显影液

浓度计? 坚固的铝合金外壳，可现场安装。 ? 可精确测量高电导率溶液，测量范围从 0~500μ S/cm 至 0~2000ms/cm。 ? 采用电磁感应原理，避免了金属电极的缺点，不受 电极结垢和电容极化影响。能准确测量高电导率溶 液以及强腐蚀性溶液，如硫酸、盐酸、氢氧化钠等。? 检测器液接部分采用 C-PVC 材质或 PFA (Teflon) 材质，保证了良好的化学耐腐蚀性和温度耐受性。 ? 通过微电脑处理器进行温度补偿(演算)。 ? 能同时输出测量值和溶液温度值。? 可对测量值进行补偿修正。准确监测TMAH（羟化四甲铵），一种在半导体制程中光刻工艺时使用到的显影液的主要成分。重复性：± 0.003%测量范围：0-3%耐化学药品的碳极传感器特征高性能，重复性：± 0.003%大范围监测浓度：0-3% ，导电性：0-1000 mS/cm自动显示量程切换实现三种类型的监测：TMAH浓度，导电率，温度

自动转印显影机ACT-300A2紧凑型自动转印显影机。ACT-300A2S自动转印型显影机在旋转6英寸以下的基材时进行喷雾显影。它配备了两套显影液系统、一套冲洗系统和一把气刀，配方设置操作可通过触摸屏进行，可实现多达25种基质的自动显影。也可提供无自动处理的单晶片类型。主要规格。处理能力：可连续处理25张6英寸以下的圆形基材。流程：显影剂：2个系统，漂洗：1个系统，气刀：1个系统。　使用的化学品：碱性显影剂，去离子清洗水。处理能力 多达25个6英寸的圆形基片（专用盒式存储型）。过程开发者2系统（喷嘴可互换）。　　　　　　　　1个漂洗系统 1个气刀系统使用的化学品 碱性显影剂 去离子清洗水转移机器人Tatsumo定心台，用于准确定位基片。可以注册10个步骤x50个模式的食谱。以0.1秒为增量的处理时间设置板速交流伺服电机控制的　0-3000 rpm 精度±2 转速以内设备尺寸 W1120 x D920 x 高1950毫米，zui大50 0公斤或以下控制系统8英寸触摸面板操作吸水台 白色特氟隆，真空孔吸水式罐体容量为18L，与机体分离，通过称重传感器检测残余液位。显影液控制温度20-30°C ± 3°C公用事业 3相200V/30A 1个漏电断路器内置真空泵空气0.5兆帕氮气 0.3 MPa排气管 2个排气系统（电动排气管、杯式排气管），?75 mm显影液废液 收集在聚乙烯罐中或与工厂废物相连

1.产品概述全封闭式桌面显影机是一种高效、精准的实验室设备，主要用于各种材料的显影处理。其全封闭式设计能够有效防止显影液挥发和污染，确保实验环境的清洁和安全。同时，桌面型设计使得设备占地面积小，便于移动和放置，适用于各种实验室环境。2.产品特点全封闭式设计：避免显影液挥发和雾气扩散到外部，保护环境，减少对人体健康的危害。耐腐蚀材质：外壳喷塑处理，耐腐蚀、易清洗；内腔采用不锈钢材质，镜面抛光处理，光滑、耐腐蚀、易清洗。内置真空过滤器：防止液体吸入真空泵，保护设备免受损坏。可调真空压力：真空压力可调，压力值实时显示，满足不同实验需求。可调液体流量：液体流量可调，回吸可调，确保显影过程的精确控制。广泛适用性：适用于多种尺寸的wafer，从碎片到200mm（8”圆晶）均可处理。高精度控制：转速分辨率高，旋涂速度和加速度可调，工艺时间设定精确。3.应用域全封闭式桌面显影机广泛应用于高封装、MEMS（微机电系统）、LED（发光二管）等市场域。此外，它还可用于医疗卫生、化工、能源、电子等多个行业的实验室中，进行各种材料的显影处理。4.产品参数产品型号：DM200-SE品牌：LEBO/雷博产地：中国（江苏江阴）材质：外壳喷塑，内腔不锈钢尺寸：550mm (W) x 600mm (D) x 405mm (H)支持wafer尺寸：碎片至200mm(8”圆晶)转速分辨率：±1 RPM旋涂速度：20-3000rpm（空载）旋涂加速度：20-10,000rpm/sec（空载）工艺时间设定：0-3,000sec/step，时间设置精度：0.1sec

