极化,以及材料不均匀性导致的界面极化。图X3.1显示了电容率和损耗指数随着频率的变化(17)。在高频率下开始,此时电容率通过一种原子或电子的极化来进行测定,每次成功的极化,不管是偶极极化还是界面极化,都促进电容率结果在零频率时具有大值。每一次极化都提供了一个大的损耗指数和耗散因子。在损耗指数为大值时的频率成为该极化的松弛频率。它也是电容率以大速率大的频率以及发生一半的该极化变化的频率。这些极化影响相关的知识将常常有助于确定应在哪个频率下执行测量。X3.1.3 自由离子或电子导致的电介质的任何直流电导不会对电容率产生直接影响,但将产生一个耗散因子,该耗散因子随着频率发生相反得变化,同时在零频率时变得无限大(图X3.1的虚线)。X3.2 温度X3.2.1 温度对某*缘材料的主要电学影响是将增大其极化时的松弛频率。它们随着温度以一定速率成倍大,该速率使得当温度在6~50℃范围内增大时,可导致松弛频率出现十倍的增大。在较低频率下的电容率的温度系数将总是为正值,除了许多原子和电子极化导致电容率温度系数为负值的事实之外。然而在高频率下,温度系数将为负值,在某些中间频率时可变为零,而在偶极或截面极化的松弛频率下该温度系数为负值。X3.2.2 损耗指数和耗散因子的温度系数可为正值或负值,这取决于松弛频率的测量关系式。当频率高于松弛频率时,该值为正值,而对于较低频率,该值为负值。因为界面极化的松弛频率通常低于1Hz,损耗指数和耗散因子的相应温度系数将在所有通用测量频率下为正值。因为某一电介质的直流电导通常随着温度的倒数减小而成倍增大,由此导致损耗指数和耗散因子值将以一种类似的方式增大,同时将产生一个较大的正值温度系数。X3.3 电压X3.3.1 所有电介质极化,除了界面极化几乎与存在的电位梯度无关,直到该梯度值达到在材料空隙或材料表面上发生电离,或者发生击穿的数值。在界面极化中,自由离子数量可能随着电压而增大,同时可能改变极化和其松弛频率的大小。直流电导也会受到类似的影响。X3.4 湿度X3.4.1 湿度对某*缘材料的主要电学影响是将*得增加其界面极化的大小,因此增大其电容率,损耗指数和其直流电导。这些湿度影响是由水吸入材料体积,以及在材料表面形成离子化水膜而导致的。后者在几分钟之内形成,然而前者可能需要几天,有时甚至是几个月来达到平衡,特别是对于较厚和相对不透水材料(15)。X3.5 水浸泡X3.5.1 水浸泡对某*缘材料的影响近似为*相对湿度暴露的影响。水被吸入材料体积中,通常其吸水速率大于*相对湿度下的吸水速率。然而,当终达到平衡时,在两种条件下的吸水的总量基本是相同的。如果材料存在水溶性物质,水浸泡下的滤出将显著快于在*相对湿度且不冷凝前提下的滤出。如果浸泡所用水不纯,其杂质可能进入材料中。当材料去除水进行测量时,与在*相对湿度且不冷凝前提下产生的效果相比,其表面形成的水膜将变得更厚,同时导电性更好,同时这将要求一些时间来达到平衡。X3.6 气候X3.6.1 气候作为一种自然现象,其包括温度和湿度改变,降雨,飓风,大气杂质和太阳紫外线和热量的影响。在这些条件下,某*缘材料表面可能发生*性变化,如物理上的粗糙化和裂解,化学上的更多易溶成分的损失以及表面沉积的盐,酸和其它杂质的反应。表面上形成的任何水膜将变得更厚和更容易导电,同时水将更容易渗入材料体积中。X3.7 损失X3.7.1 在电压和温度的工作条件下,由于吸收湿分,材料表面物理变化,材料成分化学变化,以及材料表面和内部空隙表面的电离影响,某*缘材料可能损失电学强度。通常来说,材料电容率和耗散因子将增大,同时它们的增大值将随着测量频率降低而变得更大。在充分理解X3.1-X3.6列出的影响之后,任何电学性能的观测变化,特别是耗散因子,可作为损失的一种度量方式,也就是指电介质强度减小的一种度量方式。X3.8 调节X3.8.1 许多绝缘材料的电学特征取决于温度,湿度和水浸泡性,正如以上章节所述,因此通常有必要规定某一样本的过去历史以及其与这些因素相关的试验条件。除非将在室温(20-30℃)下执行测量,同时未规定相对湿度,样本应按规程D618进行调节。所选程序应能接近匹配工作条件。当数据要求包含宽范围的温度和相对湿度时,将有必要使用中间值,同时可调节至平衡。X3.8.2 保持规定相对湿度的方法见规程D5032和E104所述。X3.8.3 部件调节规范见规范E197所述。备注:Polarizations:极化;Interfacial:界面;Dipole:偶极Permittivity:电容率;Loss index:损耗指数;Log Frequency:对数频率图X3.1 典型极化(17)典型测量电路的电路图显示的简化电路和方程式仅作为一般参考信息。完整的图形,方程式和所用测量方法应参阅某一特定设备附带的说明书。 