固相沉积

DiscovIR-LC&trade 液相-微沉积固态红外分析系统 红外透射盘微流沉积 独特的专利液相接口消除溶剂干扰 自动实时采集红外图谱 在线分析 无需样品处理！DiscovIR-GPC&trade GPC-微沉积固态红外分析系统 创新性的去溶剂化技术使GPC-FTIR的流动相溶剂可灵活选择。色谱分离过程中可连续获得无溶剂干扰的固相透射红外光谱。该系统完全自动化，并与自动进样器兼容。完全去除溶剂并结合可控的低温沉积，可最大限度地减少谱带扩展，并保持色谱分辨率。应用领域 配方剖析 共聚物成分分析 提取物&浸出物分析 微量成分鉴定 异物分析 降解物/残次品分析最小化浓缩待测物 样品盘的低温温度控制使沉积分析物的面积最小化。这导致样品层更厚，因此吸收光谱的灵敏度更高。微流沉积改善分析 DiscovIR的温度控制真空沉积方法确保了结果的准确性和可重复性。洗脱峰首先沉积在旋转红外透明圆盘的薄膜上。红外光谱通过每个样品沉积点，检测器自动收集光谱数据。Enhanced Resolution Infrared Detection System for HPLC and GPC System Overview Operating PrincipleDirect deposition of column eluent on moving ZnSe sample discIR SpectrometerBuilt-in FTIRIR Detector0.1 mm MCTWavenumber Range4000–700 cm-1Data CollectionReal-time, with post-run analysis availableSpectrum TypeTransmittance through disc and solid-phase sampleDisc Capacity12-24 hours of chromatographyWindow Temperature-100°C to +50°C Data StationPlatformMicrosoft Windows&trade 10 PROSpectroscopy PackageGalactic GRAMS/32 AITMStandard Features&bull Real-time and post-run data collect&bull Chromatographic / spectral workup&bull Band chromatograms for chemical classes&bull Ratio chromatograms for profiling trends&bull Alignment and tuning toolsLibrary SearchLibrary Search Software includedSpectra compatible with all solid phase FTIR Libraries DiscovIR-LC Configuration Sample DeliveryMulti-Step Desolvation InterfaceFlow Rates Accepted0.25 to 1.5 mL/minCompatible SolventsWater, ACN, Methanol, THF, ChloroformCompatible AdditivesVolatile buffers (ammonium carbonates, acetates, formates), trifluoroacetic acid (TFA), triethylamine (TEA)SensitivityTypically 1ug per componentChromatographAny Liquid Chromatograph System (supplied by user) 整个色谱运行的结果沉积于样品盘整个色谱运行结果作为固体沉积于样品盘上，保留了分离的分辨率，因此，您可以再次扫描整个运行沉积物，以研究细微特征并提高信噪比。色谱运行可调整旋转样品盘的速度以匹配沉积样品的浓度。

1. 产品概述Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统。2. 设备用途/原理Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统，填孔能力以及高沉积速率，温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现，优化机台结构，缩小占地面积，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料氧化硅。适用工艺浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层。适用域 新兴应用、集成电路。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。

