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一、澳特蓝潜水推流器的用途低速推流系列搅拌机适用于工业和城市污水处理厂曝气池和厌氧池，其产生低切向流的强力水流，可用于池中水循环及硝化、脱氮和除磷阶段创建水流等。产品简介潜水推流器又称低速推流器或推流式搅拌机，是一种低转速、大叶轮的污水搅拌设备，多用于水力循环。主要由潜水电机、减速装置、叶浆、安装系统等组成，通常利用导杆安装在水下。潜水推流器的研发是建立在搅拌机生产技术的基础上，因此其生产工艺和性能特点与潜水搅拌机有很多相同之处，主要不同之处在于潜水推流器转速普遍较低，一般在36~115r/min，叶轮直径较大，通常在1100~2500mm。二、澳特蓝潜水推流器运行条件 搅拌机在下列条件下应能正常连续运行： 1、介质温度不超过40°C； 2、介质的PH值在5~9间； 3、液体密度不超过1150kg/m3； 4、长期潜水运行，潜水深度一般不超过20m。氧化沟三、结构特点： 1、主机机构紧凑，安装检修方便，操作简单，运行寿命长 2、基于“计算流体动力学”（CFD）设计优化的叶轮工作效率高，后掠式叶片有效防止杂物缠绕堵塞 3、纯铜电机磁感强、熔点高，绝缘等级F，动力持久稳定 4、选用进口NSK轴承和有效的电机防凝露措施，长效保障电机运行安全和稳定性 5、两道机械密封严防渗漏，保证电机运行安全。四、产品说明： 配用功率范围：1.5-7.5KW　叶轮直径范围：1100-2500mm　叶轮转速范围：42-115r/min　推力范围：≤4900N五、推流器主要性能参数：推流器在额定电压380V,频率为50Hz,S1工作制式下六、推流器安装：推流器布局方式推流器流场图

产品简介潜水推流器又称低速推流器或推流式搅拌机，是一种低转速、大叶轮的污水搅拌设备，多用于水力循环。主要由潜水电机、减速装置、叶浆、安装系统等组成，通常利用导杆安装在水下。潜水推流器的研发是建立在搅拌机生产技术的基础上，因此其生产工艺和性能特点与潜水搅拌机有很多相同之处，主要不同之处在于潜水推流器转速普遍较低，一般在36~115r/min，叶轮直径较大，通常在1100~2500mm。 进口NSK轴承耐高温潜水推流器产品说明 配用功率范围：1.5-7.5KW　叶轮直径范围：1100-2500mm　叶轮转速范围：42-115r/min　推力范围：≤4900N　材质：叶浆采用进口聚氨酯材料，电机壳铸铁，哈尔滨轴承，具体情况可根据客户要求定做产品.产品性能特点： 1、螺旋叶轮带后掠角，具有优良的自净功能和防缠绕特性。2、密封可靠、无渗漏，并设有泄漏、过热等功能保护。3、安装方便迅速，能适合各种类型的水池。4、能耗低，无噪声。产品结构特性：1、尾翼：内部设有泄露传感器和电机绕组超溢保护报警装置。2、电缆线：独特的电缆密封设计排除了电缆漏水的隐患。3、电机：电机绕组绝缘等级为F级，防护等级为IP68，选用一次润滑免维护进口轴承，具有油室泄漏检测和电机绕组过热保 护功能，使电机的工作更加安全可靠。4、减速装置5、叶桨：叶桨由弹性聚氨脂或铝合金制成，能承受变化的负荷,推力被平均分配到混合物上，具佳水力设计。6、机械密封：两套独立的机械密封，保证潜水电机长期可靠运行。 7、轴承：进口的高质量一次润滑轴承，设计使用寿命8000小时。8、内部设有泄漏传感器和电机绕组超温保护报警装置。 进口NSK轴承耐高温潜水推流器推流器主要性能参数：推流器在额定电压380V,频率为50Hz,S1工作制式下潜水推流器注意事项及维护： 1. 定期将搅拌器吊起清理叶轮和泵体上的缠绕物，检查叶轮是否松动损坏，及时维修。 2. 搅拌器运行时观察液面的运行轨迹，如果非正常及时调整。 3. 观察搅拌器的固定杆的震动状况，震动过大需要吊起检查。 4. 搅拌器正常运行必须全部没过液面，运行时搅拌器上方应无涡流。 5.液面低于搅拌器上方形成涡流时搅拌器不允许长时间运行。 6. 定期检查设备的密封状况，密封不良及时联系厂家检修。 QJB型多功能潜水搅拌机必须完全潜入水中工作，QJB型多功能潜水搅拌接受潜入深度为90mm。不能在易燃易爆的环境下或有强腐蚀性液体的环境中工作。若用户有特殊使用要求，可与我公司技术工程部联系，我们为其提供解决方案。

