国际集成电路物理与失效分析会

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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司—FA实验室招聘1：电镜工程师（MAE）2：失效分析工程师（FAE）要求：硕士学历及以上，材料类，电子类等相关专业，学习过电镜的理论知识，具有电镜操作经验者优先，或者系统学习过集成电路的理论知识，具有半导体从业经验。应届生，社招均可，薪资面议，欢迎您投递简历，邮箱：hejiachuo@126.com。

3月31日，上海交通大学集成电路学院揭牌成立，上海市闵行区人民政府与上海交通大学签署《上海交通大学和闵行区人民政府共建集成电路学院与集成电路产教融合创新平台的战略框架合作协议》。根据协议，闵行区人民政府将与上海交通大学将共同以加快推进区域集成电路学科建设、技术研发和成果转化，赋能产业经济高质量发展为目标，在区校资源整合共享、集成电路产业创新发展和人才交流互动等方面展开合作，打造集成电路产业新高地。集成电路技术和产业的自主创新能力和发展水平，已成为衡量一个国家综合国力的重要标志，也是中国实现科技强国战略目标的关键领域。上海交通大学集成电路学院的成立，不仅是上海交通大学坚决贯彻落实国家战略部署、助力上海国际科创中心建设的生动实践，也必将为闵行产业升级和高质量发展，全力打造科学、科技、科创“三科之城”，提供有力支撑、注入全新活力。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/081a726e-ad4b-4632-8887-00e8090143fd.jpg[/img][/align]上海交通大学集成电路学院将不断助力集成电路领域自主可控化，为上海全球科创中心建设和加快实现高水平自立自强贡献更多交大智慧与力量。为了更好地指导集成电路学院的学术方向和战略发展，集成电路学院成立了学术指导委员会，并聘请多名院士担任首批学术指导委员会委员。同时，为了加强集成电路学院产教融合协同技术攻关和人才培养，集成电路学院还成立了产教协同专家委员会，邀请二十余名重点企业专家担任首批专家委员。为了搭建校企协同的新型产学研教融合平台，集成电路学院与十余家合作企业签署战略合作框架协议，后续将与签约单位在技术研发、人才培养等方面展开合作，不断提升科技成果转化“加速度”，探索“人才培养—人才集聚—科技创新—产业升级”循环联动的发展新生态。[来源：MEMS][align=right][/align]

