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莫哥蓝宝石相关的资讯

  • 全球创新性飞秒激光蓝宝石切片机和蓝宝石划片机研发成功
    孚光精仪公司联合德国,俄罗斯和立陶宛合作伙伴历时2年研发的新一代飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机成功问世,将大幅度提高智能手机蓝宝石屏的加工效果和效率,据悉,这一新技术将在10月份向全球推广。这种飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机采用全球领先的工业级飞秒激光,突破飞秒激光成本高,效率低的缺点,革命性地提高蓝宝石划片和切割效果,没有毛刺,没有熔融问题产生。经过评估,这种飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机达到了预定研发目标,具有如下优势:不仅适合蓝宝石划片切割,还适合不同玻璃的加工满足不同形状切割需求高速划片切割,划片速度高达800mm/s光滑切片,粗糙度Ra1微米蓝宝石切片上无碎屑不需要化学蚀刻详情浏览: http://www.f-opt.cn/weinajiagong.htmlEmail: info@felles.cn 或 felleschina@outlook.com Web: www.felles.cn (激光光学精密仪器官网) www.f-opt.cn Tel: 021-51300728, 4006-118-227
  • 慧眼识宝——共焦显微拉曼技术助力红蓝宝石价值鉴定
    供稿 | 文军红蓝宝石,与钻石、祖母绿、金绿猫眼石被列为世界五大名贵宝石,其珍贵价值毋庸置疑。很多人认为宝石好不好主要看品质(重量、颜色、切工等),其实宝石产地也很重要。贵重宝石像红蓝宝石、祖母绿,对产地的要求都很高,那代表的是宝石的血统。比如高级的蓝宝石,公认都是克什米尔蓝宝石。克什米尔产的蓝宝石呈微带紫的靛蓝色,著名的矢车菊蓝宝石就产于此。其次是斯里兰卡的皇家蓝价值高,而斯里兰卡还有cat blue以及俗称卡兰的蓝宝石。绝世「克什米尔」蓝宝石传世「皇家蓝」蓝宝石红宝石产地质地好的是缅甸,它的鸽血红就像动脉的血色,很艳,又浓又亮,特别漂亮,但是颗粒小、杂质多,产量比较少,经常只出现在拍卖会上。莫桑比克红宝石颗粒也不是很大,但净度比较好,颜色也比较纯正。稀世「鸽血红」红宝石跨世「莫桑比克」红宝石如何鉴定红蓝宝石的产地?1追根溯源——红蓝宝石产地鉴定在天然红蓝宝石生长过程中,由于外来物种的侵入或者环境条件的变化,宝石内部会形成包裹体。红蓝宝石因外在形成环境地质条件的不同, 它的包裹体也会呈现不同特征。通过这些特征我们就可以判断某一红宝石或蓝宝石的来源,做出产地鉴定啦著名的星光红蓝宝石,就是因为含针状或纤维状金红石包裹体,而产生美丽的六射星光星光红宝石、蓝宝石斯里兰卡蓝宝石包裹体的天鹅绒效应2共焦显微拉曼技术助力红蓝宝石中包裹体鉴别常规宝石鉴别,主要利用显微镜观察其内部细小包裹体、裂隙、色带以及宝石的表面特征等,结果带有主观性,不可靠、信息量少。近年来,人们多用共焦显微拉曼来研究红蓝宝石包裹体。显微拉曼光谱仪把拉曼光谱仪和光学显微镜耦合在一起,利用显微镜观察包裹体中微小特征的同时,还可以测量观察区域(直径约1微米)的拉曼光谱信号,从而对包裹体的内含物物种做出鉴别。此外也可以利用拉曼成像技术,描绘出一定范围内的样品成分分布。Valentina Palanza等人就利用共焦显微拉曼分析了一系列不同产地蓝宝石的包裹体,以下是一些典型案例:1产自变质岩环境的蓝宝石a 是斯里兰卡出产的蓝宝石(P1标记处的圆形区域内部为其包裹体)b 是包裹体局部放大c-5 为包裹体的拉曼光谱,位于157, 335, 450, 667, 795, 1195 cm-1 处的特征峰归属于包裹体中的水铝石矿物而1285, 1387 cm-1处的特征峰归属于包裹体中的二氧化碳气体。其他几条分别是越南锐钛矿、斯里兰卡的金红石和硫、马达加斯加金红石、马达加斯加方解石。2产自岩浆岩和碱性玄武岩环境的蓝宝石其拉曼光谱结果如下图所示,分别是澳大利亚蓝宝石中的赤铁矿包裹体、坦桑尼亚的金红石和石墨、碱性玄武岩锆石。3产自坦桑尼亚的蓝宝石显微镜下可见蓝宝石表面下几个微米深处的红色包裹体,根据拉曼光谱特征峰可以确认包裹体的成分是赤铁矿(hematite, Fe2O3)。实际研究中,由于包裹体大多位于宝石表面之下一定深度,宝石本体的拉曼信号会掩盖包裹体内含物的信号。HORIBA真共焦拉曼技术,引入可以调节的共焦针孔光阑,构建出共轭光学系统,在纵向上限制了样品范围(可以达到微米量级的纵向分辨率),进行拉曼切片,从而大化了包裹体的拉曼信号,抑制了其他干扰信号,为研究宝石包裹体提供了强有力的工具。XploRA PLUS智能型全自动显微拉曼光谱仪研究这些包裹体,不仅可以帮助鉴别天然红蓝宝石的产地,区分天然宝石与人造宝石,同时还能揭示宝石形成时的物理化学条件、介质成分和性质以及后期成矿活动的特征,从而指导宝石矿的寻找及宝石的合成和优化工作。更多信息请参考:Valentina Palanza, et al. J. Raman Spectrosc. 2008 39: 1007.
  • 皖企成功合成60公斤级蓝宝石每颗6万元
    11月22日,在位于铜陵的安徽江威精密制造公司,首次采用泡生法工艺生产出60公斤级蓝宝石,填补了安徽省用此项工艺技术生产蓝宝石的空白,向打造安徽省光伏及LED基础新材料产业基地迈出了坚实一步。  在现场看到,两个刚刚出炉的蓝宝石都是圆柱体,晶莹剔透,没有杂质,直径达230毫米至240毫米,高为350毫米,称重显示两个共计120公斤,达到60公斤级标准。60公斤级蓝宝石是国内最新生产技术,目前国内多为30公斤级产品。这两个蓝宝石可出产合格2英寸棒材3600毫米,加上边角料,现市场售价可达12万元。据了解,蓝宝石是生产LED必备的基础新材料,位于产业源头顶端。同时,还是制造导弹关键材料之一,国外对其产品及生产技术封锁十分严厉,我国民用蓝宝石90%以上依赖进口。近年来,蓝宝石还在高档手表、手机,以及精密发动机轴承等方面得到应用。蓝宝石作为人工合成新材料,其透光率好,硬度达到钻石级,而且耐高温,熔点达2050度,应用前景越来越广泛。  按照合同,俄罗斯专家还要为该公司生产一炉合格产品,才算完成蓝宝石生产设备的安装调试。马永新给记者算了一笔账,按合同要求,每一炉蓝宝石预计出产合格2英寸棒材1800毫米,现市场售价为每毫米3美元,一炉成材可卖近4万元人民币,边角料用途广泛,高档手机、手表均可使用,售价约为2万元人民币,成本控制得好,基本可以做到保本微利。  江威公司引进俄罗斯泡生法生产蓝宝石项目,计划一期投资600万元,从俄罗斯进口两台设备进行试生产,待全面掌握生产技术后,再添加设备,达到20台,计划总投资5000万元,年生产2英寸棒材蓝宝石20万毫米。
  • 仪迈科技推出国内首台蓝宝石折光仪
    上海仪迈仪器科技有限公司于2011年五月份向中国市场推出了一款高端产品: IR180专业型台式折光仪。该产品作为中国国产第一台蓝宝石折光仪, 它不仅造型时尚,性能和技术指标均已达到国际先进水平,并且更加符合我们中国用户的使用习惯。新品上市以来,受到了很多用户的关注,刚刚购买的用户开始使用后,更加称赞这款产品广泛的适用性和操作的方便性。 IR180 的与众不同的适用性在于: • 它是目前市场上唯一的一款能同时提供水浴和半导体两种控温方式的折光仪,适用于多种样品在不同使用条件下的测量。 • 坚硬的蓝宝石棱镜,经得起反复擦拭,即便长期使用也不会损坏或变得模糊,特别适合样品分析工作量大的应用。 • 独创的智能化软件系统,自动跟踪内部测量环境的变化,并及时修正偏差,时刻确保测量的精准。 即使环境条件不尽如人意,用户也不必为测量结果的准确性而担忧。 IR180 专为中国用户打造,操作上自然特别方便于国内用户: • 中文彩色触摸屏, 友好的操作界面,特别是中文输入功能,操作IR180,就如同使用自己手中的手机一样方便。 • 内置多种标准测量方法,特别涵盖了中国国标的测量方法,直接调用方法,直接测出最终结果,简单方便;同时用户还可以自己设定方法,储存于仪表中,一劳永逸。 总而言之,IR180诠释和代表着 ‘仪迈人’ 对“本土精品”的理解。作为‘仪迈人’, 我们为它得到了用户的好评感到由衷的欣慰。感谢所有关注“仪迈科技”的朋友们; 有了你们的支持,“仪迈科技”一定会在“本土精品”的探索之路上越走越好。
  • 首台芯片级掺钛蓝宝石激光器研制成功
    激光线宽测量。图片来源:《自然光子学》美国耶鲁大学一组研究人员开发出首台芯片级掺钛蓝宝石激光器,这项突破的应用范围涵盖从原子钟到量子计算和光谱传感器。研究结果近日发表在《自然光子学》杂志上。掺钛蓝宝石激光器在20世纪80年代问世,可谓激光领域的一大进步。它成功的关键是用作放大激光能量的材料。掺钛蓝宝石被证明十分强大,因为它提供了比传统半导体激光器更宽的激光发射带宽。这一创新引领了物理学、生物学和化学领域的基础性发现和无数应用。台式掺钛蓝宝石激光器是许多学术和工业实验室的必备设备。然而,这种激光器的大带宽是以相对较高的阈值为代价的,也就是它所需的功率较高。因此,这些激光器价格昂贵,占用大量空间,在很大程度上限制了它们在实验室研究中的使用。研究人员表示,如果不克服这一限制,掺钛蓝宝石激光器仍将仅限于小众客户。将掺钛蓝宝石激光器的性能与芯片的小尺寸相结合,可驱动受功耗或空间大小限制的应用,如原子钟、便携式传感器、可见光通信设备,甚至量子计算芯片。耶鲁大学展示了世界上第一台集成了芯片级光子电路的掺钛蓝宝石激光器,它提供了芯片上迄今看到的最宽增益谱,为许多新的应用铺平了道路。新研究的关键在于激光器的低阈值。传统掺钛蓝宝石激光器的阈值超过100毫瓦,而新系统的阈值约为6.5毫瓦,通过进一步调整,研究人员相信可将阈值降低到1毫瓦。此外,新系统还与广泛用于蓝色LED和激光的氮化镓光电子器件兼容。
  • 耐高温高压腐蚀的蓝宝石热电偶保护管替代刚玉热电偶保护管和陶瓷热电偶保护套管
    孚光精仪公司欧洲工厂采用全球专利一次成型技术的高纯度蓝宝石热电偶保护管成功下线,一期工程年产能力达到50万米,并被德国热电偶制造商批量订购,成为替代刚玉和陶瓷的热电偶保护套管新型材料。蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管能够承受2000摄氏度的高温和3000bar的压力,非常适合环境恶劣的应用,比如化工,化学,石油精炼,玻璃工业等。蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管相比于刚玉热电偶保护管和陶瓷热电偶保护管具有更好的材料稳定性,可用于重油燃烧反应器,冶金等诸多高温领域,是替代刚玉热电偶保护管的理想热电偶保护套管。详情浏览:http://www.f-opt.cn/lanbaoshi/lanbaoshiguan.html蓝宝石热电偶保护管已经取代了无法抵御金属扩散的热电偶陶瓷管,比如,铅玻璃的生产中,Pt热电偶套管会融入玻璃,导致重新生产。目前,蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管已经成功用于如下领域:半导体制造:刚玉蓝宝石套管高达99.995%的纯度保证生产过程无污染。腐蚀环境制造:浓缩或沸腾的矿物酸,高温反应性氧化物。玻璃和陶瓷工业:替代Pt探针,保证无污染仪器制造:微波消解仪,高温反应炉,实验室测试仪器等光学应用:紫外灯,汽车灯重油反应器:石化等领域能源领域:去除NOx 等蓝宝石热电偶由外部密封刚玉保护套管和内部热电偶毛细管组成,又称为蓝宝石热电偶。由于蓝宝石套管,蓝宝石保护套管具有良好的光学透明性和单晶材料的非多孔性,这种蓝宝石套管,蓝宝石保护套管热电偶具有良好的耐高温性,并具有屏蔽环境温度对热电偶影响的能力。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管能够承受2000摄氏度的高温和3000bar的压力,非常适合环境恶劣的应用,比如化工,化学,石油精炼,玻璃工业等。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管保护套管相比于刚玉陶瓷管具有更好的材料稳定性,可用于重油燃烧反应器,冶金等诸多高温领域。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管已经取代了无法抵御金属扩散的陶瓷管,比如,铅玻璃的生产中,Pt热电偶套管会融入玻璃,导致重新生产。目前,蓝宝石套管,蓝宝石保护套管已经成功用于如下领域:半导体制造:刚玉蓝宝石套管高达99.995%的纯度保证生产过程无污染。腐蚀环境制造:浓缩或沸腾的矿物酸,高温反应性氧化物。玻璃和陶瓷工业:替代Pt探针,保证无污染仪器制造:微波消解仪,高温反应炉,实验室测试仪器等光学应用:紫外灯,汽车灯重油反应器:石化等领域能源领域:去除NOx 等
  • 微型光纤光谱仪在宝石鉴定中应用研讨会成功举办
    2011年11月29日 14:30-15:30,海洋光学在仪器信息网上成功举办了“微型光纤光谱仪在宝石鉴定中的应用”在线语音研讨会,对此次报名关注的近100名观众,海洋光学致以最诚挚的感谢。本次研讨会主要介绍了基于海洋光学光谱仪进行反射测量的全波长光谱分析仪------GEM-3000珠宝检测仪。通过快速有效地检测数百种珠宝的光谱反射特征曲线,对比标准珠宝谱图来判定珠宝样品是否染色及真伪。相对于传统光谱法检测珠宝,GEM-3000具有检测速度快,可对任意形态任意大小样品做无损检测,长波紫外检测稳定性好的特点,特别适用于珠宝质检机构及珠宝商用于金珍珠、黑珍珠、红珊瑚、钻石、蓝宝石、翡翠等珠宝的真伪鉴定。填补了珠宝行业目前无法无损检测金珍珠和黑珍珠的空白视频回放请点击:http://www.instrument.com.cn/webinar/meeting/meetingInfo.asp?infoID=30512月海洋光学还将以开展分别以太阳能模拟器、拉曼光谱仪、膜厚测量、球\平面光学器件测试系统为主题的在线研讨会,了解最新信息请关注:http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20111202/3683816/如果您想进一步了解光纤光谱仪及其应用,如果你有更好的建议和意见希望和我们分享,请关注我们的论坛:http://bbs.instrument.com.cn/forum_653.htm 总部位于达尼丁,佛罗里达的海洋光学是世界领先的光传感和光谱技术解决方案提供商,为您提供测量和研究光与物质相互作用的先进技术。自1989年以来,已有近200,000台海洋光学的光谱仪被应用于各行各业。海洋光学拥有庞大的产品线,包括光谱仪、传感器、光纤、薄膜和光学元件等等。 更多详情,请点击www.oceanopticschina.cn
  • 量拓科技圆满结束“2017中国(深圳)国际触摸屏与显示展览会”
    “2017中国(深圳)国际触摸屏与显示展览会”于2017年11月26日下午3点圆满结束。本次展会,量拓科技针对触摸屏&平板显示领域,包括镀膜、线性偏光膜、相位膜以及圆偏光膜的检测与监控,为客户提供了更加专业的质量监控解决方案与服务。展会聚焦触控技术,结合TFT,LTPS,OLED,AMOLED等多种光电显示技术,涵盖蓝宝石、高功能材料、金属手机外壳等周边产业生态圈。展会期间推出的偏光膜检测仪受到众多新老客户的青睐,为观众介绍产品,以及工作原理,让观众能够更了解与应用椭偏技术,更好的了解我们的产品。量拓科技即将迎来十周年庆,为此量拓科技为广大观众提供免费测样的服务,获得了新老客户的一致好评。量拓科技期待与您共同开创美好的明天!