Best tools 匀胶显影一体机 SC100D图片简介SC100D匀胶显影机是在SC100标准型匀胶机的基础上增加了显影系统，被设计为用来处理小片至8英寸晶圆尺寸基板或7英寸方形基板的匀胶及显影。SC100D在SC100匀胶机上增加了显影液防溅罩，可配备四路喷淋系统，包括显影液和去离子水等，以及满足客户其他工艺要求的试剂。每一路自动喷液系统包括：喷嘴、喷嘴支架、气体控制阀、控制器、压力桶和配套连接管路等部件。SC100D使用工业级伺服马达和PLC控制，7寸全彩触屏人机操作界面。设计结构紧凑、简单易用，可进行程控操作，具有优异的性价比。规格参数项目参数基板zui大直径8英寸转速0~10000RPM可调转速控制精度1RPM加速度10-50000RPM/S（空载）程序可编程100组100步程序运转zui大时长3000S时间设置精度0.1S显示7”全彩触摸屏机体材料HDPE内腔，SUS外壳，耐溶剂PC透明盖 功能图解 SC100D 外形尺寸应用系统PDMS芯片制作MEMS器件加工

* Touch panel control System 触摸屏控制系统1) Spin speed : 100~7000rpm ±1% (@ No load ) 转速：100~7000rpm ±1% （空载） 2) Programmable Coating System : 20steps, 20 Recipes (Save & load) 程序控制系统： 20步，20个菜单 （存储和调用）3) Time : 0.1~999.9sec (Programmable) 时间控制：0.1~999.9sec4) Bowl size : 14 inch 碗腔直径：14英寸5) Sample size : piece ~ 8 inch wafer 样品尺寸：小片—8英寸6) Vacuum chuck : PE 1ea 真空吸盘：PE材料，1个7) Motor : DC Servo Motor 直流伺服马达8) External : STS Main Body STS主机材质9) Oil-less Vacuum Pump 1ea (Include) 含无油真空泵10) Acceleration/Deceleration rates : Variable Time (0.1sec step) 加速度：0.1sec每步 11) Cover Inter-Lock 腔盖自锁12) Direct to Exhaust & Drain Bottle 排泄废液收集瓶13) Dispenser Arm ,Nozzle & 2&ell Bottle in Stainless Steel Chemical Supply Pressurizing Tank 自动注射装置：操作杆，喷嘴，2升注液瓶，不锈钢压力罐 1 nozzle : Developer 第一路喷头，用于显影液 2 nozzle : D.I Water 第二路喷头，用于去离子水 3 nozzle : N2 第三路喷头，用于氮气

胶显影机(英文名：Developing) 产地：美国一、产品概述： 650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺，制版的表面显影。一般匀胶显影机由动力系统、显影液槽及喷液管、水洗槽、挤压 (水)辊、涂胶槽等部分组成。二、匀胶显影机工作原理：显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。三、匀胶显影机主要性能指标： 1、腔体尺寸：12.5英寸 (318 毫米)；2、Wafer&芯片：直径8英寸（200毫米）的晶圆片或者7x7英寸（175毫米）的方片；3、非真空托盘：聚丙烯材质非真空托盘，可承载2、3英寸及200毫米的晶圆片-并带有背面清洗功能；3、转动速度：0-12,000rpm， 5、马达旋涂转速：稳定性能误差 ±1%；6、工艺时间设定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；7、高精度数码控制器：PLC控制，设置点精度小于0.006%；8、程序控制：可存储20个程序段，每个程序段可以设置51步不同的速度状态；9、分辨率：分辨率小于0.5转/分，可重复性小于±0.5转/分，美国国家标准技术研究院（NIST）认证过的，并且无需再校准！]10、腔体开关盖板：透明ECTFE材质圆顶盖板，便于实时进行可视化操作；11、腔体材质说明：用聚丙烯材质制成的带有联动传感触点的合瓣式舱体；12、配套分析软件：SPIN3000操作分析软件；13、配套真空泵系统：无油型 220~240伏交流，50/60赫兹；四、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理

湿法刻蚀显影机Wet Etcher/DeveloperEDC650系列一、产品概述：650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺，制版的表面显影。一般匀胶显影机由动力系统、显影液槽及喷液管、水洗槽、挤压 (水)辊、涂胶槽等部分组成。二、匀胶显影机工作原理：显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理四、匀胶显影机主要性能指标： 1、腔体尺寸：9.5英寸 (241 毫米)；2、Wafer&芯片：直径6英寸（150毫米）的晶圆片或者5x5英寸（125毫米）的方片；3、非真空托盘：聚丙烯材质非真空托盘，可承载2、3英寸及150毫米的晶圆片-并带有背面清洗功能；3、转动速度：0-12,000rpm， 5、马达旋涂转速：稳定性能误差 ±1%；6、工艺时间设定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；7、高精度数码控制器：PLC控制，设置点精度小于0.006%；8、程序控制：可存储20个程序段，每个程序段可以设置51步不同的速度状态；9、分辨率：分辨率小于0.5转/分，可重复性小于±0.5转/分，美国国家标准技术研究院（NIST）认证过的，并且无需再校准！]10、腔体开关盖板：透明ECTFE材质圆顶盖板，便于实时进行可视化操作；11、腔体材质说明：用聚丙烯材质制成的带有联动传感触点的合瓣式舱体；12、配套分析软件：SPIN3000操作分析软件；13、配套真空泵系统：无油型 220~240伏交流，50/60赫兹；

