荧光钙探针五钾盐标

产品介绍D-荧光素钾盐是一种被广泛应用于生物学研究的荧光探针，具有优异的生物发光性能。它是一种杂环化合物，可被荧光素酶催化生物发光，产生典型的黄绿光。博鹭腾推出的D-荧光素钾盐产品具有优异的生物发光性能，能够迅速溶于水或者缓冲液中，使用方便、应用广、安全性高，可应用于活体成像、报告基因的分析、细胞活力检测和卫生监控等领域。产品特点1、生物发光性能D-荧光素钾盐可使荧光素酶标记基因和荧光素酶融合蛋白在活细胞、组织和生物体的表达发光成像。它的生物发光过程需要ATP和Mg2+作为辅因子，在有氧条件下与荧光素酶反应产生黄绿色发射光，而在37℃的活体内则会转换为红光。荧光素酶的表达基因可以被转染到研究动物中，如大鼠、小鼠，用来标记肿瘤细胞、干细胞或传染病。通过生物荧光成像技术，可以实时、非侵入性地监测疾病的进程或药物效果。2、应用范围广D-荧光素钾盐在整个生物技术领域都有广泛的应用，特别是在体内活体成像技术中应用较为广泛。荧光素酶的表达基因可以被转染到研究动物的细胞中，用来标记肿瘤细胞、干细胞或传染病。通过生物荧光成像技术，可以实时、非侵入性地监测同时，D-荧光素钾盐还可以被用于细胞活力检测、卫生监控等方面。3、安全性高D-荧光素钾盐作为一种生物探针，具有较高的安全性。它是一种天然的化合物，不会对生物体产生有害影响。在体内应用时，它能够快速被代谢和清除，不会在体内残留太长时间。因此，D-荧光素钾盐被广泛应用于生物学研究和医学诊断领域。4、使用方便D-荧光素钾盐能够迅速溶于水或缓冲液中，使用方便。它不需要特殊的显微镜或设备，可以在常规的荧光检测设备上进行测量。同时，它还具有高选择性，能够快速、准确地检测ATP酶的活性，同时不会被其他酶类干扰。因此，D-荧光素钾盐在生物学研究中应用非常广泛。

锥形光纤探针扫描系统锥形光纤探针扫描系统GalvoStation是一种单通道光电激光设备，锥形光纤探针扫描系统设计用于使用Lambda Fibers进行空间选择性光传输和收集。GalvoStation允许将Lambda光纤发出的光限制在其有效长度的子位置。锥形光纤探针扫描系统在有效长度范围内，可以沿光纤轴任意扫描活性子位点。锥形光纤探针扫描系统利用这一特性，可以对不同深度分辨率的大脑区域进行光刺激，以便使用多电极阵列记录不同深度的光致电生理信号，或在深度分辨率的纤维光度测定实验中收集来自不同大脑区域的荧光信号。用锥形光纤探针Lambda Fibers的位置选择性光传输/收集的轴向分辨率由子站点长度表示。锥形光纤探针扫描系统GalvoStation可以配备一个或两个激光源，并可选地包括一个光路，用于组合光传输和收集与单个探头。下表列出了带有相关应用程序的选项集示例。Laser wavelengths[nm]Collectionband [nm]Application example405 + 473500 – 550基于等吸收控制的GCaMP空间选择性光纤光度法473N/A基于ChR2的空间选择光遗传学405 + 561600 – 650基于等吸收控制的RCaMP空间选择性光纤光度法锥形光纤探针扫描系统组成：完整的GalvoStation系统由GalvoStation(1)，其电源(2)，一个或两个激光驱动器(3)，一个DAQ板(可选，4)和一个光电探测器(可选，5)组成。根据所选的配置，系统提供了一组补片光纤和所需的所有电缆。2根2m长的D-Sub15电缆。一根探针跳线(SMA905到护套)。一根传感器跳线(SMA905到FC/PC)。三根0.5米长的BNC电缆。4根2000米长的BNC电缆。三个BNC-Tee适配器。一根2米长的3针DIN电缆。3根C13交流电缆。一个DAQ电源。还包括一个入门工具包。由:一根5pack Lambda-plus fibers(光纤类型和短管规格由客户定义，包括一张校准幻灯片) 一根探针跳线(与Lambda-plus fibers类型相同) 一根传感器跳线。如果要使用旋转接头，则在订单中指定的连接器将提供额外的跳接线。设备提供的探针跳线建议与Lambda-plus fibers和TaperScan软件进行配套使用蕞佳。GalvoStation提供的传感器跳线基于高数值孔径光纤，适合与光电探测器(可选包括)一起使用。如果与您自己的光电探测器一起使用，请参考制造商的光电探测器跳线的选择和购买指南。锥形光纤探针Lambda-plus fibersLambda-plus fibers是在不同批次的光纤中选择具有严格的锥度长度和锥度轮廓公差的光纤，用于恒定的子位点长度，强烈推荐给GalvoStation和ThetaStation用户。TaperScan—GalvoStation控制软件TaperScan软件可用于GalvoStation的完全控制。它允许选择Lambda fibers的有源子站点，操作激光源及其光功率水平。实现了两种操作模式:手动模式用于直接手动控制Lambda fibers的空间选择性光发射，以及协议模式，可以对单源(例如光遗传刺激)和双源(例如具有等吸光控制的光纤测光)刺激程序进行编程。手动版锥形光纤探针扫描器Thetastation是一种光机械工具，设计用于使用Lambda fibers进行空间选择性光传输。该设备允许限制和手动扫描Lambda fibers在其有效长度的子站点发出的光。通过这样做，可以独立探测植入Lambda fibers的组织区域的子部分:这种能力在光遗传学实验中提供了额外的自由度，当沿着一个轴延伸的读出技术与定点选择性光传输(例如线性微电极阵列)同时使用时，这一点特别相关。一般性建议：建议使用激光光源。使用单模(SM)输入跳线以获得蕞佳传输效率。Lambda fiber的发光子区域的位置和尺寸以及传输效率需要作为千分尺螺杆位置的函数进行校准。关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