备注:GUARD:保护方程式Cx=(R1/R2)CsDx=ωR1C1平衡方法在位置M采用S1来改变C1和R2,以使得探测器D获得小的偏转。通过改变CF和RF在位置G采用S1来重复操作。重复以上程序直到当S1转换到M或G时探测器显示没有变化达到平衡。注1:该电桥类型对在电源频率下的高电压测量特别有用,因为几乎所有的施加电压显示穿过标准电容器Cs和样本Cx。平衡电路和探测器的接地电位都非常接近。图X4.1 高电压西林电桥方程式Cx=(R1/R2)CsDx=ωR1C1平衡方法设置R1和R2的比值(范围),然后改变Cs和C1,以获得平衡。图X4.2 低电压西林电桥,直接法方程式Cx=△Cs△Cs=Cs'-CsDx=(Cs'/△Cs)△C1ωR1△C1=C1-C1'平衡方法改变C1和Cs,可以连接或不连接样本,以获得平衡。不接地导线的未知断开的初始平衡所用符号都是基本符号。图X4.3 低电压西林电桥,平行替代法方程式Cx=(L1/L2)CsGx=(L1/L2)GsDx=(Gs/ω Cs)平衡方法设置L1和L2的比值(范围),然后改变Cs和Gs,以获得平衡。图X4.4 电感比值臂(变压器)电路方程式Cx=Cs'-Cs=△CsGx=(R5ω2C1C2/Cs)(C4-C4')=△GxDx=Gx/ωCx=△Gx/ωCs平衡方法没有连接的平衡,以及带未知连接的重新平衡,采用Cs和C4。初始平衡所用符号都是基本符号。图X4.5 平行T形网络,平行替代法
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  • 国标GBT1409介电常数介质损耗测试仪符合标准:ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法;GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法;一、符合标准:ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法;GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法;GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法;GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法;二、主机及夹具参数:项目/型号LJD-BLJD-ALJD-C信号源DDS数字合成信号频率范围10KHZ-70MHZ10KHZ-110MHZ100KHZ-160MHZ信号源频率覆盖比7000:111000:116000:1采样精度11BIT12BIT信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数Q值测量范围1~1000自动/手动量程Q值量程分档30、100、300、1000、自动换档或手动换档Q分辨率4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差<5%电感测量范围1nH~8.4H,;分辨率0.11nH~140mH;分辨率0.1电感测量误差<3%电容直接测量范围1pF~2.5uF1pF~25uF调谐电容误差分辨率±1pF或<1%主电容调节范围30~540pF17~240pF谐振点搜索自动扫描自身残余电感扣除功能有大电容值直接显示功能有介质损耗系数精度万分之一介电常数精度千分之一LCD显示参数F,L,C,Q,LT,CT,波段等准确度150pF以下±1pF;150pF以上±1%Q合格预置范围5~1000声光提示环境温度0℃~+40℃消耗功率约25W电源220V±22V,50Hz±2.5Hz极片尺寸38mm/50mm(二选一)极片间距可调范围≥15mm材料测试厚度0.1-10mm夹具插头间距25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10-4 (1MHz)测微杆分辨率0.001mm测试极片材料测量直径Φ38mm/50mm,厚度可调 ≥ 15mm三、配置:序号标准配置单位/数量1主机一台2S916夹具一套3电感组九只4电源线一根选配:USB模块、液体杯(测量极片直径 Φ38mm; 液体杯内径Φ48mm 、深7mm)我司经营产品包括:LJC系类电压击穿试验仪ATI系类体积表面电阻率测试仪LJD系类介电常数测试仪LDQ-2漏电起痕试验仪JF系类氧指数测定仪CZF系类水平垂直燃烧测定仪WDW系类电子万能试验机XRW系列热变形维卡温度测定仪XNR系类熔体流动速率测定仪ZJJ系类冲击试验机MDJ系类固体/液体等材料的密度测试仪3.