太阳能电池器件

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太阳能电池硅片清洗花篮 品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是用途：清洗别名：花篮、承载篮用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PTFE，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.特点：1.外观纯白色。2.耐高低温：可使用温度-200℃～＋250℃。3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。 4.防污染：金属元素空白值低。5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。9.机械性质较软，具有非常低的表面能。聚四氟乙烯（PTFE）系列产品：培养皿、坩埚、试剂瓶、试管、镊子、药匙、烧瓶、烧杯、漏斗、容量瓶、蒸发皿、表面皿、阀门、接头、离心管等。

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PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

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微型电子器件插件采用特制夹具将微型电子器件、太阳能电池以及其他晶片状材料固定在样品杯中，使其免遭到破坏。测试后，样品可以完好无损的取下，重新回到制备环节中去，或者参与其他损耗检测。微型电子器件插件与金像样品杯结合使用，可以直接将样品固定于插件上。不需要在背面粘附样品或者样品表面接触，通过倾斜的夹钳将样品牢固的固定在插件上，16 个夹钳均匀施力，不会造成样品的损坏。X-断面观测插件适合于涂层以及多层半导体器件等断口、断面的观测。与传统的耗时又费钱的树脂镶嵌相比，这种办法简单而快速，且不需要螺丝等其它工具来固定样品。X-断面观测插件与金像样品杯结合使用。借助X-断面观测插件，样品固定在特制夹具中，无需其他辅助工具，可以迅速而简便的对样品的位置进行调整。X-断面观测插件保留样品断面的原始状态，无需抛光，使得观测完毕后样品可重新使用或进行其它检测。

激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

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多功能翘曲度测量仪配件是孚光精仪公司进口的全球领先的翘曲度检测仪器，一套翘曲度测试仪器可以测量：热沉,晶圆(wafer),太阳能电池和硅片翘曲度,应力以及表面形貌。多功能翘曲度测量仪配件是特别为半导体晶圆（wafer)和太阳能电池（solar cell)的翘曲度（warp) 和弯曲度(bow)以及表面形貌(topography)的测量而设计，可以测量晶圆翘曲度（wafer warpage) 和晶圆表面形貌, 晶圆应力,硅片张力,太阳能电池量子效率，既适合科研单位使用，也适合工业客户大产品、高效率的晶圆翘曲度和表面形貌的检测的需要。 我们还根据不同晶圆类型提供如下两种硅片翘曲度测量仪： 1. 非反射型：适合晶圆表面覆盖晶圆保护膜/胶带（wafer tape)，图案化晶圆 /图样化晶圆（patterned wafer)，粗糙的晶圆的应用； 2. 高反射型： 适合晶圆表面光滑 / 镜反射的应用。 多功能翘曲度测量仪配件特点： × 适合不同尺寸的晶圆检测，从0.5’‘到12' ' 的直径； * 标准检测能力为： 每小时可检测2000个晶圆或更多太阳能电池； × 同时测量多个晶圆或太阳能电池； × 测量镀膜后的晶圆或solar cell * 分析太阳能电池或晶圆应力和张力； * 对晶圆表面进行图像分析； * 测量图案化晶圆或非图案化的晶圆； * 具有太阳能电池的量子效率测量选项供选择 多功能翘曲度测量仪配件参数： × 翘曲度测量范围：1-20微米； * 重复精度： 百分之0.5 （1 sigma) * 给出结果：曲率半径,晶圆弯曲高度，翘曲度，测量日期和时间； * RMS粗糙度mapping: 0.5-20A （可选项）； * 光源：根据用户的应用而配备不同光源； * 探测器：高分辨率探测器阵列并配备亚像素软件；

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PFA花篮 晶圆花篮 铁氟龙耐高温耐酸碱腐蚀组装清洗花篮6寸25片太阳能电池硅片清洗花篮品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PTFE，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.

