三甲基硅烷基戊炔醇

三甲基氯硅烷工艺装置主要由溶解釜、加料釜、反应釜、接收罐、碱液釜和渣浆釜等组成。 其主要仪表及管阀件均采用高性能产品，装置非标采用耐腐蚀材质。PLC 系统采集确保操作人员安全。 装置的整体水平要求自动化程度高，数据精确度及重复性好，安全可靠 并能长周期稳定运行

我公司为国内生产异辛烷产品服务商年销售异辛烷产品超过五千吨我们将为您提供优质的商品和满意的服务！2,2,4-三甲基戊烷，是一种有机化合物，化学式为C8H18，主要用于有机合成，也可用作溶剂及气相色谱的对比样品。理化性质熔点：-107.4º C沸点：98-99º C密度：0.691（20℃）闪点：4.5℃（OC）折射率：1.391（20℃）饱和蒸气压：5.1kPa（20º C）临界压力：2.57MPa引燃温度：417º C爆炸上限（V/V）：6.0%爆炸下限（V/V）：1.1%外观：无色透明液体溶解性：不溶于水，混溶于庚烷、丙酮，溶于乙醚、苯、甲苯、二甲苯、氯仿、二硫化碳、四氯化碳等用途主要用于有机合成，也可用作溶剂及气相色谱的对比样品。储存方法储存于阴凉、通风的库房。远离火种、热源。库温不宜超过37℃，保持容器密封。应与氧化剂分开存放，切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有泄漏应急处理设备和合适的收容材料。山东强森化工有限公司，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。公司是集研究、生产、加工、销售为一体的制品企业，工厂占地面积大，公司具有较强的自助研发能力，拥有多项国家发明专利超强的品质保障，专业生产，多年行业经验，出厂严格把关，公司与中国石化、齐鲁石化、东岳集团、内蒙远兴集团、兖矿集团、海力集团、金岭集团丶华鲁恒升、万华集团等大型上市公司建立了长期稳固的合作关系，能够为客户提供优质的产品和服务，在行业中树立了良好的商业信誉，赢得了国内外众多客户的信赖与支持。 公司发扬“诚信、专业、团结、拼搏”的企业精神，秉承“以信为本，以诚待人，以稳求实，优质服务”的经营理念，愿与各界朋友及客户精诚合作，共创辉煌。

GC-9280型硅烷分析氦离子化气相色谱仪适用于高纯气体和电子工业用气体中痕量杂质的检测，仪器配备高灵敏的氦离子化检测器，采用普瑞公司的中心切割技术，进样阀均带有吹扫保护气路；整机采用多柱箱设计，并配备进样压力自动校正系统，保证不同底气的样品的进样量。 硅烷是重要的新材料产品，广泛应用于LCD平板显示、半导体、太阳能等行业，随着中国半导体等行业的发展，国内对硅烷的需求与日俱增，但是由于国内硅烷生产的技术处于起步阶段，如何对硅烷的纯度进行分析是各个生产厂商需要面临的一个课题 众所周知，高纯气体的分析是一个复杂的过程，也是色谱分析的难点之一；硅烷由于其物理性质的特殊性，其分析的难度可谓难上加难，不仅需要高灵敏的检测器，还要解决硅烷遇氧燃烧的问题。GC-9280氦离子化气相色谱仪克服了硅烷分析过程中的众多技术难点，采用高灵敏度的氦离子化检测器，配备专用的硅烷取样系统，很好的完成了硅烷中痕量的ppb级杂质的分析。 适用的标准：GB/T 15909-2009《电子工业用气体 硅烷》 GC-9280硅烷分析氦离子化气相色谱仪适用于高纯气体和电子工业用气体中痕量杂质的检测，最小检测浓度可达5ppb。仪器配备高灵敏的氦离子化检测器，采用普瑞公司中心切割技术，所配备的进样阀均为带有吹扫保护气路的进口阀；整机采用多柱箱设计，不同色谱柱可单独控温，优化了分离条件，并且方便对不同色谱柱分别进行老化处理，方便仪器的维护；仪器配备进样压力自动校正系统，克服了不同底气因分子量不同而造成的进样量多导致的分析误差。 GC-9280硅烷分析氦离子化气相色谱仪的性能优势： 气体工业是国民经济的基础行业，是工业生产的“血液”，随着国民经济的快速发展，对高纯气体和电子工业用气体的需求量也快速增长。痕量杂质的检测是生产高纯气体和电子工业用气的关键环节，而痕量杂质的分析一直是色谱分析的难点，传统的热导等色谱检测器均无法胜任高纯的气体分析。 脉冲放电氦离子化检测器（PDHID）是一种灵敏度极高的通用型检测器，对几乎所有无机和有机化合物均有很高的响应，特别适合高纯气体的分析，能够检测至ng/g（ppb）级的检测器。 仪器的应用范围：本仪器主要应用于高纯硅烷气体中微量杂质的分析，具体内容详见下表： 气体种类需分析的杂质种类HeH2O2ArN2COCH4CO2C2C3SimHn仪器的检测限（PPb）153010501010303050 系统依据的相关标准: 1、电子气标准GB/T 15909-2009《电子工业用气体 硅烷》2.仪器的详细配置（供货明细）：仪器名称型号规格厂家单位数量备注氦离子化气相色谱仪GC-9280PDD北京普瑞仪器台1配备PDHID氦离子化检测器多柱箱系统北京普瑞仪器套1可以根据分析的需要设置不同的柱箱温度，以满足样品分离的需要中心切割与反吹系统:吹扫十通阀2只 吹扫六通阀3只. VALCO 套 1配备3个带吹扫保护气路的原装进口阀：一次进样，无需更换色谱柱即可完成对氢、氧、氮、氩、一氧化碳、甲烷、二氧化碳等多种样品中痕量杂质的分析。专用毛细管色谱分离系统VALCO套1用于分离硅烷中的微量：甲硅醚；甲基硅烷；乙硅烷色谱柱:Hayesep -QHayesep -DB5A 硅烷毛细管柱VALCO根61.可分离样品中的H2、O2(Ar)、N2、CO、CO2、CH4等杂质2.CO拖尾处理技术硅烷取样系统普瑞仪器套1专为高纯硅烷色谱分析设计含吹扫气路与取样气路。载气(He)纯化器:HP-2VALCO台1He中杂质含量≤10ppb载气过滤器VALCO个12μm孔径样品过滤器VALCO个12μm孔径标准气体:(10PPM)普瑞仪器套1含: H2, O2, Ar, N2,CO, CH4, CO2高纯氦气:40L用户自备瓶1+1纯度不低于99.999%高纯氮气:40L用户自备瓶1作为VALCO吹扫阀的保护及驱动气使用无死体积专用取样阀带吹扫1/8”口普瑞仪器个4取样时防止空气渗入，带放空结构设计载气专用两级不锈钢减压阀1/16”口HORO个2配:进口载气四通切换阀1/16”口只1配:进口高纯气专用色谱工作站普瑞仪器套1自动控制切割、反吹、进样等过程；并实现对色谱主机的操作控制电脑与打印机联想/HP台1可另选配安装调试费：免费技术服务及培训费：免费(1.发货前 2.安装调试中 3.公司定期办培训班时.)随机备品、备件、工具、材料费（附件四）：随机 GC-9280氦离子化气相色谱仪仪器特点 中心切割技术，实现气体全分析： GC-9280氦离子化气相色谱仪采用多阀多柱的中心切割与反吹技术，该系统由多个吹扫型十通阀及多根色谱联合组成，通过工作站设置的时间程序自动控制其进样、切换、切割与反吹等过程。 吹扫型十通阀 GC-9280-HG所配备的均为原装进口VICI生产的带保护气路的吹扫型十通阀，阀平面始终处于载气的氛围中，避免进样和切换时空气渗透到样品之中，大大提高检测灵敏度和准确性。 经特殊加工的色谱柱技术（1）色谱柱管材采用316L不锈钢材料，且管材内壁均经过钝化处理，防止吸附和一氧化碳拖尾等问题的产生（2）色谱柱担体均经过特殊处理，避免氧吸附等问题的产生（3）预切柱采用微型填充柱技术，全面改善样品的分离，兼顾分离、稳定与快速 多柱箱分离系统 气体样品的形式多种多样，同时杂质种类繁多，需要多根不同的色谱柱联用来完成气体样品中的所有杂质的分离。由于不同色谱柱的最佳工作温度不尽相同，在同一个柱箱中很难找到同时适合不同色谱柱工作的工作温度。GC-9280采用多柱箱设计，有效解决了不同色谱柱需要不同工作温度的难题。 在仪器的日常维护中，由于5A分子筛等不同担体的色谱柱的活化温度各不相同，如果在同一柱箱中进行老化需要将不耐受高温的色谱柱拆下来，然后分别进行活化。GC-9280的多柱箱设计可以有效解决上述问题，不同的色谱柱可以在不同柱箱中分别活化，避免了日常仪器维护工作中需要拆装色谱柱的问题。 HP-2氦气纯化器： GC-9280采用高纯氦气为载气，氦气的纯度直接影响到整个仪器对杂质的检测灵敏度。试验证明，高纯气体分析所用载气的纯度至少比气体样品的本底纯度高一个数量级。 HP-2型氦气纯化器是VICI公司生产的一款专载气纯化器，其纯化基质是一种无挥发性的吸附性合金，吸附剂粒子表面有一层氧化膜需通过加热活化，活化过程必须在真空或惰性气体环境下完成，这样可允许氦气在其间自由扩散，防止氧气纯化层的形成，又可以进行杂质气体的吸附。HP的吸附剂材料具有良好的热稳定性，包括两个温度控制范围。可纯化气体：He、Ar、Ne、Kr、Xe、Rn最大操作压力：1000Psi去除气体：H2、O2、N2、CO、CO2、CH4、H2O、NO、NH3、CF4等残留浓度：≤10ppb 进样压力校正系统 传统的色谱仪采用在进样阀出口处控制流量的办法来控制定量管内的进样体积，试验证明这种方法有着很大的分析误差 以分析高纯氢气为例：标准气是配置在氦气中的六种杂质，而样品气是在氢气中的六种杂质；由于氦气和氢气的分子量不同，从而造成了在相同流量下的进样量是不的情况 GC-9280配备压力校正系统，克服因底气不同造成的进样量不的问题，确保数据的准确性。 无死体积取样阀 GC-9280配备了无死体积的专用取样阀，采用带吹扫保护的取样方式，有效的避免了空气残留的问题，将取样过程对分析的影响降至低的水平。 载气专用减压阀 普通减压阀由于大量死体积的存在，直接影响到经减压阀输出后的载气纯度，造成载气中的本底杂质浓度很高，从而影响到整个系统的检测限。 GC-9280氦离子化气相色谱仪配备具有两级稳压功能的全不锈钢载气减压阀，大大提高了压力稳定性，确保基线的稳定，同时也降低了阀体内的死体积，进一步提高检测灵敏度。

