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  • 首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世
    据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道,来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示,他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管,而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流,在极低的工作电压下,仍能保持出众的电流密度,甚至可超过同尺寸性能最好的硅晶体管的表现。相关研究报告发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。  很多科研小组都致力研发小尺寸的晶体管,以切合未来计算技术对于更小、更密集的集成电路的需要。但现有的硅基晶体管一旦尺寸缩小,就会失去有效控制电流的能力,即产生所谓的“短沟道效应”。  在新研究中,科研人员舍弃硅改用单壁碳纳米管进行实验。碳纳米管具有出色的电气性能和仅为直径1纳米至2纳米的超薄“身躯”,这使其在极短的通道长度内也能保持对电流的闸门控制,避免“短沟道效应”的生成。而IBM团队研制的10纳米以下碳纳米管晶体管首次证明了这些优势。  科学家表示,理论曾预测超薄的碳纳米管将失去对于电流的闸门控制,或减少输出时的漏极电流饱和,而这都会导致性能的降低。此次研究的最大意义在于,证明了10纳米以下的碳纳米管晶体管也能表现良好,且优于同等长度性能最佳的硅基晶体管,这标志着碳纳米管可成为规模化生产晶体管的可行备选。  工程师在同一个纳米管上制造出若干个独立的晶体管,其中最小一个的通道长度仅为9纳米,而这个晶体管也表现出了极好的转换行为和漏极电流饱和,打破了理论的预言。当与性能最佳,但设计和直径不同的10纳米以下硅基晶体管进行对比时,9纳米的碳纳米管晶体管具有的直径归一化(漏)电流密度,可达到硅晶体管的4倍以上。而且其所处的工作电压仅为0.5伏,这对于降低能耗十分重要。此外,超薄碳纳米管晶体管的极高效能也显示出了其在未来计算技术中大规模使用的潜力。  总编辑圈点  没人不爱便携。所以电子元件抗拒不了“越缩越小”的命运。但对于碳纳米管晶体管,性能和尺寸却在“闹矛盾”:既往理论认为,如果缩到了15纳米以下的长度,那载体有效质量相对于其它半导体来说,就太小了,从而非常容易就隧穿和渗入设备——不受控制,这是身为电子元件所最不被看好的。不过,现在工程师们搞定了它,据其论文讲,问题发生在碳纳米管金属触点的物理模型有所不足,而此前的研究均忽视了这一点,没人仔细观察电子在通过那小小交界处时发生了什么。
  • 新型生物纳米电子晶体管构建成功
    5月13日,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的科学家 建造了可由三磷酸腺苷(ATP)驱动和控制的生物纳米电子混合晶体管 。他们称,新型晶体管是首个整合的生物电子系统,其将为义肢等电子修复设备与人体的融合提供重要途径。相关研究发布在近期出版的《纳米快报》(Nano Letters)上。  三磷酸腺苷可作为细胞内能量传递的“分子通货”,储存和传递化学能,为人体新陈代谢提供所需能量;其在核酸合成中亦具有重要作用。  该实验室的研究人员亚历山大诺伊表示,离子泵蛋白是新型晶体管装置中最核心的部分。此次开发的晶体管由处于两个电极之间的碳纳米管组成,起半导体的作用。纳米管的末端附有绝缘聚合物涂层,而整个系统则包裹于双层油脂膜之中,与活体细胞膜的原理相似。当科学家将电压加在电极之上时,含有三磷酸腺苷、钾离子和钠离子的溶液便会倾泻而出,覆盖在晶体管装置表面,并引发电极之间电流的流动。使用的三磷酸腺苷越多,产生的电流也越强烈。  科学家解释说,之所以会产生如此效果,是由于双层油脂膜内的蛋白质在接触三磷酸腺苷时会表现得如同“离子泵”一般。在每个周期中,蛋白质会往一个方向抽送3个钠离子,并向相反方向抽送2个钾离子,致使1个电荷在“离子泵”的作用下越过双层油脂膜抵达纳米管之中。随着离子的不断累积,其将在纳米管中部的周围产生电场,从而提升纳米晶体管的传导性。  耶路撒冷希伯来大学的伊特玛维尔纳表示,这一生物电子系统通过离子运动将纳米层级的机械能转化为了电能,从而为晶体管的运行提供了支持。在这种情况下,晶体管可被用于制造由生物信号驱动和控制的电子设备。例如,这一进展能使电子仪器不需电池或其他外界电力供给便可永存于体内,而义肢等人体修复器械也有望直接与人体 神经系统 “连线”。诺伊希望,这种技术将来能被用于建设无缝生物电子界面之中,以实现生物体和机器的更好沟通。
  • “毛状纳米晶体”可减少癌症药物副作用
    据近日发表在《今日材料化学》杂志上的研究,由美国宾夕法尼亚州立大学和寺崎生物医学创新研究所科学家组成的合作团队已设计出了一种应对癌症药物副作用的方法。他们开发以植物为基础的“毛状纳米晶体”,可去除血液中多余的化疗药物。这一方案或对癌症治疗方案产生重大影响。  毛状纤维素纳米晶是一种从植物细胞壁的主要成分发展而来的纳米颗粒,经过改造,其两端都有大量的聚合物链“毛发”。这些毛发大大提高了纳米晶体的潜在药物捕获能力,显著超过了传统的纳米粒子和其他材料。  为了生产能够捕获化疗药物的毛状纤维素纳米晶体,研究人员对针叶木浆中的纤维素纤维进行了化学处理,并在毛发上赋予负电荷,使它们在血液中发现的带电分子面前保持稳定。而传统纳米粒子暴露在血液中时,其电荷可能会变得惰性或减少,从而限制了它可以结合到的正电荷药物分子的数量。  科学家们已尝试了许多方法从血液中去除不必要的化疗药物,特别是广泛使用的药物阿霉素(DOX),但效果有待提升。研究人员此次在人血清中测试了纳米晶体的结合功效后发现,每克毛状纤维素纳米晶体可从血清中有效去除超过6000毫克的DOX。与现有的其他方法相比,这意味着DOX捕获量增加了两到三个数量级。  此外,DOX的捕获是在加入纳米晶体后立即发生的,并且纳米晶体对全血中的红细胞和人脐细胞的生长没有毒性或有害影响。除了从体内去除多余的化疗药物外,毛状纤维素纳米晶体还可从体内去除其他物质,如毒素和成瘾药物。实验还证明了纳米晶体在其他分离应用中的有效性,例如从电子废物中回收有价值的元素。
  • 科研人员制备稳定钙钛矿纳米晶体,可使LED灯成本更低/寿命更长
    据外媒报道,发光二极管(LED)是照明行业的无名英雄。它们运行效率高,散发的热量少,持续时间长。现在,科学家们正在研究一种新材料以使LED在消费电子、医药和安全领域的应用变得更有效且寿命更长。来自美国能源部(DOE)阿贡国家实验室、布鲁克海文国家实验室、洛斯阿拉莫斯国家实验室和SLAC国家加速器实验室的研究人员报告称,他们已经为此类LED制备了稳定的钙钛矿纳米晶体。来自中国台湾地区的研究院也在这项研究中做出了贡献。钙钛矿是一类具有特殊晶体结构的材料,具有吸光和发光的特性,在一系列节能应用中非常有用,包括太阳能电池和各种探测器。虽然钙钛矿纳米晶体是一种新型LED材料的主要候选材料,但在测试中证明其不稳定。研究小组将纳米晶体稳定在多孔结构中,这种多孔结构被称为金属有机框架,简称MOF。基于地球上丰富的材料并在室温下制造,这些LED有朝一日可能会使成本更低的电视和消费电子产品以及更好的伽马射线成像设备,甚至是用于医学、安全扫描和科学研究的自供电X射线探测器。“我们通过将钙钛矿材料封装在MOF结构中来解决其稳定性问题,”DOE用户设施办公室Argonne的奈米材料中心(CNM)的科学家Xuedan Ma说道,“我们的研究表明,这种方法使我们能大幅提高发光纳米晶体的亮度和稳定性。”美国洛斯阿拉莫斯大学前J. R. Oppenheimer博士后Hsinhan Tsai补充称:“在MOF中结合钙钛矿纳米晶体的有趣概念已经以粉末形式被证明,但这是我们首次成功地将其集成为LED的发射层。”之前试图制造纳米晶体LED的尝试被纳米晶体降解回不需要的体积相所阻碍,这使其失去了纳米晶体的优势并削弱了它们作为实用LED的潜力。大块物质由数十亿个原子组成。像钙钛矿这样的材料在纳米阶段是由几个到几千个原子组成的,因此表现不同。在他们的新方法中,研究小组通过在MOF的矩阵中制造纳米晶体来稳定纳米晶体,就像网球被铁丝网夹住一样。他们使用框架中的铅节点作为金属前体,卤化物盐作为有机材料。卤化物盐的溶液中含有甲基溴化铵,它跟框架中的铅反应并在基体中的铅核周围组装纳米晶体。由于基质会使纳米晶体保持分离,所以它们不会相互作用和降解。这种方法是基于一种解决方案涂层的方法,比目前广泛使用的用于制造无机LED的真空处理要便宜得多。MOF稳定的LED可以制造出明亮的红色、蓝色和绿色光以及每种光的不同色调。洛斯阿拉莫斯国家实验室综合纳米技术中心的科学家Wanyi Nie说道:“在这项工作中,我们首次证明了在MOF中稳定的钙钛矿纳米晶体将创造出各种颜色的明亮、稳定的LED。我们可以创造不同的颜色、提高颜色纯度并提高光致发光量子产量,这是一种衡量材料发光能力的指标。”该研究小组使用先进光子源(APS)--DOE位于阿贡的科学用户设施办公室--进行时间分辨X射线吸收光谱分析,这项技术使他们能发现钙钛矿材料随时间的变化。研究人员能跟踪电荷在材料中移动的过程并了解光发射时发生的重要信息。“我们只能通过APS强大的单个X射线脉冲和独特的时间结构来实现这一点,”阿贡X射线科学部的小组负责人Xiaoyi Zhang说道,“我们可以追踪带电粒子在微小钙钛矿晶体中的位置。”在耐久性测试中,该材料在紫外线辐射、热和电场下表现良好且不会降解并失去其光探测和发光效率,这是电视和辐射探测器等实际应用的关键条件。
  • 西安交大《自然通讯》:百纳米级金刚石颗粒自驱动进入钢铁晶体
    近日,西安交通大学材料学院单智伟教授团队与材料创新设计中心团队合作,研究发现数十、甚至百纳米级别的金刚石颗粒可以在远低于钢铁熔点的温度下,以颗粒而非单个原子的形式,自驱动地进入钢铁晶体内部并且持续向内“行走”,最大行程可达数毫米且主体部分始终保持金刚石晶体结构。关于这一发现及其背后的物理机制的文章,以《纳米金刚石颗粒在铁晶体内部中的运动》(“Inward motion of diamond nanoparticles inside an iron crystal”)为题发表在《自然通讯》杂志上。西安交通大学为该工作的第一作者单位和唯一通讯单位,西安交通大学王悦存副教授、王旭东博士、丁俊教授为共同第一作者;西安交通大学单智伟教授和马恩教授为本文通讯作者;为该研究作出重要贡献的还有美国麻省理工学院李巨教授、西安交通大学张伟教授、沈阳理工大学段占强教授、贾春德教授和西安交通大学的梁倍铭硕士、黄龙超博士,范传伟工程师及博士研究生徐伟、刘章、郑芮,硕士研究生左玲玲等。该研究得到了国家自然科学基金委、西安交大青年拔尖人才计划、西安交通大学王宽诚青年学者等项目的支持。钢铁渗碳的历史可以追溯到两千年多年前,其主要过程是:外界碳源(固/液/气)在高温下分解为活性碳原子并逐渐渗入进钢铁,从而使低碳钢工件拥有高碳表面,再经淬火、回火处理,获得高硬度、高耐磨的表面。传统认知中,渗碳所用的碳源必须要先分解成活性碳原子,然后才能在浓度梯度驱动下,以单个原子的形式扩散进入铁晶格并间隙固溶其中,过饱和后以碳化物或石墨的形式析出。然而,进入的碳无法以最理想的强化相——金刚石出现。由此引发了一个科学上的创新思考:金刚石小颗粒有没有可能整体进入钢铁晶体中,并且保留金刚石结构。为验证这一大胆设想,研究团队以金刚石纳米颗粒和高纯铁及低碳钢为对象(图1a, b),利用原位透射电子显微镜对加热过程中金刚石纳米颗粒的运动过程进行实时观察:当表面附着有金刚石颗粒的钢铁被加热到一定温度后,其表面氧化膜首先发生分解,暴露出新鲜的铁原子。然后这些铁原子迅速向上扩散覆盖金刚石颗粒的表面,金刚石颗粒在毛细应力驱动下被快速“吞没”进钢铁基底中。冷却至室温后观察发现:金刚石颗粒不仅能够大量进入到钢铁内部(图1c),并且沉入深度可达到纳米金刚石颗粒自身尺寸的数千倍以上(毫米级)。图1d示意了整个进入过程。结合第一性原理计算、蒙特卡洛模拟及多维度表征,进一步揭示了纳米金刚石颗粒在钢铁晶体内部运动的微观机制:在铁的催化作用下,金刚石颗粒表面发生石墨化并部分溶解,在钢铁基底中及纳米金刚石颗粒周围分别形成长程和局部的碳浓度暨化学势梯度。在与此伴生的铁化学势梯度驱动下,金刚石周围的铁沿着金刚石和铁基底的界面不断上涌并形成一个向下局部应力,“推动”着金刚石向下前进。铁原子在金刚石颗粒表面的石墨层内的界面扩散,恰好为其远程迁移提供了快速通道(铁原子沿此通道向上迁移的速率得以高于铁晶格中碳原子向下运动的速率)。图1 (a)研究中所用的纳米金刚石粉的透射电镜表征;(b)纳米金刚石颗粒进入纯铁基底中的原位扫描观察;(c)纳米金刚石颗粒在铁内部的透射表征;(d)纳米金刚石自驱动进入钢铁基底的全过程及原理示意。由于纳米金刚石具有超高强度、热导率、化学稳定性与低热膨胀系数、低摩擦系数、超高等特点,是一种理想的金属强化粒子。基于上述发现,将纳米金刚石渗入进钢铁材料中,形成钢铁和金刚石的梯度复合材料,有可能大幅改善钢铁的表面性能,如硬度、导热性和耐磨性等。中国是最大的人造金刚石制造国,生产了世界上90%以上的人造金刚石,其中作为副产品的纳米金刚石粉的价格仅为~2000元/公斤。初步估算显示1公斤纳米金刚石粉能处理10吨的钢材(形成mm级的硬化层)。中国的钢铁年产量超过10亿吨,占世界总产量的一半以上,同时,中国也是钢铁的最大使用国,应用需求非常旺盛。该研究为钢铁材料的表面强化提供了新的思路和方法。文章链接:https://www.nature.com/articles/s41467-024-48692-5#citeas
