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铁电薄膜

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铁电薄膜相关的论坛

  • 薄膜熔点仪器选型

    现在我做检测塑料薄膜的熔点,就是包裹丁基橡胶的薄膜(低密度聚乙烯),熔点大于110摄氏度。有没有快速检测但又比较准确的设备?熔点虽然是个范围但是确定起来应该问题不大吧,哪位大师解读下哈

  • 请教一个PFM测试薄膜电畴的问题

    各位兄台,请教一个PFM测试薄膜电畴的问题我的实验过程:选择薄膜的一个微区,通过逐渐增大针尖与样品表面的contact force, 来观测其对区域内晶粒内部电畴变化的影响。最终分别得到了原始PFM图(包括形貌和畴图)和不同三个接触力下的PFM图。有图像看到,增加第一次接触力时,区域内的晶粒电畴颜色均变得更深,而再次增大力时,颜色又变得淡,最后一次增加力,衬度的颜色又变得更深。也就是说随着接触力的逐渐增加,电畴衬度颜色的变化规律呈现:浅—深—浅—深。请问一下,如何对这个其中的机理做出相应的解释。

  • 测塑料薄膜的抗静电性能

    我们的塑料薄膜加了抗静电剂,现在打算测它的表面电阻和体积电阻,但是不知道用什么合适的仪器,大家推荐一下,谢谢

  • 【原创】薄膜物性测量中的假象分析(2)-想说铁电很容易吗?::Artifacts in films' characterizations(2)-fake ferroelectric hysteresis.

    【原创】薄膜物性测量中的假象分析(2)-想说铁电很容易吗?::Artifacts in films' characterizations(2)-fake ferroelectric hysteresis.

    [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/07/200807280008_100339_1611921_3.jpg[/img]图1 一个典型的"铁电"薄膜样品的假象铁电回线分析图[color=#dc143c]本贴首先从材料和仪器的介绍入手,然后讨论当前在材料尤其是薄膜材料的铁电分析中不引人注意的非常容易出假象的地方,最后给出一套合理的规避假象的铁电性表征和分析的方法和建议。[/color]图1所示是一个典型的"铁电"薄膜样品的假象铁电回线分析图,为什么说它是假象,让我们先从基本的材料和仪器讨论开始。铁电体是一定温度范围内具有两种或多种稳定的自发极化状态的介电体。因此一般说来,铁电体具有以下两个显著的特点:特定温度下的铁电相变;和居里温度以下自发存在相互之间极化取向角确定,而在外场作用下(电场或应力场)又可以相互切换的区域,称为电畴。一言以蔽之,铁电体即在特定温度下具有电极化记忆能力的一类材料。近年来铁电相关材料在全球占有的市场份额每年达几十亿美元,它们主要被应用在高介电电容、压电换能器、正/负温度系数型电阻、传感器、存储和光学器件中。Kelvin(1883)曾启示我们,当我们讨论一个物理现象的时候,只有当我们可以对它进行测量的时候,我们才算是开始真正认识它。对铁电体自发极化的测量原本非常简单,据我所知,最早报道的铁电性能测量相当久远,Sawyer and Tower, 1930,其基本的思想是:极化的测量即电荷的测量,电荷的测量通过串联大电容转化成大电容的电压测量。尽管基本的Sawyer-Tower电路中存在一定的近似和一些固有的噪音,但它却是一个非常有里程碑意义的原型,以至于至今仍有人照搬它的模式,如果是对薄膜样品测量,甚至一个简单的信号发生器、一个示波器加一个足够大的电容即可进行一项有效的测量,参比电容的大小,综合考虑近似条件和测量噪音二者之间的trade-off,选用电容在待测样品的10倍和100倍之间为宜。后来,自发极化的测量出现了其他方法,如脉冲法(Camlibel, 1969),但由于该方法无法对样品的极化过程进行控制,至今几乎无人问津;另一种值得一提的方法利用铁电相变的特性从顺电相降温并对热电电流积分获得铁电材料的自发极化值(Chynoweth, 1956),尽管跨越铁电相变的变温度测量原理使其具有令人信服的铁电性测量结果,尽管电测量模块实现也极其简单,只需一只电量表即可,但由于它的核心部分涉及到温度精确控制的技术并由之带来的比电性测量本身昂贵得多的"附加"仪器成本,又由于它对材料有选择性,只有绝缘性能非常好的材料适用于热电电流积分的方法,再由于它积分零点和降温/积分过程中材料极化状态的也难以精确预知的特点更加局限了这种方法的受青睐程度。因此,当今最为流行的铁电分析仪(如Radiant的RT66/RT6000/Premier/Precision和aixACCT的TF2k)实际上仍然是源于Sawyer-Tower电路的测量思想,最直接的原因恐怕是这种方法能在一个温度点,如室温下,方便的对材料极化过程进行操纵,获得一系列铁电回线,当然当今的设备相对比原型有一系列技术细节上的改进,这也是当今的铁电分析仪的价格相比原型有了成十倍上百倍的提高。[color=#dc143c]---更多内容请见下一楼层--[/color]测量假象分析系列上一个专题:[url=http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20080622/1321753/]【原创】薄膜物性测量中的假象分析(1)-难分难解的介电“弛豫”[/url]测量假象分析系列下一个专题:[url=http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20080922/1497806/]【原创】薄膜物性测量中的假象分析(3)-异常磁电耦合效应的背后?[/url]