/低速推流器产品说明：1 低速推流器转动平衡自如，保证无卡死，停滞，振动等现象； 2 低速推流器出厂前作密封气压实验,实验压力为3kg/m2，历时5分钟无泄漏现象； 3 低速推流器采用双机械密封结构和唇形密封组织，机械密封保证在8000小时内可靠运行而不需更换； 4 低速推流器引出电缆采用GB5013.2中YZW型橡套软电缆或性能相同的其它电缆，单台标准配置长度10m，电缆密封头采用特殊硫化处理,以防电缆外皮破损，渗水至电机； 5低速推流器机表面喷涂防腐漆，其表面光亮，无污损，,碰伤，裂痕等现象；电机壳体的底漆为PVC环氧树脂，面为氯化橡胶涂料； 6 油室内设有密封泄漏保护装置； 7引出电缆中双色线（黄/绿）规定为接地线，联接可靠。接地标志明显，在使用期内不易磨灭； 8桨叶及转子采用动平衡试验，平衡精度为G6.3； 9 可沿水平方向在120°范围内旋转，任意调整推流角度。氧化沟污水处理潜水推流器结构简介及性能特点　　1.结构紧凑、体积小、重量轻。操作维护简单、安装方便快捷、使用寿命长。　　2.叶片具有自洁功能，可防杂物缠绕、堵塞。　　3.与曝气系统配合使用可使能耗大幅度降低，充氧量明显提高，有效防止沉淀。　　4.电机绕组为F级绝缘，防护等级为IP68，选用一次润滑免维护进口轴承，具有油室泄漏检测和电机绕组过热保 护功能。　　5.机械密封的摩擦付材质为耐腐蚀的碳化钨，所有紧固件均为不锈钢材质。氧化沟污水处理潜水推流器产品说明 配用功率范围：1.5-7.5KW　叶轮直径范围：1100-2500mm　叶轮转速范围：42-115r/min　推力范围：≤4900N　材质：叶浆采用进口聚氨酯材料，电机壳铸铁，哈尔滨轴承，具体情况可根据客户要求定做产品.、推流器主要性能参数：推流器在额定电压380V,频率为50Hz,S1工作制式下选型注意事项 为保证取得效果，请使用方提供如下资料：1、运用目的； 2、池型； 3、池尺寸，包括水深； 4、介质特性：包括粘度、密度、温度、固体物含量等。潜水推流器的选型是一项比较复杂的工作 ， 选型的正确与否直接影响设备的正常使用，作为选型的原则就是要让搅拌机在核实的容积里发挥充分的搅拌功能，一般可用流速来确定。根据污水处理厂不同的工艺要求，搅拌机流速应保证在0.15~0.3m/s之间，如果低于0.15m/s的流速则达不到推流搅拌机的效果，超过0.3m/s的流速则会影响工艺效果且造成的浪费。所以在选型前首先确定潜水搅拌机运用的场所，如：污泥池、污水池、生化池；其次是介质的参数，如：悬浮物含量、粘度、温度、PH值；还有水池的性状、水深等。 潜水推流器正确的安装方法　　低速推流器在购买后很多顾客不清楚具体的操作流程是什么有什么注意事项，今天为大家总结一下低速推流器的操作规程，希望规范大家的操作，从而延长使用寿命。　　1.低速推流器开机前的准备　　1.1.启动设备前，应检查推流器是否完好，设备周围有无大量污泥沉积，以免影响设备的正常运转。　　1.2.检查油室内是否有足够的油，有无漏油现象及密封状况。　　1.3.电缆线有无破损、折断，电缆线的入口密封是否完成　　1.4.若电机或控制箱检修过，起动之前还应检查过载保护器设定电流大小是否合适，并进行点动试验，观察推流器的运转方向是否合乎要求。　　1.5.若低速推流器停止一段时间没运行时，在启动前应对电机作绝缘测试，确认正常后再做点动试验，观察推流器的运行电流，若电流太大，则不能直接开启泵运行，否则易出现过载而损坏电机。