  • 微电子所在垂直沟道纳米晶体管研发方面获进展
    垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等优势,在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。要实现垂直沟道纳米晶体管的大规模制造,须对其沟道尺寸和栅极长度进行精准控制。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管,现阶段控制沟道尺寸的最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术,但该技术控制精度有限,导致器件性能波动过大,不能满足集成电路大规模先进制造的要求。中国科学院微电子研究所研究员朱慧珑团队在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上,提出并研发出了一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件(VCNFET)以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”,其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制,为大规模制造高性能器件奠定了基础,研制出的硅基器件亚阈值摆幅(SS)以及漏致势垒降低(DIBL)分别为61mV/dec和8mV/V,电流开关比达6.28x109,电学性能优异。相关研究成果于近日以Vertical C-Shaped-Channel Nanosheet FETs Featured with Precise Control of both Channel-Thickness and Gate-Length为题发表在IEEE Electron Device Letters上。论文链接 图1 (a) 垂直纳米片器件的TEM截面图 (b) 器件沟道中心位置的纳米束衍射花样 (c) 外延硅沟道的TEM俯视图 (d)-(f) 器件截面的EDS能谱图图2 垂直纳米片器件的转移输出特性曲
  • 新技术,美国成功制造了用于半导体纳米晶体的液池透射电镜仪器
    不同尺寸和形状的半导体纳米晶体可以控制材料的光学和电学性质。液池透射电子显微镜LCTEM是一种新兴的方法,用于观察纳米尺度的化学变化,并为具有预期结构特征的纳米结构的精确合成提供信息。科学家们正在研究半导体纳米晶体的反应,方法是研究过程中通过液体辐解产生的高反应环境。在最近发表的一份新论文中,科学家们利用了辐射分解过程,取代了典型半导体纳米材料的单粒子蚀刻轨迹。工作期间使用的硒化铅纳米管代表了各向同性结构,以通过逐层机制保持用于蚀刻的立方形状。各向异性箭头形硒化镉纳米棒保持了带有镉或硒原子的极性刻面,透射式液体细胞电子显微镜的轨迹揭示了液体环境中特定表面的反应性如何控制半导体的纳米级形状转变。半导体纳米晶体包含广泛可调的光学和电学特性,这些特性取决于其尺寸和形状,适用于多种应用。材料科学家已经描述了特定块体晶体小面对生长和蚀刻反应的反应性,开发出任意的图案纳米晶体的多面性及其反应机制使其成为直接研究的热点,胶体纳米晶体的热力学可以影响限定它们的有机或者无机界面。液体细胞透射电子显微镜提供了所需的时空分辨率,以观察纳米级动力学,如自组装过程。因此,科学家们在两个透射电子显微镜网格的超薄碳层之间夹了一个含有纳米晶体的水性袋,并使用三(羟甲基)氨基甲烷盐酸盐,这是一种有机分子来调节敏感半导体纳米晶体的蚀刻。LCTEM和纳米晶体的现有研究仅限于贵金属,因为它们在辐射分解过程中无法调节化学环境,导致活性材料降解。这项新的研究表明,有可能为LCTEM设计新的环境,以观察反应性纳米晶体的单粒子蚀刻轨迹。在实验过程中,三氨基甲烷盐酸盐添加剂调节了蚀刻过程的电化学电位,团队使用动力学建模来估计液体电池中胺自由基物种的浓度和电化学电位。为了证明这一概念,美国科学家们获得了真空中硒化铅纳米立方体的代表性透射电子显微镜图像,并在硒化铅奈米晶体的逐层蚀刻过程中收集了一系列图像。LCTEM成像结果显示,作为蚀刻反应的产物,在硒化铅纳米晶体周围形成了具有较高图像对比度的物质,似乎在蚀刻过程中,硒氧化并分散到液体中,以促进氯化铅的形成,铅袋中有氯离子。与硒化铅的立方晶格相比,纤锌矿硒化镉具有各向异性晶格,镉和硒原子交替层。在纤锌矿硒化镉纳米晶体的生长过程中,表面活性剂配体有利地结合到镉区域,以促进硒区域的快速生长。未来的研究将或者利用核/壳纳米晶体以及通过无机或者有机界面组装的纳米晶体,获得关于功能纳米结构阵列转化的实时信息。
  • Science:石墨烯莫尔(moiré )超晶格纳米光子晶体近场光学研究
    光子晶体又称光子禁带材料。从结构上看,光子晶体是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计和制造的晶体,其物理思想可类比半导体晶体。通过设计,这类晶体中光场的分布和传播可以被调控,从而达到控制光子运动的目的,并使得某一频率范围的光子不能在其中传播,形成光子带隙。 光子晶体中介质折射率的周期性结构不仅能在光子色散能带中诱发形成完整的光子带隙,而且在特定条件下还可以产生一维(1D)手性边界态或具有Dirac(或Weyl)准粒子行为的奇异光子色散能带。原则上,光子晶体的概念也适用于控制“纳米光”的传播。该“纳米光”指的是限域在导电介质表面的光子和电子的一种耦合电磁振荡行为,即表面等离子体激元(SPPs)。该SPP的波长,λp,相比入射光λ0来说多可减少三个数量。如果要想构筑纳米光子晶体,我们需要在λp尺度上实现周期性介电结构,传统方法中采用top-down技术来构建纳米光子晶体,该方法在加工和制造方面具有较大的限制和挑战。 2018年12月,美国哥伦比亚大学D.N. Basov教授在Science上发表了题为Photonic crystals for nano-light in moiré graphene superlattices的全文文章。研究者利用存在于转角双层石墨烯结构(twisted bilayer grapheme, TBG)中的莫尔(moiré)超晶格结构,成功构筑了纳米光子晶体,并利用德国neaspec公司的neaSNOM纳米高分辨红外近场成像显微镜研究了其近场光导和SPP特性,证明了其作为纳米光子晶体对SPP传播的调控。 正常机械解理的双层石墨烯是AB堆叠方式,但是,当把其中的一层相对于另一层旋转一个角度,就会形成AB和BA堆叠方式相间排列的莫尔超晶格结构,AB畴区和BA畴区之间是AA堆叠方式的畴壁,如图例1A所示。如果通过门电压对该双层石墨烯施加一个垂直电场,会在AB畴区和BA畴区打开一个带隙,从AB畴区到BA畴区堆叠次序的反转连同能带结构的反转则会在畴壁上形成拓扑保护的一维边界态,如图例1C。一维边界态的存在会使得畴壁上光学跃迁更加容易,表现为畴壁上增强的光导能力。研究者通过德国neaspec公司的neaSNOM高分辨率散射式近场红外光学显微镜对样品进行近场纳米光学成像,在近场光学振幅成像中观察到了转角双层石墨烯上六重简并的周期性亮线图案,成功可视化了这种光导增强的孤子超晶格网络。从近场光学振幅成像上可以看到孤子超晶格周期长度大约为260nm,据此,研究者推断对应的转角大约为0.06°。 图例1:散射式近场光学显微镜(neaSNOM)对转角双层石墨烯(TGB)进行近场纳米光学成像研究的结果。A:实验示意图(AB,BA,和AA表示石墨烯不同堆叠类型);B:近场纳米光学振幅成像及TEM图;C:畴壁上电子能带结构。 不仅孤子超晶格的周期性和等离激元的波长相匹配,而且之前的研究表明,双层石墨烯中的孤子对SPP具有散射行为,转角双层石墨烯中规律的孤子结构所形成的周期性散射源恰好满足了作为纳米光子晶体的条件。接下来研究孤子超晶格对SPP的光子晶体效应,实验中研究者利用neaSNOM近场光学显微镜的针作为SPP发射源,并通过改变门电压和入射光波长改变SPP的波长,在该器件上同时得到了两组近场光学振幅图和相位图(如图例2B和2C)。从图中可以看到,λp=135 nm和λp=282 nm的情况下,近场光学振幅图和相位图表现出截然不同的周期性明暗图案,这种周期性明暗分布正是SPP在孤子超晶格传播过程中干涉效应的显现,近场光学振幅图、相位图和理论计算结果显示出的吻合性。对近场光学成像的傅里叶变换使得研究者可以进入动量空间研究其光子能带结构,结合模拟计算,对光子能带结构的研究表明,虽然孤子对SPP的散射较弱,还不足以形成纳米光学带隙,但是转角双层石墨烯中SPP的传播毫无疑问符合纳米光子能带色散行为。 图例2:散射式近场光学显微镜(neaSNOM)研究石墨烯超晶格中等离激元(SPP)传播近场光学成像结果。A,C: 通过改变门电压和入射光波长,λp分别为135nm和282nm下近场光学成像结果(同时获得近场光学振幅成像和相位成像);B,D: 模拟计算结果。 在该项工作中,研究者利用转角双层石墨烯设计实现了石墨烯SPP纳米光子晶体,并利用德国neaspec散射式近场光学显微镜从几个途径进行了研究。先,畴壁区域增强的光导响应来源于孤子的一维拓扑边界态,neaSNOM近场光学显微镜以高的分辨率可视化了孤子超晶格网络。其次,双层石墨烯纳米光子晶体的主要参数(周期性、能带结构)可以通过改变转角角度和静电场等实现连续调控,这可以突破标准top-down或光刻等技术来构筑纳米光子晶体的限制和挑战。在电中性点附近,孤子被预言具有拓扑保护的一维等离激元模式,此时,双层石墨烯纳米光子晶体作为一维等离激元的二维网络载体,可能会展现出很有意思的光学现象。 特别值得指出的两点是:1.即使研究者通过0.06°的超小转角制造了高达260nm的孤子超晶格周期长度,如果没有neaSNOM近场光学显微镜高的空间分辨率(取决于针曲率半径,高可达10nm),清晰地看到孤子超晶格网络依然是非常困难的。2.neaSNOM近场光学显微镜具有的伪外差相位解调模块,可以同时实现高信噪比下的近场光学信号振幅成像和相位成像。该项工作中实验结果和模拟计算结果的吻合很好地证明了这一点。作为二维材料纳米光学领域为专业的研究工具,neaspec近场光学显微镜已经助力国际和国内多个研究机构在为的杂志发表了诸多研究成果。不仅是在纳米光学成像领域,neaspec开放兼容的设计使得它在纳米傅里叶红外光谱(nano-FTIR)、太赫兹(THz)、拉曼、荧光、超快、光诱导等多个领域均有广泛应用。
  • 纳米能源所等研发出无栅极摩擦电子学晶体管