扫描电镜衬度像在集成电路分析中的应用。哪位大侠能够提供这篇文章？谢谢！

“集成电路失效分析与可靠性案例”技术研讨会邀请函在IPFA2009（集成电路物理与失效分析国际会议，简称IPFA）即将在苏州举行之际，IPFA2009苏州组委会特举办此次“集成电路失效分析与可靠性案例”技术研讨会。IPFA是由IEEE成员运作，他们的宗旨是为器件可靠性与失效分析的专业群体服务。IPFA的会议进程包括各种讲座及各种专题讨论会，另外一项重要内容是同时举行的设备展。IPFA已经发展为全球举足轻重的可靠性与失效分析会议组织。1985年IEEE成立了失效分析分会，该分会于1987年在新加坡组织了首届IPFA国际会议。2001年之前，IPFA国际会议每半年举行一次。2002年起每年举行一次。2002年的IPFA国际会议取得了巨大成功。1999年起，IPFA与ISTFA之间进行最佳论文交换发表。即：IPFA1999的最佳论文同时发表于ISTFA2000，而ISTFA2000的最佳论文也发表于IPFA2001。IPFA与ESREF之间类似的交互活动也于2000-2001年起进行。目前，IPFA分别挑选最佳论文与ISTFA（失效分析方面）和ESREF（可靠性分析方面）交互发表。2003年起，IPFA与IEEE器件与材料可靠性杂志（TDMR）合作，从每年的IPFA论文集中挑选部分论文发表在IEEE TDMR的特刊上。五年以来，有超过25篇论文发表在TDMR的特刊上。通过收集IPFA的优秀论文，TDMR特刊在微电子的可靠性领域具有了很高的知名度。此次技术研讨会由具有工程实践和教学丰富经验的讲师主持，通过讲解大量案例,帮助与会者了解集成电路的失效分析与可靠性的技术手段。与本次技术研讨会同时举办的还有中国大陆最大规模的电子产品展览会--第72届中国电子展（China Electronics Fair），时间是2008年11月12日-2008年11月15日。中国电子展是亚洲电子展览联盟（AEECC）五大成员之一，与日本电子展、韩国电子展、台湾电子展、香港电子展并称为亚洲五大电子展。上海华碧检测技术有限公司作为国内最大的电子失效分析与可靠性技术服务平台同期参加第72届中国电子展，展位在1号馆1J49，欢迎届时光临！“电子产品失效分析与可靠性案例”技术研讨会具体事宜通知如下： 一、技术研讨会主办方：IPFA2009承办执行单位-上海华碧检测技术有限公司；二、时间、地点: 2008年11月14日上午9点至11点半上海浦东新国际博览中心W2馆M9会议室请在2008年11月11日前电子邮件传回执表。三、交通1、地铁凡是乘坐地铁来参加“电子产品失效分析与可靠性案例”技术研讨会的观众请注意：由于上海浦东新国际博览中心附近要建罗山路内环高架，部分道路封闭施工，请所有观众至世纪公园站下车，期间站口将有免费摆渡班车直接开往上海浦东新国际博览中心北登录大厅。若在龙阳路地铁站下车，则需步行前往展馆，大约10分钟步行时间。2、公交车* 983　　陆家嘴--上海新国际博览中心* 大桥五线　　复旦大学--上海新国际博览中心--张江高科技园区* 大桥六线　　上海交通大学（徐家汇）--上海新国际博览中心--张江高科技园区* 方川线　　方斜路--上海新国际博览中心--浦东国际机场* 申江线　　鲁山路--上海新国际博览中心--施镇* 机场三线　　扬子江宾馆--上海新国际博览中心--浦东国际机场3、自驾车自驾车的观众请登陆以下网址得到交通图http://www.icef.com.cn/fall/img/img20.gif四、课程对象：质量部经理、失效分析工程师、可靠性工程师、质量工程师、设计工程师、工艺工程师、研究员等；五、研讨会提纲：1、失效分析的基本流程概论a)失效分析概念区别介绍b)通过证据调查的流程判断失效分析结果的有效性2、IC元器件失效分析案例讲解c)失效分析流程对于IC连接性失效的盲区典型案例d)液晶IC短路失效的分析过程剖析典型案例e)引脚开路失效中的分析过程剖析典型案例f)IC直流参数性失效中电路分析的难处典型案例g)从工艺过程与模拟试验挖掘失效原因的典型案例h)闪存IC功能性失效的失效分析的典型案例i)PVC技术对芯片物理失效分析的典型案例j)ESD静电放电失效与EOS过电失效的现象区别3、PCBA焊点失效分析案例讲解a)PCB黑焊盘典型失效案例b)BGA焊点开裂失效原因与分析过程详解c)温度冲击与温湿度储存的可靠性试验对锡须生长的评估案例d)无铅过渡的润湿不良典型案例e)可焊性镀层科肯达尔效应引发的引线框架失效案例4、失效分析检测设备与技术手段概论a)失效背景调查b)电学失效验证c)X-ray透视检查d)SAM声学扫描观察e)开封Decapf)内部光学检查g)EMMI光电子辐射显微观察h)离子蚀刻、剥层分析De-processingi)金相切片Cross-sectionj)FIB分析k)电镜与能谱SEM/EDS、俄歇AES、XPS5、FEA有限元失效分析应用案例6、IPFA2009论文征集发布会Call for paper of IPFA2009六、师资介绍：林博士：在国家研究所和著名跨国公司从事电子电路及半导体封装的材料失效分析技术将近四十年。从事有限元建模，分析及编程工作十几年，解决了大量生产研发中的尖端课题，为企业节省了巨额资金和大量人力物力，并在国际刊物上发表相关论文近百篇从事和积累了大量电子电路及半导体封装的材料失效分析的案例，形成了自己独有的极有价值的分析理论和方法。在美国，新加坡从事半导体工作近二十年间，在用材料科学进行半导体失效分析方面是全球500强企业内人士公认的专家，曾到美国总部，新加坡大学，新加坡理工大学等处讲学。退休回国任技术顾问五年来，已被三所国内大学聘为兼职教授，讲授用材料科学进行半导体失效分析方面的课程，在材料失效分析方面拥有多项国际技术专利。刘先生：高级咨询师、专职讲师，硕士，上海交大材料系工科背景，IPFA国际物理与失效分析协会会员，电子元器件可靠性与失效分析、微观材料成份分析资深技术人士。有10余年的失效分析与可靠性工作经历，曾任英特尔公司可靠性与失效分析部门资深分析师，熟知各类实验室分析设备与技术手段，在集成电路失效分析与可靠性领域有丰富的实践经验，处理过大量生产线或者研发阶段的电子产品质量与可靠性异常案例，主持筹建过多个实验室，包括AMD半导体公司失效分析与可靠性实验室、信息产业部电子第五研究所失效分析与理化检测(华东)实验室、华碧失效分析与可靠性实验室。在失效分析和可靠性方面从事过的主要项目有：“叠层芯片内置电源PSIP的封装结构失效分析与可靠性设计项目” ；“闪存芯片的功能性失效机理研究”；“集成电路CS59工艺失效分析去层技术的研发”；“工业液晶线路板整机可靠性论证”；“电脑主板无铅工艺转换的失效分析与可靠性评估”等。在IPFA国际物理与失效分析协会的SCI检索刊物发表多篇论文，连续3年在各大企业的质量与可靠性人才培训中，讲授电子元器件可靠性物理与失效分析课程，累计培训了上万余人。

