出口管制

当地时间9月1日，荷兰政府今年6月公布的针对芯片制造设备的出口管制措施正式生效。根据新规，特定的先进半导体制造相关物项从荷兰出口至欧盟以外的目的地须事先向荷兰海关申请出口许可。（相关报道：升级光刻机管制！荷兰发布先进半导体制造设备出口禁令）此前针对该新规，ASML曾发表声明称，由于这些出口管制法规，ASML将需要向荷兰政府申请出口许可证，以购买其最先进的浸没式DUV光刻系统（TWINSCAN NXT：2000i和后续浸没式系统）的所有货物。荷兰政府将决定是否授予或拒绝所需的出口许可证，并就适用的任何条件向公司提供更多详细信息。其他ASML系统的出货不受荷兰政府的控制。据环球时报报道，随着荷兰新的出口管制法规于周五生效，荷兰芯片制造设备巨头ASML称已获得许可，能够继续向中国运送芯片工具，直到今年年底。据统计，今年上半年光刻设备进口额近70亿元，其中制半导体器件或集成电路用的分步重复光刻机主要进口自荷兰和日本，其中荷兰进口额占比高达76.7%。（详情：前六月进口近70亿元：光刻设备海关进口数据分析）随着荷兰收紧光刻机出口管制，将严重阻碍中国先进半导体制造，甚至是传统半导体制造业的发展。针对本次管制，商务部束珏婷回应：中国政府与相关国家在出口管制领域保持沟通交流。中方希望包括荷兰在内的各方秉持客观公正立场和市场原则，遵守契约精神和国际规则，维护自由开放的国际贸易秩序，保障企业合法权益。

相关条例背景美国商务部工业和安全局（BIS）根据《出口管理条例》对军民两用物项和不太敏感的军事物项的出口、再出口和转让(在国内)实行管制。某些用于自动合成多肽的仪器(自动多肽合成器)已被BIS认定为第1758条新兴和基础技术。在本规则中，BIS建议对这些自动肽合成仪进行控制。国际清算银行正在就拟议的管制措施征求公众意见，详情如下。第1758条技术的认定作为2019财年国防授权法案(NDAA)的一部分。美国国会颁布了《2018年出口管制改革法案》(ECRA) (50 U.S.C. 4801-4852)。ECRA第1758条授权商务部对对美国国家安全至关重要的新兴和基础技术的出口、再出口或转让(在国内)建立适当的管制。ECRA没有区分术语“新兴技术”和“基础技术”，也没有为这些术语提供具体的定义或其他指导。考虑到这一点，并确保更有效地实施对此类项目的控制，BIS选择将此类技术描述为“第1758条技术”，而不是将特定技术描述为“新兴”或“基础”。如ECRA第1758(a)(2)(B)条所述，第1758条技术的识别应考虑:(i)这些技术在国外的发展 (ii)根据本条实施的出口管制可能对此类技术在美国的发展产生的影响 (iii)根据本节限制新兴和基础技术在国外扩散的出口管制的有效性。商务部长必须对根据第1758条程序确定的技术的出口、再出口或转让(国内)建立适当的控制。在这样做时，部长必须考虑第1758条技术的潜在最终用途和最终用户，以及限制从美国出口的国家(例如,被禁止的国家)。虽然部长有权决定出口管制的程度，但向受美国禁运的国家(包括受武器禁运的国家)出口此类技术，至少必须获得许可。此外，ECRA第1758(a)(2)(C)条要求确定第1758条技术的机构间流程包括通知和评论期。2018年11月19日拟定规则的预先通知2018年11月19日，BIS发布了拟议规则制定(ANPRM)的预先通知，“对某些新兴技术的控制审查”(83 FR 58201)(11月19日ANPRM)。11月19日，ANPRM在14个技术类别的代表性清单中确定了生物技术，BIS征求公众意见，以确定是否有特定的新兴技术是必不可少的对美国国家安全有重大影响，因此可以实施有效控制。2022年9月13日关于多肽自动化学合成仪器的拟议规则制定预先通知2022年9月13日，BIS发布了一份ANPRM，“关于对多肽自动化学合成仪器实施第1758条技术出口管制的意见征询”(87 FR 55930)(9月13日ANPRM)。如9月13日ANPRM所述，多肽是氨基酸的聚合链，通过肽键连接在一起。蛋白质是由一个或多个折叠的多肽大链组成的三维大分子。蛋白质必须折叠成正确的3D形状才能发挥功能。第一个肽键是在100多年前合成的 然而，在过去的几十年里，化学合成方法的进步使自动肽合成成为一种常见的实验室技术。使用氟酰甲基氧羰基(Fmoc)化学的长期建立的合成方法可以可靠和常规地生产长度约为50个氨基酸的高质量多肽。肽合成技术和仪器的最新进展提高了肽合成的速度和肽产物的长度，包括长度超过100个氨基酸的肽和蛋白质。受ECCN 1C351管制的商业管制清单(CCL)上的大多数蛋白质毒素长度超过100个氨基酸，平均长度为300个氨基酸，但conotoxin的长度在10-100个氨基酸之间，这是一个明显的例外。近期（2023年5月22日前），BIS收到了对9月13日发布的ANPRM的五条评论，评论的实质内容以及国际清算银行的答复详列如下。评论1：一位评论者指出，使用自动肽合成法合成毒素是不可行的，但芋螺毒素类除外。该评论者还指出，合成α芋螺毒素类的数量不可能达到造成重大环境或恐怖主义威胁所必需的程度。BIS回应1:BIS同意自动化肽合成器目前仅限于生产较短的肽毒素，包括CCL控制的concontoxins。然而，BIS认为，目前的仪器可以产生足够的肽毒素，导致死亡率和发病率在一个给定的人群。评论2:一位评论者表示，受控毒素可以手工生产，而自动化只是加快了这一过程。另一位评论者指出，对试剂和消耗品的出口管制可能会控制多肽合成的获取。然而，他们进一步指出，这些项目的主要制造商位于美国以外。BIS回应2:BIS对自动化和手工生产多肽的试剂和耗材的可用性表示赞赏。BIS将继续调查可能对多肽合成耗材实施的出口管制。评论3:一位评论者指出，肽合成器的新技术发展有助于更快、更有效、更低成本地制造许多不同类型的肽。他们进一步指出，这主要用于筛选候选药物的许多不同肽的研究。BIS回应3:BIS赞同多路自动肽合成器对潜在治疗开发的有用性。然而，BIS指出，这些特征也可以用于其他更危险的目的，例如用于武器计划。评论4:一个普遍的意见是，国际清算银行不应单方面控制这些技术。一个共同的线索是，这些控制可能会对美国在该领域的技术领导地位产生巨大影响，因为客户将从欧洲获得不受限制的技术。一位评论者指出，美国政府应该允许学术界免费使用，以促进生物分子研究的全面发展。BIS回应四:国际清算银行将与其国际伙伴合作，为这些技术提供多边控制。但是，BIS可以在必要时对这些技术采取单方面行动。国际清算银行欢迎在控制这些技术方面的额外投入，正如本规则拟议的管理案文所指出和促进的那样。评论5:一位评论者指出，目前，大多数肽的大规模生产都是手工进行的。BIS回应五:虽然这可能是真的，值得进一步研究可能的监管反应，但BIS并不倾向于停止自动多肽合成仪监管文本的提议。然而，BIS指出，这和其他相关信息与充分了解自动肽合成仪器市场有关，并赞赏这些信息。建议的规管更改根据这一规则，BIS建议对ECCN 2B352进行修改。拟议案文将设立一个新项目第k段，其中将包括三个分段，.k.1，.k.2，.k.3。项目段落k将限制多肽合成仪：部分或完全自动化(.k.1)，能够产生超过75个氨基酸的连续肽序列(.k.2)，并且能够在单次运行中以75%或更高纯度生产100毫克肽(.k.3)。项目第k段下的管制项目将保留适用于整个ECCN的管制理由，即扩散化学和生物武器(CB)第2栏和反恐(AT)第1栏。征求意见与ECRA第1758条一致，BIS欢迎对拟议的多肽自动合成仪器控制文本提出意见。

继去年7月中国商务部决定对镓、锗相关物项实施出口管制之后，8月15日，商务部、海关总署联合发布公告，决定对部分锑、超硬材料相关物项实施出口管制。上述政策将于2024年9月15日起正式施行。商务部新闻发言人表示，对锑、超硬材料相关物项实施出口管制系国际通行做法。中国借鉴国际做法，并根据自身需要，对有关物项实施出口管制，旨在更好维护国家安全、履行防扩散等国际义务。相关政策不针对任何特定国家和地区。出口符合相关规定的，将予以许可。中国政府坚定维护世界和平和周边地区稳定，保障全球产业链供应链安全，促进合规贸易发展。同时，反对任何国家和地区利用来自中国的管制物项，从事损害中国国家主权、安全、发展利益的活动。锑：半导体领域的重要材料锑（Sb），作为第五周期第ⅤA族的类金属元素，类金属元素，是一种银白色、易碎、易熔的结晶固体，导电性和导热性较差，加热时会升华。锑的主要应用包括制造合金、&zwnj 半导体材料、光伏材料、&zwnj 阻燃剂、&zwnj 化工原料等。锑在半导体行业的应用，主要被用作化合物半导体材料、合金材料、半导体掺杂材料和热电材料等：首先，锑可以作为化合物半导体材料。锑化合物半导体属于重要的第四代半导体材料，在开发低体积、轻重量、低功耗和低成本的下一代器件方面具有很大的优势，可以满足极其苛刻的应用要求。如锑化铟（InSb）和锑化镓（GaSb），都属于直接带隙半导体材料，具有禁带宽度较窄、电子迁移率高、量子效率高、响应速度和灵敏的红外响应的特点，在红外探测器、光电器件及高速电子器件中占据重要地位。特别是这些材料在红外光电器件中的应用，使得其在军事领域具备高度的战略价值。例如，锑化镓太阳能电池的高转化效率和低成本，使其备受关注，并推动了光伏材料的发展。国内企业在锑化合物材料的研发和生产上取得了显著进展，如浩瀚全材、光智科技、有研新材等公司成功量产了高纯度的锑化镓和锑化铟晶圆，展示了中国在锑半导体材料领域的实力。其次，锑也可以作为合金材料。比如锑铅合金，锑与铅形成的合金在制造半导体器件中用作电气接触材料，特别是在制造印刷电路板（PCB）和焊料合金中起到增强硬度和提高耐腐蚀性的作用。第三，锑也可以作为半导体掺杂材料。锑可作为掺杂材料引入到硅和锗中，以调节其导电性。掺入锑原子后，硅或锗的导电性将增加，形成n型半导体（富电子半导体），这在制造各种电子器件时非常关键。第四，锑也可以作为热电材料。锑与碲、铋等元素结合，形成的化合物（如碲化铋 (Bi2Te3)）被广泛用作热电材料。这些材料可以在温差下产生电压，被用于热电发电器件和热电制冷器件。从终端应用来看，锑在半导体行业的应用主要集中在红外光电器件、高速电子器件、热电材料等领域。随着技术的发展，锑及其化合物的应用前景广阔，特别是在高性能器件和新型材料方面。锑的战略价值与国际地位从全球储量来看，根据USGS的数据显示，截至2023年，全球已知的锑储量共有217万吨，其中，中国储量为64万吨，占比30%，排名第一，远超其他国家。从全球产量来看，中国同样占据主导地位，2023年全球锑矿产量为8.3万吨，其中中国产量为4万吨，占比为48%，贡献了全球近一半的锑矿产量。显然，中国是全球锑储量和产量最大的国家。鉴于锑在半导体及其军事应用中的重要性，中国政府对锑及相关物项实施出口管制，以维护国家安全和利益，这一举措被视为对欧美对华半导体出口管制的反制措施。特别需要指出的是，由于锑在红外光电器件方面的应用很多被用于军事领域，因此，从2009年起，&zwnj 美国就将锑化物半导体相关的材料和器件实施了严格的出口控制。而&zwnj 美国对锑化物半导体技术的封锁和垄断，&zwnj 反映了其在高科技领域的重要性和战略价值。中国对锑出口管制的具体措施与影响商务部、海关总署联合发布的公告明确了锑相关物项的出口管制细则，包括锑矿及原料、金属锑及制品、锑的氧化物、有机锑化合物、锑的氢化物以及高纯度的锑化铟等。这些物项在未获得许可前，均不得出口。同时，公告还规定了出口许可的申请流程、审查标准及处罚措施，确保管制措施的有效执行。中国对锑的出口管制，一方面将进一步提升国内锑产业的竞争力，促进相关企业的技术创新和产业升级；另一方面，也将对国际半导体市场产生一定影响，特别是那些依赖中国锑资源的国家和地区，可能需要寻求新的供应渠道或调整生产计划。总体而言，锑作为半导体领域的重要材料，其战略价值不言而喻。中国作为全球锑储量和产量最大的国家，通过实施出口管制，不仅能够有效维护国家安全和利益，还将在国际半导体市场中发挥更加重要的作用。