介电常数测试仪术语3.1 定义:3.1.1 这些试验方法所用术语定义以及电绝缘材料相关术语定义见术语标准D1711。3.2 本标准专用术语定义:3.2.1 电容,C,名词——当导体之间存在电势差时,导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。3.2.1.1 讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位,电位采用伏特为单位时,电容单位为法拉,即:C=q/V           (1)3.2.2 耗散因子(D),(损耗角正切),(tanδ),名词——是指损耗指数(K'')与相对电容率(K')之间的比值,它还等于其损耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(见图1和图2)。D=K''/K'     (2)4 相关ASTM标准,可浏览ASTM网站,或与ASTM客服联系。ASTM标准手册卷次信息,可参见ASTM网站标准文件汇总。5 该历史标准的较后批准版本参考网站。3.2.2.1 讨论——a:D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp        (3)式中:G=等效交流电导,Xp=并联电抗,Rp=等效交流并联电阻,Cp=并联电容,ω=2πf(假设为正弦波形状)耗散因子的倒数为品质因子Q,有时成为储能因子。对于串联和并联模型,电容器耗散因子D都是相同的,按如下表示为:D=ωRsCs=1/ωRpCp        (4)串联和并联部分之间的关系满足以下要求:Cp=Cs/(1 D2)             (5)Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2             (6)4、数据采集和tanδ自动测量控件(装入LJD-B),实现了数据采集、数据分析和计算的微处理化,tanδ 测量结果的获得无须繁琐的人工处理,因而提高了数据的精确度和测量的同一性,是人工读值和人工计算无法比拟的。三、主要技术特性及配置主要配置序号构 成型 号数量制 造 厂 家1主机LJD-C1台测试装置(夹具)AS9161台标准电感HLKI-11套2三电极系统(油中、空气中) 油中带油槽 各1套3油槽1台4日常维修工具1套说明书介电常数介质损耗测试仪作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器,测试频率上限达到目前国内高的160MHz.LJD-C介电常数测试仪采用了多项技术。双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的高精确、幅度的高稳定。计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至z低,消除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。二、主要技术特性:*1.信号源: DDS数字合成信号 100KHZ-160MHZ*2.信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数3.Q值测量范围:1~10234.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档;*5.电感测量范围:1nH~140mH 自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能*6.电容直接测量范围:1pF~25nF 7.主电容调节范围: 17~240pF 8.准确度 150pF以下±1pF;150pF以上±1% 9.信号源频率覆盖范围100kHz~160MHz10.合格指示预置功能范围:5~100011.环境温度:0℃~+40℃;12.消耗功率:约25W;电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。13. S916(数显)介电常数εr和介质损耗因数tanδ测试装置:数显式微杆,平板电容器:极片尺寸: 38mm极片间距可调范围:≥15mm夹具插头间距:25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10-4 (1MHz)测微杆分辨率:0.001mm测试极片:材料测量直径Φ38mm厚度可调 ≥ 15mm *液体杯:测量极片直径 Φ38mm; 液体杯内径Φ48mm 、深7mm14. 