羟基乙基羟基甲基

Fractogel®介质为基于合成甲基丙烯酸酯的聚合物小球，提供优良的压力稳定性，从而能够采用高流率。视您的应用而定，我们可提供中等大小的M型填料（粒度40-90 µm）和较小的S型填料（粒度20-40 µm）。Fractogel®介质的独特组成，是纯化策略的有力工具。触手是长线形的聚合物链，携带功能配位体。全部触手与Fractogel®介质的羟基以共价键连接。该构型提供了高表面积，使生物分子不受空间位阻，与可及的配位体结合。许多配位体可用于各种层析应用（包括离子交换、亲和、疏水性相互作用和分子筛）。优点：- 更佳的产品收率官能团与目标分子之间的空间位阻最小，更易接触。与常规方法相比，触手介质提供了更高的结合力，特别是对于大型蛋白质、抗体、病毒和质粒。由于目标分子的结合更紧密，使用Fractogel®离子交换介质的捕获步骤，常比其他介质更高效，从而有更大的总收率。- 更安全的产品与基于碳水化合物的介质不同，Fractogel®介质不易为微生物降解。因此，内毒素污染风险大大减少。此外，Fractogel®介质可以多次清洁，也延长了其使用寿命。- 更低的运行费用由于Fractogel®介质的优良化学耐受性，循环次数可以很高。介质寿命极长，更换频率降至最低，从而减少了运行费用。分类：- 用于离子交换层析的Fractogel®介质可以实现从各种来源（例如细胞培养上清液、微生物表达系统、血浆等）中分离天然和重组蛋白质；有效地纯化肽和低分子量物质；DNA、内毒素和HCP，获得优良的对数减少值；安全去除病毒；很适合于有效纯化单克隆抗体。E.g., Fractogel® EMD TMAE, Fractogel® EMD TMAE Hicap, Fractogel® EMD DEAE, Fractogel® EMD SO3, Fractogel® EMD SE Hicap, Fractogel® EMD COO-, etc.- 用于金属螯合亲和层析的Fractogel®介质Fractogel® EMD Chelate选择亚氨基二乙酸作为功能亲和配基，非常适合于金属离子配位作用。金属离子的自由配位点，被用来与各种蛋白质和肽结合。适合于分离重组、组氨酸标签蛋白质；可应用于肽的分离、柱内的在位复性。- Fractogel® EMD BioSEC分子筛填料Fractogel® EMD BioSEC是基于交联聚甲基丙烯酸的分子筛层析填料，机械稳定性强，化学稳定性好，适合生产规模，可应用于精致纯化。更多信息，e.g., 详细参数，填料、预装柱货号信息等，可参见本页面核心参数 – 样本下载中的资料手册。

应用领域● 工业废水● 市政污水● 地表水● 海水监测● 河水监测超高性价比全新发布的哈希BioTector B3500e分析仪，可应用于污水和地表水领域，满足您的特殊监测需求。 该分析仪采用了市场领先的专利自清洁氧化技术，可以很容易地处理较难处理的样品，并可以显著减少传统的在线测量所需的维护工作量以及维护成本。值得信赖使用专利的自清洗氧化技术（两段先进氧化—TSAO），B3500e能提供可靠，连续的环境监测以及实时的过程控制功能。通过BioTector网络控制远程访问，你可以在办公室，家中或在户外通过移动设备查看TOC结果。节省空间B3500e是市场上最节省空间的分析仪之一。 使用与B7000相同的强力氧化过程，但仅有B7000重量的一半和尺寸的1/3。符合环保要求B3500e在监控污水处理厂的排放、保护当地的环境、避免超限处罚等诸多方面都是值得信赖的设备。节约成本B3500e能满足低成本的需求。设备采购费用比B7000降低约30%，且维护量更低。环境温度0 ~ 45℃ (41 ~ 113℉)氯化物耐受范围最大30%通讯Modbus® ，PROFIBUS循环时间通常为7.5分钟测量参数测量TOC，TIC和TC数据存储前 9,999个反应数据前 99个错误信息尺寸(高 x 宽 x 深)(750 mm x 500 mm x 320 mm)显示高对比度40×16 LED背光LCD显示超标追踪全超标追踪浓度范围高达1,000 mgC/L湿度5到85%，无凝结语言英语，西班牙语，法语其它语种按要求提供测量方法氧化后采用NDIR法测量二氧化碳范围标准范围：0 ~ 250 mgC/L扩展范围 (可选超标追踪)：0 ~ 1,000 mgC/L取样方式单样品流自动取样和手动取样氧化方法采用羟基自由基的专利二级高级氧化法 (TSAO)自洁技术自动校准和样品管线自动清洗颗粒大小最大 100 μm电源(电压)115/220 VAC范围选择自动或手动范围选择可重复性标准范围：读数的 ±3% 或 ±0.45mgC/L (ppm)，取较大值扩展范围：扩展重复性读数的 ±4% 或 ±2mgC/L (ppm)，取较大值。 会加大试剂的消耗样品入口温度0 ~ 60℃ (36 ~ 140℉)维护周期每6个月维护一次用户界面说明微控制器，带有薄膜键盘重量46 kg (101.4 磅)TIC加入酸以降低pH值，使无机碳以 CO2的形式被吹扫出来。 检测总无机碳（TIC）的目的是确保其没有被带入TOC 中。氧化采用的是BioTector的专利氧化法（TSAO）用于实现样品全面和彻底的氧化，包括把有机碳转化为二氧化碳。TSAO利用氢氧化钠结合氧气过臭氧发生器而产生的羟基自由基作为氧化剂。TOC为去除氧化生成的 CO2，需将样品的pH值再次降低。将二氧化碳吹扫出来，并由特别开发的NDIR CO2检测器进行测量。结果显示为总有机碳（TOC）。清洗整个系统将自动在每一次测量循环中自清洁。