美国出口管制科学仪器技术分类研究 陈 芳１ 王学昭**，１,２ 刘细文１,２ 王燕鹏１ 吴 鸣***,1,2 （１.中国科学院文献情报中心，北京100190；２.中国科学院大学经济与管理学院图书情报与档案管理系，北京100190） 摘 要：在中美贸易冲突的背景下，美国为首的发达国家以立法形式限制关键核心技术向我国出口，美国出台的《商业管制清单》等文件包含了大量对技术、设备和产品的出口限制，涉及重要的科学仪器及其相关的零部件。本文以美国“两用”物品的商业管制清单（The Commercen Control List，CCL ）为分析对象，以中国科学仪器分类为标准，将 ＣＣＬ中的内容与国内科学仪器的分类进行对 比。通过对 CCL的计量分析，揭示发现中国科学仪器领域相关技术受美国管制的形势非常严峻， 有 42.08％的清单条款涉及对科学仪器的管制。在十二个科学仪器的分类中，分析仪器、工艺实验设备、电子测量仪器等是受管制范围较广的领域，激光器、核仪器是传统受到管制的领域，医学诊断仪器、大气探测仪器等受管制范围较小。在分析的基础上为我国科学仪器的发展提出了分类应对、 坚定走自主研发道路等建议。 关键词：出口管制；商业管制清单；科学仪器；文本挖掘；自然语言处理 科学仪器是指科学技术上用于检查、测量、控 制、分析、计算和显示被测对象的物理量、化学量、 工程量和生物量等性质的器具或装置［１］。科学仪器是认识世界的工具，是提高人类自身和改造世界能力的基础与前提。据不完全统计，诺贝尔 自然科学奖项中，68.4％的物理学奖、74.6％的化 学奖和 90％的生物医学奖的研究成果，是借助各 种先进的科学仪器完成的，或直接与新仪器方法或功能发展相关的［２］。科学仪器产业属于高端制造业，其发展离不开光学、机械、真空、电子、精 加工、材料科学、化学以及软件等众多行业的支撑。科学仪器的应用领域涉及国民经济各个环节，几乎无所不在。科学仪器作为采集信息的源 头，对其他产业的发展具有巨大的“指导”和“带 动”作用。因此，科学仪器的创新及制造和应用水平反映了一个国家的科学技术和工业发展的实力。尽管我国仪器仪表行业发展迅速，但是在高性能、高精度、高灵敏、高稳定、高可靠的科学仪器研发与生产领域，与国际先进水平还存在较大差 距，尤其是受到来自美国等国家的限制［３,４］。中美贸易争端以来，更加剧了这一过程。有报道指出截至2018年，中国约有 1800台核磁共振波谱仪，其中1400多台是一家国外供应商的产品，国内的仅有50台［5］。 美国将科学仪器产业定位为高端制造业、高保密行业和战略性产业，对华科学仪器整机、原料、元器件等出口执行严格的审批制度甚至禁止出口，对我国科学仪器的购置与发展产生了不少负面影响。近年来，美国一方面在“军民两用”的 技术清单———美国商业管制清单（The Commercen Control List，CCL ）中更新、添加相关的仪器 设 备［６］，另一方面通过添加中国实体机构到实体清 单［７］，加大了针对中国“终端用户”禁售的力度。 美国CCL是针对“军民两用”的货物和技术清单，也是针对“高新技术”进行限制的主要工具。目前国内已有一些针对清单的研究，但多数从政策的角度开展，较少深入到具体的领域。在研究方法方面也较少采用计量和聚类等方法。其中，葛晓峰［8］对美国两用物项出口管制法律制度的结构和内容进行了定性介绍。陈峰［９］解析了国外实施技术出口管制的竞争情报含义，从宏观角度分析了应对国外对华技术出口限制的竞争情 报需求和现实意义。南京大学陆天驰等［10］采用 计量方法研究了人工智能技术领域的美国 CCL， 解析了 CCL条目共 2966条，并为我国人工智能领域的发展提出了一些建议。李广建等［11］通过实体识别的技术研究了CCL清单、管制实体清单 （Entities List，EL）等对象，以光刻机为实证研究进行了方法评估，但没有对全部 CCL清单进行解析和物项识别。目前国内的研究中，一方面，针对 CCL量化的研究方法不成体系，在清单的结构化、语义化、本体化的分析方面，还需要进一步的深度挖掘；另一方面，科学仪器是清单包含的非常重要的模块，国内没有专门针对科学仪器管制的专门研究。本文以美国CCL为分析对象，以中国国内的科学仪器分类体系为标准，将 CCL中的内容与国内科学仪器的分类进行对比。采用文本挖掘和自然语言处理方法，对出口管制清单的技术进行了聚类分析，分析了每个科学仪器技术类型中，美国管制的核心技术或技术指标的情况，提供中美技术差距的对比点。对比了美国在科学仪器出口管制的管制力度分布，揭示不同技术类型的科学仪器可能面对的不同的管制现状，为我国科学仪器的自主研发、突破“卡脖子技术”提供参考。1 国内科学仪器技术分类体系 由于科学仪器有属性的多样性，有着不同的分类体系，相互之间存在差异和侧重点［14-17］。例如，根据仪器测试对象的物理性质，可以划分出计量仪器、力学仪器、光学仪器、成份分析仪器、电磁量测仪表、时间和频率测量仪等；根据不同学科或专业用途，可以划分出天文仪器、地球科学仪器、生物科学仪器、农林科学仪器、工业自动化仪器、材料试验机和试验仪器等；根据物理量的测量方法分，可以划分出长度计量仪器、角度计量仪器、面积计量仪器等等。 本文主要参考的技术分类体系主要包括：１） 国家标准 CB/T32847-2016《科技平台大型科学仪器设备分类与代码》（后称国家标准分类体系）［14］，２）科技部大型科学仪器设备的技术分类标准（后称科技部分类体系）［16］。 １）国家标准分类体系将科学仪器分为了Ａ 类-通用大型科学仪器设备和Ｂ类-专用大型科学仪器设备。Ａ类通用科学仪器设备中又包括了质谱仪、色谱仪、激光器等至少18类科学仪器。Ｂ类专用科学仪器中主要以空间与天文科学仪器、大气探测科学仪器、地球科学仪器等13个学科领域为对象的科学仪器。 ２）科技部自 2008年起，在全国科研院所和高校开展了大型科学仪器设备的资源调查研究，并 在2013年发布了调研报告。其中，在大型科学仪器设备开放共享目录中对50万元及以上的科学仪器进行了分类，共分为了十四大类，包括：分析仪器、物理性能测试仪器、计量仪器、电子测量仪器、海洋仪器、地球探测仪器、大气探测仪器、天文仪器、医学诊断仪器、核仪器、特种检测仪器、工艺实验设备、激光器、其他仪器。本文将该目录中的仪器名称提取后，形成科学仪器的文本词典，该词典用于对管制清单的文本加工。 上述的分类体系与 CCL中的十大类型（行业类）、五个小类型（商品类）分类的标准都有所不 同。在分析对比中对该分类体系进行了细微的调整。调整的内容如下：一方面科技部分类体系中特种检测仪器数量较少，并且其光电检测仪器、超声检测仪器、电磁检测仪器等在其他类别中已经出现，因此取消了特种检测仪器类别，将里面涉及的种类划分到其他类中；另一方面，将国家标准分类体系中的空间类仪器，合并到天文仪器大类中，这类仪器管制清单中有较多涉及。最终，本文主要涉及的科学仪器的技术类型包括：分析仪器、物理性能测试仪器、计量仪器、电子测量仪器、海洋仪器、地球探测仪器、大气探测仪器、空间与天文仪器、医学诊断仪器、核仪器、工艺实验设备、激光器等12个种类，并作为本文对比分析和映射的分类体系。 2 美国CCL结构 美国的技术管制清单主要由三个部分组成： １）CCL；２）军用品清单 （United States Munitions List， USML）；３）核管理委员会管制目录（Nuclear Regulatory Commission Controls，NRCC）。 其中，CCL是针对“军民两用”的货物和技术进行管制的清单。相对而言，CCL具有最大的体量，涉及军用和民用的各个行业领域，也是针对 “高新技术”进行限制形成技术壁垒的阵地。科学仪器属于民用产品，因此针对科学仪器的出口 管制主要存在于 CCL清单中。 2.1 行业分类（大类） 该清 单 总 共 分 为10个 行 业 类 型 （０～９ Category），每个行业类下面分为５个商品类型 （Ａ～Ｅ）。１０个行业分类见表 １。 表 １ 行业分类及中文翻译2.2 商品分类（小类） 根据商品的类型，分为五个种类 Ａ～Ｅ，每个 行业分类原则上分别包含这五个方面的商品，见表２。２ 商品分类及中文翻译 2.3ＥＣＣＮ代码体系 ECCN代码是 CCL用来组织和管理清单的一 整套编码体系，例如“３Ａ００１”，其主体是五位数字和字母的组合。具体每一位的含义如下。第一位：数字，代表十个行业类，分别从 ０～ ９，见表 １； 第二位：为字母，代表五个商品类，分别为 Ａ～Ｅ，见表 ２； 第三位：数字，代表控制理由，０为国家安全， １为导弹技术，２为核不扩散，３为生化武器，５为商务部确定的需要国家安全或者外交政策控制的项目，６为“６００系列”特殊管制物品，９为反恐、犯罪控制、地区安全、短缺、联合国制裁等。 第四位与第五位：序号编码。2.4科学仪器的条款计量 通过python语言进行数据的分析和处理，共抓取和识别最新版CCL（2020年12月份），全部条款4510条；筛选出科学仪器相关的条款 1898条，占总数的 42.08％。 用清单的十个行业大类和五个商品小类交叉分析，以观察在不同的子区域中科学仪器条款的分布情况（图 ２）。条款分布最多的是６Ａ区域，该区域主要是传感器和激光器的“最终产品、设备或零部件”；其次是 ２Ｂ区域，该区域是材料加工中的“试验、检验和生产设备”；第 ３位的区域是３Ｂ区域，该区域是电子产品的“试验、检验和生产设备”。总体而言，商品 Ａ类的分布遍及所有的十个行业，主要涉及科学仪器相关的部件、元器件等；商品Ｂ类的分布也较为广泛，其中较多的是检测、检验和生产的设备。 图1 科学仪器清单的交叉分布情况3 管制科学仪器的技术分布 将管制的科学仪器清单的条款文本进行聚类分析，选取其中出现频次最高的 Top 200的代表性科学仪器设备绘制成复杂网络图，以观察其分布效果（图 ３）。该聚类结果与CCL本身的十大类型有所不同，其结果更为客观地展示了科学仪器本身科学特征的分布。该聚类结果共聚出了十一个类，其对应关系与上文筛选的科学仪器技术分类体系具有较好的对应关系。注：＃Ｉ类都为检测类分析仪器，虽然算法将其分为了两类，经过人工判读将其合并；＃Ⅶ类大气探测仪器，有少量遥测相关的设备，但无入选 Top 200的设备种类；＃Ⅸ类医学诊断仪器，清单中未见专门用于该领域的仪器。 图 ３ 管制科学仪器的聚类分布 从图中可以看出，分布最多的三个类分别是代表分析仪器的Ⅰ类，代表工艺实验设备的Ⅺ 类，和代表电子测量仪器的Ⅳ类。从关联性来 ，这三类都与整个科学仪器的中心区域有高度的关联性。此外，代表激光器的Ⅺ类，虽然节点种类不多，但其节点的数量较大，而且也处于整个科学仪器的中心位置，与其他的科学仪器有较 密切的关联。代表物理性能测试仪器的ＩＩ类，也 处于这个网络靠近中心的位置。计量仪器的Ⅲ 类、海洋仪器的Ⅴ类、地球勘探仪器的Ⅵ类、空间 与天文仪器Ⅷ类、核仪器Ⅹ类，数量较少，处于网络的边缘。另外，大气勘探仪器由于太少，没有入选 Top 200的仪器种类；医学诊断仪器基本没有明显受管制的种类。 表３展示了国内科学仪器分类和管制仪器聚类结果的对应结果，其中的类别为12类科学仪器分类（见前文），后面列举了各种类的典型仪器和在管制中的对应关系。其中，Ⅰ类分析仪器又分为两个模块，Ⅰ-ａ为生物类检测仪器、Ⅰ-ｂ为其 他检测仪器。Ⅱ类为物理性能测试仪器，包括声振动试验设备、惯性测量设备等；Ⅲ类为计量仪器，包括典型的磁强计、重力计、尺寸计量系统 等；Ⅳ类为电子测量仪器，包括电子传感器、电 路、网络、通讯等的检测分析仪器；Ⅴ类为海洋仪器，数量和种类都较少，典型的如水下声纳等；Ⅵ 类为地球探测仪器，典型的如勘探设备、地震仪器等；Ⅶ类为大气探测仪器，只有少量的遥测设备受管制，没有入选Top 200；Ⅷ类为空间与天文仪器，这是较大的一类，包括较多与空间技术相关的设备，如陀螺仪、天文罗盘、火箭发动机检测设备等；Ⅸ类为医学诊断仪器，清单中未见明确的、整机呈现的该类型仪器，如果不涉及零部件的话，该类型仪器是不受管制的；Ⅹ类为核仪器，民用的核仪器较少，是一个小类，更多的条款存在于核管制清单中；Ⅺ类为工艺实验设备，是一 个大类，典型的包括各种机床、光刻机、气相沉积、离子注入等设备；Ⅻ类为激光器，聚集效果明显，节点少但技术指标多的一个类型。表 ３ 管制科学仪器的聚类解析 3.1 分析仪器 根据本文所述分类体系，主要包括生化分离分析仪器、质谱仪、光谱仪、色谱仪、显微镜、图像分析仪、Ｘ射线仪、热分析仪、电化学仪、样品前处理和制备仪以及其他设备。在美国出口管制清单中，分析仪器也是种类最多的一类仪器，与国内的分类体系相吻合。在 ＣＣＬ中，每个大类中都包括了五个小类别，其中一个类别（Ｂ类）就是检测设备，多数的分析仪器处于该类型中。最典型的包括微生物检测仪器、化学分析仪器、质谱仪、 图像分析仪、Ｘ射线仪等等。然而，显微镜、热分析仪、电化学仪等未见管制的情况。该类型仪器中主要来自国外进口，其中较多来自美国，美国具有明显的技术优势；但其中的质谱仪、化学分析仪器等国产仪器已经开始占据中低端市场，具有较好的发展势头。 3.2 物理性能测试仪器 在本文所述分类体系中，主要包括力学性能测试仪器、光电测量仪器、颗粒度测量仪器、声学振动仪器、大地测量仪器、探伤仪器等。在美国 ＣＣＬ中，这类仪器设备都受到管制。 3.3 计量仪器 在本文所述分类体系中，主要包括长度计量仪器、电磁学计量仪器、力学计量仪器、热血计量仪器、光学计量仪器、声学计量仪器、电离辐射计量仪器、时间频率计量仪器。在管制清单中并没有明确标记为用于“计量”的仪器或设备。但是也有较多关于“测量”或者用于物理量测量的仪器。如：尺寸检查或测量系统、重力仪、磁强计、水洞、声纳等。 3.4电子测量仪器 在本文所述分类体系中，主要包括通用电子 测量仪器、射频和微波测试仪器、网络分析仪器、 通讯测量仪器、大规模集成电路测量仪器。在美国的管制清单中，电子测量仪器是重要的一大块。其中通用电子测量仪器、集成电路测量仪器主要分布在 ３Ｂ区域中。由于大规模集成电路和芯片制造是美国出口管制中的重要内容，该区域的检测设备的管制条款也较为详细，其对应于相应的集成电路产品的技术指标。 3.5 海洋仪器 在本文所述分类体系中，主要包括海洋水文测量仪器、海洋生物调查仪器、海洋采用设备、水文气象测量系统、海洋遥感／遥测仪器、海水物理测量仪器。在管制清单中，海洋探测属于第 ８大 类，该类的管制条款数量较少。其中的海洋仪器主要针对的是水面军舰、潜水艇、水下无人机等， 对于一般的科学研究，限制较少。除了水文测量中受管制的水洞外，其他海洋生物调查仪器、海洋采样设备、水文气象测量系统、海水物理测量仪器都未见管制。 3.6 地球探测仪器 在本文所述分类体系中，主要包括电磁法仪器、地震仪器、重力仪器、地球物理测井仪器、岩石矿物测试仪器。在管制清单中，地球探测类仪器不是受管制的重点区域，整体涉及的条款较少。其中，地震探测设备、重力仪器、油气勘探设备、测井仪器是明确被管制的仪器。此外，电磁法仪器、岩石矿物测试仪器未见受到管制。 3.7大气探测仪器 在本文所述分类体系中，主要包括特殊大气探测仪器、气象台站观测仪器、主动大气遥感仪器、被动大气遥感仪器、对地观测仪器、高层大气／电离层探测器、高空气象探测仪器。在管制清单中，地球探测类仪器不是受管制的重点区域，没有专门针对“大气”的相关仪器和设备。在遥感部分，用于遥感的单光谱成像传感器和多光 谱成像传感器受到管制（６Ａ００２．ｂ．）；在气象观测用的“激光雷达”受到管制（６Ａ９９８．ｂ．）。3.8 空间与天文仪器 在本文所述分类体系中，主要包括地面天文望远镜、天体测量仪；而在国标 ＧＢ／Ｔ３２８４７-２０１６ 中天文仪器还包括空间飞行器、空间分析器测试／实验设备、卫星与地面运营仪器等空间探索的仪器。在管制清单中，空间飞行器、空间分析器测试／实验设备、卫星与地面运营仪器等空间探索的仪器是重点管制的领域；地面用于科学研究的天文望远镜、天体测量仪不受管制。 3.9 医学诊断仪器 在本文所述分类体系中，主要包括影像诊断仪器、电子诊察仪器、临床检验分析仪器等。在管制清单中，医学诊断类仪器基本不受到管制。 通过分析认为这个领域由于国内差距过大，没有威胁到美国的地位，暂时没有必要进行管制。但随着未来中国整体实力的提升，特别是2020年新 冠疫情之后，关于生化检测、病毒疫苗等领域的仪器设备有可能成为新增管制的领域。 3.10 核仪器 在本文所述分类体系中，主要包括核辐射探测仪器、离子束分析仪器、核效应分析仪器、中子散射及衍射仪器等。核管制是美国出口管制的重要内容，除了在 ＣＣＬ中管制外，还有专门的 ＮＲＣＣ。两个清单的主要区别在于，ＮＲＣＣ主要负责核制造、生产、使用等直接的技术、产品、材料和设备等，关于核相关的一般性检测则由 ＣＣＬ 负责。 3.11 工艺实验设备 在本文所述分类体系中，主要包括电子工艺实验设备、加工工艺实验设备、化工制药工艺实验设备、汽车工艺实验设备、食品工艺实验设备、纺织工艺实验设备等。在美国 ＣＣＬ中，工艺实验设备是非常大量的一类管制对象，分布在多个类别中。其中，电子工艺实验设备是分布在第 ３大 类中，以光刻机、掩模制作系统、芯片封装设备等为代表的仪器与设备被严格管制，有大量和详细的技术指标对光刻机的各种性能进行限定，也是近年来中美冲突中的热点领域。典型的如：光源 波长小于 １９３ｎｍ或能够产生“最小可分辨特征尺 寸”小于等于 ４５ｎｍ的图案；电磁光谱波长大于 ５ｎｍ小 于 １２４ｎｍ 极 端 紫 外 线 （Extreme Ultra-violet，EUV）的光刻设备等。由于在 ＥＵＶ光刻领 域，中国的技术差距明显，是被“卡脖子”的方向。 汽车工艺实验设备、纺织工艺实验设备方面一般的家用设备不在管制范围，食品工艺实验设备不在管制范围。 3.12激光器 在本文所述分类体系中，有较多来自美国的进口产品，也有不少国产产品。由于激光在军事上用途广泛，如除用于通信、夜视、预警、测距等方面外，多种激光武器和激光制导武器也已经投入使用，在美国出口管制中是重要的一大模块， 也是很早就受到管制的领域。管制清单对于固体激光器、气体激光器、液体激光器、自由电子激光器等激光器的种类进行了全面的限定，并对激 器的波长和输出功率进行了详细的限定。该领域的管制是非常严厉的，但是中国自主研发的能力也比较强，属于比较容易突围的领域。 4 讨论与建议 美国出口管制政策对我国科学仪器的影响深远，不仅影响着我国科学仪器的贸易、采购、运 行、研发和使用，还进而制约着我国在科学研究、 工业制造、军事发展等方面的深度和水平。2018年，美国出台了《出口管制改革法案》，试图将“新兴和基础技术 （Ｅｍｅｒｇｉｎｇ ａｎｄ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）”列入出口管制中［6］，进一步加剧该影响。面对严峻的国际形势和实际情况，本文提 出分类应对，制定短期、中期、长期规划，坚定走自主研发的道路。 针对不同的科学仪器类型分类应对，制定短期、中期、长期规划，坚定走自主道路［18］。１）针对长期以来管制比较严的“军民”两用类科学仪器， 比如激光器、核仪器、航天器、雷达等领域，长期以来就受到比较严格的管制［19］，虽然在某些核心技术指标方面还有差距，但我国已经建立了一定的研发基础，尤其是在军事应用方面，已经走出了独立自主的道路，在这个方向，应该继续坚持自主研发战略，紧追国际上最新的技术指标，逐渐缩短技术差距。２）贸易冲突以来逐渐加强管制的领域，比如光刻机、晶圆检测设备、芯片检测设备等是贸易冲突前较为宽松，而冲突以来重点加强管制的领域，需要制定短期应对的策略，寻找国际上的多边合作和突破的可能，制定贸易进口的可替代方案，例如从俄罗斯、法国、德国等国家寻求突破点，同时要制定中长期规划，摒弃“拿 来主义”“买来技术”的幻想，走自主研发的道路。 ３）针对暂时管制较轻的领域，例如医学诊断仪器、新一代基因测序仪、大气探测仪器、地球探测、化学分析仪器等理论研究相关的科学仪器， 虽然当前管制并不严格，但并不代表着我国在技术上没有差距，相反正因为差距太大，对美国暂时不构成威胁，美国才没有严格管制，随着我国 的逐渐进步，很有可能这些领域会成为新的管制对象。针对该方向的科学仪器要从长远着眼，未雨绸缪，定制“备胎”计划，由国家主导，国立科研机构和大型科研型企业主力承担，形成足够的科 学仪器技术储备，逐步提高科学仪器的水平［20］。参考文献 ［１］高欣，周晓萍，朱琳娜，等．科研事业单位科学仪器设备资产管理关键环节的探索与实践［Ｊ］．分 析仪器，２０１９（６）：１-３． ［２］凌辉．美国出口管制对我国科学仪器发展的影响与对策分析［Ｊ］．国际贸易，２０１４（１）：２１-２４，２９．［３］年夫顺．现代测量技术发展及面临的挑战［Ｊ］． 测控技术，２０１９，３８（２）：３-７． ［４］杨文海．我国科学仪器设备产业发展现状和策略［Ｊ］．电子测试，２０１３（２０）：１８６-１８７． ［５］联合早报．面对国际巨头垄断中国科研仪器怎么办［ＥＢ／ＯＬ］．［２０１９０３０５］．ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｚａｏｂａｏ． ｃｏｍ／ｗｅｎｃｕｉ／ｐｏｌｉｔｉｃ／ｓｔｏｒｙ２０１９０３０５９３７１８１． ［６］魏简康凯，宿铮．美国出口管制改革的竞争情报分析［Ｊ］．情报杂志，２０１９，３８（４）：４-８ ［７］杨宇田，陈摇峰．列入美国技术出口管制部门受限名单的企事业单位分析［Ｊ］．情报杂志，２０１８， ３７（１０）：９４-１００． ［８］葛晓峰．美国两用物项出口管制法律制度分析 ［Ｊ］．国际经济合作，２０１８（１）．４６-５０． ［９］陈峰．应对国外对华技术出口限制的竞争情报问题分析［Ｊ］．情报杂志，２０１８，３７（１）：９-１３，３３． ［１０］陆天驰，闵超，高伊林，等．竞争情报视角下的中美人工智能技术领域差距分析———以美国商品管制清单为例 ［Ｊ］．情报杂志，２０１９，３８ （１１）：２５-３３． ［１１］李广建，王锴，张庆芝．基于多源数据的美国出 口管制分析框架及其实证研究［Ｊ］．数据分析 与知识发现，２０２０（９）：２６４０ ［１２］ＭＩＫＯＬＯＶ Ｔ，ＣＨＥＮ Ｋ，ＣＯＲＲＡＤＯ Ｇ，ｅｔａｌ． ＥｆｆｉｃｉｅｎｔＥｓｔｉｍａｔｉｏｎｏｆＷｏｒｄＲｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎｓｉｎ ＶｅｃｔｏｒＳｐａｃｅ［Ｊ］．Ｃｏｍｐｕｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ，２０１３，ａｒＸｉｖ： １３０１．３７８ｖ３． ［１３］徐红姣，曾文，张运良．基于 Ｗｏｒｄ２ｖｅｃ的论文和专利主题关联演化分析方法研究［Ｊ］．情报 杂志，２０１８，３７（１２）：３６-４２． ［１４］ＧＢ／Ｔ３２８４７２０１６，科技平台大型科学仪器设 备分类与代码［Ｓ］．北京：国家质量监督检验检 疫总局，２０１６ ［１５］ＮＹ／Ｔ１９５９２０１０，农业科学仪器设备分类与代 码［Ｓ］．北京：中国农业部，２０１０ ［１６］佚名．国家大型科学仪器中心平台科技资源开 放共享目录［ＥＢ／ＯＬ］．中华人民共和国科学技 术部．［２０１４０７０３］ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｍｏｓｔ．ｇｏｖ．ｃｎ／ ｚｔｚｌ／ｋｊｚｙｋｆｇｘ／ｋｊｚｙｇｊｊｃｔｊｐｔ／ｋｊｚｙｐｔｍｌ／２０１４０７／ ｔ２０１４０７１６＿１１４２７６．ｈｔｍ． ［１７］白国应．关于仪器、仪表文献分类的研究［Ｊ］． 江西图书馆学刊，２００４（３）：２-６． ［１８］杨勇，张丽．促进大型仪器资源共享的机制与对策研究［Ｊ］．创新科技，２０１３（２）：４３-４５． ［１９］陈峰，杨宇田．应对美国对华技术出口限制的产业竞争情报需求与服务研究———以半导体产业为例［Ｊ］．情报杂志，２０１９，３８（９）：３６-４１， １９． ［２０］范红，王磊，韩世鹏，等．浅谈我国生命科学仪器研发和产业化 ［Ｊ］．中国科技资源导刊， ２０１９，５１（４）：１２-１５，２３．

当地时间3月8日，ASML官网发布关于额外出口管制的声明。声明表示，荷兰政府发布了有关即将对半导体设备出口限制的更多信息。这些新的出口管制侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积和浸没式光刻工具。由于这些即将出台的法规，ASML将需要申请出口许可证才能运输最先进的浸入式深紫外系统。这些控制措施需要时间才能转化为立法并生效。根据今天的公告、ASML对荷兰政府许可政策的预期以及当前的市场形势，预计这些措施不会对其发布的 2023 年财务展望或去年11月投资者日宣布的长期情景产生重大影响。在这方面，重要的是要考虑到，额外的出口管制并不涉及所有浸没式光刻工具，而只涉及所谓的“最先进”工具。尽管ASML尚未收到有关“最先进”确切定义的任何其他信息，但ASML将其解释为“关键沉浸”，ASML在我们的资本市场日将其定义为TWINSCAN NXT：2000i和随后的浸入式系统。此外，ASML指出，主要关注成熟节点的客户可以使用不太先进的浸没式光刻工具。最后，ASML的长期情景主要基于全球长期需求和技术趋势，而不是详细的位置假设。声明中特别提示，自2019年以来，ASML的EUV工具的销售已经受到限制。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 2018年11 月 19 日，根据 2018 年国会通过的《出口管制改革法案（Export Control Reform Act）》要求，美国商务部工业与安全局（BIS）拟制定将出口管制扩展到所谓“新兴和基础技术”（EFT）的规则，意图在新兴和基础技术的出口、再出口或转让（国家）方面建立控制措施，包括临时控制措施。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 但美国部分学者和智库对这以行动并不看好，认为技术出口管制这一方法不在适用于当今激烈的国际竞争，并很有可能导致美国占领先地位的行业逐渐丧失全球主导地位和市场份额。 /p p style=" text-align: center " img title=" 1.webp.jpg" alt=" 1.webp.jpg" src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/0510811e-50c9-47c3-9226-9dcd1487e661.jpg" / /p p style=" text-align: center " img title=" 2.webp.jpg" alt=" 2.webp.jpg" src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/cefde2a0-dfea-430a-a645-e177d990d6b1.jpg" / /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 美国发布新一轮技术出口管制体系框架 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " /span & nbsp /p p style=" text-align: center " img title=" 3.webp.jpg" alt=" 3.webp.jpg" src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/eb273f8c-5b48-41a7-a4d3-dcd6b4727e6d.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em " BIS公布了技术出口管制体系框架，并对人工智能（AI）和机器学习技术等 14 类代表性的新兴技术征求公众意见。根据美国商务部文件（15 CFR Part 744 [DocketNo. 180712626–8840–01] RIN 0694–AH61 Review of Controls for Certain Emerging Technologies），以下为具体的新兴技术类别清单： /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 1.生物技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i)纳米生物学& nbsp (ii)合成生物学& nbsp (iii)基因组和基因工程& nbsp (iv)神经科学 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 2.人工智能（AI）和机器学习技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 神经网络和深度学习（例如脑模拟、时间序列预测、分类）(ii) 进化和遗传计算（例如遗传算法、遗传编程）(iii) 强化学习(iv) 计算机视觉（例如物体识别、图像理解）(v) 专家系统（例如决策支持系统、教学系统）(vi) 语音和音频处理（例如语音识别和制作）(vii) 自然语言处理（例如机器翻译）(viii) 规划（例如日程安排、游戏）(ix) 音频和视频处理技术（例如语音克隆、深度伪造）(x) AI云技术(xi) AI芯片组 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 3.定位、导航和定时（PNT）技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 4.微处理器技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 片上系统（SoC）& nbsp (ii) 堆叠在芯片上的存储器 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 5.先进计算技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：以记忆为中心的逻辑 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 6.数据分析技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 可视化& nbsp (ii) 自动分析算法& nbsp (iii) 上下文感知计算 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 7.量子信息和传感技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 量子计算& nbsp (ii) 量子加密& nbsp (iii) 量子传感 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 8.物流技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 移动电力系统& nbsp (ii) 建模和模拟系统& nbsp (iii) 资产总体可见度& nbsp (iv) 基于配送的物流系统（DBLS） /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 9.增材制造 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如 3D 打印 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 10.机器人 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 微型无人机和微型机器人系统& nbsp (ii) 蜂拥技术& nbsp (iii) 自组装机器人& nbsp (iv) 分子机器人& nbsp (v) 机器人编制系统& nbsp (vi) 智能微尘 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 11.脑机接口 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 神经控制界面& nbsp (ii) 意识-机器界面& nbsp (iii) 直接神经界面& nbsp (iv) 脑机接口 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 12.高超音速空气动力学 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 飞行控制算法& nbsp (ii) 推进技术& nbsp (iii) 热保护系统& nbsp (iv) 专用材料（用于结构、传感器等） /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 13.先进材料 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：(i) 自适应伪装& nbsp (ii) 功能性纺织品（例如先进的纤维和织物技术）& nbsp (iii) 生物材料 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 14. 先进监控技术 /strong /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如：面印和声纹技术 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 该清单中部分最终认定的产品和技术类别以后可能会被列为针对中国的供应链中禁止相应美国主体出口的项目。从美国公布的清单来看，可谓条条针对中国最新计划发展的高科技产业！ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 据悉，在征求意见更新后的出口管制清单中，部分最终认定的产品和技术类别以后可能会被列为针对中国的供应链中禁止相应美国主体出口的项目。民众需在 2018 年 12 月 19 日之前提交意见（https://www.regulations.gov/），涉及如何界定新兴技术以帮助政府进行识别，如何识别新兴技术的来源等问题。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 根据出口行政规定（Export Administration Regulations, EAR），商务管制清单（ the Commerce Control List , CCL）要对军民两用和不太敏感的军品出口进行监管，识别出涉及国家安全和高技术范畴的出口。虽然 CCL 中已经列出了许多敏感技术，但某些新兴技术可能尚未列入 CCL。此外，凡是在商务管制清单（CCL）上拥有出口管制分类编码（Export Control Classification Number, ECCN）且未得到豁免的商品出口均受出口管制。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " strong 得 不 偿 失 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 对此，美国杜克大学陈怡然教授在微博上公开表示，这对于中国高科技企业尤其是AI企业是重大利好，但他并未就此进行详细解释。不过可想而知，在美国加强技术出口管制的情况下，中国市场肯定不会坐以待毙，而是不断会加大自主研发投入，由此催生更多新兴技术成果。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 美国智库信息技术和创新基金会（ITIF）在12月13日也发表评论文章，认为当前环境下限制出口会使美国公司在全球创新竞争方面失去优势，并有可能会使技术创新变得更加困难，同时ITIF还认为美国不应将出口管制扩展到人工智能及相关技术。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 评论表示，二战后的大部分时间里，美国可以限制某些技术的出口，是因为其他国家很难向目标国家出售，而且美国具有足够的领先优势，销售损失对美国公司的技术领先地位影响有限。但目前形势已经完全不同。尤其在一系列先进行业，如生物技术、先进制造业、太阳能电池板、电信设备、显示器等行业中，美国公司正面临着众多挑战。在一些新兴行业，如人工智能，不仅许多国家都制定了强有力的国家人工智能战略，尤其中国正在赶上并且可能超过美国公司。而美国支持先进技术发展的国家创新战略和政策相对较少，又缺乏针对性，这可能到导致美国占领先地位的行业逐渐丧失全球主导地位和市场份额。 /p p /p