介电常数测试仪/GB/T1409-2006介电常数介质损耗测试仪/相对介电常数测试仪/介质损耗测试仪/介质损耗因数测试仪/介质损耗角正切值测试仪/GB/T1693-2007硫化橡胶高频介电常数测试仪/工频介电常数测试仪/固体介电常数介质损耗测试仪/液体介电常数介质损耗测试仪/材料介质损耗和电容率测试仪/阻抗分析仪/GBT5594.4-2015陶瓷件介电常数测试仪/ASTM D150-11交流损耗特性和电容率测试仪/介电常数及介损测试仪电感组LKI-1:分别有0.05μH、0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH十个电感组成。三、配置:主机 一台电感 九支夹具 一套液体杯 一套随机文件一套
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  • 产品名称:介电常数测试仪 产品型号:LJD-B、LJD-C、QS-37符合标准:GB/T1409、GB/T5594产品用途:固体、液体绝缘材料的介电常数及介质损耗测试适用材料:橡胶塑料薄膜、陶瓷玻璃、绝缘材料、高分子材料等测试范围:10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ主要配置:主机Q表、夹具、电感组成测试项目:介电常数、介质损耗、介质损耗因数、介质损耗角正切值使用人群:科研所、教学、质量监督局、军工单位等付款方式:全款发货产品品牌:中航鼎力产品货期:1-3个工作日产品类别:电性能检测仪器ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法1本标准是以固定代号D150发布的。其后的数字表示原文本正式通过的年号;在有修订的情况下,为上一次的修订年号;圆括号中数字为上一次重新确认的年号。上标符号(ε)表示对上次修改或重新确定的版本有编辑上的修改。    本标准经批准用于国防部所有机构。1.介电常数测试仪范围1.1 本试验方法包含当所用标准为集成阻抗时,实心电绝缘材料样本的相对电容率,耗散因子,损耗指数,功率因子,相位角和损耗角的测定。列出的频率范围从小于1Hz到几百兆赫兹。注1:在普遍的用法,“相对”一词经常是指下降值。1.2 这些试验方法提供了各种电极,装置和测量技术的通用信息。读者如对某一特定材料相关的议题感兴趣的话,必须查阅ASTM标准或直接适用于被测试材料的其它文件。2,31.3  本标准并没有完全列举所有的安全声明,如果有必要,根据实际使用情况进行斟酌。使用本规范前,使用者有责任制定符合安全和健康要求的条例和规范,并明确该规范的使用范围。特殊危险说明见1 本规范归属于电学和电子绝缘材料ASTM D09委员会管辖,并由电学试验D09.12附属委员分会直接管理。当前版本核准于2011年8月1日。2011年8月发行。原版本在1922年批准。前一较新版本于2004年批准,即为 D150-98R04。DOI:10.1520/D0150-11。2 R. Bartnikas, 第2章, “交流电损耗和电容率测量,” 工程电介质, Vol. IIB, 实心绝缘材料的电学性能, 测量技术,3 R. Bartnikas, 第1章, “固体电介质损耗,” 工程电介质,Vol IIA, 实心绝缘材料的电学性能: 分子结构和电学行为,2.介电常数测试仪引用文件2.1 ASTM标准:4D374     固体电绝缘材料厚度的标准试验方法D618     试验用塑料调节规程D1082    云母耗散因子和电容率(介电常数)试验方法D1531    用液体位移法测定相对电容率(介电常数)与耗散因子的试验方法D1711    电绝缘相关术语D5032    用饱和甘油溶液方式维持恒定相对湿度的规程E104     用水溶液保持相对恒定湿度的标准实施规程E197     室温之上和之下试验用罩壳和服役元件规程(1981年取消)53.介电常数测试仪术语3.1 定义:3.1.1 这些试验方法所用术语定义以及电绝缘材料相关术语定义见术语标准D1711。3.2 本标准专用术语定义:3.2.1 电容,C,名词——当导体之间存在电势差时,导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。3.2.1.1 讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位,电位采用伏特为单位时,电容单位为法拉,即:C=q/V           (1)3.2.2 耗散因子(D),(损耗角正切),(tanδ),名词——是指损耗指数(K'')与相对电容率(K')之间的比值,它还等于其损耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(见图1和图2)。