http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/01/201501091358_531780_2972800_3.jpg 科学界关于“微生物纳米线”的争论已经存在了十年，近日，美国麻州大学阿默斯特分校的德里克•洛弗利研究小组利用新的成像技术——静电力显微镜（EFM）从物理学上证明了地杆菌微生物体内“微生物纳米线”的存在，这是一项极具环境和现实意义的发现，微生物纳米线是潜在的“绿色”的电子元件，可再生、无毒、可基因操控，未来将广泛用于工程微生物传感器和生物计算设备等领域。 “微生物纳米线”是一种线状纤维蛋白，它们就像安在微生物身体上的微小电线一样，可以传输电荷。“图像显示电流沿着微生物纳米线流动，眼见为实，能在分子水平上将纳米线传输电荷的机制可视化是非常令人振奋的。”洛弗利激动地说。纳米线证明了地杆菌以土壤中的铁和其他金属为生，这将使其在改变土壤化学状况以及环境净化中发挥重要作用。 这一发现不仅在生物学上，也在材料学上提出了一项重要的新原理：当设置正确时，天然氨基酸可像碳纳米管等分子导体一样传输电荷。它为蛋白质纳米电子学开辟了前所未有的前景。目前正在开发应用程序有两个：一是把地杆菌集成到电子传感器中来监测环境污染物，二是基于地杆菌的微生物计算机。“我期望这项技术未来可以应用于更多物理学和生物学交叉的领域。”洛弗利说。
http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/01/201501091400_531781_2972800_3.jpg 益择网讯（慕雪/编译）科学界关于“微生物纳米线”的争论已经存在了十年，近日，美国麻州大学阿默斯特分校的德里克•洛弗利研究小组利用新的成像技术——静电力显微镜（EFM）从物理学上证明了地杆菌微生物体内“微生物纳米线”的存在，这是一项极具环境和现实意义的发现，微生物纳米线是潜在的“绿色”的电子元件，可再生、无毒、可基因操控，未来将广泛用于工程微生物传感器和生物计算设备等领域。 “微生物纳米线”是一种线状纤维蛋白，它们就像安在微生物身体上的微小电线一样，可以传输电荷。“图像显示电流沿着微生物纳米线流动，眼见为实，能在分子水平上将纳米线传输电荷的机制可视化是非常令人振奋的。”洛弗利激动地说。纳米线证明了地杆菌以土壤中的铁和其他金属为生，这将使其在改变土壤化学状况以及环境净化中发挥重要作用。 这一发现不仅在生物学上，也在材料学上提出了一项重要的新原理：当设置正确时，天然氨基酸可像碳纳米管等分子导体一样传输电荷。它为蛋白质纳米电子学开辟了前所未有的前景。目前正在开发应用程序有两个：一是把地杆菌集成到电子传感器中来监测环境污染物，二是基于地杆菌的微生物计算机。“我期望这项技术未来可以应用于更多物理学和生物学交叉的领域。”洛弗利说。
金属纳米线具有优异的电、光、磁与热学性能，在微电子、光电子、催化与传感器等领域具有诱人的应用前景。目前，基于多孔模板合成金属纳米线的实验室方法主要有电沉积法与无电沉积法。然而，这两种方法都有其不可克服的缺点。前者在制备过程中需要消耗电能 后者在合成过程中必须添加有机表面活性剂或需要对模板的孔壁进行敏化与活化处理，不仅实验过程复杂繁琐，而且会造成一定的环境污染。 最近，中国科学院固体物理研究所许巧玲博士发明了一种简单、经济、绿色、普适的金属纳米线制备方法，实现了单一金属纳米线的成分、异质纳米线的段数与成分以及纳米线形貌的可控生长。该方法既不需要使用电源，又不需要添加任何有机表面活性剂，也不需要对模板孔壁进行复杂的敏化与活化处理，而只需将一面蒸金、周围带铝的阳极氧化铝模板浸泡在金属氯化物的水溶液中，借助原电池原理，便可在氧化铝模板的纳米孔道里形成相应金属的纳米线。 采用该方法，获得了多种具有不同成分或结构的金属纳米线，包括金属单质纳米线(如Au、Pt、Pd、Cu、Ni与Co纳米线)、金属合金纳米线(如AuPt合金纳米线)、由具有不同性能的金属或合金组成的纳米线异质结(如两段的Au-Ni与三段的Au-Ni-Au纳米线异质结等)以及分支形貌的金属型纳米线(如Y分支形)。这些成分与形貌可控的金属纳米线在纳米科技的许多方面具有广泛的应用前景。这种方法可以进一步开发与拓宽，用于大批量合成人们所需要的各种金属型纳米线。相关研究结果申请了中国发明专利，撰写的论文发表在材料化学领域重要期刊《材料化学》(Chem.Mater)(21,2397–2402，2009)上。 该工作得到国家科技部“纳米研究”重大科学研究计划(No.2007CB936601)、国家自然科学基金杰出青年基金(No.50525207)和中科院百人计划资助。(来源：中国科学院固体物理研究所)