美国政府7号发布了对华芯片出口的新限制，要求芯片制造商必须获得美国商务部的许可，才能向中国出口先进芯片和芯片制造设备。美方称，最新措施旨在防止美国技术被用于提升中国的军事实力。美国商务部7号发布了针对先进芯片和芯片制造设备对华出口新限制。美国高级政府官员表示，这些规则将要求美国芯片制造商获得商务部的许可，才能对华出口某些用于先进人工智能计算和超级计算的芯片。美国政府此前已经出台了对华芯片及设备的出口限制，最新举措将限制扩大到阻止使用美国技术的外国芯片的对华出口。美方官员称，先进芯片和制造设备是现代武器系统的关键技术，最新出口限制对于“阻止中国利用美国技术，开发新的、最先进的武器，进一步加强监视网络和军事实力”来说，是必要的。美方认为，某些依赖美国芯片、软件、工具和技术的先进计算能力，正在推动中国军事现代化，包括大规模杀伤性武器的发展。美方认定，允许中国及其军方获得最先进的芯片和芯片制造设备对美国“构成严重的国家安全风险”。除了对芯片和芯片设备出口的限制外，美国商务部正在增加对为部分中国芯片制造设施提供支持的美国公民、永久居民和公司的限制，并扩大对已列入美国商务部出口黑名单的28家中国超算实体的限制。美国商务部7号将31家中国企业，添加到其所谓的“未经核实”名单中，这是美国商务部感到担心、但尚未准备好将其添加到黑名单中的一个实体类别。美国商务部还表示，如果外国不合作缓解这些担忧，则可以将这些公司移至黑名单中。美国商务部负责出口管制的助理部长在声明中表示，中国已投入资源发展超级计算能力，并力争到2030年成为人工智能领域的世界领导者。美国半导体行业协会当天表示，正在评估政府新规的影响。协会表示，理解确保国家安全的目标，但希望这些规则能够以一种不会导致“对美国创新造成意外伤害”的方式实施。

当地时间5月9日，美国商务部BIS将37家中企列入实体清单，商务部新闻发言人10日回应称，中方对此坚决反对，敦促美方立即停止错误做法，并将采取必要措施，坚决维护中国企业的合法权益。5月10日，有记者问：美东时间2024年5月9日，美商务部宣布将多家中国实体列入出口管制“实体清单”。请问中方对此有何评论？商务部新闻发言人答：中方注意到有关情况。美方以所谓涉军、涉俄等为由，将37家中国实体列入出口管制“实体清单”，中方对此坚决反对。长期以来，美方泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，打压遏制他国企业，严重损害企业合法权益，破坏全球产业链供应链安全稳定，阻碍世界经济复苏和发展。中方敦促美方立即停止错误做法，并将采取必要措施，坚决维护中国企业的合法权益。据悉，美国商务部工业与安全局5月9日宣布，根据出口管理条例（EAR）再将37个中国实体添加入出口管制“实体清单”，其中有22家机构或公司涉及中国量子技术进步，或者收购/试图收购源自美国的项目以增强中国量子技术能力。美国商务部表示，这些实体“对美国国家安全造成了严重影响”。相关企业清单如下（注：中文翻译仅供参考，以英文为准）：

当地时间9月5日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》上发布了一项临时最终规则（IFR），升级了对量子计算、先进半导体制造、GAAFET等相关技术的出口管制。具体来说，该IFR 涵盖了：量子计算、相关组件和软件；先进的半导体制造；用于开发超级计算机和其他高端设备的高性能芯片的环绕栅极场效应晶体管 (GAAFET) 技术；以及用于制造金属或金属合金部件的增材制造工具。1、量子计算相关：随着具有更多量子位的更大型的量子计算机的开发，控制电路必须在低温恒温器内移动以减少这些延迟。目前，传统CMOS器件的一般温度下限为-40°C（233K）。CMOS设计目前正在开发中，以适用于在4K或以下温度下工作，用于量子计算。出于这些原因，BIS在CCL中添加了3A901.a，以控制3A001.a.2中未指定的CMOS集成电路，这些电路设计用于在等于或低于4.5 K（-268.65°C）的环境温度下运行。这一补充附带了一份技术说明，主要限制“低温CMOS或低温CMOS集成电路。”量子计算项目中的一个关键功能是读取非常微弱的信号的能力。为了执行该功能，量子比特和信号放大器需要冷却到非常低的温度以抑制噪声。因此，BIS在CCL中添加了3A901.b，以控制在极低温度、指定频率和噪声系数参数下工作的参数信号放大器。还添加了一个注释和一个技术注释，说明“参数信号放大器包括行波参数放大器（TWPA）”和“参数信号功放也可称为量子限幅放大器（QLA）。”根据3A901.a规定的CMOS集成电路和3A901.b规定的参数信号放大器需要获得所有目的地的许可证。此外，量子计算芯片所需的低温晶圆探测设备（3B904）也被进一步限制。低温晶圆探测器的目标是扩大基于固态量子位和其他类型量子位的量子计算。低温量子器件、电子学和探测器的发展可以从低温晶片探测器提供的更好的器件特性中受益。某些低温晶片探测器将加快被测量子比特器件的测试和表征（大容量数据的收集）。这在开发过程中提供了一个明显的优势，传统上，低温测试需要更多的时间。出于这个原因，BIS认为，这些设备需要出口管制。因此，BIS正在CCL中添加ECCN 3B904，以控制指定的低温晶片探测设备。根据国家安全控制和许可证审查政策集的规定，ECCN 3B904中指定的项目对所有目的地的NS和RS进行控制。2、GAAFET及相关针对3nm以下制程所需要采用的GAAFET，BIS在通用许可证中增加了两项授权，以补充第736部分第4号通用命令的第1项，即GAAFET出口、再出口和转让（国内）到目前与美国工业合作的实体，目的地为EAR国家组A:5或A:6中指定的目的地，以及ECCN 3E905中指定的GAAFET“技术”和“软件”的视同出口和视同再出口到已受雇于实体的外籍员工或承包商，其最近的公民身份或永久居留权是国家组中指定的目标。另外，由于美国此前已经对GAAFET设计软件进行了出口管制，因此，与GAAFET相关的制造设备此次也一并受到了限制。3、半导体设备3B001用于制造半导体器件、材料或相关设备的设备，如下（见受控物品清单）及其“特殊设计”的“组件”和“配件”：基于列表的许可证例外（有关所有许可证例外的描述，请参阅第740部分）LVS:500，3B001.a.4、c、d、f.1.b、j至p中规定的半导体制造设备除外。GBS：a.3（使用气体源的分子束外延生长设备）、c.1.a（为各向同性干法蚀刻设计或修改的设备）、c.1.c（为各向异性干法蚀刻设计和修改的设备”）、.e（仅当连接到由3B001.a.3或.f控制的设备时才自动装载多腔中央晶片处理系统）、.f（光刻设备）和.q（为集成电路设计的“EUV”掩模和掩模，未在3B001.g中指定，并具有3B001.j中指定的掩模“基板空白”）除外。IEC：3B001.c.1.a、c.1.c和.q为是，见《出口管理条例》第740.2（a）（22）条和第740.24条。STA的特殊条件STA：许可证例外STA不得用于将3B001.c.1.a、c.1.c或.q运送到国家组a:5或a:6中列出的任何目的地（见EAR第740部分补充1）。受控项目清单：相关控制：另见3B903和3B991项目：a.设计用于外延生长的设备如下：a.1.设计或改装的设备，用于在75毫米或更长的距离内生产厚度均匀小于±2.5%的硅以外的任何材料层；注：3B001.a.1包括原子层外延（ALE）设备。a.2：金属有机化学气相沉积（MOCVD）反应器，设计用于化合物半导体外延生长具有以下两种或多种元素的材料：铝、镓、铟、砷、磷、锑或氮；a.3：使用气体或固体源的分子束外延生长设备；a.4：为硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂SiGe外延生长并且具有以下所有特性：a.4.a.多个腔室，并在工艺步骤之间保持高真空（等于或小于0.01 Pa）或惰性环境（水和氧气分压小于0.01帕）；a.4.b.至少一个预清洁室，其设计用于提供表面处理装置以清洁晶片的表面；和a.4.c.外延沉积操作温度为685°c或以下；b.设计用于离子注入的半导体晶片制造设备，具有以下任何一项：b.1：[保留]b.2：被设计和优化为在20keV或更高的束能量和10mA或更大的束电流下工作，用于氢、氘或氦注入；b.3：直接写入能力；b.4：用于将高能氧注入加热的半导体材料“基板”的65keV或更高的束能量和45mA或更高束电流；或b.5：被设计和优化为在20keV或更高的束能和10mA或更大的束流下工作，用于将硅注入加热到600˚C或更高温度的半导体材料“基板”；c.蚀刻设备：c.1：设计用于干法蚀刻的设备如下：c.1.a.为各向同性干法蚀刻而设计或修改的设备，其最大“硅锗对硅（SiGe:Si）蚀刻选择性”大于或等于100:1；或c.1.b.为介电材料的各向异性蚀刻而设计或修改的设备，能够制造纵横比大于30:1、顶面横向尺寸小于100nm的高纵横比特征，并具有以下所有特征：c.1.b.1：具有至少一个脉冲RF输出的射频（RF）电源；和c.1.b.2：一个或多个切换时间小于300毫秒的快速气体切换阀；或c.1.c：为各向异性干法蚀刻而设计或修改的设备，具有以下所有特征；c.1.c.1：具有至少一个脉冲RF输出的射频（RF）电源；c.1.c.2：一个或多个切换时间小于300毫秒的快速气体切换阀；和c.1.c.3：带有二十个或更多可单独控制的可变温度元件的静电卡盘；c.2：设计用于湿化学处理的设备，其最大“硅锗对硅（SiGe:Si）蚀刻选择性”大于或等于100:1；注1:3B001.c包括“自由基”、离子、顺序反应或非顺序反应的蚀刻。注2:3B001.c.1.c包括使用RF脉冲激发等离子体、脉冲占空比激发等离子体、电极上的脉冲电压修饰等离子体、与等离子体结合的气体循环注入和净化、等离子体原子层蚀刻或等离子体准原子层蚀刻的蚀刻。4、增材制造设备（i.ECCN 2B910）BIS对ECCN 2D910和2E910中增材制造设备（2B910）的“技术”和“软件”的外国人实施视同出口和再出口管制。美国工业和安全局副部长艾伦埃斯特维兹在一份声明中表示：“今天的行动确保我们的国家出口管制与迅速发展的技术保持同步，并且在与国际伙伴合作时更加有效。”“协调我们对量子和其他先进技术的控制，将使我们的对手更难以以威胁我们集体安全的方式开发和部署这些技术。”有什么改变？该规则在商务管制清单中增加了新的出口管制分类编号（ECCN），涵盖一般产品类别和能力，而不是特定产品。这基本上意味着，如果你想从美国出口某些类型的产品（已列入或已添加到管制清单的产品），你可能需要获得美国政府的许可。这让美国有能力限制向某些国家出口某些类型的技术。例如，管制清单上的新 ECCN B910 指定了与合金制造相关的套件，因为这些物质用于生产导弹、飞机和推进系统的零件。另一个新的 ECCN 是“3A904 低温冷却系统和组件”，重点关注“与研究具有大量物理量子比特的量子系统相关的项目”。此外，还有在ECCN 3E905中对GAAFET增加了两项授权要求。这些规则增加了 18 个 ECCN，并更新了 9 个现有 ECCN。这使美国能够与其他国家保持步调一致，主要限制向俄罗斯和伊朗等国输送装备。2023年美国国会研究服务处报告指出，与其他政府协调出口管制对于确保此类努力取得成效至关重要。该报告称：“协调对于旨在阻止或延迟外国采购某些商品或技术的政策的有效性至关重要。如果商品或技术很容易从外国获得，这种控制措施的效果可能会降低。”例如，在数年之前美国主要通过将一些企业列入“实体名单”进行限制。然而，美国随后认识到，在没有国际合作伙伴的协调下，这一举措收效有限。因此，美国商务部工业和安全局于2022年10月宣布新的出口管制措施，旨在遏制中国获取先进半导体技术。随后，在2023 年，美国、日本和荷兰这三个领先的芯片制造国同意协调努力，阻止中国获得先进的芯片技术。BIS最新出口管制似乎是加强与盟友合作的进一步例子。美国商务部负责出口管理的助理部长西娅罗兹曼肯德勒 (Thea D. Rozman Kendler) 在一份声明中表示：“保护我们国家安全的最有效方式是与志同道合的合作伙伴一起制定和协调我们的管控措施，今天的行动表明了我们在制定此类管控措施以实现国家安全目标方面的灵活性。”她还补充说，值得信赖的合作伙伴可以享受许可豁免。 内容转自：旺材芯片，本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。谢谢！联系我们 -欢迎前来咨询 竭诚为您服务-上海市高新技术企业上海市专精特新企业完善的半导体领域微纳米实验室测试方案集成商

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 美国商务部日前宣布，拟将人工智能等新兴高技术列入出口管制清单。这给美国一些科技公司的前景蒙上阴影，让多位业界专家忧心忡忡。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 美国商务部下属工业和安全局１９日列出了美国政府拟议进行管制的１４个“具有代表性的新兴技术”清单，涵盖人工智能、微处理器技术、先进计算技术、机器人、３Ｄ打印、量子信息、先进材料和生物技术等领域。目前，这份清单已开始接受为期３０天的公众评议。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 美国商务部发布的文件称，工业和安全局对军民两用和较为不敏感的军品出口进行监管，主要甄别涉及国家安全和高技术范畴的出口，但此前许多新兴技术并未列入其中，上述清单旨在确定“对美国国家安全至关重要的”新兴技术和基础技术。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 业界人士认为，如果按这一清单进行管制，一大批美国科技企业将受到不利影响。例如，苹果公司产品中的人工智能语音助手Ｓｉｒｉ、人脸识别等所用的相关技术都在清单管控范围之内。清单公布后，多家美国科技企业股价下跌。２０日，苹果公司收跌４．７８％，内存芯片制造商美光科技下跌约２％。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 华盛顿高赢律师事务所律师理查德· 马西尼三世对媒体说，新的出口管制将给技术领域带来巨大改变，许多历史上从未受到类似管制的科技公司如生物技术公司等，以后将在融资、对外技术合作和产品出口等方面被束缚手脚。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 美国智库“信息技术与创新基金会”副主席丹尼尔· 卡斯特罗说，如美国禁止出口人工智能技术，其他国家会反制，这意味着美国公司无法进入某些市场，反倒会让其他国家的公司畅通无阻。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 新措施旨在严格限制外国企业和投资者获取美国新兴和关键的技术，以维护美国的技术领先优势。但卡斯特罗认为，实施该措施的效果可能适得其反，例如将阻碍人工智能等新兴技术研发所需的国际合作。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 美国戴尔公司人工智能研究员卢卡斯· 威尔森在社交媒体上发文说，神经网络、深度学习和遗传算法等人工智能技术开发依赖开源研究，对此进行出口管制只会使美国放弃在人工智能领域的地位。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 弗吉尼亚州一家人工智能公司Ｄｅｅｐｓｉｇ的研究人员本· 希尔伯恩将这一政策称为“人工智能民族主义”，他认为，这表明政策制定者基本不懂技术也不尊重科学。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 希尔伯恩说，出口管制“错误且无效”，会严重损害美国本土研究人员的能力，对保护美国利益也没有作用。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 纽约大学计算机科学副教授布兰登· 多兰－加维特同意上述看法，他认为，这种做法从上世纪九十年代以来就“出奇地愚蠢”，这一次也没好到哪里去。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 曾为奥巴马政府担任数字媒体高级顾问的视频游戏专家马克· 德洛拉打趣说，自己的游戏手柄上都能碰到加密和高性能计算出口限制，这让人觉得不可理喻。 /p

据商务部5月23日消息，商务部新闻发言人就日本正式出台半导体制造设备出口管制措施事答记者问。有记者问：5月23日，日本政府正式出台半导体制造设备出口管制措施。中方对此有何评论？答：我们注意到，日本政府正式出台针对23种半导体制造设备的出口管制措施，这是对出口管制措施的滥用，是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离，中方对此坚决反对。在日方措施公开征求意见期间，中国产业界纷纷向日本政府提交评论意见，多家行业协会公开发表声明反对日方举措，一些日本行业团体和企业也以各种方式表达了对未来不确定性的担忧。但令人遗憾的是，日方公布的措施未回应业界合理诉求，将严重损害中日两国企业利益，严重损害中日经贸合作关系，破坏全球半导体产业格局，冲击产业链供应链安全和稳定。日方应从维护国际经贸规则及中日经贸合作出发，立即纠正错误做法，避免有关举措阻碍两国半导体行业正常合作和发展，切实维护全球半导体产业链供应链稳定。中方将保留采取措施的权利，坚决维护自身合法权益。据了解，在今年3月31日，日本政府宣布，为防止半导体技术外流，将23类半导体生产相关设备新增为出口管控对象。23类对象设备的出口限制地为全球，基于当下美国对华愈发严重的管控形势，日本对部分国家和地区（包括中国大陆）的出口手续将会更加复杂。4月8日，商务部新闻发言人表示，半导体是高度全球化的产业，经过数十年发展，已形成你中有我、我中有你的产业格局，这是市场规律和企业选择共同作用的结果。一段时间以来，个别国家频频泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，持续加强对华半导体等产业打压，搞物项断供、技术封锁，人为割裂全球半导体市场，严重背离自由贸易原则和多边贸易规则，严重违反世贸组织规定的基本义务，严重冲击全球产业链供应链稳定。中国已向世贸组织提起诉讼。日方拟议的有关措施，本质上是在个别国家胁迫下对华实施的加害行为，不仅损害中国企业的正当合法权益，也会让日本企业蒙受损失，损人害己，也损害全球供应链的稳定。中国是世界最大的半导体市场，也是日本半导体制造设备的最大出口目的地，两国业界长期形成了产业链上下游紧密融合关系。当前，日方相关措施正在面向社会公众征求意见。我们希望日方听取理性声音，从维护规则、自身及中日双边利益出发，及时纠正错误做法，推动中日两国经贸关系健康发展，与各方一道共同维护全球半导体产业链供应链稳定。如日方执意人为阻碍中日半导体产业合作，中方将采取果断措施，坚决维护自身合法权益。

《华尔街日报》13日消息曝，拜登政府打算延长豁免，允许韩国和台湾地区半导体制造商保持在中国大陆业务。该报道称，美国商务部负责工业和安全事务的副部长艾伦•埃斯特维兹上周在一个行业会议上表示，拜登政府打算延长一项出口管制政策的豁免期，这项政策旨在限制美国以及使用美国技术的外国公司向中国出售先进制程的芯片以及芯片制造设备。《华尔街日报》评论称，这将允许上述国家和地区的相关半导体厂商维持在中国大陆现有的芯片业务，而不会遭到美方的报复。据了解，2022年10月7日，美国政府发布了对华芯片出口的新限制，要求芯片制造商必须获得美国商务部的许可，才能向中国出口先进芯片和芯片制造设备。美方称，措施旨在防止美国技术被用于提升中国的军事实力。相关管制措施限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取16/14nm及以下先进逻辑制程芯片、128层NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的能力，除非获得美国商务部的许可。这其中就包括了三星、SK海力士等外资企业在中国大陆的晶圆厂。西安和无锡分别有三星电子和海力士全球最大的晶圆厂，都是千亿级投资，占据了总产能的50%。值得注意的是，在今年三四月份时，应用材料，泛林，科磊便在业绩说明会回应过已经获得了部分订单的豁免许可。今年5月初，《金融时报》援引四名知情人士的话报道称，美国政府已发出明确信息，即韩国芯片制造商在中国大陆的工厂将可再获得至少1年的豁免。

中国研究人员及人工智能的分析显示，自从被列入美国的商业出口管制清单后，科学仪器(多为实验室使用的分析或测量设备)占到美国限制对华出口产品的40%以上。美中贸易战爆发后，中国科学家表示越来越难以从美国购买到相关研究工具。　　截至去年12月，美国管制清单上的商品增至4500个。其中许多技术名称只有专业人士才能识别。分析显示，清单中近1900个(占42%)属科学仪器。　　以前，中国对特定仪器的使用受到(美方)限制，因为可能被用于军事研究。贸易战后，中国的基础研究和先进制造行业也成为美国的目标。一些中国学者近日发文说，美政府试图限制中国获取一些新兴和基础技术，以遏制中国在科研和工业制造领域的发展。作为回应，中国已制定从俄罗斯、欧洲、法德等地(进口)的替代计划。　　科学仪器是通常不在中国制造的为数不多的东西之一。在全球排名前20的科学仪器供应商中，没有一家来自中国。但中国科学家需要这些。近年来中国约60%的研究基础设施投入都被用于从国外购买科学仪器。　　医学研究仪器尚未遭美出口限制。这可能与美国对在该领域的主导地位很自信不无关系。但中国学者认为，随着中国整体实力上升，特别是疫情后，生化检验和病毒疫苗领域的仪器设备也可能被(美方)设限。　　对海外供应的依赖成为对国家安全的威胁，中国已多次开展全国性行动推广国产科学仪器，有关部门已通过财政激励措施鼓励实验室使用国产仪器。数据显示，截至2019年底，中国已有4000多家科学仪器制造商。在量子技术等中国处于领先地位的领域，研究人员已成立若干公司打造自己的设备。

仪器信息网讯 2024年3月11日，英国政府发布新的修订条例，即《2024年出口管制（修订）条例》（“修订条例”），更新了《2008年出口管制令》和保留的《欧盟军民两用条例》【相关链接】。修订条例在出口管制令中新增三项新条目，对某些两用货物的出口进行管制。新增条目涵盖多类半导体设备、半导体专用仪器设备，包括干法蚀刻设备、扫描电子显微镜 (SEM) 设备、集成电路、参数信号放大器、低温冷却系统和组件、EUV 掩模和掩模版、低温晶圆探测设备、量子测量设备等。2024 年 4 月 1 日起修正条例生效，将这些产品出口到任何目的地都需要许可证。三项新增出口管制条目修订条例在出口管制令附表 3 中引入了三项新条目，对某些两用货物的出口进行管制。新条目涵盖以下内容：【1】——PL9013 –禁止向任何目的地出口或"以电子手段转让"下列货物、"软件"或"技术":半导体、干法蚀刻设备、扫描电子显微镜 (SEM，应用于半导体器件或集成电路的) 、集成电路、参数信号放大器、低温冷却系统和组件、EUV 掩模和掩模版、低温晶圆探测设备和先进材料。【2】——PL9014 –禁止向任何目的地出口或"以电子手段转让"下列货物、"软件"或"技术":量子计算机、量子位设备和量子位电路、量子控制组件和量子测量设备和计算机、“电子组件”和包含某些集成电路的组件。【3】——PL9015 –禁止向任何目的地出口或"以电子手段转让"下列货物、"软件"或"技术"：某些增材制造设备和专门设计的组件。出口限制国家说明出口管制联合单位（“ ECJU ”）更新了向欧盟成员国出口两用物项的现有开放一般出口许可证（“ OGEL ”），以考虑新条目。OGEL 将允许将新条目涵盖的物品出口到所有 27 个欧盟成员国以及澳大利亚、加拿大、冰岛、日本、新西兰、挪威、瑞士、海峡群岛和美国（受到某些例外情况的限制，例如它们可能用于大规模杀伤性武器的最终用途）。更新后的 OGEL 将于 2024 年 4 月 1 日生效，公司需要在使用前在SPIRE上注册。对于出口到 OGEL未涵盖的任何目的地，需要出口许可证。向 ECJU 提交的许可证申请可能需要大约两个月的时间来处理，因此任何希望获得此类商品、软件或技术出口许可证的企业都应准备好尽快提交申请。除上述措施外，《修订条例》还引入了多项其他修正案，以反映对瓦森纳安排弹药和两用清单的常规技术更新。这些修订包括对 2008 年出口管制令附表 2 和保留的双重用途法规附件一的修改。日益关注新兴技术新的控制措施是在英国政府（实际上还有许多其他西方国家）过去一年对新兴技术的关注之后推出的。2023 年 3 月发布的国家量子战略包括一项关键的优先行动，以保护“量子能力的关键领域，包括通过使用国家安全投资法和出口管制，以及为量子界提供指导和支持”。本届政府于 12 月发布了国家量子战略任务，并于 2 月宣布对量子领域进行重大投资。国家半导体战略于2023 年 5 月发布，并宣布未来十年向半导体行业投资最多 10 亿英镑。该战略包括政府承诺“与企业合作评估出口管制制度以及如何将其扩大到包括半导体在内的敏感新兴技术”。因此，在努力增加英国在这些领域的研究和开发的同时，英国政府还寻求对这些领域中流出英国的技术和产品进行更大的控制。英国并不是唯一实行这些出口管制的国家。虽然没有作为瓦森纳安排的一部分引入，但英国“与一些志同道合的国家”一起做出了这些改变。去年我们看到几个欧洲国家采取了类似的控制措施。法国今年早些时候对半导体和量子设备及技术实施了新的出口管制，并于 3 月 1 日生效。同样，西班牙于 2023 年实施了管制，荷兰政府也宣布对某些半导体向欧盟以外的目的地出口实施管制；这些措施于 2023 年 9 月生效。预计未来几个月将有更多国家宣布对这些技术进行控制。另外，英国政府现在根据《2021 年国家安全和投资法案》，对涉及量子技术、半导体和其他各种新兴技术领域的英国公司的某些收购和投资，须经过部长级批准。英国根据《修订条例》制定的双重管制清单具有同时扩大该法规定的“军事和两用”敏感部门范围的作用。下一步考虑到这些发展，重要的是半导体或量子技术领域的公司——特别是那些在英国拥有大量业务和/或活动的公司——准备好遵守新的出口管制并在需要时申请许可证。此外，在这些行业运营的英国公司将希望了解《2021 年国家安全和投资法案》对其投资轮次的潜在影响。