产品详情Sawatec Leaflet_SMD-200 显影机: 外露光刻胶的研制是光刻胶研制过程中最关键的步骤之一，因此对研制过程及其参数(温度、研制时间等)的选择要特别注意。在喷淋显影过程中，对每个基板分别进行单独显影，并在暴露区域连续喷淋新显影剂或蚀刻剂，以防止显影剂饱和。 SAWATEC开发人员可用于水坑或喷雾开发，在此过程中，根据应用程序的技术和经济标准选择优佳流程。与水坑开发相比，喷雾开发的优点是可以释放非常小的精细结构。水坑法的优点是，当衬底有较深的结构时，显着较少的显影液需要和较好的结果。 SMD系列用于清洗和显影8英寸(200mm)以下的晶圆或6英寸(150x150mm)以下的基板。过程——室工作?212毫米。 由SAWATEC公司开发的SMD具有良好的工艺性能、低的化学消耗和可靠的重复性，甚至具有较厚的光刻胶层。由于操作简便，易于清洗，这些仪器是理想的适合于实验室，研发，研究所和试点项目。 该仪器可作为台式或移动式机柜。 功能(基本配置) FEATURES (BASIC CONFIGURATION)Up to 50 programmes with 24 segments each can be programmedQuick start function for repeat processesUser-friendly process configuration with touch screen panelProcess parameter: speed, acceleration, process time, speed of the spray arm, developing spray timeElectrical driven spray arm, with dynamic or static functionDeveloper line and media tank (2 litre) for one developer includedNozzle for DI-water-rinse and N2 drying on the spray armNozzles in the process bowl for the backside rinseControl elements for dosing of the compressed air and vacuumRotational direction can be selected (CW, CCW)Manual loading and unloading of the substratesMechanical substrate fixation Acoustic signal when the process has finished PERFORMANCE DATA§ Speed range: 0 to 3’000rpm +/-1rpm 1)Speed acceleration: 0 to 3’000rpm in 0.3 seconds 1)Process time up to 2376 secondsDeveloper spray time 99 seconds/segmentSpeed of the spray arm 10 to 200mm/secondsRinse and N2 drying 99 seconds/segmentHeatable process hood up to 50°CSpray nozzle made of PEEK 0,8mm ADDITIONAL FUNCTIONS (OPTIONS)Additional developer lines (up to 4 developer lines possible)Start/stop foot switch for ease of operation (cable length 1.8m)Separation unit for media exhaust (tank and laboratory equipment)Developer tank heating system (2 litre)Spray nozzle made of PEEK (0,3 / 0,5mm)Nozzle for puddle developing

湿法显影腐蚀机Wet Etcher/Developer型号：EDC-650Hz-8NPPB产地：美国一、湿法腐蚀机用途和特点：1、 用途：主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。2、湿法腐蚀机特点：（1）外观整洁、美观，占地面积小，节省超净间的使用面积；（2）VoD顶盖阀门控制技术 避免二次污染；（3）显影腐蚀液独立的试剂供给管路；（4）处理腔内差压精准控制；（5）满足2英寸~8英寸的防腐托盘；（6）试剂注射角度可调节；（7）独特设计的“腔洗”构造，保证“干进干出”；（8） 湿法腐蚀机具备高性能、低故障率、长使用寿命、易操作维修、造型美观、售后服务完备。二、工作原理：显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理四、主要技术参数：1. 系统概述1.1智能嵌锁，系统盖板具有智能嵌锁装置，确保操作安全；1.2保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；1.3通信接口，蓝牙连接；2. 基片及处理方式2.1 基片尺寸满足直径200mm以内基底材料；2.2 基片处理方式，手动上下载；3. 控制系统3.1 用户界面，650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件；3.2 最大可存储20个程序段；3.3 最大51 骤工艺步骤；3.4时间设定范围，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；3.5最大旋转速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (带安全罩)；3.6马达加速度，1–12,000 rpm/s ；4. 试剂分配系统4.1 化学试剂分配4.1.1 A标准腔洗 Bowl Wash 1路纯水和1路氮气；4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路纯水；4.1.3 C 样片冲洗甩干1路纯水和1路氮气；4.1.4 D 自定义化学试剂可同时接入（根据用户应用选择几路液体）自定义的化学试剂（显影液/腐蚀液/其他清洗液）；4.2试剂供给方式*4.2.1 A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体（可用氮气替代）由实验室自行供应；4.2.2 B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给；4.3 注射装置采用日本原装进口雾的池内专用喷嘴；