我现在标定了一副 纳米线 的选区电子衍射图样，可以确定这副图样的晶带轴方向，请问 这个晶带轴 方相是否就是 纳米线的生长方相吗？？？
我是制备磁性纳米线的，采用直接用铜网擦样品表面的方法，发现在铜网上的纳米线很少，这种情况下如何减少磁性材料对仪器的影响，谢谢。
[size=4][color=#DC143C]我想做一个关于核壳纳米线的Mapping图，给出其中核壳两种不同物质的元素分布图，看到很多文章中有Mapping图非常漂亮，自己也想去做一个。不知道哪些单位可以做。纳米线比较小，长度约为500nm，直径为40个纳米（其中壳层比较小，可能只有7纳米左右，需要较高的分辨率）我需要做O，Si，C三种的元素Mapping。我在广州，这边做不了，请那位高手推荐一下，我可以过去做！谢谢了。[/color][/size]
在基底上沉积的膜(10几纳米左右，有孔洞)+纳米线阵列(1微米左右)，想分析纳米线的成分，可否用xps?xps能够反映表面以内多深的信息？基底的信息会造成干扰么？膜呢？菜鸟一只，不要见笑。
这是闪锌矿和纤维锌矿结构交替的InP纳米线。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/03/200803311650_83355_1609414_3.jpg[/img]这是对应的衍射花样，有两套花样组成。其中透射斑点上下各一个点所在直线方向应该是纳米线轴向方向，请教那位高手给标定以下这些点对应的晶面指数。谢谢！[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/03/200803311654_83359_1609414_3.jpg[/img]
有没有做电沉积ZnO纳米线的，可以交流一下[em0901]
请教各位高人，怎样将纳米线/管粘在SPM针尖上
Si基上生长的纳米线结构，因为样品生长不均匀，可能只是在比较小的区域内生长了，所以不能具体确定在哪个区域，这种情况下怎么处理TEM样品呢
我的样品是沉积在模板中的纳米线,怎么做红外啊,谢谢老大们纳米线的外面有有机物,主要是看有机物和纳米线结合后,相应的官能团有没有移动1.模板溶解需要氢氧化钠或磷酸溶解(多孔氧化铝),然后作液体中纳米线的红外,老师说样品池会被腐蚀掉,我可不可以这样:先用碱溶解,然后用磷酸调PH到中性?2.我可不可以这样:把带有纳米线的模板研碎,然后压片作固体的红外?多谢各位了,
检测纳米线的PL光谱强度用什么仪器呢
生物传感器能够将各种生化反应转换成可测量的电学、光学等信号，属于典型的多学科交叉领域。在生物传感器研究中，器件设计与传感策略一直成为该领域的研究热点，开发具有高灵敏度、时效性兼具可制造性的生物传感器具有重要的科学价值和应用前景。 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所生物医学部程国胜研究员课题组采用CMOS兼容“自上而下”加工工艺，以SOI（silicon-on-insulator）硅片为衬底，加工出尺寸可控的一维Si纳米线场效应管。在生物传感器研发过程中，纳米材料表面的功能化修饰是其中一项重要环节，该团队在前期工作中已探索了半导体纳米材料的表面修饰基本方法（Langmuir 26, 4514–4522, 2010；Langmuir 27, 13220–13225, 2011）。在此基础上，通过共价结合方法选择性地在Si纳米线表面修饰急性心肌梗死标志物——心肌肌钙蛋白I（cTnI）的单克隆抗体，制备了面向心肌梗死诊断的生物传感器。测试结果表明，生物传感器对cTnI的响应时间小于2 min，其动态线性响应范围92 pg/mL～46 ng/mL，相关工作发表于Biosensors and Bioelectronics（34, 267-272, 2012）。 进一步通过分析器件电流响应中的低频噪声谱，发现当器件工作于反型区时，相较于空气中的响应，液相环境下噪声谱幅度的倒数受栅极电压的调控作用更加明显。基于此，研究人员以血清体系为研究对象，对比了传统电流响应与噪声谱分析方法，在电流响应无法区分待测cTnI蛋白的情况下，噪声谱分析能够实现2个数量级的信号差别。 