6月30日，荷兰政府发布公告，9月1日，先进半导体制造设备的额外出口管制措施将生效。从那时起，某些先进半导体制造设备的出口将受到国家授权要求的约束。该部长令于3月8日在致众议院的一封信中宣布，并于今天在《政府公报》上公布。对外贸易和发展合作部长Liesje Schreinemacher说，我们采取这一步骤是出于国家安全考虑。对于将受到影响的公司来说，知道他们可以期待什么是好事。这将给他们所需的时间来适应新规则根据这项部长令，现在有必要为某些类型的先进半导体制造设备的出口申请出口许可。该订单涉及先进半导体开发和制造的一些非常具体的技术。由于它们的具体使用方式，这些半导体可以为某些先进的军事应用做出关键贡献。因此，货物和技术的无管制出口可能构成国家安全风险。荷兰在这方面负有额外的责任，因为该国在这一领域具有独特的领导地位。与一般的出口管制政策一样，这一额外步骤是不针对国家的。“我们仔细考虑了这一决定，并尽可能准确地起草了部长令。这位部长说，这样，我们就可以解决最重要的漏洞，而不会对全球芯片制造造成不必要的干扰。据媒体报道，荷兰在先进半导体出口限制中除了EUV光刻机、较为先进的DUV光刻机外，还包括了ALD设备以及一些SiC外延设备。以下为使用谷歌翻译软件翻译的荷兰语公告：

6月23日消息，据彭博社报道，荷兰政府计划最快下周发布新的出口管制措施，将限制 ASML 的半导体制造设备出口。报道称，此次出口管制名单新增了 TWINSCAN NXT:2000i、NXT:2050i 及 NXT:2100i 等深紫外光（DUV）浸入式光刻设备。相关媒体注意到，这一系列设备最高可支持 5 nm 工艺，如台积电就使用 SAQP 和氩氟浸没 (ArFi) 光刻实现了 7 nm 量产。此前，ASML 最先进的极紫外光（EUV）光刻机已在出口管制列表当中。彭博社援引知情人士消息称，这一出口管制新规最早将在 6 月 30 日或 7 月第一周公布，有可能成为被其他欧盟成员国效仿的对象，荷兰政府发言人对此不予置评。报道指出，这是荷兰和日本今年 1 月原则上同意加入美国限制对中国大陆出口先进半导体制造设备的行动以来的最新举措，荷兰贸易部长 Schreinemacher 称，荷兰以国家和国际安全考量，有必要尽快限制先进半导体技术出口。此前，ASML 执行副总裁兼商务总监 Christophe Fouquet 声称，几乎不可能建立全自主的芯片产业链，这样做的代价是极为高昂和困难的，日本光刻机制造商佳能和尼康便是前车之鉴。

近日，商务部、海关总署、国家国防科工局、中央军委装备发展部发布两条公告，分别是关于对无人机相关物项实施出口管制的公告和关于对部分无人机实施临时出口管制的公告。公告信息显示，商务部、海关总署、国家国防科工局、中央军委装备发展部发布关于对无人机相关物项实施出口管制的公告，根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院、中央军委批准，决定对特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇相关物项实施出口管制。公告自2023年9月1日起正式实施。本次管制措施涉及大量无人机载仪器，包括激光测距定位模块、高光谱相机、红外相机、高功率激光器等。以下为公告原文：商务部 海关总署 国家国防科工局 中央军委装备发展部公告2023年第27号（关于对无人机相关物项实施出口管制的公告）　　根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院、中央军委批准，决定对特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇相关物项实施出口管制。有关事项公告如下：　　一、满足以下特性的物项，未经许可，不得出口：　　（一）最大持续功率超过16千瓦（kW）的专门用于特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇的航空发动机（参考海关商品编号：8501200010、8501320010、8501330010、8501340010、8501400010、8501520010、8501530010、8407101010、8407102010、8408909230、8408909320、8411111010、8411119010、8411121010、8411129020、8411210010、8411221010、8411222010、8411223010、8411810002）。　　（二）满足一定技术指标的专门用于特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇的载荷，包括红外成像设备、合成孔径雷达和用于目标指示的激光器。　　1.具有下述任一特性的红外成像设备（参考海关商品编号：8525891110、8525892110、8525893110）：　　（1）波长范围在780纳米（nm）至30000纳米（nm）之间；　　（2）瞬时视场角（IFOV）小于2.5毫弧度（mrad）。　　2.作用距离大于5千米（km），且具有下述任一特性的合成孔径雷达（SAR）（参考海关商品编号：8526109011）：　　（1）条带模式分辨率优于0.3米（m）；　　（2）聚束模式分辨率优于0.1米（m）。　　3.可在高于55摄氏度（℃）环境中稳定工作，且具有下述任一特性的用于目标指示的激光器（参考海关商品编号：9013200093）：　　（1）免温控型；　　（2）能量大于80毫焦（mJ）；　　（3）稳定度优于15%；　　（4）光束发散角小于0.3毫弧度（mrad）。　　（三）专门用于特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇，且具有下述任一特性的无线电通信设备（参考海关商品编号：8517629910、8517691002、8526920010）：　　1.无线电视距传输距离大于50千米（km）；　　2.一站控多机能力大于10架。　　（四）民用反无人机系统：　　1.干扰范围大于5千米（km）的反无人机电子干扰设备（参考海关商品编号：8543709960）；　　2.专门用于反无人机系统的输出功率大于1.5千瓦（kW）的高功率激光器（参考海关商品编号：9013200093）。　　技术说明：“特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇”是指满足商务部、海关总署公告2015年第31号（《关于加强部分两用物项出口管制的公告》）中1.1款所列条件的无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇。　　二、出口经营者应按照相关规定办理出口许可手续，通过省级商务主管部门向商务部提出申请，填写两用物项和技术出口申请表并提交下列文件：　　（一）出口合同、协议的原件或者与原件一致的复印件、扫描件；　　（二）拟出口物项的技术说明或者检测报告；　　（三）最终用户和最终用途证明；　　（四）进口商和最终用户情况介绍；　　（五）申请人的法定代表人、主要经营管理人以及经办人的身份证明。　　三、商务部应当自收到出口申请文件之日起进行审查，或者会同有关部门进行审查，并在法定时限内作出准予或者不予许可的决定。　　对国家安全有重大影响的本公告所列物项的出口，商务部会同有关部门报国务院批准。　　四、经审查准予许可的，由商务部颁发两用物项和技术出口许可证件（以下简称出口许可证件）。　　五、出口许可证件申领和签发程序、特殊情况处理、文件资料保存年限等，依照商务部、海关总署令2005年第29号（《两用物项和技术进出口许可证管理办法》）的相关规定执行。　　六、出口经营者应当向海关出具出口许可证件，依照《中华人民共和国海关法》的规定办理海关手续，并接受海关监管。海关凭商务部签发的出口许可证件办理验放手续。　　七、出口经营者未经许可出口、超出许可范围出口或有其他违法情形的，由商务部或者海关等部门依照有关法律法规的规定给予行政处罚。构成犯罪的，依法追究刑事责任。　　八、本公告自2023年9月1日起正式实施。　　商务部 海关总署 国家国防科工局 中央军委装备发展部　　2023年7月31日商务部 海关总署 国家国防科工局 中央军委装备发展部公告2023年第28号（关于对部分无人机实施临时出口管制的公告）　　根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院、中央军委批准，决定对特定无人驾驶航空飞行器实施临时出口管制。有关事项公告如下：　　一、性能指标未达到现有管制指标，但已达到下述指标的无人驾驶航空飞行器（参考海关商品编号：8806100010、8806221011、8806229010、8806231011、8806239010、8806241011、8806249010、8806291011、8806299010、8806921011、8806929010、8806931011、8806939010、8806941011、8806949010、8806990010），未经许可，不得出口：　　在操作人员自然视距以外能够可控飞行，最大续航时间大于等于30分钟，且最大起飞重量大于7千克（kg）或空机重量大于4千克（kg），并具有下述任一特性的无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇：　　（一）机载无线电设备功率超过国际民用无线电产品核准认证的功率限制值；　　（二）携带具有抛投功能的载荷或者自带抛投器；　　（三）携带高光谱相机，或者携带支持560纳米（nm）、650纳米（nm）、730纳米（nm）、860纳米（nm）以外波段的多光谱相机；　　（四）携带的红外相机噪声等效温差（NETD）小于40毫开尔文（mK）；　　（五）携带的激光测距定位模块符合以下任一要求的：　　1.携带的激光测距定位模块属于GB7247.1-2012规定的3R类、3B类或4类激光产品；　　2.携带的激光测距定位模块属于GB7247.1-2012规定的1类激光产品，同时可达发射极限（AEL）大于等于263.89纳焦（nJ），参考口径大于22毫米（mm），在5纳秒的时间内激光脉冲最大发射功率大于52.78瓦（W）；　　3.携带的激光测距定位模块属于GB7247.1-2012规定的1M类激光产品，同时可达发射极限（AEL）大于等于339.03纳焦（nJ），参考口径大于19毫米（mm），在5纳秒的时间内激光脉冲最大发射功率大于67.81瓦（W）。　　（六）可支持非认证载荷。　　“现有管制指标”指的是商务部、海关总署、国家国防科工局、中央军委装备发展部公告2015年第20号（《关于对军民两用无人驾驶航空飞行器实施临时出口管制的公告》）所规定的技术指标，以及商务部、海关总署公告2015年第31号（《关于加强部分两用物项出口管制的公告》）所规定的技术指标。达到这两类指标的无人机出口应当按照上述公告的要求取得出口许可。　　二、在临时管制期间，对指标未达到现有管制指标和第一条规定指标的所有无人驾驶航空飞行器，出口经营者明知或者应当知道出口将用于大规模杀伤性武器扩散、恐怖主义活动或者军事目的的，不得出口。　　三、出口经营者应按照相关规定办理出口许可手续，通过省级商务主管部门向商务部提出申请，填写两用物项和技术出口申请表并提交下列文件：　　（一）出口合同、协议的原件或者与原件一致的复印件、扫描件；　　（二）拟出口物项的技术说明或者检测报告；　　（三）最终用户和最终用途证明；　　（四）进口商和最终用户情况介绍；　　（五）申请人的法定代表人、主要经营管理人以及经办人的身份证明。　　四、商务部应当自收到出口申请文件之日起进行审查，或者会同有关部门进行审查，并在法定时限内作出准予或者不予许可的决定。　　对国家安全有重大影响的本公告所列物项的出口，商务部会同有关部门报国务院批准。　　五、经审查准予许可的，由商务部颁发两用物项和技术出口许可证件（以下简称出口许可证件）。　　六、出口许可证件申领和签发程序、特殊情况处理、文件资料保存年限等，依照商务部、海关总署令2005年第29号（《两用物项和技术进出口许可证管理办法》）的相关规定执行。　　七、出口经营者应当向海关出具出口许可证件，依照《中华人民共和国海关法》的规定办理海关手续，并接受海关监管。海关凭商务部签发的出口许可证件办理验放手续。　　八、出口经营者未经许可出口、超出许可范围出口或有其他违法情形的，由商务部或者海关等部门依照有关法律法规的规定给予行政处罚。构成犯罪的，依法追究刑事责任。　　九、本公告自2023年9月1日起正式实施。临时管制的实施期限不超过二年。　　商务部 海关总署 国家国防科工局 中央军委装备发展部　　2023年7月31日

日本共同社23日报道，日本经济产业省于今日开始施行《外汇及外国贸易法》的修改省令，将尖端半导体领域的23个品类追加为出口管制对象。此前，日本政府3月31日宣布，将修订外汇与外贸法相关法令，拟对用于芯片制造的六大类23项先进芯片制造设备追加出口管制。这23项先进芯片制造设备涉及六大类，包括3项清洗设备、11项薄膜沉积设备、1项热处理设备、4项光刻/曝光设备、3项刻蚀设备、1项测试设备。日本政府将从3月31日至4月29日征求意见，争取在7月施行修改的法令，届时可能会影响到10多家日本半导体设备公司，包括刻蚀设备龙头东京电子、曝光设备龙头尼康、清洗设备龙头Screen Holdings、测试设备龙头爱德万测试等。共同社报道指出，除美国和韩国等42个友好国家及地区外，23个品类向中国等出口时每次都需要获得经产相许可。此前原则上无需获得许可。向42个国家及地区出口的手续能够简化。东京电子等约10家企业的对华出口预计将受到影响，但经产省表示并未采取禁止出口的措施，而是将对象限定在尖端半导体相关领域，因此“影响有限”。