湿法刻蚀机(英文名：Developing， Wet Etching)型号：EDC-650Hz-15NPPB产地：美国 一、湿法腐蚀机用途和特点：1、 用途：主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。2、湿法腐蚀机特点：（1）外观整洁、美观，占地面积小，节省超净间的使用面积；（2）VoD顶盖阀门控制技术 避免二次污染；（3）显影腐蚀液独立的试剂供给管路；（4）处理腔内差压精准控制；（5）满足2英寸~12英寸的防腐托盘；（6）试剂注射角度可调节；（7）独特设计的“腔洗”构造，保证“干进干出”；（8） 湿法腐蚀机具备高性能、低故障率、长使用寿命、易操作维修、造型美观、售后服务完备。二、湿法腐蚀机主要性能指标：1. 系统概述1.1智能嵌锁，系统盖板具有智能嵌锁装置，确保操作安全；1.2保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；1.3通信接口，蓝牙连接；2. 基片及处理方式2.1 基片尺寸满足直径300mm以内基底材料；2.2 基片处理方式，手动上下载；3. 控制系统3.1 用户界面，650高精度数显屏/基于Windows的SPIN3000操作软件；3.2 最大可存储20个程序段；3.3 最大51 骤工艺步骤；3.4时间设定范围，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；3.5最大旋转速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (带安全罩)；3.6马达加速度，1–12,000 rpm/s ；4. 试剂分配系统4.1 化学试剂分配4.1.1 A标准腔洗 Bowl Wash 1路纯水和1路氮气；4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路纯水；4.1.3 C 样片冲洗甩干 1路纯水和1路氮气；4.1.4 D 自定义化学试剂可同时接入（根据用户应用选择几路液体）自定义的化学试剂（显影液/腐蚀液/其他清洗液）；4.2试剂供给方式*4.2.1 A 系统所需纯水和氮气以及压缩气体（可用氮气替代）由实验室自行供应；4.2.2 B 自定义化学试剂由气动泵浦BP和压力容器供给；4.3 注射装置采用日本原装进口雾的池内专用喷嘴；三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）光刻胶显影（KrF/ArF）SU8厚胶显影显影后清洗PostCMP清洗光罩去胶清洗光刻胶去除金属Lift-off处理刻蚀微刻蚀处理

gL2000种类1）gL2000-L2）gL2000-M3）gL2000-H gL2000材料特性1）高速、高分辨率2）可调制显影加工3）高分辨率显影4）高耐干蚀刻（优于PMMA） gL2000相关溶液1）显影液：gL Developer（标准显影液） gL Developer HR（高分辨率显影液）2）清洗剂：gL Rinse3）去胶剂：gL Remover

超高分辨率电子束光刻胶：ZEP520A特性ZEP520A是一种有超高分辨率、耐干法蚀刻特性的非化学增幅（断链型）负性电子束光刻胶。是目前世界上性能最好的电子束光刻胶之一，其优良的性能在行业内受到广泛的认可。电子束光刻胶产品表电子束光刻胶专用显影液旋涂曲线超高分辨率ZEP520A分辨率高达 L/S＝25nm/25nm（FT=50nm）显影液：ZED-N50样品测评：用苯甲醚将ZEP 520 A-7稀释2.1倍

桌上型显影工作站 RD 显影系列产品是一款专为现代显影需求设计的设备。以下是关于该系列产品的详细介绍： 一、产品概述桌上型显影工作站 RD 显影系列产品是一款高效、稳定的显影设备，适用于摄影、印刷、医疗影像等多个领域。该系列产品通过光化学反应和物理显影原理，将潜在的图像转化为可见的图像，为用户提供准确的视觉信息。二、产品特点1. 高效性：桌上型显影工作站 RD 显影系列产品采用先进的显影技术，能够快速、准确地完成显影任务，提高用户的工作效率。2. 稳定性：该系列产品具有高度的稳定性，能够在各种环境下保持稳定的性能，确保显影效果的准确性和一致性。3. 操作简便：桌上型显影工作站 RD 显影系列产品采用人性化设计，操作简便易懂，用户无需专业培训即可轻松上手。4. 适应性强：该系列产品能够适应不同的显影需求，提供多种型号和规格供用户选择，满足不同领域和场景的需求。 三、产品应用桌上型显影工作站 RD 显影系列产品广泛应用于摄影、印刷、医疗影像等领域。在摄影领域，它能够将底片上的图像转化为可见的照片；在印刷领域，它能够将印刷版材上的图像转化为印刷品；在医疗影像领域，它能够将医学影像转化为可见的图像，为医生提供准确的诊断依据。四、技术参数（注：由于具体的技术参数可能因产品型号和规格的不同而有所差异，以下仅列举一些常见的技术参数）分辨率：根据具体型号和规格的不同，分辨率可达到不同的水平，满足用户对于图像清晰度的需求。显影速度：桌上型显影工作站 RD 显影系列产品具有较快的显影速度，能够在短时间内完成大量的显影任务。尺寸：该系列产品具有多种尺寸和规格可供选择，适应不同的使用场景和需求。 五、总结桌上型显影工作站 RD 显影系列产品以其高效、稳定、操作简便和适应性强的特点，成为了摄影、印刷、医疗影像等多个领域的首选设备。通过先进的显影技术和人性化设计，该系列产品能够为用户提供准确的视觉信息，提高工作效率和诊断准确性。