1. 灵活的沉积平台服务于广泛的应用Veeco 的单靶点 NEXUS PVDi 物理气相沉积（PVD）系统，为各类薄膜沉积应用提供了极大的灵活性和多功能性，使其在当今快速发展的技术环境中脱颖而出。无论是在半导体、光电子材料、显示技术还是其他高科技领域，NEXUS PVD 都能够满足客户的多样化需求。该系统的加工精度高达 200 毫米，不仅保证了沉积过程的精确控制，还使得它能够支持多种不同的工艺需求。NEXUS PVD 的先进工艺能力，结合无与伦比的均匀性，确保了每一层沉积膜的质量和性能都达到行业领先水平。这种优质的性能在提高整体工艺产量方面发挥了关键作用，用户能够以更高的良率实现高效生产。此外，NEXUS PVD 平台彰显了出色的吞吐量和正常运行时间，显著降低了设备的拥有成本。这意味着客户可以在保持高产量的同时，减少维护和运营成本，进一步提升投资回报率。2. NEXUS 平台还集成了 Veeco 多项技术包括离子束沉积、离子束蚀刻和原子层沉积（ALD），使得该系统具备处理多种沉积需求的能力。离子束沉积能够实现高质量薄膜的沉积，适合于对膜厚均匀性和膜缺陷有严格要求的应用；而离子束蚀刻技术则用于精细图案的刻制，更好地满足高精度集成电路制造的需要。原子层沉积技术则在沉积极薄膜方面表现卓越，适用于高技术含量的光电材料、传感器及其他前沿科技领域。Veeco 的 NEXUS PVDi 系统通过其顶尖的灵活性、可靠性和高效性，为广泛的薄膜沉积应用提供了卓越的解决方案，帮助客户在竞争激烈的市场中保持领先地位。无论是从技术创新还是经济效益来看，NEXUS PVDi 系统都为用户创造了巨大的增值潜力。

请联系：张先生等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂ ）。PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需很小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2

1. 产品概述PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

1. 产品概述PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 360 mm (ø 3" x 9, ø 4" x 6, ø 6" x 3)，优异的均匀性和应力控制，卓越的工艺稳定性和可重复性，坚固的系统，低的运行/维护成本，用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

1. 产品概述PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx、SiH4-SiO2、液体驱体(SN-2)SiNx、TEOS-SiO2。3. 设备特点大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

1.产品概述：Veeco 提供了一系列行业领先的 GaN 和 As/P 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统，旨在最大程度地提高吞吐量，同时降低包括显示器、3D 传感、LiDAR、微型 LED 显示器和光学数据通信在内的各种应用的拥有成本。2.产品优势：最大的资本效率和占地面积节省，提供领先的性能出色的均匀性与低缺陷率紧凑型集群架构高吞吐量体系结构，实现最大生产3.产品工艺：Veeco 的 EPIK® 868 是 LED 业界最高性能的金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统，可实现出色的均匀性和可重复性，以及低缺陷率。EPIK 868 拥有四反应腔配置并采用突破性技术，包括专有的 IsoFlange&trade 和 TruHeat&trade 技术，其可在整个晶片载体上提供层流和均匀的温度曲线。这些技术创新推动了迷你和微型 LED 所需的更高产量。EPIK 固有的 868 TurboDisc® 技术可实现最高的系统可用性和正常运行时间。EPIK 868 高容量承载盘专为大批量生产设计，可以最低的拥有成本容纳多个 4”或 6” 晶片尺寸。客户可以很轻松地从现有的 TurboDisc 系统切换到新的 EPIK 868 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 平台，从而快速启动高品质迷你和微型 LED 的生产。

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

简介 本设备主要用于碳素制品的化学气相沉积增密处理，或以碳氢气体为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理及碳毡制品真空碳化其热处理。质量优越，性能稳定，价格远远低于进口同类产品。同时上海煜志良好的售后服务体系，使得该产品的整体评价远超同行业标准。主要技术参数 型号工作区尺寸D×Hmm最高温度℃温度均匀性℃冷态极限真空度Pa压升率Pa/h加热功率kWYVCVD-2030GΦ200×3001500±550325YVCVD-2540GΦ250×4001500±550340YVCVD-3050GΦ300×5001500±550355注：以上技术参数可根据工艺进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。 可根据客户要求定制！ 特色与优势 1、质量优越，双层SUS304炉体结构，中间通以冷却水，有效降低炉体表面温度，减少高温伤害，降低对环境的影响；2、采用先进的保温材料及隔热结构，导热系数低，保温效果好，即使在很高的温度下也能有效隔绝热量，节约能耗；3、能够准确控制气体流量和压力，通过特殊的导气结构和装置，大大提高产品的合格率，降低沉积时间；4、通过特殊的过滤装置，使其热解过程的碳粉几乎完全过滤，不进入真空机组，大大延长了真空机组的使用寿命；5、人性化配置，既可以手动操作，也可以实现一键智能操作；6、型式多样化，立式上开门、立式底升式、卧式侧开门，任意选择；