部分结果发表于Applied Physics Letters（101, 093704, 2012），为实现新型、高灵敏度生物传感器的设计提供了思路。 上述研究工作得到了中科院“百人计划”项目、国家自然科学基金、国家重大科学研究计划（973项目）经费支持，同时得到了苏州纳米所纳米加工平台及分析测试平台的技术支持。http://www.cas.cn/ky/kyjz/201209/W020120911317688421684.jpg图1 器件阵列形貌（A），Si纳米线扫描电镜图片（B）以及典型的cTnI传感结果（C）。http://www.cas.cn/ky/kyjz/201209/W020120911317688424476.jpg图2 噪声幅度倒数与栅极电压之间的关联（A），电流模式下（B）及噪声谱分析方法下的cTnI响应（C）。
![[求助]哪位大虾可以帮我分析纳米线的多晶环](https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/07/200607131819_21405_1875182_3.jpg)
我是新手，学物理的，没有分析过透射电镜微区衍射图，请大家帮帮忙，帮我分析附件里纳米线的多晶环吧，谢谢了！也不知道怎么直接发图片就放到附件里了。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/07/200607131819_21405_1875182_3.jpg[/img]
最近在做聚吡咯纳米线。发现做TEM是效果 总是很不好。谁指导一下改怎么处理样品？急盼回复。
金、银、铜、铝的金属纳米线都可以，只要直径在100nm内，长度在50um以上均可以。不知道有哪几种制备方法可以完成。如果可以，能够合作最好，谢谢liupan@emails.bjut.edu.cn
请教InP纳米线的电子衍射图标定。我用的平行四边形法标出了r1r2r3,测量出r1,r2,r3的长度后，计算出Lλ=600*0.0251=15.06mmA计算出的面间距跟卡片对不上，请专家看看我的计算方法有什么错误吗？那位高手帮我标定一下，不胜感激！！[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2007/12/200712181644_73263_1609414_3.jpg[/img]
用三电极，在AAO制备Co纳米线时，发现沉积电流太小。是怎么回事？是不是要除去阻挡层呢？还是我的模板的孔径太小，只有20nm。（我用的模板是whatman的商业品）
我在多孔氧化铝模板（AAO)中填充了Ni的纳米线阵列，老师让分别测试平行阵列方向和垂直阵列方向的磁性，请问该如何操作？（是不是在换算磁性物质的质量的时候必须把模板的重量扣除？）请高手赐教，谢谢！
如图所示是a-MnO2纳米线的衍射花样标定和相应的HRTEM，如何根据如图所示的衍射斑点标定，确定四方相纳米线生长方向？能否告知方法是什么？http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/10/201310090900_469970_1606080_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/10/201310090900_469971_1606080_3.jpg
三年了，第一次要测高分辨我做的是半导体纳米线，直径约120nm左右请问各位大侠，高分辨的制样与一般投射制样有什么需要值得注意的地方吗？先谢谢各位大侠了！
我们由单晶硅片（100）用化学刻蚀法制备了定向Si纳米线阵列，测得XRD谱图如下面的第一幅图所示，有一个明显的（400）衍射峰。低角度部分放大如第二幅图所示，其中第1个小峰和第2个强峰可以分别和硅的（111）和（200）对应，但是61.7度左右的强峰却和所有硅标准卡片上的任何峰都对不上。百思不得其解，求高手给指点一下。非常感谢！http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/10/201110261025_326390_1629782_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/10/201110261029_326391_1629782_3.jpg