KMPR为负性光刻胶，用作DRIE蚀刻掩膜实现高深宽比的图案，它还被广泛用作MEMS与生物器件的电镀模具。因为KMPR减少了Cross-link密度，在Hard baked之前，KMPR比SU-8更容易剥离。KMPR负性光刻胶可在任何(PGMEA),或(TMAH)的显影剂中得到显影。 KMPR 1000系列的特性1）临时或永久的应用程序2）膜厚：2-75 um3）兼容标准水性显影剂4）高宽比成像和垂直侧壁，深宽比：5:15）单一旋途可达100微米6）减少开裂7）优异的金属粘附性8）优异的电镀膜液稳定性 相关溶液：显影液：SU-8 Developer去胶液：Remover PG增附剂：OmniCoat 一般储存温度：-10°C

v 全封闭式桌面显影机，主要用于半导体制造中晶片的显影工艺，设备配有一路显影和一路水、一路气吹功能，并且喷嘴位置可程控移动，实现自动显影和清洗作业v 支持wafer尺寸：碎片至200mm（可根据客户需求定制四管路或更大基片）v 单步工艺及多步工艺可选，内置100组可编辑程序v 转速分辨率：±1 RPMv 旋涂速度：20-3000rpm（空载）v 旋涂加速度：10-10,000rpm/sec（空载）工艺时间设定：0-3,000sec/step，时间设置精度： 0.1sec深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供--实验型显影机customized-2，--customized-2为进口实验型显影机。除了有实验型显影机的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多进口及国产实验型显影机，客服电话400-860-5168转5919，售前售后均可联系。

准确监测TMAH（羟化四甲铵），一种在半导体制程中光刻工艺时使用到的显影液的主要成分。高精度，大范围氢氧化钾浓度计使用耐化学性传感器。监测范围:0-20%。高精密测量出低浓度氢氟酸,盐酸和氨气。支持订制各种化学药液浓度计。

UNIXX S 20 D 显影机是应用于显影工艺的设备，适用的基板尺寸最大到8英寸的圆片 和最大到6英寸x6英寸的方片。新设计的三片式可拆卸工艺腔体可实现良好的工艺均匀 性和重复性，设备也可用于清洗和旋干工艺。 UNIXX S 20 D的落地式柜体经专门设计，方便操作和维修。它是一款手动显影机，适 用于实验室开展科学研究和技术开发。设备具有多选项（例如可编程流体输送臂）并且 可以升级成自动化的系统达到更高的片到片工艺重复性。特点 可处理基板尺寸最大6"x 6" (150 x 150mm) 方片或 Ø 8" (Ø 200mm)圆片 采用真空或微接触夹具针对圆形和方形基板 不同尺寸的圆片/方形片的夹具可容易更换 真空安全联锁功能 触摸屏输入显示 启动、停止及真空操作按钮 可编程速度和加速度 马达转速最大可达10000转/分钟易拆卸双片腔体本体和防溅环 网络接口 USB接口 选项 ➤ 电子流体输送手臂--移动速度和位置可编程 ➤ 液体喷嘴 – 喷雾型,射流型 ➤ 热流体线，最高80°C➤ 真空或微接触夹具 – 不同尺寸 ➤ 可拆卸工艺腔体及防溅环 ➤ 热板 ➤ 热板接近式烘烤, 手动可调接近距离 ➤ 可编程接近距离热板 ➤ 真空泵 ➤ 附加HMDS热板 性能参数 触摸屏程序输入 ➤ 程序数: 100 ➤ 程序步数: 50 ➤ 最长单步时间: 999秒 ➤ 单步时间分辨率: 0.1秒 旋转马达 ➤ 旋转速度: 最高 10.000 转/分钟* ➤ 转速分辨率: 1转/分钟 ➤ 旋转精度: ± 2 转/分钟 ➤ 加速度: 最高 50,000 转/分钟/秒* *和基片重量有关 热板 ➤ 温度范围: 最高 300°C ➤ 温度分辨率: 0.1°C ➤ 温度均匀性( 100°C 时) : ± 0.5°C 动力需求 ➤ 电源: 3x208 VAC / 60 Hz / 16 A or 3x400VAC / 50 Hz / 16 A ➤ 压缩空气: 8 ± 2 bar (116 ± 29 PSI), Tube OD Ø 8mm ➤ 真空: -0.8 bar ± 0.2 bar / 24 in Hg, Tube OD Ø 8mm ➤ N氮气 (选项): 4,0 ± 0,5 bar (58 ± 7 PSI), Tube OD Ø 6mm 设备外形(宽 x 深 x 高): ➤ 落地式柜体: 约 1200mm x 650mm x 1320mm (23.6”x 25.6”x 52”) ➤ 带水平调节 ➤ 不锈钢框架