集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特点与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致；2. 集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感目前不能集成；3. 元器件性能参数的绝对误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；4. 纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。二、集成电路的设计特点由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。1. 在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特点与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致；2. 集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感目前不能集成；3. 元器件性能参数的绝对误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；4. 纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。二、集成电路的设计特点由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。1. 在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

据相关公司研究，稳压集成电路增长速度将继续快于总体模拟集成电路市场和半导体市场，2009-2015年的复合年度增长率将达16.0%。相比之下，同期总体模拟IC市场与总体半导体市场的复合年度增长率分别为11.9%和6.3%。稳压集成电路中塑料电池盒是一个快速增长的市场，2015年销售额预计将从2010年的91亿美元增长到163亿美元。每年的增长速度都高于其它模拟IC市场。 稳压集成电路在通用模拟IC营业收入中占最大比例，因此，在稳压集成电路领域保持强大地位，最终会促进模拟IC厂商的营业收入增长。德州仪器(TI)是该领域中的领头羊，相关营业收入为17亿美元，占有18.0%的市场份额。美信集成产品排名第二，营业收入为9.36亿美元，占有10.2%的份额。国家半导体的稳压集成电路营业收入是7.58亿美元，份额为8.3%。德州仪器优势在于模拟，ADI则在数据转换器方面占优势。在通用模拟IC领域，德州仪器最强。该公司在四个通用模拟领域中的三个领域排名第一，包括集成电路、放大器和接口IC。德州仪器通用模拟IC占其总体模拟营业收入的57%。德州仪器没有拔得头筹领域是数据转换器，在该领域也是很不错的，知名度也是相当高的。数据转换器占ADI的通用模拟IC营业收入的54%，占其总体半导体营业收入的44%。虽然德州仪器在缩小落后差距方面取得进展，但ADI在可预测的将来仍将主宰数据转换器市场。

目前，世界上做先进的集成电路线宽已降到0.13微米，因为这时量子效应已经呈现出来，MB4204器件已经不能按原来的机理来正常工作了。即130纳米!集成电路发展的极限是指电子计算机集成电路的电路线宽细到0.01微米。按照现在集成电路的概念，1纳米（0.001微米）的工艺是难以实现的，在1纳米尺寸时，只有利用量子效应、采用所谓量子电子器件MB8713来构成电路。那将使集成电路更上一个新的台阶，世界也将会大放光彩。