中文名称1,3-二羟基丙酮英文名称Dihydroxyacetone中文别名二羟基丙酮CAS RN96-26-4EINECS号202-494-5分 子 式C3H6O3分 子 量90.0779用途：医药中间体、化工原料和食品添加剂。1,3-二羟基丙酮作为医药中间体，能合成一些治疗心血管疾病药物；1,3-二羟基丙酮酮可应用于化妆品中，能阻止皮肤的水份的过度蒸发，对皮肤起到保湿和防晒作用，防紫外线辐射我公司关于订购说明：1、质优价廉，量大从优，欢迎您的订购；2、物流信息：快递、汽车物流等；3、其他服务：如您对产品服务及技术指标有特殊要求，请及时通知我方；欢迎新老客户前来洽谈！订购流程：电话询单议价→签订合同→打款订货→安排发货→物流跟踪→货物送达→客户验收（7天产品质量异议期，15天产品数量异议期）→货物验收确认服务宗旨：竭诚提供 产品,售后服务客户满意。我公司产品出厂前均由质检部检验合格方可出货，质量有保证特别说明：1，产品价格会受到季节性波动影响，具体价格请客户来电核实2，产品都是完整包装，需拆分少量时价格会稍微提高3，大货急需的客户还请提前来电，我公司提前给您备货4，收货后请仔细确认完整性无损再签收，按该产品执行标准验收，如有产品不符，我们包退包换

产品名称：橄榄醇化学名 : 3,5-二羟基戊苯 产品别名：5-戊基间苯二酚；5-戊基苯-1,3-二醇；1,3-二羟基-5-戊苯 3,5-二羟基戊基苯 3-二羟基-5-戊苯 5-二羟基戊基苯英文名称：Olivetol英文别名：3,5-dihydroxyamylbenzene 5-Pentyl-1,3-benzenediol 5-Pentylresorcinol；Pentyl-3,5-dihydroxybenzeneCAS：500-66-3分子式：C11H16O2分子量：180.25纯度： 98%外观：棕红色粉末包装：25公斤/桶熔点：46-48℃闪点：110℃用途：保健品原料