UNIXX S 30 D 显影机是应用于显影工艺的设备，适用的基板尺寸为2英寸到12英寸的 圆片和最大到9英寸x9英寸的方片。新设计的三片式可拆卸工艺腔体可实现良好的工艺 均匀性和重复性，设备也可用于清洗和旋干工艺。 UNIXX S 30 D的落地式柜体经专门设计，方便操作和维修。它是一款手动显影机，适 用于实验室开展科学研究和技术开发。设备具有多选项（例如可编程流体输送臂）并且 可以升级成自动化的系统达到更高的片到片工艺重复性。特点 可处理基板尺寸最大9"x 9" (230 x 230mm) 方片或 Ø 12" (Ø 300mm)圆片 采用真空或微接触夹具针对圆形和方形基板 不同尺寸的圆片/方形片的夹具可容易更换 真空安全联锁功能 触摸屏输入显示 启动、停止及真空操作按钮 可编程速度和加速度 马达转速最大可达8000转/分钟易拆卸双片腔体本体和防溅环 网络接口 USB接口 选项 ➤ 电子流体输送手臂--移动速度和位置可编程 ➤ 液体喷嘴 – 喷雾型,射流型 ➤ 热流体线，最高80°C ➤ 真空或微接触夹具 – 不同尺寸 ➤ 可拆卸工艺腔体及防溅环 ➤ 热板 ➤ 热板接近式烘烤, 手动可调接近距离 ➤ 可编程接近距离热板 ➤ 真空泵 ➤ 附加HMDS热板 性能参数 触摸屏程序输入➤ 程序数: 100 ➤ 程序步数: 50 ➤ 最长单步时间: 999秒 ➤ 单步时间分辨率: 0.1秒 旋转马达 ➤ 旋转速度: 最高 8.000 转/分钟* ➤ 转速分辨率: 1转/分钟 ➤ 旋转精度: ± 2 转/分钟 ➤ 加速度: 最高 50,000 转/分钟/秒* *和基片重量有关 热板 ➤ 温度范围: 最高 300°C ➤ 温度分辨率: 0.1°C ➤ 温度均匀性( 100°C 时) : ± 0.5°C 动力需求 ➤ 电源: 3x208 VAC / 60 Hz / 16 A or 3x400VAC / 50 Hz / 16 A ➤ 压缩空气: 8 ± 2 bar (116 ± 29 PSI), Tube OD Ø 8mm ➤ 真空: -0.8 bar ± 0.2 bar / 24 in Hg, Tube OD Ø 8mm ➤ N氮气 (选项): 4,0 ± 0,5 bar (58 ± 7 PSI), Tube OD Ø 6mm设备外形(宽 x 深 x 高): ➤ 落地式柜体: 约 1200mm x 650mm x 1320mm (23.6”x 25.6”x 52”) ➤ 带水平调节 ➤ 不锈钢框架

显影机DEVELOPER设计用于以下应用：显影、清洁和干燥应用于显影工艺的设备，适用的基板尺寸最大到8英寸的圆片 和最大到6英寸x6英寸的方片。新设计的三片式可拆卸工艺腔体可实现良好的工艺均匀 性和重复性，设备也可用于清洗和旋干工艺。 落地式柜体经专门设计，方便操作和维修。它是一款手动显影机，适用于实验室开展科学研究和技术开发。设备具有多选项（例如可编程流体输送臂）并且可以升级成自动化的系统达到更高的片到片工艺重复性。1. UNIXX D20 高级版（直径200mm）带有可移动飞溅环的独立系统，用于手动装载/卸载单个基材。2.UNIXX D30标准（Ø 300毫米）单机系统为用户提供在科学方面，以及具有高效、安全和清洁系统的研究。

MicroChem PriElex是为喷墨打印的电子设备所设想的一套新的框架。PriElex聚合油墨的设计和用于喷射的优化，适合无掩膜光刻、快速成型、清洗和非接触式印刷。材料的配制是喷墨印刷至关重要的属性，如粘稠度、蒸发率、表面张力、潜在因素的提高、燃烧稳定性及标准抗蚀剂配制的分辨率。 MicroChem目前提供XP PriElex SU-8 1.0，一个inkjettable SU-8的油墨，为制造出一个单一或多层结构，可加入可印刷材质的显影液的工具箱，由最常用的R&D和标准喷墨工具FUJIFLIM Dimatix DMP打印机完成油墨的显影。 PriElex SU-8材料属性1）低温固化（150摄氏度）2）光学透明3）热稳定性好4）耐化学性能高5）杨氏系数低6）减少材料浪费 PriElex SU-8材料应用1）永久性3D结构并无需光刻2）金属表面及不规则基底上涂层3）绝缘体4）刻蚀掩膜和其他应用