我自己用氧化铝模板做的纳米线阵列在做TEM之前都要把氧化铝模板腐蚀掉，但是我怎么腐蚀都有一层氧化铝包裹在纳米线表面，所以想请教大侠，把模板的去除干净的方法，这样做TEM的时候才好看见晶格像啊[em0702] ！
我最近做了一个Si纳米线， 做了一些HRTEM图片，我自己看了下，对方向不是很清楚（刚刚开始做） shxie老师个位高手能不能麻烦你帮忙分析一下啊？ 谢谢：）~[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/10/200610160817_29182_1630360_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/10/200610160817_29183_1630360_3.jpg[/img]
请大家帮忙。这是个纳米线，我想判断一下纳米线的TEM中间部分的黑点到底是什么东西，一定是吸附在上面的粒子吗？还是有可能在纳米线里面？
1、实验步骤(1)AAO模板前处理依次用丙酮，乙醇，去离子水对模板进行清洗，以除去表面油污和灰尘等杂质，以防阻塞纳米孔。然后，在模板的一侧进行喷金处理，根据本实验要求，选择喷黄金，喷金在真空条件下进行，时间为5min。前处理后，测得AAO模板喷金侧具有良好的导电性。 (2)电镀液的选取主要选用Ni的盐溶液作为电镀液使用，考虑到AAO模板易被腐蚀的特性，配制了酸性和中性两种电镀液配方进行实验。(3)电镀实验预处理用循环水泵抽真空，使电镀液充满氧化铝模板的孔洞。抽真空时间为12h左右，至溶液内不再有气泡冒出为止。 (4)电沉积 在室温条件下，采用两电极体系，Pt作为对电极。直流电源下电流密度恒定在8mA/cm2条件下制备得到了金属Ni纳米线。将所制备的样品用3MNaOH溶液进行充分溶解，除去多孔氧化铝膜，用去离子水反复长时间冲洗，将残留的NaOH去除干净。2、 结果与讨论2.1模板的微观形貌图1为AAO模板的电镜形貌图。AAO模板孔径为80~100nm。孔隙率，模板中孔洞的体积之和占模板总体积的百分比，用P表示。因模板孔洞平行排列，故孔隙率的大小可用垂直于模板孔洞生长方向的平面上，孔洞面积与总面积的比值来计算。所用模板孔隙率计算如下：α(孔密度)=n÷S总 （2·1）P(孔隙率)=S孔÷S总 （2·2）其中，n(孔数)应按选定的分析面积内完整孔洞的数目来计算。由于孔洞数目较多，且实际模板的孔洞并非理想的圆形，因此，可以考虑借助专门的图形分析处理软件对一些结构参数进行辅助分析计算，一方面可以提高工作效率，另一方面，结构参数分析的准确率也可以得到很好的保证。经计算得，实验所用AAO模板孔隙率约1011个孔/cm2。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251659_567922_3043450_3.jpg图1 AAO模板的SEM图2.2制备Ni纳米阵列在室温下恒流电镀9h后，将AAO模板置于3M的NaOH中50min，进行模板的去除后，用SEM观察其微观形貌。图2为去除AAO模版后的纳米线的SEM图。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251659_567923_3043450_3.jpg图2 Ni纳米线的SEM图从图2可以看出， Ni纳米线呈束状，有较大的长径比，大量纳米线互相接触，这是由于溶解时间过长，AAO模板全部被除去后，单独的纳米线无法独立支撑，未形成规整的阵列结构。Ni纳米线直径在80-100nm之间，这与AAO模板孔洞直径分布有关。AAO模板的制备过程中会因降压引起纳米孔洞底部变细小，镍纳米线的外形与氧化铝模板具有相似性，因此镍纳米线的根部会有分支、变细的现象。还可能是电沉积过程中，导电性能好的区域生长较快形成的。纳米线表面不光滑则说明Ni纳米线的生长为单晶结构，生长速度有一定的不可控性。图3为所制备的Ni基纳米线的俯视图，AAO模板全部去除，纳米线互相接触。可以看出，Ni纳米线具有很好的取向性且未发生断裂，表明纳米线刚性较好。在模板全部被去除的情况下，仍保持有一定的有序性。纳米线生长长度基本一致。纳米线呈束状集中也有可能是电沉积时间过长，导致所沉积的纳米线长度超过模板而在模板表面沉积而形成的。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251659_567924_3043450_3.jpg图3 Ni基纳米阵列将AAO模板的去除时间缩短为35min，电沉积时间仍为9h，对制得的样品进行微观表征，如图4的a、b、c、d所示。