2,4-二羟基苯甲酸广东厂家产品名称：2,4-二羟基苯甲酸CAS：89-86-12,4-二羟基苯甲酸标准：国标含量：99%2,4-二羟基苯甲酸外观：白色粉状2,4-二羟基苯甲酸包装：25KG/复合编织袋 可拆分成份：2,4-二羟基苯甲酸2,4-二羟基苯甲酸理化属性：白色针状结晶。微溶于水，易溶于有机溶剂类别：化工日化2,4-二羟基苯甲酸行业：化工日化领域：农药添加2,4-二羟基苯甲酸下延产品：农药杀菌剂运用：农药杀菌剂加工市场缺货产品热销碳酸锶 定价35肉桂醛 定价32 肉桂酸 定价48氧化铋 定价270胆汁酸 定价60己二酸 定价15油酸乙酯 定价35溶剂红52 定价800甘油缩甲醛 定价35肉桂酸乙酯 定价60叶醇（新和成） 定价540氟虫腈 95% 定价760 戊唑醇 97% 定价160增产胺 98% 定价395溴虫腈 98% 吨位350氯菊酯 95% 吨位160咪唑乙醇 99% 定价3004-硝基咪唑 99% 吨位310二硫氰基甲烷 定价175氟氯氰菊酯 95% 吨位325对羟基肉桂酸 99% 定价190铃兰醛（芬美意） 定价150甘氨酰胺盐酸盐 定价120厂家，现货，价格，广东，便宜，用途，作用，技术，含量，规格，标准，质优价廉，性状，性质，报价，CAS编号，海关HS编码，供应商，生产商，生产企业，市场行情，应用，市场前景，原料

中文名称邻羟基苯乙酸英文名称2-Hydroxyphenylacetic acid中文别名2-羟基苯乙酸CAS RN614-75-5EINECS号210-393-2分 子 式C8H8O3分 子 量152.1399用　　途用作医药合成的重要中间体我公司关于订购说明：1、质优价廉，量大从优，欢迎您的订购；2、物流信息：快递、汽车物流等；3、其他服务：如您对产品服务及技术指标有特殊要求，请及时通知我方；欢迎新老客户前来洽谈！订购流程：电话询单议价→签订合同→打款订货→安排发货→物流跟踪→货物送达→客户验收（7天产品质量异议期，15天产品数量异议期）→货物验收确认服务宗旨：竭诚提供 产品,售后服务客户满意。我公司产品出厂前均由质检部检验合格方可出货，质量有保证特别说明：1，产品价格会受到季节性波动影响，具体价格请客户来电核实2，产品都是完整包装，需拆分少量时价格会稍微提高3，大货急需的客户还请提前来电，我公司提前给您备货4，收货后请仔细确认完整性无损再签收，按该产品执行标准验收，如有产品不符，我们包退包换

本仪器按《中华人民共和国药典》2020年版四部 通则 0613凝点测定法设计制造，测定药物由液体凝结为固体时候，在短时间内停留不变的最高温度。二丁基羟基甲苯凝固点为约69-70度。仪器硬件方面采用65K真彩5.7寸触屏，热感性微型打印机，高精度温度传感器，从而使仪器的品质实实在在看得见；软件方面采用了流行的硬件看门狗加软件陷井，二阶滤波加去极值平均滤波算法使仪器的抗干扰大幅提升。操作中直观的中文提示使试验变得更加轻松。一、主要技术特点1、规格型号：HSY-0613G2、测试范围：室温～ 90℃3、控温精度：0.1℃4、测试精度：±0.1℃5、温度检测：Pt100 （1/3DIN B级）6、加热方式：不锈钢电热管加热7、显示方式：TFT 65K色 全触摸 5.7寸工业液晶屏显示（曲线/数据）8、报告输出：20列汉字点阵热感打印9、试样搅拌：机械搅拌 双样10、作样单元：双样11、主机功率：≤1000W12、外形尺寸(宽高深)：320 X 500 X 46013、工作电源：AC220V±10% 50HZ 14、工作环境：相对湿度：〈80% 15、温度：0～45℃ 二、主要技术参数及指标1、本仪器成套包含做样和加热控制部分。2、本仪器采用真彩全触摸屏式，操作简单，方便，美观。3、仪器做样部分采用铝板喷塑制作，耐腐蚀，无振动，延长使用寿命。4、浴体采用耐低温双层真空透明杜瓦瓶，透明观察，保温效果优良。5、传感器采用1/3DIN B级 Pt100，感温灵敏，分辨率高,抗干扰性强、测温精度高。6、试样搅拌采用机械搅拌，很好的解决了电磁搅拌高温失效的问题。7、仪器做样采用灯光照明，方便观察，显示直观。8、内置仪器自检程序，方便调试检修。