锥形光纤探针昊量光电新推出的锥形光纤探针Lambda Fibers是一种光纤探针，锥形光纤探针一端从其全宽逐渐减小到直径小于1um，长度为几毫米。锥形光纤探针新颖设计为光遗传学和光纤光度学实验提供了一种独特的方法，锥形光纤探针允许均匀的大体积照明和空间可寻址的光传输，具有极薄和锋利的光纤。锥形光纤探针Lambda Fibers独特的光学特性是光纤沿其非锥度部分引导的光模沿锥度在不同位置外耦合。这意味着通过激发光纤的所有光学模式(即通过使用与光纤具有相同或更高数值孔径的光源注入光)，光将从锥形扩散发射。更有趣的是，通过非常规的光传输策略(一种方法是通过改变角度将准直光束注入光纤的近端)仅激发一部分模式，可以将光发射限制在锥度的一小部分:当使用锥形光纤探针Lambda Fibers进行光收集时，导光的模态含量与锥度的活动部分或子部分之间的关系保持不变。为了在不同光纤之间获得更高的重复性，并在扫描范围内实现均匀的发射长度，建议使用Lambda-Plus Fibers：Lambda-Plus Fibers是锥度轮廓上有严格公差的锥形纤维。锥形光纤探针Lambda Fibers为光遗传学和光纤光度测定实验提供了一种新的方法。由于光传输/收集是从锥形表面进行的，因此Lambda Fibers通常插入要控制的区域。有效发射/收集光的锥度部分由有效长度定义。\由于锥形光纤探针Lambda Fiber的光活性表面比标准光纤更大——一个锥体的表面的高度等于有效长度与光纤核心面积的关系——因此需要更大的总输入光功率来获得相同的照明功率密度。由锥形的有源表面发出的平均照明功率密度可以计算为由锥形光纤发出的总光功率除以锥形光纤的有源面积。总光功率可以通过将锥形光纤放在前面并非常靠近光功率传感器来测量，就像通常使用扁平光纤一样。以平方毫米为单位的有效面积可以计算为锥度的有效长度(以毫米为单位)与纤维类型相关系数A的乘积:Fiber type.22/105.39/200.66/200Coefficient A [mm]0.0860.1890.243联系昊量光电获得LightSpread软件来估计Lambda光纤发出的光在脑组织中的分布情况。参考文献：[1] F. Pisanello, et al., “Dynamic illumination of spatially restricted or large brain volumes via a single tapered optical fiber”, Nature Neuroscience (2017)[2] F. Pisano, et al., “Depth-resolved fiber photometry with a single tapered optical fiber implant”, Nature Methods (2019)锥形光纤探针应用：光遗传学Lambda Fibers套管可用于靶向大量组织。锥形光学特性允许将光传输到感兴趣的整个区域或部分区域，这取决于光如何发射到光纤中。光纤光度测定Lambda Fibers锥形光纤探针套管可以通过整个锥形表面收集光。当使用选择性光传递来激发功能性荧光时，可以实现单纤维的多位点光纤光度测定。锥形光纤探针更多应用参考文献，请联系昊量光电！2022den Bakker H, Van Dijck M, et al., “Sharp-wave ripple associated activity in the medial prefrontal cortex supports spatial rule switching“, BioRxivGreenstreet F, Martinez Vergara H, et al., “Action prediction error: a value-free dopaminergic teaching signal that drives stable learning“, BioRxivCruz BF, Guiomar G, et al., “Action suppression reveals opponent parallel control via striatal circuits“, Nature2021Dacre J, Colligan M, et al., “A cerebellar-thalamocortical pathway drives behavioral context-dependent movement initiation“, NeuronRobert B, Kimchi EY, et al., “A functional topography within the cholinergic basal forebrain for processing sensory cues associated with reward and punishment “, eLifeAlvarado JS, Goffinet J, et al., “Neural dynamics underliying birdsong practice and performance“, NatureLee J & Sabatini B, “Striatal indirect pathway mediates exploration via collicular competition“, NatureDrake RAR, Steel KAJ, “Loss of cortical control over the descending pain modulatory system determines the development of the neuropathic pain state in rats” , eLifeHamilos AE, Spedicato G., et al., “Slowly evolving dopaminergic activity modulates the moment-to-moment probability of reward-related self-timed movements“, eLife2020Cruz BF, Soarez S, et al., “Striatal circuits support broadly opponent aspects of action suppression and production” , BioRxivIto H, Sales A, et al., Probabilistic, spinally-gated control of bladder pressure and autonomous micturition by Barrington’s nucleus CRH neurons , eLifeLee J, Wang W, et al., “Anatomically segregated basal ganglia pathways allow parallel behavioral modulation“, Nature NeuroscienceVincis R, Chen K, et al., “Dynamic Representation of Taste-Related Decisions in the Gustatory Insular Cortex of Mice“, Current Biology2019Hayat H, Regev N, et al., “Locus-coeruleus norepinephrine activity gates sensory-evoked awakenings from sleep“, Science AdvancesFernandez-Lamo I, Gomez-Dominguez D, et al., “Proximodistal Organization of the CA2 Hippocampal Area“, Cell RepGuo J, Sauerbrei B, et al., “Disrupting cortico-cerebellar communication impairs dexterity“, eLifeJackman SL, Chen CH, et al., “In Vivo Targeted Expression of Optogenetic Proteins Using Silk/AAV Films“, J. Vis. Exp.2018Fernandez DC, Fogerson PM, et al., “Light Affects Mood and Learning through Distinct Retina-Brain Pathways“, Cell关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