p 　　根据《中华人民共和国核出口管制条例》，国家原子能机构、中华人民共和国商务部、中华人民共和国外交部、中华人民共和国海关总署联合修订《核出口管制清单》，清单自2018年10月1日起实施。 /p p 　　说明指出，与本清单所列物项直接有关的“技术”将在我国法律法规允许的范围内受到与物项同样严格程度的审查和管制。为“研制”、“生产”或“使用”本清单所列任何物项而专门设计或开发的“软件”转让将在我国法律法规允许的范围内受到与物项同样严格程度的审查和管制。 /p p 　　清单中涵盖了溶剂萃取设备、气体离心机、UF6质谱仪/离子源、同位素电磁分离器、离子源、离子收集器、 高压电源、磁体电源等科学仪器及部件。详情如下： /p p style=" text-align: center " strong 核出口管制清单 /strong /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 说 明 /strong /span /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 一、总说明 /strong /span /p p 　　下述各段适用于《核出口管制清单》： /p p 　　(一)本清单中所说明的各个物项既包括未使用过的物项，亦包括使用过的物项。 /p p 　　(二)如果对本清单中任何物项的说明不含限制条件或技术规格，这种说明是指该物项的全部品种。 /p p 　　(三)当设施的设计、建造或运行过程所依据的物理过程或化学过程与本清单中确定的相同或相似时，该设施应被视为与受管制设施“同种型号”。 /p p 　　(四)不应由于部件的转让而排除对这类物项的管制。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 二、技术控制 /strong /span /p p 　　(一)“技术”转让根据《中华人民共和国核出口管制条例》的规定进行管制。与本清单所列物项直接有关的“技术”将在我国法律法规允许的范围内受到与物项同样严格程度的审查和管制。 /p p 　　(二)对“技术”转让的管制不适用于“公开”资料或“基础科学研究”资料。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 三、关于软件的说明 /strong /span /p p 　　(一)为“研制”、“生产”或“使用”本清单所列任何物项而专门设计或开发的“软件”转让将在我国法律法规允许的范围内受到与物项同样严格程度的审查和管制。 /p p 　　(二)“软件”转让应与“技术”转让采用同样的管制原则。 /p p 　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 　四、定义 /strong /span /p p 　　1.“公共使用的”是指已经公开使用的“技术”或“软件”，而对其进一步传播可以不加限制(包括受版权限制的“技术”或“软件”)。 /p p 　　2.“基础科学研究”是指主要为获得关于现象和可观察到的事实的基本原理的新知识而从事的实验性或理论性工作，此类工作主要不是针对某一具体的实际目的或目标。 /p p 　　3.“技术”是指本清单所列物项的“研发”、“生产”或“使用”所要求的特定资料。这些资料可以采用“技术数据”或“技术援助”的形式。其中，“研发”涉及“生产”前的各个阶段：设计、设计研究、设计分析、设计概念、样机的装配和试验、小规模试生产计划、设计数据、把设计转换成产品的过程、结构设计、总体设计、布置等 “生产”是指建造、生产工程、制造、合成、组装(装配)、检查、试验、质保等各个阶段 “使用”是指运行、安装(包括现场安装)、维护(校核)、修理、大修和翻修等 “技术数据”可以采用蓝图、平面图、图表、模型、公式、工程设计和技术规格、手册与规程等形式，被写入或记录在诸如磁盘、磁带、只读存储器等器件或其他载体 “技术援助”可以采用规程、技能、培训、操作知识和咨询服务等形式，可以包括“技术数据”的转让。 /p p 　　4.“软件”是指载入于有形媒介中的一个或多个“程序”或“微程序”，其中“程序”是指电子计算机可执行的或可转换成可执行某一过程的指令序列 “微程序”是指保存在一个特殊的存储器里的基本指令序列，通过把其参考指令引入指令寄存器开始执行该基本指令序列。 /p p 　　5.“其他元素”是指氢、铀和钚以外的所有元素。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 五、单位 /strong /span /p p 　　本清单使用国际单位制(SI)。在任何情况下，国际单位制规定的物理量应被认为是正式建议的管制值。本清单相关国际单位通常使用的缩写符号(及其表示量值的前缀)如下(按字母顺序)： /p p 　　A - 安培 /p p 　　Å - 埃 /p p 　　℃ - 摄氏度 /p p 　　cm - 厘米 /p p 　　cm2 - 平方厘米 /p p 　　cm3 - 立方厘米 /p p 　　° - 度 /p p 　　g - 克 /p p 　　g0 - 重力加速度 (9.80665米/秒2) /p p 　　GHz - 千兆赫 /p p 　　GPa - 吉帕 /p p 　　h - 小时 /p p 　　H - 亨利 /p p 　　MPa - 兆帕 /p p 　　μm - 微米 /p p 　　N - 牛顿 /p p 　　nm - 纳米 /p p 　　Ω - 欧姆 Hz - 赫兹 /p p 　　J - 焦耳 /p p 　　K - 开[尔文] /p p 　　kg - 千克 /p p 　　kHz - 千赫兹 /p p 　　kJ - 千焦耳 /p p 　　kPa - 千帕 /p p 　　kW - 千瓦 /p p 　　m - 米 /p p 　　m2 - 平方米 /p p 　　m3 - 立方米 /p p 　　mA - 毫安 /p p 　　min - 分钟 /p p 　　mm - 毫米 /p p 　　Pa - 帕[斯卡] /p p 　　s - 秒 /p p 　　″- 弧秒 /p p 　　V - 伏 /p p 　　VA - 伏安 /p p style=" text-align: center " strong span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 第一部分 核材料 /span /strong /p p 　　核材料系指源材料和特种可裂变材料。其中： /p p 　　1. 源材料系指天然铀、贫化铀和钍，呈金属、合金、化合物或浓缩物形态的上述各种材料。但不包括： /p p 　　(1)政府确信仅用于非核活动的源材料 /p p 　　(2)在一个自然年(1月1日至12月31日)内向某一接受国出口： /p p 　　①少于500kg的天然铀 /p p 　　②少于1000kg的贫化铀 /p p 　　③少于1000kg的钍。 /p p 　　2. 特种可裂变材料系指钚-239、铀-233、含同位素铀-235或铀-233或兼含铀-233和铀-235其同位素总丰度与铀-238的丰度比大于自然界中铀-235与铀-238的丰度比的铀,以及含有上述物质的任何材料，包括核燃料组件。但不包括： /p p 　　(1)钚-238同位素丰度超过80%的钚 /p p 　　(2)克量或克量以下用作仪器传感元件的特种可裂变材料 /p p 　　(3)在一个自然年(1月1日至12月31日)内向某一接受国出口少于50有效克的特种可裂变材料。 /p p style=" text-align: center " strong span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 第二部分 核设备和反应堆用非核材料 /span /strong /p p span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 　　1.核反应堆和为其专门设计或制造的设备和部件 /strong /span /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　各种类型的核反应堆，无论其按所用慢化剂(如石墨、重水、轻水、无慢化剂)、核反应堆内中子谱(如热中子、快中子)、所用冷却剂类型(如水、液态金属、熔盐、气体)为特征，或以功能类型(如动力堆、研究堆、试验堆)为特征进行区分。上述所有类型的核反应堆都属于本条款范围并受本条款所有可适用分项管控。本条款的控制范围不包括聚变反应堆。 /p p 　 strong 　1.1 整体核反应堆 /strong /p p 　　能够保持受控自持链式裂变反应的可运行核反应堆。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　一个“核反应堆”基本上包括反应堆容器内或直接安装在其上的物项、控制堆芯功率水平的设备和通常含有或直接接触或控制反应堆堆芯一次冷却剂的部件。 /p p 　　 strong 1.2 核反应堆容器 /strong /p p 　　金属容器，或工厂预制的该装置的主要部件，被专门设计或制造来容纳上述1.1定义的核反应堆的堆芯以及下文1.8定义的相关堆内构件。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　物项1.2涵盖的核反应堆容器不分压力等级，包括反应堆压力容器和排管容器。物项1.2包括反应堆压力容器顶盖，它是工厂预制的反应堆容器的主要部件。 /p p 　　 strong 1.3 核反应堆燃料装卸机 /strong /p p 　　专门设计或制造用于在上述1.1定义的核反应堆中插入或取出燃料的操作设备。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　上述物项能够进行有载操作或利用技术先进的定位或准直装置进行复杂的停堆装料操作，例如通常不可能直接观察或接近燃料的操作。 /p p 　　 strong 1.4 核反应堆控制棒和设备 /strong /p p 　　专门设计或制造用于控制上述1.1定义的核反应堆裂变过程的棒、支承结构或悬吊结构、棒驱动机或棒导向管。 /p p 　　 strong 1.5 核反应堆压力管 /strong /p p 　　专门设计或制造用于容纳上述1.1定义的核反应堆的燃料元件和一次冷却剂的压力管。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　压力管是燃料通道的一部分，按设计在高压下运行，压力有时超过5MPa。 /p p 　　 strong 1.6 核燃料包壳 /strong /p p 　　专门设计或制造在上述1.1定义的核反应堆中作为燃料包壳使用的数量超过10kg的锆金属和合金的管或管组件。 /p p 　　注意：锆压力管的管制适用于1.5，锆排管的管制适用于1.8。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　在核反应堆中使用的锆金属管或锆合金管含铪与锆的重量之比通常低于1:500。 /p p 　　 strong 1.7 一次冷却剂泵或循环泵 /strong /p p 　　专门设计或制造用于循环上述1.1定义的核反应堆的一次冷却剂的泵或循环泵。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　专门设计和制造的泵或循环泵包括水冷堆泵、气冷堆循环泵以及液态金属冷却堆用电磁泵和机械泵。这种设备可包括防止一次冷却剂渗漏的精密密封或多种密封的系统、全密封驱动泵，及有惯性质量系统的泵。这一定义包括鉴定为NC-1或相当标准的泵。 /p p 　　 strong 1.8 核反应堆内部构件 /strong /p p 　　专门设计和制造用于上述1.1定义的核反应堆的“核反应堆内部构件”，包括堆芯支承柱、燃料通道、排管、热屏蔽层、堆芯缓冲层、堆芯栅格板和扩散板。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　“核反应堆内部构件”是反应堆容器内的主要结构，具有一种或多种功能，例如支承堆芯、保持燃料对准、引导一次冷却剂流向、为反应堆容器提供辐射屏蔽层、导向堆芯内仪表。 /p p 　　 strong 1.9 热交换器 /strong /p p 　　(a)专门设计或制造用于上述1.1定义的核反应堆的一次冷却剂或中间冷却剂回路的热交换器(蒸汽发生器)。 /p p 　　(b)专门设计或制造用于上述1.1定义的核反应堆的一次冷却剂回路的其他热交换器。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　蒸汽发生器是专门设计或制造用于将反应堆内生成的热量(一回路侧)输送到进水(二回路侧)以产生蒸汽。对有一个中间回路的快堆的情况，除蒸汽发生器外，用于将一回路侧的热量输送到中间冷却回路的热交换器理所当然地属于控制范围以内。在气冷堆中，可利用热交换器向驱动燃气轮机的二次气体回路传热。本条款的控制范围不包括反应堆支持系统如应急冷却系统和衰变热冷却系统的热交换器。 /p p 　　 strong 1.10 中子探测器 /strong /p p 　　专门设计或制造用于测定上述1.1定义的核反应堆堆芯内中子通量的中子探测器。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　本条款的范围包括用于测定大量程范围中子通量的堆芯内和堆芯外探测器，典型地从每平方厘米每秒104个中子或更高。堆芯外意指那些上述1.1定义的核反应堆堆芯外，但是位于生物屏蔽层内的仪器。 /p p 　　 strong 1.11 外热屏蔽体 /strong /p p 　　专门设计或制造供上述1.1定义的核反应堆中用于减少热损失同时也用于安全壳保护的“外热屏蔽体”。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　“外热屏蔽体”是置于反应堆容器上方的主要结构，用于减少反应堆的热损失和降低安全壳内的温度。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 2.反应堆用非核材料 /strong /span /p p 　　 strong 2.1 氘和重水 /strong /p p 　　任一接受方在任何一个自然年(1月1日至12月31日)内收到的供上述1.1定义的核反应堆用的数量超过200kg氘原子的氘、重水(氧化氘)以及氘与氢原子之比超过1∶5000的任何其他氘化物。 /p p 　 strong 　2.2 核级石墨 /strong /p p 　　数量超过1kg、纯度高于百万分之五硼当量、密度大于1.50g/cm3的石墨。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　为了出口控制的目的，政府将确定出口符合上述技术指标的石墨是否用于核反应堆。 /p p 　　硼当量(BE)可以实验测定或以包括硼在内的杂质BEZ之总量计算得出(由于碳不被考虑是一种杂质，因此不包括 /p p 　　BE碳)，其中： /p p 　　BEZ(ppm)=CF× 元素Z的浓度(ppm为单位) /p p 　　CF为转化因子：(σZ× AB)除以(σB× AZ) /p p 　　σB和σZ分别为自然界形成的硼和元素Z的热中子俘获截面(巴为单位)，AB和AZ分别为自然界形成的硼和元素Z的原子质量。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 3. 辐照燃料元件后处理厂以及为其专门设计或制造的设备 /strong /span /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　辐照核燃料经后处理能从强放射性裂变产物以及其他超铀元素中分离钚和铀。有各种技术工艺流程能够实现这种分离。但是，多年来，“普雷克斯”已成为最普遍采用和接受的工艺流程。“普雷克斯”流程包括：将辐照核燃料溶解在硝酸中，然后利用磷酸三丁酯与一种有机稀释剂的混合剂通过溶剂萃取法分离铀、钚和裂变产物。 /p p 　　各种“普雷克斯”设施具有彼此相似的工艺功能，包括：辐照燃料元件的切割、燃料溶解、溶剂萃取和工艺液流的贮存。还可能有种种设备，用于：使硝酸铀酰热脱硝，把硝酸钚转化成氧化钚或金属钚，以及把裂变产物的废液处理成适合于长期贮存或处置的形式。但是，实现这些功能的设备的类型和结构在各种“普雷克斯”设施之间可能不同，原因有几个，其中包括需要后处理的辐照核燃料的类型和数量、打算对回收材料的处理和设施设计时所考虑的安全和维修原则。 /p p 　　一个“辐照燃料元件后处理厂”包括通常直接接触和直接控制辐照燃料和主要核材料以及裂变产物工艺液流的设备和部件。可以通过采取各种避免临界(例如通过几何形状)、辐射照射(例如通过屏蔽)和毒性危险(例如通过安全壳)的措施来确定这些过程，包括钚转换和钚金属生产的完整系统。 /p p 　 strong 　3.1 辐照燃料元件切割机 /strong /p p 　　专门设计或制造供上述确定的后处理厂用来切割或剪切辐照燃料组件、燃料棒束或棒的遥控设备。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这种设备能切开燃料包壳，使辐照核材料能够被溶解。专门设计的金属切割机是最常用的，当然也可能采用先进设备，例如激光器。 /p p 　　 strong 3.2 溶解器 /strong /p p 　　专门设计或制造供上述确定的后处理厂用来溶解辐照核燃料，并能承受热、腐蚀性强的液体以及能远距离装料和维修的临界安全容器(例如小直径、环形或平板式的容器)。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　溶解器通常接受切碎了的乏燃料。在这种临界安全的容器内，辐照核材料被溶解在硝酸中，而剩余的壳片从工艺液流中被去掉。 /p p 　　 strong 3.3 溶剂萃取器和溶剂萃取设备 /strong /p p 　　专门设计或制造用于辐照燃料后处理厂的溶剂萃取器，例如填料塔或脉冲塔、混合澄清器或离心接触器。溶剂萃取器必须能耐硝酸的腐蚀作用。溶剂萃取器通常由低碳不锈钢、钛、锆或其他优质材料，按极高标准(包括特种焊接和检查以及质量保证和质量控制技术)加工制造而成。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　溶剂萃取器既接受溶解器中出来的辐照燃料的溶液，又接受分离铀、钚和裂变产物的有机溶液。溶剂萃取设备通常设计得能满足严格的运行参数，例如很长的运行寿命，无需维修或易于更换，操作和控制简便以及可适应工艺条件的各种变化。 /p p 　　 strong 3.4 化学溶液保存或贮存容器 /strong /p p 　　专门设计或制造为辐照燃料后处理厂用的保存或贮存容器。这种保存或贮存容器必须能耐硝酸的腐蚀作用。保存或贮存容器通常用低碳不锈钢、钛或锆或其他优质材料制造。保存或贮存容器可设计成能远距离操作和维修，而且它们可具有下述控制核临界的特点： /p p 　　(1)壁或内部结构至少有百分之二的硼当量，或 /p p 　　(2)对于圆柱状容器来说，最大直径175mm，或 /p p 　　(3)对于平板式或环形容器来说，最大宽度75mm。 /p p 　　注释 /p p 　　溶剂萃取阶段产生三种主要的工艺液流。所有这三种液流在如下的进一步处理过程中要使用保存或贮存容器： /p p 　　(a)用蒸发法使纯硝酸铀酰溶液浓缩，然后使其进到脱硝过程，并在此过程中转变成氧化铀。这种氧化物再在核燃料循环中利用。 /p p 　　(b)通常用蒸发法浓缩强放射性裂变产物溶液，并以浓缩液形式贮存。随后可蒸发这种浓缩液并将其转换成适合于贮存或处置的形式。 /p p 　　(c)在将纯硝酸钚溶液转到下几个工艺步骤前先将其浓缩并贮存。尤其是，钚溶液的保存或贮存容器要设计得能避免由于这种液流浓度和形状的改变导致的临界问题。 /p p 　　3.5 流程控制用中子测量系统 /p p 　　专门设计或制造与辐照燃料元件后处理厂的自动化流程控制系统相结合和共同使用的中子测量系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些系统涉及能动和非能动中子测量和鉴别能力，目的是确定特种可裂变材料的数量和成分。整套系统由中子发生器、中子探头、放大器和信号处理电子元件组成。 /p p 　　本条款的范围不包括为核材料衡算和保障或与辐照燃料元件后处理厂自动化流程控制系统的结合和共同使用无关的任何其他应用设计的中子探测和测量仪器。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 4.用于制造核反应堆燃料元件的工厂和为其专门设计或制造的设备 /strong /span /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　核燃料元件是由本清单第一部分所述的一种或多种源材料或特种可裂变材料制造的。对于氧化物燃料这一种最常用的燃料类型，常用芯块压制、烧结、研磨和分级的设备。直到密封于包壳内，混合氧化物燃料是在手套箱内操作的(或等效的箱体)。在所有情况下，燃料被密封于一个合适的包壳内，这种包壳是设计作为包装燃料的主要包壳，以便在反应堆运行时提供适当的性能和安全。此外，在所有情况下，为保证可预计的和安全的燃料性能，必须按照最高标准精确控制流程、程序和设备。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　考虑属于燃料元件制造的和“专门设计或制造的设备”这一 /p p 　　含义的设备项目包括： /p p 　　(a)通常直接接触或加工或控制核材料生产流程的设备 /p p 　　(b)将核材料封入包壳的设备 /p p 　　(c)检验包壳或密封完整性的设备 /p p 　　(d)检验密封燃料的最终处理的设备 /p p 　　(e)用于装配核燃料元件的设备。 /p p 　　这一设备或这些设备系统可能包括： /p p 　　(1)专门设计或制造用于检验燃料芯块的最终尺寸和表面缺陷的全自动芯块检查台 /p p 　　(2)专门设计或制造用于将端塞焊接于燃料细棒(或棒)的自动焊接机 /p p 　　(3)专门设计或制造用于检验燃料细棒(或棒)成品密封性的自动化测试和检查台 /p p 　　(4)专门设计或制造用于制造核燃料包壳的系统。 /p p 　　第(3)项典型的包括设备用于：(a)细棒(或棒)端塞焊缝X射线检测，(b)充压细棒(或棒)的氦检漏，(c)细棒(或棒)的γ射线扫描以检验内部燃料芯块的正确装载。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 5. 天然铀、贫化铀或特种可裂变材料同位素分离厂以及为其专门设计或制造的(除分析仪器以外的)设备 /strong /span /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　在很多情况下，铀同位素分离厂、设备和技术与“其他元素”的同位素分离厂、设备和技术有着密切联系。在特定情况下，本条款所述控制也适用于拟进行“其他元素”的同位素分离的工厂和设备。对“其他元素”的同位素分离厂和设备进行的这些控制是对《核出口管制清单》所涵盖的特种可裂变材料的加工、使用或生产而专门设计或建造的工厂和制造的设备进行控制的补充。本条款关于涉及“其他元素”的使用的这些补充控制适用于气体离心法、气体扩散法、等离子体分离法和空气动力学过程，不适用于电磁同位素分离法。对一些过程而言，其与铀同位素分离的关系取决于将要分离的元素。这些过程是：基于激光的过程(如分子激光同位素分离和原子蒸气激光同位素分离)、化学交换和离子交换。因此，供应方必须对这些过程逐一进行评价，以便相应地适用本条款对涉及“其他元素”的使用的控制。 /p p 　　可以认为属于为铀同位素分离“专门设计或制造的(除分析仪器外的)设备”这一概念范围的设备物项包括： /p p 　　 strong 5.1 气体离心机和专门设计或制造用于气体离心机的组件和构件 /strong /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　气体离心机通常由直径在75mm 和650mm之间的薄壁圆筒组成。圆筒处在真空环境中并且以大约300m/s或更高的线速度旋转，旋转时其中轴线保持垂直。为了达到高的转速，旋转构件的结构材料必须具有高的强度/密度比，而转筒组件及其单个构件必须按高精度公差来制造以便使不平衡减到最小。 /p p 　　与其他离心机不同，浓缩铀用的气体离心机的特点是：在转筒室中有一个(或几个)盘状挡板和一个固定的管列用来供应和提取UF6气体，其特点是至少有三个单独的通道，其中两个与从转筒轴向转筒室周边伸出的收集器相连。在真空环境中还有一些不转动的关键物项，它们虽然是专门设计的，但不难制造，也不是用独特材料制造的。不过，一个离心机设施需要大量的这种构件，因此其数量是能够反映最终用途的一个重要指标。 /p p 　　 strong 5.1.1 转动部件 /strong /p p strong 　　(a)完整的转筒组件： /strong /p p 　　用本节注释中所述的一种或一种以上高强度/密度比材料制成的若干薄壁圆筒或一些相互连接的薄壁圆筒 如果是相互连接的，则圆筒通过以下5.1.1(c)所述的弹性波纹管或环连接。转筒(如果是最终形式的话)装有以下5.1.1(d)和(e)所述一个(或几个)内挡板和顶盖/底盖。但是完整的组件可能只以部分组装形式交货。 /p p 　 strong 　(b)转筒： /strong /p p 　　专门设计或制造的厚度为12mm或更薄的直径在75mm和650mm之间、用本节注释中所述一种或一种以上高强度/密度比材料制成的薄壁圆筒。 /p p 　 strong 　(c)环或波纹管： /strong /p p 　　专门设计或制造用于局部支承转筒或把数个转筒连接起来的构件。波纹管是壁厚3mm或更薄的直径在75mm和650mm之间、用本节注释中所述一种或一种以上高强度/密度比材料制成的有褶短圆筒。 /p p 　　 strong (d)挡板： /strong /p p 　　专门设计或制造的直径在75mm和650mm之间、用本节注释中所述各种高强度/密度比材料之一制成的安装在离心机转筒内的盘状构件，其作用是将排气室与主分离室隔开，在某些情况下帮助UF6气体在转筒的主分离室中循环。 /p p 　　 strong (e)顶盖/底盖： /strong /p p 　　专门设计或制造的直径在75mm和650mm之间、用本节注释中所述各种高强度/密度比材料之一制成的装在转筒端部的盘状构件，这样就把UF6包容在转筒内，在有些情况下还作为整体一部分支承、保持或容纳上轴承件(顶盖)或支持马达的旋转件和下轴承件(底盖)。 /p p 　　注释 /p p 　　离心机转动构件所用材料包括： /p p 　　(a)极限抗拉强度为1.95× 109N/m2或更高的马氏体钢 /p p 　　(b)极限抗拉强度为0.46× 109N/㎡或更高的铝合金 /p p 　　(c)适合于复合结构用的纤维材料，其比模量应为3.18× 106m或更高，比极限抗拉强度应为7.62× 104m或更高(“比模量”是用N/m2表示的杨氏模量除以用N/m3表示的比重 “比极限抗拉强度”是用N/m2表示的极限抗拉强度除以用N/m3表示的比重)。 /p p 　　 strong 5.1.2 静态部件 /strong /p p strong 　　(a)磁悬浮轴承： /strong /p p 　　1)专门设计或制造的轴承组合件，由悬浮在充满阻尼介质箱中的一个环形磁铁组成。该箱要用耐UF6的材料(见5.2的注释)制造。该磁铁与装在5.1.1(e)所述顶盖上的一个磁极片或另一个磁铁耦合。 /p p 　　此磁铁可以是环形的，外径与内径的比小于或等于1.6:1。它的初始磁导率可以是0.15H/m(120000CGS制单位)或更高，或剩磁98.5%或更高，或产生的能量高于80kJ/m3。除了具有通常的材料性质外，先决条件是磁轴对几何轴的偏离应限制在很小的公差范围内(低于0.1mm)或特别要求磁铁材料有均匀性。 /p p 　　2)专门设计或制造供气体离心机使用的主动磁轴承。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些轴承通常具有下述特点： /p p 　　是为使以600Hz 或更高速度旋转的转子保持居中而设计的 /p p 　　与可靠的电源和(或)不间断电源单元相连，以便运行1小时以上。 /p p 　　 strong (b)轴承/阻尼器： /strong /p p 　　专门设计或制造的架在阻尼器上的具有枢轴/盖的轴承。枢轴通常是一种淬硬钢轴，一端精加工成半球，而另一端能连在5.1.1(e)所述底盖上。但是这种轴可附有一个动压轴承。盖是球形的，一面有一个半球形陷穴。这些构件通常是单独为阻尼器提供的。 /p p 　　 strong (c)分子泵： /strong /p p 　　专门设计或制造的内部有已加工或挤压的螺纹槽和已加工的腔的泵体。典型尺寸如下：内径75mm到650mm，壁厚10mm或更厚，长度等于或大于直径。刻槽的横截面是典型的矩形，槽深2mm或更深。 /p p 　　 strong (d)电动机定子： /strong /p p 　　专门设计或制造的环形定子，用于在真空中频率范围为600Hz或更高、功率范围为40VA或更高条件下同步运行的高速多相交流磁滞(或磁阻)式电动机。定子由在典型厚度为2.0mm或更薄一些的薄层组成的低损耗叠片铁芯上的多相绕组组成。 /p p 　　 strong (e)离心机壳/收集器： /strong /p p 　　专门设计或制造用来容纳气体离心机的转筒组件的部件。离心机壳由一个壁厚达30mm的刚性圆筒组成，它带有经过精密机械加工的两个端面以便固定轴承和一个或多个便于安装的法兰盘。这两个经过机械加工的端面相互平行，并以不大于0.05度的误差与圆筒轴垂直。离心机壳也可是一种格状结构以容纳几个转筒。 /p p 　　 strong (f)收集器： /strong /p p 　　专门设计或制造的管件，它们用来借助皮托管作用(即利用一个例如扳弯径向配置的管的端部而形成的面迎转筒内环形气流的开口)从转筒内部提取UF6气体，并且能与中心气体提取系统相连。 /p p 　　 strong 5.2 为气体离心浓缩工厂专门设计或制造的辅助系统、设备和部件 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　气体离心浓缩工厂用的辅助系统、设备和部件是向离心机供应UF6，把单个离心机相互联接组成级联(多级)从而逐渐提高浓缩度并且从离心机中提取UF6“产品”和“尾料”所需的各种工厂系统，以及驱动离心机或控制该工厂所需要的设备。 /p p 　　通常利用经加热的高压釜将UF6从固体中蒸发出来，气态形式的UF6通过级联集管线路被分配到各个离心机。通过级联集管线路使从离心机流出的UF6“产品”和“尾料”气流通到冷阱(在约203K(-70℃)下工作)，气流在冷阱先冷凝，然后再送入适当的容器以便运输或贮存。由于一个浓缩工厂由排成级联式的数千个离心机组成，所以级联的集管线路有数公里长，含有几千条焊缝而且管道布局大量重复。上述设备、部件和管道系统都是按非常高的真空和净度标准制造的。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　以上所列一些物项不是直接接触UF6工艺气体就是直接控制离心机和直接控制这种气体从离心机到离心机以及从级联到级联的通路。耐UF6腐蚀的材料包括铜、铜合金、不锈钢、铝、氧化铝、铝合金、镍或含镍60%以上的合金以及氟化的烃聚合物。 /p p 　　 strong 5.2.1 供料系统/产品和尾料提取系统 /strong /p p 　　专门设计或制造的工艺系统或设备，由耐UF6腐蚀的材料制造或用这种材料进行保护，包括： /p p 　　(a)供料釜(或供料器)、加热炉或系统，用于将UF6送往离心机级联 /p p 　　(b)凝华器(或冷阱)或泵，用于从级联中取出UF6，以便随后加热转送 /p p 　　(c)固化站或液化站，用来通过压缩UF6和将其转化成液态或固态，使UF6离开浓缩工艺线 /p p 　　(d)“产品”和“尾料”器，用来把UF6收集到容器中。 /p p 　　 strong 5.2.2 机械集管管路系统 /strong /p p 　　专门设计或制造用于在离心机级联中操作UF6的管路系统和集管系统。管路网络通常是“三头”集管系统，每个离心机连接一个集管头。这样，在形式上有大量重复。全都用耐UF6的材料(见本节注释)制成或用这种材料进行保护并且按很高的真空和净度标准制造。 /p p 　　 strong 5.2.3 特种截流阀和控制阀 /strong /p p 　　(a)专门设计或制造的作用于单台气体离心机中的供料、产品或尾料UF6气流的截流阀。 /p p 　　(b)专门设计或制造用于气体离心浓缩厂主系统或辅助系统的手动或自动波纹管密封阀、截流阀或控制阀，用耐UF6腐蚀的材料制成或用这种材料进行保护，内径10-160mm。 /p p 　　注释 /p p 　　专门设计或制造的阀，典型的包括波纹管密封阀、速动封闭阀、速动阀和其他阀。 /p p 　　 strong 5.2.4 UF6质谱仪/离子源 /strong /p p 　　专门设计或制造的质谱仪，这些质谱仪能从UF6气流中“在线”取得样品，并且具有以下所有特点： /p p 　　1. 能够测量320或更大原子质量单位的离子，且单位分辨率高于320 /p p 　　2. 离子源用镍、含镍60%或以上(按重量计)的镍铜合金或镍铬合金制成或保护 /p p 　　3. 电子轰击离子源 /p p 　　4. 有一个适合于同位素分析的收集系统。 /p p 　　 strong 5.2.5 频率变换器 /strong /p p 　　为满足5.1.2(d)中定义的电动机定子的需要而专门设计或制造的频率变换器(又称变频器或变换器)或这类频率变换器的部件、构件和子配件。它们具有下述所有特点： /p p 　　1. 多相输出600Hz或更高 /p p 　　2. 高稳定性(频率控制优于0.2%)。 /p p 　　 strong 5.3 专门设计或制造用于气体扩散浓缩的组件和部件 /strong /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　用气体扩散法分离铀同位素时，主要的技术组件是一个特制的多孔气体扩散膜、用于冷却(经压缩过程加热的)气体的热交换器、密封阀和控制阀以及管道。由于气体扩散技术使用的是六氟化铀(UF6)，所有的设备、管道和仪器仪表(与气体接触的)表面都必须用同UF6接触时能保持稳定的材料制成。一个气体扩散设施需要许多这样的组件，因此其数量是能够反映最终用途的一个重要指标。 /p p 　 strong 　5.3.1 气体扩散膜和扩散膜材料 /strong /p p 　　(a)专门设计或制造的由耐UF6腐蚀的金属、聚合物或陶瓷材料(见5.4款注释)制成的很薄的多孔过滤膜，孔的大小为100-1000Å ，膜厚5mm或以下，对于管状膜来说，直径为25mm或以下。 /p p 　　(b)为制造这种过滤膜而专门制备的化合物或粉末。这类化合物和粉末包括镍或含镍60%(或以上)的合金、氧化铝或纯度99.9%(或以上)的耐UF6的完全氟化的烃聚合物(见5.4款注释)，粒度小于10μm，粒度高度均匀。这些都是专门为制造气体扩散膜制备的。 /p p 　　 strong 5.3.2 扩散室 /strong /p p 　　专门设计或制造的密闭式容器，用于容纳气体扩散膜，由耐UF6的材料(见5.4款注释)制成或用这种材料进行保护。 /p p 　 strong 　5.3.3 压缩机和鼓风机 /strong /p p 　　专门设计或制造的压缩机或鼓风机，吸气能力为1m3UF6/min或更大，出口压力高达500kPa，其被设计成在UF6环境中长期运行。这种压缩机和鼓风机的压力比10:1或更低，用耐UF6的材料(见5.4款注释)制成或用这种材料进行保护。 /p p 　 strong 　5.3.4 转动轴封 /strong /p p 　　专门设计或制造的真空密封装置，有密封式进气口和出气口，用于密封把压缩机或鼓风机转子同传动马达连接起来的转动轴，以保证可靠的密封，防止空气渗入充满UF6的压缩机或鼓风机的内腔。这种密封装置通常设计成将缓冲气体泄漏率限制到小于1000cm3/min。 /p p 　　 strong 5.3.5 冷却UF6的热交换器 /strong /p p 　　专门设计或制造的用耐UF6材料(见5.4款注释)制成或保护的热交换器，在压差为100kPa下渗透压力变化率小于10Pa/h。 /p p 　　 strong 5.4 专门设计或制造的用于气体扩散浓缩的辅助系统、设备和部件 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　气体扩散浓缩工厂用的辅助系统、设备和部件是向气体扩散组件供应UF6，把单个组件相互联接组成级联(或多级)以便使浓缩度逐步增高并且从各个扩散级联中提取UF6“产品”和“尾料”所需的工厂系统。由于扩散级联的惯性很大，级联运行的任何中断，特别是停车，会导致严重后果。因此，在所有工艺系统中严格持续地保持真空、自动防止事故、准确地自动调节气流对气体扩散工厂是很重要的。所有这一切，使该工厂需要装备大量专用的测量、调节和控制系统。 /p p 　　通常UF6从置于高压釜内的圆筒中蒸发，以气态形式经级联集管管路被分配到进口。从出口流出的UF6“产品”和“尾料”气流通过级联集管管路被分配到冷阱或压缩装置，UF6气体在那里液化，然后再进到适当的容器以便运输或贮存。由于一个气体扩散浓缩工厂由排成级联式的大量气体扩散组件组成，所以级联的集管管线有数公里长，含有几千条焊缝而且管道布局大量重复。上述设备、部件和管道系统都按非常高的真空和净度标准制造。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　耐UF6腐蚀的材料包括铜、铜合金、不锈钢、铝、氧化铝、铝合金、镍或含镍60%以上的合金以及氟化的烃聚合物。 /p p 　　以下所列物项直接接触UF6气体或直接控制级联中的气流： /p p 　 strong 　5.4.1 供料系统/产品和尾料提取系统 /strong /p p 　　为浓缩厂专门设计或制造的工艺系统或设备，由耐UF6腐蚀的材料制造或用这种材料进行保护，包括： /p p 　　(a)供料釜、加热炉或系统，用于将UF6送入气体扩散级联 /p p 　　(b)凝华器、冷阱或泵，用于从扩散级联中取出UF6以便随后在加热时转送 /p p 　　(c)固化站或液化站，将来自级联的UF6气体压缩并冷凝成液态或固态，使其离开气体扩散级联 /p p 　　(d)“产品”器或“尾料”器，用来把UF6收集到容器中。 /p p 　　 strong 5.4.2 集管管路系统 /strong /p p 　　专门设计或制造用于在气体扩散级联中操作UF6的管路系统 /p p 　　和集管系统。 /p p 　　注释 /p p 　　这种管路网络通常是“双头”集管系统，每个扩散单元连接一个集管头。 /p p 　　 strong 5.4.3 真空系统 /strong /p p 　　(a)专门设计或制造的大型真空歧管、真空集管和抽气能力为5m3/min(或以上)的真空泵。 /p p 　　(b)专门设计的在含UF6气氛中使用的真空泵，用耐UF6腐蚀的材料制成或保护(见本条款注释)。这些泵可以是旋转式或正压式，可有排代式密封和碳氟化合物密封并且可以有特殊工作流体存在。 /p p 　　 strong 5.4.4 特种截流阀和控制阀 /strong /p p 　　专门设计和制造的由耐UF6材料制成或保护、手动或自动的波纹管密封阀、截流阀和控制阀，用来安装在气体扩散浓缩工厂的主系统和辅助系统中。 /p p 　　 strong 5.4.5 UF6质谱仪/离子源 /strong /p p 　　专门设计或制造的质谱仪，这些谱仪能从UF6气流中“在线”取得样品，并且具有以下所有特点： /p p 　　1. 能够测量320或更大原子质量单位的离子，且单位分辨率高于320 /p p 　　2. 离子源用镍、含镍60%或以上(按重量计)的镍铜合金或镍铬合金制成或保护 /p p 　　3. 电子轰击离子源 /p p 　　4. 有一个适合于同位素分析的收集系统。 /p p 　　 strong 5.5 专门设计或制造用于气动浓缩厂的系统、设备和部件 /strong /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　在气体动力学浓缩过程中，要压缩气态UF6和轻气体(氢或氦)的混合气，然后使其通过分离元件。在这些元件中，通过在一个曲壁几何结构面上产生的高离心力，完成同位素分离。已经成功地开发了这种类型的两个过程：喷嘴分离过程和涡流管过程。就这两种过程而言，一个分离级的主要部件包括容纳专用分离元件(喷嘴或涡流管)的圆筒状容器、气体压缩机和用来排出压缩热的热交换器。一座气动浓缩工厂需要若干个这种分离级，因此其数量是能够反映最终用途的一个重要指标。由于气动过程使用UF6，所有设备、管线和仪器仪表中与这种气体接触的表面，都必须用同UF6接触时能保持稳定的材料制成或加以保护。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　本节所列物项不是直接接触UF6流程气体就是直接控制级联中的这种气流。所有接触流程气体的表面，均需用耐UF6材料制成或用耐UF6材料保护。就本节有关气动浓缩物项而言，耐UF6腐蚀的材料包括：铜、铜合金、不锈钢、铝、氧化铝、铝合金、镍或含镍60%或以上(按重量计)的合金以及氟化的烃聚合物。 /p p 　　 strong 5.5.1 分离喷嘴 /strong /p p 　　专门设计或制造的分离喷嘴及其组件。分离喷嘴由一些狭缝状、曲率半径小于1mm的耐UF6腐蚀的弯曲通道组成，喷嘴中有一分离楔尖能将流过该喷嘴的气体分成两部分。 /p p 　　 strong 5.5.2 涡流管 /strong /p p 　　专门设计或制造的涡流管及其组件。涡流管呈圆筒形或锥形，用耐UF6腐蚀材料制成或加以保护，并带有1个或多个切向进口。这些涡流管的一端或两端装有喷嘴型附件。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　供料气体在涡流管的一端切向进入涡流管，或通过一些旋流叶片，或从沿涡流管周边分布的若干个切向位置进入涡流管。 /p p 　　 strong 5.5.3 压缩机和鼓风机 /strong /p p 　　专门设计或制造的用耐UF6/载气(氢或氦)混合气腐蚀材料制成或加以保护的压缩机或鼓风机。 /p p 　　 strong 5.5.4 转动轴封 /strong /p p 　　专门设计或制造的带有密封式进气口和出气口的转动轴封，用于密封把压缩机或鼓风机转子同驱动马达连接起来的转动轴，以保证可靠的密封，防止过程气体外漏或空气或密封气体渗入充满UF6/载气混合气的压缩机或鼓风机内腔。 /p p 　　 strong 5.5.5 冷却气体用热交换器 /strong /p p 　　专门设计或制造的用耐UF6腐蚀材料制成或加以保护的热交换器。 /p p 　　 strong 5.5.6 分离元件外壳 /strong /p p 　　专门设计或制造的用耐UF6腐蚀的材料制成或加以保护的用作容纳涡流管或分离喷嘴的分离元件外壳。 /p p 　　 strong 5.5.7 供料系统/产品和尾料提取系统 /strong /p p 　　专门为浓缩工厂设计或制造的用耐UF6腐蚀材料制成的或加以保护的流程系统或设备，包括： /p p 　　(a)供料釜、供料加热炉或供料系统，用于将UF6送入浓缩过程 /p p 　　(b)凝华器(或冷阱)，用于从浓缩过程中移出UF6，供下一步加热转移 /p p 　　(c)固化器或液化器，用于通过压缩UF6并将其转换为液态形式或固态形式，从浓缩流程中移出UF6 /p p 　　(d)“产品”器或“尾料”器，用于把UF6收集到容器中。 /p p 　　 strong 5.5.8 集管管路系统 /strong /p p 　　专门为操作气动级联中的UF6设计或制造的用耐UF6腐蚀材料制成或保护的集管管路系统。这种管路系统通常是“双头”集管系统，每级或每个级组连接一个集管头。 /p p 　　 strong 5.5.9 真空系统和泵 /strong /p p 　　(a)为在含UF6气氛中工作而专门设计或制造的由真空歧管、真空集管和真空泵组成的真空系统 /p p 　　(b)为在含UF6气氛中工作而专门设计或制造的用耐UF6腐蚀的材料制成或保护的真空泵。这些泵也可用氟碳密封和特殊工作流体。 /p p 　　 strong 5.5.10 特种截流阀和控制阀 /strong /p p 　　专门设计或制造的由耐UF6腐蚀材料制成或保护的直径为40mm或更大的可手动或自动的波纹管密封阀、截流阀和控制阀，用来安装在气动浓缩工厂的主系统和辅助系统中。 /p p 　　 strong 5.5.11 UF6质谱仪/离子源 /strong /p p 　　专门设计或制造的质谱仪，这些谱仪能从UF6气流中“在线”取得样品，并且具有以下所有特点： /p p 　　1. 能够测量320或更大原子质量单位的离子，且单位分辨率高于320 /p p 　　2. 离子源用镍、含镍60%或以上(按重量计)的镍铜合金或镍铬合金制成或保护 /p p 　　3. 电子轰击离子源 /p p 　　4. 有一个适合于同位素分析的收集器系统。 /p p 　　 strong 5.5.12 UF6/载气分离系统 /strong /p p 　　专门设计或制造的将UF6与载气(氢或氦)分离开来的过程系统。 /p p 　　注释 /p p 　　这些系统是为将载气中的UF6含量降至1ppm或更低而设计的，并可装有下述的设备： /p p 　　(a)低温热交换器和低温分离器，能承受153K(-120℃)或更低的温度 或 /p p 　　(b)低温制冷设备，能承受153K(-120℃)或更低的温度 或 /p p 　　(c)用于将UF6与载气分离开来的分离喷嘴或涡流管设备 或 /p p 　　(d)能冻结分离出UF6的冷阱。 /p p 　　 strong 5.6 专门设计或制造用于化学交换或离子交换浓缩工厂的系统、设备和部件 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　铀的几种同位素在质量上的微小差异，能引起化学反应平衡小的变化。这可用作同位素分离的基础。已经开发成功两种工艺过程：液-液化学交换过程和固-液离子交换过程。 /p p 　　在液-液化学交换过程中，两种不混溶的液相(水相和有机相)作逆流接触，结果给出数千分离级的级联效果。水相由含氯化铀的盐酸溶液组成 有机相由载氯化铀的萃取剂的有机溶剂组成。分离级联中使用的接触器可以是液-液交换柱(例如带有筛板的脉冲柱)，或是液体离心接触器。在分离级联的两端要求实现化学转化(氧化和还原)以保证各端的回流要求。一个重要的设计问题是避免这些过程物流被某些金属离子沾污。所以，一般使用塑料的、衬塑料的(包括用氟碳聚合物)和(或)衬玻璃的柱和管线。 /p p 　　在固-液离子交换过程中，浓缩是由铀在一种特制的作用很快的离子交换树脂或吸附剂上的吸附/解吸完成的。使铀的盐酸溶液和其他化学试剂，从载有吸附剂填充床的圆筒形浓缩柱中通过。就一个连续过程而言，需要有一个回流系统，以便把从吸附剂上解吸下来的铀返回到液流中，这样便可收集“产品”和“尾料”。这是通过使用适宜的还原/氧化化学试剂来完成的。这些试剂可在单独的外部系统中完全再生，并可在同位素分离柱内部分地再生。由于在这种工艺过程中有热的浓盐酸溶液存在，使用的设备应该用专门的耐腐蚀材料制造或保护。 /p p 　　 strong 5.6.1 液-液交换柱(化学交换) /strong /p p 　　为使用化学交换过程的铀浓缩工厂专门设计或制造的有机械动力输入的逆流液-液交换柱。为了耐浓盐酸溶液的腐蚀，这些交换柱及其内部构件一般用适宜的塑料(例如氟碳聚合物)或玻璃制作或保护。交换柱的级停留时间一般被设计得很短(30秒或更短)。 /p p 　　 strong 5.6.2 液-液离心接触器(化学交换) /strong /p p 　　为使用化学交换过程的铀浓缩工厂而专门设计或制造的液-液离心接触器。此类接触器利用转动来达到有机相与水相的分散，然后借助离心力来分离开这两相。为了耐浓盐酸溶液的腐蚀，这些接触器一般用适当的塑料(例如碳氟聚合物)或玻璃来制造或保护。离心接触器的级停留时间被设计得很短(30秒或更短)。 /p p 　　 strong 5.6.3 铀还原系统和设备(化学交换) /strong /p p 　　(a)为使用化学交换过程的铀浓缩工厂专门设计或制造的、用来将铀从一种价态还原为另一种价态的电化学还原槽。与过程溶液接触的这种槽的材料必须能耐浓盐酸溶液腐蚀。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这种槽的阴极室必须设计成能防止铀被再氧化到较高的价态。为了把铀保持在阴极室中，这种槽可有一个由特种阳离子交换材料制成的抗渗的隔膜。阴极一般由石墨之类适宜的固态导体组成。 /p p 　　(b)装在级联的产品端，为将有机相流中的U+4移出、调节酸浓度和向电化学还原槽供料而专门设计或制造的系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些系统由以下设备组成：将有机相流中的U+4反萃取到水溶液中的溶剂萃取设备，完成溶液pH值调节和控制的蒸发设备和(或)其他设备，以及向电化学还原槽供料的泵或其他输送装置。一个重要的设计问题是要避免水相流被某些种类的金属离子沾污。因此，对该系统那些接触这种过程物流的部分，要用适当的材料(例如玻璃、碳氟聚合物、聚苯硫酸酯、聚醚砜和用树脂浸过的石墨)制成或保护的设备来构成。 /p p 　 strong 　5.6.4 供料准备系统(化学交换) /strong /p p 　　专门设计或制造的用来为化学交换铀同位素分离工厂生产高纯氯化铀供料溶液的系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些系统由进行纯化所需的溶解设备、溶剂萃取设备和(或)离子交换设备，以及用来将U+6或U+4还原为U+3的电解槽组成。这些系统产生只含几个ppm的铬、铁、钒、钼和其他两价或价态更高的阳离子金属杂质的氯化铀溶液。处理高纯度U+3系统的若干部分的建造材料包括玻璃、碳氟聚合物、聚苯硫酸酯或聚醚砜塑料衬里的石墨和用树脂浸过的石墨。 /p p 　　 strong 5.6.5 铀氧化系统(化学交换) /strong /p p 　　专门设计或制造用于将U+3氧化为U+4以便返回化学交换浓缩过程的铀同位素分离级联的系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些系统可装有如下设备： /p p 　　(a)使氯气和氧气与来自同位素分离设备的水相流相接触的设备以及将所得U+4萃入由级联的产品端返回、已被反萃取过的有机相的设备 /p p 　　(b)使水与盐酸分离开来，以便水和加浓了的盐酸可在适当位置被重新引入工艺过程的设备。 /p p 　 strong 　5.6.6 快速反应离子交换树脂/吸附剂(离子交换) /strong /p p 　　为以离子交换过程进行铀浓缩而专门设计或制造的快速反应离子交换树脂或吸附剂包括：多孔大网络树脂，和(或)薄膜结构(在这些结构中，活性化学交换基团仅限于非活性多孔支持结构表面的一个涂层)，以及处于包括颗粒或纤维在内的任何适宜形式的其他复合结构。这些离子交换树脂/吸附剂的直径有0.2mm或更小，而且在化学性质上必须能耐浓盐酸溶液腐蚀，在物理性质上必须有足够的强度因而在交换柱中不被降解。这些树脂/吸附剂是专门为实现很快的铀同位素交换动力学过程(低于10秒的交换速率减半期)而设计的，并且能在373-473K(100-200℃)的温度范围内操作。 /p p 　　 strong 5.6.7 离子交换柱(离子交换) /strong /p p 　　为以离子交换过程进行铀浓缩而专门设计或制造的用于容纳和支撑离子交换树脂/吸附剂填充床层的直径大于1000mm的圆柱。这些柱一般用耐浓盐酸溶液腐蚀的材料(例如钛或碳氟塑料)制成或保护，并能在373-473K(100-200℃)的温度范围内和高于0.7MPa的压力下操作。 /p p 　 strong 　5.6.8 离子交换回流系统(离子交换) /strong /p p 　　(a)专门设计或制造的用于使离子交换铀浓缩级联中所用化学还原剂再生的化学或电化学还原系统。 /p p 　　(b)专门设计或制造的用于使离子交换铀浓缩级联中所用化学氧化剂再生的化学或电化学氧化系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　离子交换浓缩过程可使用例如Ti+3作为还原阳离子，在这种情况下，所用还原系统将通过还原Ti+4使Ti+3再生。 /p p 　　离子交换浓缩过程可使用例如Fe+3作为氧化剂，在这种情况下，所用氧化系统将通过氧化Fe+2来使Fe+3再生。 /p p 　　 strong 5.7 专门设计或制造用于以激光为基础的浓缩工厂的系统、设备和部件 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　目前利用激光的浓缩过程的系统有两类：一类是过程介质为原子铀蒸气的系统，另一类是过程介质为铀化合物蒸气的系统。这些过程的通用名称包括：第一类——原子蒸气激光同位素分离(AVLIS或SILVA) 第二类——分子激光同位素分离(MLIS或MOLLS)，包括同位素选择性激光活化化学反应(CRISLA)。 /p p 　　用于激光浓缩厂的系统、设备和部件包括：(a)铀金属蒸气供料装置(用于选择性光电离)或铀的化合物蒸气供料装置(用于选择性光离解或化学活化) (b)第一类中作为“产品”和“尾料”浓缩的铀金属和贫化的铀金属收集装置，和第二类中作为“产品”的浓缩的铀化合物和作为“尾料”的贫化的铀化合物的收集装置 (c)用于选择性地激发铀-235的激光过程系统 和(d)供料准备设备及产品转化设备。鉴于铀原子和铀化合物能谱的复杂性，可能需要与现有激光和激光光学技术中的任何一种联合使用。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　本节所列的许多物项将直接接触铀金属蒸气、液态金属铀，或由UF6或UF6和其他气体的混合物组成的过程气体。所有与铀或UF6接触的表面，都全部由耐腐蚀材料制造或保护。就有关基于激光的浓缩的物项而言，耐铀金属或铀合金蒸气或液体腐蚀的材料包括：氧化钇涂敷石墨和钽 耐UF6腐蚀的材料包括：铜、铜合金、不锈钢、铝、氧化铝、铝合金、镍或镍含量60%(按重量计)或以上的合金和氟化的烃聚合物。 /p p 　　 strong 5.7.1 铀蒸发系统(AVLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的铀蒸发系统，供用于激光浓缩。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些系统可能含有电子束枪，设计供到靶上的功率(1kW或更大)足以按激光浓缩功能要求的速率产生铀金属蒸气。 /p p 　　 strong 5.7.2 液态或蒸气铀金属处理系统(AVLIS)和部件 /strong /p p 　　专门设计或制造的用于激光浓缩的熔融铀、熔融铀合金或铀金属蒸气处理系统，或为这些系统专门设计或制造的部件。 /p p 　 strong 　注释 /strong /p p 　　液态金属铀处理系统可包括坩埚及其冷却设备。这种系统的坩埚和其他接触熔融铀、熔融铀合金或铀金属蒸气的部分，要用有适当的耐腐蚀和耐高温性能的材料制成或保护。适当的材料可包括钽、氧化钇涂敷石墨、用其他稀土氧化物(见《核两用品及相关技术出口管制清单》)或其混合物涂敷的石墨。 /p p 　　 strong 5.7.3 铀金属“产品”和“尾料”收集器组件(AVLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造用于收集液态或固态铀金属的“产品”和“尾料”收集器组件。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些组件的部件由耐铀金属蒸气或液体的高温和腐蚀性的材料(例如氧化钇涂敷石墨或钽)制成或保护。这类部件可包括用于磁、静电或其他分离方法的管、阀、管接头、“出料槽”、进料管、热交换器和收集板。 /p p 　　 strong 5.7.4 分离器组件外壳(AVLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的圆筒状或矩形容器，用于容纳铀金属蒸气源、电子束枪，及“产品”与“尾料”收集器。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些外壳有多种样式的开口，用于供电线路、供水管、激光束窗、真空泵接头及仪器仪表诊断和监测。这些开口均设有开闭装置，以便整修内部的部件。 /p p 　　 strong 5.7.5 超声膨胀喷嘴(MLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的超声膨胀喷嘴，用于冷却UF6与载气的混合气至150K(-123℃)或更低的温度。这种喷嘴耐UF6腐蚀。 /p p 　　 strong 5.7.6 “产品”或“尾料”收集器(MLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的用于在激光照射后收集铀产品材料或铀尾料材料的部件或设备。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　例如，产品收集器的作用是收集浓缩UF5固态材料。这种收集器可包括过滤式、冲击式或旋流式收集器，或其组合 并且耐UF5/UF6环境的腐蚀。 /p p 　　 strong 5.7.7 UF6/载气压缩机(MLIS) /strong /p p 　　为在UF6环境中长期操作而专门设计或制造的UF6/载气混合气压缩机。这些压缩机中与过程气体接触的部件用耐UF6腐蚀的材料制成或保护。 /p p 　 strong 　5.7.8 转动轴封(MLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的带密封进气口和出气口的转动轴封，用于密封把压缩机转子与驱动马达连接起来的转动轴，以保证可靠的密封，防止过程气体外漏，或空气或密封气体漏入充满UF6/载气混合气的压缩机内腔。 /p p 　　 strong 5.7.9 氟化系统(MLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的用于将UF5(固体)氟化为UF6(气体)的系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这些系统是为将所收集的UF5粉末氟化为UF6而设计的。其UF6随后将被收集于产品容器中，或作为进料被转送到为进行进一步浓缩而设置的MLIS单元中。在一种方案中，这种氟化反应可在同位素分离系统内部完成，以便一离开“产品”收集器便反应和回收。在另一种方案中，UF5粉末将被从“产品”收集器中移出/转送到一个适当的反应容器(例如流化床反应器、螺旋反应器或火焰塔式反应器)中进行氟化。在这两种方案中，都使用氟气(或其他适宜的氟化剂)贮存和转送设备，以及UF6收集和转送设备。 /p p 　　 strong 5.7.10 UF6质谱仪/离子源(MLIS) /strong /p p 　　专门设计或制造的质谱仪，这些质谱仪能从UF6气流中“在线”取得样品，并且具有以下所有特点： /p p 　　1.能够测量320或更大原子质量单位的离子，且单位分辨率高于320 /p p 　　2. 离子源用镍、含镍60%或以上(按重量计)的镍铜合金或镍铬合金制成或保护 /p p 　　3. 电子轰击离子源 /p p 　　4. 有一个适合于同位素分析的收集器系统。 /p p 　　 strong 5.7.11 进料系统/产品和尾料提取系统(MLIS) /strong /p p 　　为浓缩厂专门设计或制造的工艺系统或设备，用耐UF6腐蚀的材料制成或保护，包括： /p p 　　(a)供料釜、加热炉或系统，用于将UF6送入浓缩过程 /p p 　　(b)凝华器(或冷阱)，用于从浓缩过程中移出UF6，供下一步加热转移 /p p 　　(c)固化或液化器，用于通过压缩UF6并将其转换为液态形式或固态形式，从浓缩过程中移出UF6 /p p 　　(d)“产品”器或“尾料”器，用于把UF6收集到容器中。 /p p 　　 strong 5.7.12 UF6/载气分离系统(MLIS) /strong /p p 　　为将UF6从载气中分离出来专门设计或制造的工艺系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这类系统可装有如下设备： /p p 　　(a)低温热交换器或低温分离器，能承受153K(-120℃)或更低的温度 或 /p p 　　(b)低温冷冻器，能承受153K(-120℃)或更低的温度 或 /p p 　　(c)能冻结分离出UF6的冷阱。 /p p 　　载气可为氮、氩或其他气体。 /p p 　　 strong 5.7.13 激光系统(AVLIS，MLIS和CRISLA) /strong /p p 　　为铀同位素分离专门设计或制造的激光器或激光系统。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　在以激光为基础的浓缩过程中有重要意义的激光器和激光部件包括《核两用品及相关技术出口管制清单》中所列的那些激光器和激光部件。激光系统一般包含用于管理激光束(一个或多个)和向同位素分离室发射激光束的光学和电子部件。AVLIS过程使用的激光系统通常由两个激光器组成：一个铜蒸气激光器或某些固体激光器和一个可调染料激光器。MLIS使用的激光系统通常由一个CO2激光器或受激准分子激光器和一个多程光学池(两端有旋转镜)组成。这两种过程使用的激光器或激光系统都需要有一个谱频稳定器以便能够长时间地工作。 /p p 　　 strong 5.8 专门设计或制造的用于等离子体分离浓缩厂的系统、设备和部件 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　在等离子体分离过程中，铀离子等离子体通过一个调到铀-235 离子共振频率的电场，使铀-235离子优先吸收能量并增大它们螺旋状轨道的直径。具有大直径径迹的离子被捕集从而产生铀-235 被浓集的产品。由电离的铀蒸气组成的等离子体被约束在由超导磁体产生的高强度磁场的真空室内。这个过程的主要技术系统包括铀等离子体发生系统、带有超导磁体(见《核两用品及相关技术出口管制清单》)的分离器组件和用于收集“产品”和“尾料”的金属移出系统。 /p p 　 strong 　5.8.1 微波动力源和天线 /strong /p p 　　为产生或加速离子专门设计或制造的微波动力源和天线，具有以下特性：频率高于30GHz，且用于产生离子的平均功率输出大于50kW。 /p p 　　 strong 5.8.2 离子激发线圈 /strong /p p 　　专门设计或制造的射频离子激发线圈，用于高于100kHz的频率并能够输送的平均功率高于40kW。 /p p 　 strong 　5.8.3 铀等离子体发生系统 /strong /p p 　　为产生铀等离子体专门设计或制造的系统，供等离子体分离浓缩厂使用。 /p p 　 strong 　5.8.4 铀金属“产品”和“尾料”收集器组件 /strong /p p 　　专门设计或制造的用于固态铀金属的“产品”和“尾料”收集器组件。这类收集器组件由抗热和抗铀金属蒸气腐蚀的材料构成或由这类材料作防护层，例如有钇涂层的石墨或钽。 /p p 　　 strong 5.8.5 分离器组件外壳 /strong /p p 　　专门设计或制造的圆筒形容器，供等离子体分离浓缩厂用来容纳铀等离子体源、射频驱动线圈及“产品”和“尾料”收集器。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　这种外壳有多种形式的开口，用于供电线路、扩散泵接头及仪器仪表诊断和监测。这些开口设有开闭装置，以便整修内部部件 它们由适当的非磁性材料例如不锈钢构成。 /p p 　　 strong 5.9 专门设计或制造的用于电磁浓缩厂的系统、设备和部件 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　在电磁过程中，由一种盐原料(典型的是四氯化铀)离子化产生的金属铀离子被加速并通过一个能使不同同位素离子沿不同轨迹运动的磁场。电磁同位素分离器的主要部件包括：同位素离子束分散/分离用的磁场、离子源及其加速系统和收集经分离的离子的系统。这个过程的辅助系统包括磁体供电系统、离子源高压供电系统、真空系统以及产品回收及部件的清洁/再循环用多种化学处理系统。 /p p 　　 strong 5.9.1 同位素电磁分离器 /strong /p p 　　为分离铀同位素专门设计或制造的同位素电磁分离器及其设备和部件包括： /p p 　　 strong (a)离子源 /strong /p p 　　专门设计或制造的单个或多个铀离子源由蒸气源、电离器和束流加速器组成，用石墨、不锈钢或铜等适当材料制造，能提供总强度为50mA或更高的离子束流。 /p p 　　 strong (b)离子收集器 /strong /p p 　　收集器板极由专门为收集浓缩和贫化铀离子束而设计或制造的两个或多个槽和容器组成，用石墨或不锈钢一类的适当材料制造。 /p p 　 strong 　(c)真空外壳 /strong /p p 　　为铀电磁分离器专门设计或制造的真空外壳，用不锈钢一类适当的非磁性材料制造，设计在0.1Pa或以下的压力下运行。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　外壳专门设计成装有离子源、收集器板极和水冷却管路，并有用于扩散泵连接结构和可用来移出和重新安装这些部件的开闭结构。 /p p 　　 strong (d)磁极块 /strong /p p 　　专门设计或制造的磁极块，直径大于2m，用来在同位素电磁分离器内维持恒定磁场并在毗连分离器之间传输磁场。 /p p 　　 strong 5.9.2 高压电源 /strong /p p 　　为离子源专门设计或制造的高压电源，具有以下所有特点：能连续工作，输出电压为20000V或更高，输出电流为1A或更大，电压稳定性在8小时内高于0.01%。 /p p 　 strong 　5.9.3 磁体电源 /strong /p p 　　专门设计或制造的高功率直流磁体电源，具有以下所有特点：能在100V或更高的电压下持续产生500A或更大的电流输出，电流或电压稳定性在8小时内高于0.01%。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 6. 生产和浓集重水、氘和氘化物的工厂和专门为其设计或制造的设备 /strong /span /p p 　　 strong 按语 /strong /p p 　　重水可以通过多种方法生产。然而只有两种方法已证明具有商业意义：水-硫化氢交换法(GS法)和氨-氢交换法。 /p p 　　GS法是基于在一系列塔内(通过顶部冷和底部热的方式操作)水和硫化氢之间氢与氘交换的一种方法。在此过程中，水向塔底流动，而硫化氢气体从塔底向塔顶循环。使用一系列多孔塔板促进硫化氢气体和水之间的混合。在低温下氘向水中迁移，而在高温下氘向硫化氢中迁移。氘被浓缩了的硫化氢气体或水从第一级塔的热段和冷段的接合处排出，并且在下一级塔中重复这一过程。最后一级的产品(氘浓缩至30%的水)送入一个蒸馏单元以制备反应堆级的重水(即99.75%的氧化氘)。 /p p 　　氨-氢交换法可以在催化剂存在下通过同液态氨的接触从合成气中提取氘。合成气被送进交换塔，而后送至氨转换器。在交换塔内气体从塔底向塔顶流动，而液氨从塔顶向塔底流动。氘从合成气的氢中洗涤下来并在液氨中浓集。液氨然后流入塔底部的氨裂化器，而气体流入塔顶部的氨转换器。在以后的各级中进一步浓缩，最后通过蒸馏生产出反应堆级重水。合成气进料可由氨厂提供，而这个氨厂也可以结合氨-氢交换法重水厂一起建造。氨-氢交换法也可以用普通水作为氘的供料源。 /p p 　　利用GS法或氨-氢交换法生产重水的工厂所用的许多关键设备物项是与化学工业和石油工业的若干生产工序所用设备相同的。对于利用GS法的小厂来说尤其如此。然而，这种设备物项很少有“现货”供应。GS法和氨-氢交换法要求在高压下处理大量易燃、有腐蚀性和有毒的流体。因此，在制定使用这些方法的工厂和设备所用的设计和运行标准时，要求认真注意材料的选择和材料的规格，以保证在长期服务中有很高的安全性和可靠性。规模的选择主要取决于经济性和需要。因而，大多数设备物项将按照用户的要求制造。 /p p 　　最后，应该指出，对GS法和氨-氢交换法而言，那些单独地看并非专门设计或制造用于重水生产的设备物项可以组装成专门设计或制造用于生产重水的系统。氨-氢交换法所用的催化剂生产系统和在上述两种方法中将重水最终加浓至反应堆级所用的水蒸馏系统就是此类系统的实例。 /p p 　　专门设计或制造用于利用GS法或氨-氢交换法生产重水的设备物项包括如下： /p p 　　 strong 6.1 水-硫化氢交换塔 /strong /p p 　　专门设计或制造用于利用GS法生产重水的交换塔。该塔直径1.5m或更大，能够在大于或等于2MPa压力下运行。 /p p 　　 strong 6.2 鼓风机和压缩机 /strong /p p 　　专门为利用GS法生产重水而设计或制造的用于循环硫化氢气体(即含H2S70%以上的气体)的单级、低压头(即0.2MPa)离心式鼓风机或压缩机。这些鼓风机或压缩机的气体通过能力大于或等于56 m3/s，能在大于或等于1.8MPa的吸入压力下运行，并有对湿H2S介质的密封设计。 /p p 　　 strong 6.3 氨-氢交换塔 /strong /p p 　　专门设计或制造用于利用氨-氢交换法生产重水的氨-氢交换塔。该塔高度大于或等于35m，直径1.5m至2.5m，能够在大于15MPa压力下运行。这些塔至少都有一个用法兰联接的轴向孔，其直径与交换塔筒体直径相等，通过此孔可装入或拆除塔内构件。 /p p 　 strong 　6.4 塔内构件和多级泵 /strong /p p 　　专门为利用氨-氢交换法生产重水而设计或制造的塔内构件和多级泵。塔内构件包括专门设计的促进气/液充分接触的多级接触装置。多级泵包括专门设计的用来将一个接触级内的液氨向其他级塔循环的水下泵。 /p p 　　 strong 6.5 氨裂化器 /strong /p p 　　专门设计或制造的用于利用氨-氢交换法生产重水的氨裂化器。该装置能在大于或等于3MPa的压力下运行。 /p p 　　 strong 6.6 红外吸收分析器 /strong /p p 　　能在氘浓度等于或高于90%的情况下“在线”分析氢/氘比的红外吸收分析器。 /p p 　　 strong 6.7 催化燃烧器 /strong /p p 　　专门设计或制造的用于利用氨-氢交换法生产重水时将浓缩氘气转化成重水的催化燃烧器。 /p p 　　 strong 6.8 整体重水提浓系统，或其蒸馏塔 /strong /p p 　　专门设计或制造用于将重水提浓至反应堆级氘浓度的整体重水提浓系统，或其蒸馏塔。 /p p 　　 strong 注释 /strong /p p 　　通常采用水蒸馏技术从轻水中分离重水的这些系统是专门设计或制造用于由浓度较低的重水原料生产反应堆级重水的(即典型地99.75%氧化氘)。 /p p 　　 strong 6.9 氨合成转换器或合成器 /strong /p p 　　专门设计或制造的用于利用氨-氢交换法生产重水的氨合成转换器或合成器。 /p p 　　注释 /p p 　　这些转换器或合成器从氨/氢高压交换塔获得合成气体(氮和氢)，而合成氨则返回到交换塔里。 /p p 　 strong 　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 7. 分别如4.和5.所定义的用于燃料元件制造和铀同位素分离的铀和钚转换厂和专门为其设计或制造的设备 /span /strong /p p 　　出口 /p p 　　只有遵照《中华人民共和国核出口管制条例》所规定的程序才能出口本条款范围之内的成套主要设备。在本条款范围之内的所有工厂、系统和专门设计或制造的设备可用于处理、生产或使用特种可裂变材料。 /p p 　　 strong 7.1 铀转化厂及专门为其设计或制造的设备 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　铀转化厂和系统可以对铀进行一种或几种转化使其从一种化学状态转变为另一种化学状态，包括：从铀矿石浓缩物到UO3的转化 从UO3到UO2的转化 从铀的氧化物到UF4或UF6的转化 从UF4到UF6的转化 从UF6到UF4的转化 从UF4到金属铀的转化 以及从铀的氟化物到UO2的转化。铀转化工厂所用许多关键设备物项与化学加工工业的若干生产工序所用设备相同。例如，这些过程中使用的各类设备可以包括：加热炉、回转炉、流化床反应器、火焰塔式反应器、液体离心机、蒸馏塔和液-液萃取塔。不过，这些物项中很少有“现货”供应，大部分将须按用户要求和规格制造。在某些情况下，为了适应所处理的一些化学品(HF、F2、ClF3和各种铀的氟化物)的腐蚀性质，需要作专门的设计和建造考虑。最后应该指出，在所有铀转化过程中，那些单独地看不是为铀转化专门设计或制造的设备物项，可被组装成专门为铀转化而设计或制造的系统。 /p p 　　 strong 7.1.1 将铀矿石浓缩物转化为UO3而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从铀矿石浓缩物到UO3的转化可通过以下步骤实现：首先，用硝酸溶解铀矿石浓缩物，用磷酸三丁酯之类溶剂萃取纯化的硝酸铀酰 然后，硝酸铀酰通过浓缩和脱硝转化为UO3，或用气态氨中和产生重铀酸铵，接着通过过滤、干燥和煅烧转化为UO3。 /p p 　 strong 　7.1.2 为将UO3转化为UF6而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UO3到UF6的转化可以直接通过氟化实现。该过程需要一个氟气源或三氟化氯源。 /p p 　　 strong 7.1.3 为将UO3转化为UO2而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UO3到UO2的转化，可以用裂解的氨气或氢气还原UO3来实现。 /p p 　　 strong 7.1.4 为将UO2转化为UF4而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UO2到UF4的转化，可以用氟化氢气体(HF)在300—500℃与UO2反应来实现。 /p p 　　 strong 7.1.5 为将UF4转化为UF6而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UF4到UF6的转化，可以用氟气在塔式反应器中与UF4发生放热反应来实现。使流出气体通过一个冷却到-10℃的冷阱把热的流出气体中的UF6冷凝下来。该过程需要一个氟气源。 /p p 　　 strong 7.1.6 为将UF4转化为金属铀而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UF4到金属铀的转化，可用镁(大批量)或钙(小批量)还原UF4来实现。还原反应一般在高于铀熔点(1130℃)的温度下进行。 /p p 　　 strong 7.1.7 为将UF6转化为UO2而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UF6到UO2的转化，可用三种方法来实现。在第一种方法中，用氢气和水蒸气将UF6还原并水解为UO2。在第二种方法中，通过溶解在水中而将UF6水解，然后加入氨沉淀出重铀酸铵，接着可在820℃用氢气将重铀酸铵还原为UO2。在第三种方法中，将气态UF6、CO2和NH3通入水中，结果沉淀出碳酸铀酰铵。在500-600℃，碳酸铀酰铵与水蒸气和氢气发生反应，生成UO2。 /p p 　　从UF6到UO2的转化，通常是燃料制造厂的第一个工序。 /p p 　　 strong 7.1.8 为将UF6转化为UF4而专门设计或制造的系统 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UF6到UF4的转化，是用氢还原实现的。 /p p 　　 strong 7.1.9 为将UO2转化为UCl4而专门设计或制造的设备 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　从UO2到UCl4转化可通过两个流程之一。在第一个流程中，在大约400℃的温度下，UO2与四氯化碳(CCl4)发生反应。在第二个流程中，在大约700℃的温度下，以及存在炭黑(CAS1333-86-4)、一氧化碳的条件下，UO2与氯发生反应产生UCl4。 /p p 　　 strong 7.2 钚转化厂和专门为其设计或制造的设备 /strong /p p strong 　　按语 /strong /p p 　　钚转化厂和系统可以对钚进行一种或几种转化使其从一种化学状态转化为另一种化学状态。包括，从硝酸钚到PuO2的转化 从PuO2到PuF4的转化 以及从PuF4到钚金属的转化。通常钚转化厂与后处理设施相关，但是，也可能与钚燃料元件制造设施相关。许多钚转化厂的关键设备物项与化学加工工业的若干生产工序所用设备相同。例如，这些过程中使用的各类设备可以包括：加热炉、回转炉、流化床反应器、火焰塔式反应器、液体离心机、蒸馏塔和液-液萃取塔。也需要热室、手套箱和遥控机械手。但是，这些物项很少有“现货”供应，大部分须按用户的要求和规格制造。对与钚有关的特殊的放射性、毒性和临界危险特别仔细的设计是关键的。在某些情况下，为了适应所处理的一些化学品(例如HF)的腐蚀性质，需要作专门的设计和建造考虑。最后应该注意，在所有的钚转化流程中，那些单独地看不是为钚转化专门设计或制造的设备物项，可被组装成专门为钚转化而设计或制造的系统。 /p p 　 strong 　7.2.1 为将硝酸钚转化到氧化钚而专门设计或制造的设备 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　该流程包括的主要功能为：流程供料贮存和调料、沉淀和固-液分离，煅烧、产品处理、通风、废物管理，以及流程控制。流程系统经过特别的设计，以避免发生临界和辐射效应，以及使得毒性危险最小。在大多数后处理设施中，这一流程包括将硝酸钚转化到氧化钚。其它流程可能包括草酸钚或过氧化钚的沉淀。 /p p 　　 strong 7.2.2 为生产钚金属而专门设计或制造的设备 /strong /p p strong 　　注释 /strong /p p 　　该流程通常包括氧化钚的氟化，通常以高腐蚀性的氢氟酸来生产氟化钚，而后用高纯钙金属还原生成金属钚和氟化钙残渣。该流程所包括的主要功能是氟化(例如，包括采用贵重金属制造的或作为内衬的设备)、金属还原(例如，使用陶瓷坩埚)、残渣回收、产品处理、通风、废物管理和流程控制。流程系统经过特别的设计，以避免发生临界和辐射效应，以及使得毒性危险最小。其它流程包括草酸钚或过氧化钚的氟化，然后还原至金属。 /p