适用用圆片尺寸: 2”、3”、4”6"、8”；以及5x5,10x10,25x25方片工艺工步：放置圆片（可辅助定中心） 启动 防溅罩到上位 真空吸片 防尘帽闭合 电机启动 吹氮气 低速滴胶 加速、高速匀胶 上刮边 下刮边电机停止 防尘帽开启 防溅帽到下位 去真空、卸片（工艺结束）以上各工步流程为自动执行，其中防尘帽、防溅帽、真空具有手动功能；主轴径向跳动≤0.02mm，轴向窜动≤0.04mm；主轴转速：200～7000转/分，误差±20转/分,连续可调；主轴加速度（空载）：0～3×10³ rad/秒² ，连续可调；工艺工步时间：0～999.9秒，设定增量±0.1秒；滴胶量和速度可调 半导体芯片匀胶显影机是一种用于制造半导体器件的设备，主要用于芯片制造过程中的光刻工艺。以下是有关半导体芯片匀胶显影机的简要介绍及其应用：介绍：光刻工艺： 在半导体芯片制造中，光刻是一项关键工艺，用于将图案投影到芯片表面。匀胶显影机在这个过程中发挥重要作用。匀胶过程： 在光刻工艺中，一层光刻胶被涂覆在芯片表面。这个过程中，匀胶显影机负责将光刻胶均匀涂布在整个芯片表面，确保表面平滑，以便接受后续的光刻图案。显影过程： 显影机还负责在光刻胶上暴露出所需的图案。通过显影，光刻胶的特定区域会被去除，形成光刻图案，为后续的刻蚀或沉积步骤做准备。精准性要求： 由于芯片制造对精度的要求极高，匀胶显影机必须能够实现高度的精准性和可重复性，确保芯片上的图案与设计一致。应用：集成电路制造： 半导体芯片匀胶显影机主要应用于集成电路制造过程中，帮助定义电路图案和结构。微电子器件制造： 除了集成电路，匀胶显影机也用于制造各种微电子器件，如传感器、存储器件等。先进技术研究： 随着技术的不断发展，半导体芯片匀胶显影机在先进技术研究领域也发挥着关键作用，支持新型器件的制备。光刻工艺优化： 进行芯片生产时，匀胶显影机的性能和优化对光刻工艺的成功实施至关重要，影响着芯片的性能和质量。总体而言，半导体芯片匀胶显影机在现代半导体制造中扮演着至关重要的角色，是确保芯片制造成功的关键设备之一。

产品简介UNIXX DB20/30 显影仪模块专为使用水坑式、喷雾式和超音速和雾化喷嘴开发、清洁和干燥工艺而设计。UNIXX DB20/30 支持最大 300 mm 的圆形晶圆或230 x 230 mm 的方形子状态。 配备多达 6 个水坑喷嘴或各种喷嘴的介质臂可提供出色的显影处理。 该设备具有易于操作的用户界面，具有所有需要的功能，例如配方编程、服务通信和用户管理。所有必要的介质供应，如 CDA、N2、真空和去离子水都可以通过快速插入式连接连接并由软件控制。产品特色标准防溅环的优点:÷ 标准显影、清洗、干燥处理÷ 适用于小件÷ 圆形晶圆最大可达 ?200 (?300) mm÷ 方形衬底最大可达 150 x 150 (230 x 230) mm÷ 三件式工艺碗或单向碗÷ 固定高度的飞溅环÷ 真空或低接触夹头，碗中带有 BSR 喷嘴÷ 带安全中断传感器的透明塑料盖÷ 降低投资成所有类型显影仪的特性:÷ 手动装/卸÷ 圆形晶圆方形衬底或小片夹头÷ 用于硅衬底、玻璃衬底、陶瓷衬底÷ 1x 点胶臂，最多 6 条介质线÷ 不同类型的喷嘴÷ 压力罐或泵系统提供介质÷ 具有摆动效果的旋涂仪电机÷ 用于不同介质排放分离（1、2 或 3 向分离）的工艺碗÷ 设备上或通过控制单元的启停按钮÷ 系统正面的紧急停止按钮÷ 软件提供用户友好的操作和多用户界面÷ 系统设计可作为台式安装模块或独立系统技术数据通用衬底尺寸: 最大可达 ?200 mm (?8 inch) 或 150 x 150 mm (6 x 6 inch)最大可达 ?300 mm (?12 inch) 或 230 x 230 mm (9 x 9 inch)电机转速: 最大 10.000 转*，以 1 转 为步长编程电机加速: 最大 40.000 rpm/sec*，以 1 rpm/sec 为步长步进时间: 1 到 999.9 秒，以 0.1 秒为步长系统框架: 由粉末涂层不锈钢制成，4 个可调节支脚和运输轮系统外壳: 由粉末涂层不锈钢制成工艺碗: 由天然 PP 制成工艺盖: 透明塑料盖*取决于卡盘设计、衬底重量和负载要求电源: 400(208) VAC / 3 Phase / N / PE / 50(60) Hz真空: -0.8 bar, tube OD ?8 mmCDA: 8 bar, tube OD ?10 mm氮: 4.5 bar, tube OD ?10 mm去离子水: 2-3 bar, OD ?16.7 mm (3/8”)排气过程: 1x OD ?110 mm, 50 - 120m3/h排气容器: 2x OD ?110 mm, 50 - 180m3/h排水: 到带有高液位传感器的废物罐或到设施排水管