DiscovIR-GC&trade 气相-微沉积固态红外分析系统 红外透射盘微流沉积 高分辨固态透射FTIR 独立分析或与GC/MS同时分析应用领域 管控物质 安非他明/苯丙胺类 非对映体分析 麻黄碱/伪麻黄碱类 痕量分析 芬太尼类 卡西酮类 苯乙胺类提高化合物定性分析效率 当识别复杂混合物中的成分时，全新的DiscovIR光谱分析系统是完美的解决方案。红外光谱提供了每种化合物的特征指纹，通过与商业红外光谱数据库检索，可以快速、轻松地识别每一个成分。DiscovIR系统在识别结构异构体方面特别有用，这对于质谱分析来说可能是一个具有挑战性的领域。微沉积对分析的改进 DiscovIR独特的温度控制、真空沉积方法确保了结果的准确性和可重复性。洗脱峰首先沉积在旋转红外透明圆盘的薄膜上。圆盘将聚集的光斑旋转进行红外光谱分析并采集光谱。 Enhanced Resolution Infrared Detection System for GC System OverviewOperating PrincipleDirect deposition of column eluent oncryogenically-cooled ZnSe sample discDetection MethodBuilt-in FTIRIR Detector0.1 x 0.1 mm MCTIR Range4000–700 WavenumbersResolution4 or 8 cm-1Data CollectionReal-time, with post-run rescanSpectrum TypeTransmittance through disc and solid-phase sampleDisc CapacityAbout 20 hours of chromatographyDisc Temperature Control-100 to –30°C ambient to 100°CUnattended operation12 hours Autosampler-compatible Data StationPlatformMicrosoft Windows&trade 10 PROSpectroscopy PackageThermo Galactic GRAMS/32 AITMStandard Features&bull Real-time and post-run data collect&bull Chromatographic/spectral workup&bull Band chromatograms for chemical classes&bull Ratio chromatograms for profiling trends&bull Alignment and tuning toolsLibrary SearchLibrary Search Software includedSpectra compatible with all solid phase FTIR Libraries DiscovIR-GC ConfigurationGC Flow Rates Accepted0.1 to 5 ml/minGC TemperaturesProgrammed up to 420°CSensitivityPicogram range (e.g. 200 pg of dodecane)ChromatographCompatible with any GC system (user supplied) 最小化浓缩样品样品盘的低温控制使沉积的分析物的面积最小化，从而生成更厚的样品层，使得吸收光谱的灵敏度更高。在气相色谱检测器提供很少的有用信息时仍能有一个理想的结果。 整个色谱运行的结果沉积于样品盘整个色谱运行结果作为固体沉积于样品盘上，保留了分离的分辨率，因此，您可以再次扫描整个运行沉积物，以研究细微特征并提高信噪比。色谱运行可调整旋转样品盘的速度以匹配沉积样品的浓度。