  • 压电薄膜传感器_压电薄膜传感器详情

    话说这个压电薄膜传感器是具有一种很独特的特性的,它是一种动态模式的应变性传感器,一般通过在人体的皮肤表层进行植入或者植入到人体内部,用来监测人体的一些生命迹象以及特征。其中压电薄膜传感器里面的一些薄膜元件是非常灵敏的,可以隔着外套探测出人体的脉搏。OFweek Mall传感器商城网说一下压电薄膜传感器在医疗行业的应用。1、压电薄膜传感器工作原理当你拉伸或弯曲一片压电聚偏氟乙烯PVDF高分子膜(压电薄膜),薄膜上下电极表面之间就会产生一个电信号(电荷或电压),并且同拉伸或弯曲的形变成比例。一般的压电材料都对压力敏感,但对于压电薄膜传感器来说,在纵向施加一个很小的力时,横向上会产生很大的应力,而如果对薄膜大面积施加同样的力时,产生的应力会小很多。因此,压电薄膜传感器对动态应力非常敏感,28μm厚的PVDF的灵敏度典型值为10~15mV/微应变(长度的百万分率变化)。使用'动态应力'这个术语是因为形变产生的电荷会从与薄膜连接的电路流失,所以压电薄膜传感器并不能探测静态应力。当需要探测不同水平的预应力时,这反而成为压电薄膜传感器的优势所在。薄膜只感受到应力的变化量,最低响应频率可达0.1Hz。2、压电薄膜传感器特点压电薄膜很薄,质轻,非常柔软,可以无源工作,因此可以广泛应用于医用传感器,尤其是需要探测细微的信号时。显然,该材料的特点在供电受限的情况下尤为突出(在某些结构中,甚至还可以产生少量的能量)。而且压电薄膜传感器极其耐用,可以经受数百万次的弯曲和振动。3、压电薄膜传感器医疗应用利用压电薄膜传感器的动态应变片特性,可以轻松的将压电薄膜直接固定在人体皮肤上(例如手腕内侧)。精量电子—美国MEAS传感器的产品型号1001777是一款通用传感器,传感器的一侧涂有压力敏感胶。但这款胶未经生物兼容性认证,在短期试验中可以将3M9842(聚亚安酯胶带)固定在皮肤上,再将压电薄膜传感器粘贴在3M胶带上。压电薄膜之所以即能探测非常微小的物理信号又能感受到大幅度的活动,是因为PVDF膜的压电响应在相当大的动态范围内都是线性的(大约14个数量级)。多数情况下,只要能明显区分目标信号和噪声的带宽,细小的目标信号都可以通过过滤器采集到。类似的压电薄膜传感器已在睡眠紊乱研究中用于探测胸部,腿部,眼部肌肉和皮肤的运动。另外,传感器可以通过探测肌肉(例如拇指和食指之间的肌肉)对电击的反应作为检验麻醉效果的指示器(神经肌肉传导)。压电薄膜传感器包含范围:[color=#333333]气体流量传感器丨微型压力传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨[/color][color=#333333]数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨煤气检测传感器丨气压感应器丨一氧化碳传感器丨h2传感器丨压阻式压力变送器丨硫化氢传感器丨co2气体传感器丨光离子传感器丨ph3传感器丨百分氧传感器丨bm传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]风速传感器丨voc传感器丨[/color][color=#333333]光纤应变传感器[/color][color=#333333]丨位置传感器丨[/color][color=#333333]meas压力[/color][color=#333333]传感器丨[/color][color=#333333]称重传感[/color][color=#333333]器丨甲烷传感器丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨称重传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨[url=http://mall.ofweek.com/1877.html]压电薄膜传感器[/url]丨一氧化氮传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

  • 05版药典薄膜过滤法

    05版药典薄膜过滤法

    05版药典薄膜过滤法[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2005/10/200510251554_9112_1635035_3.jpg[/img]

  • 薄膜红外制样

    在基膜上做聚酰胺薄膜,又把这种复合膜在玻璃板上粘贴,整个玻璃板放在溶剂里,再面把基膜溶解掉。请问我用红外怎么检测基膜是否完全溶解,或者有残留。这个制样方面希望大家给出宝贵意见。我想用刀刮下来,然后用溶剂溶解,在涂覆在溴化钾上面,不知道行不。非线性的聚酰胺只能溶胀的吧。前提是我不可以重新制作薄膜,只有现有的在溶剂中浸泡过的复合膜。谢谢大家。

  • 请教大家:这是薄膜开关还是薄膜面板贴面,内部电路板装微动按键开关(轻触开关)?

    请教大家:这是薄膜开关还是薄膜面板贴面,内部电路板装微动按键开关(轻触开关)?

    如上图第二排第二个按键坏了。HPLC的紫外检测器,仪器型号BIO-RAD MODEL 1706 UVIVIS MONITOR, 控制面板上向下调的按键坏了,失效了,下图是控制面板的背面,就是这个白色条纹膜和前面的按键相连。本人小女子一个,学化学的,实在不懂这东东的原理,请各位大侠指教:这是薄膜开关还是薄膜面板贴面,内部电路板装微动按键开关(轻触开关)?去哪儿修?http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410090943_517440_1317788_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410101109_517586_1317788_3.jpg

  • 氮化硅薄膜窗口免费试样

    Hi,各位大侠好。我们提供各种规格的氮化硅薄膜窗口产品,主要应用于:软X射线显微术、透射电镜、微加工、SEM、UV等等,具有良好的透光性、平整性、耐高温、耐化学腐蚀、亲水性、实用性、稳定性。因为有一批产品工艺摸索更新,目前有价值500元的免费氮化硅薄膜窗口试样可以提供。也正是因为工艺摸索阶段的产品,所以希望拿到免费试样的大侠,能够在短期能给予回复,评论产品的优缺点,以便我们进行工艺改进,生产出更好的产品。免费试样领取名额有限,原则上限定前20名联系人,特殊情况,适当放宽。其他参与者,有机会另外获得AFM/STM 探针免费赠送鼓励。领取条件:1、提供单位名称、联系方式(包括电话、邮箱);2、研究/工作方向,希望用氮化硅薄膜窗口主要应用于什么方向;3、最好能够在收到试样一个月内回复使用情况的;附件是氮化硅薄膜窗口的一些资料,及部分应用成果。站内联系,留下联系方式,前20名,我们会很快联系您,并将免费试样寄给您。(来信请注明:氮化硅薄膜窗口试样免费领取)寄语版主:版主大虾,您好……鉴于我们也是出于为产品质量考虑,借用下群众雪亮的眼睛,在贵宝地求证,还望多多照顾。不要以广告论处!谢谢您的谅解!如果您也支持的话,不妨偶尔将帖子置顶下,谢谢啦。

  • 谈谈薄膜真空计(2)