由图4可知，模板部分去除后得到的Ni基纳米阵列，呈排列整齐的阵列结构，可用于下一步的纳米阵列电催化性能的研究。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251659_567925_3043450_3.jpg图3·5 Ni基纳米阵列的SEM图依据上面的分析结果可知，为得到排列规整的Ni基纳米阵列，需对电镀时间和模板溶解时间进行调整。缩短模板溶解时间，使Ni纳米线底部不与基体脱离，使纳米线之间相互独立，保持模板去除前的间距，从而得到Ni基纳米阵列电极。3、结论通过AAO模板电沉积法制备的Ni基纳米线平行排列，高度有序，镍基纳米阵列中镍纳米线直径为80~100nm。
一直在做Au的纳米颗粒方面的东西，有个问题一直比较困扰。我的颗粒理论是0.8-1 nm的，粒径分布比较均匀，但是观察时有这么一个问题：如果简单分散到碳膜上（普通碳膜，非超薄），那么颗粒在1.0 -1.1nm左右，但如果分散到纳米线上，悬空观察，则是0.9 nm左右。后者应该比较可信，因为纳米线有特征晶格条纹做内标。前者应该也可以，是用金标样做过校正的。那么是不是碳膜的厚度影响了纳米颗粒的粒径测量？还是说在分散到纳米线上和分散到碳膜上，颗粒发生了一定的形变？多谢！
我在透镜中作了一个单根纳米线的能谱,并给出了相应数据,请问老大们1.下面表中,第一个是含量的百分比,我理解.那第二个中的这些(Net Inte. Backgrd Inte. Error P/B)什什么东西阿,我不知道.2.文章中不分析第二个表可以吧?3.只用它来说明我得到的是硫化银,可以吗?透镜的老大说来这里问问,这有人知道,谢谢老大们了,Element Weight % Atomic %----------------------------------------------C K 19.4 59.1FeL 0.0 0.0S K 5.5 6.2CuK 39.4 22.6AgK 35.7 12.1Total 100.0 100.0Element Net Inte. Backgrd Inte. Error P/B -------------------------------------------------C K 20.76 1.47 3.10 14.17 FeL 0.00 1.66 0.00 0.00 S K 19.26 1.40 3.22 13.80 CuK 70.53 0.28 1.58 252.69 AgK 16.94 0.44 3.29 38.84 kV: 200.00 Azimuth: 90.00 Elevation: 20.00 Tc: 100.0Det Type:SUTW, Sapphire Res: 131.00 Lsec: 57
我在透镜中作了一个单根纳米线的能谱,并给出了相应数据,请问老大们1.下面表中,第一个是含量的百分比,我理解.那第二个中的这些(Net Inte. Backgrd Inte. Error P/B)什什么东西阿,我不知道.2.文章中不分析第二个表可以吧?3.只用它来说明我得到的是硫化银,可以吗?透镜的老大说来这里问问,这有人知道,谢谢老大们了,Element Weight % Atomic %----------------------------------------------C K 19.4 59.1FeL 0.0 0.0S K 5.5 6.2CuK 39.4 22.6AgK 35.7 12.1Total 100.0 100.0Element Net Inte. Backgrd Inte. Error P/B -------------------------------------------------C K 20.76 1.47 3.10 14.17 FeL 0.00 1.66 0.00 0.00 S K 19.26 1.40 3.22 13.80 CuK 70.53 0.28 1.58 252.69 AgK 16.94 0.44 3.29 38.84 kV: 200.00 Azimuth: 90.00 Elevation: 20.00 Tc: 100.0Det Type:SUTW, Sapphire Res: 131.00 Lsec: 57
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