探针式表面轮廓仪布鲁克探针式表面轮廓仪（又称“台阶仪”）历今四十载，积累大量专有技术。从传统的二维表面粗糙度和台阶高度测量，到更高级的三维表面成像和薄膜应力测试，Dektak台阶仪适用面极广，为用户提供准确性高，重复性佳的测量结果。 在教育、科研领域和半导体制程控制，Dektak广泛用于膜厚、应力、表面粗糙度和面形的测量。近几年，Dektak系统已经成为发展的太阳能电池市场最优越的测试工具，也被许多主要的光伏太阳能电池制造商所认可。DektakXT 桌面型探针式表面轮廓仪布鲁克DektakXT台阶仪设计创新，实现了更高的重复性和分辨率，垂直高度重复性高达4埃。这项测量性能的提高，达到了过去四十年Dektak体系技术创新的顶峰，更加稳固了其行业中的领先地位。不论应用于研发还是产品测量，在研究工作中的广泛使用是的DektakXT地功能更强大，操作更简便易行，检测过程和数据采集也更加完善。技术的突破也实现了纳米尺度的表面轮廓测量，从而可以广泛的应用于微电子器件，半导体，电池，高亮度发光二极管的研发以及材料科学领域。 探针式轮廓仪的黄金标准DektakXT探针式轮廓仪 性的突破设计创新，实现了垂直高度重复性高达4埃，数据采集能力提高了40%。这一里程碑的创新和突破，使得DektakXT实现了纳米尺度的表面轮廓测量，从而可以广泛的应用于微电子器件，半导体，电池，高亮度发光二极管的研发以及材料科学领域。技术创新四十余载，不断突破用攀高峰 Dektak品牌是首台基于微处理器控制的轮廓仪，首台实现微米测量的台阶仪，首台可以达到3D测量的仪器，首台个人电脑控制的轮廓仪，首台全自动300mm台阶仪。现在，全新的DektakXT延续了这种开创性的风格，成为世界第一台采用具有具有单拱龙门式设计，配备全彩HD摄像机，并且利用64位同步数据处理模式完成最佳测量和操作效率的台阶仪。 提高测量和数据分析速度首次采用独特高速的直接驱动扫描样品台，DektakXT在不牺牲分辨率和基底噪音水平的前提下，大大缩短了每次扫描的间隔时间，将数据采集处理的速度提高40%。另外，DektakXT采用布鲁克具有64位数据采集同步分析的Vision64，可以提高大范围3D形貌图的高数据量处理速度，并且可以加快数据滤波和多次扫描数据库分析的速度。提高操作的可重复性使用单拱龙门结构设计更坚硬持久不易弯曲损坏，而且降低了周围环境中声音和震动噪音对测量信号的影响。DektakXT会把系统和环境噪音引起的测量误差降到最低，能够更稳定可靠的扫描高度小于10nm的台阶，获得其形貌特征。 完善的数据采集和分析系统 与DektakXT的创新性设计相得益彰的配置是布鲁克Vision64操作分析软件。Vision64提供了操作上最实用简洁的用户界面，具备智能板块，可视化的使用流程，以及各种参数的自助设定以满足用户的各种使用要求，快速简便的实现各种类型数据的采集和分析。 简便易行的实验操作系统 DektakXT新颖的探针的部件自动对准装置，可以尽量避免用户在装针的过程中出现针尖损伤等意外。为尽可能满足所有应用的需求，布鲁克提供各种尺寸的标准探针和特制探针。 高效率的保证DektakXT卓越的测量重复性为工程师们提供准确的薄膜厚度和应力测量，使其可以精确调节刻蚀和镀膜工艺来提高产品的优良率。 技术细节 Close up photograph of Dektak stylus tip measuring features on a silicon wafer. Photograph of tip exchange on DektakXT. Tip exchange assembly makes changing tip sizes easy.DektakXT仪器特性无与伦比的性能和优于4埃（4 ?）的测量重复性 单拱龙门式设计实现了突破性的扫描稳定性 先进的”智能化电子器件”实现了低噪声的新标杆高效率且易于使用 直观化的Vision64TM软件简化了用户界面的操作过程 独特的传感器设计使得在单一平台上即可实现超微力和较大的力测量 自对准的探针设计使用户可以轻而易举地更换探针探针式轮廓仪的全球领导者 性能卓越，物超所值 完备的零配件为您优化或延伸机台的多种应用提供保障过去四十多年间，布鲁克的台阶仪研制和生产一直在理论和实践上不断实现创新性成果——首台基于微处理器控制的轮廓仪，首台实现微米测量的台阶仪，首台可以达到3D测量的仪器，首台个人电脑控制的轮廓仪，首台全自动300mm台阶仪——DektakXT延续了这种开创性的风格，全新的DektakXT成为世界上第一台采用具有单拱龙门式设计，配备全彩HD摄像机，并且利用64位同步数据处理模式完成最佳测量和操作效率的台阶仪。应用： 薄膜检验—确保高产量 DektakXT_Hybrid_Circuit.png 在半导体制造中，严密监控沉积和蚀刻速率的均匀性以及薄膜应力可以节省宝贵的时间和金钱。薄膜层的不均匀或应力过大，会导致良率下降和最终产品性能下降。 Dektak XT提供了快速，轻松地设置和运行自动多站点测量程序的能力，以验证整个晶圆表面的薄膜精确厚度，直至纳米级。 Dektak XT的无与伦比的可重复性为工程师提供了准确的膜厚和应力测量值，以精确调整蚀刻和沉积过程以提高产量。 太阳痕量分析-降低制造成本 在太阳能市场上，Dektak已成为测量银迹线（街道）的临界尺寸的首选解决方案，银迹线（街道）是单晶和多晶太阳能板上的导线。银迹线的高度，宽度和连续性与太阳能电池的导电能力有关。理想的生产状态是施加足够的银浆以获得最佳的导电性，同时又不浪费昂贵的银。 Dektak XT采用痕量分析程序，可报告街道的关键尺寸，以验证是否存在足够的导电材料。 Vision64中的数据分析器配方和自动化功能在自动化此验证过程中具有影响力。 DektakXT_Solar_Trace.png 微流体技术—验证设计和性能 DektakXT_Microfluidics.png Dektak是唯一的测针轮廓仪，可测量具有埃级重复性的敏感材料（高达1mm高）的大型垂直特征。 MEMS和微流体行业的研究人员可以依靠Dektak XT进行关键测量，以验证其零件是否符合规格。低力测量功能NLite +对敏感材料轻触即可准确测量垂直台阶和粗糙度，而不会损坏样品表面。 表面粗糙度验证-确保性能 Dektak XT非常适合常规验证精密加工零件的表面粗糙度，适用于各种行业，包括汽车，航空航天和医疗设备。例如，整形外科植入物背面的羟基磷灰石涂层的粗糙度会影响其一旦植入后的粘合性能和功效。使用Dektak XT对粗糙表面进行快速分析，可以确认是否已达到所需的晶体生长以及植入物是否可以通过生产要求。使用具有通过/失败标准的Vision64数据库，质量保证人员可以轻松地识别要返工的植入物或验证植入物的质量。Dektak XTL 严格的质量保证与控制下获得300mm最优性能检测布鲁克公司的新型Dektak XTL探针式轮廓仪系统可容纳多大350mm*350mm的样品，将Dektak有意的可重复性和再现性应用于大尺寸晶片及面板制造业。Dektak XTL集成气体隔振装置和方便的交互锁装置使仪器在全封闭工作环境下运行，是当今要求苛刻的生产环境的理想之选。它的双摄像头设置使空间感增强，其高水平自动化可最大限度提高生产量。 Bruker布鲁克Dektak XTL 测针轮廓仪系统大尺寸晶片和面板测量 全新的Dektak XTL™ 探针式轮廓仪优异的精确度、可重复性和再现性广泛应用于大尺寸晶片及面板制造业。该系统可容纳多达350mm x 350mm的样品，使得传奇性的Dektak系统可以实现从200mm到300mm的晶片制造。DektakXTL运算符v1 Dektak XTL具有占地面积小和带联锁门的集成隔离功能，非常适合当今苛刻的生产车间环境。其双摄像头架构可增强空间意识，其高度自动化可提高制造吞吐量。布鲁克的独家Vision64高级生产界面带有可选的模式识别功能，使数据收集变得直观，可重复，并最大程度地减少了操作员之间的差异。 新的软件功能使Dektak XTL成为功能最强大，最易于使用的手写笔探查器。该系统使用与布鲁克光学轮廓仪系列完全兼容的Vision64软件。 Vision64软件可使用数百种内置分析工具来实现无限制的测量站点，3D映射和高度定制的表征。 还可以使用Vision Microform软件来测量形状，例如曲率半径。使用模式识别可最大程度地减少操作员错误并提高测量位置精度。数据收集以及2D和3D分析在一个软件包中，具有直观的流程。每个系统都带有Vision软件许可证，可以将其安装在装有Windows 7 OS的单独PC上，以便可以在您的办公桌上创建数据分析和报告。 DektakXTL Vision64屏幕截图Dektak XTL已经针对持续生产工作时间和最大生产量在工艺开发和质量保证与质量控制应用方面进行了全面优化，将本产品设计为业界最易使用的探针式轮廓仪。 技术细节：无与伦比的性能和优于5埃（ 单拱龙门式设计实现了突破性的扫描稳定性 先进的”智能化电子器件”实现了低噪声的新标杆高效率且易于使用 直观化的Vision64TM软件简化了用户界面的操作过程 独特的传感器设计使得在单一平台上即可实现超微力和较大的力测量 自对准的探针设计使用户可以轻而易举地更换探针探针式轮廓仪的全球领导者 性能卓越，物超所值 完备的零配件为您优化或延伸机台的多种应用提供保障