  • 简智仪器|Gem Chkr的2017印度国际珠宝展(IIJS)之旅
    2017年7月27-31日,第34届印度国际珠宝展(iijs)在孟买隆重举行,印度国际珠宝展久负盛名,是亚洲最大的珠宝首饰展览之一。 印度作为四大文明古国之一,灿烂丰富的而古代文明为它披上了一层神秘的面纱,成为东方文化的最佳代言人之一。说起印度,你知道世上第一颗钻石是在这里被发现的吗?你知道克拉的说法也是印度人发明的吗?自古以来,印度人最爱用一片五颜六色的绚烂和这束宁静的光交相辉映,用古老淳朴的手工艺打造最传统也是最时尚的印度珠宝。 印度是世界上最大的珠宝首饰出口国。当地首饰多以钻石为主,造型极富民族特色,做工精湛,以古典、华美、复杂和夸张闻名于世。游客喜欢印度首饰,对印度人来说,首饰是日常生活中不可或缺的装饰品。印度的钻石切磨工业主要集中在贸易大城孟买和西部城市苏拉特,在世界上增长速度最快的城市中,苏拉特排名第四位。这里有成排的灰白色大楼,依然如废弃的工地一般,钻石就是在这里从初见雏形到光彩四溢。这里有数百万居民,大约有十分之一的人口在这行混饭吃。如今,世界90%以上的毛坯钻石都在这里加工和打磨。 因此这次印度国际珠宝展规模很大,在亚洲举办的珠宝展当中仅次于香港珠宝展,展会共设有五大展区,展区面积在三万平米以上,iijs整合了印度近三千多家宝玉石参展商。珠宝展更汇聚了来自广州、深圳、上海、香港、台湾等60多家中国海外观展团,可以说是一场享誉国际的珠宝界交流盛会。 简智仪器的海外销售总监michael vendenberg和我们的印度合作伙伴一起参加此次展会,向潜在客户、分销商和钻石检测机构的同仁们介绍并演示了我们的产品。 在展厅中,michael vendenberg进行样机演示,公司最新开发的系列产品钻石检测仪即将推向市场。本系列目前计划推出三款机型:gem chkr, dia-1, dia-2,用于快速鉴定钻石的真伪及人造钻石的合成方法。 gem chkr 作为一体式钻石检测仪,小巧便携,集成度极高,内置触屏电脑,自动分析软件,只需20秒,便可自动检测出被检测的物质是否是钻石,是否是天然钻石以及如果是人工合成钻石,又使用了哪种人工合成方法。产品高度智能化,界面友好,可进行一键分析,自动显示结果;可由非专业人士进行操作,无需像某些同类产品一样进行繁琐的谱图人工比对工作。仪器同时具备批量筛查模式,最快可达到10秒/批,检测的综合准确率可达98%以上。 dia-1, dia-2(设计模型)作为简智仪器新研发的产品,首次亮相印度国际珠宝展就迎来大范围关注。dia-1设计尺寸84mm*66mm*82mm,非常小巧,适合钻石鉴定人员随身携带使用,虽不过手掌大小,准确性可一点也不含糊,非常便于珠宝零售商和制造商随身携带进行快速检测;dia-2体量稍大,专门针对钻石加工厂及批量交易商设计,可在5秒内同时检测超过一百颗钻石,更便于在工厂或批发商处进行钻石的批量筛查,高效精确,节约成本,可按产线配备。二者都可与智能手机兼容使用,且价格诱人。 简智仪器希望以此次印度国际珠宝展为契机,逐步占领南亚和东南亚的市场,进一步打开中亚、俄罗斯乃至欧美市场,完成该系列产品的全球销售布局。盟陆上五国(缅甸、泰国、老挝、柬埔寨、越南)是世界性重要的南北向和北西向两大成矿构造分布区域,可产30多种宝玉石,翡翠、红宝石、蓝宝石驰名世界;南亚的克什来尔红宝石、斯里兰卡的蓝宝石、金绿猫眼宝石等都是重要的宝石原料来源。包括钻石在内的优质天然珠宝资源愈见稀缺,驱动人造钻石技术不断升级、成本逐渐降低,市场上不断涌入的人工合成钻石迫使行业中的每一个环节都急切的希望用准确高效的检测工具来监控货品来源并获得客户信任,这就给简智带来了巨大的市场机遇。我们有理由相信,钻石检测仪的国际舞台,简智仪器必能展现出最优美的舞姿。
  • 德国欧司朗公司开发出高性能蓝白光LED原型硅芯片
    德国欧司朗公司(OSRAM)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED 原型硅芯片,氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片,并保持了相同的照明质量和效率。目前,该款LED芯片已经进入试点阶段,在实际条件下接受测试。欧司朗公司表示首批硅晶圆LED芯片有望在两年内投放市场。  硅晶圆基板芯片与传统材料芯片相比具有明显优点。硅在半导体行业应用广泛,可以满足较大的晶圆直径生产要求,同时硅材料具有更好的热特性和较低廉的价格,因此硅晶圆基板芯片将成为未来LED照明市场更具吸引力和价格优势的选择。此外,该款新型高性能蓝白光LED的各项技术指标也可与传统蓝宝石基板相媲美,经测试蓝光UX:3芯片在3.15V电压下,照明亮度可达634毫瓦,相当于58%的转化效率,是1平方毫米芯片350毫安电流下LED照明获得的较为出色的数值。  欧司朗公司该项研发活动受到了德国联邦教研部(BMBF)《硅晶圆基板上氮化镓 (GaNonSi)》 项目的资助。
  • 高测股份:已针对第三代半导体研发切割设备和切割耗材
    p11月9日,高测股份在互动平台表示,基于公司自主核心技术,2018年以来,公司在半导体行业硅片切片环节陆续实现了基于金刚线技术的切割设备和切割耗材的研发及应用突破。/pp目前,公司已针对第三代半导体研发了相应的切割设备和切割耗材,正在积极推广市场。未来,在公司自主核心技术的支撑下,公司的系统切割解决方案将在更多的高硬脆材料切割场景中得到拓展应用,并将促进公司的持续、快速发展。/pp青岛高测科技股份有限公司主要从事高硬脆材料切割设备和切割耗材的研发、生产和销售。公司产品主要应用于光伏行业硅片制造环节。/pp公司在今年7月发布的招股说明书中表示,基于公司自主研发的核心技术,公司正在持续推进金刚线切割技术在光伏硅材料、半导体硅材料、蓝宝石材料、磁性材料等更多高硬脆材料加工领域的研发和产业化应用。/p
  • ACS Nano I 用扫描探针显微镜表征二维过渡金属硫族化合物的本征电学特性
    *以下应用说明基于 ACS Nano publication, 2021 15, 6, 9482–9494. 出版日期: May 27, 2021. 介绍 在传统的平面硅场效应晶体管(FET)中,当其横向尺寸小于晶体管厚度时,栅极可控性变弱,从而导致不利的短沟道效应,包括漏电流、沟道中载流子迁移率饱和、 沟道热载流子退化和 介质层时变击穿。因此,需要减小晶体管主体厚度以确保有效的栅极静电控制。理论研究表明,由于二维 (2D) 材料的原子厚度和表面懸鍵,特别是二维过渡金属二硫属化物 (TMD) 作为沟道材料的性能优于硅,能够实现原子级尺度,优异的静电门控,降低断电功耗,进一步扩展摩尔定律。[1-6] 表征沉积态二维材料的内在物理和电学特性的适当技术是沉积态二维材料的质量与基于二维材料的电子设备性能之间的关键联系。此联系可以帮助我们更好地了解、控制和改进基于二维材料的设备的性能。然而,在没有任何转移和图案化过程的情况下,在纳米尺度上分析沉积态二维材料的固有电学特性的技术是有限的。 在本应用说明中,扫描探针显微镜 (SPM) 用于研究沉积态二维TMD 的固有电学特性。 导电原子力显微镜 (C-AFM) 无需任何图案化,直接在生长态二维材料表面进行扫描。 C-AFM 能够将生长态二维材料的电导率与其形貌相关联,从而将二维材料的电特性与其物理特性(如层厚度等)联系起来。所有这些,C-AFM为我们提供了沉积态2D材料的全面信息,并帮助我们评估这些固有特性对基于二维材料的纳电子学的影响。实验细节 Park NX-Hivac 在高真空(~10-5Torr)下,用 C-AFM 在 Park NX-Hivac AFM 上使用 Pt/Ir 涂层的硅探针(弹簧常数 k~3N/m,共振频率 f0~75kHz,PPP-EFM)评估蓝宝石上生长态 MoS2和WS2层的固有电学特性。高真空环境有助于减少样品上始终存在的水层。[4,6] 将C-AFM测量的偏压施加到样品卡盘上,并通过线性电流放大器测量产生的电流。收集所有 C-AFM 电流图所施加的偏压均为1 V。在样品的顶部和侧面涂上银漆,以确保电接触。结果与讨论 在 C-AFM 电流图(图 1b)中,同轴切割蓝宝石上沉积的 MoS2 层在整个表面上显示出非均匀导电性,尽管图 1a 中的形貌显示了完全聚结的单层 MoS2 ,其顶部约有~37%的表面晶体(命名为1.3 ML)。通过引入离轴 1º 切割蓝宝石作为衬底,MoS2 层的电导率变得更加均匀, 与它们更均匀的表面结构一致(图 1c 和 d)。 总体而言,离轴 1º 切割蓝宝石上约~83% 的单层 MoS2 具有更高的电导率,而使用同轴上切割蓝宝石仅占 51%。 [7] 电导率较低的区域在图 1b、d 中用粉红色标记,阈值电流约为 ~0.3 μA。 因此,通过引入离轴 1º 切割蓝宝石(图 1b、d 中的 49% 到 17%) 可降低较弱导电区域的密度。图1.(a,c)分别在同轴和离轴1º切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的C-AFM形貌图(b、 d)同时与(a,c)一起获得的 C-AFM 电流图。通过电流阈值(~0.3μA),第一单层MoS2中的非均匀和导电性较弱区域以粉红色突出显示。经许可复制图像。[7] Copyright 2021, American Chemical Society.通过跳过蓝宝石晶片的预外延处理过程,该密度可以进一步降低到约~6.5%(图 2a-b)。具有较低电导率的 MoS2 区域的形状不是随机的,而是对应于特定的下层蓝宝石阶地。离轴 1º 切割蓝宝石上具有较低 MoS2 电导率的区域对应于聚集在一起的阶地。在预外延处理和 MOCVD 过程中,台阶会分解和凝聚。台阶(变形)成型主要由预外延处理和 MOCVD 工艺中使用的高温驱动。正如对离轴 1º 切割蓝宝石所预期的那样,随着 Wterrace 变窄,阶梯聚束变得更可能发生。当单层 MoS2 沉积在离轴 1º 切割蓝宝石上而不进行任何预外延处理时,高导电区域的密度从 83%(图 1d)进一步增加到 93.5%(图 2b)。可以观察到成束台阶(具有更高的 Hterrace,图 2a 中的 5.8%)和导电性较弱的区域(图 2b 中的暗区为 6.5%)之间存在明显的相关性。从图 2c 中的地形和电流图提取的横截面轮廓进一步支持了这一观察结果。然而,在图 2b 中没有完全去除导电性较弱的区域。这应该与生长温度(在我们的工作中为 1000 °C)有关,该温度足以在沉积过程中在蓝宝石表面引入阶梯聚束。[8-10]图2. 蓝宝石上生长的MoS2的不均匀导电性. (a-b)C-AFM 形貌图,同时获得离轴1º切割蓝宝石上1.3 ML MoS2 的电流图. (c)(a-b)位置处的相应横截面高度(红色)和电流(蓝色)剖面. (d- e)形貌图,同时获得同轴切割蓝宝石上3.5 ML MoS2的电流图。经参考文献[7]许可,对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.关于观察到的 MoS2 电导率分布的不均匀性,我们发现非封闭顶层中 MoS2 晶体的存在不会影响电导率。 事实上,具有较低电导率的 MoS2 区域与 MoS2 层厚度几乎保持不变,因为它们也存在于 3.5 ML MoS2 中(图 2d-e):形貌和当前图像中黄色虚线区域的比较表明,MoS2 晶体具有非封闭顶层中方向错误的基面不会影响该区域的导电性。 此外,值得注意的是,不同电导区域的存在不仅出现在 MoS2 外延层中,也出现在蓝宝石上生长的 MOCVD WS2 层中,如图 3 所示。图3.(a-b)同轴切割蓝宝石的形貌图和同时获得的1.7 ML WS2电流图。经参考文献[7]许可,对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.因此,较低的导电性主要与完全闭合的第一MoS2单层有关,而不是与非闭合的顶层有关。图4a-b显示了两个第二层MoS2晶体,其中一些区域具有较高的导电性,而另一些区域具有较低的导电性,从而进一步支持了这一点。图4.(a-b)在同轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2上第2-3层MoS2岛的导电性。(a)在同轴切割蓝宝石上生长的MoS2的形貌及其相应的(b)电流图。白色的晶体轮廓显示部分区域具有较高的导电性,部分区域具有较低的导电性,表明表面晶体对蓝宝石上MoS2的不均匀导电性贡献不大。(c-f)轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的降解。(c-d)MOCVD生长后立即收集的1.3 ML MoS2的1 V下的形貌图及其相应的电流图。(e-f)在氮气柜中储存6个月后,同一样品在1 V下的形貌图和电流图。在(c)中没有氧化区,但在(e)中MoS2被部分氧化,这总是与(f)中的较弱导电区相关。经参考文献[7]许可,对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.结果表明,蓝宝石起始表面的状态是决定第一层MoS2单层物理和电学性能的关键参数之一。结论通过 C-AFM 评估二维 TMD的固有电学特性,并将其与样品形貌联系起来。我们在沉积的二维 TMD 单层中发现了非均匀导电性,这可能源于:(i)TMD 层厚度变化导致的TMD 表面粗糙度; (ii)蓝宝石表面形貌引起的 TMD 应变;(iii)由于每个蓝宝石阶地的 TMD 形核率的依赖性,TMD 晶粒内缺陷率;(iv)蓝宝石表面结构和终端引起的 TMD 界面缺陷,可能导致不同的局部掺杂效应。进一步的研究正在进行中,将 C-AFM 与先进的光谱技术(如拉曼、PL和TOFSIM)相结合,以进一步探索外延二维材料的固有特性。参考文献 (1) Liu, Y. Duan, X. Shin H.-J. Park, S. Huang, Y. Duan, X. Promises and Prospects of Two-Dimensional Transistors. Nature 2021, 591, 43–53.(2) Su, S.-K. Chuu, C.-P. Li, M.-Y. Cheng, C.-C. Wong, H.-S. P. Li, L.-J. Layered Semiconducting 2D Materials for Future Transistor Applications. Small Struct. 