本仪器按《中华人民共和国药典》2020年版四部 通则 0613凝点测定法设计制造，测定药物由液体凝结为固体时候，在短时间内停留不变的最高温度。二丁基羟基甲苯凝固点为约69-70度，测定凝点可以区别或检查药品的纯杂程度。 一、主要技术特点1、型号规格： HSY-0613A2、控温范围： - 20℃～90度3、控温方式： 数显PID温控仪4、控温精度： ±0.1℃5、加热方式： 不锈钢电热管加热6、制冷方式： 进口压缩机制冷7、观察方式： 双层保温杜瓦瓶透明观察8、工作方式： 双孔9、试样搅拌方式：自动机械搅拌10、制冷控制： 进口磁力泵11、加热功率： 800W 12、制冷功率： 500W13、整机功率： 1400W14、工作电源： AC220V±10% 50HZ 15、工作环境： 相对湿度：〈80%二、主要技术参数及指标1、本仪器成套分为两部分，左边部分为冷浴做样部分，右边为加热做样部分。做样系统为左右式的整体结构，仪器下部为电路控制部分，操作简单、方便。2、仪器采用数显PID温控仪控温，控温精度可达±0.1℃，其温度显示直观，读数准确，还可调整因温度传感器老化产生的误差。因控温精度的要求传感器采用Pt100，感温灵敏分辨率高，抗干扰强、控温精度高。3、本仪器的冷浴是采用双层真空保温瓶，能很好的透明观察试样,保温性能良好。4、本仪器搅拌方式采用自动机械搅拌。5、不需循环冷却水，采用风机风冷，接通电源即可制冷。6、仪器采用铜管做成冷室，恒温冷却循环浴,高能效的制冷器也可兼做其它循环冷却用。7、本仪器采用优质钢板成型加工，表面采用静电喷涂工艺、坚固耐用，抗腐蚀性强。8 、本仪器使用和维修均很方便。

人25羟基维生素D3（25（OH）D3/25 HVD3）ELISA试剂盒用于体外定量检测血清，血浆，细胞培养上清液，组织匀浆,心房水样本等中的人25羟基维生素D3

在枪zhi犯罪事件中，枪击残留物 GSR 的分析将发挥重要的作用。GSR 分析技术首先基于扫描电子显微镜 （SEM） 的背散射成像，用来扫描样品和发现可疑的 “GSR” 颗粒。一旦发现可疑的颗粒，使用能谱（EDS）识别在该粒子中的元素。最常见的搜索元素为 Pb，Sb 和 Ba。无铅底火的检测，例如 Ti 和 Zn 也可最为搜索条件进行搜索。Phenom GSR 飞纳台式扫描电镜自动枪击残留物分析是全球首创在台式扫描电镜运行自动枪击残留物分析软件。其设计基于飞纳台式扫描电镜大样品室卓越版 Phenom XL。软件和硬件完全一体化，以提高用户操作界面友好性，可靠性和分析速度。Phenom GSR 包括以下三个项目：自动枪击残留物分析和分类软件包，BSED 和 EDS 探头内部集成，校准试样。Phenom GSR 飞纳台式扫描电镜自动枪击残留物分析配备 CeB6 灯丝，使其稳定运行，灯丝寿命不低于 1500 个小时，从可用性，适用性和运行时间的角度来看都非常理想。小于 1 分钟的加载时间，和快速的全自动马达样品台，使得飞纳 GSR 成为高度自动化应用的理想工具，可以用来进行自动枪击残留物分析。飞纳电镜枪击残留物分析 Phenom GSR基于 CeB6 灯丝的高分辨图像直观易用的 GSR 软件高吞吐量，一次性放置多达 36 个试样操作简单，永不丢失导航系统，完全集成能谱仪测量结果准确可靠，广泛兼容法医领域的各类应用规格参数光学放大3 - 19 X电子光学放大200,000 X分辨率优于 8 nm灯丝材料优于 1500 小时 CeB6 灯丝光学导航相机彩色加速电压4.8 Kv - 20.5 Kv 连续可调真空模式高分辨率模式降低核电效应模式高真空模式探测器背散射电子探测器二次电子探测器 (选配)样品尺寸最大 100 mm X 100 mm可同时装载 36 个 0.5 英寸样品台样品高度最高 65 mm，样品高度全自动调节