中芯国际集成电路制造（北京）有限公司失效分析工程师（2名）工作地点：北京 亦庄工作内容：纳米级芯片物性电性表征分析。要求：1. 理工科专业，材料，电子，物理相关专业为佳2. 英语四级以上3. 有显微镜（光学显微镜，扫描电镜，透射电镜等），电性表征（I-V测试）分析经验为佳。联系方式：gary_zhao@smics.com

[em10]大家交流一下扫描电镜在集成电路和半导体分析方面应用经验好吗，电镜选型时要注意些什么？需要用一般的钨灯丝电镜还是要用到场发射电镜（冷场好还是热场好），需要用什么检测器？谢谢回复！

如题。要消解这块集成电路需要什么消化条件？如何操作？新手上路，请多关照！谢谢各位了！

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二、非直接代换 非直接代换是指不能进行直接代换的IC稍加修改外围电路，改变原引脚的排列或增减个别元件等，使之成为可代换的IC的方法。 代换原则：代换所用的IC可与原来的IC引脚功能不同、外形不同，但功能要相同，特性要相近；代换后不应影响原机性能。 1 相同类型的IC芯片，但封装外形不同，代换时只要将新器件的引脚按原器件引脚的形状和排列进行整形。例如，AFT电路CA3064和CA3064E，前者为圆形封装，辐射状引脚；后者为双列直插塑料封装，两者内部特性完全一样，按引脚功能进行连接即可。双列IC AN7114、AN7115与LA4100、LA4102封装形式基本相同 引脚和散热片正好都相差180°。前面提到的AN5620带散热片双列直插16脚封装、TEA5620双列直插18脚封装，9、10脚位于集成电路的右边，相当于AN5620的散热片，二者其它脚排列一样，将9、10脚连起来接地即可使用。 2 代换时可根据各个型号IC的具体参数及说明进行。如电视机中的AGC、视频信号输出有正、负极性的区别，只要在输出端加接倒相器后即可代换。 3 这种代换需要改变外围电路及引脚排列，因而需要一定的理论知识、完整的资料和丰富的实践经验与技巧。 4 有些空脚不应擅自接地内部等效电路和应用电路中有的引出脚没有标明，遇到空的引出脚时，不应擅自接地，这些引出脚为更替或备用脚，有时也作为内部连接。 　 5 有时可用分立元件代换IC中被损坏的部分，使其恢复功能。代换前应了解该IC的内部功能原理、每个引出脚的正常电压、波形图及与外围元件组成电路的工作原理。同时还应考虑： ⑴信号能否从IC中取出接至外围电路的输入端：⑵经外围电路处理后的信号，能否连接到集成电路内部的下一级去进行再处理（连接时的信号匹配应不影响其主要参数和性能）。如中放IC损坏，从典型应用电路和内部电路看，由伴音中放、鉴频以及音频放大级成，可用信号注入法找出损坏部分，若是音频放大部分损坏，则可用分立元件代替。 6 组合代换就是把同一型号的多块IC内部未受损的电路部分，重新组合成一块完整的IC，用以代替功能不良的IC的方法。对买不到原配IC的情况下是十分适用的。但要求所利用IC内部完好的电路一定要有接口引出脚。 非直接代换关键是要查清楚互相代换的两种IC的基本电参数、内部等效电路、各引脚的功能、IC与外部元件之间连接关系的资料。实际操作时予以注意：⑴集成电路引脚的编号顺序，切勿接错；⑵为适应代换后的IC的特点，与其相连的外围电路的元件要作相应的改变；⑶电源电压要与代换后的IC相符，如果原电路中电源电压高，应设法降压；电压低，要看代换IC能否工作。⑷代换以后要测量IC的静态工作电流，如电流远大于正常值，则说明电路可能产生自激，这时须进行去耦、调整。若增益与原来有所差别，可调整反馈电阻阻值；⑸代换后IC的输入、输出阻抗要与原电路相匹配；检查其驱动能力。⑹在改动时要充分利用原电路板上的脚孔和引线 外接引线要求整齐，避免前后交叉，以便检查和防止电路自激，特别是防止高频自激 [7]在通电前电源Vcc回路里最好再串接一直流电流表，降压电阻阻值由大到小观察集成电路总电流的变化是否正常。