    现代真空应用技术的发展,涉及的应用范围越来越广泛、真空应用设备对仪器仪表的要求越来越高,特别是对测量精度、稳定性要求、以及自动控制性能要求也越来越高,这直接关系到真空设备的整体性能质量,关系到真空应用技术或应用工艺的应用效果,甚至于成功与否。在精细化工、真空冶炼、真空单晶炉、真空热处理、真空浸渍、真空冷冻干燥、真空绝缘处理、电真空器件、半导体材料生产、高特新材料、新能源设备等等行业中尤其特出。许多新设备、新工艺、新产品的开发之所以老是无法实现预想的技术指标和效果,往往就是因为真空测控仪表选型不当、其实际的测量控制精度无法达到设计要求所造成的。当然,薄膜真空计也不是没有缺点的,首先是价格高,国内一般是4-6千元,量限低的贵些;进口则1.6—2.5万元/只左右;其次,国内老式的薄膜规容易零漂,需要经常校正,要求高的经常校正。主要是技术陈旧,国内材料科学相对落后造成的,温度稳定性不好;还有一个量程跨度小,国内的不超过3个数量级。第三是国产规娇气,容易坏,有油污进去很难清洗,要用丙酮,清洗挽救13往往会报废,小量程的23会坏。所以,我们需要有一种具有国产价格、进口品质的、使用方便、经久耐用薄膜真空计。结合我国国情、学习国际先进的真空测量新技术,我们能够做得到的。分析国外的薄膜真空计与我们旧式国产产品的有什么不同呢?简单说一说,其核心技术一是陶瓷薄膜电容真空压力测量技术、二是现代智能仪表技术。首先是通过大规模厚膜电路(国内有些厂家还是20年前的007运放),将薄膜电容测量机构和传感器调理电路微型化,做在陶瓷基片上,另外,将智能仪表电路微型化,一次仪表和二次仪表合二为一,所以量程宽、精度高、体积小;(其典型代表如莱宝62x、英福康TCBG等等)。未完待续

  • 测量薄膜的紫外可见最大吸收波长的对薄膜的要求?

    测量薄膜的紫外可见最大吸收波长的对薄膜的要求?

    请问各位大侠,在测量薄膜的紫外可见最大吸收波长时,要求薄膜时透明的吗?乳白的的可以吗?我的是PET薄膜,通过不同的溶解方法再旋转涂膜得到两种完全不同的薄膜,见图,一种是乳白色不透明,一种无色透明我的实验目的是在PET薄膜中加入一种染料使其变色,以不加染料的PET薄膜作为参比,测量加染料薄膜的紫外可见最大吸收波长请问各位大侠前辈哪种才适用于我的目的呢?现在还没有做出加染料的薄膜。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/04/201304122026_435158_2341438_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/04/201304122026_435159_2341438_3.jpg

  • 【求助】薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗?谢谢!

    各位大侠帮忙解答:1. 我看文献上有的说xrd掠入射看薄膜物象鉴定,常规的θ/2θ扫瞄看薄膜的择优取向。薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗?2. 我做常规的θ/2θ扫瞄时只有衬底峰没有薄膜信息,所以只能做掠入射,我是在单晶SiC片子上磁控溅射AlN薄膜(约500nm厚),但是我要对比不同参数下薄膜的择优取向,我该怎么测呢?3. 我用的设备是日本理学D/MAX 2500PC X射线粉末衍射仪,做掠入射时加了薄膜附件,采用2θ扫瞄模式,θ角固定(2.5、3、5、8、15、30度),不管θ角多大都没出现衬底峰只有薄膜峰,但是随着θ角的增大,AlN (0002)峰强也增大,而.(10-13)峰强则减小直到消失,这是为什么?另外,掠入射时θ角越小x线在薄膜中的光程应该越大,反应的薄膜信息应该越丰富对吗?为什么我做θ角0.5度和1度时什么峰都没有呢?

  • 【转帖】CPP薄膜的技术进展及市场分析

    摘要:本文简要介绍了流延聚丙烯薄膜(CPP)在生产工艺、生产设备、原料等几个方面的技术进展,对一些新产品进行初步探讨,根据市场状况提出一些看法。关键词:聚丙烯 流延 薄膜 技术进展 市场前言 我国CPP薄膜起步于20世纪80年代,刚开始由国外引进单层流延设备,宽只有1~1.5m,年生产能力约1000~1500吨/台,进入90年代,从奥地利兰精公司、日本三菱重工、德国Reifenhauser 、 W&H 、 意大利Colines、 Dolci、 美国Battenfeld等引进了多层共挤流延膜生产线,宽2~2.5 m,年生产能力3000~4000吨/台,2000年以来更是突飞猛进,引进了更为先进的生产线,宽4~4.5 m,年生产能力5000~6000吨/台的多层共挤流延膜生产线。同时,国产设备也得到快速度发展。原料从刚开始完全依赖进口到现在均聚、二元共聚料国产料已基本可以替代进口;产品从刚开始单一的复合级发展到现在有镀铝级、蒸煮级、印刷级及其他功能性薄膜;CPP薄膜已发展成为最主要的包装薄膜之一,当然市场供求关系亦从原来的供不应求发展到现在生产能力过剩的状态。