北斗星在线式NOX氮氧化物监测系统CPT2610-AA-NOX氮氧化物监测报警器采用进口高精度电化学传感器,具有高响应度,重复性,高精确度和操作简便等优点,符合国家相关标准要求。先进的气体检测技术,加之多路双显示声光报警功能, 可满足用户对氮氧化物气体排放实时监控的需求,同时为环境治理政策的制定提供有力的数据支持及预警等服务。北斗星在线式NOX氮氧化物监测系统配置参数：1、1个NO检测探头，电化学式测量原理，测量范围0 ' 300ppm精度土1.5%F.S.响应时间30s输出4-20mA, 24VDC供电IP65防护，带墙装支架 2、1个NO2检测探头，电化学式测量原理，测量范围0~30ppm, 精度士1.5%F.s响应时间30s,输出4-20mA, 24VDC供电，IP65防护，带墙装支架: 3、1台2通道控制器,用于连接上述2个检测探头信号，为检测探头提供24VDC电源，带现场显示屏幕，输入:两路4-20mA， 输出:4-20mA两路超限继电器报警1路故障继电器报警，供电电源220VAC, IP65防护，带墙装支架，带2根5m与探头连接的电缆。4、XS3.5-2 双路双显示报警，报警器有数字显示和声光报警功能,也可以驱动其他报警 氮氧化物监测报警系统应用：矿井，煤井，输气燃气、能源、石油、化工、冶金甲烷，乙烷，天然气，设备泄露监测食品冷藏氨气、佛里昂泄露，臭氧，过氧化氢；PCBs，油脂，纸浆和造纸厂变压器等存在易燃、易爆、毒性气体的危险场所海运，空运，车辆物流安全，钻井，输油，炼油厂，石化厂和化工厂、发电厂含磷毒剂，战剂探测，炸药，推进剂等探测石油石化、化工厂、冶炼厂、钢铁厂、煤炭厂、热电厂、自来水厂、医药车间、烟草公司、大气环境监测、科研院校、楼宇建设、消防报警、污水处理、工业过程化控制、锅炉房、垃圾处理厂、地下隧道、输油管道、加气站、地下管网检修、室内空气质量检测、食品加工、杀菌消毒、冷冻仓库、农药化肥、杀虫剂生产等。北斗星在线式NOX氮氧化物监测系统技术参数：采样方式： 自然扩散式环境湿度： ≤95%RH相对湿度（无冷凝）防爆等级： 防爆等级EXdⅡCT6，防护等级IP65 电源电压： DC12V、24V，220V AC可选模拟输出： 4~2mA /0~20mA、0~2.5V可选仪器重量： 300~500g安装方式： 壁挂式安装或螺纹安装安装螺纹： T型变送器带G1”连接口使用电缆： 四线制/三线制，0.2mm2以上铜线屏蔽电缆环境温度： CPT2610/20：-20~50℃；CPT2312/2410：-30~70℃；GD2290/4100：-10~45℃电流输出蕞大负载： RL=(Vs-2.7V)/0.020mA其他可检测气体： 氢气氨气氧气氟气丁硫醇溴气氢化锗酯酸乙烯酯乙炔乙醇乙烯丙烯磷酰氯丁胺异丙胺1-3-丁二烯二甲胺三甲胺二乙胺乙硫醇乙硼烷甲醇异丙醇二甲基硫醚砷化硼硫化氢氰化氢溴化氢氯化氢氯气磷化氢二甲基乙胺乙烯基氯一氧化氮一氧化碳二氯硅烷二氧化氯乙醛二氧化硫环氧乙烷异丙硫醇三氯化硼三氯化磷三氯硅烷三甲硼烷甲醛四氯化锡四氯化钛一甲胺四氯化硅四氢噻吩过氧化氢n-丙基硫醇硅烷二氧化氮亚硫酰二氯五氯化锑环氧丙烷甲硫醇吗啉三乙胺氢化硒甲苯二甲苯