EVG100系列匀/喷胶及显影系统：EVG101 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG100系列光刻胶处理系统是一款单片处理系统，建立了光刻胶涂布和显影方面的质量和工艺灵活性标准。可以处理2’到300mm直径的基片、方片、甚至不规则形状的基片，而且可以实现硅片在不同尺寸间简单快捷的更换。除此之外，EVG100系列还可以满足客户硅片边缘处理和超薄硅片涂覆的要求。EVG100系统的设计体现了最广泛的工艺适配性，可以配置匀胶、喷胶、显影、烘烤和冷却模块以适应每个客户的生产需要。系统可匹配各种材料的不同工艺过程，如正性胶、负性胶、聚酰亚胺、薄胶层双面涂覆、高粘度胶和边缘保护涂覆等，非常适合于MEMS等器件的高标准涂覆要求。 二、应用范围应用于MEMS制造、晶圆级先进封装、3D互联工艺以及LED和光伏发电等领域。 三、主要特点u 旋转涂胶系统：1. 高的基片旋转速度，高的旋转加速度，从而得到高的膜厚均匀性2. 多种供胶方式，满足不同应用的涂胶需求3. 工艺室配备上盖，有效控制腔室内的有机气氛，避免了厚胶涂敷产生的“棉花糖”效应，其上集成了六个喷头可自动清洗腔室内壁上的残胶；4. 专有技术设计，基片旋转速度最大为 10000 转/分，旋转加速度最大为40000 rpm/sec，以实现胶膜厚度高度均匀性。 u 喷胶涂覆系统：1. 专利技术的胶粒过滤器和喷胶系统2. 可编程控制的兆声喷雾头，可对深几何结构进行均匀涂胶。3. 喷胶臂转动速度可编程，喷胶流量、喷胶头Z轴位置及其与基片的倾斜角度均可软件调节，从而得到高质量的深几何结构台阶覆盖4. 胶液消耗低，与旋转涂胶工艺相比，约节省胶液60%-80%。 u 集成性：旋转涂胶工艺和喷雾涂胶工艺可集成在一台涂胶系统中，节省了设备成本及其占地面积，拓宽了应用范围 u 显影系统：1．最大的工艺适应性，喷射/雾化/侵泡三种显影方式及其结合2. 应用兆声显影头，非常适合厚胶的显影，其具有的低冲击力喷射工艺，同样适用于易碎基片的显影。 四、技术参数

1. 产品概述KS-M300半自动机台是一款多功能设备，专为单片晶片的涂胶、显影、喷胶、清洗、刻蚀及去胶工艺等一系列复杂工艺流程而设计。同时，它也可以高效地处理掩膜板的涂胶、显影和清洗工艺。这款机器特别适合小批量生产的工艺试验和生产线，不仅满足了科研人员和工程师在实验阶段的需求，也为小规模生产提供了高效的解决方案。KS-M300的设计考虑到操作的便利性和空间的利用，其占地面积小，可以轻松适应不同的实验室或生产环境。在操作过程中，用户只需手动上下片，其他工艺步骤均可由设备自动完成。这一特点大大减少了操作人员的工作负担，提高了工作效率。同时，自动化的工艺流程也保证了工艺参数的稳定性和一致性，为生产过程提供了可靠的保证。此外，KS-M300的多功能性使得用户可以灵活配置所需的工艺，从而满足各种特定需求，无论是科研实验还是小批量生产，均能轻松应对。这种灵活性不仅提高了设备的利用率，也为用户节省了时间和资金投入。2. 产品优势： 占地空间小，配置灵活易于操作，界面友好保养维护方便 3. 应用域：LED封装MEMSOLED等

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品型号：HMDS-6210 产品名称：真空烘箱（带基片预处理系统）电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内好品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。