30-150mm热成像枪机30-150mm热成像枪机技术参数探测器类型8 ~ 14um非制冷探测器分辨率640×512像元间距17μm帧频50Hz红外镜头焦距30 ~ 150mmF#1.2视场角20.6°×16.5° ~ 4.2°×3.3°NETD≤50mK@25℃,F#1.0调焦范围5m ~ ∞电子放大2×、4×极性黑热／白热图像亮度/对比度自动/手动调焦方式电动调焦/自动聚焦视频编码视频压缩标准H.264视频编码分辨率D1视频帧率25 fps视频码率32Kbps-10Mbps，最大10Mbps电源供电电压DC12V输出接口网络接口10M/100M自适应以太网口支持 DHCP、TCP、等多种网络协议。物理特性尺寸324.5mm×172mm×173mm(L×W×H)重量≤8.5Kg环境参数工作温度-40℃ ~ +50℃冲击30g 持续时间11ms振动5Hz ~ 500Hz ~ 5Hz,1.5g 持续时间12min防护级别IP66

EXMC100-A防爆热成像双目枪机EXMC100-A防爆双目枪机，内置自研氧化钒非制冷红外探测器和高清可见光相机，满足全天候24小时安防监控需求。拥有双重防爆认证，机身各部件接合部位密封性能达到IP68防护等级。应用于油气储存、煤矿、危化品生产存储等，可在气体1区/2 区、粉尘21区/22区工作，助力企业安全生产。400×300红外分辨率9.1mm, 13mm,19mm镜头焦距39.5°×30.1°,28.2°×21.3°,19.5°×14.7°视场角≤40mK热灵敏度

MC2007FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。256x192红外分辨率7mm镜头焦距24°x18° 视场角-20℃~550℃测温范围产品手册

MC4019FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。400×300红外分辨率19mm镜头焦距20°×15°视场角-20℃~550℃测温范围

MC4007FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。400×300红外分辨率9.1mm镜头焦距40°x30° 视场角-20℃~550℃测温范围

MC4013FT测温型双目枪机MCxxxxFT系列主要运用于中小范围的安全监控和测温应用场景，产品采用氧化钒非制冷红外探测器，搭配高清可见光相机， 测温精准，呈现良好的观测效果。先进的测温和AI算法，支持声光报警功能，真正实现24小时安防监控与温度可视化监测。400×300红外分辨率13mm镜头焦距28°×21°视场角-20℃~550℃测温范围

Pendant 温度光强记录仪一、用途微型、下垂式温度光记录仪防水深度达到30米，可用于室内外及水中温度及光强的测量，具有广泛的适用性，即可以用于短期的温度监测，又适用于长时间置于某处进行温度及相对光强的监测。二、 特点采用分辨率为10bit温度传感器测量范围： -20° to 70°C在空气中，-20° to 50°C在水中，精度：0.47°C（25°C）光强测量范围：0-323,000 lumens/m2 0-30,000 lumens/ft2具有上下限设置，以LED指示采集间隔：1秒到18 小时；存储功能：8K或者64k；防水深度：30米USB接口，高速下载，30秒内下载60k或者6秒内下载8k数据可延迟或者在田间现场启动采集数据功能显示并记载电池状态记录主机连接，电池电压低及磁体的存在等事件发生过程三、组成1、记录仪：尺寸5.8 x 3.3 x 2.3 cm，重18克2、光学基座套件，尺寸9.5 x 4 x 2.8 cm；重45克3、HOBOware Software软件包：设置和下载数据4、数据传输器（可选）： 防水结构，直接与主机相连，与数采时钟同步，可单独显示其供电电池电池状态，便于在水中下载数据。四、技术指标温度测量范围：-20°～70°C在空气中，-20° ～ 50°C在水中温度测量精度：0.47°C（25°C时）温度测量分辨率： 0.10°C（25°C 时），光强测量范围：0—323,000 lumens/m2 0—30,000 lumens/ft2，室内外及水中光强测量所需的操作环境：-20° ～70°C在空气中，-20°～ 50°C在水中可更换电池：CR2032，1年（典型应用）存储能力：8k或者64k存储模式：数据存满时自动停止采集数据防震/摔高度：1.5米安装孔：0.32厘米光学基座下载数据：30秒内下载64k数据响应时间：5分钟（水中）， 10分钟（空气中，风速1m/s）数据传输器：内存:4MB,通讯环境：0～50°C，工作环境：-20° to 50°C，防水深度：20米，时钟精度：1分钟/月（25°C）数据传输速度（数采至传输器）：15秒钟下载60k数据数据传输速度(传输器至主机) ：6分钟下载4MB数据可更换电池：2 AA电池，1年寿命（典型应用）材料：聚碳酸酯外壳，EPDM橡胶O型圈尺寸：15.2 x 4.8 cm；重量：150g产地：美国