  • 秀秀 薄膜封口机

    秀秀 薄膜封口机

    秀秀 薄膜封口机薄膜封口机简介  英文名称:Film sealing machine   薄膜封口机是采用电子恒温控制和无级调速的传动机构,用于各种材料塑料薄膜、铝箔封口包装的(机器)设备。   薄膜封口机分为:充气薄膜封口机、立卧两用薄膜封口机、自动薄膜封口机等 薄膜封口机工作原理、特点  薄膜封口机由机架、减速调速传动机构,封口印字机构,输送装置及电器电子控制系统等部件组成。采用电子恒温控制和自动输送装置,可控制各种不同形状的塑料薄膜带,能在各种包装流水线上配套使用,其封口长度不受限制;具有连续封口效率高,封口质量可靠、结构合理、操作方便等特点;本机可以卧式、立卧、落地式多用,卧式使用干燥物品的包装封口;立式适用于液体物品的包装封口。 该机还配上印字装置,在封口的同时还直接印上厂名、商标、出厂日期或有效期、检号、批号等内容 薄膜封口机使用  接通电源,各机构开始工作,电热元件通电后加热,使上下加热块急剧升温,并通过温度控制系统调整到所需温度,压印轮转动,根据需要冷却系统开始冷却,输送带送转、并由调速装置调整到所需的速度。   当装有物品的包装放置在输送带上,袋的封口部分被自动送入运转中的两根封口带之间,并带入加热区,加热块的热量通过封口带传输到袋的封口部分,使薄膜受热熔软,再通过冷却区,使薄膜表面温度适当下降,然后经过滚花轮(或印字轮)滚压,使封口部分上下塑料薄膜粘合并压制出网状花纹(或印制标志),再由导向橡胶带与输送带将封好的包装袋送出机外,完成封口作业。   第一步、穿胶膜 拿到胶膜需确认胶膜卷绕方向,找出逆时针方向,并将其放到胶膜杆上固定。(穿胶膜时请关闭电源) 注意胶膜前后固定夹板是否和胶膜紧密结合,如无法紧密结合,需用美工刀将胶膜纸管内侧切斜角再行放入。 穿好胶膜后用胶布将胶膜牢牢的贴在收料纸管上。   第二步、封口操作步骤 接通电源,打开电源开关,指示灯亮,将温控器设定到预定温度,此 时绿色加热指示灯亮。当上热板达到预定温度后,红色恒温指示灯亮(封口机在工作时,电热装置在加热和保温状态中不断交替,故绿色和红色指示灯也不断交替显示,这属正常现象)。 将胶杯放入下模滑板,用手将下模滑板推入到确定位置(若为全自动封口机或自动封口机,放入胶杯后,下模滑板会自动进入),向下压动封口机的手柄至最大行程,保压1~2秒钟,然后缓缓升起手柄,并推至原来位置。 拉出下模滑板,取出胶杯,放入末封口胶杯,进行另一个循环。   适用于各种塑料薄膜的封口、制袋、可广泛应用在食品、医药、日用化妆品、土特产品、化工、电工原件、军、服装、文物保管等部门。它是工厂、商店及服务性行业批量使用的最佳封口设备。封口印字一次完成,日期、批号随需要更换,使用方便、符合物品的的食品卫生法。所以可以叫封口打码机。 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/03/201203121618_354140_2019107_3.jpg

  • 【转帖】薄膜-TOC不确定度评估

    在网上看见这篇文章,摘来大家看看,希作者别见怪!薄膜—电导率法总有机碳分析仪测量结果不确定度的评定严湘青1,吴旭梅2(1.浙江省计量科学研究院,杭州 310013;2.杭州泰林生物技术设备有限公司,杭州 310052)摘要 目的:建立薄膜—电导率法总有机碳分析仪测量结果不确定度的评定方法。方法:分析了测量过程中不确定度的主要来源,即工作曲线的不确定度、测量仪器读数分辨率导致的不确定度、测量不重复性引起的不确定度、标准溶液引起的不确定度等,分别量化后合成标准不确定度,得到总有机碳测量的扩展不确定度。结果:通过对HTY-2500总有机碳分析仪在2000μg• L-1测量点测量结果不确定度的评定,其扩展不确定度为U95 = 49(μg• L-1)(k=2)。结论:本方法所建立的测量结果不确定度评定方法准确、可靠,可为薄膜-电导率法总有机碳分析仪的测量结果不确定度评定提供较为准确简便的方法。关键词:总有机碳;测量不确定度;薄膜—电导率法中图分类号:R917 文献标识码:A 文章编号:0254-1793(2008)12-0-0Evaluation of Measurement Uncertainty for the Total Organic Carbon Analyzer with Membrane Conductmetric Detection Technology YAN Xiang-qing1,WU Xu-mei2(1.Zhejiang Province Institute of Metrology, Hangzhou, 310013, China 2. Hangzhou Tailin Bioengineering Equipments Co. LTD, Hangzhou, 310052, China)Abstract: Purpose: The article set up an evaluation method of measurement uncertainty for the total organic carbon analyzer with membrane conductmetric detection technology. Method: The article analyzed the main resources of the uncertainty of the measurement, which include uncertainty of the working curve, uncertainty of the resolution ratio of the instrument, uncertainty of measure unrepeatability, uncertainty of standard solution, etc. It quantified these uncertainties respectively and composed them to a standard uncertainty. Finally it got the expanded uncertainty of the total organic carbon measurement. Result: It evaluated the measurement uncertainty of the total organic carbon analyzer at 2000μg• L-1 and got the expanded uncertainty which is U95 = 49(μg• L-1)(k=2). Conclusion: The evaluation method of measurement uncertainty set up by the article is accurate, reliable, and it can offer comparatively exact and convenient method for measurement uncertainty evaluation of the total organic carbon analyzer with membrane conductmetric detection technology. Key words: total organic carbon uncertainty of a measurement membrane-conductometric detection technology

  • 【原创】菌落为何沿着薄膜周边环绕生长

    【原创】菌落为何沿着薄膜周边环绕生长

    http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/03/201103241055_284836_2168123_3.jpg 薄膜过滤后,于琼脂培养基上贴膜,33摄氏度下培养3天,结果如上图片所示,薄膜表面上的菌落数较少,曾经也有过薄膜面上无菌落生长,而薄膜周边则环绕生长了一圈细菌。 大家帮忙分析下,这是什么原因引起的。 我们自己觉得,会不会是过滤时候水为过滤完,去触摸贴于培养基的过程中将膜竖起了,引起水往边缘留,菌也就跟着留到了边缘,贴到琼脂上后,水分又沿着薄膜的周边将薄膜环绕,菌也就环绕了一圈。这个解释不知是否可行。