公司主要经营产品：霍尔效应测试仪、探针台系列、显微镜系列：三维视频显微镜、超长工作距离视频显微镜、测量显微镜、红外/近红外显微镜、传统光学显微镜(体式、生物、偏光、荧光、金相、相衬、比对等常用教学及教研类显微镜)、光学产品组件、工业科研无损检测设备及光学自动一体化系统集成项目。测试噪声小于5E-13A 可扩展上下双透视窗口用于光电测试 可扩展凹视镜 。观察窗口可下凹，使物镜离样品更近，方便观察。 加热台材质纯银块，导热更好，不易氧化专业检测设备生产研发经验，实力见证品牌国内家专业研发探针台设备厂家，有强大技术研发实力已与国内2000多所高校和研究院合作，为您提供*价值的技术解决方案*信赖的检测设备服务商涉及光学、电学、电子、材料、生物、医学等各检测领域拥有国内专业的技术研发团队在探针台电学量测方面拥有近十年的经验小型真空探针台KT-Z4019MRL4T小型真空探针台KT-Z4019MRL4T参数真空腔体类型高温型室温到350℃高低温型 室温到350℃ 室温到-196℃腔体材质304不锈钢 6061铝合金 可选腔体内尺寸127mmX57mmX20mm腔体外尺寸150mmX80mmX32mm腔体重量不锈钢材质 约1.5KG 铝合金材质 约0.5KG腔体上视窗尺寸Φ42mm（可选配凹视窗用于减少窗口和样品之间距离）腔体抽气口KF16法兰（其余接口规格可转接）腔体真空测量口KF16法兰（其余接口规格可转接）腔体进气口6mm快拧 或 6mm快插腔体冷却方式腔体水冷+上盖气冷腔体水冷接口腔体正压≤0.05MPa腔体真空度机械泵≤5Pa （5分钟） 分子泵≤5E-3Pa（30分钟）样品台样品台材质不锈钢 银铜合金 纯银块银铜合金 纯银块样品台尺寸26x26mm样品台加热方式电阻加热电阻加热 液氮制冷样品台-视窗 距离11mm（可选配凹视窗用于减少窗口和样品之间距离到6mm）样品台测温传感器PT100型热电阻样品台温度室温到400℃室温到400℃ 室温到-196℃样品台测温误差±0.5℃样品台升温速率高温100℃/min 最大值 低温7℃/min温控仪温度显示7寸人机界面温控类型标准PID温控 +自整定温度分辨率0.1℃温控精度±0.5℃温度信号输入类型PT100 （可选K S B型热电偶）温控输出直流线性电源加热直流线性电源加热+液氮流速控制器辅助功能温度数据采集并导出 实时温度曲线+历史温度曲线 可扩展真空读数接口温控器尺寸32cmX170cmX380cm温控器重量约5.6KG探针电信号接头配线转接 BNC接头 BNC三同轴接头 SMA 接头 香蕉插头 线长1.2米电学性能绝缘电阻 ≥4000MΩ 介质耐压 ≤200V 电流噪声 ≤10pA探针数量4探针（可扩展5探针）探针材质镀金钨针 （其他材质可选）探针尖10μm手动探针移动平台X轴移动行程20mm ±10mm（需手动推动滑台）X轴控制精度≥500μmR轴移动行程120° ±60°（需手动旋转探针杆）R轴控制精度≥500μmZ轴移动行程2mm ±1mmZ轴控制精度≤50μm（需手动螺纹调节探针杆）

多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-4～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

探针式植物茎流测量仪采用热消散探针法测量树干瞬时茎流密度，可以长期连续观测树木的液流，有利于研究树木和大气之间的水分交换规律，并以此为观测手段，长期监测森林生态系统对环境变化的影响。对于造林绿化、森林管理和林业管理等具有重要的理论指导意义和应用价值。　　工作原理　　植物茎流测量仪采用法国学者Granier在20世纪80年代后发明的一种测定SapFlow的新方法，即热消散探针法(恒定热流传感器法)。该方法的数据采集具有准确稳定的特点，而且可以连续不间断的读取数据，因而数据具有系统性。该测定系统由一对长33mm的热消散探针组成，安装时将探针上下相隔10cm-15cm插入树木的边材中，上方的探针缠绕电阻丝，供以直流电加热，下方探针不加热，保持与周围边材组织的温度相同，两探针的温差变化反应树木的液流密度。　　仪器特点　　双探针，配有相应的钻孔工具，容易插拔，可以反复使用　　采用热消散法，可恒温加热　　可以长期连续监测　　不锈钢探针，采用Teflon涂层，持久耐用　　采用高精度T型热电偶直接与数据分析仪连接　　采用大容量SD卡存储　　技术指标　　测量指标：瞬时液流密度　　测量通道：单通道　　存储容量：2GB　　采样时间间隔：1-99分钟可调　　显示：320×160液晶显示屏　　电源：8.4V可充电锂电池(也可选用太阳能电池供电)　　工作温度：10℃-60℃　　工作湿度：0-100RH

MPI TS200- 半自动探针台产品描述：1. 单机多应用设计适用于多种晶圆量测应用，如组件特性描述和建模，晶圆级可靠性 (WLR)、失效分析 (FA)、集成电路工程、微型机电系统 (MEMS) 和高功率 (HP) 2. 工效学设计 方便单手操作的快速释放拖移气浮载物台设计坚固可承载多达10根DC 或4根RF微定们器在工作台三段式工作台快升把手设计 (contact - separation- loading)，实现高重现性3. 弹性选配与升级性 另有多种晶圆载物台可做升级，亦有諸多配件如 DC/RF/mmW 微定位器、光学显微镜、影像镜头、电磁屏蔽箱等可搭载，以完全支援您的应用需求MPI探针台系统是由来自于Cascade和安捷伦等公司的专家们研发和设计，专业提供探针台及所有相关直流/射频附件以及相关半导体测试整体解决方案。得益于其极高的性价比，广受国内外用户的好评。TS150,TS200,TS300是常用的手动式探针台，简单，直观，方便， 并确保 高度准确的测量。以下是MPI探针台的特点： Air-bearing stage-气浮式样品台技术：很多探针台的厂家通常配备的是传统的滚珠式/轴承式样品台，内部移动是都会产生摩擦，因此存在了响应慢，易损耗，需定期维护（添加润滑油）等固有缺点。MPI探针台的载物台采用新的气浮支撑技术，我们成为Air-bearing stage技术。很好解决了传统的滚珠式/轴承式样品台固有缺点，即消除内部摩擦，避免日常使用损耗，免去定期维护等麻烦。并且该设计可以使得样品台在移动范围内360°移动，而不受X/Y导轨限制移动（其他品牌无法同时X/Y移动，只能选一个方向移动）。b. Platen Lift技术-三段平面式升降及下针：影响探针台测试结果很大程度上取决于探针与样品的接触。MPI采用了三段式(0-300um-3mm)下针并且内置安全锁（其他厂家是两段），不仅实现了1um重复性，同时也使得整个下针过程变得十分平缓且平稳从而避免了撞针。这大大提升了用户的体验，方便了用户的操作。c.温控触屏设计：MPI手动探针台可以选配各类样品台，包含2英寸、4英寸、6英寸、8英寸样品台，及加热样品台（200℃/300℃）。并且配备智能化触摸屏，可以随时快速调节样品台加热问题，实时显示温度变化。高精度、便捷的温度控制功能，便于客户进行实验设计和测试。d. Microscope bridge mount：MPI探针台具备了Microscope bridge mount，方便用户自行购置并升级显微镜。这点也是其他探针台所不具备的。对于这类的用户而言，如果今后要升级显微镜，只能从探针台原厂购买。但是其实探针台厂家往往并不制造光学显微镜。而MPI则更多的为客户考虑，把显微镜的选择权交在客户手里。这也是MPI设计了Microscope bridge mount的初衷。 e. 所有核心部件均自行生产：诸如主机台，直流/射频探针座，直流/射频线缆及探针等核心部件均为MPI公司自行生产。很多探针台厂商的射频探针也都是从MPI购买的。此外，MPI探针台的产品线也非常丰富，拥有手动、半自动、全自动、射频/微波、高功能等所有探针台系列。