2021, 2, 2000103.(3) Akinwande, D. Huyghebaert, C. Wang, C.-H. Serna, M. I. Goossens, S. Li, L.-J. Wong, H.-S. P. Koppens, F. H. L. Graphene and Two-Dimensional Materials for Silicon Technology. Nature 2019, 573, 507–518.(4) Agarwal, T. Szabo, A. Bardon, M. G. Soree, B. Radu, I. Raghavan, P. Luisier, M. Dehaene, W. Heyns, M. Benchmarking of Monolithic 3D Integrated MX2 FETs with Si FinFETs. In 2017IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2017 p 5.7.1–5.7.4.(5) Smets, Q. Arutchelvan, G. Jussot, J. Verreck, D. Asselberghs, I. Nalin Mehta, A. Gaur, A. Lin, D. Kazzi, S. E. Groven, B. Caymax, M. Radu, I. Ultra-Scaled MOCVD MoS2 MOSFETs with42nm Contact Pitch and 250μA/Mm Drain Current. In 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019 p 23.2.1–23.2.4.(6) Smets, Q. Verreck, D. Shi, Y. Arutchelvan, G. Groven, B. Wu, X. Sutar, S. Banerjee, S. Nalin Mehta, A. Lin, D. Asselberghs, I. Radu, I. Sources of variability in scaled MoS2 FETs. In 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020 p 3.1.1–3.1.4.(7) Shi, Y. Groven, B. Serron, J. Wu, X. Nalin Mehta, A. Minj, A. Sergeant, S. Han, H. Asselberghs, I. Lin, D. Brems, S. Huyghebaert, C. Morin, P. Radu, I. Caymax, M. Engineering Wafer-Scale Epitaxial Two-Dimensional Materials through Sapphire Template Screening for Advanced High- Performance Nanoelectronics. ACS Nano 2020, DOI: 10.1021/ acsnano.0c07761.(8) Cuccureddu, F. Murphy, S. Shvets, I. V. Porcu, M. Zandbergen, H. W. Sidorov, N. S. Bozhko, S. I. Surface Morphology of C-Plane Sapphire (α-Alumina) Produced by High Temperature Anneal. Surf. Sci. 2010, 604, 12941299.(9) Curiotto, S. Chatain, D. Surface Morphology and Composition of C-, a- and m-Sapphire Surfaces in O2 and H2 Environments. Surf. Sci. 2009, 603, 2688–2697.(10) Ribič, P. R. Bratina, G. Behavior of the (0001) Surface of Sapphire upon High-Temperature Annealing. Surf. Sci. 2007, 601, 44–49.想要了解更多内容,请关注微信公众号:Park原子力显微镜,或拨打400-878-6829联系我们Park北京分公司 北京市海淀区彩和坊路8号天创科技大厦518室 Park上海实验室 上海市申长路518号虹桥绿谷C座305号 Park广州实验室 广州市天河区五山路200号天河北文创苑B座211
  • 金刚石金相切割片肉眼看不到的秘密,你了解吗?
    金相切割耗材中特别常用就是金刚石金相切割片,精密切割离不开的金刚石切割片,任何材料的金相精密切割几乎都适用。但,金刚石金相切割片除了孔径、外圆直径、厚度和硬度这些参数外,还有一项参数很少被提到,我们实验室都称其为“肉眼看不到的秘密”,你能猜吗?对,指的就是金刚石浓度!话说金刚石切割片的金刚石浓度是有高、低之分的,而且高浓度的金刚石切割片与低浓度的金刚石切割片,在性能和应用上是有区别的,可脉检测小编给大家唠叨唠叨。金刚石浓度:是指在金刚石切割片的刀刃材料中,单位体积内金刚石颗粒所占比例和分布情况。具体是指金刚石切割片刀刃部分中金刚石的含量,定义为:浓度100=每厘米层体积4.4克拉(颗粒+基体)。金刚石金相切割片标准的金刚石浓度范围为8~135的范围。不同金刚石浓度的金相切割片,适用于不同的材料切割,而且价格也不一样的。选择恰当浓度的金刚石切割片能发挥更好的切割能力,并使制样更经济。不同浓度金刚石切割片的选择:通常,金相工程师会根据被切割材料的物理性能、硬度、切割速度、样品尺寸以及使用的切割冷却液等因素来选择。通常这样选择:对于聚合物、橡胶和塑料等较软的耐磨性材料,选择浓度较高的金刚石切割片。值得注意的是,由于金刚石浓度对切割速度是有影响的,因此,在切割以上这些材料时,要适当降低切割速度,才能达到理想的切割效果,并保证切割片的使用寿命。对于陶瓷、玻璃等硬脆性材料,则选择浓度较低的金刚石切割片,既经济又能提高切割效率。了解了这些,金刚石金相切割片肉眼看不见的秘密就不是秘密了。使用低浓度金刚石切割片对陶瓷、玻璃、硅、碳化物、蓝宝石以及其它相关的半导体和光学材料进行精密切割取样;使用高浓度金刚石切割片对不锈钢、铝、钛等金属和PCB电路板等进行精密切割取样。对于生产、研发和教学来说,都是不错的选择。以上经验来自于可脉检测工程师的分享,希望能给您的工作带来一些帮助,欢迎联系可脉检测工程师,共同探讨更多制样方法。
  • 仪表龙头四联的LED之路
    央视蛇年春晚已过去近一个月了,但春晚舞台上美轮美奂的LED显示屏,却还让很多人记忆犹新。而显示屏背后璀璨的数千万颗灯珠,均有一个响亮的名字——“四联造”。  据了解,这已经是重庆四联光电连续第二年成为央视春晚显示屏器件的独家供应商。近日,四联光电的LED道路照明系列、LED商业照明系列还获2011-2012重庆市优秀新产品一等奖。四联光电的LED产业链,正在一步步深化。与此同时,四联光电以其世界领先的技术和实力,在人造蓝宝石及其晶片等业务领域不断拓展,成为行业标杆。  集团发展历程  仪表龙头进军LED行业  2012年,我国照明用电约占全国用电量的13%左右。在能源日益匮乏的今天,使用一种高效绿色的照明灯具成为必然选择。据相关专家测算,若将我国全部在用白炽灯替换成节能灯,每年可节电480亿千瓦时,相当于减排二氧化碳近4800万吨,若进一步更换为LED照明产品,将带来更大的节能效果。  在LED灯具即将迎来照明市场的又一次革命时,拥有聪明“大脑”的“四联造”LED路灯,节能率高达75%,寿命长达8年以上,已然站在了行业的前端。实际上,自高起点切入蓝宝石及LED行业以来,四联集团不断刷新行业纪录。但作为仪表行业老大哥的四联集团为何会挺进LED照明行业?  在进军蓝宝石及LED产业之前,四联集团已经连续8年稳居国内仪器仪表行业龙头地位,但行业规模成为企业发展的天花板,如何依托固有资源进行相关多元化,给四联集团提出了发展的新命题。  蓝宝石促多元化发展  2008年,全球金融危机爆发,世界500强美国霍尼韦尔公司出于自身发展需要,有意出售加拿大蓝宝石工厂,橄榄枝首先抛向中国的友好城市——重庆。  四联集团相关负责人介绍,集团在宝石元件生长、加工方面的经验技术以及与霍尼韦尔自控技术之间的合作渊源,成为接受橄榄枝的最佳人选。集团充分“理解”此次收购的意义将非常深远,因为彼时国内没有一家企业能完整地生产出蓝宝石衬底。即使是最小的2英寸衬底,也大量依赖进口,而霍尼韦尔已经具备生产4英寸衬底的技术。如果收购成功,势必将掌握世界顶尖的蓝宝石制备技术,为四联集团实施相关多元化发展战略提供原动力。  通过数次谈判及重庆市政府的斡旋,2008年4月,四联集团成功收购美国霍尼韦尔蓝宝石业务,8月,成立四联加拿大蓝宝石工厂,同年底,组建重庆四联光电科技有限公司,自此,四联集团的业务版图上添上了新成员——蓝宝石及LED。  产业发展现状  高端技术助蓝宝石生长  这次收购开启了重庆国企海外收购的先河,也给四联集团带来空前的压力,如何消化好顶尖技术,不至造成“蛇吞象”的局面?四联集团用复制再创新解答了这道难题。  2008年12月,四联集团LED产业基地在两江新区蔡家同兴工业园起航,成功复制加拿大蓝宝石工厂。集团相关负责人介绍,在复制工厂的同时,集团加快高端人才的聚集,相继从美国、日本等海外和国内引进数名高端光电产业专业人才,在四联光电成立技术研发中心。仅一年多时间,通过攻克技术壁垒,成功消化蓝宝石晶体提法拉和泡生法两项蓝宝石生长技术,高端核心技术实现从“无”到“有”的跨越。  “在‘有’的同时,四联光电也加快‘创’的步伐。”四联集团相关负责人介绍,研发中心现已具备生长、加工和研发世界顶级品质大尺寸蓝宝石的能力,拥有85公斤级以上大尺寸高品质蓝宝石晶体的批量生产能力,成功实现30kg和60kg级蓝宝石生长设备的国产化,在极大节约生产成本的同时为快速扩充产能未雨绸缪。目前,公司大尺寸晶片制备技术世界领先,是国际半导体行业协会制订大尺寸蓝宝石衬底国际标准的重要成员,其6英寸、4英寸晶片畅销国际市场,是osram、philips等世界顶级照明制造商的首选合作伙伴和核心供应商 以蓝宝石晶片为衬底的封装产品技术已经达到国内先进水平,成功与天马微、信利、金立翔、利亚德、州明科技、史福特、阳光照明等LED应用行业龙头企业建立战略合作伙伴关系。  依托实力突破技术瓶颈  解决了产业链顶端技术的瓶颈,四联集团开始布局全产业链战略,依托蓝宝石生长加工和芯片封装技术,延伸出LED照明业务,高端技术逐渐从“幕后”走到“台前”,照亮产业发展前景。“四联造”LED智能路灯一经推出,犹如在市场上投入一颗重磅炸弹。  集团相关负责人介绍,多年来,国内LED路灯照明实际应用效果不尽如人意,“光衰”、“亮度”以及“雷雨天气罢工”等都是困扰行业的技术难题。做仪表出身的四联集团凭借拥有工业智能化和可靠性技术的深厚底蕴,磨砺出对细节、技术的要求更专业、准确而富有前瞻性,创新性地解答了这一难题。多年军品生产的经验以及材料、结构、热传导理论的完美结合,形成了独特的专利技术,一举攻克“散热”难关,大大延长使用寿命。  为达到精益求精的照明效果,四联光电突破同行“仅重视照度均匀度”的局限,采用专利二次光学技术,使照度与亮度比值更低,相同的光通量可获得更高的亮度,提高经济性,设计眩光值不超过5,不仅远低于18的行业普遍水平,更低于10的国家标准。并根据具体路面反射特性、环境及交通状况,结合光源光学与应用光学设计,综合考虑环境比,使光学诱导性实现最佳。“同时,看似平常的流线型外观,经过精心设计不仅美观,而且风阻小。”该负责人介绍说。  打造完善城市监控平台  “而在研发之初,四联集团还推出另一个更具创新性的举措,把主导产业自动化控制的优势应用到LED灯具上,智能化成果再次引起业界瞩目——城市智能LED道路照明系统。”集团相关负责人介绍,该系统既能通过接收指令完成统一或分组开关、周期性管理、智能调光等,又能将故障等“疼痛”信息通过“神经”(无线上传系统)传送到“大脑”(中央控制系统),同时,通过对终端控制器进行自动化升级,还可以实现对城市各个节点的能耗、污染、噪音、气象……进行实时采集,进而打造成一套完善的城市监控平台,与以前照明系统相比,节约能耗可达75%以上。“四联造”系列创新成果在业界树立了行业标杆。  创新营销模式激活市场  在国家大力倡导节能减排,构建环境友好型和资源节约型社会的背景下,节能环保、高效智能的“四联造”LED灯具迅速批量生产,相继推出道路照明、工矿照明、通用照明、景观亮化、特种应用等领域系列产品,顺利通过国际、国内认证,性能均优于国内同行。相关负责人介绍,为更好地服务民生,四联光电创新引入合同能源管理,该模式是一种基于市场的、全新的节能新机制,以减少的能源费用来支付节能项目全部成本的节能投资方式。高端的产品、低价的合同模式,迅速激活市场的一池春水,订单纷至沓来。2011年来,四联LED智能照明系统相继在重庆主城及区县、贵州六盘水、吉林蛟河、安徽黄山等地推广应用:全球最大城市智能LED道路照明系统重庆渝武高速北碚段 亚洲第二长高速公路隧道——甘肃麦积山隧道 总计1亿多颗LED灯珠装配的显示屏以“零失误”闪耀2012、2013年央视春晚舞台……  新型工业化带动产业集群发展  产业的快速发展,带来战略布局的新问题,四联集团通过合资合作,投资建厂,以新型工业化集约优势资源,带动蓝宝石及LED产业集群发展。2012年7月,四联集团与重庆高速集团共同出资组建重庆四联交通科技有限公司,强强联合将本地市场需求演变为优势产业,打造我国交通领域领先的专业化智能交通节能照明、智能交通设备开发企业。2012年6月,四联集团总投资10亿元的高新技术西北产业基地落户兰州新区,LED照明装备等四大产业的生产线建成后销售收入可达26.6亿元。2011年,斥资21亿元在重庆武隆白马工业园建立蓝宝石及LED、芯片封装、照明应用等绿色环保产业链,建立LED生产基地,在保留该县得天独厚自然生态的基础上创造新的经济增长极。  发展目标规划  打造全球化LED产品供应基地  技术赢得尊重,市场赢得发展。短短5年间,四联光电已建成重庆市企业技术中心,拥有专利66项,蓝宝石2、3、4英寸衬底晶片被评为重庆市名牌(知名)产品,LED道路、商业照明系列获评重庆市2011-2012年度优秀新产品一等奖,参与国家863项目及相关行业标准的制订,在最新的国内LED行业排名榜上,四联光电已跃居第二位。  伴随四联光电的成长,国内半导体照明市场在激烈的竞争中正迎来一个黄金期。到2015年,国内60W以上普通照明用白炽灯将全部淘汰,市场占有率将降到10%以下。据统计,到2020年全球照明市场规模将超过1500亿美元,LED照明市场有望达到750亿美元,占全球照明市场份额50%。  面对市场的黄金期,四联集团蓄势待发。集团相关负责人介绍,到2015年,四联光电将形成年产1800万片折合2英寸蓝宝石衬底、200亿颗LED封装器件、10万千瓦LED照明灯具的生产能力,并积极吸引、整合上下游优势资源,最大限度地发挥辐射带动作用,打造绿色产业集群,集聚形成百亿级产业规模,建成面向国内及亚太市场全球化LED产品的供应基地,中国西部产业链条最完整、经营规模最大的半导体照明产业基地,为创建节能、环保社会添上浓墨重彩的一笔。