  • 求TEM的薄膜样品制作

    大家好: TEM薄膜样品(无机)制作分为机械减薄,手工研磨,离子减薄。在手工研磨时不知需要哪些试剂,工具。 还请描述的详细一点。

  • TEM薄膜对粘样品制备

    从开始学电镜,一直做得是薄膜对粘样品,偶尔做粉末,陶瓷块体的,但是对粘样品到现在也没做出来几个满意的样品,先说下我的过程,对粘后两面磨到30um以下,以前钉薄过,但是总是不小心钉碎,就直接磨薄上PIPS了,PIPS先是4kev 6°打一段时间,后来改成4°,出洞后低能清损伤。我的经验是:(1)薄膜对粘时,涂的G2胶尽量少且均匀,最后电镜下看到中间胶的厚度为500nm左右,否则胶太多,PIPS时胶都把薄膜粘掉了。(2)样品对粘后磨第二面一定要小心,不能出现大的划痕,否则PIPS很容易碎掉。(3)用内孔径小一点的铜环或钼环支撑时不容易磨碎。(4)PIPS时有的样品加液氮会好一些目前想起来也就这些,大家能不能分享下各自的经验啥的,PIPS时用的能量大小,角度大小啥的,这个对粘样品太纠结了,总是出现各种状况,我做的样品,磨得时候还好,PIPS后,要么碎掉一块,就没有薄区,要么洞周围薄区很少,完美的样品没有几块。

  • 【原创】薄膜测厚仪

    【原创】薄膜测厚仪

    电容性薄膜测厚仪 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/01/201701191656_646126_2244676_3.jpg 名称属性 测厚仪组成部分发射探头 1个接受探头 1个电脑控制转换器 1个工业触摸屏 1个操作柜 1台U型探头支架 1个技术指标检测厚度: 10um-20mm检测精度:土0.1um检测宽度:根据产品宽度循环测厚设定在线速度 max:60m\min作业环境海拔低于1500米,三相380v电。适用于POF、牛奶包装膜、彩印膜、大棚膜等各类薄膜产品。

  • 【求购】沥青薄膜烘箱仪、自动软化点仪、延长度测定仪等

    我欲选购如下几种沥青性质分析仪器: 薄膜烘箱分析仪,要求比老式仪器有更好的性能。 自动软化点测定仪。 延长度测定仪。 欢迎各厂家提供详细信息,包括仪器的性能,价格,适用标准,还有哪些厂在使用等等。 原来使用的仪器有些老旧,有的性能无法达到标准要求需更换。 急需这方面的信息!!!请尽快提供。

  • 压电薄膜传感器压力感应情况如何

    [align=left]因为压电薄膜传感器的电介质的击穿场强是强度参数,并且在压电薄膜传感器的膜中不可避免地存在各种缺陷,所以压电膜的击穿场强具有相当大的分散性 电介质介质的击穿理论,对于完整的薄膜,随着薄膜厚度的减小,击穿场强应逐渐增加。[/align]然而,在实践中,由于压电薄膜传感器的膜含有许多缺陷,因此厚度越小,缺陷的影响越显着。因此,当厚度减小到一定值时,膜的击穿场强度急剧下降。对于压电薄膜传感器薄膜击穿场强,除了薄膜本身外,在测试过程中还存在电极边缘的影响。膜越厚,电极边缘处的电场越不均匀,因此膜的厚度增加,击穿场强度逐渐减小。除了上述因素之外,压电薄膜传感器介电膜的击穿场强也取决于膜结构。对于压电薄膜,击穿场强度也取决于电场的方向,即就击穿场强而言它也是各向异性的。由于压电薄膜传感器多晶膜具有晶界,因此其击穿场强度低于非晶膜的击穿场强度。由于类似的原因,优先取向的压电薄膜传感器在晶粒取向方向上的穿透场强高于在垂直方向上的穿透场强。击穿场强度较低。与其他介电压电薄膜传感器一样,压电薄膜的击穿场强也取决于外部因素,如电压波形、频率、温度和电极。因为压电薄膜的击穿场强与许多因素有关,所以相关文献中报道的击穿场强度对于同一薄膜通常不一致或甚至不同。例如,ZnO膜的击穿场强为0.01。 ~0.4MV / cm,AlN膜为0.5至6.0MV / cm。压电薄膜传感器最重要的特征参数是谐振频率f0,声阻抗Za和机电耦合系数K,因此声速υ和温度系数、的声阻抗和压电薄膜的机电耦合系数是特别严格。压电薄膜传感器的薄膜的性质不仅取决于薄膜中颗粒的弹性,还取决于介电薄膜的压电和热性能,以及压电薄膜传感器的结构,如颗粒堆的紧密度和优先取向的程度。在压电薄膜中,由于晶粒具有许多缺陷和应变,因此它不是完美的单晶,因此薄膜的物理常数与晶体值略有不同。由于压电薄膜的微结构与制备过程密切相关,即使对于相同的压电薄膜,各种文献中报道的性能值也常常不一致。在所有无机有色金属压电薄膜中,AlN薄膜具有大的弹性常数,小的密度和最大的声速,因此该薄膜最适合于UHF和微波器件。表面声波性能当声波在压电介质中传播时,其粒子位移幅度随着距介质表面的距离的增加而迅速衰减。因此,表面声波能量主要集中在表面的下两个波长的范围内。压电薄膜传感器包含范围:[color=#333333]气体流量传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨ph传感器丨水管温度传感器丨[/color]气体压力传感器[color=#333333]丨压电薄膜传感器https://mall.ofweek.com/1877.html丨气压感应器丨[/color][color=#333333]电化学传感器丨数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨煤气检测传感器丨h2传感器丨风速传感器丨超声波液位传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]微型压力传感器丨[/color]湿度传感器[color=#333333]丨[/color]微型传感器[color=#333333]丨[/color]气体传感器[color=#333333]丨[/color][color=#333333]一氧化碳传感器丨[/color][color=#333333]氧气传感器丨[/color][color=#333333]光纤传感器丨超声波传感器丨[/color][color=#333333]超声波风速传感器丨[/color][color=#333333]压阻式压力变送器丨[/color][color=#333333]voc传感器丨称重传感[/color][color=#333333]器[/color][color=#333333]丨气压传感器丨[/color][color=#333333]硫化氢传感器丨[/color][color=#333333]电流传感器丨[/color][color=#333333]光离子传感器丨[/color][color=#333333]流量传感器[/color][color=#333333]丨ph3传感器丨二[/color][color=#333333]氧化碳传感器丨百分氧传感器丨[/color][color=#333333]co2气体传感器丨位置传感器丨[/color][color=#333333]bm传感器丨风速传感器丨电流传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]气压传感器丨压力传感器丨meas压力[/color][color=#333333]传感器丨甲烷传感器丨传感器https://mall.ofweek.com/category_5.html丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨一氧化氮传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