1 产品概述: 低压化学气相沉积系统（LPCVD）是一种在低压条件下，通过加热使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜的技术。该系统在半导体制造、电力电子、光电子及MEMS等领域具有广泛应用。LPCVD系统通过精确控制温度、压力及气体流量等参数，能够在基片表面形成均匀性良好的薄膜，满足各种工艺需求。2 设备用途：LPCVD系统的主要用途包括：薄膜沉积：用于淀积多种薄膜材料，如Poly-Si（多晶硅）、Si3N4（氮化硅）、SiO2（二氧化硅）、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等。这些薄膜在半导体器件、电力电子器件、光电子器件及MEMS结构中起着关键作用。半导体制造：在半导体集成电路制造过程中，LPCVD系统用于形成栅极氧化物、表面钝化层、氮化物应力缓冲层、牺牲氧化物层及阻挡氧化物层等关键结构。光电子应用：在光电子领域，LPCVD系统用于制备光波导、可变折射率层、抗反射层等光学薄膜，提升器件性能。3 设备特点LPCVD系统具有以下特点：低压环境：在低压条件下进行沉积，有助于减少气体分子的碰撞和散射，提高薄膜的均匀性和质量。高精度控制：系统采用先进的温度、压力及气体流量控制技术，能够精确控制沉积过程中的各项参数，确保薄膜的精确性和一致性。多用途性：能够沉积多种薄膜材料，满足不同工艺需求，具有广泛的适用性。高效性：由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，可采用密集装片方式提高生产率。 4 技术参数和特点：1. 满足石墨烯和碳纳米管研究的高温和快速冷却要求2. 直径200毫米的石英室3. 内部石英管的设计便于拆卸和清洗4. 基片尺寸可达直径150毫米 5. 三区电阻炉，150毫米的均匀温度区6. 温度高可达1000°C7. 使用节流型VAT蝶形阀下游压力控制在50 mTorr到500 mTorr之间 8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 两干式真空

1. 产品概述eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率。2. 设备用途/原理eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率，加热基座和高温静电卡盘设计，具备良好的温度均匀性，全新双腔传输平台，可配置性强，多可支持 10 个工艺模块，优质的 Whisker 解决方案，降低产品缺陷，大产能，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 8、12 英寸，适用材料 高温铝、氮化钽、氮化钛。适用工艺 热铝、铝焊盘、铝线，适用域 新兴应用。

1. 产品概述EPEE系列 等离子化学气相沉积系统，单片和多片式架构。2. 设备用途/原理EPEE系列 等离子化学气相沉积系统。先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求。高效传输系统，智能软件调度算法。高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制。支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺。支持在线膜厚和清洗终点实时监测。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容，适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳。适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层。适用域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路。

一、化学气相沉积MOCVD 产品介绍：1.应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等2. 从研发到大规模生产3. 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch4. 通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch5. Ga2O3薄膜生长速率：3um/h6. Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm二 、化学气相沉积MOCVD产品原理及性能：1.MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料2. 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃3. 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）4. 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能5.搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图三、企业简介：深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。 致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

1.产品概述：提供大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案，LED工业要求高产量，高器件质量和低购置成本。PlasmaPro1000更好地解决了这些需求。2.设备原理：PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，终在样品表面形成固态薄膜。3.产品特点：真更大的批量生产能力高产量更稳定的器件质量低购置成本提供单晶圆传送腔室或者多至三个腔室的集群式配置标准的真空传送腔室，具有直开式和集群式选项出色的正常运转时间高质量器件性能和良率艺4.设备工艺490mm电-更为先进的批量规模，多达7x6”晶圆，提供了更高的产量可靠的硬件系统易维护性-出色的正常运转时间压盘-增强晶圆冷却 Z向可移动电-更好的均匀性双进气口-易于工艺调整特殊的载盘设计-每片晶圆在小的边缘去除区域之内，均获得有效的冷却，且易于使用和维护高导通的径向（轴对称）抽气结构-确保提升了工艺均匀性和速率提供大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案，LED工业要求高产量，高器件质量和低购置成本。PlasmaPro1000更好地解决了这些需求。490mm电-更为先进的批量规模，多达7x6”晶圆，提供了更高的产量可靠的硬件系统易维护性-出色的正常运转时间压盘-增强晶圆冷却Z向可移动电-更好的均匀性双进气口-易于工艺调整特殊的载盘设计-每片晶圆在小的边缘去除区域之内，均获得有效的冷却，且易于使用和维护高导通的径向（轴对称）抽气结构-确保提升了工艺均匀性和速率