氧化沟低速潜水推流器的简介： 潜水推流器低速推流器在水处理工艺流程中，广泛应用于氧化沟推流，各类生化池的搅拌，同时也可用于河流防冻，景观水循环等。低速推流器由潜水电机、减速装置、叶浆和安装系统等组成。其特点是配套功率小（1.5-7.5KW），转速低（36-135R/MIN），叶浆直径大（1000-2500MM），低速旋转，产生大体积流场，服务范围广。后掠式香蕉型叶浆设计，具有自洁功能，采用聚氨脂或铝合金材质精铸成型，具有重量轻、强度高、耐腐蚀等特点，其优异的摩擦性能，可保证在低转速的运动状态下与液体产生良好的阻尼效果，从而创造出柔和的水流，该系列除了具有推流和创建水流的作用外，还具有搅拌的功能。 潜水推流器的结构与参数：产品说明 配用功率范围：1.5-7.5KW　叶轮直径范围：1100-2500mm　叶轮转速范围：42-115r/min　推力范围：≤4900N　材质：叶浆采用进口聚氨酯材料，电机壳铸铁，哈尔滨轴承，具体情况可根据客户要求定做产品. /低速推流器产品说明：1 低速推流器转动平衡自如，保证无卡死，停滞，振动等现象； 2 低速推流器出厂前作密封气压实验,实验压力为3kg/m2，历时5分钟无泄漏现象； 3 低速推流器采用双机械密封结构和唇形密封组织，机械密封保证在8000小时内可靠运行而不需更换； 4 低速推流器引出电缆采用GB5013.2中YZW型橡套软电缆或性能相同的其它电缆，单台标准配置长度10m，电缆密封头采用特殊硫化处理,以防电缆外皮破损，渗水至电机； 5低速推流器机表面喷涂防腐漆，其表面光亮，无污损，,碰伤，裂痕等现象；电机壳体的底漆为PVC环氧树脂，面为氯化橡胶涂料； 6 油室内设有密封泄漏保护装置； 7引出电缆中双色线（黄/绿）规定为接地线，联接可靠。接地标志明显，在使用期内不易磨灭； 8桨叶及转子采用动平衡试验，平衡精度为G6.3； 9 可沿水平方向在120°范围内旋转，任意调整推流角度。 选型注意事项 为保证取得效果，请使用方提供如下资料：1、运用目的； 2、池型； 3、池尺寸，包括水深； 4、介质特性：包括粘度、密度、温度、固体物含量等。潜水推流器的选型是一项比较复杂的工作 ， 选型的正确与否直接影响设备的正常使用，作为选型的原则就是要让搅拌机在核实的容积里发挥充分的搅拌功能，一般可用流速来确定。根据污水处理厂不同的工艺要求，搅拌机流速应保证在0.15~0.3m/s之间，如果低于0.15m/s的流速则达不到推流搅拌机的效果，超过0.3m/s的流速则会影响工艺效果且造成的浪费。所以在选型前首先确定潜水搅拌机运用的场所，如：污泥池、污水池、生化池；其次是介质的参数，如：悬浮物含量、粘度、温度、PH值；还有水池的性状、水深等。在搅拌机装上安装系统前，先根据工作条件选择角度调整片。确保两枚叶片在安装时为同一角度。步骤1、松开轮毂（1）上端盖（2）的螺钉（3）（M16*80左螺纹），卸下端盖；步骤2、将一枚叶片从上插入轮毂的孔中，使叶轮轴的槽对外，用已选择好的角度调整片（4）放入叶轮轴的槽内，用两颗螺钉与轮毂连接，用内六角扳手先拧紧左侧的螺钉（5），再拎紧右侧的螺钉（6）。为了便于安装第二枚叶片，将轮毂旋转180o，然后用上述方法安装第二枚叶片。步骤3、盖上端盖，将两片齿型垫圈和 M16*80左螺纹螺钉拧入。低速推流搅拌器安装 2、低速潜水推进器的安装将导杆和吊架按要求用胀锚螺钉固定好。装上减振块和滑套。用手摇葫芦提起搅拌机，将滑套套入方型导杆中，在搅拌机就位前，检查升降是否灵活自如。缓慢均匀地放下搅拌机，确保搅拌机就位正确。使手摇葫芦钢丝绳处于松弛状态。确保电缆在搅拌机运行时，不被卷入叶轮中

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

快速退火炉RTP-3-04系列采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到**的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。产品特点可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。可远程操作：提供远程监控模块。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。产品应用金属电极合金化硬质合金薄膜去应力退火石墨烯生长器件退火材料再结晶、晶化热氧化、热氮化ITO膜致密化薄膜CVD生长搭载电学测试模块变温电阻测量等离子注入/接触退火太阳能电池片键合低介电材料热处理芯片晶圆热处理键合炉其他热工艺需求

超高温高速退火炉 ——在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃ 型号：HT-RTA59HD 产品介绍： 这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。 应用： ● SiC氧化膜的生成和激活；● 半导体开发与研究；● 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理；● 作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；● 陶瓷材料的热冲击测试。 特点：可以在10s内加热到超高温1800℃；可以加热后直接水淬；红外线灯加热提供清洁加热减少灰尘和气体的生成；紧凑的桌面型设计；通过USB与电脑连接，输入温度参数；在加热过程中，在电脑屏幕显示温度。带水淬的型号：CAS-59AQ设备参数： 温度范围室温-1800℃样品尺寸W15mm×L15mm×T1mm样品支架氧化铝或者高纯碳加热氛围多种热电偶JIS B φ0.3 （W-Re可选） 设备结构以及样品支架：