  • 第三代半导体材料与器件相关标准盘点
    第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV),亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓,而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性,其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中,碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体,是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件;射频半导体以GaN为原材料,是支撑5G基站建设的核心;第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域,发挥着重要的基础作用。近年来,随着新能源汽车的兴起,碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充,展现出了强大的市场潜力,第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体,特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发,相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆,只有有了规矩,有了标准,这个世界才变得稳定有序!标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序,对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动,即制定、发布及实施标准的过程,称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展,相关组织和机构也出台了一系列的标准。(以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准)碳化硅(SiC)碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下,标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC(碳化硅)材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下,产生紫光(405nm)激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石(Al2O3) 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体,主要应用于制作LED灯的关键材料,也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶,又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中,对此,我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是,CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户,特邀请您参与问卷调研,麻烦大家动动小手完成问卷,参与即得10元话费!活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费!!!http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy
  • 不同金刚石浓度的金相切割片在应用上的区别
    金相切割片中金刚石切割片是金相精密切割的主要刀具之一,种类和型号非常多。有树脂基和金属基;有不同的硬度;有孔径12.7mm、32mm的;外圆直径从3in到10in,甚至还有更大的。除了以上这些技术参数外,还有一个经常被忽略的技术参数——金刚石浓度。金刚石金相切割片,金刚石浓度是有不同的,低浓度和高浓度的金刚石切割片在性能和应用上是有区别的,给大家简要介绍一下。概括说金刚石切割片中金刚石浓度为:通常情况下,单位体积的金刚石切割片刀刃内,金刚石微粒所占的比例和分布形态,称之为浓度。由于金刚石自身的性能和价格因素影响,因此,浓度高低直接影响到金刚石切割片的切削性能和价格。准确说,金刚石切割片中金刚石浓度:是指金刚石成分在刀刃部分的含量,浓度100=每厘米层体积4.4克拉(颗粒+基体)。根据这个定义计算,得出金刚石的浓度从8到135不等。金刚石金相切割片的切割性能,适用范围和使用寿命都和金刚石浓度有直接关系。在应用中,需要根据被切割材料、基体类型和硬度,切割机的转速,以及使用的冷却液等因素,恰当的选择适用浓度的金刚石切割片不仅可以充分发挥精密切割机的切割能力,还能轻松获得被切割样品良好的切割截面。应用的基本原则是:● 低浓度金刚石切割片用来切割陶瓷、玻璃、碳化物、蓝宝石、硅及半导体和光学材料等硬脆性材料。● 高浓度金刚石切割片用来切割金属和复合材料,如:铝、钛、PCB电路板等软的材料。美国QMAXIS(可脉)的金刚石金相切割片,每一种型号的金刚石切割片都针对所适用的材料而匹配更佳的金刚石浓度,满足精密切割的快速、准确和长的使用寿命要求,使之成为金相切割的精工之选。了解不同金刚石浓度的金相切割片在应用上的这些区别,就能帮助我们恰当的选择切割片,助力更好的金相切割取样工作。如您在工作中遇到相关问题,欢迎随时联系可脉检测工程师咨询。
  • 辐射诱导衰减|扩大聚变和裂变应用中的光学仪器开发
    研究:暴露于中子和伽马辐射的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。图片来源:RHJPhtotos 通过同时和辐照后热退火研究了集成二氧化硅和蓝宝石的辐射诱导衰减 (RIA)。研究人员发现同时辐照热退火和辐照后热退火在二氧化硅和蓝宝石的光学行为方面存在重大差异。 该研究在选择和放置用于开发光学仪器应用(例如聚变或裂变反应堆)的光学材料方面具有广阔的潜力。它还帮助研究人员了解辐射对此类光学材料的影响。 熔融石英和蓝宝石等光学材料中的辐射引起的衰减通过减少核反应堆仪器检查停机的频率,可以显着提高核反应堆的辐射安全和经济性能,从而可以在线监测关键反应堆部件。 激光诱导击穿光谱 (LIBS) 可以通过在反应堆运行时对反应堆冷却剂的化学成分进行光谱研究来识别核反应堆部件的退化。 在适当的操作设置下了解光纤和透镜等光学材料的辐射效应至关重要,因为基于 LIBS 的仪器需要通过这些光学材料传输等离子体发射和高能激光脉冲。 二氧化硅和蓝宝石等普通光学材料具有光学特性,包括衰减和折射率,当暴露于核反应堆中的离子辐射效应时,这些特性会发生变化。 已经对集成二氧化硅和蓝宝石在受到中子和伽马射线照射然后进行热退火时的辐射诱导衰减 (RIA) 和辐射效应进行了多项研究。然而,由于辐照、检查和热退火之间的时间相当长,没有关于光学材料在同时高温和辐射效应下的原位行为的数据。 当前研究中的研究人员使用高羟基含量的 Heraeus Spectrosil 2000 集成二氧化硅 (S2000)、低羟基含量的 Heraeus Infrasil 302 集成二氧化硅 (I302) 和光学类蓝宝石进行了 220 nm 至 1100 nm 的 RIA 测量。这些光学材料在高达 800 C 的后辐照和同时辐照热退火下暴露于中子和伽马辐照下,以观察它们的辐射效应。 二氧化硅和蓝宝石光学吸收的实验装置第一个测量吸收的实验装置包括一个覆盖 220-1100 nm 光谱范围的 Ocean Insight HR4000 光谱仪和一个 Ocean Insight 卤素/氘光源。 第二个实验装置包括一个安装在60 Co 池干管上方的退火炉,用于光学材料的同步和后热退火。 目前的研究在俄亥俄州立大学核反应堆实验室的核反应堆和60 Co 辐照池中进行了辐照。在包含60 个Co 伽马源的圆柱形夹具的帮助下,一个 I302 样品在宾夕法尼亚州立大学辐射科学与工程中心暴露于 10Mrad 的辐照下。 使用具有二氧化硅-氧化铝绝缘的特制碳化硅线圈炉对样品进行干燥和空气中的退火。 这些熔炉被建造成适合60 Co 池和核反应堆干管内,以同时对样品进行热退火和辐照。 在辐照后退火实验中,在每次辐照剂量后将样品加热到指定的温度。 相反,在同时退火的情况下,样品在辐照过程中被连续加热到指定的温度,直到达到列出的剂量。 光学仪器在裂变和聚变应用中的发展潜力该研究展示了同时辐照和热退火的后果以及对光学渐变蓝宝石、I302 和 S2000 的辐射效应。 该团队观察到这些光学材料在同时和辐照后热退火条件下的行为的关键区别。 在 S2000 的情况下,对 n 剂量 1 和 2 进行辐照后 600 C 的热退火将材料恢复到未辐照的形式。在 800 C 时,具有相同剂量的同时辐照热退火样品保留了紫外线范围内的辐射诱导衰减。 在 n-Dose 1 和 n-Dose 2 的同时辐照热退火下,I302 还显示出 220 nm 至 900 nm 之间的平衡辐射诱导衰减光谱,这与 I302 主要恢复的辐照后热退火情况相反退火至 800 C 后变为未辐照状态。 与等效剂量辐照后热退火情况相比,在加热到 800 C 后样品几乎退火到其未辐照状态,蓝宝石在 n-Dose 1 和 2 的同时辐照热退火中显示出可能的平衡辐射诱导衰减范围退火条件。对于该光谱,在 260 nm 处获得了残余吸收峰,而在 300 nm 处获得了增加的吸收峰。 当前研究的最初目标是在高放射性和热环境中支持基于 LIBS 的仪器,以承受显着的辐射效应。 比较作为样品的光学材料的吸收光谱表明,S2000 是实现基于 LIBS 的仪器的最理想材料,最高退火温度为 800 C,中子注量为 1.7 x 10 17 n。厘米-2。 在 532 nm 和 1064 nm 的相关 LIBS 波长下,S2000 仅显示边缘辐射引起的衰减。在同时辐照热退火下,I3O2 产生了高达 900 nm 的相当大的辐射诱导衰减,这可能会限制 532 nm 的 LIBS 激光器。 与报道的 S2000 中没有明显的辐射诱导衰减相比,蓝宝石在 532 nm 或 1064 nm 处没有表现出同时辐照热退火的辐射诱导衰减。UV 范围内的残余辐射引起的衰减峰可能会干扰 LIBS 等离子体光谱。 参考BW Morgan、MP Van Zile、CM Petrie、P. Sabharwall、M. Burger、I. Jovanovic,暴露于中子和伽马辐射下的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。2022.核材料杂志。
  • 检测方法不一 鉴定行业亟需建立强制标准
    提高鉴定机构准入标准  据华东理工大学宝石检测中心有关工作人员透露,自去年9月至今,已经遇到近20起因对“天价”鉴定机构出具的报告不信任而前来申请鉴定的情况。这类鉴定机构的鉴定报告制作得相当精美,但缺乏国内权威机构一般都有的计量认证资质。  而且,市场上这类鉴定机构五花八门,收费标准不尽相同,从几千到数万不等。这类机构往往声称珠宝里面有不同的元素,只有检测出来这些元素,才能证明是真的珠宝。而按照检测的元素收费,一种元素至少收几千元,检测多种元素,最高的总价可以高达10余万。  为何没有资质又漫天要价的“天价”鉴定机构层出不穷?  “在代理陈先生的案子中,我们了解到,诸如文物、珠宝鉴定公司的成立门槛非常低,不需要什么资质,审批手续也很简单,而且对这类机构目前的监管也较为宽松。要整治珠宝鉴定行业的乱象,首先应加强对鉴定公司设立资质的审查和监管,提高鉴定机构的准入门槛,建立规范的市场准入机制。”原告陈先生的代理律师、上海市百良律师事务所胡嘉沁建议道。  建立鉴定行业强制标准  外高桥法庭副庭长、此案主审法官陆罡表示,虽然此案的双方当事人最终在法庭主持下达成调解协议,由被告赔偿原告两次鉴定费及交通损失,并且当场执行完毕,但该案件反映出的珠宝检测行业所存在的问题值得关注。特别是珠宝鉴定行业监管混乱,缺乏统一标准,给案件处理带来一定的困难,具体体现在四个方面:  首先,不同检测机构检测方法不一。华东理工大学检测中心和国家金银制品质量监督检验中心通过检验折射率等特征,得出该宝石是海蓝宝石的结论,而文物研究院通过测试对比宝石元素含量,作出该宝石非天然海蓝宝石的结论。  其次,不同检测机构的检测项目不同。就采用折射率的方法而言,同样是具有“CMA”认证资质的两家机构的检测项目也不尽相同。两份检测报告除常规的报告编号、样本名称、重量等常规定性检测外,其他项目的检测,如光性特征、相对密度等的有关结果均有所不同。  再次,不同检测机构结论表述不同。文物研究院的检测报告结论表述为“非天然海蓝宝石”,但另两个机构的鉴定结果为“海蓝宝石”。对此,天然海蓝宝石与海蓝宝石是否为同一概念,非专业人士难以作出判断,尤其现今宝石优化技术运用普遍,天然与非天然的界线因人工因素变得更为模糊。  最后,不同检测机构收费差距甚大。鉴于检测方法与项目不同,该行业又缺乏统一的收费标准,针对同样的样品,检测费用会相差15倍之多。  一个令人担忧的现象是,目前珠宝鉴定行业普遍适用的只有较为宽松的GB类国家标准,而这一标准并非强制性标准,对鉴定机构没有约束效力。  对此,陆罡建议,应尽快完善黄金珠宝行业相关标准规范,特别是对鉴定行业的收费、项目名称、技术手段等项目应设立全国统一的行业鉴定标准,最大限度地保障检测结果的客观公正。