T-BD5-PID2290 –TVOC在线管道式有机气体检测仪 原理： PID电离势10.6eV 的所有有机化合物探测 在线管道式有机气体检测仪应用：环境督察、环境指标 VOC、VOCs or TVOC医院垃圾、医疗废弃物、工业恶臭味检测、污染源/排放口监测含磷毒剂,战剂探测、炸药、推进剂等探测、刺激性化学物质探测人类动物呼吸及排泄气体检测、农药、杀虫剂等探测、实验室烟雾探测泄露探测、毒气探测、气体安全探测、残余气体探测、毒榀等危险品探测制冷剂、灭火剂、绝缘介质挥发物检测、可燃气检测工作环境达标、有机毒气探测、劳动安全检测在线管道式有机气体检测仪用途： 各种气体泄露探测空气背景单一的多种有机物单气浓度测试个别无机物气体浓度测试TVOC分析主要探测气体：异 丁 烯: 5ppb~50/1000ppm；100ppb~500/6000ppm；甲 苯: 10ppb~100/2000ppm；200ppb~1000/12000ppm；其他气体： 乙醛，丙酮，氨，苯，丁二烯，柴油，乙醇，乙烯，汽油，己烷，喷气机燃料(JP8)，煤油，甲基乙基酮，萘，苯乙烯，甲苯，松节油，氯乙烯，二甲苯等。在线管道式有机气体检测仪技术参数：灵 敏 度: 100 ppb(异丁烯)线性范围: 0~300 ppm重复精度: ±5%相对零点漂移: 50%(可调零消除) 蕞大零点漂移预热时间: 5 min温度范围: -40~40°C(本安)；40~60°C(非本安)湿度范围: 0~95%,非结露响应时间： T90：3secs在线管道式有机气体检测仪检测气体： 氢气氨气氧气氟气丁硫醇溴气氢化锗酯酸乙烯酯乙炔乙醇乙烯丙烯磷酰氯丁胺异丙胺1-3-丁二烯二甲胺三甲胺二乙胺乙硫醇乙硼烷甲醇异丙醇二甲基硫醚砷化硼硫化氢氰化氢溴化氢氯化氢氯气磷化氢二甲基乙胺乙烯基氯一氧化氮一氧化碳二氯硅烷二氧化氯乙醛二氧化硫环氧乙烷异丙硫醇三氯化硼三氯化磷三氯硅烷三甲硼烷甲醛四氯化锡四氯化钛一甲胺四氯化硅四氢噻吩过氧化氢n-丙基硫醇硅烷二氧化氮亚硫酰二氯五氯化锑环氧丙烷甲硫醇吗啉三乙胺氢化硒甲苯二甲苯乙基丙烯酸酯1-氯-2.3-环氧丙烷甲基丙烯酸甲酯二乙胺基乙醇

产品优势方法原理采用吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光谱法，完全符合《HJ977-2018 水质 烷基汞的测定》和美国EPA1630标准.分析过程自动化，避免操作者多次接触有毒试剂，解放人力.该仪器操作简便，样品需求量小，分析时间短，实验数据准确.仪器带有尾气处理装置，对环境友好.仪器通过CPA计量认证.可用干地下水、地表水、生活污水、工业废水、固废浸出液、十壤、生物样品中烷基汞的检测.全中文操作界面，易干操作，实验报告可直接打印，也可导出Excel.标准曲线计算方式采用标准曲线法和相应因子法两种。样品位数最大支持96位，进样针采用PEEK材质，在分析全过程中不与金属材质接触，降低引入污染的可能性。采用原位吹扫，直接在样品瓶内进行吹扫，无需进行额外的液体转移，减少管路污染，吹扫装置与进样器采用一体化设计。独有的光源调节模块，基线漂移1% 线性范围可达4个数量级 汞灯寿命可达5000小时。全自动烷基汞分析仪尺寸:1200mm*500mm*500mm重量:75 kg功率:220VAC，50Hz，5A吹扫气体:高纯氮气 (≥ 99.999%)载气: 高纯氩气 (≥ 99.999%)进样器容量:四盘24x40mL(总96位)PC 接口:RS232 接口环境要求:带通风装置的实验室仪器运行环境温度:10°℃~25°℃仪器运行环境湿度20%~80%烷基汞分析仪与《水质 烷基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》HJ77-2018标准对比指标HJ 977-2018全自动烷基汞分析仪MMA 721 适用范围甲基汞、乙基汞检出限均为0.02ng/L甲基汞、乙基汞均优于0.01ng/L3 方法原理PT-GC-CVAFSPT-GC-CVAFS6.2 吹扫装置原位或异位吹扫原位吹扫7.2 试样准备8.3 试验测定45mL进样量25mL(EPA1630) / 45mL两种配置8.2 校准方法标准曲线法软件支持 标准曲线法和响应因子法（EPA1630）10.1 精密度甲基汞1.1%~6%，乙基汞0.9%~10%甲基汞、乙基汞均1%~5%11.2 校准系数相关系数≥0.996相关系数≥0.99811.4 基体加标甲基汞75%~120%乙基汞70%~120%甲基汞80%~120%乙基汞80%~120% 蒸馏仪(选配)加热范围:常温至150.0℃，加热精度:+1.0 ℃，过热自动断电等功能，确保烷基汞可被完全蒸馏 冷凝模块可以实现自动降温及控温功能，水浴温度≤5°℃ 不使用冰水混合物，完全接收蒸馏后的烷基汞 样品的加热及接收孔位多达12个，满足用户对于样品量的需求 样品管、盖及管路材质均为特氟龙材质，杜绝污染。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品型号：HMDS-6210 产品名称：真空烘箱（带基片预处理系统）电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内好品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

产品型号： HMDS-6090 HMDS真空烘箱 产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。 4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 产品技术参数： 电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2% 输入功率：3000W 控温范围：室温+10℃-250℃ 温度分辨率：0.1℃ 温度波动度：±0.5℃ 达到真空度：133Pa 容积：90L 工作室尺寸（mm）：450*450*450 外形尺寸（mm）：850*700*1400载物托架：2块 时间单位：分钟选配件： 真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，极限真空高，噪音低，运行稳定。 连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。 HMDS预处理系统的必要性： 在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。 HMDS真空烘箱的原理： HMDS预处理系统通过对HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。 HMDS真空烘箱的一般工作流程： 先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。 尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。 图片： 外壳冷轧板烤漆