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

产品详情日本Advance Riko 超高温高速退火炉：。桌面式：HT-RTA59HD。带水淬：CAS-59AQ 产品介绍：HT-RTA59HD 这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。 应用：• SiC氧化膜的生成和激活；• 半导体开发与研究；• 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理；• 作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；• 陶瓷材料的热冲击测试。 特点：。可以在10s内加热到超高温1800℃；。可以加热后直接水淬；。红外线灯加热提供清洁加热减少灰尘和气体的生成；。紧凑的桌面型设计；。通过USB与电脑连接，输入温度参数；。在加热过程中，在电脑屏幕显示温度。 带水淬的型号：CAS-59AQ设备参数：温度范围室温-1800℃样品尺寸W15mm×L15mm×T1mm样品支架氧化铝或者高纯碳加热氛围多种热电偶JIS B φ0.3 （W-Re可选） 设备结构以及样品支架：

螣芯科技RTP快速退火炉RTP-150真空快速退火炉产品特点u 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷u 灯管功率PID控温，可准确控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性u 采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在Wafer表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性u 大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理u 标配三组工艺气体u 可测单晶片样品的尺寸为6英寸（150mm）u 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全 RTP行业应用u 氧化物、氮化物生长u 硅化物合金退火u 砷化镓工艺u 欧姆接触快速合金u 氧化回流其他快速热处理工艺RTP-150RL产品尺寸6寸晶圆或者支持150×150mm产品腔体材质镀金铝制腔体腔体门锁方式自动门锁，保证制程安全温度范围室温~800℃ 升温速度150℃/s可编程（此温度为不含载盘的升温速度）20℃/s（SiC载盘）温度均匀度±5℃≤500℃±1%＞500℃ 温度控制重复性±1℃恒温持续时间可依据要求编程温控方式快速PID温控控温区域多组控温区域，保证恒温区温度稳定性降温速度约200℃/min（1000~400℃）不可编程腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体真空泵风冷式干泵腔体冷却方式水冷腔体，独立水冷源控制冷却冷水机配置优先选螣芯科技配置的冷水机，或者使用厂务用水衬底冷却方式氮气吹扫工艺气体MFC控制，常规两路气体（N2 / GN2）一路工艺气体、一路氮气吹扫气体控制方式工业电脑+PC control温度校准TC Wafer及温度校准工具（选配）Wafer托盘SiC（选配）

退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

Centrotherm 快速退火炉/快速热工艺设备-c.RAPID 150/RTP 150 Centrotherm 快速退火炉-c.RAPID 150一、产品简介德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm c.RAPID 150是一款高性能、多用途的快速退火设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。 Centrotherm测温系统适用于从室温至高温的广泛区间。Centrotherm优化的多区温控系统结合可以独立控制的加热灯，提供了出色的控温精度和控温重复性。此款设备配置手动装载系统，适用于研发以及小型的量产。成熟的真空操作和气体管理系统为多种应用提供了可控的气体环境。出色的性能和高度的灵活性，结合小的占地面积，低的客户拥有成本，使c.RAPID 150成为一款最佳的手动RTP设备。 二、典型应用退火：一般退火、接触层（Contact）退火、源/漏退火、势垒金属退火硅化氧化掺杂活化三、产品特性可在常压或者真空（控压）下工作高度灵活性：适用于最大6寸的硅片或者可放置基片的6寸托盘升温速率约150 K/s出色的温度均匀性精确的环境控制高的设备可靠性可以并排安装 Centrotherm 快速热工艺设备-RTP 150一、产品简介德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm RTP 150是一款高性能快速热工艺设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。 RTP 150型快速热反应设备，采用紧凑型的真空腔室设计满足多种工艺需要，是一款可用于生产和研发用的单晶圆工艺设备。RTP 150型设备包括一个带集成压力学习控制压力范围在1mbar至50mbar的真空腔室。采用灯管加热系统提供了可调节的加热均匀性控制，采用了CENTROTHERM公司专利技术的温度控制系统。RTP系统可用于6寸晶圆和5寸石墨基板的加热。可在15分钟内更换基板的尺寸和类型。设备用于高性能、小占地面积、低成本高工艺灵活性的工艺场合。 设备特点：压力可控的真空或大气环境下工作高灵活性：最大6寸硅片或其他材料温度范围：20℃~1150℃不限时加热的工艺温度可达 750℃升温速率可达150k/s（即150℃/秒）每个加热灯管独立控制，极高的温度均匀性±0.5℃温度一致性长寿命加热灯管，低维护成本 典型应用：金属接触退火掺杂物活化源极/漏极退火干氧化薄晶圆退火 设备参数：应用： 生产或研发基板材料： 硅片、GaAs、石墨、碳化硅、氮化镓、蓝宝石晶圆尺寸： 最大6寸加热系统： 24组加热灯，PWM控制冷却水： 20 L/分钟排 风： 250 m3/小时 可选件：用于温度曲线调整的温度测量系统用于全自动操作的双机械手臂