D=K''/K'     (2)4 相关ASTM标准,可浏览ASTM网站,www.astm.org或与ASTM客服service@astm.org联系。ASTM标准手册卷次信息,可参见ASTM网站标准文件汇总。5 该历史标准的较后批准版本参考网站www.astm.org。3.2.2.1 讨论——a:D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp        (3)式中:G=等效交流电导,Xp=并联电抗,Rp=等效交流并联电阻,Cp=并联电容,ω=2πf(假设为正弦波形状)耗散因子的倒数为品质因子Q,有时成为储能因子。对于串联和并联模型,电容器耗散因子D都是相同的,按如下表示为:D=ωRsCs=1/ωRpCp        (4)串联和并联部分之间的关系满足以下要求:Cp=Cs/(1 D2)             (5)Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2             (6)4、数据采集和tanδ自动测量控件(装入AS2853A),实现了数据采集、数据分析和计算的微处理化,tanδ 测量结果的获得无须繁琐的人工处理,因而提高了数据的精确度和测量的同一性,是人工读值和人工计算无法比拟的。三、主要技术特性及配置主要配置序号构 成型 号数量制 造 厂 家1主机LJD-C1台测试装置(夹具)AS9161台标准电感HLKI-11套2三电极系统(油中、空气中) 油中带油槽 各1套3油槽1台4日常维修工具1套说明书
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  • 点胶纸介质损耗测试测量仪Ce=边缘现象或边缘电容,Cg=每个电极外表面的接地电容,CL=连接导线之间的电容,CLg=接地导线的电容,CLc=导线和电极之间的电容。只有要求的电容Cv是与外部环境无关,所有其它电容都在一定程度上取决于其它目标的接近度。有必要在两个可能的测量条件之间进行区分,以确定不期望电容的影响。当一个测量电极接地时,情况经常是这样的,所述的所有电容与要求的Cv并联,除了接地电极的接地电容及其导线之外。如果Cv放入一个试验箱之内,同时试验箱墙壁具有保护定位,连接到试验箱的导线也受到保护,则接地电容可以不再出现,此时在a-a'处的电容看起来只包括Cv和Ce。对于某一给定电极布置,当电介质为空气时,可以计算得出边缘电容Ce,同时该计算值具有适当的精度。当某一样本放置在电极之间时,边缘电容值可能发生变化,此时要求使用一个边缘电容修正值,该修正值可见表1给出的信息。在许多条件下,已经获得了经验性修正值,这些修正值见表1所示(表1适用于薄电极场合,例如箔片)。在日常工作中,当佳精度不作要求时,很方便使用无屏蔽的两电极系统,同时进行适当的修正。因为面积(同时因此Cv)以直径平方级增大时,然而周长(同时因此Ce)随着直径线性增大时,由于忽略边缘修正导致的电容率百分比误差随着样本直径增大而减小。然而,为进行精确得测量,有必要使用受保护的电极。点胶纸介质损耗测试测量仪l 信号源: DDS数字合成信号,频率范围10KHZ-70MHZ;l 信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数;l Q值测量范围:1~1000;l Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档;l 电感测量范围:1nH~8.4H 自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能;l 电容直接测量范围:1pF~2.5uF;l 主电容调节范围:30~540pF;l 准确度 150pF以下±1pF;150pF以上±1%; l 合格指示预置功能范围:5~1000;l 环境温度:0℃~+40℃;点胶纸介质损耗测试测量仪D374 固体电绝缘材料厚度的标准试验方法D618 试验用塑料调节规程D1082 云母耗散因子和电容率(介电常数)试验方法D1531 用液体位移法测定相对电容率(介电常数)与耗散因子的试验方法D1711 电绝缘相关术语D5032 用饱和甘油溶液方式维持恒定相对湿度的规程E104 用水溶液保持相对恒定湿度的标准实施规程E197 室温之上和之下试验用罩壳和服役元件规程(1981年取消)5点胶纸介质损耗测试测量仪 样本几何形状——为测定某一材料的电容率和耗散因子,薄板样本。圆柱形样本也可以使用,但是通常具有较低的精度。电容率大不确定度来源是样本尺寸测定,特别是样本厚度测定。