产品简介：DN 系列探针台，是一款适用于 4-12 英寸晶圆的精密探针台。 该系列探针台采用高刚性显微镜龙门设计，结构稳定 ，显微镜平移台可进行 X-Y-Z 方向精密位移调节，显微镜放大倍率高，操作方便 ， 同时支持多种功能的升级，非常适合晶圆级的测试应用。该产品主要应用于集成电路、 芯片、MEMS 器件、 管芯晶圆、 LED、 LCD、 太阳能电池等行业的测试及研究领域。产品优势： 显微镜具备高刚性龙门支架且搭配气动升降，保证高质量光学成像质量。 卡盘同时具备快速和微调升降，便于样品和探针快速分离，也可以用于探针卡的扎针。 可升级性强，可升级 220G 高频，也可以集成光电流扫描成像或拉曼-瞬态荧光寿命成像系统等。

这款四点探针系统是一款易于使用的工具，用于快速测量材料的薄层电阻，电阻率和电导率。 通过使用我们自己的源测量单元，我们能够创建一个低成本的系统，使测量范围更广泛。 探头采用弹簧加载接触，而不是尖锐的针头，防止损坏精密样品，如厚度在纳米左右的聚合物薄膜。 四点探针系统为您的研究提供以下益处：? 广泛的薄膜电阻测量范围，从10mΩ/□到10MΩ/□? 弹簧加载的探针保护易损的样品免受损坏? 体积小巧，可用于空间有限的繁忙实验室? 易操作的PC软件，用于薄膜电阻，电阻率和电导率的测量? 使用自动校正因子计算加快材料表征? 使用保存设置可轻松重复测量 特征：广泛的测量范围 - 四点探头能够提供10 nA-100 mA的电流，并且可以测量低至100μV-10 V的电压。广泛的薄层电阻测量范围，从10mΩ/□到10MΩ/□，可表征多种材料。 非破坏性测试 - 设计时考虑到了精密样品的测量，四点探头采用镀金弹簧接触圆头， 60克的恒定接触力，防止探针刺破脆弱的薄膜，同时仍能提供良好的电接触。 节省空间的设计 - 通过垂直堆叠组件，我们能够将四点探头的占地面积降至最低（总台面面积12 cm x 30 cm），甚至可以在缺乏货架空间的实验室中使用。 易于使用 - 只需插入系统，安装软件，即可开始使用！ 直观的界面和清洁的设计，简化了薄膜电阻的测量。 快速材料表征 - PC软件可执行薄膜电阻，电阻率和电导率所有必要的测量和计算，从而使材料表征变得毫不费力。 不要忘记保存您的实验数据 - 用于测量的设置会与数据一起保存，从而轻松查看实验的详细信息。 此外，这些设置文件可以通过相同的软件加载，加快重复测量和材料表征。 用更少的时间重复测量，您的研究成果可以显着增加应用示例：材料特性 - 电阻率是材料的固有特性，也是重要的电学特性。 它可以通过测量已知厚度的薄膜薄层的电阻来确定，这使得四点探针测量成为材料电特性的关键技术。 薄膜太阳能电池和发光二极管 - 薄膜器件（如钙钛矿太阳能电池或有机发光二极管）需要薄的导电电极，横向输送电荷以进行提取。 因此，需要低表面电阻材料来减少这个阶段的潜在损失。 当试图放大这些设备时，这变得更加重要，因为电荷在它们可被提取之前，不得不沿着电极方向行进。测量规格电压范围100μV至10 V当前范围10 nA到100 mA薄层电阻范围10mΩ/□至10MΩ/□测量精度 ±4%测量精度±0.5%

产品简介 Instec的真空型台式探针台系列是可从外部移动探针进行点针的桌上型探针台，涵盖多型号、多温度范围。同时允许温控、探针电测试、光学观察和样品气体环境控制。探针台上盖与底壳构成一个可抽真空的密封腔，亦可内充入氮气等保护气体，来防止样品在负温下结霜，或高温下氧化。功能特点 桌上型温控探针台，占地面积小可编程控温，涵盖-190℃~1000℃（具体由型号而定）适用 10 mm ~ 300 mm 晶圆和器件可抽真空的腔体，亦可充入保护气体使用独立的四个探针，可从设备外部移动探针进行点针可从温控器或电脑软件控制，可提供软件SDK*可做定制或改动，详询上海恒商温控参数 温度范围涵盖 -190℃~1000℃（具体由型号而定）加热块材质铝合金 或 银 或 陶瓷传感器/温控方式100Ω铂RTD / PID控制（含LVDC降噪电源）最小加热/制冷速度±0.01℃/min温度分辨率0.01℃ RTD传感器0.1℃ 热电偶传感器温度稳定性±0.05℃（25℃），±0.1℃（25℃）软件功能可设温控速率，可设温控程序，可记录温控曲线电学参数 探针默认为铼钨材质的弯针探针 *可选其他种类探针探针座可从外部XYZ移动的探针臂粗调模式+微调模式，微调行程20mm点针从外部移动点针，每个探针座都可点到样品区上任意位置探针接口默认为BNC接头，可选三同轴接口样品台面电位默认为电接地，可选电悬空（作背电极），可选三同轴接口光学参数 适用光路反射光路窗片可拆卸与更替的窗片最小物镜工作距离25 mm *截面图中WD上盖窗片观察窗片范围φ50mm，大视角±40° *截面图中θ1负温下窗片除霜吹气除霜管路结构参数 适用样品10 mm ~ 50 mm 直径 （标准）*可定至300mm的样品台面样品腔高6 mm探针座可从外部XYZ移动的探针臂粗调模式+微调模式，微调行程20mm气氛控制气密腔，可充入保护气体 *另有真空腔型号外壳冷却可通循环水，以维持外壳温度在常温附近台体尺寸/重量1060 mm x 600 mm x 213.2 mm / 20kg选型表 TP102SV-PS温度范围 -40℃ ~ 180℃，真空腔HCP422V-PS温度范围 -190℃ ~ 600℃（负温需配液氮制冷系统），真空腔HP1000V-PS温度范围 35℃ ~ 1000℃，真空腔定制型号按客户需求定制，适用300mm晶圆样品