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

英国TE公司成立于1991年，是一家世界知名真空加热部件及加热设备供应商，专注于提供真空环境下的全方位加热解决方案，产品涉及真空加热台，真空高温炉等设备。目前客户遍及世界知名科研院所及知名企业。英国TE公司2000C系列真空高温炉可在高真空或保护气体下工作，最高温度可达3000℃，加热区为石墨材料或者钨加热区，最高真空度可达5*10-8mbar，操作简单，性能稳定，仪器自带报警功能能够保证操作的安全性，同时可提供各种不同配置的仪器与定制模块，以满足客户不同的需求，适用于各类实验室应用及小规模生产。产品特色： 1、最高温度：真空环境下可达2100℃，保护气氛环境下可达2600℃（钨）甚至更高3000℃（石墨）； 2、极高的温度均匀性：小于2%； 3、操作简单，几乎全自动操作，底部泵浦，底部抽运，顶部进料； 4、高真空度：最高达5*10-8mbar； 5、采用石墨或钨材料进行加热； 6、升温快：大于100℃/min； 7、真空腔压力自动控制； 8、气体压力控制精度高：＜0.5bar9、自动报警系统，可实时显示工作状态； 10、自动抽运以清除氧气（有氧气的情况下，500℃以上会损坏加热台）； 11、极高的安全性：电子锁锁死系统可保证操作的安全性； 12、采用四轮机械设计，移动方便； 13、采用钨进行加热时退火气体可以为氢气。技术参数： 1、温度：标准仪器温度为2100℃，2600℃、3000摄氏度可选 2、真空度参数： 2*10-7MPa(采用Edwards RV 8机械泵) 5*10-11 MPa (采用扩散泵) 5*10-12 MPa (采用Edwards Turbopump EXT75DX涡轮泵) 3、真空接口：ISO63或者KF25标准接口 4、加热速度：大于100℃/min，请参考下图： 5、压力控制精度：＜0.5bar 6、分类与尺寸： 分类加热区尺寸(mm)炉膛尺寸（mm） 中型坩埚真空高温炉Φ60.5*75Φ305*500大尺寸坩埚真空高温炉Φ150*75Φ380*500超大尺寸坩埚炉Φ180*140Φ420*520整体加热退火炉Φ100*50Φ420*317小型真空平炉Φ100*50Φ420*317中型真空平炉Φ150*150Φ420*317大尺寸真空平炉Φ200*200Φ420*317设备组成：　 1、炉体及真空室 2、温度控制系统 3、真空加热台 4、泵浦控制系统 5、真空泵（真空机械泵、真空扩散泵或真空涡轮泵） 6、安全预警控制系统 7、LED报警灯 8、水冷系统 9、电子锁自动锁死系统 10、气体质量流量控制系统 辅助配置： 1、去离子水 2、惰性气体

AS-One系统有两种型号： AS-One 100 系统或AS-One 150 系统该快速退火炉是专门为满足大学、研究实验室和小规模生产的需求而研制的，高可靠且性价比高。该工艺室采用贝壳式设计，可完全进入底板，方便装载和卸载基板，并允许实际清洁腔体快速数字PID温度控制器在整个温度范围内提供精确和可重复的热控制。特征：基本尺寸：Up to 直径100 mm (4-inch) for AS-One 100 Up to 直径150 mm (6-inch) for AS-One 150 Small substrates using susceptors工艺腔体运用不锈钢冷腔室壁技术温度范围标准配置：最高达到1250°C高温配置：最高达到1450°C温度控制标准配置：热电偶和高温计用来测量温度快速数字PID温度控制器在可获得精确的和可重复的热控制真空和气体最多可达5路带MFC的工艺气体，一路清洁气体电脑控制全PC电脑控制，每个配方最多100步骤全数据记录与处理历史的人机界面设计选项：石墨托盘/碳化硅涂层托盘/粗真空泵和涡轮泵/快速冷却系统/其他套件应用： ● 快速热退火 ● 快速热氧化 ● 扩散/接触时退火 ● 化合物退火 ● 结晶或致密化我公司专业销售Annealsys产品，并提供Annealsys产品的售前售后服务，如您对Annealsys产品感兴趣，欢迎前来咨询！