烟草燃烧释放物严重威胁着人体健康和我们的生存环境。烟草自身含有多种有害化学物质，在卷烟点燃时，烟草中的有机物同时发生蒸馏、干馏、热解、合成等反应，形成了大量的化合物，其中至少含有69种可致癌物。作为独立的第三方实验室，汇智泰康致力于烟草燃烧释放物中有害成分、生物体内烟草燃烧释放物有害成分及其代谢产物的检测技术方法的开发和应用。公司采用先进的仪器设备，依靠专业的技术团队，按照国家颁布的现行标准和行业标准，为企业和社会提供烟草燃烧释放物成分及其在生物体内代谢产物的监测分析服务。汇智泰康实验室可以利用GC-MS、LC-MS/MS等先进仪器及自行研发确证的方法对以下化合物进行精确的定量分析。1. 烟草燃烧释放物成分分析 ● 尼古丁、乙醛、苯 、苯并芘 、甲醛● 4-（甲基来硝胺）-1-（3-吡啶）-1-丁酮（NNK）● N-亚硝基降烟碱（NNN）● 丙烯酸乙醛（丙烯醛）2. 烟草燃烧释放物生物体内代谢检测● 尿中接触标志物可替宁和羟基可替宁● 尿中NNN 、NNK以及NNAL ● 尿中1,3-丁二烯代谢物，巯基尿酸标志物● 尿中多环芳烃（PAHs）及其羟基化的产物3. 烟草燃烧释放物中的致癌物的检测● NNK 4-（甲基亚硝胺基）-1-（3-吡啶）-1-酮 ● NNN N’-亚硝基降烟碱● NAT N-亚硝基新烟草碱● NAB N-亚硝基假木贼碱● NNA 4-(N-甲基-N-亚硝基胺)-4-(3-吡啶基)-丁醛● 1,3-丁二烯 ● 重金属（铅、铬、镉、汞、砷等）

中文名称氯霉素英文名称chloroamphenicol中文别名D-苏式-(-)-N-[alpha-(羟基甲基)-beta-羟基-对硝基苯乙基]-2,2-二氯乙酰胺 合霉素CAS RN56-75-7EINECS号200-287-4分 子 式C11H12Cl2N2O5分 子 量323.1294危险品标志 T:Toxic风险术语R45 安全术语S45 S53 物化性质熔点 149-153°C比旋光度 19.5° (c=6, EtOH)水溶性 2.5 g/L (25° C)用　　途用于治疗由伤寒杆菌、痢疾杆菌、大肠杆菌、流感杆菌、布氏杆菌、肺炎球菌等引起的感染我公司关于订购说明：1、质优价廉，量大从优，欢迎您的订购；2、物流信息：快递、汽车物流等；3、其他服务：如您对产品服务及技术指标有特殊要求，请及时通知我方；欢迎新老客户前来洽谈！订购流程：电话询单议价→签订合同→打款订货→安排发货→物流跟踪→货物送达→客户验收（7天产品质量异议期，15天产品数量异议期）→货物验收确认服务宗旨：竭诚提供 产品,售后服务客户满意 。我公司产品出厂前均由质检部检验合格方可出货，质量有保证特别说明：1，产品价格会受到季节性波动影响，具体价格请客户来电核实2，产品都是完整包装，需拆分少量时价格会稍微提高3，大货急需的客户还请提前来电，我公司提前给您备货4，收货后请仔细确认完整性无损再签收，按该产品执行标准验收，如有产品不符，我们包退包换

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

中文名称： 4-[3-(4-羟基丁基)-4,4-二甲基-2,5-二氧代-1-咪唑烷基]-2-(三氟甲基)苯腈英文名称：4-[3-(4-Hydroxybutyl)-4,4-dimethyl-2,5-dioxo-1-imidazolidinyl]-2-(trifluoromethyl)benzonitrile简称：RU58841CAS: 154992-24-2分子式：C17H18F3N3O3分子量：369.34含量：99%外观：白色粉末包装：1kg/包