    style type="text/css".TRS_Editor P{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor DIV{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TD{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TH{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor SPAN{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor FONT{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor UL{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor LI{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor A{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }/stylep  近年来,移动互联网和智能终端的快速发展刺激了智能传感技术在人机交互、人工智能和可穿戴设备等领域的研究。同时,由于场效应晶体管具有低成本和大规模化等特点,因而被广泛地应用于电子器件、人机交互和健康监测等领域。但传统场效应晶体管需要通过栅电极接入电信号用于传感和控制,栅电极的制备工艺复杂,容易损坏,在一定程度上限制了其在可穿戴智能器件上的发展。/pp  2014年,中国科学院外籍院士、中科院北京纳米能源与系统研究所首席科学家王中林和研究员张弛率领的研究组,首次提出了摩擦电子学这一新的研究领域,利用摩擦产生的静电势作为门极信号来调控半导体中电传输与转化特性,可以用于信息传感和主动性控制,实现了各种人机交互式功能器件,如机电耦合逻辑电路、触控型电致发光、接触式机电存储、增强型光电转换、智能触摸开关、主动式触觉成像系统、电子皮肤、柔性透明晶体管等。近年来,摩擦电子学得到了国内外学者的广泛关注和跟踪研究,成为柔性电子学领域的研究热点。/pp  近日,该科研团队与清华大学化学系副教授董桂芳团队合作,共同研发出一种无栅电极的柔性有机摩擦电子学晶体管。研究人员利用一个可移动摩擦层,直接与介电层接触起电,实现了对晶体管源漏电流的调控,该器件可用于传感触觉压力和磁场强度,能够实现21%Pasup-1/sup和16%mTsup-1/sup的灵敏度,以及优于120ms的响应时间,具有良好的稳定性和耐久性。该器件基于介电层与外部直接接触起电来代替传统栅电压的传感机制,能够有效简化晶体管中栅电极的制备工艺,避免因器件弯曲造成的栅电极损坏,增加其作为传感器的稳定性和耐久性,建立了一种与外界环境刺激的直接交互机制,在人机界面、电子皮肤、可穿戴电子设备以及智能传感领域具有广阔的应用前景。/pp  相关研究成果发表在emACS Nano/em上。/ppbr//pp style="text-align:center "img alt="" oldsrc="W020171116586287109024.jpg" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201711/uepic/bfe1a876-e48c-48ba-a1f0-60df2d550ca4.jpg" uploadpic="W020171116586287109024.jpg"//pp  (a) 无栅极摩擦电子学晶体管工作原理示意图。(b) 用于力磁传感的无栅极柔性摩擦电子学晶体管实物图。(c) 力磁传感工作原理示意图。(d) 不同压力下源漏电流的变化。(e) 不同磁场强度下源漏电流的变化。(f) 手指按压传感器控制LED灯亮度演示压力传感。(g) 磁铁接近传感器控制LED灯亮度演示磁场强度传感。/p
  • 朱慧珑研究员团队垂直沟道纳米晶体管研发工作获重要突破
    垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等天然优势,在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。 要实现垂直沟道纳米晶体管的大规模制造,须对其沟道尺寸和栅极长度进行精准控制。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管,现阶段控制沟道尺寸最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术,但该技术控制精度有限,导致器件性能波动过大,不能满足集成电路大规模先进制造的要求。 微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队,在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上,提出并研发出了一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件(VCNFET)以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”,其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制,为大规模制造高性能器件奠定了坚实基础,研制出的硅基器件亚阈值摆幅(SS)以及漏致势垒降低(DIBL)分别为61mV/dec和8mV/V,电流开关比高达6.28x109,电学性能优异。 近日,该研究成果以“Vertical C-Shaped-Channel Nanosheet FETs Featured with Precise Control of both Channel-Thickness and Gate-Length”为题发表在电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters(DOI: 10.1109/LED.2022.3187006)上,先导中心博士生肖忠睿为该文第一作者,朱慧珑研究员为通讯作者。 该研究得到科技部、中科院和北京超弦存储器研究院的项目资助。论文链接:https://ieeexplore.ieee.org/document/9810318 图1 (a) 垂直纳米片器件的TEM截面图 (b) 器件沟道中心位置的纳米束衍射花样 (c) 外延硅沟道的TEM俯视图 (d)-(f) 器件截面的EDS能谱图图2 垂直纳米片器件的转移输出特性曲线【近期会议推荐】仪器信息网将于2022年8月30-31日举办第五届纳米材料表征与检测技术网络会议,开设“能源与环境纳米材料”、“生物医用纳米材料”“纳米材料表征技术与设备研发(上)”、“纳米材料表征技术与设备研发(下)”4个专场,邀请20余位国内知名科研院所、高等院校、仪器企业的专家学者做精彩报告,内容涉及冷冻电镜、透射电镜、扫描电镜、扫描隧道能谱、X射线光电子能谱仪、纳米粒度及Zeta电位仪、超分辨荧光成像、表面等离子体耦合发射、荧光单分子单粒子光谱磁纳米粒子成像、拉曼光谱、X射线三维成像等多种表征与分析技术。报名听会1、扫描下方二维码进入会议官网,点击“立即报名”:2、复制下方链接在浏览器中打开,进入会议官网后点击“立即报名”https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/nano2022/
  • 清华大学新成果:同时实现深亚埃分辨的原子结构成像和亚纳米分辨的晶体取向成像
    近日,清华大学材料学院于荣教授课题组与李千副教授课题组在晶体取向成像方法和位错三维结构研究中取得进展。该研究基于课题组近期发展的自适应传播因子叠层成像方法,在自支撑钛酸锶薄膜中同时实现了深亚埃分辨的原子结构成像和亚纳米分辨的晶体取向成像,并揭示了钛酸锶中位错芯在电子束方向的结构变化。晶格缺陷是材料中的重要组成部分。相对于完美基体,缺陷处的对称性、原子构型、电子结构都发生变化,在调节材料整体的力学、电学、发光和磁性行为方面发挥着关键作用。然而,缺陷处的对称破缺和原子的复杂构型也给缺陷结构的精确测量带来障碍。比如,位错附近不可避免存在局域应变和晶体取向变化,但是用高分辨电子显微学表征晶体中的原子构型又要求晶带轴平行于电子束,否则分辨率会显著降低。这个矛盾一直是位错原子结构的实验分析中难以克服的困难。研究组通过自适应传播因子多片层叠层成像技术研究了钛酸锶中位错芯的原子结构。如图1所示,研究成功地将晶体倾转从原子结构成像中分离出来,同时实现了达到深亚埃分辨率的原子结构成像和亚纳米分辨率的晶体取向成像。图1. SrTiO3中位错的结构像和取向分布。a、叠层成像的重构相位。b、图a中相位图的衍射图,黄色虚线表示0.3Å的信息极限。c、叠加相位图的晶体倾转分布,白色箭头表示[001]方向在平面内的投影,黄色箭头表示位错核的横向移动。d、晶体在[100]和[010]方向的倾转的分布。标尺长1nm在图1中,位错芯看起来范围很小,只有一两个单胞。这种衬度在位错的高分辨成像中很普遍,人们通常认为这样的位错是沿着电子束方向的直线。然而,应用多片层叠层成像的深度分辨能力,可以看出该位错并不是一根直线,而是随着样品深度发生横向位移,形成位错扭折,如图2所示。图2. 刃位错的三维可视化。a、刃位错的相位图;标尺长5Å。b、图a中用A-B标记的分裂原子柱相位强度的深度变化。c、Sr、TiO和O原子柱的相位强度的深度分布。d、深度分别为2.4nm、6.4nm和12.0nm的相位图;标尺长5Å。e、图d中标记的原子柱的相位随样品深度的变化。f、位错扭折示意图该研究还比较了叠层成像和iCOM技术(其简化版即常见的iDPC技术),结果显示叠层成像在横向和深度方向的分辨率都显著优于iCOM和iDPC,如图3所示。图3.多片层叠层成像和系列欠焦iCOM的深度切片。a、多片层叠层成像和iCOM的深度切片;从上到下,切片深度分别为1nm、4nm和11nm;标尺长5Å。b、沿着位错扭折的势函数和相位图的横截面;从左到右分别是用于生成模拟数据集的势函数、多片层叠层重构的相位和系列欠焦iCOM相位;可以看出,iCOM的模糊效应显著大于叠层成像。c、图b中所示的原子柱的相位随样品深度的变化。黑色垂直虚线表示沿原子柱的转折点的真实位置(与图b中白色虚线所示位置相同);可以看出,iCOM在深度方向的模糊效应也大于叠层成像研究总结了多个位错芯的深度依赖结构与晶体取向分布,揭示了位错移动与薄膜形变方式的相互关系。如图4所示,当薄膜绕位错的滑移面法线方向扭转时,位错滑移;当薄膜绕位错的滑移面法线方向弯曲时,位错攀移。图4. SrTiO3中多个位错的晶体倾转分布。a、包含三个位错的区域的相位图。b、对应图a中区域的晶体倾转分布,其上叠加了相位图;黄色箭头表示位错的横向移动方向。图a和b中的标尺为15Å。c、晶体倾转与位错横向位移的相互关系;晶格矢量c由于倾斜矢量t变为c’,即c’=c+t;黑色方块用于说明应变状态;左边为扭转,右边为弯曲;在两种形变模式中,薄膜上部和下部的应变都是反向的,对应位错向相反方向的横向移动。图b中左上角的位错和图2中的位错对应于扭转模式;图b的中心和右上方的位错对应于两种模式的混合研究结果以“晶体取向的亚纳米尺度分布和钛酸锶位错芯的深度依赖结构”(Sub-nanometer-scale mapping of crystal orientation and depth-dependent structure of dislocation cores in SrTiO3)为题于1月11日发表在学术期刊《自然通讯》(Nature Communications)上。清华大学材料学院2018级博士生沙浩治、2022级博士生马云鹏、物质科学实验中心工程师曹国平博士、2019级博士生崔吉哲为共同第一作者,于荣教授与李千副教授为共同通讯作者。物质科学实验中心程志英高级工程师在实验数据采集中提供了重要帮助。该研究获得国家自然科学基金基础科学中心项目的支持。
  • Nature Communications:AFM-IR研究铁电纳米晶极化所罗门环结构