仪器简介： 英国TE公司成立于1991年，是一家世界知名真空加热部件及加热设备供应商，专注于提供真空环境下的全方位加热解决方案，产品涉及真空加热台，真空高温炉等设备。目前客户遍及世界知名科研院所及知名企业。英国TE公司2000C系列真空高温炉可在高真空或保护气体下工作，最高温度可达3000℃，加热区为石墨材料或者钨加热区，最高真空度可达5*10-8mbar，操作简单，性能稳定，仪器自带报警功能能够保证操作的安全性，同时可提供各种不同配置的仪器与定制模块，以满足客户不同的需求，适用于各类实验室应用及小规模生产。产品特色： 1、最高温度：真空环境下可达2100℃，保护气氛环境下可达2600℃（钨）甚至更高3000℃（石墨）； 2、极高的温度均匀性：小于2%； 3、操作简单，几乎全自动操作，底部泵浦，底部抽运，顶部进料； 4、高真空度：最高达5*10-8mbar； 5、采用石墨或钨材料进行加热； 6、升温快：大于100℃/min； 7、真空腔压力自动控制； 8、气体压力控制精度高：＜0.5bar9、自动报警系统，可实时显示工作状态； 10、自动抽运以清除氧气（有氧气的情况下，500℃以上会损坏加热台）； 11、极高的安全性：电子锁锁死系统可保证操作的安全性； 12、采用四轮机械设计，移动方便； 13、采用钨进行加热时退火气体可以为氢气。技术参数： 1、温度：标准仪器温度为2100℃，2600℃、3000摄氏度可选 2、真空度参数： 2*10-7MPa(采用Edwards RV 8机械泵) 5*10-11 MPa (采用扩散泵) 5*10-12 MPa (采用Edwards Turbopump EXT75DX涡轮泵) 3、真空接口：ISO63或者KF25标准接口 4、加热速度：大于100℃/min，请参考下图： 5、压力控制精度：＜0.5bar 6、分类与尺寸：分类加热区尺寸(mm)炉膛尺寸（mm） 中型坩埚真空高温炉Φ60.5*75Φ305*500大尺寸坩埚真空高温炉Φ150*75Φ380*500超大尺寸坩埚炉Φ180*140Φ420*520整体加热退火炉Φ100*50Φ420*317小型真空平炉Φ100*50Φ420*317中型真空平炉Φ150*150Φ420*317大尺寸真空平炉Φ200*200Φ420*317设备组成：　 1、炉体及真空室 2、温度控制系统 3、真空加热台 4、泵浦控制系统 5、真空泵（真空机械泵、真空扩散泵或真空涡轮泵） 6、安全预警控制系统 7、LED报警灯 8、水冷系统 9、电子锁自动锁死系统 10、气体质量流量控制系统 辅助配置： 1、去离子水 2、惰性气体

GLO炉的特点是真空气密炉罐及周围对称分布的加热丝。加热丝是嵌在陶瓷纤维保温材料里。铁铬铝合金加热丝是Kanthal APM。GLO炉常配有真空泵系统，可在热处理前抽出炉膛内的氧气。为了保证尽可能低的氧含量，抽真空后会再用氮气冲刷。这个过程会循环几次，使炉罐内有个纯净的气氛环境。真空的建立是优先于氮气气氛。真空辅助设备会快速形成一个洁净的气氛环境，仅消耗少量的氮气。在氧气的含量尽可能被降低后，通入惰性气体至微正压，热处理工艺启动。在气氛环境下，GLO退火炉的最高温度可达1100°C。如有需要，炉门可以作为一个独立的加热区。气体通入GLO炉罐内，经炉门的辐射层预热，由前向后扩散。GLO炉后壁有个废气排放口，用于排出样品在热处理工艺时释放出来的废气。GLO炉可手动控制或选择自动控制。炉子可选尺寸5L、10L、40L、75L、120L、260L、400L、550L、600L、850、950、和1300L。炉罐是采用耐高温钢合金(1.4841)制造而成，也可以根据客户需求采用其他材料。当配置了合适的安全装置后，该炉型可在反应气氛下工作（如氢气）。如果炉子需要通氢气，必须选择自动操作系统及所有的安全装置。氢气安全装置包括了用于紧急情况下的氮气冲刷罐。所有装置符合SIL2标准。炉子采取紧凑型节省空间设计。可选装排胶工序包用于排胶或热解。尾气燃烧装置用于处理尾气。由于排出的废气经过加热，所以不会产生冷凝。GLO炉可以安装快速冷却系统。炉罐可以采用外部空气进行冷却，或者采用冷却的惰性气体直接通入炉罐内冷却。GLO退火炉有两种款式可选：垂直型VGLO炉垂直装载样品，设计紧凑节省空间移动型GLO炉采用可移动、节省空间的外观，适用于不同应用。应用实例退火、淬火、灼烧、硬化、热分解、回火、烧结前的热力排胶标准参数标配手动控制系统炉腔由1.4841（相当于314）不锈钢制成带气密性硅胶密封的水冷门（必须在客户现场提供水冷）炉口配有热辐射隔热屏障标配一路手动控制系统：惰性气氛、空气或混合气。气氛控制精确，纯度高过温保护（推荐保护贵重样品或无人值守的操作）选项(订购时详细标注要求)真空系统：预抽真空泵、罗茨泵或涡轮分子泵一系列具有数字通讯选项的精密数字控制器，多段编程器和数据记录，以及数字通讯接口 氢气浓度大于4%的反应气体设备如果现场没有水冷系统，我们可提供冷水机