微透析采样系统(Microdialysis)是一种从生物活体内进行动态微量生化取样的技术，具有活体连续取样、动态观察、定量分析、采样量小、组织损伤轻等特点。主要由微量注射泵，清醒活动装置，微透析探针，自动收集器组成。本系统在神经科学、医药研究等领域已获得越来越广泛的应用。微透析采样系统主要原理是将一种具有半透膜的探针置于实验动物的特定组织中, 利用泵推送溶液至探针处,从而使组织内的目标物质通过半透膜扩散到探针内，以达到从组织内取出需要测量的低分子量物质,以便于进一步的分析。这套设备可对麻醉或清醒的动物进行连续的灌流实验，为医学、药学、生命科学等领域的发展提供了崭新的技术。应用范畴：精神药物学、神经病理及癌症研究、药物动态学及毒物学、生理学药理学、生命胺分析、乙酰胆素/胆碱分析、自由基/氨基酸分析、各种组织生化/药物分析。工作原理：完整的脑部微透析系统包含以下几个部分：微透析泵用于连续提供灌流液，微透析泵较高的稳定性和精确性有利于透析实验的进行。微透析探针清醒动物活动装置透析探针附件：液体切换器，探针支架，管路，接头等，起到导引，定位，固定等作用微透析液收集器配合微透析采集系统进行微透析样本的采集和低温保存。微透析样品收集器，用于样品的低温保存。该仪器具有 20 个样品位，单探针模式下连续收集 20 个样品，或者双探针模式下连续收集 2×10 个样品。最小可采集 1ul 的样品。保存温度为 8℃冷却微量收集器可同步收集1–2个透析液，配合双通道微透析泵可同步做2通道微透析取样实验；最低冷却温度：8℃；收集样品数：64 个(300μL瓶)或40个(2mL瓶)宽屏幕液晶显示4X20字符，RS232及USB接；请关注玉研仪器的更多相关产品。如对产品细节和价格感兴趣，敬请来电咨询！

KLA 探针式表面轮廓仪（台阶仪） P-17P-17支持从几纳米到一毫米的台阶高度测量，适用于生产和研发环境。该系统可以对台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力进行2D和3D测量，其扫描可达200mm而无需图像拼接。产品描述P-17是第八代台式探针轮廓仪（台阶仪），是40多年的表面量测经验的结晶。该系统支持对台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力进行2D和3D测量，其扫描可达200mm而无需图像拼接。该系统结合了UltraLite传感器、恒力控制和超平扫描平台，因而具备出色的测量稳定性。 通过点击式平台控制、顶视和侧视光学系统以及带光学变焦的高分辨率相机等功能，程序设置简便快速。 P-17具备用于量化表面形貌的各种滤镜、调平和分析算法，可以支持2D或3D测量。 并通过图案识别、排序和特征检测实现全自动测量。 主要功能 台阶高度：几纳米至1000μm 微力恒力控制：0.03至50mg 样品全直径扫描，无需图像拼接 视频：500万像素高分辨率彩色摄像机 圆弧校正：消除由于探针的弧形运动引起的误差 软件：简单易用的软件界面 生产能力：通过测序、图案识别和SECS/GEM实现全自动化主要应用 台阶高度：2D和3D台阶高度 纹理：2D和3D粗糙度和波纹度 形状：2D和3D翘曲和形状 应力：2D和3D薄膜应力 缺陷复检：2D和3D缺陷表面形貌工业应用 大学、研究实验室和研究所 半导体和化合物半导体 LED：发光二极管 太阳能 MEMS：微机电系统 数据存储 汽车 医疗设备 还有更多：请与我们联系以满足您的要求

四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪

硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。

导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

主要应用薄膜／厚膜台阶的精准量测 蚀刻深度星测柔性薄膜表面粗糙度／平整度表征薄膜2D应力量测表面起伏度／弯曲度表面3D结构分析与表征(D-600) 其他多种表面分析功能KLA是全球半导体在线检测设备市场最大的供应商， 在半导体 数据存储 MEMS 太阳能 光电子以及其他领域中有着极高的市占率。 Alpha-Step"探针式轮廓仪支持台阶高度和粗糙度的2D及3D(D-600)轮廓扫描， 以及翘曲度和应力的2D测呈。 创新的光学杠杆传感器技术提供高分辨率测呈，大垂直范围和低触力测量功能。探针测猛技术的 个优点是它是 种直接测猛， 与材料特性无关。 可调节的触力以及探针的选择都使其可以对各种结构和材料进行精确测噩。 通过测昼粗糙度和应力， 可以对工艺进行星化， 确定添加或去除的材料噩， 以及结构的任何变化。D-500/D-600提供最高12DOµ m垂直星测距离， 亚埃分辨率以及0.03-15毫克的针压控制范围。 具有广泛的应用范围， 包括从纳米级到毫米级的台阶高度， 高分辨率的粗糙度， 软材料和薄膜应力等， 使其能够服务于研发和生产环境中的各个行业。D-500配有740毫米的手动载台。 D-600配有200毫米的自动载台，有手动deskew对齐和多达7000个昼测位置的可编写序列软件功能。

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

Air-bearing stage-气浮式样品台技术：很多探针台的厂家通常配备的是传统的滚珠式/轴承式样品台，内部移动是都会产生摩擦，因此存在了响应慢，易损耗，需定期维护（添加润滑油）等固有缺点。MPI探针台的载物台采用非常新的气浮支撑技术，我们成为Air-bearing stage技术。很好解决了传统的滚珠式/轴承式样品台固有缺点，即消除内部摩擦，避免日常使用损耗，免去定期维护等麻烦。并且该设计可以使得样品台在移动范围内360°移动，而不受X/Y导轨限制移动（其他品牌无法同时X/Y移动，只能选一个方向移动）。Platen Lift技术-三段平面式升降及下针：影响探针台测试结果很大程度上取决于探针与样品的接触。MPI采用了三段式(0-300um-3mm)下针并且内置安全锁（其他厂家是两段），不仅实现了1um重复性，同时也使得整个下针过程变得十分平缓且平稳从而避免了撞针。这大大提升了用户的体验，方便了用户的操作。温控触屏设计：MPI手动探针台可以选配各类样品台，包含2英寸、4英寸、6英寸、8英寸样品台，及加热样品台（200℃/300℃）。并且配备智能化触摸屏，可以随时快速调节样品台加热问题，实时显示温度变化。高精度、便捷的温度控制功能，便于客户进行实验设计和测试。Microscope bridge mount：MPI探针台具备了Microscope bridge mount，方便用户自行购置并升级显微镜。这点也是其他探针台所不具备的。对于这类的用户而言，如果今后要升级显微镜，只能从探针台原厂购买。但是其实探针台厂家往往并不制造光学显微镜。而MPI则更多的为客户考虑，把显微镜的选择权交在客户手里。这也是MPI设计了Microscope bridge mount的初衷。 所有核心部件均自行生产：诸如主机台，直流/射频探针座，直流/射频线缆及探针等核心部件均为MPI公司自行生产。很多探针台厂商的射频探针也都是从MPI购买的。此外，MPI探针台的产品线也非常丰富，拥有手动、半自动、全自动、射频/微波、高功能等所有探针台系列。

四探针,四探针测试仪,表面电阻测试仪,电阻率测试仪,方阻计,方阻仪,FT-361超低阻双电四探针测试仪一、概述：本品为解决四探针法测试超低阻材料方阻及电阻率，最小可以测试到1uΩ方阻值，是目前同行业中能测量到的最小值，采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。选购：本机还可以配合各类环境温度试验箱体使用，通过不同的测量治具满足不同环境温度下测量方阻和电阻率的需求.二、广泛用于：覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等 三、参数资料1.方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA.4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率.7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 2.方形探头； 3.直线形探头； 4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