    所罗门环是数学扭结理论中的一个重要拓扑结构,它由两个分量和四个交叉点组成。最近人们发现,这种拓扑结构可以通过化学和生物分子的自组织形成。本研究中来自北京理工大学和清华大学的学者首次在BiFeO3铁电纳米晶体中观察到了极化所罗门环,并且极化所罗门环和中心型四瓣畴之间的拓扑相变可以通过电场可逆调控。AFM-IR测量结果显示两种拓扑极性结构具有不同的太赫兹红外吸收行为,这一特征可以用于设计具有纳米级分辨率的红外显示器。相关成果以Polar Solomon rings in ferroelectric nanocrystals为题,发表在Nature Communications上。在本项研究中,作者采用了几种先进的理论和实验方法,包括压电力显微镜,相场模拟分析和纳米红外技术来验证BiFeO3纳米晶的拓扑结构,电场可逆调控和红外吸收特性。图1所示,采用压电力显微镜,作者在自组装BiFeO3纳米晶中观察到极化所罗门拓扑畴结构,该结构由两个三维涡旋环组成:R+ 4 ,R-3 ,R+ 2 ,R-1(蓝色环)和R- 4 ,R+ 3 ,R- 2,R+ 1(红色环);两个涡旋相互扭抱,在三维空间共有四个交点。通过相场模拟分析(图2),作者表征了极化所罗门环的拓扑特性。通过计算纳米岛各层中畴结构的三维极化分布,验证了纳米岛极化所罗门环的存在,并通过计算极化缠绕数验证其拓扑特性。进一步的测试表明,通过施加外部电场,BiFeO3铁电纳米晶体的畴可以在极化所罗门环和中心型四瓣畴之间可逆地转变(图3)。未施加偏压下,纳米晶的极化畴呈所罗门环结构;-4V偏压下,环形结构消失,出现中心型四瓣畴结构;施加2V翻转偏压后,中心型筹结构又转变为所罗门环结构;增加偏压至3V,所罗门环结构转变为中心收敛的筹结构;继续施加翻转偏压-2V后,又变回所罗门环结构。通过AFM-IR探索了极化所罗门环结构与中心型四瓣畴结构不同的太赫兹红外光吸收性能(图4)。AFM-IR光谱显示两种筹结构在1100cm-1处存在出宽的吸收带,对应O-Fe-O键的倍频信号。向上和向下的四元域对该波段吸收更强,所罗门环吸收较弱。1100cm-1处的AFM-IR成像也证实了具有不同拓扑结构的BiFeO3纳米晶体的相对吸收强度的差异。铁电纳米晶筹结构对红外光的吸收取决于极化方向与红外光偏振方向的相对角度,以及畴壁的体积分数。所罗门环和中心型筹结构与红外光平行或反平行,吸收都较强。但所罗门环的畴壁的体积分数更大,畴壁对红外波段不活跃,因此,在所罗门环中观察到的光吸收最弱。在进一步的实验中(图5),选择具有极化所罗门环的大面积BiFeO3纳米晶体阵列作为弱的红外光吸收基体,向纳米晶体交替施加电压以产生交替的中心型畴和所罗门环。高分辨率红外图像清楚的显示出交替的强吸收和弱吸收。证实了所罗门环和中心型畴之间的可逆相变。通过外加电场调控BiFeO3纳米晶阵列畴结构类型,在纳米红外吸收图像中显示出”BIT”字样。本研究在实验和计算上证实了极化所罗门环的存在和电学调控,AFM-IR验证了两种筹结构不同的光吸收响应,这种具有不同光吸收特性的新型可控拓扑极化结构,可能为红外显示器的设计铺平道路。
  • 《三体》中的“纳米飞刃”真实存在吗?扫描电子显微镜给你答案
    不久之前,中国科幻巨作《三体》被搬上荧幕,为人们展现了一个恢弘的三体世界。作为人类与三体力量展开对决的第一幕,电视剧很好地还原了原著中名场面“古筝行动”。古筝行动,即人类借助密集排列固定在运河两岸的“纳米飞刃”材料,将航行在巴拿马运河中载有地球三体组织核心成员的“审判日”号巨轮切削成薄片,以此消灭三体组织核心成员,并获取三体世界重要情报,完成了人类对地球三体力量“审判日”号的审判。图片来源:腾讯视频-电视剧《三体》那么这种只有头发丝十分之一粗细的“飞刃”究竟是什么材料?在现实生活中真实存在吗?是否真能做到像切豆腐一样削铁如泥呢?从“飞刃”的研发者汪淼教授背后这张PPT我们可以看出,所谓的“飞刃”就是碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs),而这张图片来源于清华大学魏飞教授团队于2013年发表于《ACS Nano》杂志的一篇合成超长碳纳米管的论文(DOI: 10.1021/nn401995z)。图片来源:腾讯视频-电视剧《三体》碳纳米管是由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管,层与层之间保持约0.34 nm的固定距离,直径一般为2~20 nm。是一种一维量子材料,具有优异的力学、电学和化学性能。碳纳米管中碳原子形成的化学键同时具有sp2和sp3杂化,主要是sp2杂化,具有高模量和高强度。它的抗拉强度达到50~200GPa,是钢的100倍,密度却只有钢的1/6。它的弹性模量可达1TPa,与金刚石的弹性模量相当,约为钢的5倍。碳纳米管是目前可制备出的具有最高比强度的材料。碳纳米管的硬度与金刚石相当,却拥有良好的柔韧性,可以拉伸,是理想的高强度纤维材料,因此“纳米飞刃”在理论上是真实存在的。同时,碳纳米管也是制造“太空电梯”缆绳的最佳材料。 上图为使用KYKY-EM8100型场发射枪扫描电子显微镜拍摄的不同放大倍数的多壁碳纳米管,扫描电子显微镜可以很好地观察碳纳米管的管径、长径比、团聚程度以及断裂缺陷等。在实际应用中,虽然碳纳米管拥有超强的力学性能,但离产业化应用还有很长的一段路要走,除了剧中汪淼博士提到的无法量产的问题以外,还存在着切割过程中材料磨损老化与摩擦放热等问题,这些都会造成碳纳米管材料的老化,使其力学性能大打折扣,造成纤维断裂。现阶段用碳纳米管是无法完成坚硬物体切割的,目前工业上有很多硬质材料都是用切割钢线或者更高质量的金刚线来切割。金刚线,顾名思义,跟金刚石有关,大体上是把金刚石的微粉颗粒以一定的分布密度均匀地镶嵌在母线(一般为高碳钢丝)上,做成的金刚石切割线。通过金刚石切割机,金刚线与被切割物体间进行高速磨削运动,从而实现切割目的。主要用于光伏领域的多晶硅切片、单晶硅、晶棒等。从晶体硅料到硅片经历切方、截断及切片三个环节,其中切方及截断环节为保证切割速度及切割效率,通常用较粗线径的金刚线,而切片环节根据原材料利用率等,选择较细的金刚线。图片来源于网络,版权归原创作者所有金刚线的母线,一般为高碳钢丝,由拉丝厂家将盘条拉制为不同直径的黄丝,再将黄丝进一步拉为微米级的母线。金刚石微粉由人造金刚石颗粒破碎而成,颗粒度一般小于50μm,是金刚线起切割作用的关键材料,其质量及稳定性直接影响后续电镀工艺及成品金刚线质量。金刚石的分布密度、固结强度、切割能力、钢线的抗疲劳性等都直接影响金刚线的性能。图片来源于网络,版权归原创作者所有 上图为使用KYKY-EM6900LV型钨灯丝扫描电子显微镜拍摄的金刚线的纵向及横向截面,可以很好地观察金刚线的母线线径、金刚石微粉的大小及分布密度、镀层的厚度、镀层与母线的固结程度等。科技的进步与发展离不开所有科技工作者付出的辛劳汗水,虽然现阶段人类受困于科技水平暂时还无法实现所有设想,但相信总有一天,人类终会登上碳纳米管缆绳搭载的太空电梯,登陆星际宇宙,挟飞仙以遨游,抱明月而长终。在漫长艰辛的科研旅程中,中科科仪扫描电子显微镜与您风沙星辰,永远相伴!是您科研道路上的得力助手!以上所有观测图均为KYKY-EM8100型场发射枪扫描电子显微镜和KYKY-EM6900LV型钨灯丝扫描电子显微镜拍摄。如有产品咨询意向、技术交流意向及样品测试需求,可扫描下方二维码联系中科科仪DEMO中心,我们将为您提供详细、专业的服务。
  • 发光“纳米快递员”可显示药物在体内移动
    俄罗斯国立核研究大学与其他机构的科研人员合作,开发出一种纳米探针,可以精准地向病变组织递送药物。有关专家称,该研究成果将有助于开发通用的靶向药物递送工具,有效治疗心血管疾病、癌症、糖尿病和一些其他疾病。相关论文发表在《纳米材料》杂志上。  向特定组织和细胞靶向递送药物是治疗病灶性疾病最重要的方向之一,包括心血管疾病、癌症、肺结核、两种类型的糖尿病和其他疾病。近年来的最新方法是通过纳米探针(能够携带药物和特殊分子的特殊结构)靶向病灶来实现。探针必须很小,大约几十纳米,同时它应具有严格定义的理化特性和尽可能低的毒性。  目前,世界上创建此类系统的技术正处于早期发展阶段,关键任务是研究药物递送过程。这就要求能够实时观察到探针在体内的移动,为此要使用特殊的激光照明。  俄国立核研究大学纳米生物工程实验室与莫斯科谢切诺夫第一国立医科大学、布洛欣国家肿瘤医学研究中心和法国兰斯香槟—阿登大学的科研人员,合作开发的新型超微探针满足了所有这些条件。  这种新型纳米探针由一个光致发光纳米晶体(量子点)和附着在其表面的吖啶衍生物分子(帮助探针穿过细胞膜的药物)组成。该系统与同类产品相比,优势在于尺寸超小,而CT亮度更高。  俄国立核研究大学纳米生物工程实验室副主任帕维尔萨莫赫瓦洛夫说,量子点是应用于一些高科技领域的荧光纳米结构,吸收光谱宽,发射光谱窄,由纳米晶体的尺寸决定。也就是说,一个量子点会以特定的颜色“发光”,这些特性使其成为医学中超敏感生物对象检测的近乎理想工具。  据悉,新型探针的尺寸大约15纳米,只有人体细胞的数百到数千分之一。CT扫描仪明亮的发光效果使研究人员可以通过定向激光束来追踪探针在身体组织中的移动。特殊的端羧基聚乙二醇外壳使纳米探针具有生物相容性,实验表明,它能够在细胞中迅速积累到所需的数量。  帕维尔萨莫赫瓦洛夫解释说,这种新型纳米探针主要用于开发抗癌药物靶向递送工具的实验研究,已经成为这种通用工具的原型。
  • Nature Communication:范德华晶体光学各向异性研究取得重要进展
    引言范德华晶体,包括石墨烯、氮化硼、过渡金属硫族化合物等广受关注的新型二维材料等,具有优良的力学、电学、光学性质,是构筑功能可控范德华异质结的基本单元,也是组成下一代高性能光电器件的基础材料。 范德华晶体具有层状结构,在层内由较强的共价键相互作用结合,在层间由较弱的范德华力结合。这一层状结构决定了范德华晶体的各种物理性质具有天然的各向异性,其中,光学各向异性对于新型光电器件的设计和优化至关重要,必须得到准确的表征。然而,受限于高质量范德华单晶的尺寸,传统的基于远场光束反射的光学各向异性表征方法,如端面反射法、椭偏法等,均不能准确表征范德华微晶体的光学各向异性。 成果介绍日前,中国科学院纳米科学中心纳米表征实验室戴庆(Quantum Design中国子公司用户)研究团队利用德国neaspec近场光学技术克服了上述范德华晶体有限尺寸导致的困难,成功测量了氮化硼及二硫化钼的介电常数张量。 图1 实验装置和近场成像原理示意图该团队先理论论证了在各向异性范德华纳米片中存在寻常及非寻常波导模式,这两种模式的面内波矢分别与范德华晶体的面内及面外介电常数相关;之后,他们使用neaSNOM散射型扫描近场光学显微镜,在范德华纳米片中激发寻常及非寻常波导模式,并对这些波导模式进行实空间近场光学成像;后,他们通过nanoFTIR纳米傅里叶红外模块对实空间近场光学图像的傅里叶分析,求得所测范德华晶体的光学各向异性。 图2 不同厚度MoS2样品的近场光学像及傅里叶分析 结论这一方法克服了传统表征手段对样品大小的限制,能够对单轴及双轴范德华晶体材料的光学各向异性进行的表征;通过对基底材料的优化设计,这一方法有望用于少层甚至单层范德华晶体光学各向异性的直接表征。该研究结果在线发表于Nature Communications,表征方法已申请发明。相关研究工作得到自然科学基金、青年千人计划等项目的资助。参考文献:Probing optical anisotropy of nanometer-thin van der waals microcrystals by near-field imaging (Nat. Commun., 2017, DOI: 10.1038/s41467-017-01580-7)文章来源:中国科学院纳米中心官网 neaSNOM小知识,你了解多少呢? neaSNOM散射式近场光学显微镜采用了化的散射式核心设计技术,大提高了光学分辨率,并且不依赖于入射激光的波长,能够在可见、红外和太赫兹光谱范围内,提供优于10nm空间分辨率的光谱和近场光学图像,保证了高度的可靠性和可重复性。技术特点和优势: ☆ 保护的散射式近场光学测量技术 ☆ 的高阶解调背景压缩技术 ☆ 保护的干涉式近场信号探测单元 ☆ 的赝外差干涉式探测技术 ☆ 保护的反射式光学系统 ☆ 高稳定性的AFM系统双光束设计nano-FTIR——纳米红外表征界的杠把子 nano-FTIR纳米傅里叶红外光谱技术综合了原子力显微镜的高空间分辨率和傅里叶红外光谱的高化学敏感度,在纳米尺度下可实现对几乎所有材料的化学分辨。而且在不使用任何模型矫正的条件下,nano-FTIR获得的近场吸收光谱所体现的分子指纹特征与使用传统FTIR光谱仪获得的分子指纹特征高度吻合,这在基础研究和实际应用方面都具有重要意义。相关产品及链接1、超高分辨散射式近场光学显微镜:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C170040.htm 2、纳米傅里叶红外光谱仪 :http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C194218.htm3、太赫兹近场光学显微镜:http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C270098.htm