据路透社报道，美国商务部于当地时间10月6日将42家中国企业列入出口管制清单，美方指责这些企业“支持俄罗斯国防工业基础”。对于美国以涉俄因素等为由将中企列入出口管制“实体清单”，中方此前已明确表明立场。报道称，另有7个实体也被美方列入出口管制清单，其中包括来自芬兰、德国、印度、土耳其、阿联酋和英国的实体。报道称，美国供应商在向出口管制清单上的实体供应货物时须获得美国政府的许可。42家中国企业列入出口管制清单具体名单如下：1.Ace Electronics (HK) Co., Limited；2.Alliance Electro Tech Co., Limited 3.Alpha Trading Investments Limited 4.Asialink Shanghai Int’l Logistics Co., Ltd 5.Benico Limited 6.C & I Semiconductor Co., Ltd 7.Check IC Solution Limited 8.Chengdu Jingxin Technology Co. Ltd 9.China Shengshi International Trade Ltd. 10.E-CHIPS SOLUTION Co. Ltd.11.Farteco Limited (FARTECO LIMITED)12.Glite Electronic Technology Co., Limited13.Global Broker Solutions Limited 14.GRANTS PROMOTION SERVICE LIMITED15.Guangdong Munpower Electronic Commerce Co.,ltd16.Huayuanshitong Technology Co. Ltd17.IMAXChip18.Insight Electronics 19.Kingford PCB Electronics Co., Ltd. 20.Kobi International Company21.Most Technology Limited 22New Wally Target International Trade Co., Limited 23.Nuopuxun Electronic Technology Co., Limited24.Onstar Electronics Co. Ltd25.PT Technology Asia Limited 26.Robotronix Semiconductors Limited27.Rui En Koo Technology Co. Ltd 28. Shaanxi Yingsaeir Electronic Technology Co. Ltd. 29.Shanghai IP3 Information Technology Co. Ltd30.Shenzhen One World International Logistics Co., Limited 31.Shvabe Opto-Electronics Co. LTD. 32.Suntop Semiconductor Co., LTD33.Tordan Industry Limited34.TYT Electronics Co. Ltd. 35.UCreate Electronics Group 36.Wargos Industry Limited37.Xin Quan Electronics Hong Kong Co., Limited 38.ZeYuan Technology Limited 39.Zhejiang Foso Electronics Technology Co. Ltd.40.Zixis Limited 41.Zone Chips Electronics Hong Kong Co., Limited.42.Win Key Limited+据了解，被列入实体名单的主要影响是供应链限制。如果某家企业在供应链上并不依赖美国设备、零部件、软件或技术，则列入实体名单对该企业的影响很小。反之，如果某家企业在较大程度上依赖于美国供应链，则列入实体名单可能对企业经营甚至存亡造成重大影响。就美商务部将部分中国实体列入出口管制“实体清单”，商务部新闻发言人表示：“中方注意到有关情况。美方在短时间内，再次以所谓涉俄为由，将中国一些企业列入出口管制“实体清单”。美方泛化国家安全，滥用出口管制措施，对中国企业肆意实施单边制裁和“长臂管辖”，这是典型的经济胁迫和单边主义霸凌行径，中方对此坚决反对。美方应立即纠正错误做法，停止对中国企业的无理打压。中方将采取一切必要措施，坚决维护中国企业的合法权益。”