一、直接代换 直接代换是指用其他IC不经任何改动而直接取代原来的IC，代换后不影响机器的主要性能与指标。 其代换原则是：代换IC的功能、性能指标、封装形式、引脚用途、引脚序号和间隔等几方面均相同。其中IC的功能相同不仅指功能相同；还应注意逻辑极性相同，即输出输入电平极性、电压、电流幅度必须相同。例如：图像中放IC，TA7607与TA7611，前者为反向高放AGC，后者为正向高放AGC，故不能直接代换。除此之外还有输出不同极性AFT电压，输出不同极性的同步脉冲等IC都不能直接代换，即使是同一公司或厂家的产品，都应注意区分。性能指标是指IC的主要电参数（或主要特性曲线）、最大耗散功率、最高工作电压、频率范围及各信号输入、输出阻抗等参数要与原IC相近。功率小的代用件要加大散热片。其中 1 同一型号IC的代换一般是可靠的，安装集成电路时，要注意方向不要搞错，否则，通电时集成电路很可能被烧毁。有的单列直插式功放IC，虽型号、功能、特性相同，但引脚排列顺序的方向是有所不同的。 例如，双声道功放IC LA4507，其引脚有“正”、“反”之分，其起始脚标注（色点或凹坑）方向不同；没有后缀与后缀为"R"的IC等 例如 M5115P与M5115RP. 2 ⑴型号前缀字母相同、数字不同IC的代换。这种代换只要相互间的引脚功能完全相同，其内部电路和电参数稍有差异，也可相互直接代换。如：伴音中放IC LA1363和LA1365，后者比前者在IC第⑤脚内部增加了一个稳压二极管，其它完全一样。 ⑵型号前缀字母不同、数字相同IC的代换。一般情况下，前缀字母是表示生产厂家及电路的类别，前缀字母后面的数字相同，大多数可以直接代换。但也有少数，虽数字相同，但功能却完全不同。例如，HA1364是伴音IC，而uPC1364是色解码IC；4558，8脚的是运算放大器NJM4558 14 故二者完全不能代换。 ⑶型号前缀字母和数字都不同IC的代换。有的厂家引进未封装的IC芯片，然后加工成按本厂命名的产品。还有如为了提高某些参数指标而改进产品。这些产品常用不同型号进行命名或用型号后缀加以区别。例如，AN380与uPC1380可以直接代换；AN5620、TEA5620、DG5620等可以直接代换。