  • Science|一种纳米光子学闪烁体:闪烁数量级增强 推进电镜等技术发展
    仪器信息网讯 2月25日,麻省理工学院电子研究实验室和物理系等在Science发表一种纳米光学的闪烁体架构最新成果:A framework for scintillation in nanophotonics。该闪烁体架构在电子诱导和x射线诱导的闪烁中都获得了近一个数量级的增强,有助于开发出一种更亮、更快、更高分辨率的新型闪烁体。这或将推动医学成像、x射线无损检测、电子显微镜和高能粒子探测器等技术的发展。(DOI: 10.1126/science.abm9293 )闪烁体纳米光子学当高能粒子与材料碰撞时,能量会传递给材料中的原子,从而可以发光。这种闪烁过程被应用于从医学成像到高能粒子物理学等的许多探测器中。Roques-Carmes等人将纳米光子结构集成在闪烁材料上,以增强和控制其光发射。作者展示了纳米光子结构如何塑造闪烁的光谱、角度和偏振特性。这种方法将有助于开发更亮、更快和更高分辨率的闪烁体。摘要高能粒子对材料的轰击通常导致光发射,这一过程称为闪烁。闪烁在医学成像、x射线无损检测、电子显微镜和高能粒子探测器中有广泛的应用。大多数研究集中在寻找更亮、更快、更可控的闪烁材料。团队发展了一个统一的纳米光子闪烁体理论,该理论解释了闪烁的关键方面:高能粒子的能量损失,以及纳米结构光学系统中的非平衡电子的光发射。然后,我们设计了一种基于将纳米光子结构集成到闪烁体中来增强其发射的方法,在电子诱导和x射线诱导的闪烁中都获得了近一个数量级的增强。该框架预期能够开发出一种更亮、更快、更高分辨率的新型闪烁体,具有定制化和优化的性能。纳米光子闪烁体:( A ) 纳米光子闪烁体由与闪烁体集成的纳米光子结构组成。通过结合能量损失动力学、占据水平动力学和纳米光子学建模,可以对闪烁进行建模、定制和优化。( B ) 光子晶体纳米光子闪烁体增强x射线闪烁的数量级。( C ) 使用纳米光子闪烁体(白色虚线正方形)进行的 X 射线扫描。简介高能粒子对材料的轰击通常导致光发射,这一过程称为闪烁。闪烁体广泛应用于电离辐射的检测,具有广泛的应用,包括用于医学成像、无损检测的 X 射线探测器、用于正电子发射断层扫描的伽马射线探测器、夜视系统和电子显微镜中的荧光屏以及高能物理实验中的电磁热量计。因此,人们对开发具有更高光子产率和更高空间和能量分辨率的“更好的闪烁体”非常感兴趣。一般来说,更好的闪烁体会导致上述所有应用技术的明确改进。比如在医学成像技术中,更亮的闪烁体可以实现极低剂量的 X 射线成像,从而减少对患者的潜在伤害。大多数对改进闪烁体问题的研究都涉及合成具有更好固有闪烁特性的新材料。基本原理高能粒子转化为光子是一个复杂的多物理过程,其中入射粒子在闪烁体中产生一连串的二次电子激发。然后这些二次激发在发射闪烁光子之前放松为非平衡分布。通过在闪烁体中在闪烁光子波长的尺度上产生空间不均匀性,从而在波长尺度上调制材料的光学特性,可以控制和增强光发射。在这种“纳米光子闪烁体”中,由于电子可用于发光的光学态的局部密度的增强,闪烁体中的发光电子可以更快地发光。还可以使用这些纳米光子结构将捕获的光“引导”出闪烁体,从而检测到更多的光。这两种效应都导致闪烁光子发射率的提高。这些纳米光子效应与材料无关,原则上可以增强任何闪烁体,并且原则上也可以对任何类型的高能粒子观察到这些效应。纳米光子成形和增强电子束诱导闪烁实验演示:(a) 使用改进的扫描电子显微镜(SEM)诱导和测量电子束(10-40 keV)轰击闪烁纳米光子结构的闪烁。(b) 通过Monte Carlo模拟计算了绝缘体上硅晶片中的电子能量损失。插图:放大闪烁(硅)层中的电子能量损失。(c) 光子晶体(PhC)样品(蚀刻深度35nm)的SEM图像。倾角45◦.比例尺:1µm(顶部),200 nm(底部)。(d) 具有不同蚀刻深度(但厚度相同)的薄膜(TF)和PhC样品的闪烁光谱。(e) 闪烁信号通过物镜从真空室耦合出来,然后在相机上成像,并用光谱仪进行分析。(f-g)绿色和红色闪烁峰的理论(左)和实验(右)闪烁光谱之间的比较。插图:计算出的正常发射方向的闪烁光谱(每个立体角),显示出在单个发射角度上可能有更大的增强。成果该团队建立了纳米光子闪烁体的第一性原理理论,理论考虑了导致电子激发的复杂过程以及任意纳米光子结构中非平衡电子的光发射。使用该理论作为指导,在两个不同的平台上通过实验证明了数量级的闪烁增强:通过硅缺陷产生的电子诱导闪烁,以及传统闪烁体中通过稀土掺杂引起的 X 射线诱导闪烁。两种情况下的增强都是通过对闪烁体或闪烁体上方的材料进行二维周期性蚀刻来实现的,以创建二维光子晶体平板几何形状。该理论解释了实验观察到的增强,以及其他需要对发射过程的潜在微观动力学进行第一性原理描述的影响。例如,我们可以将观察到的光谱形状解释为光子晶体板的几何参数的函数。此外,使用该框架,我们可以解释信号与入射粒子通量的非线性关系,以及主要闪烁波长可能随高能粒子通量而变化的影响。此外,团队使用纳米图案 X 射线闪烁体来记录各种样本的 X 射线扫描,并观察到图像亮度的增加。这直接转化为更快的扫描,或者相当于实现给定亮度所需的更低 X 射线剂量。X射线闪烁的纳米光子增强结论该框架可以直接应用于在许多现有实验中的纳米光子闪烁模型,可解释任意类型的高能粒子、闪烁体材料和纳米光子环境。除此之外,该框架还允许发现用于增强闪烁的最佳纳米光子结构。成果展示了如何使用拓扑优化和其他类型的纳米光子结构来寻找可以呈现更大闪烁增强的结构。该团队期望这里展示的概念可以部署在使用闪烁体的所有应用领域,并在整个应用领域提供引人注目的应用,包括医学成像、夜视和高能物理实验等。实验设置和校准测量示意图.(A)实验设置示意图,扫描电镜SEM室内,1:电子束与样品相互作用;2:法拉第杯,链接外接皮安计,测量入射电流;3:6轴,同心圆工作台,由SEM控制;4:XYZ目标阶段。5:X射线遮挡窗口,SEM室外;6:镜面;7:管状镜头;8:分束器;9:CCD摄像机,成像样品表面;10:偏振片(可选);11:XYZ框架组件,带两个聚焦透镜和一个光纤耦合器,内部分光仪;12:光栅转台;13,14:(聚焦)镜;15:光谱仪CCD,绿色激光馈通对准臂;16:绿色激光源;17:光纤耦合直通,真空兼容;18:光纤输出照明样品。(B)校准实验(其余设置与(A)类似)。19:AVA校准光源。(C)测量校准转换功能。
  • 美俄科学家研发一维半导体材料 可使电路减小至纳米级别
    据俄罗斯卫星新闻网2月4日报道,一个由俄罗斯和美国专家组成的国际科研组在世界上首次推出一维半导体材料,向更小巧紧凑、速度更快的电子产品迈进一步。  使用这种新材料可使电路减小到纳米大小,同时加快电子仪器的工作速度。这项研究的理论部分由俄罗斯国立工艺技术大学(NUST MISIS)专家完成,实验部分由美国杜兰大学(路易斯安那州)研究人员负责。  俄罗斯国立工艺技术大学物理与数学博士帕维尔索罗金表示,使用这种"智能材料"有助于降低装置耗电量,改变其结构和设计。  所有基础设施变成纳米级别后,人们在街道、超市、医院等地的周边环境每天都会很大程度地“智能化”。  他指出:“光继电器、光电二级管、自动传感器和其它数字设备的速度也将加快。”  半导体材料的主要应用领域是光电子和微电子领域。  晶体由相连的纳米结构、纳米带组成,同时所有的纳米带都有明确的宽度。因此,研究晶体分解技术时科学家总能获得宽度相同的纳米带。
  • Nature子刊|清华团队发现新冠病毒纳米抗体,对XBB等保持活性
    新冠疫情暴发以来,全球范围内已研发出多款针对SARS-CoV-2的中和抗体药物,通过严格的随机双盲对照临床试验,美国食品药品监督管理局已经授权多款治疗COVID-19的中和抗体药物的紧急使用。我国国家药品监督管理局也批准了由清华大学、深圳市第三人民医院和腾盛华创共同研发的Amubarvimab与Romlusevimab抗体鸡尾酒疗法,用于治疗轻型和普通型且伴有进展为重型高风险因素的成人和青少年,并在当前的临床救治过程中发挥着积极的作用。但随着COVID-19在全球范围内的大流行,新的变异株不断出现,尤其是传播性较原始株显著增强的Omicron多种突变株,对人民的健康和正常生活造成了很大影响。变异株在刺突蛋白(S)上所产生的重要突变位点导致疫苗和中和抗体活性降低或消失,对新一代疫苗和抗体药物的研发提出了更高和更迫切的要求。纳米抗体来自骆驼科等动物体内的重链抗体,是重链抗体中最小的完整功能结构。纳米抗体具有体积小、特异性强、稳定性强、易生产、穿透力强、免疫原性低等多种优势,使其更加容易识别常规抗体无法识别的抗体表位,加大了抗体的覆盖空间和结合能力,为新一代抗体药物的研发提供了更广阔和更独特的选择,具有广泛的临床应用前景。2022年12月27日,清华大学医学院张林琦教授、生命科学学院王新泉教授研究团队在《自然通讯》(Nature Communications)期刊在线发表题为“针对新冠病毒奥密克戎变异株及多种冠状病毒具有广谱中和能力和保护能力的纳米抗体”(Broadly neutralizing and protective nanobodies against SARS-CoV-2 Omicron subvariants BA.1, BA.2, and BA.4/5 and diverse sarbecoviruses)研究论文。该研究从免疫羊驼体内分离鉴定纳米抗体,对SARS-CoV-2多种变异株、SARS-CoV-1和其他主要sarbecovirus病毒具有广谱高效中和活性。其中代表性抗体3-2A2-4识别受体结合域RBD(Receptor binding domain)蛋白上高度保守的表位,保护K18-hACE2转基因小鼠免受Omicron和Delta活病毒感染,并对目前国内外出现的多种突变株BF.7,BQ.1.1和XBB等仍保持高效的中和活性,为研发新一代SARS-CoV-2纳米抗体药物提供了理想的候选。研究人员使用新冠病毒S蛋白和编码S蛋白的黑猩猩腺病毒载体疫苗等免疫羊驼,发现羊驼不仅产生了针对SARS-CoV-2病毒的中和抗体,而且产生了针对SARS-CoV-1病毒的中和抗体。通过酵母展示文库技术,研究者从免疫羊驼体内分离获得593个对SARS-CoV-2病毒具有结合能力的纳米抗体,其中124个对SARS-CoV-2病毒具中和能力,91个对SARS-CoV-1病毒具有交叉中和能力。研究人员挑选了其中32个具有高效交叉中和能力的纳米抗体开展了全面和深入的评估。通过表位竞争试验,这32个抗体被分为3组,其中第2和第3组中的大部分纳米抗体对14种SARS-CoV-2变异株(包括多种Omicron变异株)和5种sarbecovirus病毒保持了广谱中和能力。后续的初步实验结果显示,第3组的抗体对于最新出现的新冠病毒变异株BF.7、BQ.1和XBB等均保持活性。图1.鉴定获得的纳米抗体对SARS-CoV-2变异株和其他sarbecovirus具有广谱中和活性研究人员在具有较好广谱中和活性的前3组抗体中各选了一株代表性抗体,解析了与SARS-CoV-2或SARS-CoV-1RBD蛋白的高分辨率晶体结构,阐明其结合表位的分子结构和抗病毒机制。第3组的代表抗体3-2A2-4结合位点独特,位于RBD核心区的outer face和inner face交界底部,识别的表位氨基酸大多高度保守。其CDR3上F102和F103深入到了RBD N343糖链下的一个高度保守的疏水口袋中,形成了疏水相互作用,奠定了其广谱中和活性的结构基础。进一步的蛋白酶K、细胞染色实验与电镜结构解析表明该抗体结合SARS-CoV-2RBD后可将其固定在down的空间构象,影响S蛋白结合受体ACE2,从而阻碍病毒侵染细胞。图2. 3-2A2-4与SARS-CoV-2原始株RBD的结构解析为进一步研究纳米抗体3-2A2-4的体内保护效果,研究者利用K18-ACE2转基因小鼠模型进行了纳米抗体的预防保护实验。攻毒前一天通过腹腔注射10 mg/kg的3-2A2-4纳米抗体,24小时后通过鼻腔攻毒SARS-CoV-2 Omicron BA.1和Delta活病毒,对小鼠进行存活率和体重检测等。结果显示,3-2A2-4纳米抗体可以有效预防Omicron和Delta活病毒感染,防止和降低肺部组织感染,保护肺组织免于结构损伤和炎症反应,展示了优异的体内保护能力。图3.3-2A2-4在小鼠体内的预防保护综上,该研究从免疫羊驼体内分离获得上百个具有强中和能力的纳米抗体,并从中筛选出对目前所有SARS-CoV-2变异株(包括Omicron各亚株)以及5种其他sarbecovirus病毒具有强中和能力的纳米抗体。通过抗体抗原复合物晶体结构的解析,在受体结合域RBD蛋白表面发现多个高度保守的广谱中和表位,系统阐释了广谱中和能力的作用机制,确定了高度保守的抗原位点。其中,代表抗体3-2A2-4在K18-hACE2转基因小鼠模型中展示了对Omicron株和Delta株活病毒的预防保护能力,为研发下一代SARS-CoV-2纳米抗体药物提供了优秀的候选。论文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-022-35642-2