  • 谈谈薄膜真空计(1)

    薄膜真空计是迄今为止唯一得到公认的可作为低真空测量(0.01--100Pa)工作副标准的一种真空仪器,也是我国唯一具有法定计量校准检定规程的一种真空度计量器具(校准参照规程:Q/WHJ46-1998标准型电容薄膜真空计校准规程)电容薄膜真空计是一种绝压、全压测量的真空计,原理是把加于电容薄膜上的压力变化产生膜片间距离的变化,即产生了电容的变化,再通过鉴频器把电容变化转换成为电流或电压的变化,组成为输出信号,所以,它的测量是直接反映了真空压力的变化值,而且只与压力有关,与气体成分无关,即:薄膜真空计是一种直接测量式的、全压型的真空计。而我们的真空设备的真空度测量控制常用的真空计往往是电阻计、热偶计等等间接测量的真空计,是一种热传导型的真空测量方法,简单一点来说,就是通过测量感受气体温度的方法来间接测量气体压强(真空度),是一种类似于大家很熟悉热电阻、热电偶的测量方法,。由于测量原理上的先天不足,这类真空计的测量精度、测量稳定度是很不好的。其测量误差一般比薄膜真空计大1~2个以上数量级(误差大于30%,行业标准是50%),尤其是在低真空段,误差更大,另外,使用过电阻计、热偶计的度知道,这些仪表测量前还需要零点、满度校正,怎么能够用于在线测量控制呢?另外,遇到氢气等小质量的气体就无法测量了,如果要测,也查表换算,到底真空度是多少?猜吧。不过,它确实也有它的优点的:制造容易、价格低廉,在许多的要求较低真空设备上还普遍使用着,……用过电阻计的都领教过它的烦心。许多人抱怨花了3、4千元买到进口的真空传感器也误差大、毛病多?就是因为老外的这个价位的产品还是老的热传导测量机理的真空传感器。所以选择真空计、真空传感器、首先要看看什么原理、什么类型的,而不是数字、智能,测量机理陈旧,再怎么数字、怎么智能,也于事无补的。未完待续