  • 科学仪器为古文物正名,证实千年前海上丝绸路
    导 语在中国历史悠久的文化传统中,玉文化备受推崇,宝石类较少使用,目前还没有发现汉代及之前有开采和使用绿柱石的证据,绿柱石类的珠饰品主要经过陆上或者海上丝绸之路由海外传入。南临北部湾的广西合浦,在1988年发掘的汉代古墓中,出土了一批宝石珠饰类文物,以前缺乏检测仪器,该批宝石珠饰一直被认为是水晶。直到20多年后,使用拉曼光谱、X射线荧光光谱仪等现代科学仪器,无损检测该批文物69颗宝石珠饰,鉴定其中28颗为水晶、36颗为绿柱石(海蓝宝石、透绿宝石等)、其余为铁铝石榴石、钾硅酸盐玻璃等。合浦古墓出土文物由“水晶”正名为“绿柱石”,赋予了文物特定的历史意义,证实在2200多年之前,作为古代海上丝绸之路沿途的合浦,与海外有着繁荣的贸易往来。 图1 合浦汉代古墓出土珠饰类文物(图片来自于网络) 宝石外观的绚丽多彩性宝石种类繁多,以其绚丽多彩的外观获得人们的喜爱,如四大宝石之一的祖母绿属于绿柱石种类。绿柱石是一个色彩丰富的宝石品种,有浅蓝色的海蓝宝、绿色的祖母绿、粉色的摩根石、无色的透绿柱石等。水晶也多具有绚丽的外观和多变的色彩,包含有无色、粉色、紫色、黄色,茶色等,外观色彩与绿柱石极为相似,为绿柱石的相似宝石。其他种类和绿柱石相似的宝石还有石榴石、碧玺、尖晶石、沙弗莱、玻璃、合成宝石等。 图2 海蓝宝石珠饰 (汉代) 图3 祖母绿表 (斯图亚特王朝) 图4 摩根石(1911年马达加斯加首次发现) 图5 水晶石蝉(战汉时期) 图6 石榴石发簪(维多利亚时期) 图7 合成海蓝宝石(现代) EDX-7000揭开宝石成分的秘密宝石都具有绚丽的外观,不同宝石的组成元素等却各不相同,宝石外观色彩与其含有的微量元素有关。岛津EDX-7000能量色散型X射线荧光分析仪,可以快速无损分析宝石成分。本文以绿柱石及其相似宝石等6种样品的成分检测,重现文物珠饰等宝石的成分分析鉴定过程,揭开宝石的组成成分秘密。 图8 EDX-7000能量色散型X射线荧光分析仪 l 新型硅漂移检测器(SDD),更高灵敏度、更高分辨率、更快分析速度;l 高清晰度COMS摄像系统,多种准直器的选择,适用于样品选择指定区域定位分析;l 完善的FP法分析软件,应用于样品的成分分析,可以对宝石成分进行无损分析;l 元素分析范围:13Al-92U(大气)、11Na-92U(真空)。 EDX分析绿柱石成分宝石中的组成元素多以氧化物存在,EDX分析结果中以氧化物形式表征组成元素。绿柱石为铍铝硅酸盐矿物,基本化学式为Be3Al2(Si2O6)3,组成物质理论含量为SiO267.07%、Al2O318.97%、BeO 13.96%。自然界出产的宝石成分可能与理论值略存在差异。天然纯净的绿柱石是无色透明的,绿柱石中的Be、Al可被不同元素所替代,替代元素的存在产生了多种不同颜色绿柱石,常见有无色、绿色、黄色、浅橙色、粉色、红色、蓝色、棕色、黑色等。绿柱石类宝石的颜色及其致色离子是宝石研究及鉴定的重要项目指标。如透绿柱石不含致色元素;祖母绿由Cr3+或者是Cr3+、V3+共同致色形成,祖母绿中含有Fe3+对颜色起到微调作用;海蓝宝主要由Fe2+和Fe3+之间价态的转换造成的;摩根石的粉色调是由于存在的Mn2+和Cs、Rb所导致。 图9 海蓝宝石 图10 祖母绿 图11 摩根石 图12 合成祖母绿 表1 EDX分析绿柱石成分 绿柱石分析结果显示主要组成元素为SiO2、Al2O3及其微量元素组成,Be不在EDX的元素检测范围内,Be元素的量依据理论值固定。天然绿柱石中多见含有Rb、Ga元素,除主要组成元素外,海蓝宝石中检出Fe等微量致色元素。天然祖母绿中含有Rb、Ga,同时检出微量Cr、V等主要致色元素。摩根石(粉色绿柱石)含有Rb、Ga,同时检出微量Cs、Mn等致色元素。合成祖母绿中缺失Rb、Ga元素,含有致色元素Cr、V,同时可见含有元素Cl、Cl在天然绿柱石中没有检出,Cl元素为水热法合成绿柱石的特征。 EDX分析铁铝榴石成分铁铝榴石通常呈暗红色至棕红色的半透明状晶体,基本化学式为Fe3Al2(SiO4)3,组成物质的理论含量为Fe2O3 43.30%、Al2O3 20.49%、SiO2 36.21%。常见的颜色以红色色调为主,包括褐红色、粉红、橙红等,其色彩与所含的Fe、Mn、Cr等金属元素有关系。铁铝榴石中Fe2O3、Al2O3、SiO2含量接近理论值(表2),铁铝榴石成分明显区别于绿柱石。 图13 石榴石 表2 EDX分析铁铝石榴石成分 EDX分析水晶石成分水晶的主要化学成份是SiO2,纯净时形成无色透明的晶体,当含微量元素Al、Fe等金属元素时可呈现粉色、紫色、黄色,茶色等。水晶石主要由SiO2元素组成(表3),水晶石成分明显区别于绿柱石。 图14 水晶石 表3 EDX分析水晶石成分 总结文物宝石纵使穿越千年,现代仪器仍能识别真身。利用岛津EDX-7000能量色散型X射线荧光光谱仪分析宝石成分,可以快速得到样品的组成结果,依据成分信息从相似宝石、合成宝石中进行筛选区分。依据组成的微量元素,宝石色彩外观,判定致色元素,初步筛选区分宝石种类。可结合宝石其他项目的检查结果,对宝石进行综合判定,适用于绿柱石等宝石分析鉴定的辅助分析。
  • 为了这种超强半导体,他们默默熬了十年
    近日,以“科技自立自强双创驱动发展”为主题的2022“科创中国”年度会议召开。会上,中国科协发布了2021年“科创中国”系列榜单。其中,“先导技术榜”面向生物医药、资源环境、电子信息、装备制造、先进材料、现代农林等六大领域,遴选出了100项具有广阔应用场景、高经济和社会效益的先导技术。中山大学微电子学院王钢教授领导的研发团队耗费十多年自主研发的“大尺寸氧化镓单晶薄膜异质外延生长技术及核心装备”既是广东省高校唯一入选的项目,也是广州地区唯一入选的项目。王钢团队的这项技术将在中国乃至全球新兴超宽禁带功率半导体材料领域形成产业化突破口,极大地推动中国氧化镓基功率电子器件的发展和产业化进程。中山大学微电子学院教授王钢本次研究成果登上国家级榜单,背后是王钢团队十余年磨一剑的坚韧。“每次推开一道门,都需要经过不断地探索,反复地试错,才能找到下一道门。”王钢对记者感叹道。实现并跑领跑,他们决定破题“氧化镓”2004年,在日本富士通量子器件公司担任研发工程师的王钢加入中山大学光电材料与技术国家重点实验室,并组建了自己的团队。在中山大学大学城校区光电材料与技术国家重点实验室的大楼里,王钢团队用18年时间将宽禁带半导体材料和器件实验室建设成型,宽禁带半导体材料和器件也成为这家国家重点实验室的重要研究方向之一。回国后的前8年,王钢团队主要聚焦支撑LED产业的氮化物半导体材料。“在氮化物领域,我们感觉长期处在跟跑状态,所以一直在思考有哪些新的材料可实现并跑甚至领跑。”王钢说道,最终他们把目光锁定在超宽禁带半导体材料上。禁带宽度的大小,决定了材料的导电能力。禁带越宽,导电性越低:如金属的禁带宽度为零,而绝缘体的禁带宽度则很宽。半导体在常温下的导电性能则介于导体与绝缘体之间。宽禁带、超宽禁带半导体材料的一大优点便是节能,比如LED照明应用宽禁带半导体材料技术,其相比传统的白炽灯照明,能效提升了数倍。氮化镓和碳化硅是第三代半导体晶圆材料的主流选择,其禁带宽度大概在3.4eV(电子伏特)左右,属于宽禁带半导体材料。氧化镓则是超宽禁带半导体材料,因为其禁带宽度大概在5eV。特殊的属性让氧化镓有着“击穿电场强度更强”“功率损耗更低”等优势。氧化镓可让人们使用更少的材料制造出具有更高耐压、更强功率处理能力的功率半导体器件,器件同时可以更薄、更轻。功率半导体器件是逆变装置里的核心器件,交流电和直流电的转换便是逆变。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展,全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率半导体器件。氧化镓功率半导体器件在与氮化镓和碳化硅相同的耐压情况下,导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约高压器件工作时的电能损失。因为氧化镓的材料属性优势明显,王钢带领团队开始解决氧化镓半导体材料产业化的关键核心问题“仅从节能的角度来理解超宽禁带半导体材料不够全面,氧化镓功率半导体器件允许在更高的温度下操作,从而减少对庞大的冷却器件系统的需求。氧化镓在消费电子、5G通信、智能电网、轨道交通、雷达探测等领域有广阔的应用前景,氧化镓基器件被称为‘迄今为止最坚固耐用的晶体管’”。王钢告诉记者,随着科技发展,社会的数字化、智能化程度不断提升,被称为“第四代超宽禁带半导体材料”的氧化镓将会有更多的应用场景。氧化镓已经成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点,比如日本经济产业省便计划为致力于开发“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。目前中国在氧化镓材料方向的研究正处于开拓阶段,仍然缺乏自主生产优质氧化镓材料的能力。从0到1 打造半导体制备核心设备半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成。而晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片。外延则是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶薄膜的过程。新单晶薄膜可以与衬底为同一材料,也可以是不同材料。而第三代和第四代半导体器件几乎都做在外延层的单晶薄膜上,这层薄膜的质量、均匀度等参数直接决定着器件的各项电学性能。“就氧化镓半导体器件来说,主要发挥关键核心电学功能是这层透明氧化镓膜,这个膜只有几微米级(1米的一百万分之一)的厚度。衬体只是起支撑作用,以方便后期对这层薄膜进行加工。”王钢告诉记者。晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节氧化镓这种材料在自然界根本不存在,需要人工进行合成,氧和镓两种元素的反应需要在接近1000摄氏度的环境下进行。化学气相沉积(CVD)技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。在典型的CVD工艺过程中,把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。所以化学气相沉积(CVD)设备也就成为半导体器件制造当中的核心设备。化学气相沉积设备是半导体器件制造当中的核心设备当记者走进宽禁带半导体材料和器件实验室,一代代大型CVD设备映入眼帘。王钢说,这些都是从欧洲国家购买回来的CVD设备。当年谈判之艰辛、耗费之巨大,至今王钢记忆犹新。“2006年我们从英国买回这台长氮化物的机器,为了打折我们谈得很辛苦,但也花了我们将近1000万人民币。”王钢说。就氧化镓材料而言,目前国际主流的技术路线是在氧化镓单晶衬底上采用HVPE设备同质外延生长β相氧化镓单晶薄膜,但其单晶制备和薄膜生长技术及设备的相关知识产权完全掌握在日本手中。为了实现氧化镓外延材料及核心装备从0到1的突破,王钢带领团队开始研制大尺寸、高质量氧化镓半导体薄膜材料异质外延生长用MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备,同时研发氧化镓单晶薄膜材料的大尺寸异质外延生长工艺技术。王钢告诉记者,目前氧化镓单晶薄膜材料生长主要面临结晶质量问题。“理想的半导体材料,是由许多原子按照一定规律的周期性排布而形成。但在半导体材料的制备过程中,由于各种原因,原子排布的周期性常常会被打破,材料因此就会出现缺陷。”王钢说,他们的目标就是改进材料生长技术,努力降低材料中的缺陷密度。大尺寸同样是王钢团队面临的挑战。因为半导体行业不仅身处科研领域,也和应用市场密切关联,对成本和价格非常敏感。对于半导体材料而言,制备的尺寸越大越具有价格优势,同样产生的缺陷也会更多。“我们去波士顿开学术交流会议时,听到日本专家分享氧化镓的功率电子器件的原型。我认为我们同样有能力完成此事,还能走出不同的技术路径,于是我们回国之后立马着手研究,并以蓝宝石作为衬底进行异质外延尝试。”王钢说,在起初的两年时间里,他们都无法在蓝宝石衬底上长出薄膜材料。这种气闷难受的感觉一直让王钢难以忘怀,他也有过疑虑:这个研究方向是否真的能走向成功?焦虑迷茫中,王钢团队未曾放弃。依靠长期在氮化物半导体元器件的研究经验,他们在一台用于生产第二代半导体材料的旧式MOCVD设备上进行改造,并且对半导体设备反应腔室进行独特设计。十年来,团队不断调整着工艺、参数和设计方案,在近万次的失败中总结经验。最终他们实现氧化镓单晶薄膜材料外延生长MOCVD设备的自主研制,并且他们采用自主研制的MOCVD设备在蓝宝石、碳化硅及硅等大尺寸异质衬底上生长了结晶质量高,晶向一致性好的4-8英寸的ε相氧化镓单晶薄膜。多学科融合让“黑盒子”可视化王钢身上激荡着理想主义的情怀。他告诉记者,他这一辈子的目标是研发出更出色的国产设备,进而长出更加优质的半导体材料。在这项成果登上科创中国“先导技术榜”之前,网络上基本搜寻不到这项技术的任何信息。“做半导体的人应该用90%的精力去做落地的事情,我们也算是默默在做这件事。有些核心的技术甚至没有拿出去发表论文,所以在公众领域基本上没有知名度。”王钢告诉记者。王钢和其团队自主研发的国内首台氧化镓异质外延专用多片型MOCVD量产装备在十余年来对氧化镓材料技术的钻研中,王钢说自己又是幸运的,“针对一些非常前沿的技术,在国家尚未推出重点研发计划之前,需要不断有人去熬。其实我非常幸运,可以得到中山大学和光电材料与技术国家重点实验室探索性课题的一些资金的支持,同时仰仗产学研合作伙伴在MOCVD设备制造过程中硬件的投入,探索一些没有完全把握的事情。”王钢说。即便自主研发的MOCVD设备已是进展喜人,但是王钢团队还在努力让氧化镓MOCVD设备拥有更优质的性能从而走向大规模应用。一直以来,反应腔室如同黑盒子,工程师无法实时知晓里面发生的化学变化。“我们之前把自己称为手艺人,主要凭着经验,等材料长出来后发现缺陷,我们再回头查看哪些环节出现了问题。”王钢说。这十多年来,王钢也充分发挥光电材料与技术国家重点实验室多学科融合的优势,用数字建模、数字孪生等技术实现对反应腔的可视化。记者看到,在王钢团队自主研制的MOCVD设备旁边,一台计算机正在呈现模拟反应腔内部反应过程的三维图像,每个粒子的流动轨迹都能清晰可见。王钢团队充分发挥光电材料与技术国家重点实验室多学科融合的优势,用数字建模、数字孪生等技术实现对反应腔的可视化“这是一个多物理量的模拟,其中不仅能展现气体的流动,还能反映温度场、压力场的情况。”王钢告诉记者,十余年来的研发形成了成熟的数据库和软件包,他们可以凭此技术实时监控反应过程,并精准地预测薄膜材料的长速和均匀性,如此可缩小开发材料的时间且提高材料的良品率。“我们有些应用已经超越国际同行。他们没想到的应用,我们也开发出来了。”王钢对记者说道,关键核心技术一定要慢慢熬出来,此次团队去申报“科创中国”先导技术榜,并非在意外界评价。他们希望借此寻得机会将装备落地,为中国第四代半导体材料产业贡献力量。
