硅晶圆片(硅片)
硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展,硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片,请将您的参数要求发给我们,如有疑难,也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片,当然是这里!我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底,高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导:特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um,公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°,〈100〉± 1°,〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT;单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例:产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆,Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆,undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆,Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片,Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片,Solar Silicon Cells6″,5″25片外延硅片,Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片,N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片(Silicon Wafer)解决方案,从测试级硅片(Test Wafer)到产品级硅片(Prime Wafer),以及特殊硅片氧化硅片(Oxide)、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等,尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究,软光刻硅片,直接放射性核电实验,等离子体刻蚀硅片,以及微流控芯片平台的建立,我们均有成功的经验。 小常识:将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面,通常比较粗糙,无法用作晶圆生产,因而通常都在后续工艺中进行抛光,抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求,通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质,如P、B等,以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi,是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用,如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区(floatzone)(FZ)生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅,因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力,而且它能提供一种内部吸杂的机械装置,该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成,所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度(从而有更高的电阻率)。器件和电路所需的高纯起始材料(如高压,高功率器件)一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜,已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的,它提供了更大的灵活性,可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片,厚度从5μm到100μm不等,直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP,良好的表面平整度,无雾,无空洞,表面RMS低(典型1-2 nm),超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率,阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此,小型屋顶将希望使用更高的效率面板,以弥补较小的表面积。