  • 薄膜包衣技术难点及解决方案

    20世纪50年代初,第一个真正意义的薄膜包衣片在美国诞生了。从那时算起,薄膜包衣技术已经经历了半个世纪的发展。而我国起步较晚,20世纪70年代末,才陆续出现少数医药研究单位和药厂研制的各种包衣液和薄膜包衣工艺,并逐渐推广应用。到了20世纪90年代中期,我国才逐渐出现了薄膜包衣技术“热”。但是从整体上看,这项技术在我国的发展仍然比较缓慢。许多制药企业由于技术上的原因,在应用上仍旧存在着不少问题。在片心表面通过喷雾的方法均匀地喷上一层比较稳定的高分子聚合物衣料,形成数微米厚的塑性薄膜层,使之达到一定的预期效果,这一工艺过程称为薄膜包衣。应用薄膜包衣技术是制药行业的需求和发展趋势。有些人认为薄膜包衣片没有糖衣片好,没有糖衣片那么光亮,事实上薄膜包衣与传统的包糖衣技术相比,有许多优点,如包衣耗时短,更能防潮、避光,药物稳定性更强等。包薄膜衣必须改变过去包糖衣的观念,这一点非常重要。一直以来,一些制药企业把薄膜包衣技术简单地看做是片剂生产中的独立环节,包薄膜衣就像包糖衣一样只是单纯包衣。其实,并不是那么简单。作为一项新技术,包薄膜衣对片心的要求相对于包糖衣而言要严格得多,片的硬度要求较高,而且它对各个工序之间的相互配合、生产过程中的一系列技术指标及要求的调整和相互配套都有所要求。所以,必须本着科学、求实的态度来对待薄膜包衣技术的引进及应用,只有这样,包出的片才能达到理想的效果。良好的片心质量对薄膜包衣起到决定性的影响。有时片心的机械质量太差,就根本无法进行薄膜包衣,即使勉强进行,衣膜质量也很难保证。在所有影响片心机械性能的因素当中,片的硬度和脆碎度最为重要,而脆碎度又比硬度显得更为突出。一般而言,适合包薄膜衣的中药片硬度应该在5kg/cm3,西药片硬度应该在4kg/cm3左右。如何检查呢?最简单的方法是硬度计检测;或将一素片垂直向上抛2米,使之自由落地,两次以上不断裂者为硬度合格。检查脆碎度的简单方法是用手指用力刮片的边缘或片的表面,没有片粉脱落者为宜;另一个方法是将30片左右的素片置于250ml的玻璃杯中,用力摇两分钟左右,以片的表面、片的边缘不磨损者为宜。对于吸湿性大的素片,硬度要求则更高。应用薄膜包衣技术进行包衣时,不管是采用高效包衣机、流化床包衣机,还是发行的糖衣锅进行包衣,都应遵照如下原则:一是片心硬度要够硬,否则开始包衣时,片心与锅壁反复摩擦,将会出现松片、麻面等现象;二是片床温度要保持恒定;三是设备中溶剂蒸发量与喷液过程中带入的溶剂量要保持平衡,即溶剂蒸发与喷液速率处于动态平衡。片面平整、细腻的关键在于整个过程中要掌握锅温、喷量、转速三者之间的关系,这是薄膜包衣操作过程中的重中之重。操作时,包衣液的雾化程度直接影响包衣所成衣膜的外观质量,而喷液的雾化效果直接由雾化压力以及雾化系统决定。喷雾开始时,掌握喷速和吹热风温度的原则是:使片面略带湿润,又要防止片面粘连,温度不宜过度过低。若温度过高,则干燥太快,成膜容易粗糙,片色不均;若温度过低,或喷速过快,则会使锅内湿度过度高,很快就会出现片的粘连等现象。锅的转速与包衣操作之间的关系是:转速低,衣膜附着力强;转速高,衣膜附着力差,易剥落。包衣过程中,温度过低,喷量过大,片子流动滞留,则有可能会出现粘片现象。这时可加大转速使其改善,必要时还可适当调节温度和喷量、喷程等加以克服。在使用包衣粉质量不变的情况下,包衣操作中常出现的问题及解决的方法如下:1、粘片:主要是由于喷量太快,违反了溶剂蒸发平衡原则而使片相互粘连。出现这种情况,应适当降低包衣液喷量,提高热风温度,加快锅的转速等。2、出现“桔皮”膜:主要是由于干燥不当,包衣液喷雾压力低而使喷出的液滴受热浓缩程度不均造成衣膜出现波纹。出现这种情况,应立即控制蒸发速率,提高喷雾压力。3、“架桥”:是指刻字片上的衣膜造成标志模糊。解决的办法是:放慢包衣喷速,降低干燥温度,同时应注意控制好热风温度。4、出现色斑:这种情况是由于配包衣液时搅拌不匀或固体状特质细度不够所引起的。解决的方法是:配包衣液时应充分搅拌均匀。5、药片表面或边缘衣膜出现裂纹、破裂、剥落或者药片边缘磨损:若是包衣液固含量选择不当、包衣机转速过快、喷量太小引起的,则应选择适当的包衣液固含量,适当调节转速及喷量的大小;若是片心硬度太差所引起,则应改进片心的配方及工艺。6、衣膜表现出现“喷霜”:这种情况是由于热风湿度过高、喷程过长、雾化效果差引起的。此时应适当降低温度,缩短喷程,提高雾化效果。7、药片间有色差:这种情况是由于喷液时喷射的扇面不均或包衣液固含量过度或者包衣机转速慢所引起的。此时应调节好喷枪喷射的角度,降低包衣液的固含量,适当提高包衣机的转速。8、衣膜表面有针孔:这种情况是由于配制包衣液时卷入过多空气而引起的。因而在配液时应避免卷入过多的空气。薄膜包衣技术在中药制药中的应用薄膜包衣是一种新型的包衣工艺,指在片芯之外包上比较稳定的薄层聚合物衣膜。自30年代以来就陆续出现了有关薄膜包衣的研究指导,但由于当时薄膜材料、包衣工艺和设备等条件尚不能适应生产要求,实际应用受到一定的限制。到了50年代,美国雅培药厂(AbbottLab)首先生产出新型的薄膜片剂,并用“Filmtab”商标取得专利。经过近40年的研究发展,生产设备和工艺的不断改进和完善,高分子薄膜材料的相继问世,使薄膜包衣技术得到了迅速发展,尤以日本的薄膜包衣技术发展得最快,已有80%片剂改为薄膜包衣。薄膜包衣工艺可广泛用于片剂、丸剂、颗粒剂,特别对吸温性强、易开裂、易退色的中药片剂更显示其优越性。进入90年代,薄膜包衣技术在中药行业有了一定发展,主要用于片剂的薄膜包衣。薄膜包衣与包糖衣比较,主要有以下优点:(1)时间较短(包一锅片剂只需2小时左右,而包一锅糖衣片需要约16小时),操作简便,干燥速度快,药物受热影响小,有利于提高药品的质量。(2)薄膜包衣工艺节约劳动力(1~2名操作工人)、厂房及设备(只需一间标准厂房及一台包衣锅),节约材料,所以成本较低,而前期投入也十分有限。(3)应用薄膜包衣工艺的片剂仅使片芯重增加2%~4%,而糖衣片剂(其中主要辅料成分是国外已淘汰的滑石粉)往往可使片芯重量增大50%~100%。(4)薄膜包衣工艺能减少工作场所的粉尘飞扬,有利于环保和劳动保护,亦可节约包装材料等。(5)应用薄膜包衣工艺的片剂压在片上的标志在包薄膜衣后仍清晰可见,便于患者辨别和使用。(6)薄膜包衣的片剂坚固耐磨,不易开裂;薄膜包衣材料有优异的物理性能,大多数材料均能抗湿抗热,可提高产品质量,延长产品的有效期。(7)薄膜包衣有众多的材料可供选择。除了能达到一般的包衣目的外,还可通过选择薄膜材料和设计包衣处方,使形成的包衣膜在一定的pH范围内溶解或崩解;也可控制膜的渗透性,使所包的药物在体内通过扩散作用陆续释放出来,达到定时、定位释放药物的目的。这是薄膜包衣具有广泛发展前途的一个重要原因。(8)生产工艺过程和材料用量可以标准化基于以上因素,国际上已基本淘汰了糖衣片,取而代之以薄膜包衣片,国内也在加速这个进程。目前,我国的中药薄膜包衣工艺的应用尚处在起步阶段,国内中药片剂主要还是以糖衣片为主,薄膜包衣的市场前景十分广阔,所以薄膜包衣技术的进一步的研究开发和提高,应引起我们的重视.

  • 《薄膜物理》

    薄膜物理[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=15937]薄膜物理[/url]

  • 请教介孔薄膜的做法

    我刚刚学习介孔材料的合成,想合成SBA-15的介孔薄膜,我看了赵东元的文献中提到需要在酸度ph2,加热温度在35-140之间才能得到有序的SBA-15,而在2002年Peter C. A. Alberius等人在CM上发表的介孔薄膜中却使用了PH=2,温度不超过35度的条件,这不与赵等人的条件不符合嘛?不知薄膜制备条件和粉体关键区别在哪?另外,合成的薄膜怎么拨下来进行透射电镜观察?向牛人们虚心请教!非常感谢!