p 　　针对美拟将14项关键技术列入出口管制清单，商务部新闻发言人高峰表示，中方认为科技发展成果应该得到有效保护，同时也应该让世界各国人民共享。 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201901/uepic/e060d5b8-9911-4f07-8fd8-e5afd48b1721.jpg" title=" 商务部回应.jpg" alt=" 商务部回应.jpg" / /p p style=" text-align: center " 　　资料图：商务部新闻发言人高峰。 /p p 　　会上，有记者提问，美国14项关键技术出口管制12日结束征求意见，尽管反对声强烈，但美国商务部预计将发布正式提案。请问商务部对此有何评价? /p p 　　高峰表示，我们注意到，在美方就14类基础和新兴技术列入出口管制清单公开征求意见期间，美国国内和其他一些国家的相关行业组织、企业和研究机构，普遍表达了担忧，认为此举可能会泛化国家安全，导致出口管制被滥用，将损害各国和平利用新兴技术的权利，阻碍全球的科技进步。 /p p 　　高峰强调，中方始终认为，科技发展成果应该得到有效的保护，同时也应该让世界各国人民共享。希望有关国家审慎处理，采取建设性的举措，避免给正常的国际贸易和科技合作带来影响。 /p

据日本共同社报道，知情人士透露，拜登政府计划扩大对中国全面半导体出口管制的范围，旨在配合日本升级后的限制，东京将从7月起在现有清单中添加23种设备，其中部分将超出美国目前的限制，如先进制程所需的各种用于清洁、蚀刻的尖端设备。据信，一名美国高级官员已将该计划告知日本和荷兰，这可能会导致华盛顿和北京之间的关系进一步摩擦。与该报道相呼应，美国商务部工业与安全局高级出口政策分析师Sharron Cook日前也透露，BIS正在“日复一日”（day-in and day-out）地制定一项最终规则，该规则将对去年10月份发布的与中国相关的芯片出口管制进行调整。BIS监管政策总监Hillary Hess表示，该规则不会立即公开发布，该机构尚未将变更内容发送给其他机构审查。