  • 安光所孙敦陆研究员团队在2.7~3微米中红外晶体制备及激光性能研究方面取得新进展
    近期,中国科学院合肥物质院安光所孙敦陆研究员课题组在2.7~3微米波段中红外晶体制备及激光性能研究方面取得一系列新进展,相关研究成果分别以《Ho,Pr:YAP晶体的热学、光谱及~3微米连续激光性能》、《Er:YGGAG晶体的结构、光谱与激光性能》和《LD侧面泵浦YSGG/Er:YSGG/YSGG晶体实现28.02瓦的2.8微米连续激光》为题发表在光学领域国际知名期刊Optics Express上,第一作者分别为乔阳博士研究生、陈玙威博士研究生和张会丽副研究员。2.7~3微米中红外激光处于水分子的强吸收带,在生物医疗、光学遥感及非线性光学等领域有着广泛的应用前景。稀土离子Ho3+(钬离子)通过5I6至5I7的辐射跃迁,可产生3微米附近波段中红外激光。然而,Ho3+的激光下能级5I7的荧光寿命较长,容易产生自终止效应,不利于实现激光上、下能级之间的粒子数反转。针对这一问题,我们提出提高激活离子Ho3+的掺杂浓度,同时共掺适量能级耦合离子Pr3+(镨离子),以降低Ho3+激光下能级寿命,抑制自终止效应。采用熔体提拉法,成功生长出了4 at.% Ho3+、0.1 at.% Pr3+共掺YAP晶体,系统开展了晶体结构、晶体质量、热学、光谱及其激光性能的研究。由于退激活离子Pr3+的掺入,其激光下能级寿命由5.391毫秒降至1.121毫秒,同时激光上能级寿命变化较小,表明共掺Pr3+能够有效抑制自终止效应,有利于降低激光阈值、提高激光性能。采用1150纳米拉曼光纤激光器端面泵浦,在Ho,Pr:YAP晶体上实现了最大平均功率502毫瓦的~3微米连续激光输出,相应的斜效率为6.3%。与Ho:YAP晶体相比,其激光阈值降低,最大输出功率及效率均得到了提高。目前,LD泵浦Er:YSGG晶体的中红外脉冲激光已高达数十瓦,而连续激光输出功率仅有瓦级,采用连续LD侧面泵浦有望进一步提高连续激光输出功率。由于在激光运转过程中,激光增益介质内部会产生温度梯度,导致产生各种热效应,限制了激光输出功率和效率的提高。我们通过在Er:YSGG晶体棒的两端键合高热导率的未掺杂YSGG晶体作为端帽,以改善热效应。采用978纳米LD侧面泵浦YSGG/Er:YSGG/YSGG键合晶体,实现了最大平均功率28.02瓦的~2.8微米连续激光输出,这是目前报道的在氧化物晶体中获得最高功率的~2.8微米连续激光输出,相应的斜效率和光-光转换效率分别为17.55%和12.29%。其最大功率和斜效率均高于相同泵浦条件下的未键合Er:YSGG晶体,表明键合可有效改善热效应,提高激光性能。实验测试并理论计算了LD侧面泵浦未键合Er:YSGG晶体和YSGG/Er:YSGG/YSGG键合晶体在不同泵浦功率下的热焦距,结果表明,YSGG/Er:YSGG/YSGG键合晶体更适于在高泵浦功率下工作。以上研究工作得到了国家自然科学基金、替代专项、安徽省自然科学基金和合肥物质院院长基金的支持。
  • 纳米技术让电子管死而复生
    比晶体管更快、更耐用、更抗辐射  由于晶体管的发明,电子管在上世纪60年代一蹶不振,但新的研究却可能让这项技术咸鱼翻身。  如果你曾拆开过一部老式的收音机,便会看到一些像是小灯泡的东西。它们便是电子管(又称真空管)——今天的硅晶体管的前身。电子管在上世纪60年代重蹈了恐龙的覆辙,但是研究人员如今又让它们起死回生,研制出了比晶体管更快、更耐用的纳米级电子管。这种新器件甚至能够在外层空间强烈的辐射下安全使用。  在上世纪早期研制出的电子管提供了放大电信号的第一种简便方式。就像电灯泡那样,它们由含有一个加热丝的玻璃灯泡构成。电子管利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号,并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。  然而由于晶体管的发明,特别是用化学方法蚀刻硅件从而大量生产晶体管技术的问世,电子管在上世纪五六十年代逐渐走向消亡。晶体管更小、更便宜并且更耐用。它们同时能够被塞进微芯片中,并根据不同的复杂输入信号被开启和闭合,从而为更小、更强大的计算机的研制铺平了道路。  但是晶体管并非在所有方面都更出色。与真空环境相比,电子在固体中运动得更为缓慢,这也就意味着晶体管通常要慢于电子管 也就是说,计算速度并没有理论上快。此外,半导体更容易受到强辐射的影响,后者能够破坏硅的原子结构,从而使电荷无法正确地运动。这对于军队和航天机构而言可是一个大问题,它们都需要自己的设备能够在辐射强烈的环境中——例如外层空间——正常地工作。  美国宇航局(NASA)埃姆斯研究中心的工程师Meyya Meyyappan表示:“你我买的电脑与NASA买的电脑是一样的,但用途却大相径庭。NASA花了很长时间使其能够经受强辐射的考验,否则那些安装在航天飞机或空间站中的电脑基本上将被摧毁进而无法运行。”  新设备是今天的晶体管与古老的电子管的一个杂合体。它既小又容易制造,同时速度快且抗辐射。参与开发“纳米电子管”的Meyyappan指出,它是通过在掺杂着磷的硅上蚀刻小腔洞制造而成。这个腔洞连接着3个电极——一个源极,一个栅极,还有一个漏极。其中源极与漏极仅仅相距150纳米,而栅极则位于顶部。电子由施加的电压从源极释放,而栅极则控制电子穿过腔洞。在5月23日发表于《应用物理学快报》上的这篇论文中,Meyyappan和同事估计,他们的纳米电子管的工作频率高达0.46兆赫——约比现今最好的硅晶体管快10倍。  这个新产品并非科学家首次尝试将电子管小型化。然而,与之前的工作不同的是,研究人员并不需要追求完全的真空——源极与漏极的距离是如此之小,以至于电子与空气中的原子发生碰撞的几率随之变得极低。Meyyappan说,这便有一个巨大的好处——它为大批量生产打开了一扇大门。  英国伦敦帝国理工学院的电子工程师Kristel Fobelets对此表示赞同。她说:“真空技术在半导体生产线上的应用将使制造成本变得非常高昂。”但她同时警告说,纳米电子管更像是对“概念的证明”,而不是一个工作装置,这是因为它的操作要求并不符合现代晶体管的要求。例如,打开这一装置需要10伏的电压,而现代晶体管的运行只需要约1伏特的电压 在这一方面,纳米电子管与现代电路并不匹配。  尽管如此,Meyyappan认为纳米电子管的潜力依然是巨大的。新的电子管固有的对辐射的免疫能力能够为军方和NASA节省许多时间和金钱,而其更快的运行速度使得它成为所谓的兆赫技术的罕有候选者。作为介于微波和红外区域之间的电磁波谱,在兆赫区域能够发现某些分子的“指纹”。例如,这项技术能够用在机场对违禁药物的安检中。  那么,电子管真能东山再起吗?Meyyappan正是这样想的。他说:“我们正在结合最好的真空技术,以及在过去50年的集成电路制造中获得的最佳经验。”
  • Spex 应用分享 | 高能球磨法制备纳米晶氧化陶瓷
    SPEX MIXER/MILL 8000系列高能球磨仪可将坚硬或易碎样品粉碎至可分析细度,部分样品研磨精度可达纳米级别。采用独家专利的∞式三维立体运动模式研磨,360°立体无死角,非正反转方式,可以在最短的时间内向样品输送最高的机械能量,为目前世界上所有球磨仪中能量最高、速度最快的球磨机。SPEX以其在球磨机研发和生产超过60年的经验以及在球磨机创新领域所做出的突出贡献,成为美国球磨机行业标准的制定者。SPEX高能球磨仪可用于岩石、矿物、金属合金、陶瓷、催化剂、玻璃、沙子、水泥、炉渣、医药、植物和动物组织、谷物、种子、油漆和油墨、电子、RoHS样品等分析用样品研磨。 下文将介绍SPEX高能球磨仪用于分析纳米晶体材料中的颗粒尺寸效应。该应用源自: S. Indris, D. Bork, P. Heitjans, J. Mater. Synth. Process 8, 245 (2000),经汉诺威大学物理化学和电化学研究所P.Heitjans教授同意。原文献阅读请联系科尔帕默公司。✦ ++高能球磨法制备纳米晶氧化陶瓷SPEX 高能球磨仪分析纳米晶体材料中的颗粒尺寸效应需要一种可以调节颗粒尺寸的技术。在本研究中,使用球磨机(8000M Mixer/Mill, SPEX SamplePrep;配备有氧化铝和氧化锆小瓶)。球磨特别适合这项任务,因为它易于使用,并允许研磨相对大量的材料以及各种不同的材料。分析介质为:Li2O、LiNbO3、LiBO2、B2O3、TiO2和Li2O:B2O3混合物。通过研磨时间测定平均粒径,随后通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行分析。选择含锂材料是因为它们作为固体电解质的潜在用途。TiO2在用作光催化剂方面是令人感兴趣的。对于吸湿性材料,在氩气气氛中填充氧化铝研磨瓶并将其放入密封的不锈钢容器中。► 颗粒大小不同的氧化物表现出不同的研磨特性,但最小粒径约为在研磨8至10小时后获得20nm.通过XRD分析和TEM数据确定颗粒尺寸。差示扫描量热法(DSC)表明,纳米晶样品是亚稳态的,加热导致颗粒生长。在烧结过程中,当要生产固体致密陶瓷时,要考虑到这一点。其他研究小组先前的研究表明,两步烧结特别适合在第二步中使用较低的温度。通过两种方法分析,TiO2在研磨过程中发生了部分相变。当进行球磨时,包含另外杂质的金红石以较小粒径的纯金红石(不含杂质)形式获得。► 化学反应陶瓷组分的混合和随后的压制产生具有多个不同边界层的材料。这种不同界面的晶格可以通过改变颗粒尺寸来改变。在分析Li2O∶B2O3的50∶50混合物的过程中,检测到由于该化学-机械过程引起的化学变化。在短时间后,用XRD分析仅检测到原始化合物的谱线,而在4小时后出现新的谱线。新形成的产物是Li2B4O7。这表明反应的最终产物并不取决于混合物的组成,而是取决于边界层的条件。► 结论高能球磨特别适用于颗粒尺寸的减小以及后续化学和物理变化的研究。颗粒尺寸减小和随后生长的特征与所有分析的氧化物相似。开始时微晶材料没有发生化学反应,经过研磨后:一些材料表现出相变;另一些材料则表现出化学反应。更多推荐:SPEX8200高能行星式球磨机Spex 8200行星球磨机通过机械运动研磨样品,沿一个方向旋转震击器,而平台(太阳轮)沿相反方向旋转。机械磨具以2:1的比例进行,使容器相对于太阳轮的每一次旋转旋转两次。当容器移动时,相对离心力被传递到磨球上,使磨球以圆周运动的方式相互移动,并抵靠容器壁,从而研磨样品。
  • 分子大小的晶体管新鲜出炉
    在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。  新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。  构成晶体管的每个铟原子的直径是167皮米(0.167纳米),比目前的最小电路——IBM公司刚刚推出的7纳米芯片(晶体管尺寸为7纳米)要小42倍。人类发丝厚度为10万纳米,大约是铟原子尺寸的60万倍 红血球直径6000纳米,是它的36000倍 甚至只有2.5纳米宽的DNA链,大小也达到了铟原子的15倍。  在这样的原子尺度上,电子流通常很难得到可靠地控制,电子会跳到晶体管外,导致晶体管无效。英国《卫报》网站21日报道称,研究团队使用一个扫描隧道电子显微镜,将铟原子放置在精确位置上,并对通过栅极的电子流进行控制。他们意外发现,位于晶体管中心的酞菁染料分子的方向是由其电荷决定的,这意味着,与传统晶体管只有一种简单的类似开关的状态相比,新型晶体管可能并不只限于此。  研究证明,通过精确控制原子来创建一个比现有任何其他量子系统都要小的晶体管是可能的,它也为进一步研究如何将这些微晶体管应用于处理能力超过目前水平几个数量级的计算机和系统打开了大门。  摩尔定律说,集成电路上可容纳的元器件的数目约每隔18个月到24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。芯片上集成的晶体管越多,其功能越强大。目前最新款计算机芯片已经突破7纳米尺度,向更小型化发展越来越难。虽然单分子晶体管距离集成到芯片中还很遥远,但这项新研究仍将有助于下一代计算机——量子计算机的开发。
