阴极发光设备(SEM-CL)在量子异质结构方面的应用
20世纪下半叶见证了半导体量子结构的出现,这是由于半导体量子结构在发光方面的卓越性能。将维数降为点状量子点(QDs),量子点与原子表现出有趣的相似之处,人们付出了巨大的努力来评估它们的性质。考虑到光和纳米线之间的强相互作用,嵌入在被称为纳米线(NWs)的丝状晶体中的量子点的生长变得相关。NWs中的量子点尤其有望成为量子技术的关键要素,如量子通信和密码学。然而,量子点(约5-10 nm)和量子点的维数都降低了(直径约100 - 200nm)会使量子点性质的测量变得非常复杂。特别是,由于衍射的限制,很难用全光学测量来评估紧密放置点之间的绝对量子点位置和分辨率。