1. 产品概述半导体激光退火机是用于半导体制造过程中的一种设备。退火是一种热处理过程，通过加热半导体材料来改变其性质，以实现所需的特性，如电导率、晶体结构和应力缓解。半导体激光退火机利用高能激光束来对半导体基片进行精确和控制的加热和修改。2. 设备特点主要功能：快速热退火，快速热氧化，快速热氮化，扩散，化合物半导体退火，离子注入后退火，电极合金化等；样片尺寸：8inch，向下兼容，支持不规整样品退火；退火温度范围：室温~1200 ℃；室温到1000度，最快升温速率120 ℃/second；全程热电偶测温，不使用高温计，无需额外校准；退火温度的重复性、准确性 ± 1 ℃；两路工艺气体，MFC流量计控制，流量为0-5NLM；可通入氮气、氧气，可以分别通入或者通入混合气体；可选择真空退火模式，真空度可达10^-6hpa；配置前级泵，抽速3L/s,极限压力4*10-2pa；SPS SIMATIC 软件控制工艺过程，可编程序不少于50个，且每个程序可编程步骤不少于50步。

退火炉简介：TNHL-01-800型退火炉适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性。 主要技术参数：额定温度：800℃升温速度：平均5℃/min炉膛尺寸：300mm×500mm×300mm外形尺寸：690mm×1010mm×1560mm额定功率：12Kw额定电压：220V额定电流：55A 额定频率：50Hz 额定平率：50Hz 本产品是根据用户需求精心研制的，适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性

井式真空光亮退火炉主要用于各种机械零件的真空退火，应力消除被广泛应用于各种金属，合金，水晶材质，光亮退火，真空脱气等等。不同的配置，可通入保护气氛进行氮化，渗碳热处理。 　　城池井式真空退火炉使用预抽真空气氛保护工件产品，操作者首先炉抽空到一定程度的真空炉中充满高纯度的氮气或氨分解保护加热，气氛，从而达到少无氧化加热，亮脱碳的目的。由于使用的搅拌风扇，炉具有高的温度均匀性。长期使用的机械部件，硅，铜，铜线等材质均可达到非氧化光亮退火效果。　　井式真空退火炉外壳为井式炉体结构，真空罐体采用进口高品质不锈钢制造，X光探伤绝无漏气。井式真空退火全部自动控制均有安全保护设计，当炉盖开启时自动切断控制电源，炉盖紧闭时才能开始加热，确保操作人员安全。

1. 产品概述VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉,适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备。2. 设备用途/原理VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉，适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备，高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min。石墨电阻加热，工艺腔室洁净。自动装片，Cassette toCassette。SEMI S2/S6 认证。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6 英寸兼容，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑，适用域 科研、化合物半导体。

产品应用：该电炉采用红外灯管加热，通过滑动炉体实现快速降温。应用于半导体或太阳能电池基片退火。也可用于快速热退火、快速热氧化、快速热氮化、硅化物合金退火、电极合金化、氧化物生长、离子注入后退火、薄膜沉积等工艺试验 产品特点：可在真空/气氛/空气等不同环境下通过快速移动炉体，加之强风冷设计，可对样品进行快速升降温处理；管内测温设计，温控精度高,*大升温速率50℃/s 紧凑的台式设计，快速连接法兰，减少了炉管因安装造成损坏的可能，方便操作。产品名称RTP-小型快速退火炉产品型号RTP-G11103-K额定功率9KW额定电压220AC 50/60Hz*高温度1000°C 连续工作950°C(1 小时)加热区长度300mm恒温区长度100mm加热元件红外灯管温度控制国产程序控温系统可编程50段程序控温；控制精度±1℃石英管尺寸Φ110*380MM炉管材质石英管滑动距离355mm滑动方式手动滑动建议升温速度室温900℃：30℃/sec900℃~1000℃： 10℃/sec外形尺寸950 X 350 X 530 mm 重量45Kg标准配置气路总成一套（含真空压力表）石英管一支、高温手套一副。76MM的样品石英架一个。

1. 产品概述THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统。2. 设备用途/原理THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统，高精度温度场控制技术，先进的颗粒控制技术，可靠的氢气工艺能力技术，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料硅。适用工艺 低压合金、金属 / 非金属退火、薄片退火。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

一、设备简介青岛晨立电子有限公司生产的非晶带材连续式退火炉由：进端工作台、出端工作台、加磁器、设备主体、进出料通道、主工作通道、冷却通道、加热器和外饰护板的组成。 二、设备用途为了满足不同用户对各种连续式退火炉的不同需求，本公司推出了CLTH-4型非晶带材连续式退火炉，在不同压力条件下能够实现快速、缓慢冷却，达到各种热处理工艺，对非晶原件、非晶磁粉芯、纳米晶及非晶铁芯在不同磁场要求下达到其特有的性能。 三、设备主要技术指标1、 温度范围：300∽1060℃2、 工作温度：±1℃3、 控制精度：±0.5℃4、 控制段数：3段加热，1段冷却5、 加热器：采用直径为6mm的优质电阻丝，保证加热器寿命6、 铜棒：采用直径为30mm的铜棒，处理好接口和材质的关系7、 冷却方式：第一温区气冷，第二温区气冷和水包两种方式，保证冷却段温度始终保持一致8、 磁场强度：30 oe，纵瓷要闭环自动调节（内部配有手动调节旋钮）9、 安全连锁保护：超温、断偶、断磁及压力异常保护报警10、 设备冷却：有冷水机配有纵向缠绕的铜管给予冷却