一、高真空互联物理气相薄膜沉积系统概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；二、PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动：1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；；9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 三、互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统。应用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半导体等提供适用不同材料研究需要的反应器：透明导体氧化物（TCO）应用于LCD、太阳能电池、透明加热器、电极、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系统MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD系统储存器 (DRAM & NVRAM)介电/钝化材料应用于栅极、介电层、铁电、高频设备、钝化、保护层等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系统波导, 光电, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统其他材料如：超导、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统金属及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...半导体: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...高介电材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...铁电材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…超导材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …压电材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性钛酸铅...金属:Pt, Cu,...巨磁阻材料...热涂层, 阻挡层, 机械涂层, 光学材料...我们提供了从桌面型反应器（针对研究和提高的需要）到自动化生产系统。出于材料变化种类的适应性和经济价格的考虑，对任何研究人员来说桌面型反应器是最合适的选择，而且也极容易升级为量产型。科研型MOCVD设备，包含液体直接注入ALD工艺，同一腔室完成沉积和退火。-更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质！-非常适合高校及研究所科研使用！仪器参数：1/ 1~4英寸MOCVD系统；2/ 专为满足科研单位需求而设计；3/ MOCVD系统可在不同基底上，以MOCVD方式，在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V 和 II-VI膜层；4/ MOCVD配有前驱体直接处理单元，可在大范围内使用MO源，用于外延材料的研发和制备；5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺；性能及特点：1， 温度范围: 室温至1200°C ；2， 带质量流量控制器的气体混合性能；3， 真空范围: ~ 10-3 Torr，可选配高真空；4， 选配手套箱；5， 已被客户广泛接受6， 坚固耐用7， 可靠性高8， 良好的可重复性9， 经济适用

快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商：韩国Ecopia RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。 性能和特点：- 温度范围：室温 ~ 1500°C - 升温速度：200°C/s - 气体混合能力(带有质量流量计) - 真空度：~10-6Torr

设备规格工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃手套箱系统：设备集成手套箱，标准可支持双手套，单工位（可定制） 机架Cabinet &bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能真空系统&bull 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃手套箱系统：设备集成手套箱，标准可支持双手套，单工位（可定制） 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (A,O, H1O, ZrO PrA1Q, Ta, 0s. 1a,0) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO, V,0g):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZIN, TiAIN, AITIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni) &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO,ZnSIMn, Ti0, Ta,N.) 等。 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

多通道沉积物捕集器,沉积物采样器,沉积物取样器,沉积物活塞柱状取样器, 丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器 28.150 &ndash 双通道沉积物捕集器 28.200 &ndash 四通道沉积物捕集器 丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器阵列的结构可以确保它在工作时处于垂直状态。转向翼(选配)可以使得沉积物捕集器阵列跟水流方向处于正确的角度。整套沉积物捕集系统是可以随意配置的。所有的部件都可以拆卸。根据您的需要，主框架上面安装1，2，3或4个沉积物捕集管。 多通道沉积物捕集器由可拆卸的圆柱形捕集管(底部带配重铅块)组成。带万向接头的固定器和转向翼由AISI316不锈钢制成。捕集管由透明聚丙烯酸组成，纵横比为6。 标准配置：配备1, 2 或 4根 ø 80/ø 74 mm 和ø 110/ø 104 mm的捕集管 其他尺寸的捕集管也可以根据客户要求订做。 万向接头 - 28.104 转向翼 - 28.105 多通道沉积物捕集器订购信息 ø 80 / ø 72 mm 外径/内径 长度 重量 订购货号 多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量1.9升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 4,5 kg 28.050 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼，采样量3.8升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 4,8 kg 28.075 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量3.8升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 6,6 kg 28.100 多通道沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量5.7升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 8,6 kg 28.150 多通道沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼，采样量7.6升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 8,8 kg 28.200 多通道沉积物捕集器附件和备用配件 捕集管 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 1,5 kg 28.101 锌阳极 ø 50 x 10 mm 28.102 主支架 0,75 kg28.103 万向接头臂和捕集管固定环 0,6 kg 28.104 转向翼，用于28.075, 28.100 和 28.150 1,9 kg 28.105 多通道沉积物捕集器固定器 28.106 平衡臂，只用于28.100 28.107 蝶型螺母，用于固定捕集管 28.108 螺丝，M6 x 12, AISI 316不锈钢, 5个 28.109 ø 110 / ø 104 mm 外径/内径 长度 重量 订购货号 多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量8.5升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.290 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，不包括转向翼，采样量17升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.295 沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量17,0升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.300 沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量25,5升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.350 沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量34升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.400 多通道沉积物捕集器附件 捕集管 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.301 多通道沉积物捕集器备用部件 锌阳极 ø 50 x 10 mm 28.102