  • 邀请函:津京冀纳米科技青年科学家论坛
    2019 NanoScientific Symposium China津京冀纳米科技青年科学家论坛2019年津京冀纳米科技青年科学家论坛(NSSC2019)将于2019年8月5-6日在天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心(TICNN)举行。中心的主要研究方向为解决后莫尔时代电子学器件和材料问题的外延石墨烯基电子学器件的研发和相关物理的研究、自由空间中纳米颗粒电子结构演化机理研究以及相关仪器设备和测量方法的研究、纳米系统的物理化学性质研究。本次论坛将邀请国内的青年专家学者,聚焦石墨烯等二维材料,利用扫描探针显微镜(SPM)等最先进的研究手段,深入探讨石墨烯等二维材料合成、制备以及相关电子学器件的研发、物理机制及纳米技术的前沿科学问题和未来发展方向。大会日期:2019年8月5日-6日大会地点:天津大学,天津市南开区卫津路92号,天津大学第二十教学楼西配楼大会报告人Walter A. de Heer乔治亚理工学院物理学教授,天津大学纳米颗粒与纳米系统国际研究中心主任,世界石墨烯电子学奠基人和开拓者,荷兰著名物理学家、纳米科学研究者,因发现金属团簇的电子壳结构、过渡金属团簇中的磁性、碳纳米管中的场发射和弹道传导以及石墨烯电子学而闻名。被评为“科学美国人50强”之一,他在石墨烯晶体管方面的工作被《技术评论》评为2008年“最有可能改变我们生活方式”的十大新兴技术之一。2009年9月被授予ACSIN纳米科学奖。H因子是71.C.P. Wong 汪正平美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士、香港科学院创院院士、香港中文大学工程学院院长及卓敏电子工程学讲座教授。在封装材料领域已发表学术论文1000多篇,申请美国专利60余项,被IEEE授予电子封装领域最高荣誉奖——IEEE元件、封装和制造技术奖。以第一作者和通讯作者共发表研究论文1000余篇(其中SCI收录论文335篇,EI收录625篇),其中包括发表于Science(科学)文章2篇,Journal of the American Chemical Society(美国化学会志)文章5篇,Nano Letters (纳米快报)文章6篇,以及发表于ACS Nano(ACS纳米)、Advanced Materials(先进材料)等电子材料领域顶级期刊论文多篇。撰写了《Polymers for Electronic and Photonic Applications》(美国高校常用的材料和电子专业教科书)、《Electronic Packaging, Design, Materials, Process and Reliability》等12本学术专著,其中的多部著作已被翻译成中文在中国国内出版。分会报告胡名列天津大学周期量级光纤飞秒激光及其应用包文中复旦大学Wafer-scale devices and circuits based on 2D transition metal dichalcogenides向东南开大学Atomic switches and anstrom gaps controlled by light张文凯北京师范大学超快激光和X射线光谱及其应用杨天新天津大学利用窄带缝隙双层石墨烯实现THz波无粒子数反转光放大的新方法李志青天津大学Hopping conductance and macroscopic quantum tunneling effect in Pbx(SiO2)1-x nanogranular films李荣金天津大学2D Molecular Crystals: Rational Molecular Design, Controllable Self-Assembly, and Unique Optoelectronic Properties米文博天津大学专家报告王德强中科院CAS专家报告吴孝松北京大学专家报告王培杰首都师范大学专家报告李志鹏北京师范大学专家报告惠飞以色列理工学院基于SPM技术的二维材料表征王贺首都师范大学专家报告李小英天津大学专家报告于曦天津大学专家报告何明南开大学专家报告侯峰天津大学专家报告如有任何问题,请与会务组联系纪梅:mei.ji@tju.edu.cn马丽娜: linama@parksystems.com
  • 可在P型与N型间转换的新式晶体管问世
    据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑 科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。  目前,大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管:使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这两种晶体管一般不会相互转化。而德累斯顿工业大学和德奇梦达公司携手研制的新式晶体管可通过电信号对其编程,让其自我重新装配,游走于n型晶体管和p型晶体管之间。  新晶体管由单条金属—半导体—金属结构组成的纳米线嵌于一个二氧化硅外壳中构成。从纳米线一端流出的电子或空穴通过两个门到达纳米线的另一端。这两个门采用不同方式控制电子或空穴的流动:一个门通过选择使用电子或空穴来控制晶体管的类型 另一个门则通过调谐纳米线的导电性来控制电子或空穴。  传统晶体管通过在制造过程中掺杂不同元素来确定其是p型还是n型,而新式晶体管不需要在制造过程中掺杂任何元素,通过在一个门上施加外部电压即可重新配置晶体管的类型。施加的电压会使门附近的肖特基结阻止电子或空穴流过设备,如果电子被阻止,空穴能流动,那么,晶体管就是p型,反之则是n型。  研究人员解释道,使这种再配置能起作用的关键是调谐分别通过肖特基结(每个门一个)的电子流动情况,模拟显示,纳米线的几何形状在这方面起关键作用。  尽管该研究还处于初期阶段,但新式晶体管展示出了极佳的电学特性。比如,与传统纳米线场效应晶体管相比,其开/闭比更高,且漏电更少。该研究的领导者沃尔特韦伯表示:“除采用人造纳米线外,采用目前先进的硅半导体制造技术也可以制造出这种晶体管,还可以用到自对准技术,大大提高工作频率和速度。”  接下来,科学家们计划通过改变材料的组成来改进新式晶体管的性能,并制造出由其运行的电路。他们表示,最大的挑战是,在将其与其他晶体管结合在一起时,如何将额外的门信号整合进来。
  • 西安交大发明无损调控微纳尺度含缺陷晶体力学性能的新方法
    p  早在2008年,单智伟教授与合作者们就在《自然材料》报道了微纳尺度单晶镍中的“力致退火”现象,即通过对微纳尺度的单晶体施加载荷并使其发生塑性变形, 晶体内部的缺陷密度将大大降低甚至为零,同时材料的强度得到明显提升。由于该发现迥异于人们基于已有知识的判断,即塑性变形通常使晶体内部位错密度升高,因而受到研究人员的广泛关注。随后该现象在多种面心立方晶体中得到了验证。但是,基于模拟计算和一些实验观测,人们普遍认为体心立方金属不会有力致退火现象,原因是体心立方金属的螺位错具有不共面的特性,通常表现出一系列不同于面心立方金属的变形行为。经过对已有工作的仔细梳理和分析,单智伟教授等认为在合适的尺寸范围内,体心立方金属中也应该存在类似的力致退火现象。通过巧妙的实验设计,研究团队以令人信服的证据证实了上述推测,从而推翻了此前人们对于该问题的认知(黄玲等,《自然通讯》,2011)。/pp  尽管力致退火现象的普适性得到了证实,但是其应用前景却得到了质疑,原因是力致退火的过程总是伴随着显著的塑性变形,从而使样品几何发生明显的改变。能否在不改变样品几何的条件下将其内部的缺陷去除呢?在日常生活中,我们知道如果要把一根半埋于土壤中的柱状物直接拔出来是比较困难的,但是如果我们先将其进行多次小幅晃动,则最终可能较轻松地将其拔出地面。受此启发,可以推断,如果对含缺陷的晶体施加一循环载荷,控制好力的幅值,使其足够大,能使缺陷动起来并在镜像力的帮助下逐渐从材料表面湮灭和逃逸,但同时又足够小,不在晶体内产生新的位错,就有可能在不改变样品几何的条件下,使得材料中的缺陷密度大幅降低,甚至到零,也就是实现“力致修复”。如果上述想法得到实现,其在纳米压印等领域就可能得到有效的应用。/pp  基于上述想法,借助于定量的原位a href="http://www.instrument.com.cn/zc/1139.html" target="_self" title="" style="color: rgb(0, 112, 192) text-decoration: underline "span style="color: rgb(0, 112, 192) "透射电镜/span/a纳米力学测试装置,选取亚微米单晶铝为研究对象,研究团队的王章洁博士对其进行了低应变幅的循环加载,发现在几乎不改变材料外观几何的情况下,微纳尺度单晶铝内的缺陷逐渐被驱逐出样品,导致缺陷密度大幅度下降,进而使得材料的强度得到了大幅度的提升。同时发现,可以通过控制应变幅和循环周次等来调控材料内的缺陷密度,进而调控材料的屈服强度。另外,课题组还发现可以通过检查力和位移曲线是否有滞后环以及环的大小来诊断被测材料中是否有可动缺陷以及其数量的多少。这些发现不仅对于理解小尺度材料内的缺陷在循环载荷下的演变规律具有显著的科学意义,并且对于调控对缺陷敏感的功能材料的性能有重要的启发意义和应用前景。/pp  值得注意的是,当块体材料经受循环加载时,通常会引起材料内部缺陷的增殖与聚集,并进而引起裂纹萌生,并在承载应力远小于宏观屈服应力的情况下发生断裂,也就是所谓的疲劳断裂,它也是很多工程构件失效的主要形式。对微纳尺度材料进行循环加载可导致“力致修复”与块体材料中循环加载所导致的疲劳破坏的效应完全相反。这一事实再次表明,作为连接连续介质力学和量子力学的桥梁,微纳尺度材料的结构与行为的内在机理和规律不能通过外推已有的宏观材料的机理和规律来得到,而是具有其独特性,必须通过创新实验方法和思路来加以揭示和解释。/pp  近日,西安交大微纳尺度材料行为研究中心(简称“微纳中心”, http://nano.xjtu.edu.cn)在美国科学院院刊 (PNAS, Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America)在线发表(http://www.pnas.org/content/early/2015/10/14/1518200112)了他们的最新研究成果,即在不改变样品外观几何的条件下,可以通过小应变循环加载的方式来诊断和调控微纳尺度单晶材料中的缺陷,进而达到调控其力学性能的目的。 该论文的作者包括微纳中心的新讲师王章洁博士、李巨教授、马恩教授、孙军教授和单智伟教授, 约翰霍普金斯大学的博士生李庆杰,清华大学的崔一南博士、柳占立副教授和庄茁教授,美国麻省理工学院道明博士,美国卡耐基梅隆大学的Subra Suresh 教授。马恩教授和李巨教授同时分别为约翰霍普金斯大学和美国麻省理工学院的全职教授,并分别担任微纳中心的海外主任和学术委员会主任。该研究工作得到中国国家自然科学基金、973项目及111项目的资助。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/noimg/d5aa1b18-2d88-40a5-a6c7-669b88c9ce82.jpg" title="图1.png" width="600" height="408" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 600px height: 408px "//pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201511/noimg/71dd12f6-2be0-449f-b8db-404d6b6bbdd3.jpg" title="图2.png"//p
  • 极高压下纳米成像技术获得突破