不知道各位有没有关注到一个新闻，7月3日，中国相关部门发布公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。镓金属为什么这么重要，矿石中获取镓金属，X荧光光谱仪又能怎么样作用。金属镓在全球中主要分布在中国、德国、法国、澳大利亚、哈萨克斯坦等国，其中我国镓资源储量占世界总量的95%以上，主要分布在山西、贵州、云南、河南、广西等地，在分布类型上来看，山西、山东等地主要存在于铝土矿中，云南等地存在于锡矿中，湖南等地主要存在于闪锌矿中。镓金属刚被发现之初，由于他的应用没有相应研究，人们一直认为该金属是一种可用性不强的金属，然而随着信息技术的不断发展，新能源与高科技并进的时代，镓金属在信息领域作为一种重要材料才得以受到关注，其需求量也得到大幅提升。尽管我国是世界上镓主产国之一，但是我国的镓行业还存在不少问题，由于镓是伴生矿，含量不高，镓生产企业分散，产业链存在薄弱环节，开采过程有较为严重的环境污染，高纯镓生产能力较弱，主要靠于低价出口粗镓，高价进口精镓。然而，科学技术的发展和人民生活水平的提高，镓在信息领域和能源领域的广泛应用，其需求量也将会迅猛增加。镓跟其他金属元素相比，在金属矿石中的浓度很低，镓元素是铝土矿加工的副产品，剩下的是锌加工残渣，铝土矿中的镓含量平均在百万分之五十，它是目前镓主要来源途径，而在一些锌矿石中，也含有高达百万分之五十镓。世界铝土矿资源中的镓含量预计有100多万吨，而世界锌矿中，可能含有的同样数量的镓元素。镓金属属于存储型，并非开采型。X荧光光谱仪在矿石开采中，可对矿石中各元素含量做快速检测分析，配合不断发展的高纯镓生产技术，推动我国相关产业的发展，研发新技术，为实现我国科学技术高质量发展具有重要意义。

7月3日，商务部联合海关总署发布公告，根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制。根据公告，镓相关物项包括金属镓、氮化镓、氧化镓等8项，锗相关物项包括金属锗、区熔锗锭、磷锗锌等6项。公告显示，该出口管制将于8月1日生效。据了解，镓、锗及其化合物是半导体制造中不可或缺的原材料，而中国生产了全世界90%以上的镓、锗及其化合物。镓的化合物氮化镓是重要的第三代半导体材料，GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场。由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。半导体行业是镓最大的消费领域，约占总消费量的80%。锗及化合物用于各种光学仪器，如红外光学，在军事上用途较大，还用于太阳能。中国锗产量占全球锗产量的72%，另外一个产锗大国是俄罗斯，美国也产锗，但内部使用都不够，大量从中国进口。2021年，我国企业成功研制出13N(即99.99999999999%)超高纯锗单晶。公告原文如下：商务部 海关总署公告2023年第23号 关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告【发布单位】安全与管制局【发布文号】商务部公告2023年第23号【发文日期】2023年07月03日根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制。有关事项公告如下：一、满足以下特性的物项，未经许可，不得出口：（一）镓相关物项。1.金属镓（单质）（参考海关商品编号：8110929010、8112929090、8112999000）。2.氮化镓（包括但不限于晶片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2850001901、3818009001、3825690001）。3.氧化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2825909001、3818009002、3825690002）。4.磷化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片等形态）（参考海关商品编号：2853904030、3818009003、3825690003）。5.砷化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853909026、3818009004、3825690004）。6.铟镓砷（参考海关商品编号：2853909028、3818009005、3825690005）。7.硒化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2842909024、3818009006、3825690006）。8.锑化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853909029、3818009007、3825690007）。（二）锗相关物项。1.金属锗（单质，包括但不限于晶体、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：8112921010、8112921090、8112991000）。2.区熔锗锭（参考海关商品编号：8112921090）。3.磷锗锌（包括但不限于晶体、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853904040、3818009008、3825690008）。4.锗外延生长衬底（参考海关商品编号：8112921090）。5.二氧化锗（参考海关商品编号：2825600002、3818009009、3825690009）。6.四氯化锗（参考海关商品编号：2827399001、3818009010、3825690010）。二、出口经营者应按照相关规定办理出口许可手续，通过省级商务主管部门向商务部提出申请，填写两用物项和技术出口申请表并提交下列文件：（一）出口合同、协议的原件或者与原件一致的复印件、扫描件；（二）拟出口物项的技术说明或者检测报告；（三）最终用户和最终用途证明；（四）进口商和最终用户情况介绍；（五）申请人的法定代表人、主要经营管理人以及经办人的身份证明。三、商务部应当自收到出口申请文件之日起进行审查，或者会同有关部门进行审查，并在法定时限内作出准予或者不予许可的决定。对国家安全有重大影响的本公告所列物项的出口，商务部会同有关部门报国务院批准。四、经审查准予许可的，由商务部颁发两用物项和技术出口许可证件（以下简称出口许可证件）。五、出口许可证件申领和签发程序、特殊情况处理、文件资料保存年限等，依照商务部、海关总署令2005年第29号（《两用物项和技术进出口许可证管理办法》）的相关规定执行。六、出口经营者应当向海关出具出口许可证件，依照《中华人民共和国海关法》的规定办理海关手续，并接受海关监管。海关凭商务部签发的出口许可证件办理验放手续。七、出口经营者未经许可出口、超出许可范围出口或有其他违法情形的，由商务部或者海关等部门依照有关法律法规的规定给予行政处罚。构成犯罪的，依法追究刑事责任。八、本公告自2023年8月1日起正式实施。                                                                     商务部 海关总署                                                                       2023年7月3日

美国于今年10月出台了对华芯片出口管制措施，《日本经济新闻》11月2日爆料，就上述措施，美国敦促日本等盟国跟进，出台类似的措施。报道援引日本政府相关人士的话声称，日本政府考虑跟从美方的意向，正在探讨日本能够采用哪些美方已出台的对华出口管制措施，并关注欧盟和韩国对此事的态度。但另一方面，报道也提到，针对这种情况及由此可能带来的后果，日本半导体企业正提高警惕。《日本经济新闻》称，美国商务部10月7日出台了一系列对华限制措施。据美媒此前报道，该措施包括禁止将使用美国设备制造的某些芯片销售给中国。此外，美国政府还将31家中国公司、研究机构和其他团体列入所谓“未经核实的名单”，限制它们获得某些受监管的美国半导体技术的能力。报道称，针对有关对华限制措施，美方敦促日本等盟国与美国保持步调一致，出台类似的措施，限制高端半导体等产品的对华出口。针对中国，美国计划与盟国“合作”，加强限制性措施的效果，从而让中国难以获得或生产高端半导体。就这种管制措施，日本经济产业大臣在11月1日的记者会上宣称：“正在与美国进行沟通，并听取日本国内企业的意见。”《日本经济新闻》提及，针对这种动向和由此可能带来的后果，日本半导体行业企业正提高警惕。报道称，日本业界人士担忧：“如果中国生产高端半导体受到阻碍，对日本生产的制造半导体的设备的需求就会减少。”中国是全球最大的半导体市场，美国半导体企业如英特尔、高通、德州仪器等来自中国市场的营收占比均非常高。关于美方上述有关措施，彭博社此前报道称，美国政府宣布对中国进口美国半导体技术的新限制，一方面让两国之间的关系更加紧张，另一方面给已受困于需求下滑的美国芯片业带来新的复杂因素。美国半导体设备企业泛林集团（又称拉姆研究）10月19日公布的财报显示，受有关禁令影响，该集团2023年的营收或将锐减20亿至25亿美元。针对美国商务部10月宣布对芯片实施新的出口管制一事，中国外交部发言人毛宁10月8日回应称，美国出于维护科技霸权的需要，滥用出口管制措施，对中国企业进行恶意的封锁和打压，这种做法背离公平竞争原则，违反国际经贸规则，不仅损害中国企业的正当权益，也将影响美国企业的权益。毛宁8日强调，这种做法阻碍国际科技交流和经贸合作，对全球产业链供应链的稳定和世界经济恢复都会造成冲击。美方将科技和经贸问题政治化、工具化、武器化阻挡不了中国发展，只会封锁自己，反噬自身。

“美国呼吁禁止向中国出售更多芯片设备，荷兰抵制。”美国彭博社22日以此为题报道称，荷兰外贸与发展合作大臣施赖纳马赫尔当天表示，在向中国出售芯片设备的问题上，荷兰将捍卫本国的经济利益。报道评论说，荷兰高级官员的这一表态再度表明，荷兰不愿顺从华盛顿切断中国半导体技术供应的企图。彭博社报道：美国呼吁禁止向中国出售更多芯片设备，荷兰抵制为限制中国，荷兰光刻机生产企业阿斯麦（ASML）最近一段时间成为美国政府施压的对象。据报道，施赖纳马赫尔22日对议员表示，在美国与其他盟友进行贸易规则谈判的过程中，荷兰将在阿斯麦向中国出售芯片设备的问题上作出自己的决定。“重要的是我们要捍卫自己的利益——我们的国家安全，以及我们的经济利益。”施赖纳马赫尔说，如果荷兰将光刻机的问题放进“欧盟的篮子”与美国谈判，结果就是他们把极紫外线（EUV）光刻机送到美国人手中，“我们的情况会更糟”。彭博社介绍称，极紫外线（EUV）光刻机是阿斯麦生产的高端芯片制造设备。这并非施赖纳马赫尔首次就芯片制造设备对华出口问题发声，18日接受新鹿特丹商报（NRC）采访时，她表示美国不应指望荷兰毫无异议地采纳其对华出口限制措施，“荷兰不会一比一照搬美国（对华出口）的措施”。施赖纳马赫尔当时表示：“我们会做出自己的评估——我们是在与日本和美国等伙伴国家磋商后做出这一评估的。”她同时提到：“我们的出口许可政策已经有了限制。”施赖纳马赫尔称，荷兰可能自行对中国采取某些出口管制措施，但她没有对此进行具体说明。据美媒此前报道，美国于10月7日出台一系列新规，禁止将使用美国设备制造的某些芯片销售给中国。多家西方媒体报道称，美国也在鼓动和拉拢盟友加入打压中国半导体的阵营。彭博社提到，美国负责工业和安全的商务部副部长艾伦埃斯特维兹本月将前往荷兰讨论出口管制问题。美方不仅施压荷兰政府拒绝批准阿斯麦公司向中国出售最先进的光刻机，还一直试图要求禁止该公司对华销售部分旧款光刻机。外媒此前报道称，受美国对华出口禁令影响，阿斯麦第三季度订单有所减少。对于拜登准备向日本荷兰施压阻止芯片技术流向中国一事，中国外交部发言人赵立坚11月7日表示，美方此举不是堂堂正正的大国所为。当然，美方滥用国家力量，倚仗技术优势，对盟国经济胁迫，以维持自身霸权私利，早已不是什么新鲜事。美方将科技和经贸问题政治化、工具化、意识形态化，对别国搞技术封锁、技术脱钩，其用心人尽皆知。企图堵别人的路，最终只会堵死自己的路。我们希望有关方面秉持客观公正立场，从自身长远利益和国际社会根本利益出发，独立、自主地作出正确判断。彭博社22日报道提到，欧盟谈判代表正与美方就一些有争议的贸易问题进行磋商。以法国为代表的一些国家表示，（美方）的相关措施可能损害欧洲经济，并表示可能向世界贸易组织提起申诉。这些问题将成为下月初欧盟和美国官员举行的高级别会议——贸易与技术理事会上的话题。

据《华尔街日报》报道，日本和荷兰已加入美国，努力限制向中国出口先进芯片制造设备。该协议是在三国高级国家安全官员会晤中达成的，是对拜登政府通过减少获得先进技术来遏制中国军事发展的努力的回应。此举是在美国于10月决定对美国公司制造的高科技芯片和设备的出口施加大量限制之后采取的。荷兰和日本政府支持中国芯片禁令荷兰将阻止ASML Holding向中国出售特定的浸没式光刻机，而日本将对尼康设定类似的限制。该协议得到了日本和荷兰政府的支持，这对美国出口管制政策的成功至关重要。拜登总统与两国领导人举行会议，讨论这些措施。PCMAG报道称，谈判由美国国家安全顾问杰克沙利文（Jake Sullivan）领导，包括来自日本和荷兰的代表，如秋叶武夫，艾伦埃斯特维兹和塔伦查布拉。尽管达成了协议，但实施限制可能需要一些时间。荷兰首相吕特和日本首相岸田文雄最近会见了拜登总统，讨论了出口限制问题。ASML和尼康ASML和尼康分别是位于荷兰和日本的主要半导体设备制造商。日本经济产业大臣西村康俊（Yasutoshi Nishimura）表示，该国正在与美国讨论额外的出口管制。然而，这些国家对中国企业的依赖使他们对制定可能扼杀其市场的政策持谨慎态度。限制先进芯片制造设备出口的协议是中国和西方技术竞赛的重大发展。《华尔街日报》告诉我们，这也表明美国与其盟国在对抗中国技术进步方面的合作日益密切。预计这些限制将减缓中国的军事发展，并限制其获得先进技术的机会，这是美国及其盟国非常关注的问题。欧盟谈美中芯片战争欧盟、日本和韩国正在与美国更紧密地合作，以对抗中国有争议的技术进步。中国与这些国家做了很多生意，因此这种伙伴关系对于美国的出口管制政策至关重要。1月27日，欧盟发表声明回应美国停止向中国出口半导体制造用品的努力，称他们与美国一样，不能让中国获得最先进的技术。欧盟内部市场专员蒂埃里布雷顿（Thierry Breton）在战略与国际研究中心表示，美国完全支持欧盟扼杀中国半导体产业的计划。“我们完全同意剥夺中国最先进芯片的目标。在确保我们在技术方面的共同安全方面，你总会发现欧洲就在你身边，“布列塔尼说。

仪器信息网讯 据日本媒体报道，4月26日，日本经济产业省（METI）对外宣布，将半导体和量子科技领域的四个品类纳入全新的出口管控名单。这意味着，日本面向全球任何国家和地区出口这些货物，都需经过官方政府的审批流程。这一举措的背后，是日本这样拥有相应技术的国家率先实施限制，以防止这些新兴技术被不当利用，尤其是被转用于军事目的。出口管制措施日本政府本次措施将影响用于分析纳米粒子图像的扫描电子显微镜，以及三星电子公司采用的用于改进半导体设计的全栅晶体管技术，还要求量子计算机中使用的低温CMOS电路以及量子计算机本身的运输都必须要取得许可证。在部分国家，这些品类在国际间形成共识之前就已被纳入管理范畴。日本也紧跟这一趋势，相应提高出口管制的实效性。经济产业省表示，这些措施旨在更好地监管军事用途设备的出口，该措施与世界各地实施的措施类似。还补充道，这一变化从4月26日到5月25日征集公众意见，意见征集结束后公布，最早将于7月生效。目前，国际社会在《瓦森纳协定》的框架下，主要就限制品类展开深入讨论。各国基于协定所达成的共识，进一步将其融入本国的限制清单之中。但在《瓦森纳协定》中，新增品类必须得到全体成员国的共同认可，这使得协定在应对技术进步时稍显滞后。不过，日本此次所限制的品类将依照既定计划，逐步纳入《瓦森纳协定》的范畴。4月24日，日本经济产业省发布的中间报告明确了出口管制制度的调整方向。针对《瓦森纳协定》框架内难以达成共识的品类以及紧迫性较高的新技术，报告强调了与志同道合的国家先行实施限制措施的必要性，以应对当前复杂的国际技术交易环境。商务部回应根据商务部网站29日消息，商务部新闻发言人表示：“我们注意到，日本政府宣布拟对半导体等领域相关物项实施出口管制，中方对此表示严重关切。”商务部新闻发言人称，半导体是高度全球化的产业，经过数十年发展，已形成你中有我、我中有你的产业格局，这是市场规律和企业选择共同作用的结果。一段时间以来，个别国家频频泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，人为割裂全球半导体市场，严重背离自由贸易原则和多边贸易规则，严重冲击全球产业链供应链稳定。日方拟议的有关措施，将严重影响中日企业间的正常贸易往来，损人不利己，也损害全球供应链的稳定。商务部新闻发言人表示，中方敦促日方从双边经贸关系大局出发，及时纠正错误做法，共同维护全球产业链供应链稳定，中方将采取必要措施，坚决维护企业正当权益。拓展阅读早在去年1月，华盛顿官员游说日本和荷兰等国际伙伴对中国实施贸易制裁，美国、日本、荷兰就美国拜登政府主导的尖端芯片技术对华出口限制达成协议。日本随后修改外汇法相关法规，宣布加强尖端芯片领域出口管制，被限制出口的芯片制造设备共有23种，涵盖清洁、沉积、退火、光刻、蚀刻和测试。自去年7月始，该管制正式实施。去年7月日本相关管制措施正式生效前，中国商务部发言人曾评论称，个别国家将经贸问题政治化，泛化国家安全，在半导体等领域人为削弱同中国的联系，这将严重损害双方企业利益，破坏产业界长期以来形成的互利共赢的合作格局，冲击全球产业链供应链安全稳定。希望日方从维护自身利益和中日经贸合作大局出发，信守自由贸易和市场经济承诺，遵守国际经贸规则，避免对两国经贸合作进行政治干扰、限制企业正常自主经营和企业间公平竞争。

12月21日，商务部、科技部修订发布《中国禁止出口限制出口技术目录》（以下简称《目录》），自公布之日起实施，商务部、科技部公告2020年第38号（《〈中国禁止出口限制出口技术目录〉调整内容》）同时废止。属于军民两用技术的，纳入出口管制管理。本次《目录》修订共删除34项技术条目，新增4项，对37项技术条目的控制要点和技术参数进行了修改。修订后《目录》由164项压缩至134项，其中禁止类24项，限制类110项。《目录》限制出口部分涉及多种仪器设备制造技术及测量测试技术，包括传感器制造技术，计量基、标准制造及量值传递技术，空间仪器及设备制造技术，激光雷达系统，热工量测量仪器、仪表制造技术，机械量测量仪器、仪表制造技术，无损探伤技术，材料试验机与仪器制造技术，计时仪器制造技术，精密仪器制造技术，地震观测仪器生产技术，大地测量技术，精密工程测量技术我，计量测试技术，地球物理勘查技术等。本文摘录如下：中国限制出口仪器设备及测量技术目录行业领域编号技术名称控制要点计算机、通信和其他电子设备制造业083901X传感器制造技术1.电子对撞机谱仪用霍尔探头的设计制造与标定技术2.远场涡流测试探头的设计与制造技术083909X计量基、标准制造及量值传递技术1.准确度≤2×10-4，年稳定性≤10-4的镯环形电感器的制造技术（1）电感线圈的绕制、屏蔽技术（2）镯环形电感线圈温度补偿技术（3）防潮防震技术2.射频电压标准射频座结构设计及薄膜辐条状热变电阻制造技术3.标准时间的卫星传递技术4.氦－氖稳频（波长相对变化量△λ/λ＝10-10～10-11）光器碘室、激光管、谐振腔镜制造工艺及参数5.电替代辐射计接收腔制造技术（1）吸收率≥0.998 的电替代辐射计中金属腔的制造工艺（2）金属腔的电加热器制造技术083911X空间仪器及设备制造技术1.通道数500 的遥感成像光谱仪制造技术2.空间环境专用器件设计和工艺、评价方法和设备、空间润滑方法和润滑件3.高分辨率合成孔径雷达技术的总体技术方案和主要技术指标4.高分辨率可见光、红外成像技术的总体方案及指标5.毫米波、亚毫米波天基空间目标探测技术的总体方案及指标233914X激光雷达系统符合以下任一条件的激光探测及测距系统技术：脉冲峰值功率（peak power）30kW、脉冲宽度（pulse width）2km、角准度（angularaccuracy）3.流速≥0.2m/s4.管道介质为水与温度≤300℃蒸汽084002X机械量测量仪器、仪表制造技术高精度圆度仪1.大尺寸（Ф250～Ф1,000）圆度与圆柱度在线测量技术2.为提高主轴回转精度和测量精度（±0.017μm）的误差分离与误差补偿技术084003X无损探伤技术探伤用驻波电子直线加速器用加速管的制造技术084004X材料试验机与仪器制造技术1.贴片光弹性在线、动态、同步检测技术2.液氢高速（＞4 万转／分）轴承试验机设计技术（1）主轴低温（低于-240℃）变形控制技术（2）热传导及热隔离技术（3）加载系统084005X计时仪器制造技术1.CCD（光电耦合器件）终点摄象计时及判读专用设备中成象传感技术及控制方式2.游泳（蹼泳）成套计时记分专用设备中的触摸板传感方式及制作工艺084006X精密仪器制造技术1.高精度（在5.1mm处分辨率＞20μm）反射式声显微镜（1）声镜制造技术（2）声镜成象和V（Z）曲线原理和阴影成象法2.柴油机振型现代激光光测研究（1）非球面透镜设计和制造技术（2）二路光路系统设计结构技术3.四坐标探针位移机构技术（1）四坐标位移机构的设计及制造工艺（2）高频率响应（≥20kHz)压力探针的设计制造工艺084008X地震观测仪器生产技术1.观测频带到直流，灵敏度≥1,000Vs／m的地震计生产技术2.井孔径＜130mm，周期＞1s，灵敏度≥500Vs／m 的井下三分向地震计生产技术专业技术服务业087402X大地测量技术我国大地控制网整体平差方法及软件技术087403X精密工程测量技术我国重点工程精密测量的技术和方法087406X计量测试技术1.六氟化硫微量含水量测量技术（1）检测限十万分之三（体积分数）的传感器制造技术2.氯化钠温度定点技术（1）相平衡态时氯化钠密度值（2）密封腔改善热传导技术和防腐蚀技术（3）定点黑体防泄漏技术087408X地球物理勘查技术地磁场测定灵敏度≤0.01nT（包括单光系、多光系）氦光泵磁力仪探头制造技术中国禁止出口限制出口技术目录.pdf

p style=" text-indent: 2em " 日本经济产业省7月1日宣布了数项针对韩国的贸易限制措施，一方面是将对数个对韩出口的半导体原材料实施限制，另外还开始就是否将韩国从“出口贸易管制白名单”中剔除开展公众意见征求。 /p p style=" text-indent: 2em " 具体来看，从7月4日起，日本企业在向韩国出口Fluorine Polyimide（氟聚酰亚胺）和半导体制作时要用的Resist（光刻胶）和Eatching Gas（高纯度半导体用氟化氢）三种原材料或相关技术时，必须每单单独申请许可，而此前可以获得成批出口的许可。据悉，前一种原材料用于生产OLED显示零部件，后两种用于生产半导体。 /p p style=" text-indent: 2em " 上述新限制对于韩国的相关制造商来说，打击是巨大的，因为日本在这些原材料供应端几乎是一大独家。据日本《产经新闻》，前两种原材料全球9成的生产来自于日本，第三种也达到了7成。 br/ /p p style=" text-indent: 2em " 除了上述出口品遭新限制外，未来范围还可能进一步扩大，经济产业省宣布，从7月1日起将开展对于否将韩国从“出口贸易管制白名单”中剔除的公众意见征求程序，日本《外汇及外国贸易法》规定在“白名单”上的国家均为安保层面的友好国家，享受一定的出口管制优惠。那么如今开始开展剔除韩国的讨论，即意味着未来日本将可能限制对韩国出口军事及安全相关领域的技术和产品。 br/ /p p style=" text-indent: 2em " 高举的贸易“大棒”背后是两国的历史积怨，有关推出限制背后的原因，日本经济产业省称，日韩的信任关系包括出口管制规则在内已遭到了严重的破坏，日方因此不得不作出改变。 br/ /p p style=" text-indent: 2em " 针对日方的新措施，据韩联社报道，韩国产业通商资源部长官成允模称，日本今天宣布采取限制对韩出口的措施是针对韩国大法院判处韩籍二战劳工对日索赔胜诉的经济报复措施，将就此诉诸WTO。 br/ /p p br/ /p