  • 中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会(第二轮通知)
    中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会(第二轮通知)  主办单位:甘肃省化学会色谱专业委员会  中国科学院兰州资源环境科学大型仪器区域中心  青海省化学与材料学会  承办单位:中国科学院西北高原生物研究所公共技术中心  青海省青藏高原特色生物资源研究重点实验室  甘肃省分析测试技术与仪器学会  一、会议日期  中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会定于2022年9月24日-26日在青海省西宁市举行。  二、会议介绍  会议内容包括:大会报告、大会特邀报告、专题报告与讨论。会议期间还将组织相关仪器及其配件展示。  本次会议将是我国中西部色谱工作者的又一盛会,预计与会代表 200人左右,并将邀请部分国内著名学者与会作大会特邀报告。本次盛会将为广大色谱工作者以及从事色谱仪器设计与制造的厂商提供相互交流和展示的平台。欢迎广大科技工作者积极参加,踊跃投稿。欢迎相关公司、企业利用此次契机,扩大影响,参与会展。  三、会议重要日期  2022年 7月29日 第二轮通知 (会议详细安排)  2022年 8月31日 提前注册缴费及论文摘要投稿截止  2022年 9月10日 第三轮通知(会议详细日程)  2022年 9月24日-26日 会期  四、征文范围  本次会议将集中交流液相色谱、气相色谱、逆流色谱、毛细管电泳等色谱及其相关技术分离分析领域的研究、开发成就,包括多维色谱技术、色谱质谱联用技术等相关的基础、仪器、方法等:  1、色谱基础 包括新固定相 新检测方法 样品制备 联用技术 多维分离 芯片实验室 分离机制 制备色谱 快速和超快分离 手性分离 电驱动分离 小型化、微型化色谱 痕量分析 自动化 化学计量学。  2、色谱应用 包括基因组学/蛋白组学 代谢组学 药物代谢 生命科学、生物分析 生物技术工业中的分离科学 HPLC 柱表征 环境和有毒物分析 生物医学和药物应用 天然产物和食品分析 石油和工业应用 单细胞分析中的应用。  凡在上述领域的基础研究、新方法新技术发展、分析应用、仪器及其部件研制等方面水平较高的论文均可应征。  五、论文格式要求及投稿邮箱  论文要求:内容简明扼要,能反映工作特色,含图表和参考文献不超过两页的论文详细摘要。  论文具体格式如下:  页面:A4 标准(宽:21厘米,长:29.7 厘米)。  页面设置:左右上下各留空白 2.5 厘米。  论文题目:三号黑体,居中。作者名:小四号仿宋,居中。单位名、市名、邮编、E-mail  地址:五号宋体,加圆括号,居中,下空一行。关键词(五号宋体,自版芯左起顶格),正文(小标题 小四号黑体 内容 五号宋体,行距固定值 16 磅)、主要参考文献(小五号宋体,自版芯左起顶格)。  论文电子版请按格式要求排版后发送至E-mail邮箱(tanliang0206117@163.com),并请在邮件主题上写明“色谱会议投稿”字样,同时在邮件中写明投稿者联系方式(电话,传真,e-mail及详细邮寄地址等),方便接收后续通知。  论文征集截稿日期:2022年8 月31日。  六、墙报格式要求  请需要墙报展示的参会者自行设计制作、彩色打印并携带墙报参会。  墙报规格为竖版,90cm(宽)*120cm(高)。  七、会议地点  西宁蓝宝石大酒店,青海省西宁市城西区胜利路21号。  八、会议日程  九、会议注册、会务费标准及缴纳  1、会议注册:  请通过以下会议二维码和网址注册。  https://d.eqxiu.com/s/olBJxIsY?share_level=1&from_user=20220728f9252e3d&from_id=da56d797-4&share_time=1658976423496  2、会务费标准:  3、会务费缴纳:  本次会议委托青海省专利服务中心有限公司代收会务费并出具发票,汇款时请注明“会务费”。汇款信息如下:  单位名称:青海省专利服务中心有限公司  纳税人识别号:916300004400011034  地址电话:青海省西宁市城西区胜利路5号10号楼0971-6132509  开户银行账号:中国银行西宁市新宁路支行 105042705789  十、会议住宿、用餐和交通  1、会务组统一安排住宿,费用自理。  (1)西宁蓝宝石大酒店,青海省西宁市城西区胜利路21号。标准间和大床房均为520元/间(含早餐)。  (2)维也纳酒店(胜利路店),青海省西宁市城西区胜利路22号。标准间和大床房均为280元/间(含早餐)。  2、会议期间午、晚餐为自助餐,用餐地点:西宁蓝宝石大酒店,青海省西宁市城西区胜利路21号。  3、本次会议不安排接送站,请代表自行选乘交通工具到达。  十一、会议赞助事宜  本着以会养会、促进产学研合作的原则,,会务组诚挚欢迎广大优秀色谱及相关企业为大会提供赞助,合作共赢!借此机会提升公司品牌与知名度度,推广推荐公司产品。  具体“赞助方案”联系:李玉林 13519719519(微信同号)  赞助费汇款请注明“色谱会议赞助费”。汇款信息如下:  户 名:西宁启帆企业管理咨询服务有限公司  开户行:中国银行西宁市大什字支行  账 号:105048846645  十二、联系方式  会议总负责人:  师彦平研究员,张耀南研究员,王敏研究员  会务负责人:  李玉林研究员,中国科学院西北高原生物研究所,13519719519,  liyulin@nwipb.cas.cn  邱洪灯研究员,中国科学院兰州化学物理研究所,13919143703,  hdqiu@licp.cas.cn  会务秘书组联络方式:  摘要投稿及墙报:谭亮 18297117286(微信同号),tanliang0206117@163.com  王环15202580197,赵静13897646902,王婷13897213312  财务相关:贺明珠15297116435,王婷13897213312  参会回执.docx  中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会组织委员会  中国科学院西北高原生物研究所公共技术中心(代章)  2022年7月29日
  • 真正吸霾利器:可用雾霾做“宝石”戒指
    p  上波雾霾还未平息,这波雾霾又来侵袭,且来势汹汹,以至于北京启动了史上第一次空气重污染红色预警!唉,拿什么拯救你,我的北京?/pp style="text-align: center "img style="width: 501px height: 330px " title="QQ截图20151208095418.jpg" border="0" hspace="0" vspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/3417f5c6-b952-4dbe-a13c-fd3e5b7ce5c5.jpg" width="501" height="330"//pp  上次雾霾来袭,媒体曝出有位小伙用雾霾做了块砖。这次雾霾卷土重来,媒体报道也升级,曝出一位荷兰男子收集雾霾做出宝石戒指....../pp style="text-align: center "img title="1449132122109.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/e89be76d-b292-44a4-a108-68d4808d0123.jpg"//pp  净化空气?再用脏兮兮的雾霾颗粒做戒指?乖乖,这种发明真是绝妙的不要不要的~/pp  这位荷兰男子叫Daan Roosegaarde,这个想法源于他对北京的一次短暂到访,当时他就被北京的雾霾给震惊了。之后,Daan Roosegaarde萌生了一个想法:为啥不能把这些雾霾搜集起来,加以利用呢?/pp style="text-align: center "img title="QQ截图20151208095605.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/1f66328e-245a-4584-82a7-7b7964ca0da4.jpg"//pp  今年7月份,他在kickstarter发起了一项名为“The Smog Free Tower(雾霾自由塔)”的众筹,还真筹到113153美元,Daan Roosegaarde和他的团队最终打造出一个百叶窗结构的空气净化塔,这个6.5米高的家伙终于在鹿特丹诞生了。/pp style="text-align: center "img title="1449132149844.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/4b1e9da6-4548-4d9d-b584-f9299bc21b07.jpg"//pp  这个电子真空吸霾器可以每小时净化3万立方米空气,借鉴静电吸附灰尘原理,用纳米技术营造一个大磁场,吸附形成雾霾的颗粒物,不断吸入脏兮兮的雾霾颗粒,又不断产出干净的空气,同时也留下了一大摊黑乎乎的东西。/pp style="text-align: center "img style="width: 501px height: 332px " title="QQ截图20151208095717.jpg" border="0" hspace="0" vspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/a8142983-4a1b-4508-ba84-108e45e889e9.jpg" width="501" height="332"//pp  这堆黑家伙42%都是碳,很显然,填埋不符合环保。“为什么不把这些碳压缩做成黑色宝石呢”Daan突发奇想,要知道钻石的成分也是碳啊!/pp style="text-align: center "img style="width: 501px height: 343px " title="QQ截图20151208095756.jpg" border="0" hspace="0" vspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/1a266e2a-48d6-4a93-adbd-979f66a929ae.jpg" width="501" height="343"//pp  没错,就是你们在图中看到的戒指上方的小东东。据悉,每制作一颗“宝石”,需要净化1000立方米空气。被装在盒子里的雾霾戒指,美好得让人不敢相信!/pp style="text-align: center "img style="width: 501px height: 374px " title="QQ截图20151208095828.jpg" border="0" hspace="0" vspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201512/insimg/92cc4199-0357-484d-97df-62dbe0de725a.jpg" width="501" height="374"//pp  这个戒指将会被作为回报,送给那些众筹支持者。一颗宝石=1000立方米净化干净的空气,相当有意义。“我想让人们都为治理雾霾出一份力,而不是多制造一些雾霾。制作可佩戴的饰物能更好地为人们示警。”/pp  目前,你只需要花5欧元,即可为这个项目出一份力,预定一枚由“雾霾”打造的宝石戒指,同时也为你的城市贡献出1000立方米干净的空气。/p
  • 沈阳科晶祝贺2018中国国际光电博览会圆满召开
    沈阳科晶祝贺2018中国国际光电博览会圆满召开2018年9月5-8日,2018中国国际光电博览会在深圳会展中心圆满召开,沈阳科晶派遣专业技术代表参加此次会议并在现场布置展位,沈阳科晶诚挚感谢会议期间客户们的莅临参观以及大家的支持,会议圆满成功,沈阳科晶也收获颇丰。中国国际光电博览会规模逐渐壮大,光电行业也在日益发展,技术上的突破是行业内每一家公司所不断追求的,在这样的大背景趋势下,沈阳科晶也带来了自己的突破性产品,此次会议沈阳科晶展示的设备有:STX系列金刚石线切割机 --- 切割材料涵盖晶体、金属、陶瓷、玻璃等、切割直径包含50mm、100mm、150mm、300mm、600mm、1000mm等不同设备型号,标配三维工装夹具,可实现不同角度切割要求,并可选配专用旋转、摇摆等工装夹具,大量节省切割时间,其本身柔性切割的特性能够保证切割的精度与面型,避免脆性材料的切割崩边崩口现象,此次会议也在现场为客户切割镀膜K9玻璃、蓝宝石、石英,可完全满足客户需求。SYJ系列划片切割机 --- 适用于各种晶体、陶瓷、玻璃、金属等材料的划片和切割。本机可用计算机或单片机进行控制,允许自行编制程序,进行切割。步进电机定位精度可达到0.01mm,样品工作台可进行360°旋转,并配有十字夹具(90°定位模)、真空吸盘,是实验室及生产单位理想的精密切割设备之一。 UNIPOL系列自动研磨抛光机 --- 适用于晶体、陶瓷、金属、玻璃等材料的研磨抛光制样,本系列设置了不同尺寸研磨抛光盘和多个加工工位。若配置适当的附件,可批量生产高质量的平面磨抛产品。此外可选配GPC系列精密磨抛控制仪,配有数显磨抛压力确认仪,实时观测磨抛厚度,并具有修正功能。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪 --- 可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。PCE-6小型等离子清洗机、VTC-200PV真空旋转涂膜机、真空干燥箱......再次感谢会议期间客户们的关注与支持,我们会认真聆听客户的每一个声音,开发更多的新产品是我们共同的愿望。科晶人将不断努力,不断前进,争取带给大家更多的惊喜,解决更多的技术难题,我们会带着我们的产品,带着我们的热情期待与各位明年再次相聚。