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试； 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

1. 产品概述Sitara TA230A 12英寸单片快速热退火系统，适用于 260-1200℃快速热处理工艺。2. 设备用途/原理Sitara TA230A 12英寸单片快速热退火系统，适用于 260-1200℃快速热处理工艺，高精度温度控制，提供优异工艺，低成本，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用工艺 快速热退火、快速热氧化、金属硅化。适用域 科研、集成电路。

产品介绍 该系列煅烧退火炉广泛应用于蓝宝石晶棒、晶片退火，特种陶瓷烧结，其他超高温行业烧结。是各大科研院所、高校和质检单位的*理想设备。电炉采用炉控分体设计，电炉以U型硅钼棒为加热元件，采用PID智能程序控温、并带有过热和断偶保护，全自动运行。加热元件分布在炉膛的四周，热场温度均匀，温差小，炉壳表面温度低，炉膛采用新型特种耐火纤维制品，炉膛温度可达1800℃。无污染、无挥发、节能环保、安全稳定、使用寿命长。 产品特点 单向装卸料煅烧退火炉具有自动升降功能及自动向前移动装卸料 双向装卸料煅烧退火炉具有自动升降功能，具有自动向前和向后两套移动装卸料机构，确保烧结、装料、冷却、卸料不间断使用 1、炉壳：采用双层式炉体结构，炉壳温度低。2、炉膛材料：保温材料为新型特种耐火纤维制品，无污染，无挥发，节能降耗达 40%以上。3、加热系统：发热元件布置在炉膛四周，炉内温场均衡，保温性能优良。4、炉门开启方式：炉子炉门设在底部，通过电机操控， 自动升降移动。5、温控系统：①智能化 100 段可编程控且每段独立限制电压输出；②另配液晶屏电力集中显示仪，集中显示运行电压、电流、功率、用电量等，并具有过电流报警功能，有效保护发热元件。

TD-PGL-100型高精度热退磁炉是苏州冠德能源科技有限公司自主研发的一款容量大、低干扰磁场、温度特性优良的热退磁炉，可用于岩石样品及磁性材料的热退磁处理，开展古地磁和磁性地层学研究，具有容量大、全自动温度调节的特点。

高压氧气氛退火炉 产品简介德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉温度可达850°C，压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。炉体直径15mm，长度200mm，温度均匀。温度、压力可定制更高。应用领域可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。应用案例高压氧气氛退火装置在钙钛矿化合物Nd1-xSrxNiO3材料制备中的应用进展由于平面四边形配位的低价镍氧化物具有跟铜酸盐超导体类似的电子数和轨道杂化特点，因此，自铜氧化物中发现超导电性以来，低价镍氧化物也一直是广大研究人员的研究热点材料之一。尤其，2019年科学家在SrTiO3衬底上生长的Nd1-xSrxNiO2薄膜中观察到了高达15 K的超导电性，这一报道再次引发了人们对无限层RNiO2（R=Nd，La）化合物的兴趣。优质RNiO2相样品的获得对于从实验上研究其物理机理是至关重要的前提条件。目前已报道的RNiO2相的制备方法是通过向Nd1-xSrxNiO3中加入还原剂进而还原得到Nd1-xSrxNiO2。然而，从NiO中得到Nd1-xSrxNiO3相需要将Ni2+提升至Ni3+x，因此其制备过程中必须要采用高压氧气氛。近期，美国阿贡实验室Bi-Xia Wang等人采用溶胶-凝胶和高压退火结合技术合成了钙钛矿化合物Nd1-xSrxNiO3 (x = 0, 0.1 and 0.2)，文献中所使用的高压退火工艺条件为：烧结温度1000°C， 氧压150-160bar。相关成果已发表在Phys. Rev. Materials（DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.084409）。在该项研究中，作者使用的高压退火装置即为德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉，该设备可实现1100°C高温，160bar高压，也可根据用户需求定制更高的温度和压力。同时，该设备也具备多种安全防护机制，可有效保证设备安全运行，是高压晶体生长的料棒前处理和含氧晶体高温退火处理的利器。 德国SciDre 高压氧气氛退火炉装置 参考文献Bi-Xia Wang, Hong Zheng, E. Krivyakina, O. Chmaissem, Pietro Papa Lopes, J. W. Lynn, Leighanne C. Gallington, Y. Ren, S. Rosenkranz, J. F. Mitchell, and D. Phelan, Phys. Rev. Materials, 4, 084409 – Published 21 August 2020.更多应用案例，请您致电 010-85120277/78/79/80 或 写信至 info@qd-china.com 获取。发表文章1. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1-xSrxNiO2 and Nd1-xSrxNiO3 . Phys. Rev. Materials, 4, 084409 – Published 21 August 2020.用户单位美国阿贡实验室