1. 产品概述Savannah® 配备了高速气动脉冲阀，以实现我们独特的曝光模式&trade ，用于在超高宽宽比基板上沉积薄膜。这种经过验证的精密薄膜镀膜方法可用于在纵横比大于 2000：1 基板上沉积保形、均匀的薄膜。Savannah® 提供三种配置：S100、S200 和 S300。Savannah® 能够容纳不同尺寸的基材（S300 可达 300 毫米）。Savannah® 薄膜沉积系统配备了加热的驱体线，并可选择添加多达六条线。Savannah® 能够处理气体、液体或固体体。Veeco 是全球先的原子层沉积 （ALD） 系统供应商，为研究和工业提供全面的服务和多功能的交钥匙系统，这些系统易于访问、经济实惠且精确到原子尺度。薄膜沉积是我们的长。我们的 Savannah® 系列薄膜沉积工具就是这些能力的例证。Savannah® 已成为全球从事原子层沉积 （ALD） 的大学研究人员的选系统，他们正在寻找经济实惠且强大的平台。在过去十年中，我们已经交付了数百个这样的系统。Savannah® 对驱体的高效利用和节能特性大大降低了薄膜沉积系统的运行成本。2. 主要功能包括原位椭圆偏振仪原位质量控制自组装单层膜2循环时间综合臭氧低蒸气压沉积批处理手套箱集成

1. 产品概述：金属有机源气相沉积系统（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）是一种先进的薄膜材料制备技术，通过金属有机前体和反应气体在基底表面上的热解和反应，形成所需的薄膜材料。该系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。MOCVD系统具有高质量、稳定性、重复性及多功能性等优点，是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段。它广泛应用于半导体、光电子、光伏和显示等领域，用于制备各种功能性薄膜材料，如氮化物、磷化物和氧化物等。2 设备用途/原理：半导体材料制备：MOCVD系统可用于制备三五族或二六族化合物半导体薄膜，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等，这些材料广泛应用于集成电路、光电器件和微电子元件中。光电器件生产：利用MOCVD技术可以生产发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、太阳能电池等光电器件。特别是蓝光和白光LED的核心结构，如GaN和InGaN薄层序列，就是通过MOCVD工艺实现的。微电子元件制造：MOCVD技术还可用于制造异质结双极性晶体管（HBT）、假晶式高电子迁移率晶体管（PHEMT）等微电子元件。研究与开发：研究机构和大学也使用MOCVD设备进行科学研究和开发新的薄膜材料，以推动相关领域的技术进步。3. 设备特点1 高精度控制：MOCVD系统具有高度的自动化和精确的控制能力，可以精确控制反应条件（如温度、压力和气体流量），以优化薄膜的成分、结构和性质。 2 高效生产：该系统能够实现大规模、高效率的薄膜材料生产，满足工业化生产的需求。 3 多功能性：MOCVD技术不仅限于制备单一类型的薄膜材料，还可以实现多种材料的交替生长，为制备复杂结构的器件提供了可能。 4 安全保护：系统配备有尾气处理及安全保护报警系统，确保在有毒气体环境下操作的安全性。4 设备参数真空室结构:卧室真空室尺寸:Ф400mm×300mm（L）限真空度:10 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约4.5米x3.5米x3米（设计待定）电控描述:屏幕操作