  • 历史回眸 | 纵览KLA光学轮廓仪的创新发展史
    KLA Instruments拥有如今的光学轮廓仪组合,是早先各品牌合力创新的结果:1.ADE 发布了 MicroXAM 白光干涉仪。2.Zeta&trade Instruments 开发了 ZDot&trade 和多模式光学轮廓仪。3.KLA旗下Filmetrics推出了新型、通用的白光干涉仪。KLA Instruments 品牌下多样化的光学轮廓仪产品都拥有各自悠久的创新历史。1999ADE Phase Shift 推出了 MicroXAM 光学轮廓仪,具有埃米级灵敏度,可用于超光滑表面的相移干涉测量,以及更大台阶高度样品的垂直扫描干涉测量。2006KLA 收购了 ADE 公司,为 KLA 的桌面式量测组合增加了 MicroXAM-100 光学轮廓仪,并推出了面向半导体市场的衬底几何形貌和缺陷检测解决方案。2010Zeta-20 是 Zeta Instruments 推出的第一款产品。Zeta-20 是使用 ZDot&trade 专利技术的光学轮廓仪,它结合了结构照明、共聚焦光学以生成高分辨率的3D表面形貌数据和表面真彩图像。该技术使用户能够轻松地聚焦在任何透明或不透明的表面上,从而实现对台阶高度和粗糙度的快速测量。多模组光学系统将 ZDot 技术与白光干涉仪、剪切干涉仪、透明薄膜反射光谱仪和自动缺陷检测功能相结合,扩展了非接触式3D 光学轮廓仪的应用场景。同年,Zeta-200 发布,带有自动化载台,并推出了发光二极管 (LED) 应用的解决方案。Zeta-200 光学轮廓仪利用高透射光学设计、背光源照明技术和专有算法来测量图形化的蓝宝石衬底 (PSS)。 该系统可以适应各种形状的 PSS 凸起,测量视场中所有 PSS 凸起的高度和间距,从而避免仅测量一小部分区域而产生错误的凸起信号或导致的结果偏差。通过多模式光学系统,还可以测量在 PSS 制造过程中薄膜厚度的变化以及样品的翘曲度。最后,通过自动缺陷检测功能,Zeta-200 可以识别不同缺陷的种类,如剥落的凸块、划痕和颗粒。2011Zeta-280 在 Zeta-200 平台的基础上增加了一个适配单个晶圆盒的桌面式机械手臂。Zeta-300 光学轮廓仪支持测量最大8寸的器件。该系统采用一体化主动或被动隔振平台,并搭配隔声罩隔离环境中的噪声。2012Zeta-20 采用 ZDot技术,为封装微流体器件等透明多表面应用场景提供了一种创新的测量解决方案。微流体器件的封装工艺通常会改变通道的尺寸和外形,从而影响器件的性能。因此,封装后的测量对客户的产品控制至关重要。Zeta-20高透射率的光学设计使得ZDot 信号在经过多膜层透射后仍能保持足够强度,从而可以实现对微流体器件玻璃盖板封装前后关键尺寸参数的测量,例如盖板的厚度、微流体通道的深度和尺寸。同年,将 Zeta-280的桌面式机械手臂与 Zeta-300 平台相结合,推出了Zeta-380自动化测量设备。2014MicroXAM-800 集成了Ambios 和 ADE 相移干涉测量技术的最佳硬件和算法,并搭配创新且易用的软件,用于台阶高度和粗糙度的自动测量。2015基于Zeta-20推出太阳能行业创新解决方案,用于绒面和丝网印刷的工艺控制。太阳能光伏的成本控制和提升转化率,推动着晶硅光伏的技术迭代。金字塔绒面的规格和表面栅线印刷的质量,对晶硅光伏的转化效率产生重要影响,因此成为产品控制的关键环节。绒面工艺控制对于控制绒面金字塔结构的高度、外形和尺寸分布至关重要,因为这会影响太阳能电池的光捕获效率。Zeta-20提供了专为绒面金字塔测量的解决方案,可实现金字塔结构的自动探测和统计。金属栅线采用丝网印刷工艺,该工艺会带来金属栅线的宽度、高度、体积、电学特性等方面的变化,从而增加器件的制造成本。Zeta-20的高动态范围测量模式(HDR)为金属栅线工艺提供了测量解决方案,可实现对反射率差异较大的材料测量。在太阳能电池制造工艺过程中,HDR模式被用于测量镀有减反膜涂层绒面表面的金属栅线3D形貌。同年,推出了Zeta-360 和第一代 Zeta-388 产品,提供了基于Zeta平台的晶圆自动化处理解决方案。 2016Profilm3D 是一款基于白光干涉原理的光学轮廓仪,可以适用于多种应用场景,包括薄膜厚度、表面粗糙度、台阶高度等表面形貌测量,是一种高性价比的三维表面形貌测量解决方案。2017Zeta Instruments 加入KLA Instruments 集团,为KLA光学轮廓仪引入 ZDot 技术和多模式测量技术,扩充KLA光学轮廓仪的产品线。Zeta系列用于3D表面形貌测量,支持研发、生产和全自动化环境。2018KLA旗下Filmetrics 推出了世界上首个专门用于3D形貌数据处理的网络应用程序ProfilmOnline ,利用网络浏览器和强大的智能手机功能,使用户无需电脑即可分析、存储和共享3D数据,包括光学轮廓仪、扫描探针显微镜(如原子力显微镜)和其他三维成像显微镜等获取的三维形貌数据。用户可以便捷地从 Filmetrics Profilm3D 光学轮廓仪上传数据,对其进行分析,并与同事共享测量结果。ProfilmOnline允许用户通过跨平台的任意设备,随时随地访问数据。Profilm3D 增加了 TotalFocus&trade 功能,提供其样品表面的3D自然彩色图像。新一代Zeta-388光学轮廓仪是非接触式三维表面形貌测量系统。该系统在Zeta-300的基础上,更新了用于全自动测量的机械手臂操作系统。Zeta-388支持OCR和SECS/GEM,从而可用于全自动产线的生产制造。该系统提供了具有生产价值的工艺控制测量,如PSS上的凸块高度、粗糙度和台阶高度。Zeta-388凭借在图形化蓝宝石衬底 (PSS)工艺中的应用荣获2018年化合物半导体行业量测奖。2019Filmetrics 正式加入 KLA Instruments 集团。在薄膜厚度、材料光学特性(n、k 值)的测量方面,Filmetrics 系列薄膜测量仪扩充 KLA 桌面式量测产品线。Filmetrics Profilm3D 光学轮廓仪扩充 KLA光学轮廓仪产品线,为客户提供高性价比的表面形貌测量解决方案。2020Profilm3D-200 具有一个行程为 200mm的自动样品台,可放置200mm直径的晶圆样品。2023KLA Instruments 推出Zeta-20HR高分辨率光学轮廓仪,专为满足新型太阳能电池的结构表征和下一代生产工艺的量测需求而设计。Zeta-20HR提高了光学轮廓仪的分辨率,将对太阳能电池结构的表征能力拓展至1µ m以下。这款新型的Zeta光学轮廓仪,基于具有ZDot技术的Zeta-20设计,可配置230mm x 230mm尺寸的样品载台,并具备所有标准化且易用的多模组测量能力。Zeta光学轮廓仪是太阳能电池工艺研发和制程控制的理想量测工具。如需申请测样或产品咨询,可通过仪器信息网和我们取得联系!
  • 快来看!岛津仪器如何鉴定你的珠宝首饰?
    利器善工 匠心独具│EDX助力鉴赏珠宝之美导读我国是当今世界上珠宝首饰类产品的重要生产国,同时也是世界上珠宝首饰的重要消费国。参考中国珠宝玉石首饰行业协会发布的《2022中国珠宝行业发展报告》资料,2022年贵金属类市场规模约为4380亿元,珠宝玉石类市场规模约为2810亿元。珠宝首饰市场的繁荣发展,同时推动了珠宝首饰检测行业的发展。珠宝首饰检测中需要使用到多种科学仪器,其中EDX仪器具有无损性、快速性、准确性、经济环保性等特点脱颖而出,在贵金属成分检测、珠宝元素分析等方面得到广泛使用。相关法规珠宝首饰可依据材质分为珠宝玉石类和贵金属类。珠宝玉石的种类繁多,材质组成复杂,按照来源分为天然珠宝玉石和人工宝石。贵金属主要指金、银和铂族金属(钌、铑、钯、锇、铱、铂)等8种金属元素,作为商品流通的常见贵金属为金、银、铂、钯,其中黄金为流通量最大的贵金属品种。珠宝首饰的检测方法标准中,会涉及到多种科学仪器的分析方法,下面列举了相关常见标准和涉及的岛津分析仪器。表1 珠宝首饰分析鉴定相关常见标准图1 相关标准涉及的岛津仪器展示岛津利器性能卓越的EDX-7200能量色散型X射线荧光光谱仪专利技术岛津分析中心申请的中国发明专利《一种含镀层贵金属成分的X射线荧光光谱分析方法》(ZL 2019 1 0867000.4已获国家知识产权局授权),专利技术为含镀层贵金属样品成分的无损检测提供了解决方案。图2 发明专利证书方案优势该方法具有专用算法修正镀层对基体组成元素的影响、含镀层贵金属直接测试(无需打磨破坏)、一次分析可以得到镀层厚度和基材元素成分的可靠结果、分析速度快、分析成本低的优点。图3 不同方法分析误差比较(数据来源于本公司)案例分享贵金属首饰成分分析GB/T 18043-2013《首饰贵金属含量的测定 X射线荧光光谱法》是贵金属首饰成分分析的标准依据。X射线荧光光谱法由于非破坏分析的特点,被广泛应用于贵金属成分的分析,是贵金属成分检测中最常见的非破坏分析方式。在EDX-7200上建立黄金分析条件,使用黄金标样校准Au、Ag、Cu、Ni、Zn等元素的校准曲线。图4 黄金中分析元素的校准曲线使用校准的黄金分析条件,检测工厂实物黄金饰品,在EDX完成检测后,送样依据GB/T 9288-2006《金合金首饰 金含量的测定 灰吹法(火试金法)》做火试金测试, 下表列举了EDX和火试金方法的分析结果。表2 黄金饰品样检测结果(数据来源于本公司)从上表EDX和火试金的分析结果显示,EDX-7200分析黄金样品成分误差优于0.2%,适用于黄金及其制品成分的筛选检测。珠宝元素分析红宝石&蓝宝石的主要成分是Al2O3,属于刚玉的一个种类。下图为宝石实验样品,有天然红宝石、天然蓝宝石、人工合成红宝石、铅玻璃充填红宝石。图5 宝石样品将宝石样品放置在样品杯中,样品杯使用迈拉膜,EDX-7200仪器附带的CCD选择测试部位,使用宝石测试条件分析,分析结果及谱图如下。图6 宝石分析数据分析结果中Al以刚玉宝石的主要成分Al2O3表示。天然宝石中可见Al、Si、Cr、Fe、Ti、Ga等元素存在。Al为刚玉宝石的主要组成元素,Cr、Fe、Ti等为微量致色元素,Ga为天然刚玉宝石的指纹特征元素,合成红宝石中缺少Ga元素存在。天然红宝石常见含有Fe、Cr、Ga元素,天然蓝宝石则多含有Fe、Ti、Ga等杂质微量元素。铅玻璃充填的红宝石明显可见Pb的特征峰存在,Pb元素的存在为处理红宝石铅玻璃充填的特征结果。结语岛津能量色散型X射线荧光光谱仪筛选分析珠宝首饰样品,无需复杂前处理,具有分析过程简单、分析速度快、分析灵敏度高、无环境负担的优点,适合实验室和生产现场的快速筛查分析,为珠宝首饰的质量控制和科研提供科学的参考依据。撰稿人:刘建红本文内容非商业广告,仅供专业人士参考。
  • 晶盛机电:正在加速推进12英寸加工设备的研发和产业化
    p style="text-align: justify text-indent: 2em "近日,晶盛机电接受机构调研时表示,公司通过承担国家科技重大02专项“300mm硅单晶直拉生长装备的开发”和“8英寸区熔硅单晶炉国产设备研制”两项课题为基础,经过多年的磨砺和发展,目前已形成8英寸硅片晶体生长、切片、抛光、外延加工设备全覆盖,产品已经批量进入客户产线,国产化加速落地;12英寸硅片晶体生长炉小批量出货,12英寸加工设备的研发和产业化也在加速推进。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "晶盛机电已经开发出第三代半导体材料SiC长晶炉、外延设备,其中SiC长晶炉已经交付客户使用,外延设备完成技术验证,产业化前景较好。公司的半导体硅片抛光液、半导体坩埚、磁流体等重要半导体零部件、耗材已经取得客户的认证应用,进一步提升了公司在国内半导体材料客户中的综合配套能力。/pp/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "关于在手订单,晶盛机电称,截止2020年9月30日,公司未完成晶体生长及智能化加工设备合同合计59亿元,其中未完成半导体设备合同4.1亿元。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在蓝宝石材料领域,晶盛机电拥有国际领先的超大尺寸蓝宝石晶体生长技术,建立了从长晶到切磨抛环节的生产能力,拥有行业领先的技术和成本优势。坚持大客户战略,深入挖掘市场需求,与全球领先的消费电子视窗防护制造龙头蓝思科技达成战略合作,双方在宁夏共同成立合资公司建设蓝宝石材料制造基地,为蓝宝石材料在消费电子应用领域的规模应用提前布局。/p
  • 半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