材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花篮、太阳能硅片花篮_太阳能硅片承载器、光伏电池片花篮、光伏硅片花篮，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片. 目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮聚四氟花篮

表面形貌仪配件又称为光学形貌仪或三维形貌仪，它除了用于测量物件的表面形貌或表面轮廓外，具有测量晶圆翘曲度的功能,非常适合晶圆,太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量，应变测量以及表面形貌测量。 三维形貌仪主要配件应用 用于太阳能电池测量 用于半导体晶圆测量 用于镀膜玻璃的平整度（Flatness)测量 用于机械部件的计量 用于塑料,金属和其他复合型材料工件的测量 表面形貌仪配件特色 *除了表面形貌的测量，还可以测量张量和应力（简单）； *可测量晶圆的尺寸为0.5' ' 到12' ' , 最高可达45x45cm的尺寸，对于小于0.5' ' 的晶圆或样品，可配备微距镜头。 *测量晶圆或其他样品的表面形貌,粗糙度和翘曲度； *克服常见干涉仪在粗糙表面（油漆）表现不足的问题； *非接触式测量

BATOP 现已成为用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM?)，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围。 微片（Microchip）由一个可饱和吸收镜和Nd:YVO4激光晶体结合，在808nm激光二极管泵浦下，经过被动调Q调制，可产生1064nm脉冲激光。微片激光器具有全固化、体积小、结构简单、适合批量化生产等特点，在许多领域得到了广泛应用，包括：激光雷达、激光测距、半导体加工、太阳能电池制造、激光打标、切割、短波红外成像、眼科和皮肤科。Please check our Optics stock.

KJLS高纯金属材料靶材，已经广泛应用于各种行业，包括半导体、太阳能电池、电子、光学、LED、平面显示、航空航天、军工、装饰等工业用途及科研应用。为满足多领域多样化需求，可根据客户要求定制材料尺寸。

透明度：97%,外观（形状）：薄，覆盖率：95%，石墨烯层数：1，厚度（原理上）：0.345毫微米，场效应管电子AI203迁移率：2,000cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率：4,000cm2/Vs,表面电阻：170欧姆平方米，晶粒尺寸：约10μm，正电子发射断层显像板厚度：175μm，应用：有机太阳能电池、氧化铟锡更换、石墨烯研究柔性显示器。

高功率皮秒激光器---新产品!——High power picosecond laser新产品! EdgeWave的最新产品是PX-系列和QX-系列超短脉冲INNOSLAB激光器，其平均功率分别为100瓦和400瓦，脉宽为10皮秒，它们的结构十分紧凑，尤其适合微加工应用。您可以在2011年慕尼黑国际应用激光、光电技术贸易博览会(LASER World of PHOTONICS 2011) EdgeWave的展台(Booth C 1.230)上看到这些产品。PX-系列高功率皮秒激光器 ——PX -Series High power picosecond laserPX-系列是基于INNOSLAB激光技术的皮秒振荡放大系统：- 光束质量： M2 1.5- 脉冲能量达 1000μJ- 脉宽 10ps- 峰值功率达 100MW- 脉冲重复频率达 20MHz- 平均功率达 400W- 波长 1064、 532、 355、266nm主要应用：- 光伏产业，如:硅晶园的划片、打孔和切割；薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池导电层和绝缘层的烧蚀- 印刷工业，如: 印刷轮雕版- 显示领域，如: 构造导电层，横向连续硅结晶- 电子行业，如: 印刷电路板的钻孔和切割- 汽车行业，如: 燃油喷射阀门的制造- 工具制造和机械工程，如: 三维快速成型综述:

ZnSe量子点是一种新型环保“绿色”半导体纳米材料，有效克服了Cd系量子点毒性大的缺点，作为宽带隙半导体材料，ZnSe是制造蓝绿波段半导体发光器件的重要材料。应用独特专有技术合成的ZnSe/ZnS量子点具有尺寸均匀，单分散性强，荧光量子产率高，稳定性好，生物毒性低等优异特性；可以广泛应用于蓝光半导体光电器件、太阳能电池、生物标记等领域。 发射峰：400-440 nm半峰宽：20 nm量子产率：~40%表面基团：十八胺（或客户指定配体）溶剂：甲苯（或客户指定溶剂）我们可根据客户需求，提供不同表面基团、溶剂、浓度、400-440nm间任一发射波长的HMF_ZnSe/ZnS量子点。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服 发射峰 & 吸收峰TEM测试图

透明度：97%,外观（形状）：薄，覆盖率：95%，石墨烯层数：1，厚度（原理上）：0.345毫微米，场效应管电子AI203迁移率：2,000cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率：4,000cm2/Vs,表面电阻：170欧姆平方米，晶粒尺寸：约10μm，石英片厚度：500μm，平整度：弓：20μm，弯：30μm，粗糙度：6埃（在圆滑边），圆滑：双面，应用：太阳能电池、触摸显示器。光电探测器、聚光设备。