1.产品概述： Beneq P1500 是我们大的原子层沉积系统，门用于涂覆大型板材和复杂零件。它还用于为较小组件的批次提供更高的吞吐量。我们的客户将 P1500 用于大直径基板上的光学镀膜、半导体设备部件的防腐镀膜，以及在玻璃或金属板上使用 ALD 的各种应用。2.产品配置:大型零件需要大型原子层沉积工具。 Beneq P1500 可容纳大 1300 × 2400 mm 的零件，并且可以在广域反射镜或透镜上沉积高质量、功能性的光学涂层。它还用于涂覆 300 至 1000 毫米尺寸范围的批量零件。可能的基材包括：第 4 代至第 6 代显示屏玻璃光伏玻璃板天文镜半导体腔室盖、衬垫和淋浴喷头印刷电路板可扩展性3.产品优势：提高较小基材批次的产量。 您目的涂料设备是否已满负荷生产？Beneq P1500 能够扩大批量生产的规模，并为您的工作流程增加额外的涂层容量。与较小的批量工具相比，P1500 可以提高您的涂层产量。此外，其大批量容量可以降低涂装较小零件的成本，使 ALD 在许多应用域中具有商业可行性。P1500 配备了高容量驱体源和驱体灭活和过滤系统，用于沉积厚度从纳米到微米不等的薄膜批次。Beneq P1500 是我们坚固可靠的 P 系列的新示例，它受益于 35+ 多年的工业 ALD 批量生产经验。P1500 可从室温加热到 400°C，轻松处理气态、液态和固体驱体，包括有毒、自燃和腐蚀性驱体材料。预热烤箱Beneq 有的预热器。 我们可选的预热烤箱缩短了加热时间，并进一步提高了您的吞吐量。

1. 产品概述Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统2. 设备用途/原理Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统，多种材料膜层工艺能力，低损伤，高深宽比填充能力，独立工艺腔室，多可支持 6 个工艺模块，优异的温度，颗粒控制能力，配置灵活、大产能、低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 银、钨化钛、金、铂、钛、氮化钛、铝、铬等，适用工艺 倒装工艺、金属电等，适用域 新兴应用、科研、化合物半导体。

1. 产品概述等离子增强化学气相沉积PECVD2. 应用方向高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀3. 技术参数(1) 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C(2) 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺(3) 晶圆最大可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆(4) 高导通的径向（轴对称）抽气结构：确保提升了工艺均匀性和速率(5) 增加了500毫秒的数据记录功能：可追溯腔室和工艺条件的历史记录(6) 通过前端软件进行设备故障诊断，故障诊断速度快(7) 用干涉法进行激光终点监测：在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界(8) 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测：监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

1. 产品概述eVictor系列 8英寸通用物理气相沉积系统，加热基座设计，具备良好的温度均匀性，高温厚铝工艺连续作业无累温。2. 设备用途/原理eVictor系列 8英寸通用物理气相沉积系统，加热基座设计，具备良好的温度均匀性，高温厚铝工艺连续作业无累温，高温铝工艺具备高深宽比填充能力，背金工艺薄片传输及工艺，过程温度实时监控，优异的温度和应力控制能力，双腔传输平台，多可支持 10 个工艺模块，靶材利用率高，大产能，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 钛、氮化钛、铝、 镍、镍钒、银。适用工艺 铝线、正面电工艺、背面金属化工艺等。适用域 科研、化合物半导体、集成电路。

1. 产品概述Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统，磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率。2. 设备用途/原理Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统，磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率，灵活的腔室配置，针对先进封装域优化、稳定的传输系统，兼容玻璃片、翘曲片、键合片等多种类型基片传输，稳定并且低的Rc表现，良好的颗粒和应力控制能力，优化的工艺流程带来大产能表现，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸，适用材料 铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨化钛、金、铝等，适用工艺 电、先进封装中的UBM/RDL，适用域 新兴应用、先进封装。