RS1500手持式拉曼光谱仪介绍： RS1500手持式拉曼光谱仪采用拉曼指纹光谱分析技术，能快速识别未知化学品，可在 不接触样品的情况下鉴别原料药、赋形剂、甜味剂、防腐剂、常用有机溶剂等物质，尤其适用于具有高荧光的生物制品，有效规避荧光干扰，同时采用制冷探测器，灵敏度高，稳定性强，适用于各类型药厂、监管机构对药品进行快速鉴别。极简操作体验：检测过程无需取样，提高检测效率，且对样品无损耗。 技术特点：采用1064nm波长光源，有效避免荧光干扰内置制冷探测器，灵敏度高，可检测弱信号高通量光学系统，长检测时间不超过60s可透过透明及半透明容器直接不受水分干扰快速响应，数秒内即可完成检测固体、液体、粉末均可检测该检测仪体积小巧轻便，使用简单，可在任何地点和需要时提供快速的检测分析。强大检测能力：灵敏度高，不受荧光干扰。操作简单，无需取样 可检测物质原料药： 氨基酸、氨苄青霉素、对乙酰氨基酚、叶酸、维生素类等赋形剂： 淀粉、碳酸氢钠、羧甲基纤维素钠、糊精等甜味剂： 葡萄糖、岩藻糖、阿拉伯糖、甘露糖、海藻糖等防腐剂：山梨酸、苯甲酸钠、对羟基本甲酸酯类等溶剂： 丙酮、乙腈、1,3-丙二醇、乙醇、甲苯等

概述：空气分子污染物(AMC)对于高科技生产过程是关键性因素，特别是微电子行业，有机污染物是生产过程中的消极因素，会导致高科技公司因产品质量问题而产生的成本增加。无空气分子污染物生产是理想的生产目标，通过污染物源头控制、传播控制，实时监控污染物浓度并结合多级过滤器以及新风系统来实现，持久监测AMC浓度，有助于掌握污染物源头、稳定生产、预防过滤器突发性寿命减少等。阿瑞斯-μVOC提供给客户一个实时快捷持续的在线空气分子污染物AMC监测方案，不需要采样，离线测量。检测限达到sub-ppb级洁净室环境中的空气分子污染物AMC，内部来自建筑材料释出、设备和材料释出、腐蚀和光刻等工艺过程中化学药品逸散、人员产生、管路泄露、设备维护修理时散发等，外部来自环境空气中存在的气相污染物,以及洁净室的废气排放重新送回洁净室。一旦AMC空气分子污染物超标会引起一系列严重后果，比如晶圆废弃、停产、重新净化洁净室等。可测组份2-氨基乙醇 CH3NH2CH2OH(t-乙酸丁脂)二羟基甲苯 H3CC6H3(t-C4H9)2OH2-氨基丙醇 CH3NH2C2H4OH六甲基二硅胺烷(CH3 ) 3SiNHSi(CH3)3异丙醇(CH3 ) 2CHOH二乙氨基乙醇(C2H5)2NC2H5OH乙醇胺 H2NCH2CH2OH邻苯二甲酸二辛酯C6H4(C=OOC8H15)2环己胺C6H11NH2邻苯二甲酸二乙酯C6H4(C=OOC2H5)2环聚二甲基硅氧烷(-Si(CH3)2O-)n邻苯二甲酸二丁酯 C6H4(C = OOC4H9)2对二氯苯CIC6H4CL三乙胺(C2H5 ) 3N邻苯二甲酸二壬酯C6H4(C=OOC9H19)2邻苯二甲酸二环己酯C6H4(C=OOC6H11)2邻苯二甲酸二癸酯 C6H4(C=OOC10H21)2磷酸三乙酯(C2H5O ) 3P=0十甲基环五硅氧烷(-Si(CH3)2O-)5十二甲基环五硅氧烷(-Si(CH3)2O-)6二甲苯(CH3)2C6H4三甲酚磷酸酯(CH3C6H4O ) 3P=0三甲基硅醇C3H10OSi......亮点一般特点：在线连续质量监测全部自动化系统低浓度VOC监测独立分开测量有机物成份Sub-ppb检测限集成计算机和控制软件以及数据采集与处理功能 应用洁净间污染物监测过滤器状态监测加工过程全组份测量诊断污染物

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品型号：HMDS-6210 产品名称：真空烘箱（带基片预处理系统）电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内好品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品技术参数：电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：3000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：90L工作室尺寸（mm）：450*450*450外形尺寸（mm）：615*590*1470载物托架：2块时间单位：分钟真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。 产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

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