产品型号： HS40 产品特点：1、机外壳采用冷轧板烤漆处理，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。 4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 产品技术参数： 电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2% 输入功率：3000W 控温范围：室温+10℃-250℃ 温度分辨率：0.1℃ 温度波动度：±0.5℃ 达到真空度：133Pa 容积：90L 工作室尺寸（mm）：450*450*450 外形尺寸（mm）：615*615*900载物托架：2块 时间单位：分钟选配件： 真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，极限真空高，噪音低，运行稳定。 连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。 HMDS预处理系统的必要性： 在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。 HMDS真空烘箱的原理： HMDS预处理系统通过对HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。 HMDS真空烘箱的一般工作流程： 先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。 尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。外壳冷轧板烤漆

iAFS-100全自动烷基汞分析系统烷基汞是一类毒性强并具有强致癌性的有机汞类化合物，广泛存在于大气环境、水环境及土壤环境中。由于此类化合物具有亲脂性、生物积累效应和生物放大效应，其毒性是无机汞的几百倍。烷基汞以甲基汞和乙基汞为代表，其中甲基汞的毒性最强，在环境中任何形式的汞均可在一定条件下转化为甲基汞。iAFS-100全自动烷基汞分析系统通过蒸馏处理，吹扫捕集/气相色谱原子荧光法测量样品中的痕量甲基汞、乙基汞等烷基汞的含量。仪器可以实现完全的自动化操作测量结果准确，检出限低，测量范围宽，是烷基汞测量的最佳仪器。XYZ三维自动进样系统采用全自动XYZ三维机械臂进样器进样，精确定位采用钝化不锈钢双层取样针，具有隔垫穿刺功能，无样品吸附高通量：标配72位。提供36位、72位或108位等多种规格自动进样器可选 吹扫捕集装置吹扫方式：异位和原位吹扫双模式可选，标配异位吹扫方式采用Tenax捕集阱捕集目标样品，专用的捕集阱填料及加热冷却技术保证优秀的吸附/解析效率环绕式加热器脉冲加热，反向解析样品，升温速度快，峰形好高温裂解管柱：可加热至750℃以上，保证不同形态的汞迅速分解还原为蒸汽汞系统标配尾气吸收装置，汞蒸气不会排放在空气中，绿色环保 CVAFS检测器采用低压汞灯作为光源，脉冲恒流驱动方式，光强输出稳定，低噪音采用不分光比例双光束检测方式，光源信号及荧光信号同时，差分运算测量样品，以保证最佳的稳定性和灵敏度甲基汞的线性范围：0~25ng/L；乙基汞的线性范围：0~25ng/L甲基汞的检出限：优于0.003ng/L；乙基汞的检出限：优于0.003ng/L控制软件及数据系统Windows中文易操作界面，可实现编辑序列、自动分析数据、导入标准曲线等操作可以直接通过控制软件对仪器参数进行修改及控制，简单便捷具有最小二乘法和响应因子法两种数据处理方式

Multi-2025多功能烷基汞分析仪一、仪器概述●Multi-2025多功能烷基汞分析仪采用吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法原理,可用于样品中痕量烷基汞的精确测定 同时,本仪器具有常规原子荧光光谱仪的所有功能,完全符合相关国家标准检测要求。●Multi-2025多功能烷基汞分析仪可兼容各种型号的吹扫捕集样品浓缩仪,不但为客户提供更多选择,同时也允许客户使用实验室原有的吹扫捕集样品浓缩仪,降低采购成本。二、烷基汞分析仪部分●与商品化吹扫捕集样品浓缩仪兼容。●选用改性OV-3填料的色谱柱,相对与毛细柱使用更简便,分离稳定、寿命更长。●热裂解模块最高可达1050度。三、原子荧光光谱仪部分采用●采用3D打印的反应模块集中了氢化反应器、气液分离器等部件的功能于一体。模块内无需管路连接,大大减小样品流路死体积,降低污染。●选用对“Hg”等元素无吸附的特殊材质,采用3D打印技术一次成型,相对于传统部件,故障率大大降低。可用于砷、汞、铅、硒、锑、铋、镉等共12种元素检测。四、图形化软件●软件可动态显示仪器联机、预热,管路冲洗等状态。●具有耗材寿命统计监测功能,方便了解泵管、元素灯等耗材使用情况。●报告格式支持WORD、EXCEL、PDF等多种格式输出。五、检测数据才是仪器设备性能优劣的有效证明六、应用领域●满足《HJ977-2018水质烷基汞的测定吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》要求。●满足《HJ1269-2022土壤和沉积物甲基汞和乙基汞的测定吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》要求。●满足《HJ1268-2022水质甲基汞和乙基汞的测定液相色谱-原子荧光法》●环境、给排水、农产品、地质冶金、化妆品、中药材、土壤饲料、血液等样品中的As、Hg、Se、Sb等十二种元素总量检测。●SNT 5517-2023 出口水产品及其制品中甲基汞的测定 全自动甲基汞分析仪法七、核心特点●专注痕量“汞”分析!多项技术在降低汞污染、提高仪器稳定性方面发挥重要作用。●成熟的吹扫捕集技术+成熟的原子荧光光谱仪技术=稳定的分析结果。●一机多用,让客户投资实现保值、增值!

产品名称：烷基汞蒸馏器品牌：tekran产地：加拿大型号：2750产品方法：EPA 1630详细说明：烷基汞在天然样品中的含量非常低，在烷基汞分析的过程中，由于一些样品中存在各种杂质的干扰，通常需要对样品进行蒸馏纯化。Tekran 2750 甲基汞蒸馏系统是紧凑和模块化的，减少了对空间的需求并提高了样品蒸馏的效率。该系统具采用精密的PID控制器对温度进行实时监控与调整，具有铝加热器和主动冷却水浴，无需额外提供冰块。最高可同时蒸馏多达30个样品。Tekran 2750 甲基汞蒸馏系统完全遵循EPA 1630方法的要求，是您制备EPA 1630方法所需样品的最佳解决方案产品图片：

MERX全自动烷基汞分析系统，全球烷基汞用户的选择，满足美国EPA标准及《水质烷基汞的测定吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》（HJ977-2018），为双标准制定和验证使用仪器；模块化设计，可升级为烷基汞/总汞二位一体分析系统，检出限可达0.002ng/L，重复性好，结果准确可靠。 在汞循环中，汞是以多种形态存在的，汞的毒性取决于化学形态，汞基本上有3种形态:元素汞、无机汞、有机汞(以甲基汞为主)，它们的中毒症状和暴露途径各不相同。现代研究已经证明，不同形态汞的毒性差别很大，如甲基汞的毒性是无机汞的100 倍以上，而且甲基汞具有亲脂性，更容易和生物体结合，穿过细胞膜和血脑屏而造成毒害。因此，测定元素特定的化学形态的含量，测定有机汞而不仅仅是总汞，对于解释它们的生物化学行为和评价对环境的潜在危害是很有必要的。 采用气液分离器、多通道吹扫和Tenax捕集技术，将液体中的烷基汞（甲基汞，乙基汞）进行吹扫并通过捕集阱富集，然后对捕集阱进行快速加热，烷基汞（甲基汞，乙基汞）被解析随载气进入气相色谱进行分离和高温裂解还原，最后通过冷原子荧光检测器，检测烷基汞的含量；符合并被美国EPA 1630分析方法推荐。 技术指标： ● 多功能自动进样器 -双进样模式。 -高通量：高达72个样品位。 -全封闭型进样。 ● 烷基汞吸附及吹扫模块 -平行三通道Tenax 捕集阱交替捕集，其中一个捕集阱在热脱附，另一个捕集阱在吸附，另一个捕集阱在干燥，准备吸附下一个样品。 -快速弹道红外线加热系统。 ● 气相色谱分离热裂解模块 -气相色谱方法内置已优化，保证良好的分辨效果。精确的控温系统保证分析的优异重复性 ，柱温可编程，提供方法开发的灵活性。 -高温热裂解模块 ：高达900多度的裂解温度将不同形态汞分解还原为蒸汽汞。 ● 冷原子荧光检测器 -在美国EPA标准方法1630及1631中被引用，在全世界领先的研究实验室内被使用 。 -触摸控制屏上可轻松调节设置，通过高清晰LCD显示信号和设定。