MPI TS2000-IFE 是一个自动化探针台，可以从使用一开始或在测试领域内任何需要时转换为带有 Waferwallet MAX 的全自动探针台。主要应用在负载拉动、RF、mmW、硅光子学、设计验证（产品工程）或在定义的测试环境中测试 MEMS 和其他传感器。MPI 同时推出用于太赫兹应用的 200 毫米自动探针台系统MPI 提供其200 mm TS2000-IFE THZ-Selection 自动探针台系统。THZ-Selection 是一种专用的射频、毫米波、太赫兹和负载牵引探针台，在 -60 至 300 oC 的宽工作温度范围内不会影响测量方向性。它基于 MPI 最通用的 200 毫米平台 - TS2000-IFE 系列。200 毫米晶圆的自动化在片测试探针台系统常用来执行以下操作：无需额外的 S 波段波导，尤其是在亚太赫兹或太赫兹范围内。最小化负载牵引应用的信号路径并提供最宽的调谐范围和最高GAMMA。切换频段时操作简单方便。MPI 专有的 IceFreeEnvironment 技术允许 THZ-Selection 在微定位器和探针卡的帮助下在负温度下运行。该测试系统能够通过具有可编程微观运动的集成探针控制提供晶圆级可靠性。主动隔振缓冲了测试过程中振动误差的发生。这些功能支持自动化测试，没有任何错误余地，并且具有可验证的准确性。

MPI TS3000自动探针系统MPI的TS3000是一个300毫米自动测头系统，专门用于产品工程， 故障分析， 设计验证， 晶圆级可靠性 以及 RF和mmW?应用。TS3000功能集提供：高温度范围-60… 300°C佳的灵活性具有特定设计的电缆接口的与功能测试仪的小电缆距离，可实现更好的测量方向性非常小的压板到卡盘高度可实现佳mmW和内部节点探测非常小的系统占地面积，在内部集成了热力系统的冷却器两者的结合使TS3000探针台成为MPI公司和产品工程市场所独有的。IceFreeEnvironment™ 结合了MPI的IceFreeEnvironment™ ，TS3000可以在-60… 300°C的宽温度范围内对300mm的晶片进行MicroPositioners和/或探针卡的测试，并具有在胶片框架上进行探测的附加功能。探针悬停控制™ MPI探针悬停控制PHC™ 允许轻松手动控制探针与晶片的接触和分离。分离距离可以通过测微计反馈精确控制，以实现探针到晶圆/焊盘的定位。易用性通过大程度减少关键设置和测头更换操作中的错误，确保了安全的操作。大探针台板TS3000提供了易于使用的大型探头压板，以便以小的压板到卡盘高度容纳多达12倍的DC或4倍的RF微定位器。集成了负载拉力调谐器或更大面积的MicroPositioners，使得TS3000系统成为RF和mmW测量的理想选择。探针压板被主动冷却以避免热漂移，尤其是在300°C时。简易晶圆装载双前门通道和独特的卡盘设计使150、200、300毫米晶片，晶片碎片甚至小至5×5毫米IC的装卸程序变得轻松。AUX卡盘都位于前面，可以很方便地进行装卸。没有推出阶段允许采用简单的自动化方法来进行RF校准和探针卡清洁。集成硬件控制面板智能硬件控制面板完全集成到探针系统中，并基于数十年的经验和客户互动而设计，以提供更快，更安全，更便捷的系统控制和测试操作。关键位置处的键盘和鼠标可以在必要时控制软件，并且还可以控制Windows 基于仪器。 热卡盘集成由于集成了智能冷却器，TS3000系列提供了优化的占地面积，可节省实验室中的宝贵空间。MPI和ERS共同设计了 新型300 mm Thermal?ChuckAirCoolPRIME??技术 系列，提供了无与伦比的热灵活性，将浸泡时间减少了60％，并且提供了市场上种类多的热学产品。减少转换时间，改善电气性能，在惰性气体气氛下更轻松地进行测试以及现场可升级性是AirCool的附加价值PRIME热卡盘系统。可以使用完全集成的触摸屏显示器来操作热力系统，该触摸屏显示器放置在操作员面前的便利位置，以实现快速操作和即时反馈。ERS获得专利的AC3冷却技术公司这些卡盘结合了获得专利的AC3冷却技术和自我管理系统，可使用回收的冷却空气吹扫MPI ShielDEnvironment™ ，与市场上的其他系统相比，可大幅减少30％至50％的空气消耗。探针卡和微型定位器–同时单探头，用于4.5“ x 11”探头卡的薄型探头卡座以及较低的板到卡盘距离是同时使用被动/有源高阻抗探头进行探测的理想选择，尤其是在负温度下；使系统成为 设计验证 和/或 故障分析 工作的理想选择。安全测试管理（STM）系统独特的STM系统可防止在测试过程中打开门–测量结果很安全。在负吸盘温度期间，任何情况下都无法意外打开任何系统门。此外，智能的露点控制程序可避免冷测试期间的积聚。系统自动监视CDA或氮气的流量。如果流量中断或流量不足，则STM™ 会自动将卡盘转换为安全模式-尽快将卡盘加热至露点以上。MPI STM™ 的功能是通过自动保持安全的测试环境，使TS3000的测量更加安全，可靠和方便。仪器集成可选的仪器架可缩短电缆长度，并提高 RF和mmW?应用中的测量动态性和方向性。软件套件SENTIOMPI自动工程探针系统由独特且革新性的多点触摸操作 SENTIO控制?软件套件 –简单直观的操作节省了大量的培训时间，“滚动”，“缩放”，“移动”命令模仿了现代智能移动设备，使每个人都可以在短短几分钟内成为专家。在活动应用程序与其余APP之间的切换仅需简单的手指操作即可。对于RF应用，无需切换到另一个软件平台– MPI RF校准软件程序QAlibria 与SENTIO完全集成–为了遵循单一操作概念方法而易于使用。