  • 【原创】薄膜物性测量中的假象分析(3)-异常磁电耦合效应的背后?::Artefacts in multiferroic(3)-No new physics yet behind the abnormal ME

    【原创】薄膜物性测量中的假象分析(3)-异常磁电耦合效应的背后?::Artefacts in multiferroic(3)-No new physics yet behind the abnormal ME

    [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/09/200809220224_109665_1611921_3.jpg[/img]图1 一篇Science中报道的薄膜磁电耦合性能--疑似假象剖析示意图[color=#dc143c]本专题着重讨论了磁电耦合测量得到的异常耦合效应是否来源于材料的本征物性,指出鉴别异常磁电效应测量结果中假象的原理和思路,最后从测量的角度对磁电材料的应用前景作一点展望性评价。[/color]磁电材料(magnetoelectrics, 又称多铁材料multiferroics)是同时具有自发电荷序和自旋序的一类材料,表现在性能上,它们一般同时具有铁电性(ferroelectrics)、铁磁性(ferromagnetism, 包括弱铁磁性)、磁电耦合性能(magnetoelectricity, 外加磁场下产生电荷的能力)和电磁耦合性能(electromagnetism, 外加电场下产生磁性的能力)。由于磁电材料的多种自发有序同时共存且非常方便进行多场操纵,它有望在高密度集成的记忆元件(memory)、换能器件(transducers)及传感器(sensors)等应用领域里发挥独特的作用。关于磁电/多铁性材料的进展更加科普和富有文采的介绍建议阅读南京大学刘俊明教授blog中的"多铁复兴"专题系列: http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=11974 .在这里,笔者从小处着笔,谈磁电研究的一个个细节问题,本专题将要就磁电测量中可能的假象判别逐步展开讨论,希望相关读者通过本文的阅读,在以后的工作中可以很轻松地鉴别出忽悠人的磁电测量结果,对忽悠者蓄意淡化或掩盖测量过程中见不得人的另一面而单纯突出华而不实繁花似锦的一面有能力做出客观的评价。回到题目,本专题要讨论的薄膜假象的原始动机来自于2003年的一篇Science[1],它是美国马里兰大学、Rutgers大学、加州大学和宾州大学等机构联合在Science上报道BiFeO3异质薄膜因为大应变导致的室温下的强铁磁和强铁电性的共存和耦合,声称该结果不论在实验和理论计算上都得到完全一致的结论,指出铁酸铋薄膜的高电阻特性使其有望作为高性能记忆材料的有竞争力的候选材料(BTW, 第一作者J. Wang是南京大学毕业的王峻岭)[1]。但是一段时间以后英国剑桥大学的几个研究组联合在Science上针对上述研究结果发表comment提出严厉的质疑。剑桥大学的研究组通过仔细的理论和实验研究指出铁酸铋薄膜不可能因为应变而产生强铁磁性;指出美国研究组报道的铁磁性只可能来源于杂质,而且很可能来源于二价的铁离子;同时提到因为杂质的存在,美国研究组报道的铁酸铋薄膜的电阻率将大大降低而丧失其器件上的竞争力[2]。最终美国研究组对英国研究组质疑的response承认其最初报道的主要结论存在问题,因为确实存在英国研究组指出的问题[3]。顺便说一个插曲,美、英multiferroic领域的主流学者可能是因为此而结下了怨:有一个有意思的事是今年在UCSB的一个国际性的multiferroic 2008 summer school中好像没有来自剑桥的教授代表出席……接着介绍这篇文章,笔者对剑桥大学质疑的主体抱肯定态度,只是在其对磁性测量数据的解释上笔者倾向于另一种更简单的假象解释:磁性来源于基体,而根本不是来自于薄膜,非磁性甚至抗磁性的基体在热处理过程中因为缺陷或污染的增加可引入磁性[4],一般薄膜越薄这种效应越明显,这和他们报道的不同厚度的测量结果相一致。笔者不认为磁性因为杂质是二价铁的FeOx而认为更可能是三价铁的Fe2O3,一方面是因为Bi2O3-Fe2O3相图上(如图2)显示1:1附近热力学上更稳定存在的相是BiFeO3+Bi2Fe4O9+Bi25FeO40[5],而含二价铁Fe2+的FeOx不大可能会稳定出现;另一方面FeOx不大可能为薄膜的高阻属性做贡献,因为它是半导体,从高阻的实验结果推测最可能存在的是反铁磁绝缘体氧化铁Fe2O3。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/09/200809220235_109666_1611921_3.jpg[/img]图2 文献中报道的BiFeO3赝二元相图[5]薄膜磁性测量假象将会在后面的专题中专门叙述,这里不再作过多讨论,本专题中着重要“小题大做”来讨论的是03年这篇sciece中非常不引人注意的一小块(剑桥大学的comment中对此只字未提过),如上面图1所示,其中左部分是原文中的Fig. 4,而用红框突出的是其磁电耦合系数的测量结果,原文中对它的介绍只有非常简短的一句话,光凭其原文根本不可能挖掘到该磁电耦合效应的背后及其真正的含义是什么,为了理解这一小幅图,笔者心怀忐忑的找到了第一作者J. Wang(王峻岭)的博士论文[6],并通过其博士论文中的诚实的叙述推测磁电耦合系数的频率依赖关系(原则上频率依赖关系非常容易体现测量结果是否假象,频率越宽越有利于识别)(i) At low (Hz to kHz) frequency, the ME coefficient is small, ~0.02V/cmOe under zero bias (ii) The observed signal dramatically increases to ~3V/cmOe at a measurement frequency of 100kHz (iii) Resonance like behavior was observed as the large signal drops quickly when measurement frequency shifts away from 100kHz (downwards in our case due to instrument limitation). The nature of this resonance behavior is still unclear.根据这段叙述笔者将其发表的磁电耦合曲线的顶点处3 V/cmOe的性能转换成频率依赖关系如图1中右侧所示,从中可以看出原文中发表的数据并非磁电耦合系数,而是某个共振处的异常磁电耦合系数。由于没有更多的实验数据可供参考,笔者仅凭自己的经验认为这个100kHz处的共振峰不可能来源于薄膜,即原文中Fig. 4用一小块地方展示的3 V/cmOe这个数值不具有任何参考意义,真的不如没有它(姑且不用说3 V/cmOe除以厚度因子后的实测值也不过0.1 mV/Oe,离应用价值还很远)!诚然,在没有新的实验数据证明的情况下作任何推断都是没有最终说服力的,不过笔者依然愿意通过接下来的逐步分析展示笔者如此论断的合理之处,即便本专题不能100%的否定之,相信能为有条件有兴趣且认为值得做实验验证之的朋友提供一些可借鉴的方法和思路。为了分析异常磁电耦合系数,接下来请容笔者对磁电耦合系数的测量过程及设备做一下简介。[color=#dc143c][/color]测量假象分析系列上一个专题:[url=http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20080728/1377915/]【原创】薄膜物性测量中的假象分析(2)-想说铁电很容易吗?[/url]

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