简介： 北京鸿信的全自动烷基汞分析仪HXAM-51(II)是采用吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法的原理，故又名吹扫捕集-气相色谱-冷原子荧光分析仪；用于测定烷基汞（甲基汞，乙基汞）的分析仪器，具有分析速度快，数据准确可靠，检出限低的优点,完全符合：《水质 烷基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法 》（HJ 977-2018）《土壤和沉积物 甲基汞和乙基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》(HJ 1269-2022)《生活饮用水标准检验方法 金属指标 》（GB/T 5750.6-2023 ）《出口水产品及其制品中甲基汞的测定 全自动甲基汞分析仪法》（SN/T5517—2023）等相同原理的分析标准，非常适合批量样品的全自动分析。仪器特点一体化成型的设计：将捕集模块、气相模块及冷原子荧光检测器并排集成于一体，设计在同一个平台内，避免了分块式和叠加式设计造成的管路过长和稳定性不一致，保证整个系统的同一稳定性，抗干扰性更强，分析更准确。自动进样器：采用原位吹扫捕集或异位吹扫进样方式，全自动化进样，最大可达108个样品位数，进样量可达45mL，完全符合HJ 977-2018,HJ 1269-2022,GB 5750.6等标准进样要求。吹扫捕集模块：采用原位吹扫或异位吹扫进样方式的，吹扫管体积大于60mL，充分吹扫无残留，无交叉污染，采用多通道捕集管，有水汽隔离装置，具备吸附，反吹干燥，脱附，活化等功能，防止水蒸气影响，连续进行多个样品的分析，分析时间短，过程连续不浪费时间。采用螺旋辐射快速加热脱附，无残留不拖尾，峰型好。高清显示控制屏：采用7英寸高清平板电脑，集成高精密电子传感器，实时显示控制的流量及温度，提供更加智能和直观的工作模式。智能远程控制*：可选升级采用远程控制，不受距离限制远程查看仪器运行状态和远程操作工作站控制仪器运行。高级进样模式*：可选升级采用原位/异位一体进样器,仅需软件选择切换即可实现原位/异位吹扫进样方式。可选升级系统全自动总汞分析系统*:多级分析捕集，极大改善了峰型，获得更高灵敏度；超痕量的检出限和极宽的线性范围。技术性能1.检出限：甲基汞检出限：0.002ng/L，乙基汞检出限：0.002ng/L；2.重复性：≤5%(0.1ng/L烷基汞（甲基汞，乙基汞）)，≤3%(1ng/L烷基汞（甲基汞，乙基汞）)；3.稳定性：≤3%（以1ng/L烷基汞（甲基汞，乙基汞）样品为例，6个40mL样品一次性加入衍生试剂，先分析3个样品，隔3个小时后再分析另外3个样品，数据重复性≤3%）；4.线性相关系数：＞0.999；5.回收率：甲基汞75%~120%，乙基汞70%~120%；6.吹扫捕集模式：原位吹扫或异位吹扫。

ZSMA全自动烷基汞分析系统，通过蒸馏处理、吹扫捕集/气相色谱-原子荧光法，测量样品中的痕量甲基汞、乙基汞等烷基汞的含量。仪器可以实现完全的自动化操作，测量结果准确，检出限低，测量范围宽，适用于烷基汞的自动快速精确测量。 烷基汞作为具有较强神经毒性的环境污染物，可以通过大气、水体、土壤等方式进入到人类的食物链中，从而逐步富集进入人体，对人体健康造成严重危害。对生产和生活环境的有效监控可以更好的保障人们的健康安全。仪器原理：采用吹扫捕集技术，将样品中的烷基汞富集到Tenax管后，迅速加热解析，样品通过气相色谱分离，之后高温裂解实现原子化，通过原子荧光检测器进行检测。进样、吹扫、捕集、解析、气相分离及分析过程全部密闭的环境下自动进行，避免污染环境，保护实验人员。ZSMA100全自动烷基汞分析系统设计完全符合：生态环境部方法《HJ977-2018水质 烷基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱冷原子荧光光谱法》和《HJ 1269-2022 土壤和沉积物 甲基汞和乙基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》满足美国环保署方法EPA 1630标准要求。仪器的特点： 钝化双层不锈钢取样针，无吸附，不易弯折 样品和吹扫气从吹扫管底部进入吹扫管，吹扫效率高 具有异位吹扫和原位吹扫双模式，用户可自由切换 改性Tenax捕集阱，解析温度软件可调 液体传感器，避免水汽对捕集管的影响 气相色谱分离不同形态的汞，可使用毛细管或填充柱 采用升温更快的弹簧式环绕加热反向解析技术，峰形更好 原子化裂解温度850℃以上，保证各种形态的汞彻底分解 采用不分光比例双光束，以保证优秀的重复性和灵敏度 软件中文操作界面，可满足国际国内标准要求 具有MFC流量计精确控制流速，可以获得更好的重现性 自动进样器具有36，72，120等多种位数可选 进样瓶多种体积可选，可升级进样器自动恒温系统 仪器具有检出限低，配置高，性能稳定 仪器可使用氩气吹扫，提高检测器灵敏度降低检出限