    中国科学院半导体研究所研究员刘志强等与北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作,在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展,验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性,提出了氮化物位错控制新思路,拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关成果分别以Continuous Single-Crystalline GaN Film Grown on WS2-Glass Wafer、Atomic Mechanism of Strain Alleviation and Dislocation Reduction in Highly Mismatched Remote Heteroepitaxy Using a Graphene Interlayer、Graphene-Assisted Epitaxy of High-Quality GaN Films on GaN Templates、High Power Efficiency Nitrides Thermoelectric Device为题,在线发表在Small、Nano Letters、Advanced Optical Materials、Nano Energy上。   实现不依赖于衬底晶格的氮化物材料外延,有望突破衬底限制,融合宽禁带半导体材料与其他半导体材料的性能优势,为器件设计提供新的自由度。研究团队于2021年利用石墨烯二维晶体作为缓冲层,借助纳米柱等底层微纳结构,实现了非晶衬底上的氮化物准单晶薄膜的异质异构外延。近期,研究团队在该领域取得进展,利用与氮化物晶格匹配的过渡金属硫化物为缓冲层,构筑人工生长界面,实现了非晶玻璃晶圆上的单晶薄膜制备,并实现了紫外发光器件的制备。该项工作以非晶衬底这一极端情况,验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性。   刃位错是氮化物材料中的代表性缺陷类型,与另外一种典型缺陷——螺位错相比,通常情况下其浓度要高一个数量级。刃位错对氮化物发光、电子器件的性能均会产生重要影响。由于氮化物与异质衬底之间固有的晶格失配,刃位错的有效抑制手段非常有限。近期,研究团队采用远程外延,实现了氮化物外延层中刃位错的有效降低,在原子尺度上研究了应力释放和位错密度降低的物理机制。研究发现无极性的石墨烯缓冲层可以削弱源于衬底的晶格势场,使得外延层能够在晶体取向得到控制的同时,其晶格也能相对自由地生长。因此,异质外延中晶格失配引起的应力得到了释放,外延层刃位错密度降低近一个数量级。在这种低应力的GaN模板上,研究人员成功制备了高In组份的InGaN/GaN量子阱,实现了黄光波段LED器件。   氮化物材料由于生长方法的限制具有高密度的穿透位错,这些穿透位错会充当非辐射复合中心和漏电通道,对氮化物基光电器件和电力电子器件的性能有严重的负面影响。近期,研究团队采用二维材料石墨烯辅助外延的方法,实现了低应力、低位错密度的高质量GaN薄膜的外延生长,并揭示了石墨烯在界面处降低外延层中穿透位错密度的机制。研究发现石墨烯可以部分屏蔽衬底势场,衬底势场实现界面晶格调控的同时,其表面势场波动一定程度被削弱。因此外延层可以通过原子滑移释放部分应力,实现应力的自发驰豫。引入石墨烯二维晶体后,GaN模板中因穿透位错导致的晶格畸变在外延界面得以恢复,表现为石墨烯在界面处阻挡了穿透位错向上的扩散,因此获得了比相同衬底同质外延位错密度更低的GaN薄膜。   能源是社会经济发展永恒的主题,工业生产中消耗化石燃料产生能量的约70%以废热的形式被排放。热电转换技术能够可逆地将废热转换成电能,在提高能源利用效率和回收废弃能源方面具有重要的意义。与此同时,热电器件在太空等极端环境下具有重要的应用,热电发电机是旅行者2号的唯一能量来源,目前已经连续工作40余年。然而,传统的窄禁带半导体材料存在高温下少数载流子激发导致的温差电动势抑制效应,工作温度较低。以GaN为代表的III族氮化物具有较大的禁带宽度、优异的热稳定性、高的抗辐射强度,同时易实现可控调制的合金和异质结结构,在高温热电方面展现出巨大的应用潜力。由于决定热电性能的塞贝克系数S、电导率σ、热导率k之间相互耦合和制约的关系,合理设计材料结构、采取最优化方案提高ZT值,一直是热电研究的重要课题。研究团队探索了合金化和低维超晶格结构对载流子和声子输运的调控作用,实现了电子、声子输运的有效解耦,成功制备了热电器件。ZT值优于同类器件的文献报道。该工作拓展了III族氮化物在热电方面的应用,提供了一种非常有前途的高温热电器件解决方案。图1 WS2-玻璃晶圆上单晶GaN薄膜的生长图2 WS2-玻璃晶圆上的AlxGa1-xN成核及单晶GaN薄膜生长。(a) 低温AlxGa1-xN成核后WS2的拉曼光谱;(b) 拉曼测试点的示意图;(c) 成核生长后AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的HADDF图像;(d) AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的HADDF图像及对应的Ga、O、S和W元素的EDS面扫图像;(e) 薄膜生长后AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的高分辨TEM图像;(f) 薄膜生长后AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的HADDF图像;(g) 界面附近GaN的iDPC图像图3 基于石墨烯的远程异质外延与传统异质外延的界面对比。(a) AlGaN/蓝宝石界面的原子结构和GPA exx图像;(b) AlGaN/石墨烯/蓝宝石界面的原子结构和GPA exx图像;(c) 有无石墨烯时界面处氮化物与蓝宝石衬底的面内晶格失配对比;(d) 有无石墨烯时界面处氮化物与蓝宝石衬底的面外晶格失配对比;(e) 无石墨烯时氮化物在蓝宝石台阶上的原子排列;(f) 有石墨烯时氮化物在蓝宝石台阶上的原子排列;(g) 无石墨烯时靠近台阶处沿面外方向的氮化物原子偏移;(h) 有石墨烯时靠近台阶处沿面外方向的氮化物原子偏移;(i) 界面附近两个原子层面外方向原子偏移的线轮廓图4 石墨烯辅助外延中的应力驰豫和位错演化机制。石墨烯辅助外延生长和直接外延生长的GaN薄膜的(a) XRD摇摆曲线对比,(b) 刃位错和螺位错密度对比,(c) 应力对比;GaN/石墨烯/GaN界面处的(d) 暗场像图像,(e) GPA exx图像;(f) 石墨烯在界面处阻挡穿透位错向上扩散的示意图;(g) 空白GaN表面的电势场波动;(h) 石墨烯/GaN复合衬底表面的电势场波动;(i) 空白GaN表面和石墨烯/GaN复合衬底表面沿特定方向的电势波动对比图5 氮化物器件的热电性能。(a) 塞贝克测量装置示意图;(b) 不同温度梯度下的红外热成像图;(c) 开路电压随温差时间变化曲线;(d) 塞贝克系数拟合曲线
  • 德国RETSCH(莱驰)兰州样品前处理技术交流会圆满结束
    5月25日,德国莱驰在兰州蓝宝石大酒店举办了样品前处理技术交流会,来自商检、质检、各大高校的近百名实验室研究人员到场了解RETSCH产品,与会者的热情和踊跃大大出乎了主办方的预期,从侧面也反映了RETSCH在西北市场的知名度和潜力。 德国RETSCH(莱驰)兰州讲座现场座位爆满 技术讲座部分由RETSCH中国区总经理董亮先生分几个专题介绍:&ldquo 德国RETSCH介绍及地质冶金行业的样品制备&rdquo ,&ldquo 生物食品医药行业的取制样技术&rdquo ,&ldquo 行星球磨仪的特点和应用&rdquo ,&ldquo 最新粒度粒形分析技术介绍&rdquo 。 德国RETSCH(莱驰)中国区经理董亮先生做精彩讲解 为了能给客户直观的认识,RETSCH还从上海技术中心远道运来了近十台样机,大家在休息时观看了仪器的演示,对这种形式均表示了欢迎和肯定,对RETSCH中国能提供如此齐全的型号和配置表示了赞叹。许多生动的图片和视频都给用户留下了非常直观的印象,比如MM400混合冷冻球磨仪,可以应用于地质、塑料、土壤、DNA/RNA提取、公安等行业的通用实验室,比如GM300专家型捣磨仪,可以满足于食品企业。质量检测机构对于大量含水含油样品的研磨和均质化,比如SM300可调转速重型切割粉碎仪,是目前最领先的一台切割粉碎仪,可用于RoHS、玩具、中药材的样品制备。休息时间与会者对仪器的热情大大超过主办方的预期 莱驰科技的明星产品--干湿两用型多功能粒径及粒形分析仪Camsizer XT更是吸引了与会者的眼球,这是今年主推的产品。Camsizer XT通过动态数字成像技术对1um的细粉、乳液、悬浮颗粒等进行粒度统计和分析,特有X-Fall、X-Jet、X-Flow三种分析模块,满足不同要求。 讲座结束前,还进行了有趣的抽奖活动,奖品有移动硬盘、iPod MP3等。至此,德国RETSCH(莱驰)兰州技术交流会圆满结束! 抽奖环节一等奖获得者与董经理合影留念 接下来,莱驰将在哈尔滨、合肥等地举办样品前处理技术交流会,详情请登录莱驰官方网站www.retsch.cn 了解,期待您的光临。 心驰现在,撼动未&ldquo 莱&rdquo !
  • 赚“翻倍”了!晶盛机电发布2021年度业绩快报
    3月9日,浙江晶盛机电股份有限公司(以下简称“晶盛机电”)披露了其2021年度业绩快报。根据公告,晶盛机电实现营业总收入596,135.95万元,较上年同期增长56.44%;利润总额198,533.62万元,较上年同期增长100.19%;归属于上市公司股东的净利润171,827.98万元,较上年同期增长100.23%;基本每股收益1.34元,较上年同期增长100.00%。报告期末,晶盛机电总资产1,689,402.14万元,较年初增长60.92%;归属于上市公司股东的所有者权益684,089.15万元,较年初增长30.56%;归属于上市公司股东的每股净资产5.32元,较年初增长30.39%。图片来源:晶盛机电公告截图对于业绩变动的主要原因,晶盛机电表示,2021年,公司围绕“先进材料、先进装备”的发展战略,积极推动研发技术创新,夯实质量管理,打造高品质设备的批量制造和集中交付能力,优化流程管理体系,提升组织管理效能,各项业务取得快速发展,实现经营业绩的大幅增长。此外,受益于光伏行业的持续发展,下游硅片厂商积极推进扩产进度,晶盛机电积极把握市场机遇,持续提升设备交付能力,强化技术服务品质,实现光伏设备业务订单量及收入规模同比大幅增长;同时,半导体产业广阔的市场空间以及利好政策加速国内半导体设备国产化进程,公司半导体设备订单量取得快速增长;另外,蓝宝石材料业务及辅材耗材业务也取得快速发展,为公司经营业绩增长作出了积极贡献。报告期内,晶盛机电深化管理体系建设,加强业务流程的精细化管理,有效提升组织效能和管理效率,在先进制造和质量管理方面持续发力,在收入及业务规模快速增长的同时科学控制成本费用支出,管理成效显著,也为公司业绩增长作出积极贡献。据了解,浙江晶盛机电股份有限公司创建于2006年12月,是国内领先的半导体材料装备和LED衬底材料制造的高新技术企业,以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制造产业”为使命。公司于2012年在创业板上市(证券代码:300316),下属18家公司,3个研发中心,其中一个海外研发中心,总人数近3000人,研发人员400多名,拥有外专工作站、国家级博士后工作站、省级重点企业研究院等研究平台。晶盛机电以技术创新作为持续发展的动力源泉。相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉、碳化硅炉等晶体生长设备,同时开发并销售晶体加工、光伏电池和组件等装备,致力于打造光伏产业链装备技术和规模双领先的装备龙头企业;在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及加工装备的国产化,并取得半导体材料装备的领先地位;成功掌握国际领先的 700kg级超大尺寸泡生法蓝宝石晶体生长技术,蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力并逐步形成规模优势。2021年出台的“十四五”规划中明确提出,推进能源革命,建设清洁低碳、安全高效的能源体系,提高能源供给保障能力。加快发展非化石能源,坚持集中式和分布式并举,大力提升风电、光伏发电规模,加快发展东中部分布式能源,有序发展海上风电,加快西南水电基地建设,安全稳妥推动沿海核电建设,建设一批多能互补的清洁能源基地,非化石能源占能源消费总量比重提高到20%左右。发展光、风、核清洁能源不仅是出于“绿水青山”的原因,更是出于国家安全的考虑。数据显示,2020年,中国共进口原油5.42亿吨,同比增长7.3%,为全球最大原油进口国,为此花费了1763亿美元。降低对原油的依赖,一方面社会更环保,另一方面也是为了经济安全,而发展清洁能源更是其中的“重中之重”。未来,以光、风、核为主的清洁能源研究和产业化必将得到国家的研究经费和政策的大力支持。随着大量经费和风投资金的涌入,相关产业的上游设备和仪器也将迎来发展机遇。而作为光伏产业的重要上游支撑企业,晶盛机电有望在“十四五”期间持续受益。
  • 晶盛机电:拟57亿定增加码碳化硅、半导体设备
    10月25日晚间,晶盛机电发布定增预案,拟向不超过35名(含)特定对象发行募集资金总额不超过57亿元(含本数),在扣除发行费用后拟全部用于以下项目:31.34亿元用于碳化硅衬底晶片生产基地项目,5.64亿元用于12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目,4.32亿元用于年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目,15.7亿元用于补充流动资金。据悉,本次晶盛机电向特定对象发行股票的发行数量不超过2.57亿股(含本数)。发行价格不低于定价基准日前20个交易日公司A股股票交易均价的80%。受惠于光伏和半导体热潮的影响,今年以来,晶盛机电股价持续走高,在9月初总市值一度触及千亿大关。截止到10月25日收盘,该股报价74.96元,上涨1.99%,总市值为963.66亿。半年报显示,晶盛机电为硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料设备生产商。在硅材料领域,公司开发出了应用于光伏和集成电路领域两大产业的系列关键设备,包括全自动晶体生长设备(直拉单晶生长炉、区熔单晶炉)、晶体加工设备(单晶硅滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等)、晶片加工设备(晶片研磨机、减薄机、抛光机)、CVD设备(外延设备、LPCVD设备等)、叠瓦组件设备等;在碳化硅领域,公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备;在蓝宝石领域,公司可提供满足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭、晶棒和晶片。公司产品主要应用于集成电路、太阳能光伏、LED、工业4.0等具有广阔发展前景的新兴产业。从近期公开的生产信息看,公司半导体等领域订单均处于产销两旺的状态,本次定增募资扩大产能也属于有的放矢。
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