仪器维修中集成电路的维修经验（大家交流） （一）常用的检测方法 集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。1．非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。2．在线测量 在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。3．代换法 代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判断出该集成电路是否损坏。 （二）常用集成电路的检测 1．微处理器集成电路的检测 微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值（可从产品电路图或有关维修资料中查出）相同。不同型号微处理器的RESET 复位电压也不相同，有的是低电平复位，即在开机瞬间为低电平，复位后维持高电平；有的是高电平复位，即在开关瞬间为高电平，复位后维持低电平。2．开关电源集成电路的检测 开关电源集成电路的关键脚电压是电源端（VCC）、激励脉冲输出端、电压检测输入端、电流检测输入端。测量各引脚对地的电压值和电阻值，若与正常值相差较大，在其外围元器件正常的情况下，可以确定是该集成电路已损坏。 内置大功率开关管的厚膜集成电路，还可通过测量开关管C、B、E极之间的正、反向电阻值，来判断开关管是否正常。3．音频功放集成电路的检测 检查音频功放集成电路时，应先检测其电源端（正电源端和负电源端）、音频输入端、音频输出端及反馈端对地的电压值和电阻值。若测得各引脚的数据值与正常值相差较大，其外围元件与正常，则是该集成电路内部损坏。对引起无声故障的音频功放集成电路，测量其电源电压正常时，可用信号干扰法来检查。测量时，万用表应置于R×1档，将红表笔接地，用黑表笔点触音频输入端，正常时扬声器中应有较强的“喀喀”声。4．运算放大器集成电路的检测 用万用表直流电压档，测量运算放大器输出端与负电源端之间的电压值（在静态时电压值较高）。用手持金属镊子依次点触运算放大器的两个输入端（加入干扰信号），若万用表表针有较大幅度的摆动，则说明该运算放大器完好；若万用表表针不动，则说明运算放大器已损坏。5．时基集成电路的检测 时基集成电路内含数字电路和模拟电路，用万用表很难直接测出其好坏。可以用所示的测试电路来检测时基集成电路的好坏。测试电路由阻容元件、发光二极管LED、6V 直流电源、电源开关S 和8脚IC插座组成。将时基集成电路（例如NE555）插信IC插座后，按下电源开关S，若被测时基集成电路正常，则发光二极管LED将闪烁发光；若LED不亮或一直亮，则说明被测时基集成电路性能不良。 集成电路代换技巧 一、直接代换直接代换是指用其他IC不经任何改动而直接取代原来的IC，代换后不影响机器的主要性能与指标。其代换原则是：代换IC的功能、性能指标、封装形式、引脚用途、引脚序号和间隔等几方面均相同。其中IC的功能相同不仅指功能相同；还应注意逻辑极性相同，即输出输入电平极性、电压、电流幅度必须相同。例如：图像中放IC，TA7607 与TA7611，前者为反向高放AGC，后者为正向高放AGC，故不能直接代换。除此之外还有输出不同极性AFT电压，输出不同极性的同步脉冲等[font=Calibr

问题描述：[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]在半导体集成电路中有哪些应用？解答：[font='Times New Roman','serif'][color=black][url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url][/color][/font][font=宋体][color=black]广泛应用于测定集成电路制造工艺生产中涉及的硅片、晶圆、湿电子化学品、电子特气、靶材等的无机元素杂质和化学品中的颗粒扫描与分析[/color][/font][b][font=宋体][color=black]。[/color][/font][/b]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》

急 耶拿350 gasbox那个集成电路板可以维修么？忽然之间，设备不能正常工作了，经检查了说说需要更换一个部件，请问该部件有会修理的大仙么，快快现身！！！若回复有参考价值，重谢！！！！

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

想了解下触屏的电子天平内部元件，集成电路型号是什么型号，非常感谢

集成电路运算放大器主要参数对于实际使用运算放大器而言,重要的不是了解集成运算放大器的内部电路,而是在于了解它的特性,参数及实际连接方法.运算放大器的主要参数有:(1)输入失调电压力在输入电压和输入端外接电阻为0Ω时,为了使运算放大器输出失调电压为0V,在输入端间必须加一个直流补偿电压.这个电压就是输入失调电压UIO. UIO的值越小越好,一般运算放大器的UIO在1～20μV之间.(2)输入失调电流IIO当运算放大器失调电压为0时,两输入端静态偏置电流之差,称为输入失调电流0时,两输入端静态偏置电流之差,称为输入失调电流IIO. IIO实际上为运算放大器两个输入端所加的补偿电流,它越小越好.(3)输入偏置电流IIO运算放大器反相输入端与同相输入端的静态偏置电流IB1和IB2的平均值,称为输入偏置电流IB1.双极型运算放大器的IiB为μA数量级,MOS运算放大器的IiB为pA数量级.(4)输入失调电压温度系数dUIOt和输入失调电流温度系数dHO这俩个参数用来衡量运算放大器的温漂特性.这两个指标越小越好.(5)开环差模电压增益Aod当运算放大器工作在线性区时,输出开路电压uO与输入差模电压Uid的比值,称为Aod. Aod0,其值在60～180dB之间.(6)共模抑制比KCMR KCMR=| Aod / Aoc |,即动算放大器的开环差模型增益与开环共模型增益之比的绝对值,用分贝表示.此值一般在80～180dB之间.使用[url=http://www.bjshtek.net]集成电路测试仪[/url]GT2200A来解决这些参数的测试问题,也可以用这个设备对器件进行筛选测试。