因此,厚度应足够大以允许其测量值具有要求的精度。选择的厚度将取决于样本生产的方法和可能的点到点变化。对于1%精度,厚度为1.5mm(0.06in)通常是足够的,尽管对于较大的精度,要求使用一个较厚的样本。当使用箔片或刚性电极时,另一误差源是电极和样本之间的不可以避免的间隙。对于薄样本,电容率误差可大至25%。类似误差在耗散因子中也会产生,尽管当箔片电极涂覆了一种油脂时,两种误差不可能具有相同的大小。为在薄样本上获得较精确的测量值,使用液体置换方法(6.3.3)。该方法降低了或*消除了样本的电极需求。厚度必须进行测定,测量时,在电学测量所用的样本区域上进行系统性地分布测量,厚度测量值均匀性应在±1%的平均厚度之内。如果样本整个区域将被电极覆盖,同时如果已知材料密度,可通过称量法来测定平均厚度。样本直径选择应使得能提供一个具有要求精度的样本电容测量值。采用受到良好保护和遮蔽的装置,将没有困难测量电容为10pF,分辨率为1/1000的样本。如果将要测试一个低电容率的厚样本,则可能将需要直径大于等于100mm,以获得要求的电容精度。在测量较小值的耗散因子时,关键点是电极的串联电阻应不会有助于产生相当大的扩散因子,同时测量网络没有大电容的电阻应与样本进行并联连接。这些观点的*点是偏好厚样本;第二点建议大区域的薄样本。测微计电极方法(6.3.2)可用于消除串联电阻的影响。使用一个受保护样本固定架(图8)来将外部电容降至低。6.4 真空电容计算——可以较精确计算电容所用的实际形状为平坦平行板和同轴圆筒,电容计算用公式见表1所示。这些公式以测量电极之间的均匀电场,同时在边缘没有边缘现象为基础。以此为基础计算的电容也就是熟知的电极之间静电容。点胶纸介质损耗测试测量仪接触式电极——某一样本与其自带电极(电极材料为以下所列材料之一)一起供应是可以接受的,对于两终端测量,电极应延伸到样本边缘或小于样本。在后一种场合,两种电极在规格上等效或不等效是可以接受的。如果电极尺寸等效,但是小于样本,样本边缘必须越过电极延伸至少2倍的样本厚度。这三个电极规格的选择将取决于电极应用的方便性,同时取决于所采用的测量类型。在电极延伸到样本边缘的场合,边缘修正值(见表1)是小的,而对于不等效电极,边缘修正值是大的。当电极延伸到样本边缘,这些边缘必须是锐利的。如果根本是使用附着的电极,当采用一个测微计电极系统时,必须使用这类电极。当等效规格电极小于所用样本时,难于将它们置于中心,除非样本是半透明的或者采用了一种对准工装。对于三终端测量,保护电极宽度应至少为两倍的样本厚度(6,7)。间隙宽度应尽可能小(可以为0.5mm)。对于在较高频率下的耗散因子测量,该类型电极可能不满足要求,因为其串联电阻。使用测微计电极来进行测量。
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  • 美国EMA伊玛流动开关FL6002流量开关 FL6002的特点智能型流动传感器,全不锈钢金属外壳,Seal Plus 防水结构管路连接:内螺纹 M18 x 1.5功能可以编程,M12 接插件 美国EMA伊玛流动开关FL6002流量开关的性能总概应用范围 液体和气体电气设计 NPN NO/NC工作电压[V] 20…36 DC输出功能 常开 常闭 负载电流[mA] 400短路保护 是反极保护 是过载保护 是电压降[V] 2.5耗用电流[mA] 80介质 的温度漂移[K/min] 300抗压强度[bar] 300液体设定范围[cm/s] 3…300液体 灵敏度时的测量范围[cm/s] 3…100气体设定范围[cm/s] 200…3000气体 灵敏度时的测量范围[cm/s] 200…800启动延时[s] 8输出响应时间[s] 2介质温度[℃/℉] -25…80/-13...176环境温度[℃/℉] -25…80/-13...176储存温度[℃/℉] -25…100/-13…212保护等级 IP68静电 EN61000-4-2 6kV-CD / 8kV-AD群脉冲 EN61000-4-4 2kV雷击浪涌 1kV抗冲击[g] 50FL6002的抗震[g] 20上盖材质 不锈钢316L底座材质 不锈钢304探棒材质 不锈钢316L连接 M12插接件 美国ema伊玛FL6002特点:1可编程的智能型电子式流动传感器。2全不锈钢金属外壳,防护等级可达IP683可视化人机交互界面更直观,易于操作。4内镶嵌高精度感应芯片,广泛的应用在液体和气体的检测。5另有钛合金探棒材质,更耐酸碱。抗腐蚀,高强度6三种单元组成;控制器主体,连接线。探棒单元。7透过按键使用者可以任意的设定流速和温度范围以及报警点。
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