什么是硅烷气体硅烷即硅与氢的化合物，是一系列化合物的总称，包括甲硅烷( SiH4) 、乙硅烷( Si2H6) 和一些更**的硅氢化合物。目前应用**多的是甲硅烷。一般把甲硅烷简称做硅烷。硅烷作为一种提供硅组分的气体源，可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅、各种金属硅化物。 因其高纯度和能实现精细控制，已成为许多其他硅源无法取代的重要特种气体。硅烷广泛应用于微电子、光电子工业， 用于制造太阳电池、平板显示器、玻璃和钢铁镀层， 并且是迄今世界上**的大规模生产粒状高纯度硅的中间产物。硅烷的高科技应用还在不断出现, 包括用于制造**陶瓷、复合材料、功能材料、生物材料、高能材料等等，成为许多新技术、新材料、新器件的基础。硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著称。硅烷有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量，决定了它是一种高危险性的气体。主要是针对化工厂、实验室，危化品仓库等有限空间研发检测气体进行优化后的一款专用的在线固定式检测仪。它能将现场检测到的有毒有害气体浓度，转换为对应的标准信号（标准信号种类选择请参考技术参数表），然后将信号传输到 PLC、DCS、报警控制主机等上位机进行统一显示、管理和控制，从而组成功能强大的智能化气体检测报警控制系统。该设备内置继电器，可控制外围声光报警器、风机、电磁阀等设备。如该设备连入我司服务器，可实现远程设置报警值和远程标定等功能，节省后期维护成本。广州市诺达电子有限公司以专业、负责的态度致力于为客户提供与环境匹配的检测产品和服务。 主要特点：★速核系统：采用高精度32位高速微处理器，**Epsion数据处理系统，速测危害气体，高效预警毒气泄漏； ★多级标定：业内智能化多级校准技术，多重滤波技术，更精准更快速地反馈现场浓度值；★自动标定：通入实际标气，无需标定员操作，**智能识别标定；★稳定性超强：经过严格的进料筛选工序，及行业经验十几年的研发人员匠心打造，抗EMC、EMI干扰，大幅度提高**侦察兵的可靠性；★多结构的通讯方式：支持4-20mA与RS485单路或多路同时通讯，有线与内置无线433M/GPRS等无线多路通讯（选配）；★规范标准：JJF 1363-2012,JJF 1368-2012,JJF 1421-2013,JJF 1364-2012 GB3836-2010,GB 12476.5-2013 技术规格参数及气体种类：检测气体硅烷量 程0-10PPM/0-50PPM/0-100PPM（更多量程可以来电咨询）；分 辨 率0.01PPM检测原理电化学原理精 度≤±3F.S显示方式320*240 高清彩屏响应时间T90＜30S恢复时间≤30S（T90-T10)使用寿命传感器2-3年检测方式扩散式重 复 性≤±1 %F.S继 电 器容量 220VAC **/24VDC ** 无线输出（选配）433M（≤无障碍3公里 ） （定制）GPRS（无距离限制） （定制）WIFI/zigbee/LORA （定制） 有线输出（选配） 485+开关量输出 （标配）4-20mA+RS485+开关量报警输出 （定制）以上任选一种防护等级 IP66防爆等级隔爆型：ExdⅡCT6 Gb 尺 寸205*140*92mm(L×W×H)探头材质铝合金、不锈钢（可选）安装方式壁挂式、杆装式、管道式重 量1KG工作电压12－35VDC，常用 12VDC、24VDC电气接口接线口尺寸：内螺牙 M20*1.5（ G1/2 内螺牙、G3/4 内螺牙、 1/2NPT标准配件探测器、说明书、红外遥控器、厂家出厂检测报告选 配 件防爆声光报警、安装支架、管道式安装配件等工作环境温度：催化燃烧：-40~+70℃；电化学：-20~+50℃；PID：-20~+50℃；红外：-20~+50℃； 荧光法：-20~+50℃； 氧化锆:-40℃~+700℃压力：86-110Kpa；（氧化锆：≤0.6Mpa)湿度：15%RH~95%RH（无凝露）产品功耗电化学传感器：P ≤ 1.2W 红外传感器：P ≤ 2.0W普通催化传感器 ：P ≤ 2.6W 低功耗催化传感器 ：P ≤ 1.5W 热导传感器 ：P ≤ 2.0W 执行标准GB15311.1-2003； GB3836.1-2010； GB3836.2-2010； GB3836.4-2010；气体选型O30-100%LELCH2O0-10,50,100PPMCO0-100,1000,2000,10000PPMO30-1,10,50,100%VOLH2S0-50,100,1000,2000PPMCH40-1,10,50,100%VOLO20-30,100%VOLPH30-10,100,1000,5000PPMNH30-50,100,1000,2000PPMH20-100,1000,5000,40000PPM,100%VOLO30-5,10,50,100,1000,5000,10000PPMN20-100%VOLCL20-10,20PPMHCL0-10,100,500,1000PPMNO0-100,500,1000,5000PPMSO20-10,20，100,500,1000,5000,40000PPM

1.实现了在实验室气相色谱平台搭建的烷基汞测量体系，实现了通用仪器专用化的设计思路，在可以测量烷基汞的同时，也可以进行其他气相色谱法的应用检测。2.小型化光路设计，经过复杂的光学设计，使得整体的荧光检测器可以集成在手掌大小，并且在体积缩小的同时，提高了仪器对于汞的灵敏度响应。MAS-100型烷基汞分析仪，满足HJ977-2018《水质 烷基汞的检测 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》国家环境保护标准，适用于样品的批量分析。 水溶液中甲基汞、乙基汞与衍生化试剂四丙基硼化钠反应，并生成具有一定挥发性的甲基丙基汞和乙基丙基汞，经氩气吹扫、Tenax管捕集后，使用气相色谱-冷原子荧光检测器测定。通用仪器专用化在加装AFD的同时，还可以加装其他检测器（FID、ECD、TCD、FPD），满足使用者对于其他应用的分析。主动尾气捕集系统经过检测器的汞蒸气最后会经过金丝吸附管进行捕集，保证汞蒸气的有效捕集。使用毛细色谱柱高效分离更高的柱效，更快的分离速度，使甲基汞、乙基汞的灵敏度更高。产品创新点详解：（1）丰富实验室气相色谱仪应用场景。基于通用仪器专用化的设计思路，在FID、FPD、ECD、TCD和TSD等传统气相色谱检测器的基础上，开发了具有专利技术的小型冷原子荧光检测（AFD），可直接搭载在实验室气相色谱仪上，实现气相色谱仪和原子荧光光谱联用分析，进一步丰富了实验室气相色谱仪的应用场景。（2）对提高汞检测行业的仪器利用率提出了新的方案。各实验室除了烷基汞检测外还有其他检测项目需求，该仪器在实验室气相色谱平台上实现除烷基汞分析外，还可以进行挥发性有机物、挥发性卤代烃、有机磷、有机氯等多气相色谱应用拓展。（3）AFD小型化集成设计。AFD采用小型化集成设计思路，整个检测器只有商用冷原子荧光光谱仪的1/30左右，包括基座、高温裂解模块、荧光池及主动捕集系统。一体化的基座设计，不仅满足毛细色谱柱与高温裂解模块的连接，又避免了高温对于色谱柱的性能影响。高温裂解模块采用纳米隔热层设计，满足内部950℃高温裂解的同时，实现了与外部良好隔热。荧光池采用多级光学陷阱实现特殊的杂散光消除技术，最终实现高灵敏度检测。（4）保护环境及分析者健康。采取主动泵抽式捕集系统，经过检测器的汞蒸气在泵抽吸过程中由金丝吸附管进行捕集，保证汞蒸气的有效捕集，从而保护环境与仪器使用者。（5）引入毛细色谱柱分析，更高的柱效、更快的分离。基于实验室气相色谱仪平台的优势，使用毛细色谱柱进行烷基汞分析，可在4分钟以内实现甲基汞与乙基汞分离，提高仪器使用效率。