    日前,美国科学家在极高压下测量纳米材料的结构方面取得重大突破,首次解决了为金纳米晶体结构成像的高能X射线束严重扭曲问题,有望引导科学家们在高压下制造出新的纳米材料,也有助于人们更好地理解行星内部发生的一切。最新技术发表在4月9日出版的《自然通讯》杂志上。  该研究论文的主要作者、卡内基研究院高压协同联盟的杨文阁(音译)解释道:“了解高压对金纳米晶体等样本影响的唯一方式,是使用由同步加速辐射源产生的高能X射线。同步加速器能产生高相干的X射线,用于三维成像,其精确度为几十纳米。这有别于用于化学检测的不相干的X射线成像,其空间分辨率仅为微米级。但这种相干的高能X射线束在高压下会严重扭曲。”  该研究团队发现,通过对同样晶体使用不同样本排列方式的散射模式进行平均,且通过使用由英国伦敦纳米技术中心的科学家研发的算法,他们能修正这种扭曲并将空间分辨率提升2个数量级。  研究人员在美国阿贡国家实验室的高级光子源中心进行了该成像实验,他们让一个400纳米的金晶体承受从海平面气压8000倍到6.4万倍的重压,后者的压力程度接近位于地球外核和地壳之间的上地幔的压力。该研究团队发现,刚开始和他们预想的一样,晶体的边角变得尖利并被拉紧,但完全出人意料之外的是,如果继续加压,这种拉紧就完全消失了。当压力达到最大值时,该晶体变圆了。  杨文阁说:“金纳米粒子是非常有用的物质。同其他微米大小的粒子相比,它们的硬度要高60%,它们对制造先进的分子电极、纳米尺度的涂料以及其他先进工程材料至关重要。因此,新技术对这些领域的发展非常关键。”  鲁滨逊说:“现在,光束的扭曲问题已得到解决,我们可以研究高压下纳米晶体结构的变化,而且,也有望解答为什么纳米晶体在重压下硬度会比大块材料多60%这一问题。”
  • 纳米材料形貌可人为控制
    自上世纪30年代起,异质结构的半导体器件就在人们的生活中发挥着越来越重要的作用。在人们的现代生活中,以半导体异质结构为基础的发光二极管、场效应晶体管、太阳能电池等都得到了广泛的应用。因此,发展纳米材料的合成技术,制备具有纳米尺寸的“半导体—半导体异质结构”材料不仅是合成化学所面临的挑战,同时也是发展新型功能纳米材料的一个重要途径。  中国科学院化学研究所高明远课题组在具有特殊结构和形貌的纳米材料的合成方面开展了一系列研究工作,取得了突破性进展。该小组采用高温热分解和分步注射的方法,成功地制备了纳米“火柴”、不对称形貌的纳米“泪滴”等异质结纳米晶体以及In2S3纳米“铅笔”。  最近,该课题组在系统研究工作基础上,利用粒径不同的Cu1.94S的纳米颗粒作为催化剂,并在反应体系中加入硫醇作为表面配体。他们证明了导体 Cu1.94S纳米颗粒可以催化硫化铟纳米晶体的生长,形成具有“半导体—半导体异质结构”的纳米材料,而类似的催化作用之前只在金属类纳米颗粒中被观察发现。研究还表明在In2S3纳米晶体的形成过程中,由铜、铟前体化合物与反应介质十二硫醇的相互作用所导致的凝胶化现象可直接影响纳米材料的晶体生长动力学。据此,通过对凝胶化过程的控制,他们成功地实现了具有异质结构的火柴形及泪滴形的Cu2S-In2S3纳米材料以及铅笔形In2S3纳米材料的制备。  中国科学院汪明博士说,论文的重要意义在于揭示了异质结构纳米晶的形成的过程及其机理,表面配体与金属离子的配位作用所导致的凝胶化对纳米材料的生长,及得到的纳米材料的结构与形貌进行控制具有重要的普适意义。
  • 青岛能源所利用质谱技术研究铜纳米团簇配体效应获得进展
    金属纳米团簇是一类由几个到数百个金属原子组成,尺寸一般小于2 nm的新型无机材料。纳米团簇确定的组成和结构、高的比表面以及不饱和配位点,使其成为一种在原子/分子水平研究催化反应构效关系的理想模型。铜团簇(Cu NCs)由于较低的成本和丰富的自然储量,在实际应用中具有广阔的前景。然而,Cu NCs生长机制的不确定性和结晶过程的复杂性阻碍了对其特性的深入理解和开发。特别是,配体效应对Cu NCs的结构和性质具有重要影响,然而其在原子/分子水平上的调控机制仍然不清楚。   前期孙晓岩研究员带领的团簇化学与能源催化研究组利用基于质谱技术的离子-分子反应方法,探究了高价态铁氧物种活化甲烷的本证活性并揭示了其生成甲二醇的微观机理(J. Phys. Chem. Lett. 2023, 14, 1633-1640)。受气相反应的启发,并结合质谱技术的优势,该团队将质谱应用于凝聚相团簇中,来探究配体效应对Cu NCs生长、结构、性质以及反应活性的调控规律。   研究人员通过化学还原法成功合成了三种不同配体(2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑和2-巯基苯并恶唑)保护的相同核数的Cu6 NCs(Cu6-1,Cu6-2和Cu6-3),这三种仅有微小差异的配体结构为精准对比配体效应提供了良好的模型(图1)。团队首先利用实时监测质谱技术探究了配体对Cu6 NCs合成过程的影响,发现团簇的生长过程经历“尺寸聚焦-热力学平衡-氧化刻蚀”三个阶段,由于配体的作用,使得这三个过程在时间维度上出现了显著差异,因此,通过质谱对团簇尺寸聚焦过程的准确监测能够为实现多种Cu NCs的精准合成提供重要思路。针对Cu团簇难以获得晶体结构的问题,团队利用碰撞诱导解离(CID)质谱技术进一步解析和对比了三种配体对团簇结构及稳定性的影响(图2)。基于碎片离子与O2的反应,并结合密度泛函理论计算,推导出Cu团簇催化燃料电池阴极氧还原反应(ORR)的活性位点,并筛选出Cu6-3可能具有较高的ORR活性。这项工作不仅为质谱技术研究团簇的配体效应提供了基本的见解,也为凝聚相中精准设计高活性的Cu基纳米催化剂提供了重要的思路。图1. 三种不同配体Cu6团簇的合成与表征 图2. 三种不同配体Cu6团簇结构和多级质谱分析   相关工作近日发表在Small上。青岛能源所博士生张丽丽为论文第一作者,孙晓岩研究员为通讯作者。该工作得到了山东能源研究院科研创新基金和山东省自然科学基金等项目的支持。
  • 我国科学家创制极化激元晶体管
    纳米尺度的光电融合是未来高性能信息器件的重要发展路线。如何在微纳甚至原子尺度对光进行精准操控是其中的关键的科学问题。中国科学院国家纳米科学中心研究员戴庆研究团队率先提出利用极化激元作为光电互联媒介的新思路,充分发挥它对光的高压缩和易调控优势,不仅有望实现高效光电互联,而且可以提供额外的信息处理能力,从而进一步提升光电融合系统的性能。   该团队通过十多年的努力,实现了极化激元的高效激发和长程传输。在此基础上,研究设计并构筑了微纳尺度的石墨烯/氧化钼范德华异质结,实现了用一种极化激元调控另一种极化激元开关的“光晶体管”功能。研究表明该晶体管可实现光正负折射的动态调控,类似电子晶体管能切换(1,0)两个高低电位,为构筑与非门等光逻辑单元奠定了重要基础。该研究充分发挥了不同材料的纳米光子学特性,从而突破了传统结构光学方案如使用人工结构(超材料和光子晶体等)在波段、损耗、压缩和调控等方面的性能瓶颈。   与电子相比,光子具有速度快、能耗低、容量高等优势,被寄予未来大幅提升信息处理能力的厚望。因此,光电融合系统被认为是构建下一代高效率、高集成度、低能耗信息器件的重要方向。光电互联(电-光-电转换)是光电融合主的基础,相当于光电两条高速公路交汇的收费站。而现有硅基光电集成方案存在效率低(依赖多次光电效应)、体积大(光模块无法突破衍射极限)等问题,制约光电器件之间的信息流转。然而,光子不携带电荷且光的传输受限于光学衍射极限,相比于能轻易通过电学调控的电子,对光子的纳米尺度局域和操控并不容易。   极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式(表面波)。它具有优异的光场压缩能力,可轻易突破光学衍射极限从而实现纳米尺度上光信息的传输和处理。   戴庆团队以攻克高速光电互联这一世界技术难题为目标,提出以纳米材料的表面波(极化激元)为媒介,实现高效光电互联的新思路。构筑光-极化激元-电转换路径相当于将高速公路的收费站改造成立交桥,具有显著优势:一是效率高,光/电激发材料表面波的效率相比光电效应提升潜力巨大;二是集成度高,光波转化成材料表面波可将波长压缩百倍轻松突破衍射极限,从而显著提升光模块集成度;三是算力强,材料表面波具有光子性质可进行高效并行计算,从而将现有光电融合的“光传输、电计算”拓展成为“光传输、电计算+光计算”,实现“1+12”的效果。   戴庆提出,我们利用电学栅压对极化激元这种光波的折射行为实现了动态调控,使其从常规的正折射转变到奇异的负折射。这好比可以像操纵电子一样操纵光子,为将来高性能光电融合器件与系统的发展提供重要促进作用。这一研究在应用上面向光电融合器件大规模集成缺乏高效、紧凑光电互联方式的重大需求,在科学上为解决突破衍射极限下高效光电调制的难题提供了新思路。   2月10日,相关研究成果以Gate-tunable negative refraction of mid-infrared polaritons为题,发表在《科学》(Science)上。该论文审稿人评价道,这证实了一项非常规的物理现象,为研究纳米尺度的光操控提供了崭新的平台。图示极化激元晶体管的基本原理,通过在氧化钼上覆盖石墨烯构筑范德华异质结,天线激发极化激元传输穿过界面后形成负折射。极化激元晶体管的光学显微镜照片
  • 世界最小晶体管问世 仅由7个原子构成
    5月26日,据物理学家组织网报道,美国与澳大利亚科学家成功制造出世界上最小的晶体管——由7个原子在单晶硅表面构成的一个“量子点”,标志着我们向计算能力的新时代迈出了重要一步。  量子点(quantum dot)是纳米大小的发光晶体,有时也被称为“人造原子”。虽然这个量子点非常小,长度只有十亿分之四米,但却是一台功能健全的电子设备,也是世界上第一台用原子故意造出来的电子设备。它不仅能用于调节和控制像商业晶体管这样的设备的电流,而且标志着我们向原子刻度小型化和超高速、超强大电脑新时代迈出的重要一步。  澳大利亚新南威尔士大学量子电脑技术中心(CQCT)和美国威斯康星大学麦迪逊分校研究人员组成的一个联合小组在最新一期的《自然—纳米技术》(Nature Nanotechnology)杂志上详细描述了这一发现。参与这项研究的量子电脑技术中心主任米歇尔西蒙斯(Michelle Simmons)教授说:“这项成就的重要性在于,我们不是令原子活动或是在显微镜下观测原子,而是操纵单个原子,以原子精度将其置于表面,以制造能工作的电子设备。”  “澳大利亚研究小组已可以完全利用晶体硅制造电子设备,我们在晶体硅上面用磷原子替换了7个硅原子,并达到了惊人的精确度。这是重大的科技成就,是表明制造‘终极电脑’(用硅原子制造的量子电脑)可行性的关键一步。”将原子置于某个物体表面的技术——扫描隧穿显微镜——已问世二十年之久。在此之前,没人能利用该技术去制造原子精度的电子设备,然后令其处理来自微观世界的电子输入。  西蒙斯教授说:“电子设备究竟能有多小?我们正在验证它的极限。澳大利亚的第一台电脑在1949年上市,它占据了整个房间,你只能用手拿着零部件。今天,你可以将电脑放在手掌上,许多零部件的直径甚至只是一根头发直径的千分之一。”  “现在我们已经展示了世界上第一台用硅材料在原子刻度下系统性制造的电子设备。这不仅对电脑用户具有特别的意义,对所有澳大利亚人来说都极为重要。过去50年来,电子设备小型化一直是驱动全球经济生产率快速增长的关键因素。我们的研究表明,这个进程仍可以继续。”  美澳联合研究小组的主要目标是用硅原子制造量子电脑,澳大利亚人在该领域拥有独一无二的人力资源,同时处于世界领先地位。这台新电子装置表明,实现设备在原子刻度下制造和测量的技术已经开始来临。  目前,商业晶体管闸极(transistor gate,该装置可令晶体管充当电流的放大器或开关)的长度约为40纳米(1纳米相当于十亿分之一米),量子电脑技术中心的研究团队正在开发长度仅为 0.4纳米的设备。  西蒙斯教授指出,20年前,唐艾格勒(Don Eigler)和埃哈德施魏策尔(Erhard Schweizer)在IBM公司的阿尔马登研究中心,用氙原子造出了IBM公司的标识,这也是当时世界上最小的标识。二人利用一台扫描隧穿显微镜,将35个氙原子置于镍表面,拼出了“IBM”三个字母。  艾格勒和施魏策尔的研究论文发表于《自然》杂志上,他们写道:“设备小型化的基本原理是显而易见的。”二人还在论文中多次提出警告,并在最后总结说:“原子刻度的逻辑电路和其他设备的前景距离我们有些遥远。”西蒙斯教授说:“当时看似遥远的事情如今变成了现实。我们利用这种显微镜不仅可以观测或熟练操作原子,还能用7个原子制造原子精度的设备,令其在真实的环境中工作。”
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