Ossila 四点探针系统是一种易于使用的工具，用于快速测量材料的薄层电阻，电阻率和电导率。Ossila四点探头以高规格的Ossila源测量单元 为核心，可实现广泛的测量范围。探头使用弹簧加载的触点而不是锋利的针头，防止损坏易碎的样品，例如厚度为纳米量级的聚合物薄膜。包括一个四点探头、内置源测量单元、易于使用的 PC 软件和 ITO 镀膜玻璃基板。一．含义四点探针台是测量材料薄层电阻最常用的设备。薄层电阻是材料的电阻率除以其厚度，通过导电/半导体材料的薄方块表示横向电阻。该测量使用排列成一条线的四个探头，每个探头之间的间距相等。电流在外部两个探头之间传递，导致内部两个探头之间的电压降低。通过测量电压的变化，可以计算出薄层电阻。二．主要特点1.宽电流范围：四点探头能够提供 1 μA 至 200 mA 的电流，并且可以测量低至 100 μV 至 10 V 的电压。该系统可以测量 100 mΩ/平方米 至 10 MΩ/平方米 范围内的薄层电阻，从而能够表征各种材料。2.易于使用：只需插入系统，安装软件即可使用。直观的界面和简洁的设计使四点探头易于使用，简化了薄层电阻的测量。可以使用各种形状和尺寸的基板。3.高精度：可以使用PC软件进行正极性和负极性测量。这使您能够计算正电流和负电流之间的平均薄层电阻 - 消除可能发生的任何电压偏移，从而提高测量精度。4.无损检测：四点式探头在设计时考虑了精密样品的测量，采用镀金、温和的弹簧加载触点和圆形尖端。这导致60克的恒定接触力，防止探头刺穿脆弱的薄膜，同时仍然提供良好的电接触。5.节省空间的设计：通过仔细的设计考虑，我们已经能够将四点探头的占地面积保持在最小（总工作台面积为14.5 cm x 24 cm），即使在货架空间有限的繁忙实验室中也可以使用。6.快速材料表征：PC软件（随系统提供）可执行薄层电阻、电阻率和电导率的所有必要测量和计算，使材料表征变得毫不费力。它还会自动执行校正因子计算。配备软接触式探头Ossila 四点探头系统通过三个功能减少了损坏脆弱薄膜的可能性。用于接触的探头具有圆形尖端（与其他探头不同，探针像锋利的针头）。这些圆形尖端的半径为0.24 mm，使探针的接触表面积比针头大，因此分散了施加在样品上的向下力。这些探头镀金并安装在弹簧上，以鼓励电接触而不会用力过大，因为它使它们在与样品接触时能够缩回探头头中，以确保施加 60 克的均匀力。探头的示意图如下图所示。探头可以在这里 单独购买。请注意，此系统不适用于硅或其他自然形成绝缘氧化层的材料。为了测量此类材料，需要通过探头穿透氧化层，而该系统使用的弹簧加载的圆形尖端探头可能无法做到这一点。三．应用薄层电阻是材料的重要特性，通常用于材料表征和薄膜器件的开发，如钙钛矿太阳能电池或有机LED。1.材料表征：电阻率是材料的固有特性，也是重要的电性能。它可以通过测量已知厚度薄膜的薄层电阻来确定，这使得四点探头测量成为材料电气表征的关键技术。2.薄膜太阳能电池和LED：薄膜器件需要横向传输电荷的薄导电电极才能提取，因此需要具有低薄层电阻的材料来减少潜在损耗。当试图扩大这些设备的规模时，这一点变得更加重要，因为电荷必须沿着电极进一步传播才能被提取。四．规格

PXB-S系列探针台 PXB-S系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜和体式显微镜●载物台可Z轴升降●载物台Theta可粗调360°, 微调±7 °●载物台XY移动分辨率为1um。●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●显微镜支架万向杆PXB-S系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-M系列探针台 PXB-M系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台可Z轴升降●载物台Theta可粗调360°, 微调±7 °●载物台XY移动分辨率为1um●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降PXB-M系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-E系列探针台 PXB-E系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 三阶抬杆， 微调移动行程为40mm，抬杆重复性精度为2umPXB-E系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-BE系列探针台PXB-BE系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动， 三档控制，X轴独立控制，Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 二阶抬杆， 微调移动行程为60mm，抬杆重复性精度为1um●配置独立控制压力阀PXB-BE系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-BET系列探针台 PXB-BET系列高低温探针台主要特点●搭配高低温系统， 最大范围-65℃到300℃●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动， 三档控制，X轴独立控制，Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制●可选配高压高流测试环境●装片拉出装置， 定位锁住●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 二阶抬杆， 一次性行程为6mm， 抬杆重复性精度为1um， 四点同步●配置独立控制气流阀PXB-BET系列高低温探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-D系列探针台PXB-D系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜，体式显微镜 ●载物台气浮快速移动 ●可选配高压高流测试环境●platen上下结构，可正反面同时扎针 ●载物台双面镂空，可替换，一个镂空夹具，一个 载物台（两个吸附孔）●背置式直筒显微镜，zoom为0.58-7.5x ●Platen 微调行程为40mm，移动分辨率为1um， 四点同步PXB-D系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●PCB领域检测分析 PXB-W系列探针台PXB-W系列探针台主要特点●可选配110Ghz，220Ghz等测试环境 ●搭配高低温系统，最大范围-65℃到300℃ ●可选直筒显微镜，体式显微镜或金相显微镜 ●载物台气浮快速移动，三档控制，X轴独立控制， Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制 ●装片拉出装置，定位锁住 ●稳定型显微镜桥架，移动分辨率为2um，显微镜 气动升降 ●Platen 二阶抬杆，一次性行程为6mm，抬杆重复 性精度为1um，四点同步 ●配置独立控制气流阀PXB-W系列探针台应用领域●Microwave probing 微波量测(高频测试)PXB-PL系列探针台 PXB-PL系列探针台(定制型)针对PCB&LCD&OLED&MINI-LED研发的测试探针台主要客户：英业达，沪利，深南电路，美维，奥克斯，大金，龙腾光电，群策等PXB-VL系列探针台 PXB-VL系列探针台产品简介PXB- VL高低温真空探针台是我司自主研发的一款在极端环境下给样品加载电学信号的设备。可以实现器件及材料表征的IV/CV特性测试，射频测试 ，光电测试等。通过液氮或者压缩机制冷 ，可以在防辐射屏内营造一个稳定的测试环境。在特殊材料 ，半导体器件等研究方向具有广泛运用。一般用于相关单位实验室。PXB-SA系列探针台PXB-SA系列探针台产品简介PXB-SA 系列探针台是一款在非真空条件下实现高低温环境的测试探针台。该产品采用气冷制冷 ，自动控温 ，设备配置非常丰富。自带屏蔽暗室 ，一方面可以屏蔽无线电磁干扰 ，另外一方面也可以保持氮气正压环境下样品在低温时无结霜。该产品多数用于相关单位实验室。PXB-SA系列探针台产品优势可搭配高低温温控系统,温度范围为-60-300℃可实现半自动测试微腔屏蔽

电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used：1.覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等， 功能描述Description：四探针单电测量方法液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配：PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准：1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪

四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围：10-3～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-4～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.3%读数5.电阻精度：≤0.5%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针

ST 系列硬针是 0.020 inch (0.51mm) 直径钨材质针杆经过精密电化学加工成为不同的针尖直径，长度为 1.5inch(38.1mm)的探针。这种探 针应用与绝大多数的芯片电极点测和线路点测。ST 系列硬针可以用于与刮擦或者刺穿芯片表面钝化层。该探针可以选择表面镀镍，如果选择 镀镍则型号后面增加“NP”。一般配合探针台一起使用，用于测试相关半导体行业样品的电学测试。比如IV/CV等。根据其它使用场景，比如二维材料转移系统，机械探针臂等都有运用。详情可以随时联系我们。主要参数：针杆长度38mm，直径0.5mm；可测电流范围1fA~1A

简介：适合电极在样品背面的情况，探针可耐受高低温环境重复使用。上部观察窗口离样品距离较远，不需要进行气体吹扫来防止窗口表面结露。提供外部接线盒，用于信号切换，结合外部的湿度控制模块，特别适合钙钛矿的变温变湿度测试。配套仪器型号：台湾光焱 配套：A2603 切换接线盒制冷方式：无温度范围（℃）：-196到600℃显示精度（℃）：0.1℃控温精度：0.1℃样品区域：30*35mm最大加热速率：50℃/min最大冷却速率：-40℃/min正面观察窗口大小：φ41mm探针类型：背面弹簧探针外观尺寸：90*120*40mm腔体净重：1kg备注：选配光纤接口