MAS-100烷基汞分析仪 北京北分瑞利分析仪器（集团）有限责任公司开发的MAS-100型烷基汞分析仪，满足HJ977-2018《水质 烷基汞的检测 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法》国家环境保护标准，适用于样品的批量分析。 水溶液中甲基汞、乙基汞与衍生化试剂四丙基硼化钠反应，并生成具有一定挥发性的甲基丙基汞和乙基丙基汞，经氩气吹扫、Tenax管捕集后，使用气相色谱-冷原子荧光检测器测定。 通用仪器专用化在加装AFD的同时，还可以加装其他检测器（FID、ECD、TCD、FPD），满足使用者对于其他应用的分析。主动尾气捕集系统经过检测器的汞蒸气最后会经过金丝吸附管进行捕集，保证汞蒸气的有效捕集。使用毛细色谱柱高效分离更高的柱效，更快的分离速度，使甲基汞、乙基汞的灵敏度更高。产品创新点详解：（1）丰富实验室气相色谱仪应用场景。基于通用仪器专用化的设计思路，在FID、FPD、ECD、TCD和TSD等传统气相色谱检测器的基础上，开发了具有专利技术的小型冷原子荧光检测（AFD），可直接搭载在实验室气相色谱仪上，实现气相色谱仪和原子荧光光谱联用分析，进一步丰富了实验室气相色谱仪的应用场景。（2）对提高汞检测行业的仪器利用率提出了新的方案。各实验室除了烷基汞检测外还有其他检测项目需求，该仪器在实验室气相色谱平台上实现除烷基汞分析外，还可以进行挥发性有机物、挥发性卤代烃、有机磷、有机氯等多气相色谱应用拓展。（3）AFD小型化集成设计。AFD采用小型化集成设计思路，整个检测器只有商用冷原子荧光光谱仪的1/30左右，包括基座、高温裂解模块、荧光池及主动捕集系统。一体化的基座设计，不仅满足毛细色谱柱与高温裂解模块的连接，又避免了高温对于色谱柱的性能影响。高温裂解模块采用纳米隔热层设计，满足内部950℃高温裂解的同时，实现了与外部良好隔热。荧光池采用多级光学陷阱实现特殊的杂散光消除技术，最终实现高灵敏度检测。（4）保护环境及分析者健康。采取主动泵抽式捕集系统，经过检测器的汞蒸气在泵抽吸过程中由金丝吸附管进行捕集，保证汞蒸气的有效捕集，从而保护环境与仪器使用者。（5）引入毛细色谱柱分析，更高的柱效、更快的分离。基于实验室气相色谱仪平台的优势，使用毛细色谱柱进行烷基汞分析，可在4分钟以内实现甲基汞与乙基汞分离，提高仪器使用效率。

PECVD沉积Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批处理基片(4x3” 3x4” 7x2”)。Minilock-Orion III用于有毒/发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、无定形硅和碳化硅。工艺气体：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管（Triode）或电感耦合等离子(ICP)源。三极管源使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。

技术特点宽泛的动态范围：独特光电检测电路与算法，确保其宽泛的检测范围；一体式整体设计，将进样器、色谱分离、检测器合为一体。配备极坐标式自动进样器，瓶内顶空方式吹扫，避免使用同一个气液分离器，防止交叉污染及洗涤不便。检测过程仅使用氩气，避免使用多种高压气体种类。光电设计，允许宽泛的动态检测范围。质量流量控制器控制气体流速，控制准确，调节方便。侧板式维护窗口，无需拆机即可更换、检修关键部件。技术参数分析原理：吹扫捕集-气相色谱-原子荧光（P&T-GC-AFS）样品类型：水质、生物质、土壤等载气：氩气（99.99%）外形尺寸： 610mm×490mm×570 mm检测范围：甲基汞：0.0125～50 ng/L（40 mL样品）乙基汞：0.0125～50 ng/L（40 mL样品）吹扫方式：原位吹扫样品位数：84位电源：220V AC，10A，50Hz重复性：RSD≤ 3% @ 25 pg MeHg分析时间：甲基汞分析时间小于6.5 min/样品；烷基汞分析时间小于12 min/样品适用标准EPA 1630 水中甲基汞，吹扫捕集-冷原子荧光光谱法HJ 977-2018 水质 烷基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法HJ 1269-2022 土壤和沉积物 甲基汞和乙基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法

H6型便携式恶臭分析仪 产品介绍： 利用先进的传感器技术、互联网技术、无线通信技术、计算机网络技术、电子地理信息技术等，对颗粒物、气态污染物等排放实现监测的综合实时监控系统。 监测因子包括：标准污染物OU、CS2、NH3、H2S、TVOC、三甲胺、甲硫醇、甲硫醚、二甲二硫醚、苯乙烯；可选配颗粒物、噪声、温度、湿度、大气压等，支持上传云平台。主要特点：&bull 触摸式显示屏，人性化设计，更方便于客户使用；&bull 可用于在线监测、车载监测、走航及应急等多种工作模式，监测数据上传至数据平台，实现对空气质量的监控、追踪及溯源；&bull 设备采用便携式设计，体积小、重量轻、方便移动，可手提或背包使用；&bull 气态污染物采样流量采用单独独立的泵吸式控制。长寿命采样动力系统，安静，高效；&bull 气态污染物监测选用四电极高精度进口定电位电解传感器；&bull 设备可适用于各种严苛的室外环境，电路采用工业级嵌入式处理器，工作环境温度范围（-30~70）℃；&bull 采用工业级数据传输模块，数据传输稳定可靠，3G/4G/5G、RS485、RS232等多样的通信方式供客户选择，支持同时传输多达8个云平台，并具有GPS定位功能；&bull 终端设备可通过FTP服务器，远程升级终端的应用程序，实现远程维护，保证用户可以使用最新的应用程序，及时更新系统功能；&bull 电池具有过充/过流/短路保护，使用更安全；&bull 可采用市电、电池及车载应急充电的多种供电方式。技术参数：气体因子化学式原理测量范围分辨率臭气OUMOS0-100/1000 ou0.1/1 ou氨气NH3电化学0-100 ppm0.01 ppm硫化氢H2S电化学0-100 ppm1 ppb三甲胺C3H9NMOS0-10 ppm10 ppb甲硫醇CH4S电化学0-10 ppm10 ppb甲硫醚C2SH6电化学0-10 ppm10 ppb二甲二硫醚C2H6S2电化学0-10 ppm10 ppb苯乙烯C8H8电化学0-10 ppm10 ppb二硫化碳CS2电化学0-10 ppm10 ppb氯化氢HCL电化学0-100 ppm0.1ppm氯气CL2电化学0-20 ppm0.02ppm二氧化氮NO2电化学0-1000 ppm1ppb二氧化硫SO2电化学0-1000 ppm1ppb总挥发性有机化合物TVOCPID0-10 ppm10 ppb