编者按：虽说集成电路代换有方，但拆卸毕竟较麻烦。因此，在拆之前应确切判断集成电路是否确实已损坏及损坏的程度，避免盲目拆卸。本文介绍了仅用万用表作为检测工具的不在路和在路检测集成电路的方法和注意事项。文中所述在路检测的四种方法（直流电阻、电压、交流电压和总电流的测量）是业余维修中实用且常用的检测法。这里，也希望大家提供其他实用的（集成电路和元器件）判别检测经验。一、不在路检测这种方法是在ＩＣ未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，并和完好的ＩＣ进行比较。二、在路检测这是一种通过万用表检测ＩＣ各引脚在路（ＩＣ在电路中）直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换ＩＣ的局限性和拆卸ＩＣ的麻烦，是检测ＩＣ最常用和实用的方法。１．在路直流电阻检测法这是一种用万用表欧姆挡，直接在线路板上测量ＩＣ各引脚和外围元件的正反向直流电阻值，并与正常数据相比较，来发现和确定故障的方法。测量时要注意以下三点：(1)测量前要先断开电源，以免测试时损坏电表和元件。 (2)万用表电阻挡的内部电压不得大于６Ｖ，量程最好用Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡。 (3)测量ＩＣ引脚参数时，要注意测量条件，如被测机型、与ＩＣ相关的电位器的滑动臂位置等，还要考虑外围电路元件的好坏。 ２．直流工作电压测量法这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ＩＣ各引脚对地直流电压值，并与正常值相比较，进而压缩故障范围，找出损坏的元件。测量时要注意以下八点：(1)万用表要有足够大的内阻，至少要大于被测电路电阻的１０倍以上，以免造成较大的测量误差。 (2)通常把各电位器旋到中间位置，如果是电视机，信号源要采用标准彩条信号发生器。 (3)表笔或探头要采取防滑措施。因任何瞬间短路都容易损坏ＩＣ。可采取如下方法防止表笔滑动：取一段自行车用气门芯套在表笔尖上，并长出表笔尖约０．５ｍｍ左右，这既能使表笔尖良好地与被测试点接触，又能有效防止打滑，即使碰上邻近点也不会短路。 (4)当测得某一引脚电压与正常值不符时，应根据该引脚电压对ＩＣ正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析，才能判断ＩＣ的好坏。 (5)ＩＣ引脚电压会受外围元器件影响。当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时，或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器，则电位器滑动臂所处的位置不同，都会使引脚电压发生变化。 (6)若ＩＣ各引脚电压正常，则一般认为ＩＣ正常；若ＩＣ部分引脚电压异常，则应从偏离正常值最大处入手，检查外围元件有无故障，若无故障，则ＩＣ很可能损坏。 (7)对于动态接收装置，如电视机，在有无信号时，ＩＣ各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化，就可确定ＩＣ损坏。 (8)对于多种工作方式的装置，如录像机，在不同工作方式下，ＩＣ各引脚电压也是不同的。 ３．交流工作电压测量法为了掌握ＩＣ交流信号的变化情况，可以用带有ｄＢ插孔的万用表对ＩＣ的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡，正表笔插入ｄＢ插孔；对于无ｄＢ插孔的万用表，需要在正表笔串接一只０．１～０．５μＦ隔直电容。该法适用于工作频率比较低的ＩＣ，如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同，波形不同，所以所测的数据是近似值，只能供参考。４．总电流测量法该法是通过检测ＩＣ电源进线的总电流，来判断ＩＣ好坏的一种方法。由于ＩＣ内部绝大多数为直接耦合，ＩＣ损坏时（如某一个ＰＮ结击穿或开路）会引起后级饱和与截止，使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判断ＩＣ的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电流值。以上检测方法，各有利弊，在实际应用中最好将各种方法结合起来，灵活运用。顺便推荐几种万用表 http://www.3017.cn/product/search.asp

聚焦“中国芯”！清华大学成立集成电路学院，本研贯通破解芯片难题