北斗星仪器有毒气体报警器，气体探测器，气体传感器CPT2000系列测试的气体主要有：氢化物、丙烯氰、砷烷、硼烷、甲烷、丙烷、有机气体、可燃气、溴气、乙炔、甲醇、乙醇、甲醛、环氧乙烷、氯乙烯、三氯乙烯、氯甲酸乙酯、氯气、二氧化氯、一氧化碳、光气、二氧化碳、氟、锗烷、氢气、氘气、溴化氢、氢氰酸、氯化氢、氟化氢、氟化物、H2O、硫化氢、三氟化氮、氨、含磷毒剂、甲氨、二甲、氨、三甲氨、过氧化氢、肼、二氧化氮、氧化氮、氮氧化物、氧、溴氧、过氧乙酸、磷化氢/磷烷、二氯化二硅、四氯化硅、硅烷、灭火剂,制冷剂,碳氟化合物、碳氯化合物、碳溴化合物, 氟氯碳化物、二氧化硫、四氢噻吩、乙醛、三氯化砷、三氟化砷/五氟化砷、六氟化钨、六氟化钨、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、甲硫醇、硫醇、硫醚、芥子气、丁硫醇、三氟化氯、三氟化氯、四氯硅锗、十氟化二硫、二氯化二硫、甲酸、锡化氢、碘、异丁醇、甲醇、二氯化磷、五氯化磷、磷酰氯、四氯化硅、锑化(三)氢、氟化硫磺、硫酰氟、六氟化硫、噻吩、四溴化锡、四氯化锡、四氯化钛、四氟化锡、三氯硅烷、三氯三(二氮陆圜)、三氟三(二氮陆圜)、溴甲烷、二硫化碳、二甲基硫醚、二甲基二硫、甲基黄酰氯等。具体测试参数指标请咨询北斗星仪器工程师。气体报警系统常识安静实验室环境：　选择智能变送器蜂鸣器报警即可无机械噪音车间：10米以内：变送器电压信号 ? 100 dB 声光报警器10-1000米: 变送器电流信号 ? 100 dB 声光报警器注意: 易燃易爆气体环境,必须选择符合等级的防爆器件、供电和安装系统重型机械，室外：10-1000米: 变送器电流信号 ? 100 dB 声报警器防爆/防尘/防水 Safety规 格防爆等级易燃易爆安全粉尘安全易燃易爆飘尘安全CPT2610AAIntrinsically Safe,T6Class I,Group A,B,C,DClass II, D1Class III,D1CPT2620AAIntrinsically Safe,T6CPT2620AExIntrinsically Safe,T6CPT2620AWEEx d IIC T3变送器性能 Specifications： l CPT2000型, 专业变送器电路。三/四线制。l 电流信号输出:0-2.5V,0/4-20mA，电流输出Z大负载RL=(Vs-2.7V)/0.020mA。l 2610/2620耗电约50mA*5V，为本安型，可直接用于1，2，3 Class。专门定制，方可用于“0”区。防爆区域使用，注意防爆安全要求以及相应的供电、接线、作业等规范。l 2310/2410类耗电功率 650mA*5V，只有定制隔爆型,方可用于1,2,3类防爆场所。 l 电路测试精度0.05%FS。l 测试种类和准确度由所配探头决定。一般探头理论精度1.5%。由于飘逸，污染，成分干扰等因素实际正常使用相对准确度只能可达到1.5-10%左右。l 外接电源DC 12-24V, 功率:1.40 W, 基本测试功耗100mW。l 工作温度: 一般直接测试 0-50 ℃ (由具体探头之性能决定)。l 压力: 一般直接测试 0-0.7kgf/cm2 (由具体探头之性能决定)。仪器维护:l 保持变送器表面干净,不能有明显的污垢吸着于表面。建议根据现场情况制定定期检查和清理计划；l 变送器每年标定或校准1次，2610系列1-2年定期更换探头；2310/2410系列5-10年更换一次。具体维护周期依所选探头确定。选型常识：l 本系列变送器不是都可以达到分析仪的水平 2610有线性输出,但是普遍受干扰气体影响,只有特定背景气体中,才能达到定量测试要求 l 2310系列只能作为报警器使用,信号输出与浓度的平方根成比例 要求定量时必须选择BD5智能型产品或配套我所其他显示报警器。l 车间报警器布置:1) 巨毒气体或其它危险气体每隔1.5-3米空间距离布置一个变送器；不是非常危险的气体，可以隔7-10米布置；重点保障泄露源附近按规定布置。2) 空气流动性较好的情况下可以适当减少布点，注意将变送器布置在有代表性的气流区域---下风口。3) 装有风扇等临时启动排风装置：基本按空间概念布置；4) 常通风的车间: 一般出风口附近2米左右处安装一个探测器，如果有死角，也应该合理布置探头；另外潜在泄露点下风位置合理布置探头。5) 探头安装高度：相对与空气，特别轻的气体，例如氢气，应该将变送器装在较高的位置；比重比空气重的气体， 则装在泄露点以下位置。一般毒性气体探头装在人头高度（1.3-1.8米空间高度）。l 室外罐区等布置：首先考虑地方各季节的风向特点，确保下风位置有探头；其次考虑具有可能泄露点布置探测，探头仍应装在相对的下风口方位。室外安装高度，一般应该与可能的泄露点位置平行。但是比重轻的气体探头仍应考虑偏上方安装，重的气体则在下方安装。常年风力较大的地方，主要与泄露点平行安装。l 易燃易爆车间，尽量不要采用变送器直接报警，而是通过安装在仪表室的控制器连接报警系统，这样工厂安装容易达到具体工业安全标准要求。0区报警系统应特别订货。

四氯硅烷分析氦离子色谱仪适用电子工业用气体中痕量杂质的检测，小检测浓度可达5ppb。仪器配备高灵敏的氦离子化检测器，采用华爱公司的中心切割技术，进样阀均带有吹扫保护气路；整机采用多柱箱设计，并配备进样压力自动校正系统，不同底气的样品的进样量。产品先后荣获上海市成果转化A级项目。硅(SiHCl3)含量（体积分数）/l0-6 ≤40025二氯硅烷(SiH2Cl2)含量（体积分数）/l0-6 ≤40025甲基二氯硅烷(SiCl2CH4)含量（体积分数）/l0-6 ≤20050金属元素及其他元素含量（硼+铝）（B+Al）含量/（μg/kg） ≤——0.1（磷+砷）（P+As）含量/（μg/kg） ≤——0.3镓（Ga）含量/（μg/kg） ≤——0.5锑（Sb）含量/（μg/kg） ≤——0.5铟（In）含量/（μg/kg） ≤——0.5钙（Ca）含量/（μg/kg） ≤10.5铬（Cr）含量/（μg/kg） ≤10.5铁（Fe）含量/（μg/kg） ≤10.5钾（K）含量/（μg/kg） ≤10.5钠（Na）含量/（μg/kg） ≤10.5镍（Ni）含量/（μg/kg） ≤10.5钼（Mo）含量/（μg/kg） ≤10.5锰（Mn） 含量/（μg/kg） ≤10.5铜（Cu）含量/（μg/kg） ≤10.5镉（Cd） 含量/（μg/kg） ≤10.5钴（Co）含量/（μg/kg） ≤10.5锌（Zn）含量/（μg/kg） ≤10.5钒（V）含量/（μg/kg） ≤10.5

技术特点宽泛的动态范围：独特光电检测电路与算法，确保其宽泛的检测范围；一体式整体设计，将进样器、色谱分离、检测器合为一体。配备极坐标式自动进样器，瓶内顶空方式吹扫，避免使用同一个气液分离器，防止交叉污染及洗涤不便。检测过程仅使用氩气，避免使用多种高压气体种类。光电设计，允许宽泛的动态检测范围。质量流量控制器控制气体流速，控制准确，调节方便。侧板式维护窗口，无需拆机即可更换、检修关键部件。技术参数分析原理：吹扫捕集-气相色谱-原子荧光（P&T-GC-AFS）样品类型：水质、生物质、土壤等载气：氩气（99.99%）外形尺寸： 610mm×490mm×570 mm检测范围：甲基汞：0.0125～50 ng/L（40 mL样品）乙基汞：0.0125～50 ng/L（40 mL样品）吹扫方式：原位吹扫样品位数：84位电源：220V AC，10A，50Hz重复性：RSD≤ 3% @ 25 pg MeHg适用标准EPA 1630 水中甲基汞，吹扫捕集-冷原子荧光光谱法HJ 977-2018 水质 烷基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法HJ 1269-2022 土壤和沉积物 甲基汞和乙基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法